KR20210041373A - 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 259
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 58
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 44
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 39
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- -1 polyphenylenevinylene Polymers 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 claims description 15
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 14
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 13
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 6
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 5
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 4
- UPSWHSOSMRAWEH-UHFFFAOYSA-N 2-n,3-n,4-n-tris(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n,3-n,4-n-pentakis-phenylbenzene-1,2,3,4-tetramine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=C(N(C=3C=CC=CC=3)C=3C=C(C)C=CC=3)C(N(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 UPSWHSOSMRAWEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 claims description 4
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 claims description 4
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 claims description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 4
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical class C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical class O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical class C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 354
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 34
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 21
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 8
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N squalane Chemical compound CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007944 thiolates Chemical class 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L zinc bromide Chemical compound Br[Zn]Br VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 2
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L zinc iodide Chemical compound I[Zn]I UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMSOEGBYNWXXBG-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalen-2-ol Chemical compound C1=CC=CC2=C(Cl)C(O)=CC=C21 RMSOEGBYNWXXBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZSJBLXYNYSKPJ-UHFFFAOYSA-N 9-octyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 LZSJBLXYNYSKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical group CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SRVXDMYFQIODQI-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) bromide Chemical compound Br[Ga](Br)Br SRVXDMYFQIODQI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) iodide Chemical compound I[Ga](I)I DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DEQLTFPCJRGSHW-UHFFFAOYSA-N hexadecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 DEQLTFPCJRGSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 1
- 229940038384 octadecane Drugs 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940032094 squalane Drugs 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- JZALLXAUNPOCEU-UHFFFAOYSA-N tetradecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 JZALLXAUNPOCEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K tribromoindigane Chemical compound Br[In](Br)Br JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical group CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical group CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229940102001 zinc bromide Drugs 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H01L51/5072—
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Abstract
전계 발광 소자, 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 전계 발광 소자는 대향하는 제1 전극 및 제2 전극; 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치한 정공 수송층, 정공 수송층과 제2 전극 사이에 위치하고 제1 양자점을 포함하는 제1 발광층 및 제1 발광층과 제2 전극 사이에 위치하고 제2 양자점을 포함하는 제2 발광층을 포함하는 발광층, 그리고 발광층과 제2 전극 사이에 위치하는 전자 수송층을 포함하고, 제1 발광층 및 제2 발광층 각각은 동일한 파장영역에 속하는 광을 발광하며, 제1 양자점 및 제2 양자점 각각은 코어-쉘 구조를 가지되, 제1 양자점과 제2 양자점은 쉘 개수 및 쉘 두께 중 적어도 하나가 서로 다르다.
Description
전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
양자점은 약 수 나노미터 내지 수십 나노미터의 직경을 갖는 반도체 물질의 나노결정으로서 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 양자점은 통상의 형광체보다 강한 빛을 좁은 파장대에서 발생시킨다. 양자점의 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되는데 같은 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달라지는 특성을 나타낸다. 양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하기 때문에 크기를 조절하여 원하는 파장 영역의 빛을 얻을 수 있다.
즉, 양자점을 포함하는 발광층과, 이를 적용한 각종 전자 소자는 일반적으로 인광 및/또는 형광 물질을 포함하는 발광층을 사용하는 유기 발광 소자 대비 제조 비용이 낮고, 다른 색의 빛을 방출시키기 위해 발광층에 다른 유기 물질을 사용할 필요 없이 양자점의 크기를 달리함으로써 원하는 색을 방출시킬 수 있다.
양자점을 포함하는 발광층의 발광 효율은 양자점의 양자 효율, 전하 캐리어 밸런스, 광 추출 효율, 등에 의해 결정된다. 특히 양자 효율 향상을 위해서는 위해 엑시톤(exciton)들을 발광층에 구속(confinement)시켜야 하며, 다양한 요인들에 의해 발광층 내부에 엑시톤들이 구속되지 않을 경우 엑시톤 소광(exciton quenching) 등의 문제가 발생할 수 있다.
수명 및/또는 발광 효율이 향상된 전계 발광 소자와, 이를 포함하는 표시 장치를 제공하고자 한다.
일 구현예에 따르면, 대향하는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치한 정공 수송층; 상기 정공 수송층과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 제1 양자점을 포함하는 제1 발광층, 및 상기 제1 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 제2 양자점을 포함하는 제2 발광층을 포함하는 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 전자 수송층을 포함하고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각은 제1광을 발광하며, 상기 제1 양자점 및 상기 제2 양자점 각각은 코어-쉘 구조를 가지되, 상기 제1 양자점과 상기 제2 양자점은 쉘 개수 및 쉘 두께 중 적어도 하나가 서로 다른 전계 발광 소자가 제공된다.
상기 코어는 제1 반도체 나노결정을 포함하고, 상기 쉘은 상기 제1 반도체 나노결정과 다른 조성을 가지는 제2 반도체 나노결정을 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체 나노결정 및 상기 제2 반도체 나노결정은, 각각 독립적으로, Cd을 포함하지 않는 II족-VI족 화합물, III족-V족 화합물, IV족- VI족 화합물, IV족 원소 또는 화합물, I족-III족-VI족 화합물, Cd을 포함하지 않는 I족-II족-IV족-VI족 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제1 양자점의 쉘 개수는 상기 제2 양자점의 쉘 개수보다 적을 수 있다.
상기 제1 양자점은 코어-단일 쉘 구조를 가지고, 상기 제2 양자점은 코어-다중 쉘 구조를 포함할 수 있다.
상기 제1 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 및 단위면적 당 전자 수송 능력 각각은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 및 단위면적 당 전자 수송 능력 이상일 수 있다.
상기 제1 양자점의 쉘 두께는 상기 제2 양자점의 쉘 두께보다 클 수 있다.
상기 제1 양자점의 쉘 두께는 1 nm 내지 15 nm이고, 상기 제2 양자점의 쉘 두께는 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 제1 양자점 및 상기 제2 양자점 각각은 코어-다중 쉘 구조를 가지고, 상기 제1 양자점의 최외각 쉘의 두께는 상기 제2 양자점의 최외각 쉘의 두께보다 클 수 있다.
상기 제1 양자점은 상기 제2 양자점보다 낮은 전자 수송성을 가질 수 있다.
상기 제1 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 이상이고, 상기 제1 양자점의 단위면적 당 전자 수송 능력은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 전자 수송 능력 이하일 수 있다.
상기 제1광은 380 nm 내지 489 nm 의 제1 파장영역, 490 nm 내지 510 nm 의 제2 파장영역, 511 nm 내지 581 nm 의 제3 파장영역, 582 nm 내지 610 nm 의 제4 파장영역, 611 nm 내지 680 nm 의 제5 파장영역 중 어느 하나에 속할 수 있다.
상기 제1 양자점 및 상기 제2 양자점 각각의 표면에는 금속 할라이드로부터 유래한 화합물, 카르복시산으로부터 유래한 화합물, 티올로부터 유래한 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 리간드가 부착되어 있을 수 있다.
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각은 5 nm 내지 30 nm 의 평균 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 발광층의 평균 두께는 상기 제2 발광층의 평균 두께 이상일 수 있다.
상기 정공 수송층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 유도체, 폴리(스티렌술포네이트) 유도체, 폴리-N-비닐카르바졸 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리메타크릴레이트 유도체, 폴리아릴아민 유도체, 폴리아닐린 유도체, 폴리피롤 유도체, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌) 유도체, 폴리(스파이로-비플루오렌) 유도체, 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민 (TCTA), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N-N'-디페닐-벤지딘 (NPB), 트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민 (m-MTDATA), 디피라지노 [2,3-f :2',3'-h]퀴녹살린-2,3,6,7,10,11-헥사카보니트릴 (HAT-CN), poly-TPD, NiO, MoO3, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층은 무기물 나노입자, 퀴놀론계 화합물, 트리아진계 화합물, 퀴놀린계 화합물, 트리아졸계 화합물, 나프탈렌계 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층은 무기물 나노입자로 이루어진 집합층을 포함할 수 있다.
상기 전계 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층을 더 포함할 수 있다.
한편, 다른 구현예에 따르면 전술한 전계 발광 소자를 포함하는 표시 장치가 제공된다.
수명 및/또는 발광 효율이 향상된 전계 발광 소자와, 이를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이고,
도 2 및 도 3은 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자의 제1 양자점(도 2)과 제2 양자점(도 3)을 각각 나타낸 단면도이고,
도 4 및 도 5는 제2 구현예에 따른 전계 발광 소자의 제1 양자점(도 4)과 제2 양자점(도 5)을 각각 나타낸 단면도이고,
도 6은 검증예 1 내지 2에 따른 HOD (Hole Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 7은 검증예 3 내지 4에 따른 EOD (Electron Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 8은 검증예 5 내지 6에 따른 HOD (Hole Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 9는 검증예 7 내지 8에 따른 EOD (Electron Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 10은 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 11은 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 시간-휘도 그래프이고,
도 12는 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 시간-전압 그래프이고,
도 13은 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 전압-휘도 그래프이고,
도 14는 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 휘도-외부양자효율(EQE) 그래프이고,
도 15는 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 시간-휘도 그래프이고,
도 16은 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 시간-전압 그래프이다.
도 2 및 도 3은 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자의 제1 양자점(도 2)과 제2 양자점(도 3)을 각각 나타낸 단면도이고,
도 4 및 도 5는 제2 구현예에 따른 전계 발광 소자의 제1 양자점(도 4)과 제2 양자점(도 5)을 각각 나타낸 단면도이고,
도 6은 검증예 1 내지 2에 따른 HOD (Hole Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 7은 검증예 3 내지 4에 따른 EOD (Electron Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 8은 검증예 5 내지 6에 따른 HOD (Hole Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 9는 검증예 7 내지 8에 따른 EOD (Electron Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 10은 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 전압-전류밀도 그래프이고,
도 11은 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 시간-휘도 그래프이고,
도 12는 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 시간-전압 그래프이고,
도 13은 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 전압-휘도 그래프이고,
도 14는 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 휘도-외부양자효율(EQE) 그래프이고,
도 15는 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 시간-휘도 그래프이고,
도 16은 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 시간-전압 그래프이다.
이하, 실시예에 대하여 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
본 명세서에서 "두께"는 별도의 정의가 없는 한 "평균 두께"를 의미한다. "평균 두께"란 주사 전자 현미경 이미지 (Scanning Electron Microscope Image)로부터 얻을 수 있는 측정 대상물 (예를 들어 레이어 등)의 두께를 무작위로 수 회 내지 수십 회에 걸쳐 측정한 후 산술 평균한 값을 의미한다.
본 명세서에서 입자의 평균 입경에 관해서는, 계측법에 의해 수치화하여 집단의 평균 크기를 표현하는 방법이 있지만, 범용적으로 사용되는 것으로 분포의 최대값을 나타내는 모드 직경, 적분 분포 곡선의 중앙값에 상당하는 메디안 직경, 각종 평균 직경(수평균, 길이 평균, 면적 평균, 질량 평균, 체적 평균 등)등이 있다. 본 명세서에서는 특별히 언급하지 않는 한 평균입경이란 수평균 직경이고, D50(분포율이 50% 되는 지점의 입경)을 측정한 것을 의미한다.
본 명세서에서, "족(Group) "은 원소 주기율표의 족을 말한다.
여기서, "II족"은 IIA족 및 IIB 족을 포함할 수 있으며, II족 금속의 예는 Cd, Zn, Hg 및 Mg을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
한편, 본 명세서에서 "Cd를 포함하지 않는 II족 금속" 의 예는 Cd를 제외한 나머지 II족 금속, 예를 들어 Zn, Hg, Mg 등을 들 수 있다.
"III 족"은 IIIA족 및 IIIB 족을 포함할 수 있으며, III족 금속의 예들은 Al, In, Ga, 및 Tl을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
"IV 족"은 IVA족 및 IVB 족을 포함할 수 있으며, IV 족 금속의 예들은 Si, Ge, Sn을 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 본 명세서에서, "금속"이라는 용어는 Si 와 같은 준금속도 포함한다.
"I족"은 IA족 및 IB 족을 포함할 수 있으며, Li, Na, K, Rb, Cs을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
"V족"은 VA 족을 포함하며 질소, 인, 비소, 안티몬, 및 비스무스를 포함하나 이에 제한되지 않는다.
"VI족"은 VIA 족을 포함하며 황, 셀레늄, 텔루리움을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
양자점을 포함하는 전계 발광 소자 (이하, 양자점 전계 발광 소자라 함)는 양자점의 높은 색재현성과 용액 공정의 용이성 등으로 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
그러나, 이러한 양자점 전계 발광 소자는 일반적으로 일정 세기의 전기장 내에서 양자점을 포함한 발광층 내 정공의 흐름이 전자의 흐름 대비 원활하지 않은 편이다. 이에 따라 양자점 전계 발광 소자는 아래와 같은 사항들에 개선이 요구되는 경우가 있다.
예컨대, 발광층을 향해 주입된 전하(전자, 정공)들은 주로 정공 수송층과 발광층의 계면, 또는 상기 계면에 가까운 정공 수송층 및/또는 발광층의 내부에서 재결합되는 양상을 나타낸다. 이 경우, 양자점 전계 발광 소자 내부의 엑시톤은 정공 수송층과 발광층의 계면, 및/또는 상기 계면에 가까운 정공 수송층 및/또는 발광층의 내부의 전도대에 생긴 수많은 에너지 준위들에 의해 트랩(trap)되어 소멸될 우려가 있다.
또는, 상기 주입된 전자와 정공이 발광층이 아닌 비발광층(정공 수송층)에서 재결합되어 엑시톤을 형성할 가능성도 있다. 이 경우, 비발광층에서 형성된 엑시톤은 소자의 발광에 기여하지 못하고 소광되어 버리므로, 양자점 전계 발광 소자의 효율 저하를 야기할 우려가 있다.
또는 주입된 전자와 정공 중, 재결합을 이루지 못한 잉여 전자들이 정공 수송층과 발광층의 계면에 계속 존재함으로써 발광층 및/또는 정공 수송층에 포함된 재료의 열화를 야기할 우려가 있다. 또한 상기 잉여 전자들은 정공 수송층 및/또는 발광층 계면의 표면 결함을 야기할 우려도 있다. 이러한 표면 결함에 의해 엑시톤의 소광이 촉발되는 것은 물론, 정전류 구동에서 소자의 휘도 저하가 가속화 될 우려가 있다.
이에, 본 발명자들은 양자점 전계 발광 소자 내 안정적인 정공-전자 균형을 확보하여 엑시톤을 발광층 내로 구속시킴으로써 소자의 발광 효율 및 수명 특성을 개선하기 위한 방안을 연구하였다.
그 결과, 본 발명자들은 양자점 전계 발광 소자의 발광층을 이중 층으로 구성하는 한편 각 층의 양자점들끼리 서로 구별되는 코어-쉘 구조를 가질 경우, 예컨대 쉘의 개수 및/또는 쉘의 두께를 서로 상이하도록 구성할 경우, 소자 내 안정적인 정공-전자 균형을 확보할 수 있는 것은 물론, 전자와 정공의 재결합 위치를 발광층의 내부로 조정할 수 있어 우수한 발광 효율과 수명 특성을 구현할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이에, 도 1을 참조하여 일 구현예에 따른 전계 발광 소자의 개략적인 구성을 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
일 구현예에 따른 전계 발광 소자(10)는 대향하는 제1 전극(110)과 제2 전극(160), 제1 전극(110)과 제2 전극(160) 사이에 위치한 정공 수송층(130), 제1 전극(110)과 정공 수송층(130) 사이에 위치하되 각 구성요소와의 관계를 고려하여 생략 가능한 정공 주입층(120), 상기 정공 수송층(130)과 제2 전극(160) 사이에 위치한 발광층(140), 및 발광층(140)과 제2 전극(160) 사이에 치한 전자 수송층(150)을 포함한다.
일 구현예에서 상기 발광층(140)은, 정공 수송층(130)과 제2 전극(160) 사이에 위치하고 제1 양자점(141a)을 포함하는 제1 발광층(141), 및 제1 발광층(141)과 제2 전극(160) 사이에 위치하고 제2 양자점(142a)을 포함하는 제2 발광층(142)을 포함할 수 있다.
즉, 전계 발광 소자(10)는 서로 대향하는 제1 전극(110)과 제2 전극(160) 사이에 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142)을 포함하는 발광층(140), 및 전자 수송층(150)이 순차 배치되어 있는 적층형 구조를 가질 수 있다.
일 구현예에서, 제1 전극(110)은 구동 전원과 직접 연결되어 발광층(140)으로 전류를 흘려보내는 역할을 수행할 수 있다. 제1 전극(110)은 적어도 가시광 파장 영역대에 대하여 광 투과성을 갖는 물질일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 적외선 또는 자외선 파장 영역에 대한 광 투과성을 더 갖는 물질일 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(110)은 광학적으로 투명한 물질일 수 있다.
일 구현예에서, 제1 전극(110)은 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 니오븀 산화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물, 니켈 산화물, 구리 산화물, 코발트 산화물, 망간 산화물, 크롬 산화물, 인듐 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
그러나, 일 구현예에 따른 제1 전극(110)이 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 적외선 또는 자외선 파장 영역의 광에 대한 광 투과성을 더 갖는 물질일 수도 있고, 특정 파장 영역대의 광만 선택적으로 투과하는 반투과성을 갖는 물질일 수도 있으며, 가시광 파장 영역대의 광을 반사하여 제2 전극(160) 방향으로 되돌리는 기능을 수행할 수도 있다.
한편, 일 구현예에서 제1 전극(110)은 도 1에 도시된 것과 같이 기판(100)의 위에 배치되어 있을 수 있다. 기판(100)은 투명한 절연 기재일 수 있으며, 연성 물질로 이루어질 수 있다. 기판(100)은 유리, 또는 유리전이점(Tg)이 150 ℃ 보다 큰 필름 형태의 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대, COC(Cyclo Olefin Copolymer) 또는 COP(Cyclo Olefin Polymer) 계열의 소재로 이루어질 수 있다.
일 구현예에서 기판(100)은 제1 전극(110)과 제2 전극(160) 사이에 배치된 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 발광층(140), 및 전자 수송층(150)을 지지하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 일 구현예에 따른 전계 발광 소자(10)의 기판(100)이 제1 전극(110) 아래에 배치되는 것은 아니며, 제2 전극(160)의 위에 배치되거나, 경우에 따라서는 생략될 수도 있다.
제2 전극(160)은 광학적으로 투명한 물질로서, 발광층(140)으로부터 발생한 광이 투과되는 투광 전극의 역할을 할 수 있다. 일 구현예에서, 제2 전극(160)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 및 이들의 합금에서 선택된 적어도 하나를 포함하거나, 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 니오븀 산화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물, 니켈 산화물, 구리 산화물, 코발트 산화물, 망간 산화물, 크롬 산화물, 인듐 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
다만, 일 구현예에 따른 제2 전극(160)이 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 특정 파장 영역대의 광만 선택적으로 투과하는 반투과성을 갖는 물질일 수도 있으며, 가시광 파장 영역대의 광을 반사하여 제1 전극(110) 방향으로 되돌리는 기능을 수행할 수도 있다.
만약 제2 전극(160)이 반사전극의 기능을 수행할 경우, 제1 전극(110)은 적어도 가시광 파장 영역대에 대하여 광 투과성을 갖는 물질로 이루어진 투광 전극이거나, 특정 파장 영역대의 광만 선택적으로 투과하는 반투과성 전극일 수 있다.
한편, 제1 전극(110)과 제2 전극(160) 각각은 기판(100) 또는 유기층 위에 스퍼터링 등의 방법을 이용하여 전극 형성용 물질을 증착함으로써 형성할 수 있다.
한편, 일 구현예에 따른 전계 발광 소자(10)는 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100) 및 각 구성요소들이 전술한 적층 순서로 배치된 일반적인(conventional) 구조를 가질 수 있다.
다만, 일 구현예가 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 전술한 전계 발광 소자(10)의 각 구성요소들 간 적층 순서를 만족하는 범위 내에서 가능한 다양한 구조를 가지고 있을 수 있다. 예컨대 기판(100)이 제1 전극(110)의 아래 배치되지 않고 제2 전극(160) 위에 배치될 경우 전계 발광 소자(10)가 인버티드(inverted) 구조를 가지게 될 수도 있다.
정공 주입층(120)은 제1 전극(110)과 제2 전극(160) 사이, 예를 들어 제1 전극(110)과 후술할 정공 수송층(130) 사이, 예를 들어 제1 전극(110)의 바로 위에 위치할 수 있다. 정공 주입층(120)은 정공 수송층(130)과 함께 발광층(140)으로 정공을 공급하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 정공 주입층(120)은 정공 수송층(130)의 형성 두께, 재료 등을 고려하여 생략될 수도 있다.
한편, 정공 주입층(120)은 p-타입 반도체(p-type semiconductor), 또는 p-타입 반도체로 도핑되어 있는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 정공 주입층(120)의 예시로는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) [Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT] 또는 그 유도체, 폴리(스티렌술포네이트) [poly(styrene sulfonate), PSS] 또는 그 유도체, 폴리-N-비닐카르바졸(poly-N-vinylcarbazole, PVK) 또는 그 유도체, 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 또는 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 (poly p-phenylene vinylene, PPV) 또는 그 유도체, 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate) 또는 그 유도체, 폴리 (9,9-디옥틸플루오렌) [poly(9,9-octylfluorene)] 또는 그 유도체, 폴리(스파이로-비플루오렌) [poly(spiro-bifluorene)] 또는 그 유도체, 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민 (TCTA), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N-N'-디페닐-벤지딘 (NPB), 트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민 (m-MTDATA), 디피라지노 [2,3-f :2’,3’-h]퀴녹살린-2,3,6,7,10,11-헥사카보니트릴 (HAT-CN), poly-TPD, NiO, MoO3 등과 같은 금속 산화물, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송층(130)은 제1 전극(110)과 제2 전극(160) 사이, 예를 들어 제1 전극(110)의 위, 예를 들어 제1 전극(110)과 정공 주입층(120)의 위에 위치할 수 있다. 정공 수송층(130)은 발광층(140)으로 정공을 공급, 수송하는 역할을 수행한다. 정공 수송층(130)은 발광층(140)의 바로 아래, 구체적으로는 제1 발광층(141)의 바로 아래에 형성되어 발광층(140)과 직접 접촉하고 있다.
일 구현예에서, 정공 수송층(130)은 정공 수송성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 정공 수송성을 갖는 물질로는 p-타입 반도체(p-type semiconductor), 또는 p-타입 반도체로 도핑되어 있는 물질 등을 들 수 있다. 정공 수송성을 갖는 물질은 구체적인 재료에 제한되지 않고 고분자, 올리고머, 금속 산화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
정공 수송성을 갖는 물질의 예시로는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 유도체, 폴리(스티렌술포네이트) 유도체, 폴리-N-비닐카르바졸 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리메타크릴레이트 유도체, 폴리아릴아민 유도체, 폴리아닐린 유도체, 폴리피롤 유도체, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌) 유도체, 폴리(스파이로-비플루오렌) 유도체, 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민 (TCTA), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N-N'-디페닐-벤지딘 (NPB), 트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민 (m-MTDATA), 디피라지노 [2,3-f :2',3'-h]퀴녹살린-2,3,6,7,10,11-헥사카보니트릴 (HAT-CN), poly-TPD, NiO, MoO3, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
일 구현예에서, 정공 수송층(130)의 두께는 소자 내 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 및/또는 발광층(140)과의 정공-전자 균형 등을 고려하여 다양하게 변경될 수 있지만, 예를 들어 10 nm 이상, 예를 들어 15 nm 이상, 예를 들어 20 nm 이상일 수 있고, 예를 들어 80 nm 이하, 예를 들어 70 nm 이하, 예를 들어 60 nm 이하, 예를 들어 50 nm 이하일 수 있으며, 예를 들어 10 nm 내지 80 nm, 예를 들어 10 nm 내지 70 nm, 예를 들어 10 nm 내지 60 nm, 예를 들어 10 mm 내지 50 nm, 예를 들어 10 nm 내지 40 nm, 예를 들어 20 nm 내지 40 nm일 수 있다.
예를 들어, 정공 수송층(130)은 스핀 코팅 등의 습식 코팅법에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 정공 수송층(130)과 발광층(140), 구체적으로 정공 수송층(130)과 제1 발광층(141)을 모두 습식 코팅법을 이용하여 형성할 수 있다. 이를 통해, 정공 수송층(130) 및/또는 제1 발광층(141)을 간편한 방법으로 형성할 수 있다.
아울러, 일 구현예에서 정공 수송층(130)과 제1 발광층(141)은 상대적으로 용해도가 다른 물질을 사용할 수 있다. 예컨대, 정공 수송층(130)은 방향족 비극성(aromatic non-polar) 용매에 대한 용해도가 우수한 물질을 사용하여 제조할 수 있고, 제1 발광층(141)은 지방족 비극성(aliphatic non-polar) 용매에 대한 용해도가 우수한 물질을 사용하여 제조할 수 있다. 이에 따라, 용액 공정을 이용하여 정공 수송층(130)과 제1 발광층(141)이 직접 접촉하도록 형성하더라도 정공 수송층(130)과 제1 발광층(141)의 상이한 용해도로 인해 정공 수송층(130)의 표면 손상 없이 제1 발광층(141)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 정공 수송층(130)으로 폴리[(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-코-(4,4’-(N-4-부틸페닐)디페닐아민)] (TFB) 폴리머 막을 성막하는 경우, TFB 전구체 폴리머와 방향족 비극성 용매(예를 들어, 톨루엔, 자일렌 등)가 포함된 전구체 용액을 제1 전극(110) 또는 정공 주입층(120) 위에 스핀 코팅(spin-coating)하고, 예컨대, N2의 비활성 가스 분위기 또는 진공 속에서 150 ℃ 내지 1800 ℃의 온도로 30 분 동안 열처리(thermal treatment)하여 TFB로 이루어진 정공 수송층(130)을 제조한 다음, 그 위에 용액 공정을 이용하여 지방족 비극성 용매 (예를 들어 옥탄, 노난, 사이클로헥산 등)을 사용하여 제1 발광층(141)을 용이하게 형성할 수 있다.
이와 같이 정공 수송층(130)과 제1 발광층(141)의 상대적인 용해도를 서로 달리 구성할 경우, 용액 공정을 이용한 정공 수송층(130)과 제1 발광층(141) 형성이 더욱 용이해지는 것은 물론, 제1 발광층(141) 형성 과정 중 유기용매 등에 의해 정공 수송층(130) 표면이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
발광층(140)은 정공 수송층(130)과 제2 전극(160) 사이, 예를 들어 정공 수송층(130)의 위, 예를 들어 정공 수송층(130)의 바로 위에 위치할 수 있으며, 양자점을 포함할 수 있다.
일 구현예에서는 발광층(140)이 전술한 바와 같이 제1 발광층(141) 및 제2 발광층(142)을 포함할 수 있다. 일 구현예에서, 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142) 각각은 양자점을 포함할 수 있다. 이하에서는 제1 발광층(141)에 포함되는 양자점을 제1 양자점(141a)이라 하고, 제2 발광층(142)에 포함되는 양자점을 제2 양자점(142a)이라 한다.
발광층(140)은 제1 전극(110)과 제2 전극(160)으로부터 공급된 전류에 의해 전달된 전자와 정공이 결합되는 장소로서, 전자와 정공은 상기 발광층(140)에서 만나 결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 생성된 엑시톤은 여기 상태에서 기저 상태로 전이하면서 양자점의 크기에 대응하는 파장의 빛을 발생시킬 수 있다. 즉, 양자점은 발광층(140)에 전계 발광 기능을 부여한다.
특히, 양자점은 양자 구속 효과(quantum confinement effect)에 의해 불연속적인 밴드갭 에너지(energy band gap)을 가지므로, 입사된 광을 특정 파장을 갖는 광으로 변환하여 방사할 수 있다. 따라서 양자점을 포함하는 발광층(140)은 우수한 색재현율과 색순도를 갖는 광을 발생시킬 수 있다.
일 구현예에서, 발광층(140)은 상기 양자점에 의해 소정 파장영역에 속하는 광을 발광할 수 있다. 일 구현예에서, 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142) 각각은 제1광을 발광할 수 있다. 즉, 제1, 제2 발광층(141, 142)은 서로 동일한 파장 영역에 속하는 광(제1광)을 발광할 수 있다. 일 구현예에서 상기 제1광은 자외광 영역 및/또는 가시광 영역에 속하는 파장영역, 예를 들어 가시광 영역에 속하는 파장영역일 수 있으며, 예를 들어 380 nm 내지 489 nm 의 제1 파장영역, 490 nm 내지 510 nm 의 제2 파장영역, 511 nm 내지 581 nm 의 제3 파장영역, 582 nm 내지 610 nm 의 제4 파장영역, 620 nm 내지 680 nm 의 제5 파장영역 중 어느 하나에 속하는 것일 수 있다.
일 구현예에서, 제1 양자점(141a)과 제2 양자점(142a) 각각은 380 nm 내지 489 nm 의 제1 파장영역에 속하는 청색광을 발광할 수 있다. 이 경우 발광층(140)은 청색광 발광층일 수 있다.
또는 제1 양자점(141a)과 제2 양자점(142a) 각각은 620 nm 내지 680 nm 의 제5 파장영역에 속하는 적색광을 발광할 수 있다. 이 경우 발광층(140)은 적색광 발광층일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 제1, 제2 양자점(141a, 142a)의 소재는 특별히 제한되지 않으며, 공지되었거나 상업적으로 입수 가능한 양자점을 사용할 수 있다.
일 구현예에서, 제1 양자점(141a) 및 제2 양자점(142a) 각각은 코어-쉘 구조를 가지고 있을 수 있다.
일 구현예에서 제1 양자점(141a) 및 제2 양자점(142a) 각각에 대하여, 코어는 제1 반도체 나노결정을 포함하고, 쉘은 상기 제1 반도체 나노결정과 다른 조성을 가지는 제2 반도체 나노결정을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 일 구현예에서 상기 양자점은 하나의 코어와 이를 둘러싸는 한층의 쉘을 포함하는 구조 (코어-단일 쉘 구조)를 가질 수 있다. 이때, 단일 쉘 구조는 단일 조성 또는 농도 구배를 가질 수 있다
또는, 제1 양자점(141a) 및 제2 양자점(142a) 중 적어도 하나가 하나의 코어와 이를 둘러싸는 다층의 쉘을 포함하는 구조(코어-다중 쉘 구조)를 가질 수도 있다. 이때 다층의 쉘 구조는 2층 이상의 쉘 구조를 가지는 것으로 각각의 층은 단일 조성 또는 합금 또는 농도 구배를 가질 수 있다.
이와 같이 제1 양자점(141a) 및 제2 양자점(142a) 각각이 코어-쉘 구조(예컨대 코어-단일 쉘 구조, 및/또는 코어-다층 쉘 구조)를 가질 경우, 코어보다 쉘을 구성하는 물질 조성이 더 큰 밴드갭 에너지를 갖고 있으며, 다층의 쉘을 구성하는 경우도 코어에 가까운 쉘보다 코어의 바깥 쪽에 있는 쉘이 더 큰 밴드갭 에너지를 갖는 구조일 수 있다. 그 결과, 코어-쉘 구조를 갖는 양자점을 이용하면 보다 효과적인 양자 구속 효과를 얻을 수 있다.
일 구현예에서, 상기 코어에 포함되는 상기 제1 반도체 나노결정 및 상기 쉘에 포함되는 제2 반도체 나노결정은, 각각 독립적으로, Cd을 포함하지 않는 II족-VI족 화합물, III족-V족 화합물, IV족- VI족 화합물, IV족 원소 또는 화합물, I족-III족-VI족 화합물, Cd을 포함하지 않는 I족-II족-IV족-VI족 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 즉, 일 구현예에 따른 제1, 제2 양자점(141a, 142a) 각각은 비 카드뮴계 양자점일 수 있다. 이와 같이 제1, 제2 양자점(141a, 142a)이 모두 비 카드뮴계 소재로 이루어진 경우, 기존 카드뮴계 양자점 대비 독성이 없어 인체에 무해하고 환경 친화적이다.
상기 II-VI족 화합물은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; ZnSeS, ZnTeSe, ZnTeS, HgSeS, HgTeSe, HgTeS, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, HgZnSeS, HgZnTeSe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 II-VI족 화합물은 III족 금속을 더 포함할 수도 있다.
상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, InZnP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수도 있다 (InZnP).
상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 I족-III-VI족 화합물의 예는, CuInSe2, CuInS2, CuInGaSe, CuInGaS를 포함하나 이에 제한되지 않는다. 상기 I-II-IV-VI 족 화합물의 예는 CuZnSnSe, CuZnSnS를 포함하나 이에 제한되지 않는다. 상기 IV족 화합물은 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 단원소; 및 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.
제1, 제2 양자점(141a, 142a)은 각각 독립적으로, 약 10 % 이상, 예컨대, 약 20 % 이상, 약 30 % 이상, 약 40 % 이상, 약 50 % 이상, 약 60 % 이상, 약 70 % 이상, 약 90 % 이상, 또는 심지어 100 %의 양자 효율(quantum efficiency)을 가질 수 있다.
또한, 디스플레이에서 색순도나 색재현성을 향상시키기 위해 제1, 제2 양자점(141a, 142a) 각각은 좁은 발광 파장 스펙트럼을 가질 수 있다. 상기 제1, 제2 양자점(141a, 142a)은 각각 독립적으로 약 45 nm 이하, 예를 들어 약 40 nm 이하, 예를 들어 약 35 nm 이하, 예를 들어 약 30 nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 범위에서 소자의 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다.
상기 제1, 제2 양자점(141a, 142a)은 각각 독립적으로, 약 1 nm 내지 약 100 nm의 평균 입경(구형이 아닌 경우 가장 긴 부분의 크기)을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 제1, 제2 양자점(141a, 142a)은 각각 독립적으로, 약 1 nm 내지 약 20 nm, 예컨대 1 nm 내지 15 nm, 예컨대 1 nm 내지 14 nm, 예컨대 1 nm 내지 13 nm, 예컨대 1 nm 내지 12 nm, 예컨대 1 nm 내지 11 nm, 예컨대 1 nm 내지 10 nm의 평균 입경(구형이 아닌 경우 가장 긴 부분의 크기)을 가질 수 있다.
또한, 상기 제1, 제2 양자점(141a, 142a)의 형태는 해당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 양자점은 구형, 타원형, 사면체형, 피라미드형, 육팔면체형, 실린더형, 다면체형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노입자, 나노튜브, 나노와이어, 나노섬유, 나노시트, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 양자점은 임의의 단면 형상을 가질 수 있다.
한편, 상기 제1, 제2 양자점(141a, 142a)은 상업적으로 입수 가능하거나 임의의 방법으로 합성될 수 있다. 예를 들어, 수 나노미터 크기의 양자점의 경우 화학적 습식 방법(wet chemical process)을 통하여 합성될 수 있다. 화학적 습식 방법에서는, 유기 용매 중에서 전구체 물질들을 반응시켜 결정 입자들을 성장시키며, 이 때 유기용매 또는 리간드 형성용 계면활성제가 자연스럽게 양자점의 표면에 배위됨으로써 결정의 성장을 조절할 수 있다. 유기 용매 및 리간드 형성용 계면활성제의 구체적인 종류는 알려져 있다.
유기 용매 및 리간드 형성용 계면활성제는 적절히 선택할 수 있다. 상기 유기 용매의 예시로는 헥사데실아민 등의 C6 내지 C22의 1차아민; 다이옥틸아민 등의 C6 내지 C22의 2차아민; 트리옥틸아민 등의 C6 내지 C40의 3차아민; 피리딘 등의 질소함유 헤테로고리 화합물; 옥타데센 등의 C6 내지 C40의 올레핀; 헥산, 옥탄, 헥사데칸, 옥타데칸, 스쿠알란(squalane) 등의 C6 내지 C40의 지방족 탄화수소; 페닐도데칸, 페닐테트라데칸, 페닐 헥사데칸 등 C6 내지 C30의 알킬기로 치환된 방향족 탄화수소; 적어도 하나 (예컨대, 1개, 2개, 또는 3개)의 C6 내지 C22의 알킬기로 치환된 1차, 2차, 또는 3차 포스핀 (예컨대, 트리옥틸포스핀); (예컨대, 1개, 2개, 또는 3개)의 C6 내지 C22의 알킬기로 치환된 포스핀옥사이드(e.g. 트리옥틸포스핀옥사이드); 페닐 에테르, 벤질 에테르 등 C12 내지 C22의 방향족 에테르; 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 리간드 형성용 계면활성제의 예시로는 RCOOH, RNH2, R2NH, R3N, RSH, RH2PO, R2HPO, R3PO, RH2P, R2HP, R3P, ROH, RCOOR’, RPO(OH)2, RHPOOH, R2POOH (여기서, R, R’는 각각 독립적으로, 수소, C1 내지 C40의 치환 또는 비치환의 지방족 탄화수소, 또는 C6 내지 C40의 치환 또는 비치환의 방향족 탄화수소, 또는 이들의 조합을 포함하되, 각 리간드에서 적어도 하나의 R 은 수소가 아님), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점의 표면에 배위된 유기 용매는 소자 내에서 안정성에 영향을 줄 수 있으므로, 나노 결정의 표면에 배위되지 않은 여분의 물질 (유기 용매, 리간드 형성용 계면 활성제, 또는 이들의 조합)은 과량의 비용매(non-solvent)에 붓고, 얻어진 혼합물을 원심 분리하는 과정을 거쳐 제거할 수 있다. 비용매의 구체적 종류로는, 아세톤, 에탄올, 메탄올 등을 들 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 여분의 물질을 제거한 후 양자점의 표면에 배위된 물질의 양은 양자점 무게의 50 중량% 이하, 예컨대, 30 중량% 이하, 20 중량% 이하, 또는 10 중량% 이하일 수 있다. 양자점 표면에 배위된 물질은 리간드, 유기 용매, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 양자점 표면에 배위된 물질, 구체적으로 리간드는 양자점에 분산성을 부여할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 제1, 제2 양자점(141a, 142a) 중 적어도 하나의 표면에는 리간드가 부착되어 있을 수 있다. 일 구현예에서 상기 리간드의 예시로는 금속 할라이드로부터 유래한 화합물, 카르복시산으로부터 유래한 화합물, 티올로부터 유래한 화합물, 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
상기 리간드는 양자점 표면과 화학적으로 결합되어 있거나, 양자점 표면과 정전기적 인력, 즉 분산력(반데르발스 결합)이 작용하고 있을 수도 있고, 상기 결합 형태가 혼재되어 있을 수도 있다. 일 구현예에서, 상기 리간드와 양자점 표면 사이에는 분산력이 작용하고 있을 수 있다. 예를 들어, 상기 리간드가 소수성 리간드인 경우, 상기 소수성 리간드는 부착된 양자점 표면과의 분산력이 적용되는 부분, 및 소수성을 부여하는 소수성 관능기를 포함할 수 있다. 일 구현예에서, 상기 소수성 리간드의 예시로는 카르복시산으로부터 유래한 화합물, 티올로부터 유래한 화합물, 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
상기 소수성 잔기로는 예를 들어 C4 내지 C20 의 알킬기, C4 내지 C20 의 알케닐기, C4 내지 C20 의 알키닐기, 또는 이들의 조합을 들 수 있고, 상기 양자점 표면에 결합을 이루는 부분으로는 예를 들어 카르복실레이트 (-COO-) 부분, 티올레이트(-SH-) 부분 등을 들 수 있다.
일 구현예에서, 카르복시산으로부터 유래한 화합물의 예시로는 올레이트(oleate), 스테아레이트(stearate), 팔미테이트(palmitate) 등의 지방산으로부터 유래한 화합물을 들 수 있다. 일 구현예에서, 상기 티올로부터 유래한 화합물의 예시로는 C6 내지 C20의 지방족 티올레이트(thiolate)를 들 수 있다.
예컨대 제1 양자점(141a)이 전술한 바와 같이 소수성 리간드를 가질 경우, 이를 포함하는 제1 발광층(141) 또한 전체적으로 볼 때 비극성을 나타내게 될 수 있다. 또한, 상기 소수성 리간드가 부착된 제1 양자점은 비극성 용매, 구체적으로 지방족 비극성 용매에 대한 용매 선택성을 갖게 된다. 이에 따라 방향족 비극성 용매에 대한 용매 선택성을 갖는 정공 수송층(130) 바로 위에 제1 발광층(141)을 용액 공정을 이용하여 형성하더라도 제1 발광층(141) 형성 과정 중 유기용매 등에 의해 정공 수송층(130) 표면이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
다만, 일 구현예가 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 양자점(142a)이 전술한 소수성 리간드를 가질 수도 있고, 제1, 제2 양자점(141a, 142a) 모두 전술한 소수성 리간드를 갖지 않을 수도 있다.
예컨대, 제1, 제2 양자점(141a, 142a) 중 적어도 하나의 표면에는 전술한 소수성 리간드가 부착된 양자점 대비 유기 용매에 대한 용해도가 낮은 리간드가 부착되어 있을 수 있다. 이 경우, 상기 리간드의 예시로는 금속 할라이드로부터 유래한 화합물을 들 수 있다.
상기 금속 할라이드는 아연, 인듐, 갈륨, 마그네슘, 리튬, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고/거나 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 또는 불화물의 형태일 수 있다. 상기 금속 할라이드에 포함되어 있는 금속은 양자점의 최외각층에 포함되어 있는 금속과 동일한 것일 수 있으나, 서로 상이한 것일 수도 있다.
금속 할라이드의 구체적인 예시로는 아연 불화물, 아연 염화물, 아연 브롬화물, 아연 요오드화물, 인듐 불화물, 인듐 염화물, 인듐 브롬화물, 인듐 요오드화물, 갈륨 불화물, 갈륨 염화물, 갈륨 브롬화물, 갈륨 요오드화물, 마그네슘 불화물, 마그네슘 염화물, 마그네슘 브롬화물, 마그네슘 요오드화물, 리튬 불화물, 리튬염화물, 리튬브롬화물, 리튬요오드화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 금속 할라이드로부터 유래한 화합물은 부착된 양자점 표면과 화학적으로 결합을 이루는 부분을 포함할 수 있다. 양자점 표면에 결합을 이루는 부분의 예시로는 할로겐 이온 부분 (예를 들어 F-, Cl-, Br-, I-)을 들 수 있다. 상기 할로겐 이온 부분은 양자점 표면과 강하게 결합될 수 있으며, 양자점들의 표면에 존재하는 다른 리간드 (예컨대, 올레산 등과 같은 소수성 리간드) 대신에 (예컨대, 이들을 대체하여) 양자점들을 패시베이션(passivation)할 수 있다.
상기 금속 할라이드로부터 유래한 화합물은 전술한 소수성 리간드가 부착된 양자점을 포함한 발광층 위에 금속 할라이드 용액을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 양자점에 부착되어 있던 소수성 리간드 중 적어도 일부는 전술한 할로겐 이온 부분으로 대체(혹은 치환)될 수 있다. 양자점 표면에 부착된 소수성 리간드와 금속 할라이드로부터 유래한 화합물의 비율은 금속 할라이드 용액의 농도, 반응 시간 등을 조절함으로써 다양하게 조절할 수 있다.
특정이론에 의해 구속되려 함은 아니지만, 전술한 소수성 리간드는 소수성 잔기 부분이 일반적으로 전가 및 정공 주입에 대하여 실질적으로 배리어로서 작용하므로 양자점의 발광효율을 감소시킬 우려가 있다. 그러나 일구현예에서, 상기 금속 할라이드로부터 유래한 화합물이 부착된 양자점의 경우 전술한 소수성 리간드가 부착된 양자점 대비 향상된 패시베이션을 제공하는 것은 물론 향상된 전하 주입 특성을 나타낼 수 있다.
일 구현예에서, 발광층(140)의 두께, 구체적으로 제1, 제2 발광층(141, 142)를 합한 총 두께는 제1, 제2 발광층(141, 142) 각각에 포함된 제1, 제2 양자점(141a, 142a)의 종류, 크기, 부착된 리간드의 종류 등에 따라 달라질 수 있으나 예를 들어 10 nm 이상, 11 nm 이상, 12 nm 이상, 13 nm 이상, 14 nm 이상, 15 nm 이상, 16 nm 이상, 17 nm 이상, 18 nm 이상, 19 nm 이상, 20 nm 이상, 25 nm 이상, 30 nm 이상, 또는 35 nm 이상일 수 있다. 상기 발광층(140)은 양자점들의 모노레이어들을 2층 이상, 예컨대, 3층 이상, 또는 4층 이상 포함할 수 있다. 상기 발광층(140)의 두께는 100 nm 이하, 예컨대, 90 nm 이하, 80 nm 이하, 70 nm 이하, 60 nm 이하, 50 nm 이하, 또는 40 nm 이하일 수 있다. 상기 발광층(140)의 두께는 10 nm 내지 60 nm, 예를 들어 15 nm 내지 60 nm, 예를 들어 20 nm 내지 60 nm, 예를 들어 25 nm 내지 60 nm, 예를 들어 25 nm 내지 50 nm일 수 있다.
일 구현예에 따른 전계 발광 소자(10)는, 발광층(140)의 발광 효율을 향상시키기 위하여 양자점을 소정 함량으로 포함할 수 있다.
예를 들어 제1, 제2 양자점(141a, 142a)을 합한 총량은 발광층(140) 100 중량%을 기준으로, 예를 들어 5 중량% 이상, 예를 들어 10 중량% 이상, 예를 들어 15 중량% 이상, 예를 들어 20 중량% 이상 포함될 수 있고, 예를 들어 98 중량% 이하, 예를 들어 95 중량% 이하, 예를 들어 90 중량% 이하, 예를 들어 85 중량% 이하, 예를 들어 80 중량 % 이하, 예를 들어 75 중량% 이하, 예를 들어 70 중량% 이하, 예를 들어 65 중량% 이하, 예를 들어 60 중량% 이하, 예를 들어 55 중량 % 이하, 예를 들어 50 중량% 이하 포함될 수 있으며, 예를 들어 5 중량% 내지 98 중량%, 예를 들어 20 중량% 내지 98 중량%, 예를 들어 20 중량% 내지 90 중량%, 예를 들어 20 중량% 내지 85 중량%, 예를 들어 50 중량% 내지 85 중량%, 예를 들어 50 중량% 내지 80 중량% 포함될 수 있다.
다만, 일 구현예가 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(140) 내 제1, 제2 양자점(141a, 142a)을 합한 총량은 발광층(140) 내 포함되는 다른 구성요소들(예컨대 바인더, 비용매, 유기용매 등)의 함량, 사용된 리간드의 종류 및/또는 함량, 제1, 제2 양자점(141a, 142a)을 구성하는 소재, 제1, 제2 양자점(141a, 142a) 코어-쉘 구조의 쉘 개수, 및/또는 쉘 두께, 방출하는 광의 파장 범위, 정공 수송층(130), 발광층(140), 및/또는 전자 수송층(150)의 두께 등에 따라 달라질 수 있다.
일 구현예에서, 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142)은 서로 구별되는 별개의 층일 수 있다. 예를 들어, 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142)은 제1 양자점(141a) 및 제2 양자점(142a)의 구체적인 코어-쉘 구조에 의해 구별될 수 있다.
일 구현예에서, 제1 발광층(141)은 전술한 제1 양자점(141a)을 포함할 수 있다. 제1 발광층(141)은 인접한 정공 수송층(130)으로부터 전달받은 정공을 제2 발광층(142)에 제공할 수도 있고, 상기 정공을 전자와 재결합함으로써 제1 양자점(141a)을 이용해 소정 파장영역의 광을 발광할 수 있다.
제2 발광층(142)은 상기 제1 발광층(141) 바로 위에 형성되되, 전술한 제2 양자점(142a)을 포함할 수 있다. 제2 발광층(142)은 인접한 전자 수송층(150)으로부터 전달받은 전자를 제1 발광층(141)에 제공할 수도 있고, 상기 전자를 정공과 재결합함으로써 제2 양자점(142a)을 이용해 소정 파장영역의 광을 발광할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 제1 양자점(141a)과 제2 양자점(142a)은 서로 구별되는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 양자점(141a)과 제2 양자점(142a)은 쉘 개수 측면에서 서로 구별될 수도 있고/또는 쉘 두께 측면에서 서로 구별될 수도 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 5를 참조하면 서로 구별되는 제1, 제2 양자점의 예시들을 설명한다.
도 2 및 도 3은 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자의 제1 양자점(도 2)과 제2 양자점(도 3)을 각각 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제1 양자점(141a)은 코어(141a-1) 및 코어(141a-1) 표면을 둘러싸고 있는 쉘(141a-2)을 포함할 수 있다. 일 구현예에서, 제1 양자점(141a)은 코어-단일 쉘 구조를 가질 수 있다.
반면, 도 3을 참조하면, 제2 양자점(142a)은 코어(142a-1), 코어(142a-1) 표면을 둘러싸고 있는 제1쉘(142a-21)과 제1쉘(142a-21)을 둘러싸고 있는 제2쉘(142a-22)을 포함하는 다중 쉘(142a-2)을 포함할 수 있다. 즉, 제2 양자점(142a)은 제1 양자점(141a)과 구별되도록 코어-다중 쉘 구조를 가질 수 있다. 일 구현예에서, 제2 양자점(142a)은 코어-이중 쉘 구조를 가질 수 있다.
도 2 내지 도 3은 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자에 있어서 제1 양자점(141a)과 제2 양자점(142a)의 쉘 개수가 서로 상이하게 조절되는 경우의 예시이다.
제1 구현예에서, 제1 양자점(141a)과 제2 양자점(142a) 각각은 490 nm 내지 510 nm 의 제2 파장영역, 511 nm 내지 581 nm 의 제3 파장영역, 582 nm 내지 610 nm 의 제4 파장영역, 611 nm 내지 680 nm 의 제5 파장영역 중 어느 하나에 속하는 제1광을 발광할 수 있다. 이 경우 전계 발광 소자 내부 정공 전달 속도에 비해 전자 전달 속도가 매우 빠를 수 있으며, 그 결과 전자/정공 재결합이 정공 수송층과 제1 발광층의 계면에서 주로 발생할 우려가 있으며, 잉여 전자들이 정공 수송층 표면을 열화시켜 소자의 수명을 감소시킬 우려도 있다.
특정 이론에 구속되려 함은 아니지만, 양자점의 쉘 개수가 비교적 적을 경우 비교적 우수한 전자/정공 수송 능력을 나타내는 경향이 있다. 따라서, 정공 수송층에 인접한 제1 발광층(141)을 비교적 우수한 정공 수송 능력을 갖도록, 전자 수송층에 인접한 제2 발광층(142)을 전자 전달을 억제하기 위해 비교적 낮은 전자 수송 능력을 갖도록 각각 구성하는 것이 유리할 수 있다.
이에, 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자는 상기 제1 양자점(141a)의 쉘 개수는 상기 제2 양자점(142a)의 쉘 개수보다 적도록 조절한다. 예컨대 제1 양자점(141a)은 단일 쉘을 가질 경우 제2 양자점(142a)은 다중(이중 이상) 쉘을 가질 수 있다. 또는 제1 양자점(141a)이 이중 또는 다중 (예를 들어 N-1중, 단 N은 4 이상의 정수) 쉘을 가질 경우 제2 양자점(142a)은 다중(N중, 단, N은 4 이상의 정수) 쉘을 가질 수 있다.
그 결과, 제1 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 및 단위면적 당 전자 수송 능력 각각은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 및 단위면적 당 전자 수송 능력 이상이 될 수 있다. 상기 단위면적 당 정공 수송 능력 및 단위면적 당 전자 수송 능력은 전계 발광 소자에 구동 전압 이상의 전압을 인가한 후 각 층(제1 발광층 및 제2 발광층)의 전류밀도를 비교함으로써 파악할 수 있다.
따라서 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자와 같이 제1 양자점(141a)의 쉘 개수를 상기 제2 양자점(142a)의 쉘 개수보다 적도록 조절할 경우, 제1 발광층(141)의 전자/정공 수송 능력을 향상시키는 한편 제2 발광층(142)의 전자 수송 능력을 억제함으로써 전자/정공 재결합 위치를 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142) 사이가 되도록 조절하기 용이하다. 이와 같이 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자는 전하 캐리어 밸런스를 조절함으로써 우수한 수명 및/또는 발광 특성, 특히 우수한 수명 특성을 나타낼 수 있다.
도 4 및 도 5는 제2 구현예에 따른 전계 발광 소자의 제1 양자점(도 4)과 제2 양자점(도 5)을 각각 나타낸 단면도이다.
한편, 도 4 내지 도 5를 참조하면, 제2 구현예에 따른 전계 발광 소자는 전술한 제1 구현예에 따른 전계 발광 소자와는 다른 예시로서, 예컨대 제1 양자점(141a')과 제2 양자점(142a')의 쉘 두께를 서로 상이하게 조절한 경우의 예시이다.
구체적으로 도 4를 참조하면, 제1 양자점(141a')은 코어(141a'-1) 및 코어(141a'-1) 표면을 둘러싸고 있는 쉘(141a'-2)을 포함할 수 있으며, 쉘(141a'-2)은 단일 쉘일 수도 있고, 도 4에 개시된 바와 같이 제1쉘(141a'-21) 및 제2쉘(141a'-22)을 포함하는 다중 쉘(예컨대 이중 쉘)일 수도 있다.
도 5를 참조하면, 제2 양자점(142a') 또한 제1 양자점(141a')과 마찬가지로 코어(142a'-1) 및 코어(142a'-1) 표면을 둘러싸고 있는 쉘(142a'-2)을 포함할 수 있으며, 쉘(142a'-2)은 단일 쉘일 수도 있고, 도 5에 개시된 바와 같이 제1쉘(142a'-21) 및 제2쉘(142a'-22)을 포함하는 다중 쉘(예컨대 이중 쉘)일 수도 있다.
제2 구현예에서, 제1 양자점(141a)과 제2 양자점(142a) 각각은 상기 제1광은 380 nm 내지 489 nm 의 제1 파장영역, 490 nm 내지 510 nm 의 제2 파장영역, 511 nm 내지 581 nm 의 제3 파장영역 중 어느 하나에 속하는 제1광을 발광할 수 있다. 이 경우 전계 발광 소자 내부 정공 전달 속도에 비해 전자 전달 속도가 다소 빠르지만, 정공 및 전자 전달 속도 모두 향상시켜야 할 필요가 있다.
특정 이론에 구속되려 함은 아니지만, 양자점의 쉘 두께가 두꺼울수록 정공 수송 능력은 증가하고, 전자 수송 능력은 감소하는 경향을 나타낼 수 있다. 따라서, 정공 수송층에 인접한 제1 발광층(141)이 비교적 우수한 정공 수송 능력을 갖도록 구성하고, 전자 수송층에 인접한 제2 발광층(142)이 비교적 우수한 전자 전달 능력을 갖도록 각각 구성하는 것이 유리할 수 있다.
이에, 제2 구현예에서, 제1 양자점(141a')을 구성하는 쉘(141a'-2)의 두께 (t1)는 제2 양자점(142a')을 구성하는 쉘(142a'-2)의 두께 (t2)보다 클 수 있다.
제2 구현예에서, 제1 양자점(141a')의 쉘(141a'-2)의 두께(t1)는 예를 들어 1 nm 내지 15 nm, 예를 들어 5 nm 내지 15 nm 일 수 있다.
제2 구현예에서, 제2 양자점(142a')의 쉘(142a'-2)의 두께(t2)는 예를 들어 1 nm 내지 10 nm 일 수 있다.
제2 구현예에서, 상기 제1 양자점(141a') 및 상기 제2 양자점(142a') 각각은 코어-다중 쉘 구조를 가지되, 제1 양자점(141a')의 최외각 쉘의 두께(단일 쉘일 경우 단일 쉘의 두께)는 상기 제2 양자점의 최외각 쉘의 두께(단일 쉘일 경우 단일 쉘의 두께) 보다 클 수 있다. 즉, 제1, 제2 양자점(141a', 142a')이 다중 쉘일 경우, 전술한 t1과 t2의 관계를 만족하는 조건 하에서 제1 양자점(141a')의 최외각 쉘의 두께가 제2 양자점(142a')의 최외각 쉘의 두께보다 클 수 있다.
그 결과, 상기 제1 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 이상이고, 상기 제1 양자점의 단위면적 당 전자 수송 능력은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 전자 수송 능력 이하일 수 있다.
따라서 제2 구현예에 따른 전계 발광 소자와 같이 제1 양자점(141a)의 쉘 두께(t1)를 상기 제2 양자점(142a)의 쉘 두께(t2) 보다 크게 조절할 경우, 제1 발광층(141)의 정공 수송 능력과 제2 발광층(142)의 전자 수송 능력을 각각 향상시킴으로써 전자/정공 재결합 위치를 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142) 사이가 되도록 조절하기 용이하다. 이와 같이 제2 구현예에 따른 전계 발광 소자는 전하 캐리어 밸런스를 조절함으로써 우수한 수명 및/또는 발광 특성을 나타낼 수 있다.
일 구현예에서, 제1, 제2 발광층(141, 142) 각각은 적어도 양자점들의 모노레이어들을 적어도 1층 이상, 예컨대 1.5층 이상 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 전계 발광 소자(10)의 경우, 제1, 제2 양자점이 전술한 제1 구현예에 따른 기준 (쉘 개수), 제2 구현예에 따른 기준 (쉘 두께) 중 적어도 하나를 만족할 수도 있고, 소자의 수명 및/또는 발광 특성을 개선하기 위한 목적 내에서 전술한 기준을 모두 만족할 수도 있다.
상기 제1, 제2 발광층(141, 142) 각각의 평균 두께는 제1, 제2 양자점(141a, 142a)을 이루는 코어-쉘의 구조, 소재, 부착된 리간드의 종류, 각 발광층에 함유된 다른 구성요소들의 함량에 따라 달라질 수 있으나, 30 nm 이하, 예컨대 25 nm 이하, 20 nm 이하일 수 있고, 예컨대 5 nm 이상, 6 nm 이상, 7 nm 이상, 8 nm 이상, 9 nm 이상, 10 nm 이상, 11 nm 이상, 12 nm 이상, 13 nm 이상, 14 nm 이상, 15 nm 이상일 수 있으며, 예컨대 5 nm 내지 30 nm, 예를 들어 6 nm 내지 30 nm, 예를 들어 6 nm 내지 25 nm, 예를 들어 7 nm 내지 25 nm, 예를 들어 8 nm 내지 25 nm 일 수 있다.
일 구현예에서, 제1 발광층(141) 의 평균 두께는 제2 발광층(142) 의 평균 두께 이상일 수 있다. 예를 들어 제1 발광층(141) 의 평균 두께는 제2 발광층(142) 의 평균 두께보다 클 수 있다.
일 구현예에서 발광층(140)의 평균 두께, 즉 제1, 제2 발광층(141, 142) 각각의 평균 두께를 합한 총 평균 두께는 예를 들어 60 nm 이하, 예컨대 55 nm 이하, 50 nm 이하, 예를 들어 45 nm 이하, 예를 들어 40 nm 이하일 수 있고, 예컨대 10 nm 이상, 15 nm 이상, 20 nm 이상, 25 nm 이상, 30 nm 이상일 수 있으며, 예컨대 10 nm 내지 60 nm, 예를 들어 10 nm 내지 55 nm, 예를 들어 10 nm 내지 50 nm, 예를 들어 15 nm 내지 50 nm, 예를 들어 15 nm 내지 45 nm, 예를 들어 15 nm 내지 40 nm일 수 있다.
일 구현예에서 전자 수송층(150)은 발광층(140)과 제2 전극(160) 사이, 예를 들어 제2 발광층(142)의 바로 위에 위치하여 발광층(140)에 전자를 수송하는 역할을 수행한다.
일 구현예에서, 전자 수송층(150)의 두께는 소자 내 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 및/또는 발광층(140)과의 전자-정공 균형을 고려하여 다양하게 변경될 수 있지만, 예를 들어 10 nm 이상, 예를 들어 15 nm 이상, 예를 들어 20 nm 이상일 수 있고, 예를 들어 100 nm 이하, 예를 들어 90 nm 이하, 예를 들어 80 nm 이하, 예를 들어 70 nm 이하, 예를 들어 60 nm 이하, 예를 들어 50 nm 이하, 예를 들어 40 nm 이하일 수 있으며, 예를 들어 10 nm 내지 100 nm, 예를 들어 10 nm 내지 60 nm, 예를 들어 10 nm 내지 50 nm, 예를 들어 10 mm 내지 40 nm, 예를 들어 15 nm 내지 40 nm일 수 있다.
전자 수송층(150)의 두께가 전술한 범위를 벗어날 경우, 전자 수송층(150)에 존재하는 보이드(void), 크랙(crack) 등이 전자 수송성에 미치는 영향이 증가하여 소자 특성이 크게 저하될 우려가 있고, 전계 발광 소자(10) 내 다른 구성요소들과의 전자-정공 균형을 맞추기 어려울 우려가 있다.
일 구현예에서, 전자 수송층(150)은 내부에서 전자의 소광이 발생하지 않도록 전계에 의해 발광하지 않는 비 발광성 전자수송용 물질들로 이루어져 있을 수 있다.
한편, 상기 전자 수송층(150)은 무기물 나노입자를 포함하거나 혹은 증착에 의해 형성되는 유기층일 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 수송층(150)은 무기물 나노입자, 퀴놀론계 화합물, 트리아진계 화합물, 퀴놀린계 화합물, 트리아졸계 화합물, 나프탈렌계 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 전자 수송층(150)은 무기물 나노입자를 포함할 수 있다. 상기 무기물 나노입자는 전자 수송층(150)에 전자 수송성을 부여하며, 발광성을 나타내지 않는다. 무기물 나노입자의 예시로는 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 주석(Sn) 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 또는 이들의 조합을 포함하는 금속의 염을 들 수 있다.
일 구현예에서, 전자 수송층(150)은 2 이상의 무기물 나노입자를 포함할 수 있다. 일 구현예에서, 전자 수송층(150)은 2 이상의 무기물 나노입자들로 이루어진 집합층을 포함할 수 있다. 일 구현예에서, 전자 수송층(150)은 2 이상의 무기물 나노입자들로 이루어진 집합층일 수 있다.
한편, 전자 수송층(150)과 제2 전극(160) 사이에는 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층, 및/또는 정공의 이동을 저지하는 정공 차단층이 더 형성되어 있을 수 있다.
전자 주입층, 정공 차단층 각각의 두께는 적절히 선택할 수 있다. 예컨대, 각층의 두께는 1 nm 이상 및 500 nm 이하일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 전자 주입층은 증착에 의해 형성되는 유기층일 수 있다.
상기 전자 주입층 및/또는 정공 차단층은 예컨대 1,4,5,8-나프탈렌-테트라카르복실릭 디안하이드라이드(NTCDA), 바소쿠프로인(BCP), 트리스[3-(3-피리딜)-메시틸]보레인(3TPYMB), LiF, Alq3, Gaq3, Inq3, Znq2, Zn(BTZ)2, BeBq2, Liq, n형 금속 산화물 (예를 들어, ZnO, HfO2 등), Bphen, 및 이들의 조합에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
앞서 살펴본 바와 같이, 일 구현예에 따른 전계 발광 소자(10)는 제1, 제2 양자점(141a, 142a)의 코어-쉘 구조를 서로 구별되도록 구성함으로써 소자 내부 전하 캐리어 밸런스를 용이하게 조절할 수 있으며, 예를 들어 전자/정공 재결합 위치를 제1 발광층(141)과 제2 발광층(142) 사이가 되도록 조절할 수 있다. 그 결과 일 구현예에 따른 전계 발광 소자(10)가 향상된 수명 및/또는 발광 특성을 나타낼 수 있다.
이하에서는 전술한 전계 발광 소자(10)를 포함하는 표시 장치에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 표시 장치는 기판과, 기판 위에 형성되어 있는 구동 회로, 구동 회로 위에 소정 간격으로 각각 이격되어 배치되어 있는 제1 전계 발광 소자, 제2 전계 발광 소자 및 제3 전계 발광 소자를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 전계 발광 소자는 전술한 전계 발광 소자(10)와 동일한 구조를 가질 수 있으며, 각각의 양자점이 발광하는 광의 파장이 상이하다.
일 구현예에서 제1 전계 발광 소자는 적색광을 발광하는 적색 소자이고, 제2 전계 발광 소자는 녹색광을 발광하는 녹색 소자이며, 제3 전계 발광 소자는 청색광을 발광하는 청색 소자일 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 전계 발광 소자는 표시 장치 내에서 각각 적색, 녹색, 청색을 표시하는 화소(pixel)일 수 있다.
다만, 일 구현예가 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 전계 발광 소자가 각각 마젠타(magenta), 옐로우(yellow), 시안(cyan) 색을 표시할 수도 있고, 이외 다른 색을 표시할 수도 있다.
한편, 제1 내지 제3 전계 발광 소자 중 적어도 어느 하나가 전술한 전계 발광 소자(10)일 수 있다. 예를 들어, 적색을 표시하는 제1 전계 발광 소자 및/또는 청색을 표시하는 제3 전계 발광 소자는 전술한 전계 발광 소자(10)인 것이 좋다.
한편, 일 구현예에 따른 표시 장치에서 각 화소의 발광층을 제외한 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 등은 일체로서 공통층을 이루고 있을 수 있다. 다만, 일 구현예가 반드시 이에 제한되는 것은 아니고 표시 장치 내 각 화소별로 독립된 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층을 갖추고 있을 수도 있고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 중 어느 하나 이상은 공통층을, 나머지는 별개의 독립된 층을 이루고 있을 수도 있다.
기판은 투명한 절연 기판이며, 연성 물질로 이루어질 수 있다. 기판은 유리, 또는 유리전이점(Tg)이 150℃ 보다 큰 필름 형태의 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대, COC(Cyclo Olefin Copolymer) 또는 COP(Cyclo Olefin Polymer) 계열의 소재로 이루어질 수 있다. 기판의 위에는 전술한 제1 내지 제3 전계 발광 소자가 모두 형성되어 있다. 즉, 일 구현예에 따른 표시 장치의 기판은 공통층을 이루고 있다.
구동 회로는 기판 위에 위치하며, 제1 내지 제3 전계 발광 소자 각각과 독립적으로 연결된다. 구동 회로는 1종 이상의 스캔 라인, 데이터 라인, 구동 전원 라인, 공통 전원 라인 등을 포함하는 배선, 하나의 유기 발광 소자에 대응하여 배선에 연결된 둘 이상의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나 이상의 커패시터(capacitor) 등을 포함할 수 있다. 구동 회로는 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 일 구현예에 따른 표시 장치는 향상된 소자 효율을 나타내므로, 우수한 수명 및 발광 효율을 나타낼 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
검증예 1
제1 전극(애노드)인 ITO가 증착된 유리기판에 UV-오존으로 표면 처리를 15 분 간 수행한 후, 그 위에 PEDOT:PSS 용액 (HOMO 에너지 준위: -5.35 eV, H.C. Starks社)을 스핀 코팅하고 질소 분위기에서 150 ℃에서 30 분 간 열처리하여 두께 30 nm 의 정공 주입층을 형성한다.
이후, 정공 주입층 위에 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일-코(4,4’-(N-4-부틸페닐)디페닐아민] (TFB, HOMO 에너지 준위: -5.56 eV, LUMO 에너지 준위: -2.69 eV, Sumitomo社)가 o-자일렌에 용해된 용액을 정공 주입층 위에 스핀 코팅하고 150 ℃에서 30 분 간 열처리하여 두께 25 nm의 제1 정공 수송층을 형성한다.
이어서 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 (평균 입경: 18 nm, 피크방출파장: 630 nm)이 옥탄에 분산된 발광층 형성용 조성물을 코팅 후 80 ℃에서 가열함으로써, 20 nm 두께를 갖는 (적색) 발광층을 형성한다.
이어서 발광층 위에 바이카바졸계 화합물(GSH0137, 제조사: 삼성SDI社)을 증착하여 두께 36 nm의 제2 정공 수송층을 형성한다.
이어서 제2 정공 수송층 위에 1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌펙사카보니트릴(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacar-bonitrile, HAT-CN)을 증착하여 두께 10 nm 의 정공 주입층을 형성한다.
이어서 정공 주입층 위에 알루미늄 100 nm를 진공 증착하여 제2 전극을 형성함으로써 검증예 1에 따른 HOD (Hole Only Device)를 제조한다 (ITO / PEDOT:PSS / TFB / Red QD(InP/ZnSe) / GSH0137 / HAT-CN / Ag).
검증예 2
소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 대신 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 양자점 (평균 입경: 18 nm, 피크방출파장: 630 nm)을 사용하는 것을 제외하고는 전술한 검증예 1과 동일한 과정을 거쳐 검증예 2에 따른 HOD (Hole Only Device)를 제조한다 (ITO / PEDOT:PSS / TFB / Red QD (InP/ZnSe/ZnS) / GSH0137 / HAT-CN / Ag).
검증예 3
제1 전극(애노드)인 ITO가 증착된 유리기판에 UV-오존으로 표면 처리를 15 분 간 수행한 후, 그 위에 ZnMgO(평균입경: 2 nm 내지 5 nm)가 에탄올에 분산되어 있는 전자 수송층 형성용 용액을 스핀 코팅하고 80 ℃에서 30분 간 열처리하여, 두께 20 nm 의 제1 전자 수송층을 형성한다.
이어서 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 (평균 입경: 18 nm, 피크방출파장: 630 nm)이 옥탄에 분산된 발광층 형성용 조성물을 코팅 후 80 ℃에서 가열함으로써, 20 nm 두께를 갖는 (적색) 발광층을 형성한다.
이어서 발광층 위에 ZnMgO(평균입경: 2 nm 내지 5 nm)가 에탄올에 분산되어 있는 전자 수송층 형성용 용액을 스핀 코팅하고 80 ℃에서 30분 간 열처리하여, 두께 20 nm 의 제2 전자 수송층을 형성한다.
이어서 제2 전자 수송층 위에 알루미늄 100 nm를 진공 증착하여 제2 전극을 형성함으로써 검증예 3에 따른 EOD (Electron Only Device)를 제조한다 (ITO / ZnMgO / Red QD (InP/ZnSe) / ZnMgO / Al).
검증예 4
소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 대신 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 양자점 (평균 입경: 18 nm, 피크방출파장: 630 nm)을 사용하는 것을 제외하고는 전술한 검증예 3과 동일한 과정을 거쳐 검증예 4에 따른 EOD (Electron Only Device)를 제조한다 (ITO / ZnMgO / Red QD (InP/ZnSe/ZnS) / ZnMgO / Al).
평가 1: 적색 발광 소자의 전하 수송 능력
검증예 1 내지 2에 따른 HOD의 전압-전류밀도 및 검증예 3 내지 4에 따른 EOD의 전압-전류밀도를 각각 측정하여 그 결과를 도 6 내지 도 7에 나타낸다.
도 6은 검증예 1 내지 2에 따른 HOD (Hole Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고, 도 7은 검증예 3 내지 4에 따른 EOD (Electron Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이다.
도 6을 참조하면, InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점을 포함한 검증예 1이 In/ZnSe/ZnSeS 코어-이중 쉘 양자점을 포함한 검증예 2 대비 우수한 전류밀도를 나타내는 것을 확인할 수 있다.
한편 도 7을 참조하면, InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점을 포함한 검증예 3이 In/ZnSe/ZnSeS 코어-이중 쉘 양자점을 포함한 검증예 4 대비 우수한 전류밀도를 나타내는 것을 확인할 수 있다.
전류밀도가 단위 면적 당 전하 (전자 및 정공) 수송 능력을 나타내는 점을 고려하면, InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점을 포함하는 적색 발광층의 경우, In/ZnSe/ZnSeS 코어-이중 쉘 양자점을 포함하는 적색 발광층 대비 우수한 전하(전자 및 정공) 수송 능력을 가짐을 알 수 있다.
따라서 적색 발광 소자에 있어서, InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점을 포함하는 적색 발광층은 정공 수송 능력이 우수하므로 정공 수송층에 인접한 제1 발광층으로 적용할 수 있고, In/ZnSe/ZnSeS 코어-이중 쉘 양자점을 포함하는 적색 발광층은 전자 수송 능력이 다소 낮으므로 전자 수송층에 인접한 제2 발광층으로 적용할 수 있음을 알 수 있다.
검증예 5
소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 대신 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 양자점 (평균 입경: 10 nm 내지 12 nm, 쉘 두께: 9 nm, 피크방출파장: 455 nm)을 사용하는 것을 제외하고는 전술한 검증예 1과 동일한 과정을 거쳐 검증예 5에 따른 HOD (Hole Only Device)를 제조한다 (ITO / PEDOT:PSS / TFB / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께:9 nm) / GSH0137 / HAT-CN / Ag).
검증예 6
소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 대신 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 양자점 (평균 입경: 10 nm 내지 12 nm, 쉘 두께: 5 nm, 피크방출파장: 455 nm)을 사용하는 것을 제외하고는 전술한 검증예 1과 동일한 과정을 거쳐 검증예 6에 따른 HOD (Hole Only Device)를 제조한다 (ITO / PEDOT:PSS / TFB / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께: 5 nm) / GSH0137 / HAT-CN / Ag).
검증예 7
소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 대신 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 양자점 (평균 입경: 10 nm 내지 12 nm, 쉘 두께: 9 nm, 피크방출파장: 455 nm)을 사용하는 것을 제외하고는 전술한 검증예 3과 동일한 과정을 거쳐 검증예 7에 따른 EOD (Electron Only Device)를 제조한다 (ITO / ZnMgO / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께: 9 nm) / ZnMgO / Al).
검증예 8
소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 양자점 대신 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착된 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 양자점 (평균 입경: 10 nm 내지 12 nm, 쉘 두께: 5 nm, 피크방출파장: 455 nm)을 사용하는 것을 제외하고는 전술한 검증예 3과 동일한 과정을 거쳐 검증예 8에 따른 EOD (Electron Only Device)를 제조한다 (ITO / ZnMgO / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께: 5 nm) / ZnMgO / Al).
평가 2: 청색 발광 소자의 전하 수송 능력
검증예 5 내지 6에 따른 HOD의 전압-전류밀도 및 검증예 7 내지 8에 따른 EOD의 전압-전류밀도를 각각 측정하여 그 결과를 도 8 내지 도 9에 나타낸다.
도 8은 검증예 5 내지 6에 따른 HOD (Hole Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이고, 도 9는 검증예 7 내지 8에 따른 EOD (Electron Only Device)의 전압-전류밀도 그래프이다.
도 8을 참조하면, 쉘 두께가 비교적 두꺼운 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 검증예 5가 쉘 두께가 비교적 얇은 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 검증예 6 대비 우수한 전류밀도를 나타내는 것을 확인할 수 있다.
한편 도 9를 참조하면, 쉘 두께가 비교적 얇은 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 검증예 8이 쉘 두께가 비교적 두꺼운 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 검증예 7가 대비 우수한 전류밀도를 나타내는 것을 확인할 수 있다.
전류밀도가 단위 면적 당 전하 (전자 및 정공) 수송 능력을 나타내는 점을 고려하면, 쉘 두께가 비교적 두꺼운 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 청색 발광층의 경우 비교적 우수한 정공 수송 능력을 나타내고 쉘 두께가 비교적 얇은 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 청색 발광층의 경우 비교적 우수한 전자 수송 능력을 나타내는 것을 알 수 있다.
따라서 청색 발광 소자에 있어서, 쉘 두께가 비교적 두꺼운 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 청색 발광층은 정공 수송 능력이 우수하므로 정공 수송층에 인접한 제1 발광층으로 적용할 수 있고, 쉘 두께가 비교적 얇은 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 양자점을 포함하는 청색 발광층은 전자 수송 능력이 우수하므로 전자 수송층에 인접한 제2 발광층으로 적용할 수 있음을 알 수 있다.
실시예 1
제1 전극(애노드)인 ITO (일함수: -4.850 eV)가 증착된 유리기판에 UV-오존으로 표면 처리를 15 분 간 수행한 후, PEDOT:PSS 용액 (HOMO 에너지 준위: -5.35 eV, LUMO 에너지 준위: -2.75 eV, H.C. Starks社)을 스핀 코팅하고 질소 분위기에서 150 ℃에서 30 분 간 열처리하여 두께 30 nm 내지 40 nm의 정공 주입층을 형성한다.
이후, 정공 주입층 위에 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일-코(4,4’-(N-4-부틸페닐)디페닐아민] (TFB, HOMO 에너지 준위: -5.56 eV, LUMO 에너지 준위: -2.69 eV, Sumitomo社)가 톨루엔에 용해된 용액을 정공 주입층 위에 스핀 코팅하고 150 ℃에서 30 분 간 열처리하여 두께 25 nm의 정공 수송층을 형성한다.
이어서 표면에 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착되어 있는 InP/ZnSe 코어-단일 쉘 적색 양자점 (평균입경: 18 nm, 피크 파장: 630 nm) 150 mg을 옥탄(octane) 10 mL에 넣고 5 분 동안 교반하여 제1 적색 발광층 형성용 조성물을 제조한다. 이후, 제1 적색 발광층 형성용 조성물을 정공 수송층 위에 스핀 코팅 후 에탄올로 표면을 세척한 다음, 80 ℃에서 30분 간 질소 분위기에서 열처리하여 두께 20 nm의 제1 적색 발광층을 형성한다.
한편, 표면에 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착되어 있는 InP/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 적색 양자점 (평균입경: 11 nm 내지 13 nm, 피크 파장: 약 453 nm) 15 mg/mL을 옥탄(octane) 10 mL에 넣고 5 분 동안 교반하여 제2 적색 발광층 형성용 조성물을 제조한다.
이후, 제2 적색 발광층 형성용 조성물을 제1 적색 발광층 위에 스핀 코팅 후 80 ℃에서 30분 간 질소 분위기에서 열처리하여 두께 10 nm의 제2 적색 발광층을 형성한다.
이어서 제2 적색 발광층 위에 ZnMgO(평균입경: 3 nm, HOMO 에너지 준위: -7.6 eV, LUMO 에너지 준위: -4.3 eV)가 에탄올에 분산되어 있는 전자 수송층 형성용 용액을 스핀 코팅하고 80 ℃에서 30분 간 열처리하여, 두께 20 nm 내지 25 nm 의 전자 수송층을 형성한다.
이어서 전자 수송층 위에 알루미늄(일함수: -4.3 eV) 100 nm를 진공 증착하여 제2 전극을 형성함으로써 실시예 1에 따른 전계 발광 소자를 제조한다 [ITO / PEDOT:PSS / TFB / Red QD (InP/ZnSe) / Red QD (InP/ZnSe/ZnS) / ZnMgO / Al].
비교예 1
제2 적색 발광층 형성용 조성물 대신 제1 적색 발광층 형성용 조성물을 제1 적색 발광층 위에 한 차례 더 도포하여 제2 적색 발광층을 형성하는 것을 제외하고는 전술한 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐 비교예 1에 따른 전계 발광 소자를 제조한다.
[ITO / PEDOT:PSS / TFB / Red QD (InP/ZnSe) / Red QD (InP/ZnSe) / ZnMgO / Al].
평가 3: 적색 발광 소자의 발광 및 수명 특성
실시예 1 및 비교예 1에 따른 적색 전계 발광 소자 각각에 대한 발광 특성을 평가하고, 그 결과를 표 1 및 도 10에 나타낸다.
| 최대 EQE [%] | 최대 휘도 [cd/m2] | EQE@5000nt [%] | EQE@10000nt [%] | EQE@50000nt [%] | 최대 광도 [cd/A] |
구동 전압@5mA [V] | 휘도@5mA [Cd/m2] | 피크 방출 파장 [nm] |
반치폭 [nm] |
|
| 실시예 1 | 9.9 | 104550 | 9.8 | 9.2 | 6.8 | 11.2 | 2.7 | 536 | 630 | 34 |
| 비교예 1 | 13.6 | 96020 | 13.0 | 11.7 | 6.7 | 15.8 | 2.9 | 773 | 630 | 35 |
도 10은 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 전압-전류밀도 그래프이다.표 1 및 도 10을 참조하면, 실시예 1에 따른 전계 발광 소자는 비교예 1과 비슷한 수준의 발광 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있으며, 특히 도 10의 결과로부터 비교예 1 대비 다소 낮은 구동 전압을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
따라서 표 1 및 도 10의 결과로부터, 이중 발광층에 포함되는 코어-쉘 양자점의 쉘 개수를 서로 다르게 조절함으로써 전계 발광 소자의 발광 특성, 특히 구동 전압을 낮추어 줄 수 있음을 알 수 있다.
한편, 실시예 1 및 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 수명 특성을 평가하고, 그 결과를 표 2 및 도 11 내지 도 12에 나타낸다.
| T95 [h] | T50 [h] | 전류 [mA] | Initial P. current [μA] | 초기 전압 [V] | |
| 실시예 1 | 8.34 | 248.9 | 0.409 | 6.061 | 3.2 |
| 비교예 1 | 1.39 | 165.7 | 0.289 | 5.815 | 3.3 |
표 2에서 T95와 T50은 각각 최초 휘도 대비 95 % (T95의 경우), 50 % (T50의 경우)의 휘도를 나타내게 되는 시점의 시간을 의미한다. 한편 표 2에서 Initial P. current란 소자 구동 시 발광한 광이 수광센서(포토다이오드)를 통해 전류로 변환되어 표기된 값으로서, 소자가 발광하는 광의 세기를 나타낸다. 즉, Initial P. current는 실시예들과 비교예에 따른 전계 발광 소자에 대하여 실질적으로 동일한 빛의 세기로 측정을 시작했다는 것을 의미한다.
도 11은 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 시간-휘도 그래프이고, 도 12는 실시예 1과 비교예 1에 따른 전계 발광 소자의 시간-전압 그래프이다.
표 2 및 도 11 내지 도 12를 참조하면, 실시예 1에 따른 전계 발광 소자는 비교예 1 대비 T95 및 T50 이 크게 향상된 것은 물론, 시간 변화에 따른 소자의 열화 (도 12 참조) 정도 또한 비교적 적은 것을 확인할 수 있다.
따라서 표 2 및 도 11 내지 도 12의 결과로부터, 이중 발광층에 포함되는 코어-쉘 양자점의 쉘 개수를 서로 다르게 조절함으로써 전계 발광 소자의 수명 특성을 크게 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
실시예 2
제1 전극(애노드)인 ITO (일함수: -4.850 eV)가 증착된 유리기판에 UV-오존으로 표면 처리를 15 분 간 수행한 후, PEDOT:PSS 용액 (HOMO 에너지 준위: -5.35 eV, LUMO 에너지 준위: -2.75 eV, H.C. Starks社)을 스핀 코팅하고 질소 분위기에서 150 ℃에서 30 분 간 열처리하여 두께 30 nm 내지 40 nm의 정공 주입층을 형성한다.
이후, 정공 주입층 위에 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일-코(4,4’-(N-4-부틸페닐)디페닐아민] (TFB, HOMO 에너지 준위: -5.56 eV, LUMO 에너지 준위: -2.69 eV, Sumitomo社)가 톨루엔에 용해된 용액을 정공 주입층 위에 스핀 코팅하고 150 ℃에서 30 분 간 열처리하여 두께 25 nm의 정공 수송층을 형성한다.
이어서 표면에 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착되어 있는 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 청색 양자점 (평균입경: 10 nm 내지 12 nm, 쉘 평균 두께: 9 nm, 피크 파장: 455 nm) 150 mg을 옥탄(octane) 10 mL에 넣고 5 분 동안 교반하여 제1 청색 발광층 형성용 조성물을 제조한다. 이후, 제1 청색 발광층 형성용 조성물을 정공 수송층 위에 스핀 코팅 후 80 ℃에서 30분 간 질소 분위기에서 열처리하여 두께 28 nm의 제1 청색 발광층을 형성한다.
이후, 제1 청색 발광층 위에 염화아연의 에탄올 용액 (농도: 10 mg/mL)을 적가하여 1 분간 반응시킴으로써 제1 청색 발광층의 양자점에 부착된 올레이트를 클로라이드로 치환한다. 이후, 제1 청색 발광층을 진공 조건에서 120 ℃, 30 분 간 건조한다.
한편, 표면에 소수성 리간드로 올레이트(oleate)가 부착되어 있는 ZnTeSe/ZnSe/ZnS 코어-이중 쉘 청색 양자점 (평균입경: 10 nm 내지 12 nm, 쉘 평균 두께: 5 nm, 피크 파장: 455 nm) 15 mg/mL을 10 mL에 넣고 5 분 동안 교반하여 제2 청색 발광층 형성용 조성물을 제조한다.
이후, 제2 청색 발광층 형성용 조성물을 제1 청색 발광층 위에 스핀 코팅 후 80 ℃에서 30분 간 질소 분위기에서 열처리하여 두께 13 nm의 제2 청색 발광층을 형성한다.
이어서 제2 청색 발광층 위에 ZnMgO(평균입경: 3 nm, HOMO 에너지 준위: -7.6 eV, LUMO 에너지 준위: -4.3 eV)가 에탄올에 분산되어 있는 전자 수송층 형성용 용액을 스핀 코팅하고 80 ℃에서 30분 간 열처리하여, 두께 20 nm 내지 25 nm 의 전자 수송층을 형성한다.
이어서 전자 수송층 위에 알루미늄(일함수: -4.3 eV) 100 nm를 진공 증착하여 제2 전극을 형성함으로써 실시예 2에 따른 전계 발광 소자를 제조한다 [ITO / PEDOT:PSS / TFB / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께: 9 nm) / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께: 5 nm) / ZnMgO / Al].
비교예 2
제2 청색 발광층 형성용 조성물 대신 제1 청색 발광층 형성용 조성물을 제1 청색 발광층 위에 한 차례 더 도포하여 제2 청색 발광층을 형성하는 것을 제외하고는 전술한 실시예 2와 동일한 과정을 거쳐 비교예 2에 따른 전계 발광 소자를 제조한다.
[ITO / PEDOT:PSS / TFB / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께: 9 nm) / Blue QD (ZnTeSe/ZnSe/ZnS, 쉘 두께: 9 nm)/ ZnMgO / Al].
평가 4: 청색 발광 소자의 발광 및 수명 특성
실시예 2 및 비교예 2에 따른 청색 전계 발광 소자 각각에 대한 발광 특성을 평가하고, 그 결과를 표 3 및 도 13 내지 도 14에 나타낸다.
| 최대 EQE [%] | 최대 휘도 [cd/m2] | EQE@1000nt [%] | EQE@5000nt [%] | EQE@10000nt [%] | 최대 광도 [cd/A] |
구동 전압@5mA [V] | 휘도@5mA [Cd/m2] | 전압@325nit [V] |
피크 방출 파장 [nm] |
반치폭 [nm] |
|
| 실시예 2 | 9.4 | 31010 | 9.2 | 7.7 | 6.8 | 7.1 | 3.1 | 352 | 3.0 | 455 | 24 |
| 비교예 2 | 8.0 | 24210 | 7.7 | 6.6 | 5.7 | 5.9 | 3.1 | 286 | 3.1 | 455 | 24 |
도 13은 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 전압-휘도 그래프이고, 도 14는 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 휘도-외부양자효율(EQE) 그래프이다.
표 3 및 도 13 내지 도 14를 참조하면, 실시예 2에 따른 전계 발광 소자는 비교예 2 대비 우수한 발광 특성, 구체적으로 외부양자효율, 휘도, 최대 광도 등이 모두 우수한 것을 확인할 수 있다.
따라서 표 3 및 도 13 내지 도 14의 결과로부터, 이중 발광층에 포함되는 코어-쉘 양자점의 쉘 두께를 서로 다르게 조절하더라도 전계 발광 소자의 발광 특성을 크게 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
한편, 실시예 2 및 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 수명 특성을 평가하고, 그 결과를 표 4 및 도 15 내지 도 16에 나타낸다.
| T95 [h] | T50 [h] | 전류 [mA] | Initial P. current [μA] | 초기 전압 [V] | 전압@T50 [V] | 초기 전압 - 전압@T50 [V] | |
| 실시예 2 | 3.93 | 42.4 | 0.232 | 3.080 | 3.0 | 3.8 | 0.8 |
| 비교예 2 | 2.57 | 17.7 | 0.270 | 3.055 | 3.1 | 4.3 | 1.2 |
표 4에서 T95, T50, 및 Initial P. current의 정의는 전술한 표 2와 동일하다. 도 15는 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 시간-휘도 그래프이고, 도 16은 실시예 2와 비교예 2에 따른 전계 발광 소자의 시간-전압 그래프이다.
표 4 및 도 15 내지 도 16을 참조하면, 실시예 2에 따른 전계 발광 소자는 비교예 2 대비 T95 및 T50 이 크게 향상된 것은 물론, 시간 변화에 따른 소자의 열화 (도 16 참조) 정도 또한 비교적 적은 것을 확인할 수 있다.
따라서 표 4 및 도 15 내지 도 16의 결과로부터, 이중 발광층에 포함되는 코어-쉘 양자점의 쉘 두께를 서로 다르게 조절하더라도 전계 발광 소자의 수명 특성을 크게 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
이상에서 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
10: 전계 발광 소자
100: 기판
110: 제1 전극 120: 정공 주입층
130: 정공 수송층 140: 발광층
141: 제1 발광층 141a: 제1 양자점
142: 제2 발광층 142a: 제2 양자점
150: 전자 수송층 160: 제2 전극
110: 제1 전극 120: 정공 주입층
130: 정공 수송층 140: 발광층
141: 제1 발광층 141a: 제1 양자점
142: 제2 발광층 142a: 제2 양자점
150: 전자 수송층 160: 제2 전극
Claims (20)
- 대향하는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치한 정공 수송층;
상기 정공 수송층과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 제1 양자점을 포함하는 제1 발광층, 및 상기 제1 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 제2 양자점을 포함하는 제2 발광층을 포함하는 발광층; 및
상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 전자 수송층을 포함하고,
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각은 제1광을 발광하며,
상기 제1 양자점 및 상기 제2 양자점 각각은 코어-쉘 구조를 가지되, 상기 제1 양자점과 상기 제2 양자점은 쉘 개수 및 쉘 두께 중 적어도 하나가 서로 다른 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 코어는 제1 반도체 나노결정을 포함하고,
상기 쉘은 상기 제1 반도체 나노결정과 다른 조성을 가지는 제2 반도체 나노결정을 포함하는 전계 발광 소자. - 제2항에 있어서,
상기 제1 반도체 나노결정 및 상기 제2 반도체 나노결정은, 각각 독립적으로, Cd을 포함하지 않는 II족-VI족 화합물, III족-V족 화합물, IV족- VI족 화합물, IV족 원소 또는 화합물, I족-III족-VI족 화합물, Cd을 포함하지 않는 I족-II족-IV족-VI족 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 양자점의 쉘 개수는 상기 제2 양자점의 쉘 개수보다 적은 전계 발광 소자. - 제4항에서,
상기 제1 양자점은 코어-단일 쉘 구조를 가지고, 상기 제2 양자점은 코어-다중 쉘 구조를 포함하는 전계 발광 소자. - 제4항에서,
상기 제1 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 및 단위면적 당 전자 수송 능력 각각은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 및 단위면적 당 전자 수송 능력 이상인 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 양자점의 쉘 두께는 상기 제2 양자점의 쉘 두께보다 큰 전계 발광 소자. - 제7항에서,
상기 제1 양자점의 쉘 두께는 1 nm 내지 15 nm이고, 상기 제2 양자점의 쉘 두께는 1 nm 내지 10 nm인 전계 발광 소자. - 제7항에서,
상기 제1 양자점 및 상기 제2 양자점 각각은 코어-다중 쉘 구조를 가지고,
상기 제1 양자점의 최외각 쉘의 두께는 상기 제2 양자점의 최외각 쉘의 두께보다 큰 전계 발광 소자. - 제7항에서,
상기 제1 양자점은 상기 제2 양자점보다 낮은 전자 수송성을 가지는 전계 발광 소자. - 제7항에서,
상기 제1 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 정공 수송 능력 이상이고,
상기 제1 양자점의 단위면적 당 전자 수송 능력은 상기 제2 양자점의 단위면적 당 전자 수송 능력 이하인 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1광은 380 nm 내지 489 nm 의 제1 파장영역, 490 nm 내지 510 nm 의 제2 파장영역, 511 nm 내지 581 nm 의 제3 파장영역, 582 nm 내지 610 nm 의 제4 파장영역, 611 nm 내지 680 nm 의 제5 파장영역 중 어느 하나에 속하는 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 양자점 및 상기 제2 양자점 각각의 표면에는 금속 할라이드로부터 유래한 화합물, 카르복시산으로부터 유래한 화합물, 티올로부터 유래한 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 리간드가 부착되어 있는 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각은 5 nm 내지 30 nm 의 평균 두께를 가지는 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 발광층의 평균 두께는 상기 제2 발광층의 평균 두께 이상인 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 정공 수송층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 유도체, 폴리(스티렌술포네이트) 유도체, 폴리-N-비닐카르바졸 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리메타크릴레이트 유도체, 폴리아릴아민 유도체, 폴리아닐린 유도체, 폴리피롤 유도체, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌) 유도체, 폴리(스파이로-비플루오렌) 유도체, 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민 (TCTA), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N-N'-디페닐-벤지딘 (NPB), 트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민 (m-MTDATA), 디피라지노 [2,3-f :2',3'-h]퀴녹살린-2,3,6,7,10,11-헥사카보니트릴 (HAT-CN), poly-TPD, NiO, MoO3, 또는 이들의 조합을 포함하는 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 전자 수송층은 무기물 나노입자, 퀴놀론계 화합물, 트리아진계 화합물, 퀴놀린계 화합물, 트리아졸계 화합물, 나프탈렌계 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 전계 발광 소자. - 제17항에서,
상기 전자 수송층은 무기물 나노입자로 이루어진 집합층을 포함하는 전계 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층을 더 포함하는 전계 발광 소자. - 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 전계 발광 소자를 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190123994A KR20210041373A (ko) | 2019-10-07 | 2019-10-07 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US17/062,162 US11424425B2 (en) | 2019-10-07 | 2020-10-02 | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
| US17/892,564 US11758746B2 (en) | 2019-10-07 | 2022-08-22 | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190123994A KR20210041373A (ko) | 2019-10-07 | 2019-10-07 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210041373A true KR20210041373A (ko) | 2021-04-15 |
Family
ID=75274488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190123994A KR20210041373A (ko) | 2019-10-07 | 2019-10-07 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11424425B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210041373A (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190123694A (ko) * | 2018-04-24 | 2019-11-01 | 삼성전자주식회사 | 발광막, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 발광 소자 |
| CN115835669A (zh) * | 2021-09-16 | 2023-03-21 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及显示装置 |
| CN115884615A (zh) * | 2021-09-26 | 2023-03-31 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件和显示面板 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827832A (ja) | 1981-08-12 | 1983-02-18 | Hino Motors Ltd | 排気ブレ−キ装置 |
| JPH042027Y2 (ko) | 1985-08-14 | 1992-01-23 | ||
| KR101072931B1 (ko) | 2007-05-29 | 2011-10-17 | 주식회사 신한은행 | 이종의 금융시스템 간 고객 병합 방법 |
| KR101577300B1 (ko) | 2008-10-28 | 2015-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| KR101140309B1 (ko) | 2009-01-09 | 2012-05-02 | 서울대학교산학협력단 | 양자점 다층 박막을 포함한 전기발광소자 |
| US8755953B2 (en) | 2012-05-21 | 2014-06-17 | The Boeing Company | Aircraft information management system |
| CN105684555B (zh) | 2013-10-17 | 2017-06-23 | 株式会社村田制作所 | 纳米粒子材料以及发光器件 |
| KR101695442B1 (ko) | 2015-01-29 | 2017-01-12 | 홍익대학교 산학협력단 | 황색 및 청색 양자점 이중층을 포함하는 백색 전기 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR20190029470A (ko) | 2017-09-12 | 2019-03-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치 |
| US11849594B2 (en) | 2017-09-12 | 2023-12-19 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum dot emitting diode and quantum dot display device including the same |
| KR102452648B1 (ko) | 2017-12-27 | 2022-10-06 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102611215B1 (ko) | 2018-03-12 | 2023-12-06 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자, 및 표시 장치 |
| US11005060B2 (en) | 2018-03-19 | 2021-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
-
2019
- 2019-10-07 KR KR1020190123994A patent/KR20210041373A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-10-02 US US17/062,162 patent/US11424425B2/en active Active
-
2022
- 2022-08-22 US US17/892,564 patent/US11758746B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220399516A1 (en) | 2022-12-15 |
| US20210104696A1 (en) | 2021-04-08 |
| US11758746B2 (en) | 2023-09-12 |
| US11424425B2 (en) | 2022-08-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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