CN1105165A - 晶体振荡器 - Google Patents

晶体振荡器 Download PDF

Info

Publication number
CN1105165A
CN1105165A CN94115802A CN94115802A CN1105165A CN 1105165 A CN1105165 A CN 1105165A CN 94115802 A CN94115802 A CN 94115802A CN 94115802 A CN94115802 A CN 94115802A CN 1105165 A CN1105165 A CN 1105165A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vibrating
crystal oscillator
lead wire
link
vibrating reed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN94115802A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1041681C (zh
Inventor
鹤善一
板持眞次
大石纯司
岛村郎
田原博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1105165A publication Critical patent/CN1105165A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1041681C publication Critical patent/CN1041681C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1035Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0595Holders; Supports the holder support and resonator being formed in one body

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

一种晶体振荡器,它带有振动片,该振动片包括: 凸缘部件、为凸缘所围绕的振动部件及位于两者之间 的狭缝、连接振动部件与凸缘的相对狭窄的连接部 件。振动部件绝不会与凸缘部件相接触,振动部件也 绝不会与壳体相接触。振动部件的两侧均带有电极 和电气引线,通过引线向振动部件的电极供电。

Description

在各种电子设备例如通信设备中广泛地带有晶体振荡器,该晶体振荡器构成本地振荡器。
图6示出了现有技术之晶体振荡器的透视图,该图示出了它的结构,图7示出了其横截面图。
图6示出了晶体振荡器的振动片2,它夹在上电极和下电极3之间,且安装在下壳体1的凹槽内。另一方面,上壳体4被粘结在下壳体1的上表面上,该下壳体1对安装在所述凹槽内的所述振动片进行覆盖。
通过涂覆在振动片2的右边缘上的导电粘结层5A和5B将所述振动片2固定在所述凹槽内。由于振动片的尺寸很小,必须用人工极小心地将晶体振荡器的振动片2固定在所述凹槽内准确的位置上。
然而,由于所述人工处理中所存在的问题,振动片2可能被不稳定地固定在所述凹槽内,如果它与下壳体1或上壳体4相接触,将会引起振动片2的不稳定振荡。
如图7中所示,通过导电粘结层5A来实现位于振动片2的上电极3和下壳体1的右侧电气端1A之间的电气接触,且通过导电粘结层5B来实现振动片2的下电极和下壳体1的左侧电气端1B之间的电气接触。由于这些电气端1A和1B是以复杂的弯曲形式连续地由凹槽至下壳体1的外侧表面形成的,无法对这些电气端的制造进行简化。
