CN110366771A - 半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

混合含有：包含掺杂物的化合物；用于溶解化合物的有机溶剂；溶解于有机溶剂并将粘性付与半导体掺杂物液体源的增粘剂；以及直径比掺杂物更大的无机粉末，增粘剂所具有的特性为：在将半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板的涂布面上时，通过粘性对沿涂布面的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔进行调整，从而调整掺杂物在涂布面上的分布，并且在加热至第一温度后，使其沉积在相邻的无机粉末之间，从而维持掺杂物在涂布面上的分布，无机粉末所具有的特性为：调整半导体基板之间的间隔在面方向上的分布，并且在将掺杂物加热至第二温度后，在将接合的半导体基板置于剥离液中时，通过维持半导体基板之间的间隔，从而使剥离液浸透在半导体基板之间。

Description

半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及 半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法。
背景技术
以往，在半导体装置的制造流程中有一种制造方法方法，其一边通过涂布头(Coater head)来使被放置在涂布头上的Si晶片旋转，一边通过喷嘴(Nozzle)从上方将掺杂物液体源下滴至Si晶片上。下滴在Si晶片上的液体源通过离心力最终被涂布在整个Si晶片上。并且，通过对涂布有液体源的Si晶片进行加热，就能够使掺杂物在Si晶片上热扩散。另外，为了一次性对大量的Si晶片进行处理，在使掺杂物热扩散时，会将涂布有液体源的多枚Si晶片进行叠层，并通过对叠层后的Si晶片统一进行解热，从而同时对多枚Si晶片进行热扩散。在热扩散结束后，通过将Si晶片的叠层体浸渍在氟酸中，从而从叠层体上将单枚Si晶片进行剥离。
但是，对于在确保掺杂物扩散的均匀性的同时，缩短半导体基板剥离所需要的时间从而来提升半导体装置的制造效率这一课题来说，以往并没有行之有效的技术方案被提出。
例如，在特开平11-176764号公报中，公开了一种含有掺杂物化合物以及有机粘合剂(Organic binder)的扩散用薄膜，在该技术方案中，有机粘合剂并不能够有利于掺杂物扩散的均匀性，而且，由于还必须要进行使薄膜溶融的工序，因此也无法提升制效率。所以，特开平11-176764号公报中所记载的技术方案与本发明下述所要记载的技术方案是完全不同的。
本发明的目的，是提供一种半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法，其能够在确保掺杂物扩散的均匀性的同时，缩短半导体基板剥离所需要的时间从而来提升半导体装置的制造效率。
发明内容
本发明的一种形态涉及的半导体掺杂物液体源，通过在被涂布在叠层后的多个半导体基板之间的状态下进行加热，从而在所述多个半导体基板上使掺杂物扩散，其特征在于：
混合含有：
包含所述掺杂物的化合物；
用于溶解所述化合物的有机溶剂；
溶解于所述有机溶剂，并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂；以及
直径比所述掺杂物更大的无机粉末，
其中，所述增粘剂所具有的特性为：
在将所述半导体掺杂物液体源涂布在所述半导体基板的涂布面上时，通过对所述半导体掺杂物液体源所付与的所述粘性，对沿所述涂布面的面方向上相邻的所述无机粉末之间的间隔进行调整，从而调整所述掺杂物在所述涂布面上的分布，并且
通过将所述半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度，从而使其伴随着所述有机溶剂的蒸发沉积在所述相邻的无机粉末之间，从而维持所述掺杂物在所述涂布面上的分布，
所述无机粉末所具有的特性为：
在将所述多个半导体基板叠层时，通过所述增粘剂来调整所述面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整所述多个半导体基板之间的间隔在所述面方向上的分布，并且
在将所述掺杂物加热至高于所述第一温度的，会生成所述掺杂物扩散供给源的第二温度后，在将通过以所述第二温度加热从而接合的所述多个半导体基板置于剥离液中时，通过维持所述多个半导体基板之间的间隔，使所述剥离液浸透在所述多个半导体基板之间。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
相对于所述半导体掺杂物液体源的整体而言，所述无机粉末的质量浓度低于所述增粘剂的质量浓度。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
相对于所述半导体掺杂物液体源的整体而言，所述无机粉末的质量浓度低于所述有机溶剂的质量浓度。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
所述剥离液为氟酸。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
所述无机粉末的主成分中含有从由Si、SiO2、SiC以及Si3N4所构成的群中选取的至少一种物质。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
所述增粘剂的主成分中含有纤维素或其衍生物。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
所述增粘剂的主成分中含有羟丙基纤维素。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
所述有机溶剂的主成分中含有乙醇、丙酮、或丙醇。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
所述化合物为硼酸以及乳酸铝。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
所述化合物为焦磷酸。
另外，在所述半导体掺杂物液体源中，可以是：
进一步含有水。
本发明的一种形态所涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法，包括：
混合液生成工序，生成混合有：包含所述掺杂物的化合物；用于溶解所述化合物的有机溶剂；以及溶解于所述有机溶剂，并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂的混合液；
保存工序，将所述混合液按预先设定时间在规定的气氛下进行保存以稳定所述混合液的粘性；以及
混合工序，在完成所述保存工序后，将直径比所述掺杂物更大的无机粉末混合到所述混合液中。
另外，在所述半导体掺杂物液体源的制造方法中，可以是：
进一步包括：搅拌工序，在进行所述保存工序之前对所述混合液进行搅拌。
本发明的一种形态所涉及的半导体装置的制造方法，包括：
涂布工序，在多个半导体基板上涂布权利要求1所述的半导体掺杂物液体源；
干燥工序，通过将涂布后的所述半导体掺杂物液体源加热至第一温度，从而使涂布后的所述半导体掺杂物液体源干燥；
叠层工序，将所述多个半导体基板叠层；
调整工序，在将所述多个半导体基板叠层时，通过所述无机粉末来调整所述多个半导体基板之间的间隔分布；
生成工序，通过将所述掺杂物加热至第二温度，从而生成所述掺杂物扩散供给源；以及
剥离工序，在将所述多个半导体基板浸渍在剥离液后，将通过所述第二温度加热后接合的所述多个半导体基板彼此剥离。
发明效果
本发明的一种形态所涉及的半导体掺杂物液体源，通过在被涂布在叠层后的多个半导体基板之间的状态下进行加热，从而在多个半导体基板上使掺杂物扩散，其特征在于：混合含有：包含掺杂物的化合物；用于溶解化合物的有机溶剂；溶解于有机溶剂，并将粘性付与半导体掺杂物液体源的增粘剂；以及直径比掺杂物更大的无机粉末，其中，增粘剂所具有的特性为：在将半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板的涂布面上时，通过对半导体掺杂物液体源所付与的粘性，对沿涂布面的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔进行调整，从而调整掺杂物在涂布面上的分布，并且通过将半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度，从而使其伴随着有机溶剂的蒸发沉积在相邻的无机粉末之间，从而维持掺杂物在涂布面上的分布，无机粉末所具有的特性为：在将多个半导体基板叠层时，通过增粘剂来调整面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整多个半导体基板之间的间隔在面方向上的分布，并且在将掺杂物加热至高于第一温度的，会生成掺杂物扩散供给源的第二温度后，在将通过以第二温度加热从而接合的多个半导体基板置于剥离液中时，通过维持多个半导体基板之间的间隔，使剥离液浸透在多个半导体基板之间。
像这样，通过本发明，在涂布半导体掺杂物液体源时，就能够通过增粘剂的粘性来调整掺杂物在涂布面上的分布，并且在将半导体掺杂物液体源加热至第一温度时，就能够使增粘剂沉积在相邻的无机粉末之间从而来维持掺杂物在涂布面上的分布，并且在将多个半导体基板叠层时，就能够通过增粘剂来调整面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整多个半导体基板之间的间隔在面方向上的分布，并且在将多个半导体基板置于剥离液中时，就能够通过依靠无机粉末来维持多个半导体基板之间的间隔，从而使剥离液浸透在多个半导体基板之间。
如上述般，本发明的半导体掺杂物液体源能够在确保掺杂物扩散的均匀性的同时，缩短半导体基板剥离所需要的时间从而来提升半导体装置的制造效率。
附图说明
图1是本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法的流程图。
图2是用于说明本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法中的P型半导体掺杂物液体源的制造方法的说明图。
图3是用于说明本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法中的N型半导体掺杂物液体源的制造方法的说明图。
图4是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的流程图。
图5是本实施方式涉及半导体装置的制造方法中，展示下滴工序的概略截面图。
图6是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图5后的，展示涂布工序的概略截面图。
图7是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图6后的，展示干燥工序的概略截面图。
图8是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图7后的，展示叠层工序的概略截面图。
图9是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图8后的，展示烧成工序的概略截面图。
图10是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，展示扩散流程中温度变迁的图表。
图11是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图9后的，展示沉积(Deposition)工序的概略截面图。
图12是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图11后的，展示扩散工序的概略截面图。
图13是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图12后的，展示浸渍工序的概略截面图。
图14是变形例涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图对本发明涉及的实施方式进行说明。以下所述的实施方式并不对本发明进行限定。另外，在实施方式所参照的附图中，同一部分或具有同样功能的部分使用同一符号或类似的符号来进行标示，并省去了对其重复的说明。
(半导体掺杂物液体源)
首先，对本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源进行说明。
本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源通过在被涂布在叠层后的多个半导体基板之间的状态下被进行加热，从而使掺杂物在多个半导体基板上扩散。像这样，通过使掺杂物在叠层状态下的多个半导体基板上扩散，就能够使掺杂物在多个半导体基板上同时进行扩散，这样一来，就能够高效地进行掺杂物扩散。
在半导体掺杂物液体源中，含有混合后的：含有掺杂物的化合物、用于溶解化合物的有机溶剂、溶解于有机溶剂并将粘性付与半导体掺杂物液体源的增粘剂、以及直径比掺杂物更大的无机粉末、半导体掺杂物液体源还可以进一步含有水。
当P型半导体掺杂物液体源在半导体基板上使P型掺杂物扩散时，作为掺杂物所含有的化合物，适合使用例如：硼酸、乳酸铝等。
当N型半导体掺杂物液体源在半导体基板上使N型掺杂物扩散时，作为掺杂物所含有的化合物，适合使用例如：焦磷酸等。
有机溶剂具有将含有掺杂物的化合物溶解的特性。作为具有这种特性的有机溶剂，适合使用例如：主要成分中含有乙醇、丙酮、或丙醇等成分的有机溶剂。
增粘剂具有溶解于有机溶剂，并将粘性付与半导体掺杂物液体源的特性。另外，增粘剂也具有：在将半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板的涂布面上时，通过将粘性付与半导体掺杂物液体源，从而在调整在沿涂布面的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔后，对掺杂物在涂布面上的分布进行调整的特性。增粘剂还具有：通过使半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度，伴随着有机溶剂的蒸发，使半导体掺杂物液体源沉积在相邻的无机粉末之间从而来维持掺杂物在涂布面上的分布的特性。
作为具有这种特性的增粘剂，适合使用例如主要成分中含有纤维素或其衍生物的增粘剂。而使用羟丙基纤维素来作为增粘剂则更为理想。
无机粉末具有：在将两个半导体基板叠层时，通过增粘剂来调整半导体基板的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整两个半导体基板之间的间隔的面方向上的分布的特性。
另外，无机粉末还具有：在将掺杂物加热至高于第一温度的，会生成掺杂物扩散供给源的第二温度后，在将通过第二温度加热从而接合的两个半导体基板置于剥离液中时，通过维持两个半导体基板之间的间隔，来使剥离液浸透在两个半导体基板之间的特性。
作为具有这种特性的无机粉末，适合使用例如主成分中含有从由Si、SiO2、SiC以及Si3N4构成的群中选取的至少一种物质的无机粉末。
另外，作为具有将通过无机粉末接合的半导体基板剥离的特性的剥离液，适合使用例如氟酸等液体。
(半导体掺杂物液体源的制造方法)
接着，将对用于制造已述的半导体掺杂物液体源的制造方法进行说明。
图1是本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法的流程图。
如图1所示，首先，生成将含有掺杂物的化合物、用于溶解该化合物的有机溶剂、以及溶解于有机溶剂，并将粘性付与半导体掺杂物液体源的增粘剂混合后的混合液(步骤S1)。
图2是用于说明本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法中的P型半导体掺杂物液体源的制造方法的说明图。
如图2所示，在生成P型半导体掺杂物液体源的混合液时，例如将粉末状的乳酸铝混合于水中，通过水浴使乳酸铝完全溶解于水，从而生成乳酸铝液。此时，如图2所示，通过一边搅拌一边水浴就能够缩短乳酸铝的溶解时间。相比有机溶剂，乳酸铝更加易溶解于水。通过在将乳酸铝溶解于易溶解的水后与有机溶剂混合，就能够正确地来生成混合液。
另外，如图2所示，将粉末状的硼酸混合于乙醇中，通过水浴使硼酸完全溶解于乙醇，从而生成硼酸液。此时，如图2所示，通过一边搅拌一边水浴就能够缩短硼酸的溶解时间。
并且，如图2所示，通过将乳酸铝液、硼酸液、有机溶剂、增粘剂混合，从而生成混合液。
图3是用于说明本实施方式涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法中的N型半导体掺杂物液体源的制造方法的说明图。
如图3所示，在生成N型半导体掺杂物液体源的混合液时，例如通过将焦磷酸、有机溶剂、增粘剂混合从而生成混合液。
在生成混合液后，如图1所示，为了使混合液的粘性稳定，将混合液按预先设定的时间在规定的气氛下进行保存(步骤S2)。
在将混合液保存后，将具有比掺杂物更大直径的无机粉末混合于混合液中(步骤S3)。这样，就能够得到半导体掺杂物液体源。
(半导体装置的制造方法)
接下来，对使用已述的半导体掺杂物液体源的半导体装置的制造方法进行说明。
图4是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的流程图。图5是本实施方式涉及半导体装置的制造方法中，展示下滴工序的概略截面图。
首先，如图4所示，将半导体掺杂物液体源下滴在半导体基板上(步骤S11)。例如，如图5所示，将半导体基板2载置在涂布头3上，并通过喷嘴4从上方将P型半导体掺杂物液体源1-P下滴在半导体基板2的涂布面2a上。并且，如图5所示，在P型半导体掺杂物液体源1-P中，含有混合后的P型掺杂物11-P、有机溶剂12、增粘剂13、以及无机粉末14。P型半导体掺杂物液体源1-P中可以进一步含有水和乙醇。半导体基板2例如为硅单结晶基板。半导体基板2上也可以是掺杂物已扩散。
在将半导体掺杂物液体源下滴后，如图4所示，将下滴的半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板上(步骤S12)。通过这样，在半导体基板上形成扩散源覆盖膜。图6是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图5后的，展示涂布工序的概略截面图。在涂布半导体掺杂物液体源时，例如，如图6所示，通过使涂布头3沿旋转方向r旋转，使半导体基板2的涂布面2a上的P型半导体掺杂物液体源1-P伴随载置在涂布头3上的半导体基板2一同旋转。P型半导体掺杂物液体源1-P会从涂布面2a的中心一侧向周围一侧流动，最终被涂布在整个涂布面2a上。
此时，依靠通过增粘剂13付与P型半导体掺杂物液体源1-P的粘性，就能够调整无机粉末14向半导体基板2的周围一侧移动的速度。通过这样，就能够调整沿涂布面2a的面方向d上的相邻的无机粉末14之间的间隔i。通过调整无机粉末14之间的间隔i，就能够调整P型掺杂物11-P在涂布面2a上的分布。例如，通过均匀地调整相邻的无机粉末14之间的间隔i，就能够均匀地调整P型掺杂物11-P在涂布面2a上的分布。
在涂布半导体掺杂物液体源后，如图4所示，使涂布在半导体基板上的半导体掺杂物液体源干燥(步骤S13)。图7是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图6后的，展示干燥工序的概略截面图。在对半导体掺杂物液体源进行干燥时，例如，如图7所示，将涂布有P型半导体掺杂物液体源1-P的半导体基板2载置在内置有发热体的烘烤板5上，并将烘烤板5加热至干燥温度(第一温度)。通过这样，有机溶剂和水就几乎被蒸发。另一方面，如图7所示，增粘剂13在被沉淀(即固化)后残留。通过增粘剂13沉淀，就能够通过增粘剂13来稳定地维持相邻无机粉末14之间的间隔i。通过这样，就能够维持P型掺杂物11-P在涂布面2a上的分布。
在使半导体掺杂物液体源干燥后，利用同样的工序(步骤S11～S13)，以半导体基板2的涂布面2a的相反侧的表面为新的涂布面，使用掺杂物的导电类型不同的半导体掺杂物液体源。
在使半导体基板正反两面的涂布面上的半导体掺杂物液体源干燥后，如图4所示，将多个半导体基板叠层(步骤S14)。图8是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图7后的，展示叠层工序的概略截面图。在将半导体基板叠层时，例如，如图8所示，将多个半导体基板2叠层，从而使相同导电类型的半导体掺杂物液体源的涂布面之间相向。在图8中，符号11-N表示N型掺杂物。
当相邻的无机粉末14之间的间隔未被调整时，因无机粉末14分布上的不均匀，可能会在局部出现半导体基板2之间不存在无机粉末14的部位。此情况下，在局部上不存在无机粉末14的部位上，就会因半导体基板2的重力导致半导体基板2之间的间隔变窄。这样一来，半导体基板2之间的间隔在面方向上就会变得不均匀，从而半导体基板2之间的掺杂物在面方向上的配置状态也会变得不均匀。其结果就是，难以维持掺杂物扩散的均匀性。相对于此，在本实施方式中，由于在面方向d上的相邻无机粉末14之间的间隔通过增粘剂13被调整，因此无机粉末14就能够调整多个半导体基板2之间的间隔在面方向上的分布。例如，无机粉末14能够将多个半导体基板2之间的间隔在面方向上的分布调整为均衡分布。
像这样，由于能够提高半导体基板2之间的间隔在面方向上的分布的均匀性，因此就能够提高半导体基板2之间的掺杂物在面方向上的配置均匀性。其结果就是，能够提高掺杂物扩散的均匀性。
在将半导体基板叠层后，如图4所示，实施将不需要的物质去除的烧成工序(步骤S15)。图9是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图8后的，展示烧成工序的概略截面图。图10是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，展示扩散流程中温度变迁的图表。在烧成工序中，例如，如图9所示，加工叠层后的半导体基板2按烧成温度进行加热后去除增粘剂13。具体来说，如图10所示，对叠层后的半导体基板2按固定的烧成温度Ta以及固定的时间t1来进行加热来啊去除增粘剂13。此时，由于咋爱P型半导体掺杂物液体源1-P涂布时已通过增粘剂3对无机粉末14之间的间隔进行了调整，因此就能够将P型掺杂物11-P尽量均匀地配置在半导体基板2的表面上。
在烧成后，如图4所示，实施将掺杂物玻璃化后生成扩散供给源的成绩沉积工序(步骤S16)。
图11是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图9后的，展示沉积工序的概略截面图。在沉积工序中，例如，如图11所示，通过将P型掺杂物11-P加热至沉积温度(第二温度)，从而将P型掺杂物11-P玻璃化后生成扩散供给源。具体来说，如图10所示，通过按照比烧成温度Ta更高的固定的沉积温度Tb，并以比烧成时间t1更长的时间t2，来对P型掺杂物11-P进行加热，从而将P型掺杂物11-P制作成扩散供给源。此时，P型掺杂物11-P会扩散至较浅的位置上。
此时，由于在P型半导体掺杂物液体源1-P涂布时，相邻无机粉末14之间的间隔已通过增粘剂13被调整，因此就能够将P型掺杂物11-P尽量均衡的配置在半导体基板2的表面上。这样一来，就能够使P型掺杂物11-P尽量均衡的扩散。这一点对于N型掺杂物11-N也是一样的。
另外，此时上下两块半导体基板2会被接合从而变为块体状态。
在实施沉积工序后，如图4所示，实施使掺杂物扩散至规定深度的扩散工序(步骤S17)。图12是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图11后的，展示扩散工序的概略截面图。在扩散工序中，例如，如图12所示，通过将P型掺杂物11-P加热至扩散温度，从而使P型掺杂物11-P扩散至规定的深度。具体来说，如图10所示，通过按照比沉积温度Tb更高的固定的扩散温度Tc，并以比沉积时间t2更长的时间t3，来对P型掺杂物11-P进行加热，从而使P型掺杂物11-P扩散至规定的深度。这一点对于N型掺杂物11-N也是一样的
在实施扩散工序后，如图4所示，将叠层后的半导体基板2浸渍在剥离液6中(步骤S18)。图13是本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，继图12后的，展示浸渍工序的概略截面图。在浸渍时，如图13所示，由于半导体基板2之间的间隔已通过无机粉末14来维持，因此剥离液6就能够从最外周的无机粉末14的部位轻松浸透至中心一侧。
通过这样，就能够促进半导体基板2之间的剥离从而缩短剥离时间。
在浸渍于剥离液后，如图4所示，将半导体基板2洗净，干燥后从叠层状态进行剥离(步骤S19)。
下面，将对本实施方式所具有的作用进行说明。
如上述般，本实施例涉及的半导体掺杂物液体源含有混合后的：含有掺杂物的化合物、用于溶解化合物的有机溶剂、溶解于有机溶剂并将粘性付与半导体掺杂物液体源的增粘剂、以及具有直径比掺杂物更大的无机粉末。增粘剂具有：在将半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板的涂布面上时，通过将粘性付与半导体掺杂物液体源，从而在调整在沿涂布面的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔后，对掺杂物在涂布面上的分布进行调整，并通过使半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度，伴随着有机溶剂的蒸发，使半导体掺杂物液体源沉积在相邻的无机粉末之间从而来维持掺杂物在涂布面上的分布的特性。另外，无机粉末还具有：在将多个半导体基板叠层时，通过增粘剂来调整半导体基板的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整多个半导体基板之间的间隔的面方向上的分布，并在将掺杂物加热至高于第一温度的，会生成掺杂物扩散供给源的第二温度后，在将通过第二温度加热从而接合的多个半导体基板置于剥离液中时，通过维持多个半导体基板之间的间隔，来使剥离液浸透在多个半导体基板之间的特性。
这样一来，根据本发明，就能够：在涂布半导体掺杂物液体源时，通过增粘剂的粘性来调整掺杂物在涂布面上的分布，在将半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度时，增粘剂被沉淀在相邻的无机粉末之间从而来维持掺杂物在涂布面上的分布，在将多个半导体基板叠层时，通过增粘剂的粘性来调整面方向上的无机粉末之间的间隔，从而来调整多个半导体基板之间的间隔的面方向上的分布，并在将多个半导体基板置于剥离液中时，通过维持多个半导体基板之间的间隔，来使剥离液浸透在多个半导体基板之间。
通过这样，就能够在确保掺杂物扩散的均匀性的同时，缩短半导体基板剥离所需的时间，从而提升半导体装置的制造效率。
另外，在掺杂薄膜中，为了避免因大量有机粘合剂(binder)所导致气体急剧产生后引发异常燃烧，有必要按固定温度对掺杂薄膜进行预焙。不过，在半导体掺杂物液体源中，由于使用了不会引发异常燃烧的有机溶剂，因此就不需要在烧成前进行预焙。这样一来，就能够压缩工序数量从而进一步提升制造效率。
(变形例)
除了上述实施例以外，本发明还能够适用多种变形例。
图14是变形例涉及的半导体掺杂物液体源的制造方法流程图。例如，如图14所示，在制造半导体掺杂物液体源时，可以在保存混合液之前对其进行搅拌(步骤S4)。通过搅拌混合液，就能够进一步稳定增粘剂的粘度。而通过稳定增粘剂的粘度，在制造半导体装置时，就能够更加有效地确保掺杂物扩散的均匀性。
另外，相对于半导体掺杂物液体源整体的无机粉末的质量浓度(wt％)可以低于相对于半导体掺杂物液体源整体的增粘剂的质量浓度(wt％)。此时，当无机粉末的质量浓度高于增粘剂的质量浓度时，由于增粘剂无法发挥合适的粘性从而导致半导体掺杂物液体源难以延展开，因此即便想要获得期望的粘性从而对增粘剂的材料进行选定，也很难正确地来调整增粘剂的粘度。相对于此，当无机粉末的质量浓度低于增粘剂的质量浓度时，由于增粘剂能够发挥合适的粘性，从而通过对增粘剂的材料进行选定，就能够正确地来调整增粘剂的粘度。
另外，相对于半导体掺杂物液体源整体的无机粉末的质量浓度可以低于相对于半导体掺杂物液体源整体的有机溶剂的质量浓度。此时，当无机粉末的质量浓度高于有机溶剂的质量浓度时，由于会显著有损半导体掺杂物液体源的流动性，因此即便增加对流动体付加粘性的增粘剂，也会因用于付与粘性的流动体(有机溶剂)过少，从而导致增粘剂无法发挥合适的粘性。因此，即便想要获得期望的粘性从而对增粘剂的材料进行选定，也很难正确地来调整增粘剂的粘度。相对于此，当无机粉末的质量浓度低于有机溶剂的质量浓度时，由于能确保用于付与粘性的足够的有机溶剂，因此增粘剂就能够发挥合适的粘性。这样一来，通过对增粘剂的材料进行选定，就能够正确地来调整增粘剂的粘度。
最后，虽然本行业人员也许能够根据上述记载，想到本发明的追加效果和各种变形，但本发明的形态并不被上述各实施方式所限定。可以将不同实施方式中的构成要素进行适宜地组合。并且可以在不脱离从本专利的权利要求所规定的内容以及等效物中所得到的本发明的概念性思想以及主旨的范围内进行各种追加、变更以及部分删除。
符号说明
1-P P型半导体掺杂物液体源
1-N N型半导体掺杂物液体源
11-P P型掺杂物
11-N N型掺杂物
12 有机溶剂
13 增粘剂
14 无机粉末

Claims (14)

1.一种半导体掺杂物液体源，通过在被涂布在叠层后的多个半导体基板之间的状态下进行加热，从而在所述多个半导体基板上使掺杂物扩散，其特征在于：
混合含有：
包含所述掺杂物的化合物；
用于溶解所述化合物的有机溶剂；
溶解于所述有机溶剂，并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂；以及
直径比所述掺杂物更大的无机粉末，
其中，所述增粘剂所具有的特性为：
在将所述半导体掺杂物液体源涂布在所述半导体基板的涂布面上时，通过对所述半导体掺杂物液体源所付与的所述粘性，对沿所述涂布面的面方向上相邻的所述无机粉末之间的间隔进行调整，从而调整所述掺杂物在所述涂布面上的分布，并且
通过将所述半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度，从而使其伴随着所述有机溶剂的蒸发沉积在所述相邻的无机粉末之间，从而维持所述掺杂物在所述涂布面上的分布，
所述无机粉末所具有的特性为：
在将所述多个半导体基板叠层时，通过所述增粘剂来调整所述面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整所述多个半导体基板之间的间隔在所述面方向上的分布，并且
在将所述掺杂物加热至高于所述第一温度的，会生成所述掺杂物扩散供给源的第二温度后，在将通过以所述第二温度加热从而接合的所述多个半导体基板置于剥离液中时，通过维持所述多个半导体基板之间的间隔，使所述剥离液浸透在所述多个半导体基板之间。
2.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，相对于所述半导体掺杂物液体源的整体而言，所述无机粉末的质量浓度低于所述增粘剂的质量浓度。
3.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，相对于所述半导体掺杂物液体源的整体而言，所述无机粉末的质量浓度低于所述有机溶剂的质量浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，所述剥离液为氟酸。
5.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，所述无机粉末的主成分中含有从由Si、SiO2、SiC以及Si3N4所构成的群中选取的至少一种物质。
6.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，所述增粘剂的主成分中含有纤维素或其衍生物。
7.根据权利要求6所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，所述增粘剂的主成分中含有羟丙基纤维素。
8.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，所述有机溶剂的主成分中含有乙醇、丙酮、或丙醇。
9.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，所述化合物为硼酸以及乳酸铝。
10.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，所述化合物为焦磷酸。
11.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：
其中，进一步含有水。
12.一种半导体掺杂物液体源的制造方法，用于制造权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于，包括：
混合液生成工序，生成混合有：包含所述掺杂物的化合物；用于溶解所述化合物的有机溶剂；以及溶解于所述有机溶剂，并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂的混合液；
保存工序，将所述混合液按预先设定时间在规定的气氛下进行保存以稳定所述混合液的粘性；以及
混合工序，在完成所述保存工序后，将直径比所述掺杂物更大的无机粉末混合到所述混合液中。
13.根据权利要求12所述的半导体掺杂物液体源的制造方法，其特征在于，进一步包括：
搅拌工序，在进行所述保存工序之前对所述混合液进行搅拌。
14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
涂布工序，在多个半导体基板上涂布权利要求1所述的半导体掺杂物液体源；
干燥工序，通过将涂布后的所述半导体掺杂物液体源加热至第一温度，从而使涂布后的所述半导体掺杂物液体源干燥；
叠层工序，将所述多个半导体基板叠层；
调整工序，在将所述多个半导体基板叠层时，通过所述无机粉末来调整所述多个半导体基板之间的间隔分布；
生成工序，通过将所述掺杂物加热至第二温度，从而生成所述掺杂物扩散供给源；以及
剥离工序，在将所述多个半导体基板浸渍在剥离液后，将通过所述第二温度加热后接合的所述多个半导体基板彼此剥离。
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