JP2013153062A - 基板処理装置及びこれに用いられる液供給装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御部21は、搬送部9を操作して、カセットステージ3からの基板Wに対して塗布部15において処理液を塗布させ、熱処理部19で汚染用物質を基板Wに付着させる。基板Wには汚染用物質を含む処理液を塗布して汚染用物質が付着されるので、ウェット工程における汚染を再現した評価用の基板Wを作製できる。また、処理液の塗布後に熱処理部19において基板Wに熱処理を施すので、ベーク処理を経た評価用の基板Wを作製できる。
【選択図】図1
Description
半導体製造には、大きく分けてドライ工程とウェット工程とがあり、その割合は現状ではおよそ1:1である。これらの工程においては、デバイス性能を悪化させ、歩留まりを低下させる原因となるパーティクルが付着する可能性が潜んでいる。しかしながら、従来の装置は、エアロゾルによりパーティクルを基板に付着させて評価用の基板を作製するので、ドライ状態でパーティクルを付着させた評価用基板しか作製できない。したがって、ウェット工程の評価に使用する評価用基板を作製することができないという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に対して汚染用物質を塗布する基板処理装置において、未処理の基板を供給するとともに、処理済の基板を収納する基板供給収納部と、汚染用物質を分散した処理液を供給する液供給部と、前記基板供給収納部から供給された基板に対して、前記液供給部から供給される処理液を塗布する塗布部と、処理液が塗布された基板を熱処理する熱処理部と、前記基板供給収納部と、前記塗布部と、前記熱処理部との間で基板を搬送する搬送部と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
3 … カセットステージ
3a,3b … 載置部
5 … インデクサ
7 … 基板受渡部
9 … 搬送部
11 … 洗浄部
13 … 測定部
15 … 塗布部
17 … 液供給装置
19 … 熱処理部
21 … 制御部
W … 基板
C … カセット
23 … 受け渡し台
25 … 搬送アーム
27 … ベークユニット
29 … クーリングユニット
51 … 分散槽
53 … 希釈槽
55 … 投入口
57 … 原液投入機構
101 … 回転板
103 … 駆動部
105 … 滴下機構
107 … 装着口
R、CR … ロボット
Claims (10)
- 基板に対して汚染用物質を塗布する基板処理装置において、
未処理の基板を供給するとともに、処理済の基板を収納する基板供給収納部と、
汚染用物質を分散した処理液を供給する液供給部と、
前記基板供給収納部から供給された基板に対して、前記液供給部から供給される処理液を塗布する塗布部と、
処理液が塗布された基板を熱処理する熱処理部と、
前記基板供給収納部と、前記塗布部と、前記熱処理部との間で基板を搬送する搬送部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
基板を洗浄する洗浄部と、
前記基板供給収納部から供給された基板を前記洗浄部で洗浄させた後、洗浄後の基板に対して前記塗布部で塗布を行わせる制御部と、をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
基板の汚染度を測定する測定部と、
前記塗布部で塗布を行わせる前に、基板の汚染度を前記測定部で測定させるとともに、前記塗布部で塗布を行わせた後に、基板の汚染度を前記測定部で測定させる制御部と、をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記塗布部での塗布後における前記測定部での測定の結果、基板の汚染度が目標値と不一致である場合には、前記洗浄部で基板を洗浄させ、前記液供給部の処理液を調製させて、前記測定部による測定及び前記塗布部による塗布を行わせることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記熱処理部は、基板を加熱する加熱部と、基板を冷却する冷却部とを備えていること を特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記液供給部は、液体に汚染用物質を分散させた分散液を貯留する分散槽と、前記分散槽で生成された分散液を希釈して処理液として貯留する希釈槽とを備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置において、
前記塗布部は、未処理の基板に処理液を供給する前に、待機位置において所定量の処理液を吐出するプリディスペンス部と、前記プリディスペンス部で吐出された処理液における汚染用物質の濃度を測定する濃度測定部とを備え、
前記液供給部は、前記濃度測定部における測定の結果が目標濃度と不一致である場合には、前記分散槽から前記希釈槽への分散液の補充または前記希釈槽への液体の補充により汚染用物質の濃度を調整することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6または7に記載の基板処理装置において、
前記分散槽は、
上部に形成された投入口と、
中心部にて鉛直軸周りに回転可能に構成され、中心部より外周側に複数個の挿入口を備えた回転板と、
前記回転板の各挿入口に設けられ、前記回転板の各挿入口の内周面を各挿入口の中心部に向かって伸縮させる滴下機構と、
前記回転板を回転させ、前記投入口にいずれかの挿入口を位置させる駆動部と、
をさらに備え、
汚染用物質を含む分散液の原液を貯留する原液容器を、その吐出口が前記挿入口の下方に向くように前記各挿入口に挿入しておき、
前記制御部は、所望の原液容器が前記投入口に位置するように前記駆動部を操作して移動させた状態で、前記滴下機構を操作して、前記分散槽に汚染用物質を含む分散液の原液を投入させることを特徴とする基板処理装置。 - 汚染用物質を含む処理液を基板に供給するための液供給装置において、
液体に汚染用物質を分散させた分散液を貯留する分散槽と、
前記分散槽で生成された分散液を希釈して処理液を貯留する希釈槽と、
前記希釈槽から基板に対して処理液を供給する供給手段と、
前記分散槽から前記希釈槽への分散液の補充または前記希釈槽への液体の補充により汚染用物質の濃度を調整する制御部と、
を備えていることを特徴とする液供給装置。 - 請求項9に記載の液供給装置において、
前記分散槽は、
上部に形成された投入口と、
中心部にて鉛直軸周りに回転可能に構成され、中心部より外周側に複数個の挿入口を備えた回転板と、
前記回転板の各挿入口に設けられ、前記回転板の各挿入口の内周面を各挿入口の中心部に向かって伸縮させる滴下機構と、
前記回転板を回転させ、前記投入口にいずれかの挿入口を位置させる駆動部と、
をさらに備え、
汚染用物質を含む分散液の原液を貯留する原液容器を、その吐出口が前記挿入口の下方に向くように前記各挿入口に挿入しておき、
前記制御部は、所望の原液容器が前記投入口に位置するように前記駆動部を操作して移動させた状態で、前記滴下機構を操作して、前記分散槽に汚染用物質を含む分散液の原液を投入させることを特徴とする液供給装置。
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