本发明的晶体振荡器具有经改进的机械结构,它完全避免了振动片和晶体振荡器其它部件间接触的可能性,同时,它还具有向振动片供电的改进结构。
本发明晶体振荡器的振动片由下述部件组成:凸缘部件,为其中带有一条细槽的所述凸缘部件所围绕的振动部件,及将所述振动部件连接至所述凸缘部件的相对狭窄的连接部件,且用同一材料将这三个部件制成一体。
因此,所述振动部件与所述凸缘部件的相对位置是恒定的。且振动部件与凸缘部件间不可能相接触。此外,由于振动部件和连接部件的厚度制造得比凸缘部件的厚度小,振动部件绝不会与覆盖振动部件两侧的壳体相接触。
而且,振动部件在其两侧上均带有电极和电气引线,所述电气引线是位于连接部件两侧上的所述电极的延伸。上壳体和下壳体覆盖了振动片的两侧,且每一壳体在其面向所述电气引线的位置上带有一通孔。
而且,在所述通孔的内表面上固定有一杯形金属引线,所述杯形金属引线的底部被固定在面对通孔的电气引线上,将金属引线电气地连接至电气引线。通过真空气化渗镀或喷涂方法将金属粒子淀积在穿通孔上从而制出金属引线。因此,可通过所述金属引线将电流加在振动部件的电极上。
图1示出了本发明晶体振荡器之第一实施例的透视图,图2是图1中所示晶体振荡器的分解图,图3是图1中所示晶体振荡器的部分分解图。
图4示出了本发明之第二实施例的分解图,图5示出了本发明之第二实施例的透视图。
图6示出了现有技术之晶体振荡器的分解图,图7示出了现有技术之晶体振荡器的横截面图。
图1示出了本发明晶体振荡器的透视图,图2示出了图1中所示晶体振荡器的分解图。图2中,矩形下壳体上带有凹槽7。振动片8由石英晶体制成,它由下述部件构成:凸缘部件10、为凸缘部件10所围绕的振动片12,它带有狭槽部件13,及将振动片12连接至凸缘10的狭窄连接部件11,在凸缘部件10内呈悬臂梁形式的固定振动片部件12,这三个部件是采用同一种材料制成一体的。
如图1所示,这三个部件包括上壳体9,振动片8及下壳体6,用凸缘部件10将这三个部件重叠在一起。在该实施例中,振动片8和上、下壳体9和6是由石英晶体制成的,狭缝13将除连接部件11外凸缘部件10的其它部分与振动片12相分离,该狭缝13采用蚀刻或喷沙方法制成。
将连接部件11的宽度制得比振动片12的宽度窄,从而由振动片12产生的振动几乎不传输至连接部件11。通过采用蚀刻或喷沙对振动片12和连接部件11的表面进行抛光,将这些部件的厚度制得比凸缘部件10的厚度小,凸缘部件10的厚度包括下文将进行描述的电极和电气引线的厚度。
在振动片8的各个表面上还分别带有上电极14和下电极15(图2中未示出),在连接部件11的各表面上分别带有上电气引线16和下电气引线17(图2中未示出)所述上电气引线16和下电气引线17分别是上电极14和下电极15的延伸,通常采用金粉淀积方法制成这些电极和电气引线。
如上文所述,振动片8由下述部件组成:凸缘部件10;振动部件12,它由凸缘部件10所围绕;形成于凸缘部件10内部的狭缝部件13;及将振动部件12连接至凸缘部件10的相对狭窄的连接部件11,它们由同一种材料制成一体。因此,振动片12相对应于凸缘10的位置是固定的,从而可避免振动部件12与凸缘部件10相接触。
由于振动片12及连接部件11的厚度制得比凸缘部件10的厚度小,其中所述连接部件的厚度包括电极和电气引线的厚度,即使在振动方式中,振动片12绝不会与上壳体9或下壳体6相接触。这意味着振动片绝不会与晶体振荡器的其它部件相接触。而且,在本发明的这一实施例中,为了使振动片12与下壳体6间具有一仍较大的距离,在下壳体6上设有凹槽7。尽管出于同样的原因在上壳体9上亦设有一凹槽,在图2中未将它示出。如果将所述凹槽的深度制得足够深,则振动片12的厚度不必制得比凸缘10的厚度小。采用下文所述的步骤将三个部件:上壳体9、振动片8及下壳体6叠合在一起。
(1)将振动片8放置在下壳体6上,在对它进行加热时将振动片8挤压抵靠在下壳体上。由于振动片8和下壳体6的凸缘部分10均用石英晶体制成且均已经过镜面抛光处理,可通过这些晶片间作用的原子结合力将它们牢固地结合在凸缘部件10上。
(2)通过输入一信号至上、下电极14和15来测量振动片12的振荡频率。然后通过微调将振荡频率调节至所需值。信号被直接加在上电气引线16上,通过下壳体6的下穿通孔18将信号加至下电气引线17。
(3)然后将上壳体9叠合在振动片8上,且在其上加压并加热。由于振动片8的凸缘部件10的表面及上壳体9的表面均为经过镜面抛光处理的石英,由其中夹有凸缘部件10的这两个部件之间作用的原子结合力将这两个部件结合在一起。
经过上文所述的处理,这三个部件,即:上壳体9、振动片8和下壳体被结合在一起。然后,将金属粒子淀积在上壳体之上穿通孔19的内壁形成上金属引线,同时,使用真空淀积或喷涂的方法在下通孔18的内壁上形成下金属引线。
下文将对下金属引线的结构和制造方法进行说明。由于上金属引线的结构和制造方法与下金属引线相同,这里略去了对它们的描述。
图3示出了下金属引线30的横截面图。可使用真空淀积或喷涂方法在下穿通孔18的内壁上通过淀积由底面至向上的方向蒸发的金属粒子来制造该引线。
将下金属引线30淀积在下穿通孔18的内壁和下电气导线17上,从而在其间进行电气连接。在下壳体6和下电气引线17之间的间隙20中填满了淀积在下金属引线30之电气引线上的材料,其结果是,由下金属引线30完全地封住了下穿通孔18。
现对这种情况下的尺寸举例进行说明。间隙20的长度约为2000
Figure 941158020_IMG2
,充填下金属引线30的间隙20的材料的厚度约为6000
Figure 941158020_IMG3
。由于下穿通孔的内壁是垂直的,难以在内壁上垂直地淀积金属粒子。
因此,在本发明的这一实施例中,通过采用如图3中所示的锥形通孔来增加淀积在穿通孔内壁上的金属量。淀积在锥形孔之锥形部分上的金属层厚度约为2000
Figure 941158020_IMG4
图3示出了设置在下金属引线30和右侧电气端25(图1)之间的接头的横截面图,它由印制的银-糊层22,镀镍层23和焊锡层24组成。通过银-糊层22实现通向下金属引线30的连接。
为了确保下金属引线30对下穿通孔18进行覆盖的可靠性,将覆盖玻璃21加在金属引线30上。然而,通过用银糊22代替覆盖玻璃21加入下金属引线30亦可增强覆盖的可靠性。将银糊22加入下金属引线30将有效地防止由于难以将金属粒子淀积在穿通孔的内壁上而造成金属引线在电气上不连接的情况。
图2示出了淀积在上壳体9上的上金属引线31和左侧电气端16间的连接。这种情况下,通过导电图形27来进行上金属引线37至左侧电气端26的连接。在导电图形27上形成用作绝缘层的玻璃层28,且在所述玻璃层28上形成上述右侧电气端25。
如图1中所示,在晶体振荡器的外侧边缘上形成两个U形右侧和左侧电气端,从而可将晶体振荡器设置为面向上或面向下两种形式中的任一种。
图4和5示出了本发明的第二实施例。如图4所示,在该实施例中,连接部件11被设置在矩形振动片8之较长边的中央,且以悬臂梁形式将振动部件12支撑在其长边的中央。上电极14上形成的上电气引线16向右侧延伸。尽管图中未示出,在振动部件12的下表面上也设置有向左侧延伸的下电极15和下电气引线17。
与前述实施例相同,使用上壳体9的穿通孔19将上电气引线16连接至右侧电气端25,同时通过下壳体6的穿通孔18将下电气引线17连接至左侧电气端26。由于其中未采用图1和2中所示的导电图形27,第二实施例的结构较为简单。

Claims (13)

1、一种晶体振荡器,其特征在于,包括带有上、下表面的振动片,它包括:
凸缘部件,为所述凸缘部件所围绕的振动部件,设置在所述振动部件和所述凸缘之间的狭缝部件,和一个相对狭窄的连接部件,它将所述凸缘部件连接至所述振动部件,上述所有部件采用同一种材料制成一体;
位于所述振动部件之两个表面上的电极;
分别覆盖所述振动片的所述上、下表面的上、下壳体。
2、一种晶体振荡器,其特征在于,包括:
带有上、下表面的振动片,它包括:
凸缘部件,为所述凸缘部件所围绕的振动部件,设置在所述振动片和所述突缘部件之间的狭缝部件,及一相对狭窄的连接部件,它将所述凸缘部件连接至所述振动部件,上述所有部件均为采用同一种材料制成一体;
位于所述振动部件之上表面上的电极;
位于所述连接部件之上表面上的上电气引线,所述连接部件电气地连接至上电极;
位于所述振动部件之下表面上的下电极;
位于所述连接部件之下表面上的下电气引线,所述连接部件电气地连接至下电极;
覆盖了所述振动片之上表面的上壳体及覆盖了所述振动片之下表面的下壳体;
穿过所述上壳体的上通孔,及穿过所述下壳体的下通孔;
通过所述上通孔电气地连接至所述上电气引线的上金属引线;
通过所述下通孔电气地连接至所述下电气引线的下金属引线;
固定在外壳体末端且电气地连接至上金属引线的电气端;和
固定在外壳体之另一端且电气地连接至所述下金属引线的另一电气端。
3、如权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,所述通孔为锥形孔。
4、如权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,所述金属引线是杯形的,且其外表面牢固地固定在所述通孔的内壁上。
5、如权利要求4所述的晶体振荡器,其特征在于,所述杯形金属引线中至少部分地用玻璃材料填充。
6、如权利要求4所述的晶体振荡器,其特征在于,所述杯形金属引线中至少部分地由金属材料填充,由该金属材料构成所述电气端。
7、如权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,所述晶体振荡器呈矩形盒状。
8、如权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于,振动片之所述振动部件的厚度小于所述凸缘部件的厚度。
9、如权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于,振动片的所述振动部件几乎为矩形,且通过所述连接部件以悬臂梁形式将所述矩形片的较长边连接至所述凸缘部分。
10、如权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于,振动片的所述振动部分几乎为矩形,且通过所述连接部件以悬臂梁形式将所述矩形片的较短边连接至所述凸缘部件。
11、如权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,振动片的所述振动部件的厚度小于所述凸缘部件的厚度。
12、如权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,振动片的所述振动部件几乎为矩形,且通过所述连接部件以悬臂梁形式将所述矩形片的较长边连接至所述凸缘部件。
13、如权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,振动片的所述振动部件为矩形的,且通过所述连接部件以悬臂梁形式将所述矩形片的较短边连接至所述凸缘部件。
CN94115802A 1993-10-06 1994-08-23 晶体振荡器 Expired - Fee Related CN1041681C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP250457/93 1993-10-06
JP5250457A JPH07106905A (ja) 1993-10-06 1993-10-06 発振子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1105165A true CN1105165A (zh) 1995-07-12
CN1041681C CN1041681C (zh) 1999-01-13

Family

ID=17208166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN94115802A Expired - Fee Related CN1041681C (zh) 1993-10-06 1994-08-23 晶体振荡器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5596243A (zh)
EP (1) EP0648014B1 (zh)
JP (1) JPH07106905A (zh)
KR (1) KR0145370B1 (zh)
CN (1) CN1041681C (zh)
DE (1) DE69427730T2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100344740C (zh) * 2002-08-05 2007-10-24 新日本石油株式会社 润滑油组合物

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458638A (en) * 1989-07-06 1995-10-17 Spine-Tech, Inc. Non-threaded spinal implant
US6043588A (en) * 1995-07-18 2000-03-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric sensor and acceleration sensor
US6016024A (en) * 1996-04-05 2000-01-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric component
JP3271517B2 (ja) * 1996-04-05 2002-04-02 株式会社村田製作所 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JP3266031B2 (ja) * 1996-04-18 2002-03-18 株式会社村田製作所 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
US5939819A (en) * 1996-04-18 1999-08-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and ladder filter
JPH1079639A (ja) * 1996-07-10 1998-03-24 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JPH1084244A (ja) * 1996-07-18 1998-03-31 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JP3271541B2 (ja) * 1996-07-26 2002-04-02 株式会社村田製作所 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JP3577170B2 (ja) * 1996-08-05 2004-10-13 株式会社村田製作所 圧電共振子とその製造方法およびそれを用いた電子部品
JPH10107579A (ja) * 1996-08-06 1998-04-24 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品
JPH10126203A (ja) * 1996-08-27 1998-05-15 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JP3267171B2 (ja) * 1996-09-12 2002-03-18 株式会社村田製作所 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JPH10126202A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JP3271538B2 (ja) * 1996-11-28 2002-04-02 株式会社村田製作所 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JP2001060843A (ja) * 1999-08-23 2001-03-06 Murata Mfg Co Ltd チップ型圧電部品
US6590315B2 (en) * 2000-05-26 2003-07-08 William D. Beaver Surface mount quartz crystal resonators and methods for making same
CN1162859C (zh) * 2000-06-08 2004-08-18 新科实业有限公司 采用环形旋转压电执行机构的高密度硬盘驱动器的双级执行机构系统
CN101142742B (zh) * 2005-04-18 2011-06-15 株式会社大真空 压电振动片和压电振动器件
JP4729766B2 (ja) 2006-08-10 2011-07-20 独立行政法人産業技術総合研究所 超電導酸化物材料の製造方法
US7564177B2 (en) * 2006-12-26 2009-07-21 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Crystal unit having stacked structure
JP5327932B2 (ja) 2007-02-08 2013-10-30 独立行政法人産業技術総合研究所 超電導コーティング材料の製造方法
JP5078512B2 (ja) * 2007-09-06 2012-11-21 日本電波工業株式会社 水晶デバイス
JP4647671B2 (ja) 2008-01-15 2011-03-09 日本電波工業株式会社 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法
JP5329105B2 (ja) * 2008-02-25 2013-10-30 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶振動子の製造方法
US8766512B2 (en) * 2009-03-31 2014-07-01 Sand 9, Inc. Integration of piezoelectric materials with substrates
US8476809B2 (en) 2008-04-29 2013-07-02 Sand 9, Inc. Microelectromechanical systems (MEMS) resonators and related apparatus and methods
US8410868B2 (en) 2009-06-04 2013-04-02 Sand 9, Inc. Methods and apparatus for temperature control of devices and mechanical resonating structures
JP4647677B2 (ja) 2008-08-11 2011-03-09 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
JP4851549B2 (ja) * 2009-02-10 2012-01-11 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
US9048811B2 (en) 2009-03-31 2015-06-02 Sand 9, Inc. Integration of piezoelectric materials with substrates
JP5476964B2 (ja) * 2009-12-09 2014-04-23 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、ジャイロ及び電子機器
EP2511235B1 (en) 2009-12-09 2019-07-10 National Institute of Advanced Industrial Science And Technology Solution for forming rare-earth superconductive film, and method for producing same
JP5447316B2 (ja) * 2010-09-21 2014-03-19 株式会社大真空 電子部品パッケージ用封止部材、及び電子部品パッケージ
CN102394589B (zh) * 2011-10-09 2014-02-12 浙江雅晶电子有限公司 一种用于定位晶振和支架的定位装置
WO2014123519A1 (en) 2013-02-06 2014-08-14 Empire Technology Development Llc Devices, systems, and methods for detecting odorants
US9879997B1 (en) * 2013-11-19 2018-01-30 Hrl Laboratories, Llc Quartz resonator with plasma etched tethers for stress isolation from the mounting contacts
WO2015116104A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 Empire Technology Development Llc Crystal oscillators and methods for fabricating the same
US9977097B1 (en) 2014-02-21 2018-05-22 Hrl Laboratories, Llc Micro-scale piezoelectric resonating magnetometer
US10031191B1 (en) 2015-01-16 2018-07-24 Hrl Laboratories, Llc Piezoelectric magnetometer capable of sensing a magnetic field in multiple vectors
CN111508926B (zh) 2019-01-31 2022-08-30 奥特斯(中国)有限公司 一种部件承载件以及制造部件承载件的方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5398793A (en) * 1977-02-09 1978-08-29 Seiko Epson Corp Piezo electric vibrator
JPS5513553A (en) * 1978-07-14 1980-01-30 Matsushima Kogyo Co Ltd Crystal vibrator
JPS5538748A (en) * 1978-09-11 1980-03-18 Matsushima Kogyo Co Ltd Resonator
FR2441960A1 (fr) * 1978-11-16 1980-06-13 Suisse Horlogerie Resonateur piezoelectrique travaillant en cisaillement d'epaisseur
CH626479A5 (zh) * 1979-07-05 1981-11-13 Suisse Horlogerie
CH625372A5 (zh) * 1979-07-06 1981-09-15 Ebauchesfabrik Eta Ag
US4421621A (en) * 1979-07-17 1983-12-20 Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha Quartz crystal oscillator
US4540909A (en) * 1983-04-04 1985-09-10 Seiko Instruments & Electronics Ltd. Tuning fork type quartz crystal resonator with variable width base
FR2547458B3 (fr) * 1983-06-07 1986-02-21 Electronique Piezoelectricite Resonateur piezoelectrique pourvu d'un dispositif d'encapsulation
JPS61202508A (ja) * 1985-03-06 1986-09-08 Matsushima Kogyo Co Ltd 圧電振動子
JPS6227040A (ja) * 1985-07-26 1987-02-05 Sapporo Breweries Ltd 物質を澱粉に吸着あるいは包接させる方法
US4763078A (en) * 1986-03-27 1988-08-09 Williams Bruce T Sensor for electrostatic voltmeter
JPH07112004B2 (ja) * 1986-11-11 1995-11-29 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
GB2202989B (en) * 1987-04-02 1991-01-09 Stc Plc Crystal resonnator
US5101669A (en) * 1988-07-14 1992-04-07 University Of Hawaii Multidimensional force sensor
KR0158469B1 (ko) * 1992-10-15 1999-03-20 모리시타 요이찌 발진자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100344740C (zh) * 2002-08-05 2007-10-24 新日本石油株式会社 润滑油组合物

Also Published As

Publication number Publication date
DE69427730D1 (de) 2001-08-23
KR950013023A (ko) 1995-05-17
EP0648014A2 (en) 1995-04-12
EP0648014B1 (en) 2001-07-18
DE69427730T2 (de) 2001-10-31
US5596243A (en) 1997-01-21
JPH07106905A (ja) 1995-04-21
KR0145370B1 (ko) 1998-08-17
EP0648014A3 (en) 1996-01-24
CN1041681C (zh) 1999-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1041681C (zh) 晶体振荡器
US5430345A (en) Piezoelectric device
US4639631A (en) Electrostatically sealed piezoelectric device
US5939817A (en) Surface acoustic wave device
US20130107467A1 (en) Circuit substrate, electronic device, electronic apparatus, and method of manufacturing circuit substrate
US6401542B1 (en) Pressure sensing semiconductor device comprising a semiconductor chip which has a diaphragm formed with piezoresistance
US4375041A (en) Terminal substrate for a quartz vibrating device
JPH0774581A (ja) 圧電振動子
CN1151602C (zh) 电子部件
JP7069222B2 (ja) 配線基板、電子装置及び電子モジュール
JPH11274891A (ja) 圧電振動子、およびそれを用いた圧電振動子ユニット並びに圧電発振器
JPH0689751A (ja) 気密端子およびその製造方法
US11923288B2 (en) Wiring substrate, electronic device, and electronic module each having plate-shaped conductive portion in frame portion of insulation substrate
JP3018977B2 (ja) セラミックパッケージ、及び、表面実装型圧電振動子、並びに、セラミックパッケージの電極形成方法
JPH08130432A (ja) 圧電振動子の保持構造
JP2003198310A (ja) 圧電振動子収納用パッケージ
JP3800849B2 (ja) 圧電振動子用気密端子、それを使用した表面実装型圧電振動子およびその製造方法
JPH0926431A (ja) Smd型圧電加速度センサ
JPS5827554Y2 (ja) 弾性表面波装置
JPH1022772A (ja) 発振部品
JP2005057520A (ja) 超小型水晶振動子パッケージ
JP2568788Y2 (ja) 表面実装型電子部品
JPH0349466Y2 (zh)
JPH10200362A (ja) 振動子
JP2001237560A (ja) 電子部品装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee