JP5503681B2 - 熱伝達アセンブリ及びリソグラフィ装置 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、熱伝達アセンブリ、この熱伝達アセンブリを有するリソグラフィ装置、および製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層上に形成するべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって行われる。一般に、単一の基板は、次々とパターニングされる網状の隣接するターゲット部分を含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、同時に、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。

[0003] リソグラフィ投影装置内で基板を、屈折率が相対的に高い液体、例えば水の中に、投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するように浸漬することが提案されてきた。一実施形態では、この液体は蒸留水であるが、他の液体を使用することもできる。本発明の一実施形態では、液体に関して説明する。しかし他の流体、特に濡れ性の流体、非圧縮性流体、および／または空気よりも高い屈折率、望ましくは水よりも高い屈折率を有する流体も適切でありうる。気体を除く流体が特に望ましい。この趣旨は、より小さなフィーチャの結像を可能にすることにある。というのは、露光放射は液体中で波長が短くなるからである。（液体の効果はまた、システムの有効開口数（NA）を増大させること、およびまた焦点深度を増大させることであるとも考えられる。）他の液浸液が、固体粒子（例えば水晶）を懸濁させた水、またはナノ粒子サスペンション（例えば、最大直径が10nmまでの粒子）を懸濁した液体を含み、提案されてきた。これらの懸濁粒子は、それらが懸濁される液体と類似または同一の屈折率を有しても有しなくてもよい。適切でありうる他の液体には、芳香族、フッ化炭化水素、および／または水溶液などの炭化水素が含まれる。

[0004] 基板または基板と基板テーブルを液体の槽内に浸漬することは（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）、スキャン露光中に加速されなければならない大きな塊の液体があることを意味する。これには追加のモータまたはより強力なモータが必要とされ、また液体中の乱流が、望ましくないまたは予測不可能な影響をもたらしうる。

[0005] 液浸装置内では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造体または装置によって取り扱われる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムとすることができる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、そのために、流体閉じ込めシステムとすることができる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体に対するバリアを設けることができ、そのために、流体閉じ込め構造体などのバリア部材とすることができる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスの流れを生成または使用して、例えば液浸流体の流れおよび／または位置の制御を助けることができる。ガスの流れは、液浸流体を閉じ込めるシールを形成することができ、したがって流体ハンドリング構造体はシール部材と呼ばれることがあり、このようなシール部材は、流体閉じ込め構造体とすることができる。一実施形態では、液浸液は液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムとすることができる。上述の説明に関して、流体に対して定義される特徴についてのこの段落での言及は、液体に対して定義される特徴を含むと理解されてよい。

[0006] 提案された構成の１つは、基板の局部的領域の上だけで、投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を液体閉じ込めシステムを使用して供給する液体供給システムに関するものである（基板は一般に、投影システムの最終エレメントよりも大きな表面積を有する）。これを構成するために提案された１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開第９９／４９５０４号に記載されている。図２および図３に示されたように、液体が、少なくとも１つの入口から基板Ｗ上に、好ましくは最終エレメントに対する基板Ｗの移動方向に沿って供給され、それが投影システムＰＳの下を通過した後、少なくとも１つの出口から排除される。すなわち、基板Ｗがエレメントの下で−Ｘ方向にスキャンされるにつれて、液体がエレメントの＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で吸収される。図２では、液体が入口を経由して供給され、エレメントの他方の側で、低圧力源に接続された出口から吸収される構成を概略的に示す。図２では、液体は、最終エレメントに対する基板Ｗの移動方向に沿って供給されているが、実状がこうである必要はない。様々な方向、ならびに最終エレメントのまわりに配置された多数の入口および出口が実施可能であり、図３には、両側に出口を伴う４組の入口が最終エレメントのまわりに規則的なパターンで設けられた一例が示されている。図２および図３の矢印は液体の流れを示すことに注意されたい。

[0007] 局部的な液体供給システムを用いた別の液浸リソグラフィ解決策が図４に示されている。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝入口から供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の個別出口から排除される。入口は、中心に孔がある平板内に配置することができ、この孔を通して投影ビームが投影される。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝入口から供給され、投影システムＰＳの他方の側の複数の出口から排除され、それによって、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄い膜の流れが生じる。使用すべき入口と出口の組合せの選択は、基板Ｗの移動の方向によって決まりうる（もう一方の入口と出口の組合せは非活動状態にある）。図４の矢印は液体の流れを示すことに注意されたい。

[0008] 欧州特許出願公開第１４２０３００号、および米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号には、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持するための２つのテーブルが備えられる。水平化測定が、第１の位置のテーブルを用いて液浸液なしで実施され、露光が、第２の位置のテーブルを用いて実施され、この場合には液浸液が存在する。あるいは、装置はテーブルを１つだけ有する。

[0009] ＰＣＴ国際特許出願公開第２００５／０６４４０５号では、液浸液が閉じ込められないオールウェットの構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。その場合には、基板の上面全体がほぼ同じ条件で露光されるので有利なことがある。これには、温度制御および基板の処理に関して利点がある。国際公開第２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが、投影システムの最終エレメントと基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの上に漏洩してよい。液体を制御された方法で基板テーブルの上面から排除できるように、基板テーブルの縁部のバリアが液体の漏れを防止する。このようなシステムは、温度制御および基板の処理を改善するが、液浸液の蒸発が依然として起こりうる。その問題を軽減する助けとなる１つの方法が、米国特許出願公開第２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆う部材が設けられ、この部材は、それと基板の上面との間および／または基板を保持する基板テーブルの上面との間に液浸液が広がるように配置される。

[0010] リソグラフィ装置では、リソグラフィ装置の１つまたは複数の部分の温度を制御することが望ましい。例えば、ある部分の温度を、その部分にかかる加熱負荷および／または冷却負荷に対してほぼ一定に保持することが望ましい。このような加熱負荷または冷却負荷は、液浸リソグラフィ装置において流体の供給および／または排除により生じうる。一例として、ガス排除が、そのガス排除部に隣接する液体の望ましくない蒸発をもたらしうる。これは次に局部的冷却を招く。局部的な冷却は、それが隣接部分の熱収縮を招き、それによってエラーが起こりうることになるので、望ましくない。局部的な冷却は、例えば、液体閉じ込め構造体、基板テーブルなどの中または近傍で起こりうる。

[0011] 例えば、改善された熱伝達アセンブリ、このような熱伝達アセンブリを有するリソグラフィ装置、およびこのような熱伝達アセンブリを製造する方法を提供することが望ましい。

[0012] 一態様では、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を温度制御するように構成された熱伝達アセンブリを含むリソグラフィ装置が提供される。熱伝達アセンブリは、プリント回路基板、および複数の熱伝達エレメントを含む。プリント回路基板および複数の熱伝達エレメントは、リソグラフィ装置の一部分に取り付けられるように構成される。複数の熱伝達エレメントは、プリント回路基板と別個であるが電気的には結合されている。

[0013] 一態様では、熱伝達アセンブリを製造する方法が提供される。この方法は、プリント回路基板を用意するステップと、プリント回路基板と分かれている複数の熱伝達エレメントを用意するステップと、複数の熱伝達エレメントの少なくとも一部分をプリント回路基板の少なくとも一部分と相互接続するステップとを含む。プリント回路基板は、装置の少なくとも一部分に取り付けられるように構成され、複数の熱伝達エレメントは、装置のその一部分に取り付けられるように構成される。

[0014] 一態様では、熱伝達アセンブリが提供される。この熱伝達アセンブリは、プリント回路基板および複数の熱伝達エレメントを含む。プリント回路基板は、装置の少なくとも一部分に取り付けられるように構成される。複数の熱伝達エレメントは、装置のその一部分に取り付けられるように構成される。複数の熱伝達エレメントは、プリント回路基板と別個であるが電気的には結合されている。

[0015] 本発明の上記その他の態様、ならびに動作方法、構造体の関連エレメントの機能、部品の組合せ、および製造の節約手段は、そのすべてが本明細書の一部を形成する添付の図面を参照して以下の説明および添付の特許請求の範囲を考慮することによってより明らかになろう。図面では同じ参照数字が、それぞれ異なる図の対応する部分を示す。図面は、例示および説明だけを目的とするものであり、本発明の限界を定義するものではないことを特に理解されたい。また、本明細書で開示された一実施形態の特徴は、本明細書で開示された他の実施形態にも使用できることも理解されたい。本明細書および特許請求の範囲では、「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」の単数形は、文脈上別に明示されない限り複数の指示物を含む。

[0016] 次に、本発明の諸実施形態を、ほんの一例として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して説明する。

[0017]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置に使用するための別の液体供給システムを示す図である。 [0020]本発明の一実施形態で使用することができる流体閉じ込め構造体の断面図である。 [0021]本発明の一実施形態で使用することができる別の流体閉じ込め構造体の断面図である。 [0022]基板の縁部を取り囲む基板テーブルの一部分の断面図である。 [0023]本発明の一実施形態による、熱伝達アセンブリが基板テーブルに取り付けられた状態の基板テーブルの底面斜視図である。 [0024]本発明の一実施形態による熱伝達アセンブリの斜視図である。 [0025]本発明の一実施形態による熱伝達アセンブリの底面図である。 [0026]本発明の一実施形態による熱伝達アセンブリの斜視図である。 [0027]本発明の一実施形態による熱伝達アセンブリの底面図である。 [0028]本発明の一実施形態によるプリント回路基板の第１の係合部材を示す図である。 [0029]本発明の一実施形態による熱伝達エレメントの第２の係合部材を示す図である。 [0030]本発明の一実施形態による、プリント回路基板の第１の係合部材が熱伝達エレメントの第２の係合部材と接続された相互接続アセンブリを示す図である。 [0031]本発明の一実施形態による基板テーブルの中央部分の平面図である。 [0032]本発明の一実施形態による基板テーブルの中央部分の平面図である。

[0033] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、UV放射またはDUV放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ、いくつかのパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの（例えば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0034] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、形作り、または制御するために、屈折タイプ、反射タイプ、磁気タイプ、電磁タイプ、静電タイプ、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなど様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0035] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されるか否かのような他の条件に応じる方式で保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を使用することができる。サポート構造ＭＴは、例えばフレームでも、テーブルでもよく、これらは必要に応じて固定されても、可動でもよい。サポート構造ＭＴは、確実にパターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用している場合、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義語と見なすことができる。

[0036] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内でパターンを生み出すようになど、放射ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈するべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば、パターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内で生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。

[0037] パターニングデバイスMAは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向に反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内でパターンを与える。

[0038] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用など他の要因にとって適切なように、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈するべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語の使用があればそれは、「投影システム」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。

[0039] 本明細書では、本装置は、（例えば、透過マスクを使用する）透過タイプのものである。別法として、本装置は、（例えば、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）反射タイプのものとすることができる。

[0040] リソグラフィ装置は、２つの基板テーブル（デュアルステージ）またはそれよりも多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプとすることができる。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用しながら１つまたは複数のテーブルで準備ステップを実行することができる。

[0041] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別個の実体でよい。そのような例では、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬまで、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて通される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。

[0042] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータＩＬの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。このイルミネータＩＬを使用して、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射ビームを調整することができる。

[0043] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付けされる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。

[0044] 図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。

[0045] １．ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームＢに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

[0046] ２．スキャンモードでは、サポート構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向の）幅を制限するのに対して、スキャン運動の長さがターゲット部分Ｃの（スキャン方向の）高さを決定する。

[0047] ３．別のモードでは、サポート構造ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後、またはスキャン中の連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0048] 前述の使用モードまたはまったく異なる使用モードの組合せおよび／または変形形態もまた用いることができる。

[0049] 投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗの間に液体を供給するための構成は、いくつかの種類に分類することができる。第１の種類は、基板Ｗの全体と、任意選択により基板テーブルＷＴの一部とが液体の槽に浸漬される槽タイプの構成である。別の種類は、いわゆる局部浸漬システムであり、このシステムは、液体が基板の局部領域にだけ供給される液体供給システムを使用する。液体で充填される空間は、基板の上面よりも平面視で小さく、液体で充填される領域は、その領域の下を基板Ｗが移動する間、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。別の種類は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、基板上面のほぼ全体、および基板テーブルのすべてまたは一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深度は小さい。液体は、基板上の液体の、薄膜などの膜とすることができる。図２〜５の液体供給デバイスのどれでもそのようなシステムに使用できるが、封止フィーチャが存在しないか、活動化されないか、通常ほど能率的ではないか、さもなければ局部領域だけに液体を封止するには効果的ではない。４つの異なる種類の局部液体供給システムが図２〜５に示されている。図２〜４に開示された液体供給システムを上記で説明した。

[0050]
[0051] 図５は、流体閉じ込め構造体１２、ＩＨを有する局部液体供給システムを概略的に示す。流体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部分に沿って延びる。（以下の文での基板Ｗの表面についての言及はまた、別に言明されない限り、基板テーブルＷＴの表面に加えて、またはそれに代えて言及することに留意されたい。）流体閉じ込め構造体１２は、ＸＹ面では投影システムＰＳに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）にはいくらかの相対的移動がありうる。一実施形態では、シールが流体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの表面の間に形成され、このシールは、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールとすることができる。このようなシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0052] 流体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１内に、少なくとも部分的に液体を封じ込める。基板Ｗに対するガスシール１６などの非接触シールは、液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間１１の中に閉じ込められるように、投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終エレメントの下および周囲に配置された流体閉じ込め構造体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体が、投影システムＰＳの下で流体閉じ込め構造体１２内部の、空間１１の中に液体入口１３から入れられる。この液体は、液体出口１３から非除することができる。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントの少し上に延びることができる。液体レベルは最終エレメントの上に上昇し、その結果、液体のバッファが形成されるようになる。一実施形態では、流体閉じ込め構造体１２は、その上端で投影システムＰＳまたはその最終エレメントの形状とよく一致する内側周辺部を有し、これは例えば円形とすることができる。底部では、内側周辺部はイメージフィールドの形状、例えば長方形とよく一致するが、実状がこうである必要はない。

[0053] 一実施形態では、液体は、使用時に流体閉じ込め構造体１２の底面と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって、空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、例えば空気または合成空気によって、ただし一実施形態ではＮ_２によって、あるいは他では不活性ガスであるガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは圧力を受け、入口１５を経由して流体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの間のギャップに供給される。ガスは出口１４を経由して抽出される。ガス入口１５にかかる過圧力、出口１４の真空レベル、およびギャップの形状は、液体を閉じ込める高速ガス流が内向きにあるように構成される。流体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの間の液体にかかるガスの力で液体を空間１１内に封じ込める。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝とすることができる。環状の溝は、連続していても断続していてもよい。ガスの流れは液体を空間１１内に封じ込めるのに効果的である。このようなシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0054] 他の構成も実現可能であり、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態は、任意のタイプの液体供給システムと共に用いることができ、あるいはそのシステムの一部とすることができる。

[0055] 図６は、液体供給システムの一部である液体閉じ込め構造体１２の一実施形態を示す。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントの周辺部のまわり（例えば周縁）に延びる。

[0056] 空間１１を画定する面の複数の開口２０が、空間１１に液体を供給する。液体は、空間１１に入る前に、側壁２８、２２それぞれの開口２９、２０を通過する。

[0057] 液体閉じ込め構造体１２の底面と基板Ｗの間にシールが設けられる。図６では、シールデバイスが、非接触シールを形成するように構成されて、いくつかのコンポーネントで作り上げられる。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に（任意選択の）流れ制御板５０が設けられ、この流れ制御板は空間１１の中に延び（ただし投影ビームの経路の中には延びない）、出口２０から出て空間１１を横切る液浸液の実質的に並行な流れを維持することを助ける。流れ制御板５０は、投影システムＰＳおよび／または基板Ｗに対して流体閉じ込め構造体１２が光軸方向に移動することに対する抵抗を低減するために、その中に貫通孔５５を有する。

[0058] 流体閉じ込め構造体１２の底面上の流れ制御板５０の半径方向外側に、液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間から液体を抽出するための抽出器アセンブリ７０がありうる。抽出器アセンブリ７０は、単相または複相の抽出器として動作することができる。

[0059] 抽出器アセンブリ７０の半径方向外側に凹部８０がありうる。凹部８０は、入口８２を通して大気と接続される。凹部８０は、放出孔８４を介して低圧源に接続される。凹部８０の半径方向外側にガスナイフ９０がありうる。抽出器アセンブリ、凹部およびガスナイフからなる構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。

[0060] 抽出器アセンブリ７０は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号に開示されているものなどの、液体排除デバイスまたは抽出器または入口を含む。一実施形態では、液体排除デバイス７０は入口を含み、この入口は、液体をガスから分離して単一の液相液体抽出を可能にするために使用される多孔質材料７５で覆われる。チャンバ７８内の減圧力は、多孔質材料７５の孔の中に形成されるメニスカスが、液体排除デバイス７０のチャンバ７８の中に大気ガスが引き込まれることを防ぐように選択される。しかし、多孔質材料７５の表面が液体と接触する場合には流れを制限するメニスカスがなく、その液体は、液体排除デバイス７０のチャンバ７８の中に自由に流れ込むことができる。多孔質材料７５の表面は、流体閉じ込め構造体１２に沿って半径方向内側に（ならびに空間11のまわりに）延びる。多孔質材料７５の表面を通した抽出の速度は、多孔質材料７５がどれだけ液体で覆われるかによって変わる。

[0061] 多孔質材料７５は多数の小さな孔を有し、それぞれが寸法、例えば幅が５〜５０ｍｍの範囲の直径ｄ_ｈｏｌｅなどである。多孔質材料７５は、液体が排除されるべき表面、例えば基板Ｗの表面の上方に５０〜３００ｍｍの範囲の高さに維持することができる。一実施形態では、多孔質材料７５は、少なくともわずかに親液性であり、すなわち、液浸液、例えば水との動的接触角が９０°未満、望ましくは８５°未満、または望ましくは８０°未満である。

[0062] 図６には具体的に示されていないが、液体供給システムは、液の高さの変動に対処するための構成を有する。これにより、投影システムＰＳと液体閉じ込め構造体１２の間に蓄積する液体を処理することができ、液体がこぼれないようになる。この液体を処理する１つの方法は、親液性（例えば親水性）の被覆を設けることである。この被覆は、液体閉じ込め構造体１２の上面まわりにその開口を取り囲んで、および／または投影システムＰＳの最終光学エレメントのまわりに、バンドを形成することができる。被覆は、投影システムＰＳの光軸の半径方向外側に向かうものとすることができる。親液性（例えば親水性）被覆は、液浸液を空間11内に保持することを助ける。

[0063] 液浸リソグラフィ装置では、基板は通常、基板テーブル内の凹部の中に配置される。基板の幅（例えば直径）のばらつきに対応するために、凹部は通常、基板の予想最大サイズよりも少し大きく作られる。したがって、基板の縁部と基板テーブルの間にギャップが存在する。液体を供給するためのすべての構成に関し、基板と基板テーブルの間のギャップの処置についての問題がありうる。これは、液体がこのギャップに入りうることによる。液体が基板の下に出ないようにギャップから液体を排除することが望ましい。ギャップからガスの泡が液浸液に入らないようにすることもまた望ましい。この目的で、基板の縁部と基板テーブルの間のギャップの下に入口を設けることができる。この入口は、液体および／またはガスをギャップから排除できるように減圧源に接続される。

[0064] 図７は、基板テーブルＷＴと、基板テーブルＷＴの基板支持領域上に支持されている基板Ｗとを通る概略断面図である。ギャップ５が基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間に存在する。ギャップ５は、結像時に基板Ｗが中に配置される凹部の外側領域または縁部にある。局部領域液体供給システムを使用する液浸リソグラフィ機では、基板Ｗの縁部の像が形成されるとき（あるいは前述のように、基板Ｗが投影システムPSの下で最初に移動するときなど他のときに）、ギャップ５は、例えば液体供給システム１２からの液体で充填された空間１１の下を通過する。その結果、液体が空間１１からギャップ５に入ることになりうる。他の液体供給システムでは、液体がギャップ５にいつでも入ることができる。

[0065] ギャップ５に入る液体を処置するために、少なくとも１つの配水路１０、１７を基板Ｗの縁部に設けて、ギャップ５に入る液体があれば排除することができる。図７の実施形態では、２つの排水路１０、１７が示されているが、排水路が１つだけあることも、あるいは２つより多い排水路があることもある。排水路１０、１７は、例えば、基板Ｗの周辺部全体が取り囲まれるように環状である。

[0066] 第１の排水路１０の主要な機能は、ガスの泡が液体供給システム１２の液体１１に入らないようにすることである。このような泡があると、基板Ｗの結像に有害な影響を及ぼすおそれがある。ピンプル（pimple）テーブル３０の下に第２の排水路１７を設けると、ギャップ５から基板Ｗの下にまで到達する液体により起こりうる問題が軽減され、あるいはなくなる。基板Ｗの下の液体は、例えば、基板の結像後に基板テーブルＷＴから基板Ｗを効率的に解放することを妨げ、かつ／または基板のゆがみを引き起こしうる。従来と同様に、基板Ｗは、複数の突起３２を備えるピンプルテーブル３０によって保持される。基板Ｗと基板テーブルＷＴの間でピンプルテーブル３０によって加えられる減圧力により、基板Ｗが所定の位置に堅固に保持されることが保証される。しかし、液体が基板Ｗとピンプルテーブル３０の間に入ると、このことが、特に基板Ｗを取り出すときに問題になりうる。

[0067] 第１の排水路１０は、出口１４２を介して減圧源に接続され、この減圧源は、第１の排水路１０に入る液体を効果的に排除する。減圧源は、基板テーブルＷＴの上のギャップ５の外側からガスを第１の排水路１０を通して引き込み、出口１４２を通して引き出すのに効果的である。液体がギャップ５に入る可能性がある場合に、出口１４２を減圧源に接続するためだけの措置を取ることができる。

[0068] 一般に第１の排水路１０は、チャンバ１４０をギャップ５と流体連通にする入口１１０を備える。チャンバ１４０は、例えば環状にすることができる。出口（1つまたは複数）１４２は、チャンバ１４０と流体連通している。チャンバ１４０は、圧力変動を抑制し、それによって振動を低減するのを助けるのに有用である。ガスおよび／または液体が入口１１０（連続溝でも複数の個別貫通孔でもよい）を通して引き込まれると、ギャップ５に入った液体が蒸発することになりうる。液体が蒸発すると、局部冷却することになる。局部冷却は、周囲の基板テーブルＷＴの機械的収縮を招く可能性があり、ひいてはオーバーレイエラーになるおそれがある。

[0069] 第２の排出路１７は、減圧（例えば0.6バール）された出口９５を備え、この圧力は、ピンプルテーブル３０の減圧力（例えば0.5バール）よりも少し大きい。これは、ピンプルテーブル３０ならびにギャップ５から出口９５へのガスの流れがあることを保証する助けになる。一代替実施形態では、第２の排出路１７を過圧力に保持することができる。この場合には、出口９５から出てギャップ５に向かうガスの流れがある。これを毛管圧力と併せて用いて、ピンプルテーブル３０と基板Ｗの間に入る液浸液を低減または阻止することができる。

[0070] 図から分かるように、２つの突起９１および９２が基板Ｗの下に設けられている。半径方向外側の突起９１は、いわゆる「ウェットシール」であり、それと基板Ｗの底面との間を液浸液が通過する可能性が高い。半径方向内側の突起９２は、「ドライシール」であり、それと基板Ｗとの間には実質的にガスだけが通過する可能性が高い。

[0071] ２つの突起９１、９２の間に、チャンバ９４に通じているチャネル９３がある。チャンバ９４は、減圧源に接続された出口９５と流体連通している。この第２の排出路１７および第１の排水路１０についてのさらなる詳細は、米国特許出願公開第２００８−０２９７７４４号に見出すことができる。

[0072] 上記で論じたように、加熱負荷または冷却負荷は、リソグラフィ装置の一部分の温度安定性に有害な影響を及ぼすおそれがある。このような加熱負荷または冷却負荷は、これが一部分（例えば、基板テーブルまたは液体閉じ込め構造体）の熱膨張／収縮を招き、それによってエラー（例えばオーバーレイエラー）が起こりうることになるので、望ましくない。冷却負荷は、液体の望ましくない蒸発により生じうる。このような蒸発は、例えば、液体閉じ込め構造体を通すガス排除により、あるいは基板と基板テーブルの間のギャップを通すガス排除により起こりうる。したがって、熱伝達アセンブリを設けてリソグラフィ装置の一部分の温度を制御することができる。

[0073] 図８、９および１０は、本発明の一実施形態による熱伝達アセンブリ５００を示す。一実施形態では、熱伝達アセンブリ５００は、リソグラフィ装置（図１に示す）の少なくとも一部分を加熱するように構成される。熱伝達アセンブリ５００は、プリント回路基板５０２および複数の熱伝達エレメント５０４を含む。プリント回路基板５０２および複数の熱伝達エレメント５０４は、リソグラフィ装置（図１に示す）の同じ部分に取り付けられるように構成される。言い換えると、複数の熱伝達エレメント５０４は、リソグラフィ装置（図１に示す）の、プリント回路基板５０２が取り付けられる部分に取り付けられるように構成される。複数の熱伝達エレメント５０４は、プリント回路基板５０２と別個であるが電気的には結合されている。言い換えると、複数の熱伝達エレメント５０４は、プリント回路基板５０２とは一体化して形成されていない。図８では、３つの熱伝達エレメント５０４が符号表示されているが、６つの熱伝達エレメント５０４が示されている。任意の数の熱伝達エレメント５０４を設けることができる。

[0074] 図示の実施形態では、図８に示されるように、リソグラフィ装置の一部分は、基板テーブル５０６である。しかし、熱伝達アセンブリ５００は、熱制御を必要とするリソグラフィ装置のいかなる部分にも取り付けできることが企図されており、例えば、液浸液を中に閉じ込め、投影システムＰＬ（図１に示す）の最終エレメントと基板Ｗ（図１に示す）の間の空間に液浸液を供給し、かつ／またはそこから液浸液を排除する液体閉じ込め構造体の一部分、閉鎖構造体（すなわち、基板テーブルが、液体閉じ込め構造体から遠くに移動され、基板テーブルから分離した、液体閉じ込め構造体の下に移動可能なテーブルを含みうる場合、あるいは基板テーブルが、別の基板テーブルの所定の位置の液体閉じ込め構造体の下で１つの基板テーブルが移動できるように２つ以上の基板テーブルの間に配置された、または配置可能な交換ブリッジを含みうる場合に、隣接する液体を液体閉じ込め構造体内に封じ込めるために使用される面）、リソグラフィ装置内のセンサ、あるいは熱伝達制御を用いることができるリソグラフィ装置の他の任意のコンポーネントに取り付けできることが企図されている。

[0075] 一実施形態では、図８に示されるように、基板テーブル５０６は、上向き対向面５０８および下向き対向面５１０を含む。一実施形態では、上向き対向面５０８は、基板テーブル５０６上に基板Ｗ（図１に示す）を支持するように構築され配置された基板支持領域５０８の形をしている。下向き対向面５１０は、プリント回路基板５０２の内側面５１２と係合するように構築され配置されている。言い換えると、プリント回路基板５０２は、基板支持領域５０８の反対側にある基板テーブル５０６の面５１０に取り付けられる。したがって、実際には、図８の加熱アセンブリ、および基板テーブル５０６は通常、典型的な使い方では裏返される。

[0076] 一実施形態では、図８に示されるように、基板テーブル５０６は一般に複数の貫通孔５４８を含むことができ、この貫通孔は、そこにピン（図示せず）を通すことができて基板テーブル５０６の基板支持領域５０８から基板Ｗを分離できるようにし、かつ／または使用の際に基板支持領域５０８上に支持される基板に減圧力を加えられるようにして、その領域５０８上に基板を保持する。

[0077] 一実施形態では、図１０に示されるように、プリント回路基板５０２は、中央に開口５３６が配置されたリング形部分５３４を含むことができる。一実施形態では、プリント回路基板５０２はフレキシブルプリント回路基板とすることができる。プリント回路基板５０２は、複数の取付け部材５１６を含むことができ、これらは、プリント回路基板５０２の内側面５１２（図８に示す）を基板テーブル５０６の下向き対向面５１０に取り付けるように構築され配置される。図示の実施形態では、図８および図１０に１つだけ例が示されているように、複数の取付け部材５１６には、プリント回路基板５０２に沿って均等に分布して全体に配置された１８個の取付け部材５１６を含むことができる。しかし、プリント回路基板５０２に沿って全体に配置された取付け部材５１６の数は、合計で変わりうる。

[0078] 図示の実施形態では、図９に示されたように、取付け部材５１６は取付け部５１８を含む。取付け部５１８は、プリント回路基板５０２を基板テーブル５０６（図８に示す）に取り付けるために、基板テーブル５０６の下向き対向面５１０（図８に示す）に配置された係合部材（図示せず）と係合するように構築され配置される。

[0079] 一実施形態では、図８および図１０に示されるように、プリント回路基板５０２は、複数の切取り領域５２４を含むことができ、これらは、プリント回路基板５０２を基板テーブル５０６に整合させ取り付けるために、基板テーブル５０６の下向き対向面５１０上に配置された複数の突出部材５２６と係合するように構築され配置される。図示の実施形態では、図８および図１０に１つだけ例が示されているように、複数の切取り領域５２４は２つの切取り領域５２４を含むことができ、複数の突出部材５２６は２つの突出部材５２６を含むことができる。しかし、プリント回路基板５０２上の全体に配置される切取り領域５２４の数、および基板テーブル５０６上の全体に配置される突出部材５２６の数は、合計で変わりうる。図示の実施形態では、切取り領域５２４は一般に半円形の構成を有することができ、突出部材５２６は一般に円形の構成を有することができる。しかし、この実施形態は、実現できる様々なタイプの突出部材および切取り領域の形状、構成および／または構造のうちの１つの例にすぎないことを理解されたい。

[0080] 一実施形態では、図８および図１０に示されるように、プリント回路基板５０２は、プリント回路基板５０２および複数の熱伝達エレメント５０４に電力を供給するように構築され配置された電源端子５４４を含むことができる。一実施形態では、電源端子５４４は、可撓（または曲げることができる）延長部材５４６を用いてプリント回路基板５０２のリング形部分５３４に接続される。

[0081] 一実施形態では、図１０に示されるように、プリント回路基板５０２は延長部分５３２を含み、この延長部分は、プリント回路基板５０２にいくらかのたるみを与えて、プリント回路基板５０２のリング型部分５３４の熱膨張および／または熱収縮しやすくするように構築され配置される。一実施形態では、たるみの量は、プリント回路基板５０２の材料の熱膨張係数、および／またはプリント回路基板５０２のリング型部分５３４の半径に基づいて決定することができる。

[0082] 図示の実施形態では、図８および図１０に、単なる１つの例として示されるように、熱伝達アセンブリ５００の複数の熱伝達エレメント５０４には、基板支持領域５０８の縁部５１４をほぼ取り囲んで延びるように配置された６つの熱伝達エレメント５０４Ａ〜Ｆを含むことができる。しかし、基板支持領域５０８の縁部５１４をほぼ取り囲んで延びるように配置された熱伝達エレメント５０４の数は、合計で変わりうる。一実施形態では、複数の熱伝達エレメント５０４のそれぞれが、円弧形の構成を含むことができる。しかし、この実施形態は、実現できる様々なタイプの熱伝達エレメントの形状、構成および／または構造のうちの１つの例にすぎないことを理解されたい。一実施形態では、熱伝達エレメント５０４は、熱を発生するように構築され配置された加熱抵抗を含むことができ、熱伝達エレメントによって発生される熱量は、加熱抵抗に供給される電力量に基づく。一実施形態では、熱伝達エレメント５０４は、ペルチェエレメントなど、冷却をもたらすように構築され配置された冷却デバイスとすることができる。

[0083] 図１０、１１および１２に示されるように、熱伝達エレメント５０４は、第１の部材５５０および第２の部材５５２を含むことができる。図示の実施形態では、図１０〜１２に示されるように、第１の部材５５０および第２の部材５５２が同じ面内にある場合、第２の部材５５２は一般に第１の部材５５０から延び、それと直角をなす。図示の実施形態では、第１の部材５５０は、概して形状が長方形であり、第２の部材５５２は、概してＴ字形またはＩ字形の構成を含むことができる。一実施形態では、第１の部材５５０と第２の部材５５２は一体化しており、すなわち単一片の材料から形成されている。一実施形態では、第１の部材５５０は第１の接続部分５５４を含むことができ、第１の接続部分５５４は、第２の部材５５２の第２の接続部分５５６と接続するように構築され配置されて、第１の部材５５０を第２の部材５５２と接続する。第１の部材５５０の第１の接続部分５５４と、第２の部材５５２の第２の接続部分５５６とは、当業者には理解されるように、接着剤接合、接着、溶接、または他の付着方法を用いて互いに付着させることができる。

[0084] 図１０〜１２に示されるように、一実施形態では、熱伝達エレメント５０４の第２の部材５５２が曲げられていない場合、熱伝達エレメント５０４の第１の部材５５０および第２の部材５５２は一般に、プリント回路基板５０２のリング型部分５３４と同じ面にありうる。

[0085] 第２の部材５５２は、熱伝達エレメント５０４とプリント回路基板５０２の間の接続を容易にするように構築され配置された第２の係合部材５３０を含むことができる。第２の部材５５２は、第２の係合部材５３０と第２の接続部５５６の間に配置された可撓（または曲げることができる）部分５６０を含むことができる。可撓（または曲げることができる）部分５６０は、第２の部材５５２の第２の係合部材５３０が第２の接続部分５５６の面に概して垂直な面にあるように構築され配置されて曲げられる。

[0086] 一実施形態では、図１３に示されるように、第１の係合部材５２８は、プリント回路基板５０２と一体化した部分であり、熱伝達エレメント５０４上に配置された対応する第２の係合部材５３０（図１２および図１４に示す）と係合するように構築され配置されて、熱伝達エレメント５０４をプリント回路基板５０２と接続する。

[0087] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメント５０４がハンダ付け工程によってプリント回路基板５０２に結合または接続される。図１３〜１５に示されるように、第１の係合部材５２８および第２の係合部材５３０はそれぞれ、ハンダ場所５３８および５４０を含む。ハンダ場所５３８またはハンダ場所５４０、あるいは両方は、ハンダ材料で覆うことができる。ハンダ材料を有するハンダ場所５３８および／または５４０は、ハンダ材料をリフローするように、かつ第１の係合部材５２８と第２の係合部材５３０が重ねて配置された場合に整合するそれぞれのハンダ付け場所の間にハンダ接合部５４２を生成するように構築され配置される。したがって、各ハンダ接合部５４２で、複数の熱伝達エレメント５０４をプリント回路基板５０２と電気的および物理的に接続することができる。しかし、この実施形態は、実現できる様々なタイプのハンダ接合部および／または係合部材の形状、構成および／または構造のうちの１つの例にすぎないことを理解されたい。

[0088] 一実施形態では、第１の係合部材５２８および第２の係合部材５３０は重ねて配置され、サーモードホットバーリフローハンダ工程を用いて一緒にハンダ付けされ、それによって、必要な場合に除去または再配置できるハンダ接続部が形成される。サーモードホットバーリフローハンダ工程中、第１の係合部材５２８および第２の係合部材５３０は重ねて配置され、標準的な信頼性の高いハンダ接続部が得られるように、サーモードホットバーリフローハンダ装置のサーモードホットバーとホットプレートの間に一緒に入れられる。一般に、サーモードホットバーリフローハンダ付け工程には、事前にフラックス塗布されハンダコーティングされた２つのコンポーネント（例えば、第１の係合部材５２８および第２の係合部材５３０）をハンダが溶解するように十分な温度まで加熱エレメント（例えばサーモード）で加熱することが含まれる。冷却工程中にコンポーネントが所定の場所にとどまることを保証するために、ハンダ付け工程中に圧力が加えられる。加熱エレメントは、接続ごとに加熱され冷却される。

[0089] 熱伝達エレメント５０４およびプリント回路基板５０２をモジュール化することによって、熱伝達アセンブリ５００のコンポーネント（すなわち、プリント回路基板５０２および熱伝達エレメント５０４）は簡単に組み立てることができる。複数の熱伝達エレメント５０４は、代替または追加の取付け工程、例えば、積層化工程、溶接工程、導電接着工程、またはワイヤボンディング工程によって、プリント回路基板５０２に結合または接続することができる。一実施形態では、プリント回路基板５０２と熱伝達エレメント５０４の間の接続を容易にするために、ゼロ挿入力（ZIF）型コネクタ、フレキシブルプリント回路（FPC）型コネクタ、またはフレキシブルフラットケーブル（FFC）型コネクタを使用することができる。一実施形態では、プリント回路基板５０２と熱伝達エレメント５０４の間の接続を容易にするために、異方性導電フィルム（ACF）を使用することができる。

[0090] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメント５０４のうちの少なくとも１つが、外せるようにしてプリント回路基板５０２に接続される。したがって、熱伝達アセンブリ５００の２つのコンポーネントのうちの１つ（すなわち、プリント回路基板５０２または熱伝達エレメント５０４）が破損した場合、熱伝達アセンブリ５００のモジュラー設計により、熱伝達アセンブリ５００の両方のコンポーネント（すなわち、熱伝達エレメント５０４およびプリント回路基板５０２）を取り替え変えなくても、熱伝達アセンブリ５００の破損したコンポーネントだけを容易に取替えることが可能になる。

[0091] さらに、モジュラー設計により、プリント回路基板５０２のアップグレードを簡単にすることができ（すなわち、熱伝達エレメント５０４を破損させる、または取り替えることがない）、かつ／または熱伝達エレメント５０４のアップグレードを簡単にすることができる（すなわち、プリント回路基板５０２を破損させる、または取り替えることがない）。これにより、プリント回路基板のアップグレード、熱伝達エレメントのアップグレード、および修繕あるいは古い機械または基板テーブルモジュールをオーバホールすることが簡単になる。

[0092] 熱伝達アセンブリ５００のモジュラー設計では、複数または異なる供給業者で別々のコンポーネントを製造する可能性により、またより簡単で標準的な製造技術をより高い歩留まりで用いる可能性により、熱伝達アセンブリ５００のコンポーネント（熱伝達エレメント５０４およびプリント回路基板５０２）のコストを低減することができる。言い換えると、熱伝達アセンブリ５００のモジュラー設計により、熱伝達エレメント５０４を１つまたは複数の熱伝達エレメント製造業者でその技術／工程を用いて製造すること、プリント回路基板５０２を１つまたは複数のプリント回路基板製造業者でその工程／技術を用いて製造すること、および熱伝達アセンブリ５００を１つまたは複数のプリント回路組立て業者で組み立てることが可能になる。必要に応じて、フレキシブルプリント回路基板５０２および熱伝達エレメント５０４は、改善または変更することが簡単に低コストでできる。したがって、熱伝達アセンブリ５００のモジュラー設計では、標準的な技術を用いることによって熱伝達アセンブリ５００の全体設計の改善を簡単にし、それによって、熱伝達アセンブリ５００の歩留まりおよび信頼性を改善することができる。

[0093] 熱伝達アセンブリ５００のモジュラー設計により、熱伝達アセンブリ５００のコンポーネント（熱伝達エレメント５０４およびプリント回路基板５０２）を別々に検査することが可能になり、それによって、より厳しい製造公差（より高精度）およびよりよい診断／問題解決が可能になる。

[0094] 複数の熱伝達エレメント５０４のうちの少なくとも１つを基板支持領域５０８の縁部５１４のまわりにプリント回路基板５０２と分けて並べるように、複数の熱伝達エレメント５０４のうちの少なくとも１つは、プリント回路基板５０２と分けて移動可能である。

[0095] 一実施形態では、熱伝達アセンブリ５００を製造する方法が提供される。この方法は、プリント回路基板５０２を用意するステップと、プリント回路基板５０２と分かれた複数の熱伝達エレメント５０４を用意するステップと、複数の熱伝達エレメント５０４をプリント回路基板５０２と相互接続するステップとを含む。プリント回路基板５０２は、装置の少なくとも一部分に取り付けられるように構成され、複数の熱伝達エレメント５０４は、装置のその一部分に取り付けられるように構成される。一実施形態では、この装置はリソグラフィ装置（図１に示す）とすることができる。

[0096] 一実施形態では、熱伝達エレメントの位置は、それが取り付けられる部位の設計に従って選択される。例えば、その部位の特定の一部分では、その部位の他の部分よりも高い熱伝達負荷がかかりうる。例えば、基板テーブルまたは液体閉じ込め構造体の入口は、その部位の他の部分よりも大きい局部冷却を受ける可能性がある。別の例として、基板の縁部に隣接する基板テーブルの一部分は、その縁部が液浸リソグラフィ液体ハンドリングシステムの局部液体空間の下を通る場合には、より大きい局部冷却を受ける可能性がある。上記その他の場合で、少なくとも１つの熱伝達エレメントを該当する領域（例えば入口、または基板の縁部に近い基板テーブル部分）に近接して、他のところに存在する別の熱伝達エレメントも任意選択により伴って、配置することができる。

[0097] 一実施形態では、熱伝達アセンブリ５００は、１つまたは複数のセンサを含むことができる。一実施形態では、このセンサは、プリント回路基板５０２と一体化させることができる。一実施形態では、センサは、熱伝達エレメント５０４と同様に、または熱伝達エレメント５０４の一部として、プリント基板５０２に別個に取り付けることができる。別個に取付け可能なセンサにより、センサのアップグレードまたは取替えが、プリント回路基板５０２の取替えを伴うことなく容易になる。

[0098] 一実施形態では、センサは温度センサを含む。この温度センサは点センサとすることもできる。その場合、１つの熱伝達エレメントあたり複数の温度センサが必要になる可能性が高い。熱伝達エレメントのどんな特定の構成でも、その熱応答は、１つの熱伝達エレメントあたり１つだけの温度センサではなく３つの温度センサからの信号によってその応答が制御されるならば、よりよくなりうる。各センサの平均値が採用されるべきである。センサは、並列または直列に接続することができる。一実施形態では、温度センサはリボンセンサとすることもでき、これはその本質によって、ある領域にわたり温度を平均する。センサは、例えば図９に示されるように、取付け部分５１８の表面５２２に装着される負温度係数（NTC）センサ５２０とすることもできる。

[0099] 一実施形態では、コントローラが設けられる。このコントローラは、測定温度を所与の設定点に維持しようとする。その応答が早いほど、期待できる性能はよくなる。熱時定数が急速であるほど、熱負荷が加わることによって生じる正味の最大温度変化が小さくなる。コントローラは、１つまたは複数のセンサからのフィードバックに基づいて熱伝達エレメントを制御することができる。フィードフォワード制御が、例えば、液体ハンドリングシステムの相対位置に基づいて実現可能である。

[00100] 本発明の一実施形態を液浸リソグラフィ装置に関して上記で説明してきたが、必ずしも実状がこうである必要はない。他のタイプの装置では、不均一な冷却（または加熱）をこうむることがある。例えば、超紫外線（EUV）放射リソグラフィ装置では、投影ビームが当たることによる加熱が起こりうる。これは、基板テーブルなど装置の一部分に局部加熱をもたらしうる。その一部分に、通常の動作条件での望ましい温度に対して小さな負の温度オフセットが与えられた場合、熱伝達エレメントをオフに切り替えることによって局部冷却負荷をかけることができる。別法として、または加えて、例えば熱伝達エレメントのペルチェエレメントを使用して熱伝達エレメントを冷却することもできる。したがって、理解されるように、本発明の一実施形態は、リソグラフィ装置であろうとなかろうと、どんなタイプの装置でも実施することができる。

[00101] 熱伝達エレメントは、関連する任意の場所に配置することができる。例えば、基板テーブルの場合、熱伝達エレメントは、基板テーブルの基板支持領域の中心からそれぞれ異なる半径方向距離のところに配置することができる。

[00102] 図１６は、基板テーブルＷＴとの関連で、熱伝達アセンブリ５００の応用例を示す。図１６は、基板テーブルＷＴの基板支持領域の平面図である。図示のように、入口１１０がチャンバ１４０をギャップ５（図７に示す）と流体連通にする。熱伝達流体用の中央チャネル２００が設けられている。中央チャネル２００は、基板Ｗの一部分の下の経路に続く。基板チャネル２００の経路は、加熱流体をチャネル２００中に通すことによって均一な加熱を施すことができるようになっている。チャネル２００に入る熱伝達流体の温度は、第１の温度センサ２１０によって検出される。チャネル２００を出る熱伝達流体の温度は、第２の温度センサ２２０によって検出される。第３の温度センサ２３０をチャネル２００内に設けて、局部的な箇所の温度を検出することができる。温度センサ２１０、２２０、２３０からのデータをコントローラに供給することができ、このコントローラは、ヒータ２４０を使用して熱伝達流体の温度を制御することができる。ヒータ２４０は熱伝達流体を、熱伝達流体がチャネル２００に入る前に加熱するために使用される。

[00103] 第１の排水路１０（図７に示す）によって起こりうる過剰な冷却に対処するために、熱伝達アセンブリ５００の一実施形態では、加熱エレメント２５０を設けることができる。加熱エレメント２５０は、単一の加熱エレメントであり、入口１１０に隣接し、入口１１０の周辺部（例えば周囲）を取り囲んで延びる。

[00104] 加熱エレメント２５０は、図７に示されるチャンバ１４０の下、またはチャンバ１４０の両側に配置することができる。加熱エレメント２５０には他の適切な位置もありうる。

[00105] 第４の温度センサ２６０が設けられる。第４の温度センサ２６０は、入口１１０の近傍に設けられる。コントローラが、第４の温度センサ２６０から得られた情報を用いて、加熱エレメント２５０に加えられる電力を制御することができる。

[00106] 図１７は、基板テーブルＷＴとの関連で、熱伝達アセンブリ５００の別の応用例を示す。図１７は、図１６と同様に基板支持領域を平面図で示す。複数の熱伝達エレメント３１０、３２２、３２４、３３０、３４２、３４４、３５０、３６０（熱伝達エレメント５０４と同様）が入口１１０に隣接して設けられる。複数の熱伝達エレメント３１０、３２２、３２４、３３０、３４２、３４４、３５０、３６０のうちの少なくとも２つが、基板支持領域の縁部の別々のセグメントに沿って配置される。すなわち、入口１１０の周辺部がセグメント化され、それぞれのセグメントが、それに付随する少なくとも１つの熱伝達エレメント３１０、３２２、３２４、３３０、３４２、３４４、３５０、３６０を有する。一実施形態では、入口１１０の周辺部は、６つの区域またはセグメントに分割されている。各区域またはセグメントは、少なくとも１つの熱伝達エレメント３１０、３２２、３２４、３３０、３４２、３４４、３５０、３６０を備える。説明が目的の図１７では、各区域は、熱伝達エレメント３１０、３２２、３２４、３３０、３４２、３４４、３５０、３６０のそれぞれ異なる組合せを備える。しかし、熱伝達エレメントの任意の組合せを使用することができ、実のところ区域のすべてが同じ熱伝達エレメント構成を有することもでき、あるいは区域のいくつかだけが同じ熱伝達エレメント構成を有することもできることを理解されたい。

[00107] 第１のセグメント９１には、単一の熱伝達エレメント３１０だけが存在する。単一の熱伝達エレメント３１０は、セグメント９１の全長に沿って延びる。第２のセグメント９２には、３つの熱伝達エレメント３２２、３２４が示されている。熱伝達エレメント３２２、３２４は同じ長さであり、合わさってセグメント９２の全長に沿って延びる。

[00108] 第３のセグメント９３には、２つの熱伝達エレメント３３０が設けられている。これらの熱伝達エレメント３３０は、短い熱伝達エレメントであり、合わさっても第３のセグメント９３の全長に及ばない。

[00109] 熱伝達エレメントの電力は、可能性のある熱負荷の冷却電力に厳密に適合するように選ばれる。この結果、予測されなかった熱負荷に対応するための別の熱伝達エレメントが必要になりうる。第４のセグメント９４では、熱伝達エレメント３４２がセグメント９４の全長に及ぶ。別の熱伝達エレメント３４４が設けられ、これはセグメント９４の小部分だけに及ぶ。これは、例えば、使用時に、セグメントの特定の部分での局部冷却が他の部分での局部冷却よりも頻繁に起こることが分かっている場合に有用になりうる。２つの熱伝達エレメント３４２、３４４は、基板テーブル内の別々の位置に設けることができる。図１７の熱伝達エレメントの位置は、加熱エレメント２５０の位置と同じとすることもできる。すなわち、これらは、第１の排水路１０の下、またはその両側、または他の場所に配置することもできる。 図１７の第４のセグメント９４内など、部分的に重なる２つの熱伝達エレメントの場合では、一方の熱伝達エレメントはチャンバ１４０の右側に設け、他方の熱伝達エレメントは第１の排水路１０の下、またはチャンバ１４０の左側に設けることもできる。

[00110] 図１７では、第５のセグメント９５は単一の熱伝達エレメント３５０を有し、熱伝達エレメント３５０は、セグメント９５の全長に沿っては延びない。第６のセグメント９６では、２つの熱伝達エレメント３６０が存在し、これらは、第３のセグメント９３の場合に反して、セグメント９６の全長に沿って延びる。

[00111] 理解されるように、各熱伝達エレメントは、一群として、隣り合う熱伝達エレメントの間にギャップがありうるにしても、基板支持領域の縁部をほぼ取り囲んで延びる。少なくとも２つの熱伝達エレメントを非並行とすることができ、こうすることは、基板支持領域の縁部の向かい合う側の一部分だけが、付随する熱伝達エレメントを有することのないように保証する助けになる（例えば、米国特許第７，３０４，７１５号の並行ヒータの配置と同様に）。

[00112] 熱伝達エレメントのそれぞれは、それが付随する基板支持領域の縁の部分に平面視で厳密に一致するように形づくられる。すなわち、熱伝達エレメントは、平面視でまっすぐではなく湾曲している。熱伝達エレメントのそれぞれは、図１７に示されるように、周辺の方に細長くするだけでなく、垂直または水平の方向に細長くすることができる。任意の水平熱伝達エレメントと垂直熱伝達エレメントの組合せ、および／または任意の数の熱伝達エレメント（１つまたは複数）、および／または任意の場所を各セグメントにおいて用いることができる。

[00113] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントが、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも２つが互いに独立して制御可能であるという意味で、独立して制御可能である。しかし、同じセグメント内の２つの熱伝達エレメントが同調して制御される場合もある。例えば、図１７の第３のセグメント９３および第６のセグメント９６において、熱伝達エレメント３３０、３６０を同じように制御することができる。

[00114] 一実施形態では、熱伝達エレメントの制御は、セグメント内に配置された温度センサの結果に基づいて行われる。図１７から分かるように、各セグメントは、第１のセグメント９１に示されるように、単一のセンサ４１０を備えることができる。別法として、または加えて、１つのセグメントにつき複数の温度センサを設けることもできる。このような例の１つが第２のセグメント９２に示されており、セグメント９２の長手方向に沿って配置された３つの温度センサ４２０がある。

[00115] 独立して制御可能な複数の熱伝達エレメントを設けることによって、局部領域液体供給システムが使用される場合にありそうな局部熱変動に対応することが可能である。すなわち、入口１１０が局部液体供給システムの下を通る場合、冷却は、液体で覆われた領域の下を通る入口１１０の長手方向に沿ってだけ起こる可能性が高い。図１７のシステムでは、その領域だけを加熱し、そうして基板テーブルＷＴをより一定の温度に維持し、それによってオーバーレイエラーを低減することが可能である。熱伝達エレメントをセグメントの群として設けることによって、局部温度を慎重に制御することが可能である。

[00116] 熱伝達エレメントのそれぞれに加えられる電力を制御するために、コントローラを設けることができる。このコントローラは、各熱伝達エレメント３１０、３２２、３２４、３３０、３４２、３４４、３５０、３６０に供給される電力量を１つまたは複数の温度センサから受け取る信号に基づかせることができる。別法として、または加えて、電力は、液体ハンドリングシステムの下の基板テーブルＷＴの位置に基づいて熱伝達エレメントに加えることもできる。したがって、基板テーブルＷＴの位置で、特定の位置にある第１の排水路１０により熱負荷がかけられている可能性があることが示されるとき、その位置の熱伝達エレメントに通電して補償することができる。コントローラは、コンピュータソフトウェアの形とすることができる。コントローラは、単一セグメントの複数の熱伝達エレメントを一群として制御でき、あるいはこれらの熱伝達エレメントを個々に制御することができる。

[00117] 熱伝達エレメントを入口１１０のまわりで少なくとも３つのセグメント、望ましくは少なくとも４つ、または少なくとも６つの別々のセグメントに分割すると有利になりうる。セグメントの理想的な数は、液体供給システムが液体を供給する基板テーブルおよび／または基板の上面の局部領域の幅（例えば直径）とリンクする。各セグメントが局部領域の幅（例えば直径）の３分の１以下の長さを有する場合には、温度調節に関して著しい改善を実現することができる。

[00118] 入口１１０が、入口１１０の周辺に沿って配置された複数の個別貫通孔を経由して減圧力に接続される場合、熱伝達エレメントが分布するセグメントの数は、個別貫通孔の数の整数倍とすることができる。例えば、３つの個別貫通孔がある場合、セグメントの数は３、または６、または９、または１２などとすることができる。

[00119] 一態様では、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を温度制御するように構成された熱伝達アセンブリを備えるリソグラフィ装置が提供され、この熱伝達アセンブリは、リソグラフィ装置のその一部分に取り付けられるように構成されたプリント回路基板と、リソグラフィ装置のその一部分に取り付けられるように構成された複数の熱伝達エレメントとを含み、複数の熱伝達エレメントは、プリント基板と別個であるが電気的には結合されている。

[00120] 一実施形態では、リソグラフィ装置の一部分は基板テーブルである。

[00121] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントがハンダ付け工程によってプリント回路基板に接続される。

[00122] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントは、基板テーブルの基板支持領域の縁部をほぼ取り囲んで延びるように配置される。

[00123] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つは、基板テーブルの基板支持領域の縁部をほぼ取り囲んで延びる円弧形の構成を含むことができる。

[00124] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つは、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つを基板支持領域の縁部まわりにプリント回路基板と別個に並べるように、プリント回路基板と別個に移動可能である。

[00125] 一実施形態では、プリント回路基板は、基板支持領域の向かい合う面に取り付けられる。

[00126] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つが、外せるようにしてプリント回路基板に接続される。

[00127] 一実施形態では、プリント回路基板は、複数の熱伝達エレメントをプリント回路基板に接続するために、複数の熱伝達エレメントの第２の係合部材と係合するように構成された第１の係合部材を備える。

[00128] 一実施形態では、熱伝達アセンブリは、リソグラフィ装置の一部分を加熱するように構成される。

[00129] 一態様では、熱伝達アセンブリを製造する方法が提供され、この方法は、装置の少なくとも一部分に取り付けられるように構成されたプリント回路基板を用意するステップと、プリント回路基板と分かれている複数の熱伝達エレメントを用意するステップとを含み、複数の熱伝達エレメントが装置の一部分に取り付けられるように構成され、さらに、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも一部分をプリント回路基板の少なくとも一部分と相互接続するステップを含む。

[00130] 一実施形態では、相互接続するステップは、ハンダ付け工程を用いて複数の熱伝達エレメントをプリント回路基板に接続するステップを含む。

[00131] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つが、外せるようにしてプリント回路基板に接続される。

[00132] 一実施形態では、プリント回路基板は、複数の熱伝達エレメントをプリント回路基板と接続するために、複数の熱伝達エレメントの第２の係合部材と係合するように構成された第１の係合部材を備える。

[00133] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つは、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つを装置の一部分の上にプリント回路基板と別個に並べるように、プリント回路基板と別個に移動可能である。

[00134] 一態様では、装置の少なくとも一部分に取り付けられるように構成されたプリント回路基板と、装置のその一部分に取り付けられるように構成された複数の熱伝達エレメントとを備える熱伝達アセンブリが提供され、複数の熱伝達エレメントは、プリント回路基板と別個であるが電気的には結合されている。

[00135] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントは、ハンダ付け工程によってプリント回路基板に接続される。

[00136] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つが、外せるようにしてプリント回路基板に接続される。

[00137] 一実施形態では、プリント回路基板は、複数の熱伝達エレメントをプリント回路基板と接続するために、複数の熱伝達エレメントの第２の係合部材と係合するように構成された第１の係合部材を備える。

[00138] 一実施形態では、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つは、複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つを装置の一部分の上にプリント回路基板と別個に並べるように、プリント回路基板と別個に移動可能である。

[00139] 一実施形態では、熱伝達アセンブリは、装置の一部分を加熱するように構成される。

[00140] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及されることがあるが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の用途を有し得ることを理解されたい。当業者であれば、そのような代替適用例の文脈では、本明細書で用語「ウェーハ」または「ダイ」が使用されるならば、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義なものと見なしてよいことは理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露光後のレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板も意味してよい。

[00141] 本明細書において使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。

[00142] 用語「レンズ」は、状況が許す場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つまたは組合せを意味することができる。

[00143] 以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明されている方法以外の方法で実施することも可能であることは理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上で開示した方法を記述した機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することができる。これらの複数のコンピュータプログラムは、１つまたは複数の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体上に記憶することができる。

[00144] 上述のコントローラは、信号を受け取り、処理し、送出するための適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、１つまたは複数のプロセッサを含むことができ、このプロセッサは、上述の方法のための機械読取り可能な命令を含むコンピュータプログラムを実行する。コントローラはまた、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体、および／またはこのような媒体を受け入れるハードウェアを含むこともできる。

[00145] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に、それだけには限らないが上述のタイプに対し、液浸液が槽の形式で基板の局部表面領域にのみ供給されるにせよ、液浸液が基板上および／または基板テーブル上に閉じ込められないにせよ、適用することができる。閉じ込められない構成では、液浸液が基板および／または基板テーブルの表面上に流れ、その結果、基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面のほぼ全体が濡れることになりうる。このような閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができず、あるいはある割合の液浸液閉じ込めを実現できても、液浸液のほぼ完全な閉じ込めを実現することはできない。

[00146] 本明細書で企図されている液体供給システムは、広く解釈されるべきである。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を供給する機構、または構造体の組合せとすることができる。これは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または液体を空間に供給する１つまたは複数の出口の組合せを備えることができる。一実施形態では、空間の一面は、基板および／または基板テーブルの一部分とすることができ、あるいは空間の一面は、基板および／または基板テーブルの一面を完全に覆うことができ、あるいは空間は、基板および／または基板テーブルを包むこともできる。液体供給システムは、任意選択によりさらに、位置、量、特性、形状、流量、または任意の他の液体の特質を制御するための１つまたは複数のエレメントを含むことができる。

[00147] 本発明を例示の目的で詳細に説明してきたが、このような詳細はただ単にその目的のためのものであること、および本発明は開示された実施形態に限定されず、それに反して、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内にある改変形態および同等の構成を包含するものであることを理解されたい。加えて、本発明では、可能な範囲で、任意の実施形態の１つまたは複数の特徴を他の任意の実施形態の１つまたは複数の特徴と一緒にできることが企図されていると理解されたい。

Claims (14)

1. リソグラフィ装置の少なくとも一部分を温度制御する熱伝達アセンブリであって、
   前記リソグラフィ装置の前記一部分に取り付けられるプリント回路基板と、
   前記リソグラフィ装置の前記一部分に取り付けられる複数の熱伝達エレメントとを備え、
   前記複数の熱伝達エレメントが、前記プリント回路基板と別個であるが電気的には結合されており、
   前記リソグラフィ装置の前記一部分が基板テーブルであり、
   前記プリント回路基板が、前記基板テーブルの基板支持領域の向かい合う面に取り付けられる、熱伝達アセンブリ。
2. 前記複数の熱伝達エレメント及び前記プリント回路基板がモジュール化されている、請求項１に記載の熱伝達アセンブリ。
3. 前記複数の熱伝達エレメントが、ハンダ付け工程、積層化工程、溶接工程、導電接着工程、またはワイヤボンディング工程によって前記プリント回路基板に接続される、請求項１又は２に記載の熱伝達アセンブリ。
4. 前記複数の熱伝達エレメントが、前記基板支持領域の縁部をほぼ取り囲んで延びるように配置される、請求項１から３のいずれかに記載の熱伝達アセンブリ。
5. 前記複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つが、前記基板支持領域の前記縁部をほぼ取り囲んで延びる円弧形の構成を含むことができる、請求項４に記載の熱伝達アセンブリ。
6. 前記複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つが、前記複数の熱伝達エレメントのうちの前記少なくとも１つを前記基板支持領域の前記縁部まわりに前記プリント回路基板と別個に並べるように、前記プリント回路基板と別個に移動可能である、請求項４または５に記載の熱伝達アセンブリ。
7. リソグラフィ装置の少なくとも一部分を温度制御する熱伝達アセンブリであって、
   前記リソグラフィ装置の前記一部分に取り付けられるプリント回路基板と、
   前記リソグラフィ装置の前記一部分に取り付けられる複数の熱伝達エレメントとを備え、
   前記複数の熱伝達エレメントが、前記プリント回路基板と別個であるが電気的には結合されており、
   前記複数の熱伝達エレメントのうちの少なくとも１つが、外せるようにして前記プリント回路基板に接続される、熱伝達アセンブリ。
8. 前記リソグラフィ装置の前記一部分が基板テーブルである、請求項７に記載の熱伝達アセンブリ。
9. 前記複数の熱伝達エレメント及び前記プリント回路基板がモジュール化されている、請求項７又は８に記載の熱伝達アセンブリ。
10. 前記プリント回路基板が、前記複数の熱伝達エレメントを前記プリント回路基板に接続するために、前記複数の熱伝達エレメントの第２の係合部材と係合する第１の係合部材を備える、請求項１から９のいずれかに記載の熱伝達アセンブリ。
11. 前記熱伝達エレメントが、前記リソグラフィ装置の前記一部分を加熱する、請求項１から１０のいずれかに記載の熱伝達アセンブリ。
12. １つまたは複数のセンサをさらに備える、請求項１から１１のいずれかに記載の熱伝達アセンブリ。
13. 前記センサが、前記プリント回路基板と一体化されている、または前記プリント回路基板に別個に取り付けられている、請求項１２に記載の熱伝達アセンブリ。
14. 請求項１から１３のいずれかに記載の熱伝達アセンブリを備える、リソグラフィ装置。