CN110400886B - 发光膜、其制造方法和含该发光膜的发光器件和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了包括多个量子点的发光膜、其制造方法、包括该发光膜的发光器件和包括该发光器件的显示装置。所述多个量子点构成发光膜的表面的至少一部分，所述多个量子点不包含镉和铅，并且发光膜的表面的所述至少一部分包括结合到所述多个量子点中的至少一个量子点的金属卤化物。

Description

发光膜、其制造方法和含该发光膜的发光器件和显示装置
技术领域
公开了一种发光膜、其制造方法以及包括量子点的发光器件。
背景技术
量子点(例如纳米尺寸的半导体纳米晶体)可以通过控制量子点的尺寸和组成而具有不同的能带隙。这样的量子点可以发射各种波长的光。
量子点可以用于包括显示装置的各种电子设备中。
发明内容
一实施方式涉及可表现出增强的性质的包括量子点的发光膜。
一实施方式涉及发光膜的制造方法。
一实施方式提供包括该发光膜的发光器件。
在一实施方式中，一种发光膜包括多个量子点，其中所述多个量子点构成发光膜的表面的至少一部分，所述多个量子点不包括镉和铅，发光膜的表面的所述至少一部分包括结合到所述多个量子点中的至少一个量子点的金属卤化物。
所述多个量子点中的至少一个量子点可以包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在芯上的壳，该壳包括第二半导体纳米晶体。
第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体可以是相同的或不同的，并可以独立地为II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合。
所述多个量子点中的至少一个量子点(例如第一半导体纳米晶体)可以包括铟、锌或其组合。
所述多个量子点中的至少一个量子点(例如第一半导体纳米晶体)可以包括InP、InZnP、ZnSe、ZnTeSe或其组合。
所述多个量子点中的至少一个量子点的最外层可以包括锌和硫。
最外层可以由锌和硫组成。
发光膜的表面的所述至少一部分可以不包括有机硫醇化合物。
金属卤化物可以包括锌、铟、镁、锂或其组合。
金属卤化物可以包括包含在量子点的最外层中的金属。
金属卤化物可以包括氯化锌、溴化锌、碘化锌、氯化铟、溴化铟、碘化铟、氯化镓、溴化镓、碘化镓、氯化镁、溴化镁、碘化镁、氯化锂、溴化锂、碘化锂或其组合。
发光膜的厚度可以大于或等于约5纳米(nm)。
发光膜的厚度可以大于或等于约15nm。
发光膜可以具有碳相对于该发光膜的最外层的金属的小于1.5的摩尔比。
在一实施方式中，一种发光膜的制造方法包括：
设置包括所述多个量子点的膜；以及
在极性(有机)溶剂中用包含金属卤化物的溶液处理所述膜，以将金属卤化物结合到所述多个量子点中的至少一个量子点。
该方法还可以包括用不包括金属卤化物的极性溶剂清洗被处理的膜。
该方法还可以包括将被清洗的膜加热至大于或等于约60℃的温度。
极性溶剂可以包括C1至C10醇。
在一实施方式中，一种发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极以及上述发光膜。
发光器件还可以包括在第一电极和发光层之间的空穴辅助层，该空穴辅助层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)或其组合。
发光器件还可以包括在第二电极和发光层之间的电子辅助层，该电子辅助层包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)或其组合。
一实施方式提供一种包括该发光器件的显示装置。
当应用于发光器件(例如电致发光器件)时，一实施方式的发光膜可以实现该器件的性能(例如寿命、亮度、充电特性、驱动电压等)的改善。
附图说明
从以下结合附图对实施方式的描述，这些和/或其它的方面将变得明显并更容易理解，附图中：
图1是发光器件的一实施方式中的每层的能带排列图；
图2是发光器件的一实施方式的剖视图；
图3是发光器件的一实施方式的剖视图；
图4是发光器件的一实施方式的剖视图；
图5是显示装置的一实施方式的剖视图；
图6是吸收率(任意单位，a.u.)与波数(厘米的倒数，cm-1)的曲线图，显示了参考示例1、示例1和示例2中制备的发光膜的傅立叶变换红外光谱(FT-IR)的结果；
图7是光致发光(PL)强度(任意单位)与时间(纳秒，ns)的曲线图，显示了在示例和比较示例中制备的发光膜的时间分辨光谱分析结果；
图8是相对亮度(百分比，％)与时间(小时，hrs)的曲线图，显示了在示例和比较示例中制备的器件的寿命。
具体实施方式
参照以下示例实施方式以及附图，本公开的优点和特征以及用于实现它们的方法将变得明显。然而，实施方式不应被解释为限于这里阐述的实施方式。如果没有被另外地定义，本说明书中的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以如本领域技术人员通常理解的那样被定义。除非明确定义，否则在通常使用的字典中定义的术语不会被理想地或夸大地解释。此外，除非明确地相反描述，否则词语“包括”和变形诸如“包含”或“具有”将被理解为暗示包括所陈述的元件而不排除任何其它元件。
此外，除非另外地说明，否则单数包括复数。
在图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
将理解，当一元件诸如层、膜、区域或基板被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在居间的元件。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间的元件。
为了清楚地说明附图中的实施方式，可以省略与说明实际上不相关的一些部分。
将理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
此外，这里可以使用关系术语诸如“下”或“底”和“上”或“顶”来描述一个元件与另一个元件如图中所示的关系。将理解，除了图中所描绘的取向之外，关系术语旨在还包括器件的其它不同取向。例如，如果附图之一的器件被翻转，则被描述为在其它元件“下”侧的元件将会取向在其它元件的“上”侧。因此，取决于附图的特定取向，示范性术语“下”可以包括“下”和“上”两种取向。类似地，如果附图之一的器件被翻转，则被描述为在其它元件“下面”或“之下”的元件将会取向在其它元件“之上”。因此，示范性术语“在......下面”或“在......之下”可以包括上和下两种取向。
如这里所用的，“约”或“大致”包括所述值在内并意指在由本领域普通技术人员确定的对于特定值的可接受的偏差范围内，考虑到所谈论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或在所述值的±10％或5％内。
这里参照剖视图描述了示范性实施方式，该剖视图是理想化的实施方式的示意图。因而，可预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，这里描述的实施方式不应被解释为限于这里所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造引起的形状偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。而且，示出的锐角可以被倒圆。因此，附图中示出的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求书的范围。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，术语“取代”是指在化合物或基团或部分(moiety)中氢被包括C1至C30烷基、C2至C30烯基、C2至C30炔基、C6至C30芳基、C7至C30烷基芳基、C1至C30烷氧基、C1至C30杂烷基、C3至C30杂烷基芳基、C3至C30环烷基、C3至C15环烯基、C6至C30环炔基、C2至C30杂环烷基、卤素(-F、-Cl、-Br或-I)、羟基(-OH)、硝基(-NO2)、氰基(-CN)、氨基(-NRR'，其中R和R'独立地为氢或C1至C6烷基)、叠氮基(-N3)、脒基(-C(＝NH)NH2)、肼基(-NHNH2)、亚肼基(＝N(NH2))、醛基(-C(＝O)H)、氨基甲酰基(-C(O)NH2)、巯基(-SH)、酯基(-C(＝O)OR，其中R是C1至C6烷基或C6至C12芳基)、羧酸基或其盐(-C(＝O)OM，其中M是有机或无机阳离子)、磺酸基(-SO3H)或其盐(-SO3M，其中M是有机或无机阳离子)、磷酸基(-PO3H2)或其盐(-PO3MH或-PO3M2，其中M是有机或无机阳离子)、或其组合的取代基取代的情况。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，术语III族、II族等中的术语“族”是指周期表的族。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，“I族”是指IA族和IB族，示例可以包括Li、Na、K、Rb和Cs，但不限于此。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，“II族”是指IIA族和IIB族，II族金属的示例可以是Cd、Zn、Hg和Mg，但不限于此。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，“III族”是指IIIA族和IIIB族，III族金属的示例可以是Al、In、Ga和Tl，但不限于此。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，“IV族”是指IVA族和IVB族，IV族金属的示例可以是Si、Ge和Sn，但不限于此。如这里所用的，术语“金属”可以包括半金属，诸如Si。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，“V族”是指VA族，并且示例可以包括N、P、As、Sb和Bi，但不限于此。
如这里所用的，当没有另外地提供定义时，“VI族”是指VIA族，并且示例可以包括S、Se和Te，但不限于此。
量子点(例如半导体纳米晶体颗粒)可以具有100％的理论量子产率并可以发射相对高的色纯度(例如具有小于或等于约40纳米(nm)的半峰全宽)的光。当用作发光材料时，量子点可以有助于实现增强的发光效率和改善的颜色再现性。
电致发光显示装置是一种能够在没有外部光源的情况下操作的显示装置。
电致发光显示装置包括包含电致发光材料的发光器件，其中从两个电极分别注入的电子和空穴在发光层处彼此结合以形成激子，以光的形式发射能量。
在一实施方式中，包括量子点的发光器件的能级在图1中示出。
在图1中，参考真空能级(VL)示出能级(电子伏特，eV)，术语“功函数”表示用于将费米能级处的电荷迁移到真空能级(VL)的能量。每层的HOMO(最高占据分子轨道)能级表示为“H”，LUMO(最低未占分子轨道)能级表示为“L”。
图1的发光器件包括第一电极21、空穴注入层和空穴传输层22、发光层23、电子传输层24和第二电极25。
参照图1，空穴从第一电极21(例如铟锡氧化物(ITO)第一电极)注入，经过空穴传输层(HTL)的最高占据分子轨道(HOMO)22H，到达发光层23的HOMO 23H，电子从第二电极25(例如Ag第二电极)注入，经过电子传输层(ETL)的LUMO 24L，到达发光层23的LUMO 23L。空穴和电子在发光层(例如量子点(QD)发光层)处复合并发光。HTL还包括LUMO 22L并且ETL还包括HOMO 24H。
期望包括基于量子点的发光层的器件(例如电致发光器件)表现出比有机发光二极管更大的发光效率和更窄的发光光谱。注入到发光器件中的电荷在量子点中形成激子(例如电子和空穴对)并发光。量子点在其表面上包括(例如，结合到其表面的)有机配体。有机配体在器件的制备工艺期间在有机溶剂中提供分散稳定性，并可以有助于减少量子点的表面缺陷。为了防止溶液中的沉淀，量子点可以包括足够量的具有相对长的链(例如C12或更大的有机基团)的有机配体。然而，这样的有机配体是电绝缘的，因此它会用作电子和空穴的阻挡物，不利地影响器件的发光性能。此外，在器件操作时，有机配体可能从量子点脱离，非辐射跃迁和发光性能下降可能发生。在涉及电荷注入的发光二极管(LED)器件中，可能发生电子和空穴之间的不平衡，导致量子点充电现象。有机配体从带电的量子点脱离会导致量子点的表面缺陷，量子点的非辐射性能会提高，并且器件的寿命会减短。
在一实施方式中，发光膜包括不包含镉和铅的多个量子点，其中所述多个量子点构成发光膜的表面的至少一部分(或全部)，并且发光膜的表面的所述至少一部分(或全部)包括链接(例如，结合)到量子点的金属卤化物。在一实施方式中，所述多个量子点不包括有毒的重金属(包括镉和铅)。一实施方式的发光膜可以有助于改善电致发光器件的发光性能和增长电致发光器件的寿命。
量子点(在下文，也称为半导体纳米晶体颗粒)可以具有芯-壳结构，该芯-壳结构包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在芯上并包括第二半导体纳米晶体的壳。第二半导体纳米晶体可以具有与第一半导体纳米晶体不同的组成。一实施方式的量子点不包括有机铵盐。术语“半导体纳米晶体”可以指不包含有机配体的纳米晶体化合物。
半导体纳米晶体(例如第一半导体纳米晶体、第二半导体纳米晶体、或其组合)可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其组合。
II-VI族化合物可以包括：
二元化合物，包括ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS或其组合；
三元化合物，包括ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS或其组合；
四元化合物，包含ZnSeSTe、HgZnTeS、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或其组合；或
其组合。
II-VI族化合物还可以包括III族金属。
III-V族化合物可以包括：
二元化合物，包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb或其组合；
三元化合物，包括GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、InZnP或其组合；
四元化合物，包括GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或其组合；或
其组合。
III-V族化合物还可以包括II族金属(例如InZnP)。
IV-VI族化合物可以包括：
二元化合物，包括SnS、SnSe、SnTe、或其组合；
三元化合物，包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、或其组合；和
四元化合物，包括SnSSeTe；或
其组合。
I-III-VI族化合物的示例可以包括CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe和CuInGaS，但不限于此。
I-II-IV-VI族化合物的示例可以包括CuZnSnSe和CuZnSnS，但不限于此。
IV族元素或化合物可以包括：
单一元素，包括Si、Ge或其组合；
二元化合物，包括SiC、SiGe、或其组合；或
其组合。
第一半导体纳米晶体可以包括铟、锌或其组合。第一半导体纳米晶体可包括InP、InZnP、ZnSe、ZnSeTe或其组合。量子点可以在壳的最外层中包含锌和硫。
二元化合物、三元化合物、四元化合物、或其组合可以分别以均匀的浓度或局部不同的浓度包含在颗粒中。量子点可以包括：芯，包括第一半导体纳米晶体；和壳，设置在芯的表面的至少一部分(或全部)上并包括具有与第一半导体纳米晶体的组成不同的组成的第二半导体纳米晶体。在芯和壳之间的界面处，可以存在或可以不存在成合金的居间层。成合金的层可以包括同类的合金。成合金的层可以具有浓度梯度。在具有浓度梯度的合金中，壳的元素的浓度径向地变化(例如朝向芯减小或增大)。此外，壳可以包括具有至少两层的多层壳，其中相邻的两层具有彼此不同的组成。在多层壳中，每层可以具有单一组成。在多层壳中，每层可以独立地具有合金。在多层壳中，每层可以具有根据半导体纳米晶体的组成而径向变化的浓度梯度。
在具有芯-壳结构的量子点中，壳的材料可以具有比芯的带隙能量大的带隙能量，但是其不限于此。壳的材料可以具有比芯的带隙能量小的带隙能量。在多层壳的情况下，壳的最外层材料的能带隙可以大于芯和壳的内层材料(更靠近芯的层)的能带隙。在多层壳的情况下，每层的半导体纳米晶体被选择为具有适当的带隙能量，从而有效地表现出量子限制效应。
量子点的发光波长可以被适当地选择。半导体纳米晶体的光致发光峰值波长可以存在于从紫外区域到近红外区域的范围内。例如，半导体纳米晶体的最大峰值波长可以在从约420nm至约750nm(例如约460nm至约700nm)的范围内。在发射绿光的量子点的情况下，最大光致发光峰值波长可以存在于从约510nm至约550nm的范围内。在发射红光的量子点的情况下，最大光致发光峰值波长可以存在于从约610nm至约650nm的范围内。在发射蓝光的量子点的情况下，最大光致发光峰值波长可以存在于从约450nm至约470nm的范围内。
量子点可以具有相对窄的半峰全宽(FWHM)。在一实施方式中，量子点的FWHM可以小于或等于约44nm，小于或等于约43nm，小于或等于约42nm，小于或等于约41nm，小于或等于约40nm，小于或等于约39nm，小于或等于约38nm，小于或等于约37nm，小于或等于约36nm，或小于或等于约35纳米。量子点可以具有大于或等于约10％的量子产额(或量子效率)，例如大于或等于约20％，大于或等于约30％，大于或等于约40％，大于或等于约50％，大于或等于约60％，大于或等于约70％，大于或等于约80％，大于或等于约90％，或甚至约100％。
量子点可以具有约1nm至约100nm的尺寸(例如颗粒的直径，或者在非球形颗粒的情况下，从电子显微镜分析中确定的二维面积计算的直径)。在一实施方式中，半导体纳米晶体11可以具有约1nm至约50nm的颗粒尺寸，例如从2nm(或从3nm)至35nm。在一实施方式中，半导体纳米晶体具有大于或等于约1nm、大于或等于约2nm、大于或等于约3nm、大于或等于约4nm、大于或等于约5nm、大于或等于约6nm、大于或等于约7nm、大于或等于约8nm、大于或等于约9nm、或大于或等于约10nm的尺寸。在一实施方式中，量子点具有小于或等于约50nm、小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约35nm、小于或等于约30nm、小于或等于约25nm、小于或等于约20nm、小于或等于约19nm、小于或等于约18nm、小于或等于约17nm、小于或等于约16nm、或小于或等于约15nm的尺寸。
量子点可以具有没有特别限制的形状。例如，量子点可以具有球形、金字塔形、多臂形或立方形。量子点可以是纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片、纳米板或其组合。
量子点可以是可购买到的或可以通过任何适当的方法合成。例如，几种纳米尺寸的量子点可以通过湿化学工艺合成。在湿化学工艺中，前体在有机溶剂中反应以生长纳米晶体颗粒，并且有机溶剂或配体化合物可以与半导体纳米晶体的表面配位(coordinate)(或结合)，从而控制半导体纳米晶体的生长。有机溶剂和配体化合物可以被适当地选择。例如，有机溶剂可以是C6至C22伯胺诸如十六烷基胺，C6至C22仲胺诸如二辛基胺，C6至C40叔胺诸如三辛胺，含氮杂环化合物诸如吡啶，C6至C40烯烃诸如十八烯，C6至C40脂肪族烃诸如十六烷、十八烷或角鲨烷，被C6至C30烷基取代的芳族烃诸如苯基十二烷、苯基十四烷或苯基十六烷，被至少一个(例如1、2或3)C6至C22烷基取代的一级、二级或叔膦(例如三辛基膦)、被至少一个(例如1、2或3)C6至C22烷基取代的氧化膦(例如三辛基氧化膦)、C12至C22芳族醚诸如苯基醚或苄基醚、或其组合。
配体化合物可以包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RH2PO、R2HPO、R3PO、RH2P、R2HP、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH或其组合，其中每个R是相同或不同的并独立地为取代或未取代的C1至C40脂肪族烃基、取代或未取代的C6至C40芳族烃基、或其组合。可以使用一种或多种配体。
所制备的量子点可以通过将过量的非溶剂倒入包含量子点的反应溶液中以去除额外量的(例如，剩余量的)没有与半导体纳米晶体的表面配位的有机物质并离心分离所得到的混合物而收回。非溶剂的示例可以包括丙酮、乙醇、甲醇等，但不限于此。
所收回的量子点包括在其表面上的有机物质(例如有机配体)，并且与半导体纳米晶体的表面配位(例如，结合)的有机物质的量可以大于或等于约20重量％且小于或等于约35重量％，相对于量子点的总重量。上述量的有机物质的存在可以改善量子点的分散性。然而，前述量的有机物质会用作阻止电子和空穴注入的阻挡物，导致发光效率的显著降低。
一实施方式的发光膜包括多个量子点，其构成发光膜的表面的至少一部分。发光膜的表面的所述至少一部分包括金属卤化物，其链接(例如结合)到所述多个量子点(例如其表面)。金属卤化物可以结合，例如相对牢固地结合到发光膜的表面的量子点，从而可以钝化量子点而不是(例如代替)存在于量子点的表面上的有机配体(例如油酸)。不希望受任何理论的束缚，认为在一实施方式的发光膜中，暴露在膜的表面上的量子点包括结合(例如，相对牢固地结合)到量子点的表面而不是有机配体的至少一部分的金属卤化物。代替有机配体用作绝缘体，金属卤化物可以给量子点发光膜提供改善的钝化(passivation)，并且还可以增强向发光膜的电荷注入。金属卤化物还可以降低器件的操作电压。
金属卤化物可以以卤化物、溴化物、碘化物、氟化物或其组合的形式包括锌、铟、镓、镁、锂或其组合。包含在金属卤化物中的金属可以与包含在量子点的最外层中的金属相同。在一实施方式中，量子点的最外层可以包括锌，金属卤化物可以包括卤化锌。在一实施方式中，金属卤化物可以包括氯化锌、溴化锌、碘化锌、氯化铟、溴化铟、碘化铟、氯化镓、溴化镓、碘化镓、氯化镁、溴化镁、碘化镁、氯化锂、溴化锂、碘化锂或其组合。
发光膜的厚度可以大于或等于约5nm，例如大于或等于约6nm、大于或等于约7nm、大于或等于约8nm、大于或等于约9nm、大于或等于约10nm、大于或等于约11nm、大于或等于约12nm、大于或等于约13nm、大于或等于约14nm、大于或等于约15nm、大于或等于约16nm、大于或等于约17nm、大于或等于约18nm、大于或等于约19nm、大于或等于约20nm、大于或等于约25nm、大于或等于约30nm、或大于或等于约35nm。发光膜可以包括至少两个(例如至少三个、至少四个或更多个)单层的量子点。发光膜的厚度可以小于或等于约100nm(例如90nm)、小于或等于约80nm、小于或等于约70nm、小于或等于约60nm、小于或等于约50nm、或小于或等于约40nm。一实施方式的发光层可以具有改善的电荷注入性质，并且发光层的厚度可以相对地增大。
发光膜的表面的至少一部分(或全部)不包括有机硫醇化合物(例如链接或结合到所述多个量子点的有机硫醇化合物)。有机硫醇化合物可以包括单硫醇化合物、顺式二硫醇化合物或其组合。
所述多个量子点还可以在其表面上包含羧酸化合物。羧酸化合物可以是自然有机配体，其最初存在于量子点的表面上。羧酸化合物可以包括C6或更大(例如C8或更大、C12或更大、C15或更大、C16或更大、或C18或更大)和C30或更小的脂肪族羧酸。量子点可以包括从由RCOOH表示的化合物(其中R是C12或更大的烷基、或C12或更大的烯基)获得的有限量(例如，相对小量)的配体。
在一实施方式中，当通过相对于发光膜的X射线光电子光谱分析测量时，碳相对于包含在量子点的最外层中的金属(例如锌)的摩尔量比可以小于或等于约1.6：1，例如小于或等于约1.5：1、小于或等于约1.4：1、小于或等于约1.3：1、或小于或等于约1.2：1。碳相对于包含在量子点的最外层中的金属(例如锌)的摩尔量比可以大于或等于约0.5：1、大于或等于约0.6：1、大于或等于约0.7：1、大于或等于约0.8：1、或大于或等于约0.9：1。
发光膜可以设置在基板上。发光膜可以与基板接触。基板还可以包括空穴辅助层(例如空穴注入层、空穴传输层或其组合)。基板可以是半透明或透明基板。
在一实施方式中，发光膜的制备方法包括：
设置包括多个量子点的膜(在下文，量子点膜)，使得所述多个量子点构成所述膜的表面的至少一部分；以及
在极性(有机)溶剂中用包含金属卤化物的溶液处理所述膜，以将金属卤化物链接(例如结合)到所述多个量子点中的至少一个量子点。
量子点、金属卤化物和基板的细节与以上阐述的相同。
在用溶液处理之前，所述多个量子点可以包括自然配体。自然配体可以包括上述羧酸化合物。
将量子点膜设置在基板上的方式没有特别限制，而是可以被适当地选择。设置膜的方式可以包括旋涂、接触印刷或其组合。将所述膜设置在基板上的具体方式可以被适当地选择。该方法还可以包括用不包括金属卤化物的极性溶剂清洗被处理过的膜至少一次。在清洗过程中，可以去除没有链接(例如结合)到量子点的金属卤化物。设置的(和可选地，被清洗的)量子点膜可以在大于或等于约50℃(例如大于或等于约60℃(或大于或等于约70℃、大于或等于约75℃、或更高)且小于或等于约150℃，小于或等于约120℃，或小于或等于约100℃)的温度被热处理大于或等于约一分钟、2分钟或更长、3分钟或更长、4分钟或更长、5分钟或更长、10分钟或更长、15分钟或更长、20分钟或更长且小于或等于约一小时的时间。
极性溶剂可以包括具有C1至C10的直链或支链烃基或其组合的醇。在一实施方式中，极性溶剂可以包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇或其组合。
处理可以包括使溶液与所述膜接触。接触可以包括喷射、浸渍或其组合，但不限于此。
在一实施方式中，发光器件包括上述发光膜。在发光器件中，发光膜可以设置在彼此面对的两个电极(例如，第一电极和第二电极或者阳极和阴极)之间。
在一实施方式中，阳极和阴极(例如设置在透明基板上)中的至少一个可以包括金属氧化物透明电极(例如ITO电极)。阳极和阴极(例如设置在透明基板上)中的至少一个可以包括具有预定(例如，相对低的)功函数的金属(Mg、Al等)。例如，聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)、p型金属氧化物、聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)-二苯胺)(TFB)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、或其组合可以设置在透明电极和发光层之间分别作为空穴注入层、空穴传输层HTL、或其组合。电子辅助层(例如电子传输层)可以设置在发光膜和阴极之间(见图2)。
根据一实施方式的器件可以具有倒置结构。这里，设置在透明基板上的阴极可以包括金属氧化物透明电极(例如ITO、氟掺杂的锡氧化物(FTO))，并且面对阴极的阳极可以包括预定(例如相对高)的功函数的金属(Au、Ag等)。例如，n型金属氧化物(ZnO)可以设置在透明电极和发光层之间作为电子辅助层(例如电子传输层)。MoO3或另一种p型金属氧化物可以设置在金属阳极和量子点发光层之间作为空穴辅助层(例如空穴注入层)。TFB、PVK、或其组合可以设置在透明电极和发光层之间作为空穴传输层(HTL)。(见图3)。
在下文，将参照图4和图5提供关于一实施方式的发光器件和包括该发光器件的显示装置的说明。图4是根据一示范性实施方式的发光器件的剖视图，图5是根据一实施方式的显示装置的剖视图。
尽管图5所示的显示装置的结构包括驱动薄膜晶体管和发光器件，但是显示装置的结构还可以包括开关薄膜晶体管、信号线等。
参照图4，根据一实施方式的发光器件可以具有其中第一电极160、空穴辅助层172、发光层173、电子辅助(例如传输)层174和第二电极180顺序堆叠的结构。将在下面描述的图5的发光元件层170包括空穴辅助层172、发光层173和电子传输层174。
当第一电极160是阳极时，第一电极160可以包括具有相对高的功函数的用于相对容易空穴注入的材料。
根据一实施方式的第一电极160是透明电极，并可以由导电氧化物(诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铜铟氧化物(CIO)、铜锌氧化物(CZO)、镓锌氧化物(GZO)、铝锌氧化物(AZO)、锡氧化物(SnO2)、锌氧化物(ZnO)或其组合)；金属(诸如钙(Ca)、镱(Yb)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或其组合)；导电碳诸如石墨烯或碳纳米管；导电聚合物诸如PEDOT：PSS或其组合；或者所述导电氧化物、所述金属、所述导电碳和所述导电聚合物中的至少两种的组合例如以小的厚度形成。
第一电极160不限于此，而可以具有其中存在两个或更多层的结构。
空穴辅助层172可以设置在第一电极160和发光层173之间。在这种情况下，空穴辅助层172可以是促进空穴从第一电极160注入到发光层173的空穴注入层、促进空穴的传输的空穴传输层、或其组合。
此外，空穴辅助层172可以包括阻挡电子的运动的电子阻挡层。
空穴注入层、空穴传输层、或其组合可以包括例如聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)、聚(9,9-二辛基-芴-co-N-(4-丁基苯基)-二苯胺)(TFB)、聚芳胺、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(TPD)、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、m-MTDATA(4,4',4"-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺)、4,4',4"-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷](TAPC)或其组合，但不限于此。
空穴阻挡层可以包括例如1,4,5,8-萘-四羧酸二酐(NTCDA)、浴铜灵(BCP)、三[3-(3-吡啶基)-均三甲苯基]硼烷(3TPYMB)、LiF、Alq3、Gaq3、Inq3、Znq2、Zn(BTZ)2、BeBq2或其组合中的至少一种，但不限于此。
在图4中，空穴辅助层172形成为单层，但是不限于此，而可以包括包含至少两个堆叠层的多个层。
不希望受任何理论的束缚，认为，一实施方式的发光膜被用作一实施方式的器件中的发光层(173)以改善空穴注入，从而提供电子和空穴之间在复合时的改善的平衡，因此，一实施方式的发光器件100可以表现出增强的稳定性和发光特性。
发光层173可以设置在空穴辅助层172上。发光层173包括前述实施方式的量子点。例如，发光层173可以表现基本颜色诸如蓝色、绿色或红色、或其组合颜色。发光层可以通过以下形成：制备包含分散在溶剂中的量子点的分散体；经由旋涂、喷墨涂布、喷涂、或其组合施加分散体；和将其干燥。发光层可以具有大于或等于约5nm的厚度，例如从约10nm至约100nm，例如从约10nm至约50nm或约15nm至约30nm。
电子辅助层174可以设置在发光层173上。电子辅助层174可以设置在发光层173和第二电极180之间。电子辅助层174可以是促进电子从第二电极注入到发光层173的电子注入层、促进电子的传输的电子传输层、或其组合。
电子辅助层174可以包括阻挡空穴的空穴阻挡层。
电子传输层、电子注入层、或其组合可以包括例如1,4,5,8-萘-四羧酸二酐(NTCDA)、浴铜灵(BCP)、三[3-(3-吡啶基)-均三甲苯基]硼烷(3TPYMB)、LiF、Alq3、Gaq3、Inq3、Znq2、Zn(BTZ)2、BeBq2或其组合中的至少一种，但不限于此。
在图4中，电子辅助层174形成为单层，但是不限于此，而可以包括包含至少两个堆叠层的多个层。
第二电极180设置在电子辅助层174上。在一实施方式的发光器件中，第一电极160可以是阳极，第二电极180可以是阴极，但是不限于此。第一电极160可以是阴极，第二电极180可以是阳极。
第二电极180可以是透明电极。第二电极180可以由导电氧化物(诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铜铟氧化物(CIO)、铜锌氧化物(CZO)、镓锌氧化物(GZO)、铝锌氧化物(AZO)、锡氧化物(SnO2)、锌氧化物(ZnO)、或其组合)、金属(诸如钙(Ca)、镱(Yb)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、或其组合)、导电碳诸如石墨烯或碳纳米管、导电聚合物诸如PEDOT：PSS、或其组合以相对小的厚度形成。
在下文，在一实施方式中，将参照图5描述包括前述发光器件的显示装置。
参照图5，缓冲层126可以设置在基板123上。缓冲层126可以防止杂质的渗透，并可以使基板123的表面变平。
半导体层137可以设置在缓冲层126上。半导体层137可以由多晶硅形成。
半导体层137可以包括沟道区135、源极区134和漏极区136，沟道区135没有掺杂杂质。源极区134和漏极区136设置在沟道区135的相反两侧，并且源极区134和漏极区136中的每个可以被分别掺杂。这里，掺杂的离子杂质可以随薄膜晶体管的类型而变化。
栅极绝缘层127可以设置在半导体层137上，并且包括栅电极133的栅极线可以设置在栅极绝缘层127上。在这种情况下，栅电极133可以设置为与半导体层137的至少一部分(具体地，沟道区135)重叠。
层间绝缘层128可以设置在栅极绝缘层127和栅电极133上。与半导体层137的源极区134和漏极区136重叠的第一接触孔122a和第二接触孔122b可以设置在栅极绝缘层127和层间绝缘层128中。
包括源电极131和漏电极132的数据线可以设置在层间绝缘层128上。
源电极131和漏电极132通过分别设置在层间绝缘层128和栅极绝缘层127中的第一接触孔122a和第二接触孔122b而分别与半导体层137的源极区134和漏极区136电连接。
上述半导体层137、栅电极133、源电极131和漏电极132可以构成薄膜晶体管130，但是薄膜晶体管130的配置不限于上述示例，而可以被本领域技术人员各种各样地修改。
接下来，平坦化层124可以设置在层间绝缘层128和数据线上。平坦化层124可以去除、平坦化、或其组合台阶，例如层间绝缘层128与包括在数据线中的源电极131、漏电极132或其组合之间的高度差，以便提高将提供在其上的发光元件的发射效率。
平坦化层124可以具有与漏电极132重叠的第三接触孔122c。
一实施方式不限于上述结构，在一些情况下，可以省略平坦化层124和层间绝缘层128中的一个。
接下来，包括在发光器件100中的第一电极160可以提供在平坦化层124上。第一电极160可以是像素电极。第一电极160可以通过平坦化层124的第三接触孔122c而与漏电极132连接。
具有与第一电极160重叠的开口的像素限定层125可以提供在平坦化层124上。可以关于包括在像素限定层125中的每个开口提供发光元件层170。也就是，可以限定像素区域，其中每个发光元件层170通过像素限定层125形成。
发光元件层170可以设置在第一电极160上。如参照图4所述，发光元件层170可以包括空穴辅助层172、发光层173和电子辅助层174，发光元件层170的配置可以与以上描述的相同，下面将省略其描述。
第二电极180可以设置在发光元件层170上。第二电极180可以是公共电极。第一电极160、发光元件层170和第二电极180可以构成发光器件100。
第一电极160和第二电极180可以由透明导电材料或透反或反射导电材料制成。根据形成第一电极160和第二电极180的材料的类型，显示装置200可以是顶部发射型、底部发射型或双侧发射型。
保护第二电极180的外涂层190可以设置在第二电极180上。
薄膜封装层121可以设置在外涂层190上。薄膜封装层121可以封装并保护设置在基板123上的发光器件和电路部分(未示出)免受外部环境影响。
薄膜封装层121可以包括交替层叠的有机封装层121a和121c以及无机封装层121b和121d。在图2中，例如，示出了其中两个有机封装层121a和121c以及两个无机封装层121b和121d交替层叠以配置薄膜封装层121的情况，但是不限于此，薄膜封装层121的结构可以根据需要进行各种修改。
在下文，参照示例更详细地说明实施方式。然而，本公开不限于此。示例
分析方法
1光致发光分析
使用日立F-7000光谱仪进行照射光为458纳米(nm)(对于红色量子点(QD)为532nm)的光致发光光谱分析。获得量子点的光致发光光谱。
2时间分辨光谱分析
时间分辨光谱分析通过使用由Picoquant制造的荧光寿命谱仪进行。
3傅里叶变换红外(FT-IR)光谱分析
使用Vertex70-Hyperion3000进行FT-IR分析。
4电致发光分析
通过使用由吉时利(Keithley)有限公司制造的电流-电压(IV)测试仪2635B和Konica Minolta有限公司的CS-2000A获得电致发光光谱。
5 X射线光电子能谱(XPS)分析
使用由Physical Electronics公司制造的Quantum 2000在加速电压：0.5-15千电子伏(keV)、300瓦(W)和最小分析区域：200×200平方微米(μm2)的条件下进行XPS元素分析。
量子点的制备
参考示例1：
1基于ZnTeSe的芯的制备
制备在三辛基膦(TOP)中含有硒的2摩尔(M)Se/TOP原液和在TOP中含有碲的2MTe/TOP原液。在400毫升(mL)反应烧瓶中，制备包含0.125毫摩尔(mmol)乙酸锌和0.25mmol棕榈酸的三辛胺溶液，然后在120℃在真空下加热。一小时之后，用氮气替换反应器中的气氛。
在300℃加热之后，快速注入所制备的Se/TOP原液和所制备的Te/TOP原液，反应进行1小时。在反应之后，然后将所得溶液冷却至室温，向其中加入丙酮使其沉淀，然后通过离心分离并分散在甲苯中。
2ZnTeSe芯/ZnSeS壳的制备
将0.9mmol乙酸锌、1.8mmol油酸(OA)和10mL三辛胺放入烧瓶中，在120℃经受真空状态10分钟，然后在烧瓶中的气氛用N2更换之后被加热至280℃。然后，快速注入上面制备的ZnTeSe芯的甲苯分散夜(OD＝第一激子吸收的光密度，OD＝0.45)，然后向烧瓶中加入0.6mmol Se/TOP和0.2mmol S/TOP，然后反应进行120分钟。在反应完成之后，将反应溶液快速冷却至室温，加入乙醇使其沉淀，然后离心得到量子点，将量子点再分散于甲苯或氯仿中。所制备的ZnSe/ZnSeS量子点具有约450nm的PL峰值波长和约60％的量子产额。
发光膜的制备
比较示例1：
将参考示例1中得到的0.2ml蓝色量子点(BQD)分散液旋涂在基板上。将得到的膜在80℃的温度热处理30分钟以获得发光膜。
示例1-1
将氯化锌的乙醇溶液(浓度：10毫克每毫升(mg/mL))滴加在以与比较示例1相同的方式获得的膜上，并且反应进行1分钟以获得ZnCl2处理过的膜。将ZnCl2处理过的膜用乙醇清洗五次。将清洗过的膜在80℃的温度热处理30分钟以获得发光膜。
示例1-2
除了使用氯化锌的乙醇(EtOH)溶液(浓度：100mg/mL)之外，以与示例1-1相同的方式获得发光膜。
实验示例1：红外光谱分析
对在比较示例1、示例1-1和示例1-2中获得的发光膜的每个进行红外(IR)光谱分析，结果在图6和表1中示出。
表1
Figure BDA0002038216230000181
图6和表1的结果证明示例1-1和示例1-2的发光膜表现出分配给油酸的峰的强度显著降低(C-H振动在2922cm-1和2852cm-1，COO-振动在1545cm-1和1403cm-1)。
实验示例2：XPS分析
对比较示例1、示例1-1和示例1-2中得到的发光膜的每个分别进行XPS分析，结果在表2中示出。
表2
Figure BDA0002038216230000191
表2的结果证明在示例1-1和示例1-2的发光膜中检测到氯。在示例1-1和示例1-2的发光膜中，碳相对于锌的摩尔比显著降低。与比较示例1的发光膜相比，在示例1-1和示例1-2的发光膜中不发生量子点的显著氧化。
实验示例3：发光膜的光致发光(PL)特征和时间分辨PL特征
对比较示例1、示例1-1和示例1-2中得到的发光膜的每个分别进行光致发光(PL)分析和时间分辨PL分析，一些结果在表3和图7中示出。
表3的结果证明，与比较示例1的发光膜相比，示例1-1和示例1-2的发光膜可以具有增强的光致发光性质。
表3
发光膜的PL峰值波长(nm) 发光膜的量子产额(QY)(％)
比较示例1 458 60
示例1-1 459 76
示例1-2 459 82
图7的结果证明，示例1-1和示例1-2的发光膜表现出增大的衰变常数，其表明氯化锌引起的陷阱钝化(trap passivation)。
电致发光器件的制备
比较示例2：
将铟锡氧化物(ITO)电极(阴极)气相沉积在基板上，并且聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)层和聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)-二苯胺)(TFB)层(或聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)层)分别经由湿化学工艺在其上形成为空穴注入层和空穴传输层。
在空穴传输层上，以与比较示例1相同的方式形成具有15nm的厚度的发光膜。
在发光膜上，经由气相沉积形成ET204(8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹诺酮)：Liq(8-羟基喹啉)层和Liq层。银(Ag)电极被气相沉积在电子辅助层上。
示例2：
将ITO电极(阴极)气相沉积在基板上，并且PEDOT：PSS层和TFB层(或PVK层)分别经由湿化学工艺在其上形成为空穴注入层和空穴传输层。
在空穴传输层上，以与示例1-2相同的方式形成具有15nm的厚度的发光膜。
在发光膜上，经由气相沉积形成ET204：Liq层和Liq层。银(Ag)电极被气相沉积在电子辅助层上。
示例3：
将ITO电极(阴极)气相沉积在基板上，并且PEDOT：PSS层和TFB层(或PVK层)分别经由湿化学工艺在其上形成为空穴注入层和空穴传输层。
在空穴传输层上，除了使用乙醇和甲醇(MeOH)的混合物作为氯化锌的溶剂之外，以与示例1-2相同的方式形成具有15nm的厚度的发光膜。
在发光膜上，经由气相沉积形成ET204:Liq层和Liq层。银(Ag)电极被气相沉积在电子辅助层上。
示例4：
将ITO电极(阴极)气相沉积在基板上，并且PEDOT：PSS层和TFB层(或PVK层)分别经由湿化学工艺在其上形成为空穴注入层和空穴传输层。
在空穴传输层上，除了使用异丙醇(IPA)作为氯化锌的溶剂之外，以与示例1-2相同的方式形成具有15nm的厚度的发光膜。
在发光膜上，经由气相沉积形成ET204:Liq层和Liq层。银(Ag)电极被气相沉积在电子辅助层上。
比较示例3：
将ITO电极(阴极)气相沉积在基板上，并且PEDOT：PSS层和TFB层(或PVK层)分别经由湿化学工艺在其上形成为空穴注入层和空穴传输层。
在空穴传输层上，除了使用四丁基氯化铵(TBACl)的乙醇溶液代替氯化锌之外，以与示例1-2相同的方式形成具有15nm的厚度的发光膜。
在发光膜上，经由气相沉积形成ET204:Liq层和Liq层。银(Ag)电极被气相沉积在电子辅助层上。
实验示例4：评估器件的电致发光性能和寿命
对实施方式2至4和比较示例2至3的发光器件的每个施加0至7伏(V)的电压，以测量器件的最大亮度。结果在表4中示出。
对于实施方式2至4和比较示例2至3的发光器件，在恒定的操作电流密度测量亮度随时间的变化，并获得半衰期(T50)。T50是亮度相对于初始亮度减半的时间。结果在表4和图8中示出。
表4
Figure BDA0002038216230000211
表4和图8的结果证明，与比较示例相比，示例的器件表现出更高的亮度和改善的寿命。
尽管已经结合目前被认为是实用的示范性实施方式描述了本公开，但是将理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖在所附的权利要求的精神和范围内包括的各种修改和等同布置。
附图标记的描述
100：发光器件 123：基板
200：显示装置 130：薄膜晶体管
160：第一电极 172：空穴辅助层
173：发光层 174：电子辅助层
180：第二电极
本申请要求于2018年4月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0047488号的优先权和权益以及由其获得的所有权益，其内容通过引用整体地结合于此。

Claims (19)

1.一种包含多个量子点的发光膜，
其中所述多个量子点构成所述发光膜的表面的至少一部分，
其中所述多个量子点不包含镉和铅，
其中所述发光膜的表面的所述至少一部分包括结合到所述多个量子点中的至少一个量子点的金属卤化物，以及
其中所述多个量子点中的所述至少一个量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并包含第二半导体纳米晶体的壳，其中所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成。
2.如权利要求1所述的发光膜，其中所述第一半导体纳米晶体和所述第二半导体纳米晶体独立地为II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合。
3.如权利要求1所述的发光膜，其中所述多个量子点中的所述至少一个量子点包括铟、锌或其组合。
4.如权利要求1所述的发光膜，其中所述多个量子点中的所述至少一个量子点包括InP、InZnP、ZnSe、ZnSeTe或其组合。
5.如权利要求1所述的发光膜，其中所述多个量子点中的所述至少一个量子点的最外层包含锌和硫。
6.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光膜的所述表面的所述至少一部分不包含有机硫醇化合物。
7.如权利要求1所述的发光膜，其中所述多个量子点在其表面包含羧酸化合物。
8.如权利要求7所述的发光膜，其中所述羧酸化合物包括C6至C30羧酸化合物。
9.如权利要求1所述的发光膜，其中所述金属卤化物包括锌、铟、镁、锂或其组合。
10.如权利要求1所述的发光膜，其中所述金属卤化物包括氯化锌、溴化锌、碘化锌、氯化铟、溴化铟、碘化铟、氯化镓、溴化镓、碘化镓、氯化镁、溴化镁、碘化镁、氯化锂、溴化锂、碘化锂或其组合。
11.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光膜的厚度大于或等于15 纳米。
12.如权利要求1所述的发光膜，其中：
所述多个量子点包括ZnTeSe、ZnSeS或其组合；以及
所述金属卤化物包括卤化锌。
13.一种制造权利要求1至12中的任一项所述的发光膜的方法，包括：
在基板上设置包括多个量子点的膜；以及
在极性溶剂中用包含金属卤化物的溶液处理所述膜，以使所述金属卤化物结合到所述多个量子点中的至少一个量子点。
14.如权利要求13所述的方法，还包括
用不含金属卤化物的极性溶剂清洗被处理的膜，以及
将被清洗的膜加热至大于或等于60℃的温度。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述极性溶剂包括C1至C10醇。
16.一种发光器件，包括：
彼此面对的第一电极和第二电极，和
权利要求1至12中的任一项所述的发光膜，设置在所述第一电极和所述第二电极之间。
17.如权利要求16所述的发光器件，还包括在所述第一电极和所述发光膜 之间的空穴辅助层，所述空穴辅助层包含空穴注入层、空穴传输层或其组合。
18.如权利要求16所述的发光器件，还包括在所述第二电极和所述发光膜 之间的电子辅助层，所述电子辅助层包括电子注入层、电子传输层或其组合。
19.一种显示装置，包括权利要求18所述的发光器件。
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