CN102485356B - 一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法 - Google Patents
一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102485356B CN102485356B CN201010573587.7A CN201010573587A CN102485356B CN 102485356 B CN102485356 B CN 102485356B CN 201010573587 A CN201010573587 A CN 201010573587A CN 102485356 B CN102485356 B CN 102485356B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- insulating medium
- medium layer
- contamination particle
- contamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，包括以下步骤：提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷；将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。本发明方法可一次性非常干净的将静电吸盘上的污染颗粒吸附干净，避免工艺腔在执行工艺过程中因为静电吸盘上存在的污染颗粒而被迫停机维护，有效节约了材料成本和时间成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法。
背景技术
半导体集成电路技术(包括各种不同工艺，例如：蚀刻、沉积、注入以及光刻成形等)应用于晶片上以形成已设计好的电路及其间的连接关系。晶片在工艺腔室中施以工艺处理，其时该晶片被固定(Secure)在工艺腔室(ProcessingChamber)中的晶片载物台(WaferStage)上，该晶片载物台上具有静电吸盘(ElectrostaticChuck，E-chuck)，晶片被放置在静电吸盘上通过静电将晶片吸附固定于静电吸盘上。为确保晶片能够被平稳吸附于静电吸盘上，必须避免静电吸盘上吸附有污染颗粒物。一旦静电吸盘上吸附有污染颗粒物，则会影响静电吸盘的吸附能力，使晶片不能够平稳的吸附于静电吸盘上，从而导致在晶片上所进行工艺的非均匀性，甚至导致工艺过程因为设备报警而无法正常进行。最严重的情况是工艺腔室需要重新执行工艺维修，以去除静电吸盘上的污染颗粒物，这样将导致很多原料都需要被换掉，每次停机维修都需要很长时间而导致设备利用率严重下降，并且需要花费可能高达每次几千美元的原料成本，并且已执行该工艺的晶片很可能会受到良率的影响。为避免上述情况的发生，现有技术中通常在将需进行工艺处理的晶片送入至工艺腔内之前将静电吸盘擦试一下以去除其上的污染颗粒，但这种方法效果并不是很好，仍然不能百分比避免晶片放置在静电吸盘上时静电吸盘上不存在污染颗粒。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，以解决现有技术中工艺腔内静电吸盘上存在污染颗粒导致晶片不能平稳吸附在静电吸盘上的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，包括以下步骤：
提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷；
将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；
将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。
可选的，所述绝缘介质层所携带的电荷电压大于等于5v。
可选的，所述绝缘介质层采用等离子体辅助化学气相沉积方法制备得到。
可选的，所述绝缘介质层为氮化硅层。
本发明的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法利用绝缘介质层制备过程中聚集在绝缘介质层上的电荷来吸附工艺腔中静电吸盘上的污染颗粒，相较于现有技术可一次性非常干净的将静电吸盘上的污染颗粒吸附干净，可避免工艺腔在执行工艺过程中因为静电吸盘上存在的污染颗粒而被迫停机维护，有效节约了材料成本和时间成本。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明所述的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法可利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本发明的保护范围内。
本发明的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法包括以下步骤：
首先，提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷；
其次，将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；
最后，将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。
作为优选的实施例，本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆上绝缘介质层所携带的电荷电压大于等于5v。
作为优选的实施例，本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆上绝缘介质层采用等离子体辅助化学气相沉积方法制备得到。
作为优选的实施例，本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆上绝缘介质层为氮化硅层。
在制备本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆时，以在其衬底上制备氮化硅层为例，现有技术中通常采用的等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制备氮化硅层，具体的制备工艺现有技术中已有公开。在制备过程中，由于反应过程中使用到等离子体，其中的电荷成分很容易残留在晶圆表面制备的氮化硅层当中。而氮化硅层又是非常好的绝缘体，一旦吸附了电荷便不容易被导走，最终形成了带电的氮化硅层。在现有技术的氮化硅层制备工艺中，为了导走氮化硅层上的电荷，在沉积结束后，需经过一定时间的电荷清除步骤，即利用带电等离子体带走氮化硅层表面吸附的电荷。而本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆在制备时省去了电荷清除步骤，即可得到带有电荷的氮化硅层。
本发明的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法利用绝缘介质层制备过程中聚集在绝缘介质层上的电荷来吸附工艺腔中静电吸盘上的污染颗粒，相较于现有技术可一次性非常干净的将静电吸盘上的污染颗粒吸附干净，可避免工艺腔在执行工艺过程中因为静电吸盘上存在的污染颗粒而被迫停机维护，有效节约了材料成本和时间成本。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (3)
1.一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，包括以下步骤：
提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷，所述绝缘介质层采用等离子体辅助化学气相沉积方法制备得到；
将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；
将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。
2.如权利要求1所述的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，其特征在于，所述绝缘介质层所携带的电荷电压大于等于5v。
3.如权利要求1所述的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，其特征在于，所述绝缘介质层为氮化硅层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010573587.7A CN102485356B (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010573587.7A CN102485356B (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102485356A CN102485356A (zh) | 2012-06-06 |
| CN102485356B true CN102485356B (zh) | 2015-12-16 |
Family
ID=46150950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010573587.7A Active CN102485356B (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102485356B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018219509A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Particle removal apparatus and associated system |
| US11607716B1 (en) | 2020-06-23 | 2023-03-21 | Kla Corporation | Systems and methods for chuck cleaning |
| CN113909220A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-01-11 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 基底处理方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5507874A (en) * | 1994-06-03 | 1996-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors |
| US5671119A (en) * | 1996-03-22 | 1997-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus |
| KR20050102378A (ko) * | 2004-04-22 | 2005-10-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 정전척 구조 |
| KR20070047589A (ko) * | 2005-11-02 | 2007-05-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 파티클 제거장치 |
| CN101261927A (zh) * | 2007-03-09 | 2008-09-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法 |
| JP4407793B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2010-02-03 | Ｔｏｔｏ株式会社 | 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6786222B2 (en) * | 2002-10-25 | 2004-09-07 | Motorola, Inc. | Method for removing particles from a semiconductor processing tool |
-
2010
- 2010-12-03 CN CN201010573587.7A patent/CN102485356B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5507874A (en) * | 1994-06-03 | 1996-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors |
| US5671119A (en) * | 1996-03-22 | 1997-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus |
| JP4407793B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2010-02-03 | Ｔｏｔｏ株式会社 | 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置 |
| KR20050102378A (ko) * | 2004-04-22 | 2005-10-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 정전척 구조 |
| KR20070047589A (ko) * | 2005-11-02 | 2007-05-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 파티클 제거장치 |
| CN101261927A (zh) * | 2007-03-09 | 2008-09-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102485356A (zh) | 2012-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI455204B (zh) | 基板處理用之邊緣環裝置 | |
| TWI435406B (zh) | 基板處理方法 | |
| JP4301564B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置 | |
| CN102485356B (zh) | 一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法 | |
| CN101214487B (zh) | 一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法 | |
| TW200616074A (en) | Cleaning process for semiconductor substrates | |
| JPWO2008050596A1 (ja) | プラズマドーピング方法及びプラズマドーピング装置 | |
| US9296617B2 (en) | Method for separating and recovering silicon from silicon sludge | |
| TW200737349A (en) | Methods for forming thin oxide layers on semiconductor wafers | |
| JPH0794500A (ja) | 成膜方法 | |
| WO2019099186A1 (en) | Method for cleaning chamber | |
| CN104282519B (zh) | 等离子体处理装置的清洁方法 | |
| JP2010199475A (ja) | プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体 | |
| CN111146073B (zh) | 清洗方法及清洗设备 | |
| CN101217114B (zh) | 一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移的方法 | |
| CN101414558A (zh) | 减少湿法刻蚀颗粒污染的方法 | |
| CN101681826A (zh) | 干式蚀刻方法 | |
| CN100543189C (zh) | 一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法 | |
| CN103861844A (zh) | Pad刻蚀机台工艺腔的清洁方法 | |
| TW202211429A (zh) | 導電性靜電吸盤升降銷、包括其的靜電吸盤以及利用其的半導體製造方法 | |
| CN101770931B (zh) | 晶圆表面有机粒子杂质去除方法 | |
| JP2011192764A (ja) | 膜の除去方法及び膜除去用装置 | |
| CN107393845A (zh) | 一种碳化硅晶体晶圆表面析出碳的去除系统及方法 | |
| CN104078327A (zh) | 离子注入后的清洗方法 | |
| CN105097607A (zh) | 一种反应腔室及其清洗方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING Free format text: FORMER OWNER: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORPORATION Effective date: 20130619 Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHA Effective date: 20130619 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 100176 DAXING, BEIJING |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20130619 Address after: 100176 No. 18 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Address before: 201203 No. 18 Zhangjiang Road, Shanghai Applicant before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |