CN110634741A - 在igbt芯片上集成温度传感器的方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括在硅衬底上生成栅氧化层；在栅氧化层上生成多晶硅栅层；在多晶硅栅层上生成氧化层；在氧化层上生成温度传感器poly层；在温度传感器poly层中的预定深度形成P型区；刻蚀去除预设区域的温度传感器poly层，露出氧化层；在P型区中的预定区域形成N型区；刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层、未被温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层；制作温度传感器接触孔；解决了目前IGBT芯片的结温监测方案复杂、精确度不高的问题；达到了实时精确监测IGBT芯片的结温，快速进行温度响应的效果。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体三极管)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，绝缘栅型场效应管)组成的功率半导体器件，具有通态压降低、响应速度快和控制简单的特点。IGBT器件作为新能源电力电子产品中的核心器件，近年来得到广泛推广，应用产品从白色家电、工业变频、焊机等传统产品向新能源汽车等高端产品演变。
新能源汽车中的IGBT芯片需要对温度有更实时、精确的监控，目前一般采用在模块内部集成温度传感器的系统方案。但是在系统模块内集成温度传感器将增加整个模组的成本，系统也变得复杂，降低了可靠性。
发明内容
本申请提供了一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，可以解决相关技术中IGBT芯片的结温监测方案复杂、精确度不高的问题。
一方面，本申请实施例提供了一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，该方法包括：
在硅衬底上生成栅氧化层；
在栅氧化层上生成多晶硅栅层；
在多晶硅栅层上生成氧化层
在氧化层上生成温度传感器poly层；
通过离子注入在温度传感器poly层中的预定深度形成P型区；
刻蚀去除预设区域的温度传感器poly层，露出氧化层；
通过离子注入在P型区中的预定区域形成N型区；
刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层、未被温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层；
制作温度传感器接触孔，温度传感器接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔与N型区连通，第二接触孔与P型区连通。
可选的，制作温度传感器接触孔之后，还包括：
制作IGBT接触孔，IGBT接触孔贯穿栅氧化层，并与硅衬底连通。
可选的，通过离子注入在温度传感器poly层中的预定深度形成P型区，包括：
向温度传感器poly层中的预定深度注入硼离子并退火，形成P型区。
可选的，硼离子的注入剂量为5E13～5E15离子/m3。
可选的，通过离子注入，在P型区中的预定区域形成N型区，包括：
向P型区中的预定区域注入砷离子并退火，形成N型区。
可选的，砷离子的注入剂量为5E14～5E15离子/m3。
可选的，制作温度传感器接触孔，包括：
淀积绝缘介质层；
在绝缘介质层上制作温度传感器接触孔。
可选的，多晶硅栅层的厚度为5000A～15000A。
可选的，氧化层的厚度为300A～1500A。
可选的，温度传感器poly层的厚度为1500A～15000A。
可选的，温度传感器接触孔的深度为0.1um～0.5um。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
通过在硅衬底上生成栅氧化层，在栅氧化层上生成多晶硅栅层，在多晶硅栅层上生成氧化层，在氧化层上生成温度传感器poly层，在温度传感器poly层中生成P型区和N型区，刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层后，制作温度传感器接触孔，在温度传感器接触孔制作完成后制作IGBT器件的接触孔；在不影响原有IGBT电特性的情况下，在IGBT芯片生产过程中将温度传感器集成在IGBT芯片上，解决了目前IGBT芯片的结温监测方案复杂、精确度不高的问题；达到了实时精确监测IGBT芯片的结温，快速进行温度响应，令IGBT芯片的短路、过热保护更加准确、安全、可靠的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本申请实施例提供的一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法的流程图；
图2是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图3是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图4是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图5是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图6是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图7是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图8是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图9是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图10是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
图11是本申请实施例中在IGBT芯片制作过程中的产品结构局部示意图；
其中，21表示硅衬底；22表示栅氧化层；23表示多晶硅栅层；24表示氧化层；25表示温度传感器poly层；251表示P型区；252表示N型区；31表示第一接触孔；32表示第二接触孔；41表示IGBT接触孔。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
随着IGBT性能不断提高，IGBT在应用中的功率密度越来越高，面对的工况也越来越复杂。在汽车电子、新能源汽车等领域，对IGBT的性能要求比较高，当IGBT芯片的温度过高时，芯片面临失效风险。目前对IGBT进行过温保护时可以通过检测散热器的温度或检测IGBT芯片的结温来实现，通过检测散热器的温度间接检测IGBT的结温误差较大，无法精确检测芯片的结温。由于IGBT被封装在管壳内部，无法直接对结温进行测量，目前采用的方式包括通过在IGBT模块封装时，将NTC热敏电阻也封装在内，然后利用外部电路检测的NTC热敏电阻的阻值来反应IGBT的结温，然而，NTC热敏电阻的放置位置、外部电路不仅影响检测结果的精确度，还增加整个模组的成本，系统也变得复杂。
为了更加精确、实时地检测IGBT的结温，本申请实施例提供了一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，即在IGBT芯片的制作过程中，在IGBT芯片上集成温度传感器。如图1所示，本申请实施例提供的在IGBT芯片上集成温度传感器的方法可以包括如下步骤：
步骤101，在硅衬底上生长栅氧化层。
在硅衬底上热生长栅氧化层，如图2所示，硅衬底21上生长有栅氧化层22。
步骤102，在栅氧化层上生成多晶硅栅层。
在栅氧化层上淀积生成多晶硅栅层，如图3所示，多晶硅栅层23在栅氧化层22的上方。
生成的多晶硅栅层23用于IGBT器件的栅极。
可选的，多晶硅栅层23的厚度为5000A～15000A。
可选的，通过化学气相淀积工艺生成多晶硅栅层。
步骤103，在多晶硅栅层上生成氧化层。
如图4所示，多晶硅栅层23上有氧化层24。可选的，氧化层的厚度为300A～1500A。
氧化层用于隔离IGBT器件和集成的温度传感器。
步骤104，在氧化层上生成温度传感器poly层。
如图5所示，氧化层24的表面生长有温度传感器poly(多晶硅)层25。
可选的，温度传感器poly层的厚度为1500A～15000A。
步骤105，通过离子注入在温度传感器poly层中的预定深度形成P型区。
预先确定P型区的位置和离子注入剂量，利用离子注入机向温度传感器poly层中的预定深度注入硼离子。由于离子注入会损伤硅片晶格，在硼离子注入完成后对硅片进行退火。如图6所示，温度传感器poly层25中形成P型区251。
可选的，硼离子的注入剂量为5E13～5E15离子/m3。
在进行离子注入之前，还需要对硅片的表面进行必要的清洗、烘干等操作。在进行离子注入之前，通过光刻、刻蚀等工艺，覆盖硅片上不需要离子注入的区域，露出需要离子注入的区域。
步骤106，刻蚀去除预设区域的温度传感器poly层，露出氧化层。
在硅片表面旋涂光刻胶，将掩膜版图案通过紫外线曝光转移到光刻胶中，利用显影液显影后硅片表面得到与掩膜版图案相对应的光刻胶。其中，掩膜版是预先根据产品结构设计的，待刻蚀的预设区域根据掩膜版确定。
刻蚀掉没有光刻胶覆盖部分的温度传感器poly层，露出氧化层。
如图7所示，温度传感器poly层25被刻蚀掉一部分。
步骤107，通过离子注入在P型区中的预定区域形成N型区。
通过光刻工艺将需要形成N型区的温度传感器poly层的表面露出，用光刻胶覆盖N型区以外的部分；向温度传感器poly层25中的P型区注入砷离子并退火，形成N型区。
可选的，砷离子的注入剂量为5E14～5E15离子/m3。
如图8所示，温度传感器poly层25中形成了P型区251和N型区252。
温度传感器poly层中的P型区251和N型区251接触，形成PN结。PN结的导电性能随着温度升高而变化，外部检测电路可以通过检测PN结的导电性能来确定IGBT器件内部的温度变化，以实现实时、精确地监测IGBT温度的效果。
步骤108，刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层、未被温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层。
可选的，依次刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层、未被温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层。
在刻蚀过程中，通过光刻工艺保护不需要被刻蚀的部分。需要刻蚀去除的多晶硅栅层通过掩膜版上的图案预先确定。
如图9所示，经过刻蚀后，P型区251和N型区252的表面没有温度传感器poly层，氧化层24被温度传感器poly层覆盖，多晶硅层23被刻蚀掉一部分，露出多晶硅栅层23下方的栅氧化层22。
步骤109，制作温度传感器接触孔。
温度传感器接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔与N型区连通，第二接触孔与P型区连通。
可选的，淀积绝缘介质层，在绝缘介质层上制作温度传感器接触孔。具体地，淀积绝缘介质层后，旋涂光刻胶，通过紫外线曝光将掩膜版图案转移到光刻胶中，通过显影液显影后留下需要保护的区域的光刻胶，进行温度传感器接触孔的刻蚀；绝缘介质层在图中未示出。刻蚀出温度传感器接触孔后，淀积金属。
如图10所示，P型区251的上方制作有第二接触孔32，第二接触孔32与P型区251连通，N型区252的上方制作有第一接触孔31，第一接触孔31与N型区252连通。
可选的，温度传感器接触孔的深度为0.1um～0.5um。
在制作温度传感器接触孔后，根据IGBT器件的结构制作IGBT接触孔，IGBT接触孔41贯穿栅氧化层22，并与硅衬底21连通，如图11所示。
制作IGBT接触孔的工艺步骤与制作温度传感器接触孔的工艺步骤为现有技术，这里不再赘述。
需要说明的是，在本申请实施例中，硅衬底上还制作有IGBT器件，即硅衬底上包括IGBT的集电区、缓冲区、发射区、源区等，图中未示出IGBT的器件单元结构。由于IGBT的制作工艺是现有技术，本申请实施例对此不作赘述。
需要说明的是，可以将温度传感器与IGBT器件同时加工成型，也可以将温度传感器与IGBT器件分开加工，本申请对此不作限定。
与现有的IGBT器件相比，芯片结构上增加了氧化层、温度传感器poly层、温度传感器poly层中的P型区和N型区，以及用于连接N型区的第一接触孔和用于连接P型区的第二接触孔。
综上所述，本申请实施例提供的在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，通过在硅衬底上生成栅氧化层，在栅氧化层上生成多晶硅栅层，在多晶硅栅层上生成氧化层，在氧化层上生成温度传感器poly层，在温度传感器poly层中生成P型区和N型区，刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层后，制作温度传感器接触孔，在温度传感器接触孔制作完成后制作IGBT器件的接触孔；在不影响原有IGBT电特性的情况下，在IGBT芯片生产过程中将温度传感器集成在IGBT芯片上，解决了目前IGBT芯片的结温监测方案复杂、精确度不高的问题；达到了实时精确监测IGBT芯片的结温，快速进行温度响应，令IGBT芯片的短路、过热保护更加准确、安全、可靠的效果。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
Claims (11)
1.一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：
在硅衬底上生成栅氧化层；
在所述栅氧化层上生成多晶硅栅层；
在所述多晶硅栅层上生成氧化层；
在所述氧化层上生成温度传感器poly层；
通过离子注入在所述温度传感器poly层中的预定深度形成P型区；
刻蚀去除预设区域的温度传感器poly层，露出氧化层；
通过离子注入在所述P型区中的预定区域形成N型区；
刻蚀去除所述N型区和所述P型区表面的温度传感器poly层、未被所述温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层；
制作温度传感器接触孔，所述温度传感器接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔与所述N型区连通，所述第二接触孔与所述P型区连通。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作温度传感器接触孔之后，还包括：
制作IGBT接触孔，所述IGBT接触孔贯穿所述栅氧化层，并与所述硅衬底连通。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过离子注入在所述温度传感器poly层中的预定深度形成P型区，包括：
向所述温度传感器poly层中的预定深度注入硼离子并退火，形成P型区。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硼离子的注入剂量为5E13～5E15离子/m3。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过离子注入，在所述P型区中的预定区域形成N型区，包括：
向P型区中的预定区域注入砷离子并退火，形成N型区。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述砷离子的注入剂量为5E14～5E15离子/m3。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作温度传感器接触孔，包括：
淀积绝缘介质层；
在所述绝缘介质层上制作所述温度传感器接触孔。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅栅层的厚度为5000A～15000A。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为300A～1500A。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度传感器poly层的厚度为1500A～15000A。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度传感器接触孔的深度为0.1um～0.5um。
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN106711106A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-24 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法 |
| CN106784018A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-31 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106711106A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-24 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法 |
| CN106784018A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-31 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法 |
| CN109872974A (zh) * | 2017-12-05 | 2019-06-11 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 具有集成pn二极管温度传感器的半导体器件 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111668337A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-09-15 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 探测器及其制作方法、探测装置 |
| CN111668337B (zh) * | 2020-05-19 | 2024-02-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 探测器及其制作方法、探测装置 |
| CN114783999A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-07-22 | 深圳芯能半导体技术有限公司 | 一种内置温度传感器的igbt器件及其制备方法 |
| CN114783999B (zh) * | 2022-06-20 | 2022-09-30 | 深圳芯能半导体技术有限公司 | 一种内置温度传感器的igbt器件及其制备方法 |
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