CN110428937A - 对金属层镀金以实现背侧连接通路 - Google Patents
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Abstract
描述了一种背侧连接通路结构以及制造方法。该方法包括在基板的至少一部分上形成金层。该方法还包括在该金层上形成金属层。并且，该方法包括在该基板中形成开口以暴露该金层的至少一部分。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年5月1日提交的美国临时专利申请No.62/665,239和于2019年4月25日提交的美国专利申请No.16/394,521的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施例涉及电连接。具体而言，本发明的实施例总体上涉及用于电连接的背侧通路。
背景技术
制造包括电迹线的器件需要通向电迹线的通路，以将迹线电耦合到一个或多个电路或电气部件。仍持续需要增强的电路结构，以提供通向器件的电迹线的通路。还存在对制造电路和其它结构的有效且高效的工艺的持续需要。
发明内容
描述了一种背侧连接通路结构以及制造方法。该方法包括在基板的至少一部分上形成金层。该方法还包括在该金层上形成金属层。并且，该方法包括在该基板中形成开口以暴露该金层的至少一部分。
根据附图和随后的详细描述，本发明的实施例的其它特征和优点将显而易见。
附图说明
在附图中通过示例而非限制的方式示出本发明的实施例，在附图中相同的附图标记表示类似的元件，并且在附图中：
图1示出了根据实施例的背侧连接通路结构；以及
图2a-g示出了根据实施例的用于形成背侧连接通路结构的工艺；
图3a-g示出了根据实施例的用于通过在形成金层之前形成介电层来形成背侧连接通路结构的工艺；以及
图4a-h示出了根据实施例的用于形成包括阻挡层的背侧连接通路结构的工艺。
具体实施方式
描述了根据本发明实施例的背侧连接通路以及制造方法。背侧连接通路被构造成提供通向电迹线和电触头中的任意一个或多个的电接触。背侧连接通路包括在基板和金属层之间的金层。金属层可以形成为迹线或触头。开口形成于基板中，该开口提供通向金层和金属层的通路，从而与金属层形成电连接。金层使得能够使用加成和减成制造工艺，所述加成和减成制造工艺类似于用于形成金属层、介电层、覆盖层或器件的其它层或结构中的任意一种或多种的那些工艺。
包括在基板和金属层之间的金层的结构消除了使用诸如激光烧蚀的方法来形成开口从而在器件中产生背侧连接通路的需要，其中该方法必须作为与用于形成装置的结构或层的加成和减成工艺分开的独立步骤执行。另外，金层使得能够使用单个蚀刻特征来产生背侧连接通路。该背侧连接通路结构使金属层的表面与基板的介电侧处于同一平面。另外，使用类似的加成和减成工艺来形成用于形成器件的其它层的开口，这提供了成本和效率优势。背侧连接通路结构和用于形成该背侧连接通路结构的方法使得该结构能够用于不同的产品和装置，例如：悬架组件，医疗设备，光学稳像组件，相机镜头悬架以及其它机电装置。
图1示出了根据实施例的背侧连接通路结构。背侧连接通路结构102包括基板104，金层106形成在该基板和金属层108之间。对于一些实施例，基板104是不锈钢层。背侧连接通路结构还包括介电层110和覆盖层112。对于一些实施例，介电层110是聚酰亚胺层。根据一些实施例，覆盖层112是聚酰亚胺层。基板104中的开口114提供通向金层106的至少一部分的背侧通路/入口(accesss)。开口114可用于与金属层108进行电连接。金属层108可包括电气迹线和接触焊盘中的任意的一个或多个。金属层108可以由铜、铝、合金和其它金属形成，例如本领域中已知的金属。
图2a-g示出了根据实施例的用于形成背侧连接通路结构的工艺。如图2a所示，基板204经清洁。例如，基板被使用等离子体清洁工艺清洁。根据一些实施例，基板是用作基层的金属。该金属包括但不限于不锈钢、铜、铝、合金和其它金属。如图2b所示，在基板204上形成有可选的预镀(strike)层206。根据一些实施例，预镀层206是镍层，其被用于改善金层208到基板204的粘附。预镀层206使用本领域中已知的方法形成在基板204上，所述方法包括但不限于电镀、溅射和化学镀。
如图2c所示，在布置于基板204上的预镀层206上形成金层208。对于没有预镀层206的实施例，该金层208形成在基板204上。使用本领域中已知的方法在基板204上形成金层208，所述方法包括但不限于电镀。根据一些实施例，金层208和可选的预镀层206被形成为布置在基板204上的一个或多个位置上。因此，金层208和可选的预镀层206呈以下图案地形成在基板上：金和可选的预镀物在基板204上位于所期望的背侧入口位置。
使用包括本领域中已知的技术在基板204上形成介电层210。介电层210可以包括但不限于诸如聚酰亚胺、SU-8、KMPR、环氧树脂的聚合物以及包括陶瓷和玻璃的其它绝缘材料。如图2d所示，介电层210被图案化以露出金层208的至少一部分。对于一些实施例，使用包括本领域中已知的的光刻和蚀刻技术来图案化介电层210。
如图2e所示，形成金属层212。该金属层被形成到由介电层限定的迹线和触头中的任意一个或多个中。对于一些实施例，金属层通过在由介电层210形成的图案内沉积金属来形成。金属层可以由铜、铝、合金和其它金属形成。对于一些实施例，金属层使用电镀形成。其它实施例包括使用溅射、化学镀、化学气相沉积或包括本领域中已知的用于形成金属层212的那些技术的其它技术。
如图2f所示，在介电层210和金属层212的至少一部分上形成覆盖层214。覆盖层214可以通过在介电层212和金属层212上施加液体材料并固化该材料来形成。对于其它实施例，介电层212被使用包括但不限于溅射、化学气相沉积、热喷涂和丝网印刷技术的技术来施加。根据一些实施例，覆盖层可以被使用本领域中已知的技术(包括本文所述的那些技术)图案化和蚀刻，以提供通向金属层212的一个或多个部分的通路。覆盖层214可以使用包括但不限于诸如聚酰亚胺、SU-8、KMPR、环氧树脂的聚合物以及包括陶瓷和玻璃的其它绝缘材料形成。如图2g所示，使用包括本领域中已知的蚀刻技术在基板204中形成一个或多个开口216，以暴露金层208的至少一部分。金层208用作蚀刻停止层，以使得能够在不损坏形成在基板204的相反侧上的金属层212的情况下蚀刻基板204。这避免了例如由金属形成的电路层在使用其它技术来提供通向金属层的背侧连接通路的情况下的产量降低或性能下降。
根据一些实施例，通过在基板204上施加介电层并图案化该介电层以暴露基板204的一个或多个部分来形成一个或多个开口216。使用包括本文所述和本领域中已知的技术蚀刻基板204的被暴露的一个或多个部分。对于一些实施例，形成在基板上以产生一个或多个开口216的介电层被使用包括本领域中已知的技术从基板204移除。对于一些实施例，开口216足够大以使得能够产生电接触，从而将金属层212的至少一部分电耦合成与金层208的被该开口暴露的部分电接触。电接触可以使用本领域中已知的技术产生，包括但不限于焊接、使用导电粘合剂和超声波焊接。
图3a-g示出了根据实施例的用于形成背侧连接通路结构的工艺。如图3a所示，基板304(诸如本文所述的那些基板)被使用诸如本文所述技术清洁。如图3b所示，使用诸如本文所述技术在基板304上形成可选的预镀层306(诸如本文所述的那些预镀层)。使用包括本领域中已知技术的技术在基板304上形成介电层310(例如本文所述的那些介电层)。如图3c所示，介电层310被图案化以(如果使用预镀层306的话)露出预镀层306(如果使用预镀层306的话)的至少一部分，或者(当不使用预镀层306时)露出基板的一部分。对于一些实施例，使用包括本文所述技术图案化介电层310。
如图3d中所示，使用诸如本文所述技术在布置于基板304上的预镀层306上形成金层308。对于没有预镀层306的实施例，金层308被使用诸如本文所述的技术形成在基板304上。如图3e所示，金属层312被使用诸如本文所述的技术形成。金属层312被形成到由介电层限定的迹线和触头中的任意一个或多个中。金属层可以由铜、铝/合金和其它金属形成。
如图3f所示，使用诸如本文所述的技术在介电层310和金属层312的至少一部分上形成覆盖层314。覆盖层314可以使用诸如本文所述的那些材料来形成。如图3g所示，使用包括本领域中已知的蚀刻技术在基板304中形成一个或多个开口316，以暴露金层308的至少一部分。一个或多个开口316使用诸如本文所述的技术来形成。对于一些实施例，形成在基板上以产生一个或多个开口316的介电层被使用包括本领域中已知的技术而从基板304移除。对于一些实施例，开口316足够大以使得能够产生电接触，从而将金属层312的至少一部分电耦合成与金层308的被开口暴露的部分电接触。电接触可以使用本领域中已知的技术产生，包括但不限于焊接、使用导电粘合剂和超声波焊接。
图4a-g示出了根据实施例的用于形成背侧连接通路结构的工艺。如图4a所示，基板404(诸如本文所述的基板)被使用诸如本文所述的技术清洁。如图4b所示，使用诸如本文所述的技术在基板404上形成可选的预镀层406(诸如本文所述的预镀层)。如图4c所示，使用诸如本文所述的技术在布置于基板404上的预镀层406上形成金层408。对于没有预镀层406的实施例，金层408被形成在基板404上。如图4d所示，使用诸如本文所述的技术在金层408上形成阻挡层407。对于一些实施例，阻挡层407是镍层。根据一些实施例，阻挡层407隔离各层，以防止层间的化学反应和/或以增大布置于其上的层的粘附。
使用包括本领域中已知的技术在基板404上形成介电层410(诸如本文所述的那些介电层)。如图4e所示，介电层410被图案化，以露出阻挡层406的至少一部分。对于一些实施例，介电层410被使用包括本文所述的技术来图案化。
如图4f所示，使用诸如本文所述的技术形成金属层412。金属层412被形成到由介电层限定的迹线和触头中的任意一个或多个中。该金属层可以由铜、铝、合金和其它金属形成。如图4g所示，使用诸如本文所述的技术在介电层410和金属层412的至少一部分上形成覆盖层414。覆盖层414可以使用诸如本文所述的那些材料形成。如图4h所示，使用包括本领域中已知的蚀刻技术在基板404中形成一个或多个开口416，以暴露金层408的至少一部分。一个或多个开口416被使用诸如本文所述的技术形成。对于一些实施例，形成在基板上以产生一个或多个开口416的介电层被使用包括本领域中已知的技术从基板404移除。对于一些实施例，开口416足够大以使得能够产生电接触，从而将金属层412的至少一部分电耦合成与金层408的被开口暴露的部分电接触。电接触可以使用本领域中已知的技术产生，包括但不限于焊接、使用导电粘合剂和超声波焊接。
对于一些实施例，例如本文所述的那些实施例，金层是由金形成的处理层。对于其它实施例，处理层由金属形成，包括但不限于锡、焊料和其它导电材料。该处理层被使用诸如本文所述的用于沉积金属的技术(例如，溅射和图案化)形成。
虽然结合这些实施例进行了描述，但是本领域技术人员将认识到，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行改变。
Claims (18)
1.一种制造方法，包括：
在基板的至少一部分上形成金层；
在所述金层上形成金属层；以及
在所述基板中形成开口，以暴露所述金层的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在基板的至少一部分上形成所述金层包括在所述基板的至少一部分上形成预镀层并且在所述预镀层上形成所述金层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述金层上形成金属层包括：
在所述基板的至少一部分上形成介电层；
在所述介电层中形成图案；以及
将金属沉积在所述图案内，以形成所述金属层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述金属层的至少一部分上形成覆盖层。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，使用电镀来实现所述金属在所述图案内的沉积。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过蚀刻所述基板来实现在所述基板中形成开口。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板是不锈钢。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板是用于悬架组件的挠曲件的一部分。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板是医疗设备的一部分。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板是光学稳像组件的一部分。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括在所述金层上形成阻挡层，所述阻挡层被形成在所述金层和所述金属层之间。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述阻挡层是镍层。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述金层包括：
在所述基板的至少一部分上形成介电层；
图案化所述介电层，以露出所述基板的至少一部分；以及
将金沉积在所述基板的所述部分上。
14.一种装置，包括：
基板；
金属层；
最初形成在所述基板的至少一部分和所述金属层的至少一部分之间的金层；以及
由所述基板限定的开口，所述开口被构造成暴露所述金层的至少一部分。
15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述装置包括在所述金属层和所述金层之间的预镀层。
16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述预镀层是镍层。
17.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述装置包括在所述金层和金属层之间的阻挡层。
18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，所述阻挡层是镍层。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060019490A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Chiu-Ming Chou | Structure of gold bumps and gold conductors on one IC die and methods of manufacturing the structures |
| JP2006186321A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法 |
| US20090289342A1 (en) * | 2005-04-15 | 2009-11-26 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor Device and Semiconductor Device Manufacturing Method |
| CN101900940A (zh) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | 日东电工株式会社 | 负型感光性材料、感光性基材及负型图案形成方法 |
| CN103238204A (zh) * | 2010-09-25 | 2013-08-07 | 英特尔公司 | 应用在无芯基板工艺中的电解金或金钯表面终饰 |
| CN206639796U (zh) * | 2016-06-30 | 2017-11-14 | 半导体元件工业有限责任公司 | 半导体器件 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382759A (en) * | 1993-09-28 | 1995-01-17 | Trw Inc. | Massive parallel interconnection attachment using flexible circuit |
| JP2000306997A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Nec Corp | バリアメタル層を有する半導体装置及びその製造方法 |
| JP4356215B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2009-11-04 | 凸版印刷株式会社 | フレクシャ及びその製造方法ならびにそれに用いるフレクシャ用基板 |
| JP4402256B2 (ja) * | 2000-05-15 | 2010-01-20 | 大日本印刷株式会社 | 半導体チップ塔載用配線部材の製造方法 |
| JP3498732B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2004-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージ基板及び半導体装置 |
| US6368964B1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-04-09 | United Microelectronics Corp. | Method for reducing resistance in a conductor |
| US7563714B2 (en) * | 2006-01-13 | 2009-07-21 | International Business Machines Corporation | Low resistance and inductance backside through vias and methods of fabricating same |
| JP5566720B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-08-06 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| WO2013095433A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Intel Corporation | Electroless filled conductive structures |
| US9112007B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through via structure and method |
| US10087527B2 (en) * | 2014-04-30 | 2018-10-02 | Wistron Neweb Corp. | Method of fabricating substrate structure and substrate structure fabricated by the same method |
| US9912314B2 (en) * | 2014-07-25 | 2018-03-06 | Akoustics, Inc. | Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter |
| CN107004597A (zh) * | 2014-12-23 | 2017-08-01 | 英特尔公司 | 解耦过孔填充 |
| DE102015110437B4 (de) * | 2015-06-29 | 2020-10-08 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit einer Metallstruktur, die mit einer leitfähigen Struktur elektrisch verbunden ist und Verfahren zur Herstellung |
| US20190148306A1 (en) * | 2016-06-30 | 2019-05-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor backmetal and over pad metallization structures and related methods |
| US10499500B2 (en) * | 2016-11-04 | 2019-12-03 | Flex Ltd. | Circuit board with embedded metal pallet and a method of fabricating the circuit board |
| US10325807B2 (en) * | 2016-12-14 | 2019-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP3358311B1 (en) * | 2017-02-02 | 2019-09-11 | Melexis Technologies NV | Sensor shielding for harsh media applications |
| EP3358616B1 (en) * | 2017-02-02 | 2021-10-27 | Melexis Technologies NV | Bond pad protection for harsh media applications |
| US10453740B2 (en) * | 2017-06-29 | 2019-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interconnect structure without barrier layer on bottom surface of via |
| JP6872991B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2021-05-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10361120B2 (en) * | 2017-11-30 | 2019-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Conductive feature formation and structure |
| JP2019204894A (ja) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060019490A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Chiu-Ming Chou | Structure of gold bumps and gold conductors on one IC die and methods of manufacturing the structures |
| JP2006186321A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法 |
| US20090289342A1 (en) * | 2005-04-15 | 2009-11-26 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor Device and Semiconductor Device Manufacturing Method |
| CN101900940A (zh) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | 日东电工株式会社 | 负型感光性材料、感光性基材及负型图案形成方法 |
| CN103238204A (zh) * | 2010-09-25 | 2013-08-07 | 英特尔公司 | 应用在无芯基板工艺中的电解金或金钯表面终饰 |
| CN206639796U (zh) * | 2016-06-30 | 2017-11-14 | 半导体元件工业有限责任公司 | 半导体器件 |
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