WO2013129109A1 - 評価用サンプル製造装置、評価用サンプル製造方法、および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

　評価用サンプル製造装置は、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する。評価用サンプル製造装置は、基板を保持する基板保持手段と、汚染物質を含有する汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の表面に付与する付与手段と、前記基板保持手段に保持されている基板と前記付与手段とを相対移動させる移動手段と、汚染液が付与されるべき基板表面の位置を規定する規定情報に基づいて前記移動手段を制御し、前記規定情報に規定された基板表面の位置に前記付与手段によって汚染液を選択的に付与させる制御装置とを含む。

Description

評価用サンプル製造装置、評価用サンプル製造方法、および基板処理装置

　この発明は、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置、評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法、および評価用サンプル製造装置を備えた基板処理装置に関する。より具体的には、汚染物質が付着した評価用サンプルとしての汚染基板を製造する評価用サンプル製造装置、特に、基板に付着した微粒子の除去性能を評価するために、基板に汚染物質を付着させて評価用の汚染基板を製造する技術および汚染物質を含む分散液を基板に供給する技術に関する。対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

　半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板からパーティクルなどの異物を除去する洗浄工程が基板処理装置によって行われる。基板処理装置の洗浄能力は、たとえば、予め汚染された評価用サンプルを洗浄することにより評価される。
　特許文献１に記載の標準粒子自動塗布機は、標準粒子希釈液に空気を供給して標準粒子をエアロゾル化するエアロゾル発生器と、内部に基板を配置可能な粒子付着槽とを備えている。この装置では、純水および標準粒子分散液を用いて、エアロゾル発生器内で標準粒子希釈液が生成される。その生成された標準粒子希釈液が、エアロゾル化され、さらに水分が除去されて、基板に供給される。これにより、表面検査機校正用の標準汚染基板や、洗浄装置評価用の標準汚染基板が作製される。

　また、特許文献２に記載の方法では、微粒子分散液が調製され、この微粒子分散液がピペットで一定量だけ取り出され、この微粒子分散液が基板の表面にピペットで分割して配置される。さらに、この方法では、微粒子分散液が配置された基板が加熱されて、微粒子分散液の溶媒が蒸発させられる。これにより、評価用基板が作製される。
　特許文献２の方法では、基板の表面に不均一なパターンで微粒子が付着させられるので、微粒子が付着していない部分を基板の洗浄前および洗浄後に観察することで、予期せぬ事象で微粒子が付着する二次汚染を判定することができる。したがって、作製された評価用基板を、洗浄工程を行う基板処理装置で処理することにより、基板処理装置を適切に評価できる。

特開平７-３３５５１５号公報 特開平９-２６６１８９号公報

　半導体装置などの製造工程では、基板を種々の保持部材によって保持して搬送することが一般的である。そのため、基板と保持部材との接触によってパーティクルが発生し、さらに、そのパーティクルが基板と保持部材との接触部に残留することが多い。接触部に残留したパーティクルは、基板処理工程中のウェット工程に用いられる液の流れなどにより、特徴的な模様（特異モード）を基板に形成する。

　図１２Ａおよび図１２Ｂは、基板を処理液槽中の処理液に浸漬させて処理する場合に生じる特異モードの代表例を示している。このような浸漬処理は、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置において行われることが多い。図１２Ａは、基板下部を３つのガイドによって支持することによって発生したパーティクルが、処理液槽内での液の上昇流（アップフロー）に沿って上方向に漂ったために形成された特異モードを示している。また、図１２Ｂは、幅広の保持部によって基板を支持することによって発生したパーティクルが、処理液槽内での液の上昇流の影響により、接触部付近の広範囲に広がったために形成された特異モードを示している。このように、バッチ式の基板処理装置では、基板の表面または裏面を横切る複数の線によって構成された汚染パターンが形成される場合がある。

　一方、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、基板の周縁部（ベベル部）にリング状の汚染パターン（特異モード）が形成される場合がある。
　基板処理装置の洗浄能力は、実際の処理基板に形成される汚染パターンに近い汚染パターンが形成されたサンプル基板を用いて評価されることが好ましい。
　しかしながら、特許文献１および特許文献２の従来技術では、任意の汚染パターン（汚染部分の形状）を基板上に形成することができない。したがって、上記の従来技術は、前述の例によって代表される特異モードが再現された評価用サンプル基板を製造することができない。そのため、従来では、汚染物質が均一に分布した評価用のサンプル基板を用いて、半導体洗浄装置等の基板処理装置の性能評価を擬似的に行っていた。

　そこで、本発明の目的は、任意の汚染パターンを基板上に形成できる評価用サンプル製造装置、評価用サンプル製造方法、および基板処理装置を提供することである。

　前記目的を達成するため、この発明は、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置を提供する。この装置は、基板を保持する基板保持手段と、汚染物質を含有する汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の表面に付与する付与手段と、前記基板保持手段に保持されている基板と前記付与手段とを相対移動させる移動手段と、汚染液が付与されるべき基板表面の位置を規定する規定情報に基づいて前記移動手段を制御し、前記規定情報に規定された基板表面の位置に前記付与手段によって汚染液を選択的に付与させる制御装置とを含む。この構成によれば、規定情報に基づいて、基板表面上の任意の位置に汚染物質を付与することが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記付与手段は、溶媒中に汚染物質が分散した汚染液の液滴を前記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて噴出することにより、汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与ノズルを含むことが好ましい。この場合、前記制御装置が、さらに前記規定情報に基づいて前記付与ノズルを制御することが好ましい。この構成によれば、基板上に簡便に汚染物質を付与することができる。

　この発明の一実施形態では、前記評価用サンプル製造装置は、基板に付着している汚染物質の位置を測定する汚染状態測定手段をさらに含む。そして、前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて前記規定情報を生成する。この構成によれば、汚染物質が付着した基板と同じ位置に汚染物質が付与された評価用の汚染基板（評価用サンプル）を製造することができる。

　この発明の一実施形態では、前記付与手段は、含有する汚染物質の大きさがそれぞれ異なる複数種の汚染液を前記基板の表面にそれぞれ付与する複数の汚染液付与手段を含む。そして、前記汚染状態測定手段は、基板に付着している汚染物質の位置および大きさを測定し、前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて、前記汚染液が付与されるべき基板表面の位置と前記汚染液に含まれる汚染物質の大きさとを規定する前記規定情報を生成し、前記規定情報に規定された基板表面の位置に前記規定情報に規定された大きさの汚染物質を含む汚染液を前記付与手段によって付与させる。この構成によれば、位置および大きさの異なる汚染を基板表面付与して、評価用サンプルを作製することができる。

　この発明の一実施形態では、前記評価用サンプル基板製造装置は、前記付与手段によって汚染液が付与される基板を、汚染液の付与前に洗浄する洗浄ユニットをさらに含む。この構成によれば、汚染液が付与される前に基板が洗浄されるので、汚染液が付与される前の基板の状態によらずに、安定した品質の評価用の汚染基板（評価用サンプル）を製造することができる。

　この発明の一実施形態では、前記付与手段によって汚染液が付与された基板を熱処理する熱処理ユニットをさらに含む。より具体的には、前記熱処理ユニットは、前記基板を加熱および冷却することが好ましい。この構成によれば、評価用の汚染基板（評価用サンプル）に対する汚染物質の密着度を安定させることができる。
　この発明の一実施形態では、前記付与手段が、汚染物質を含有する汚染液を保持可能で、かつ基板よりも柔らかい塗布部材を含む。そして、前記制御装置が、前記移動手段によって前記塗布部材を移動させることにより、前記規定情報に規定された基板表面の位置に、前記塗布部材を接触させる。

　また、この発明は、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置であって、基板を保持する基板保持手段と、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材と、前記塗布部材を移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる移動手段とを含む、評価用サンプル製造装置を提供する。

　この構成によれば、汚染液を保持している塗布部材が、移動手段によって、基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる。塗布部材が基板よりも柔らかいので、塗布部材が基板に押し付けられると、塗布部材が基板に密着し、塗布部材に保持されている汚染液が基板の一部に塗布される。移動手段は、基板内の任意の位置に塗布部材を接触させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置は、基板ごとに汚染位置を変更できる。さらに、移動手段は、塗布部材を基板に接触させた状態で塗布部材を基板に沿って移動させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置は、任意の汚染パターンを基板上に形成できる。

　この発明の一実施形態では、前記評価用サンプル製造装置は、前記基板保持手段に保持されている基板に対する前記塗布部材の押付圧を変更する押付圧変更手段をさらに含む。この構成によれば、基板に対する塗布部材の押付圧が、押付圧変更手段によって変更される。塗布部材に保持されている汚染液は、塗布部材と基板とに挟まれて、基板に押し付けられる。押付圧が強いと、基板に対する汚染液の付着力が強くなり、押付圧が弱いと、基板に対する汚染液の付着力が弱くなる。したがって、押付圧変更手段は、押付圧を変更することにより、基板に対する汚染液の付着力を変更できる。

　前記塗布部材は、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいブラシを含んでいてもよいし、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいスポンジを含んでいてもよい。いずれの場合においても、前記塗布部材は、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる平坦な先端部を含んでいてもよいし、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる先細りの先端部を含んでいてもよい。

　塗布部材と基板との接触面積は、基板に対する塗布部材の押付圧に伴って変化する。ブラシは、スポンジよりも広がり易いので、塗布部材がブラシを含む場合には、塗布部材と基板との接触面積、すなわち、塗布面積を容易に変化させることができる。また、スポンジは、ブラシよりも吸水性が高いので、塗布部材がスポンジを含む場合には、より多くの汚染液を保持できる。また、塗布部材の先端部が平坦である場合には、塗布部材の先端部が先細りである場合よりも広い面積に汚染液を一度で塗布できる。一方、塗布部材の先端部が先細りである場合には、塗布部材の先端部が平坦である場合よりも精密に汚染液を基板に塗布できる。

　この発明は、さらに、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法であって、基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、汚染物質を含有する汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の表面に付与する付与手段と前記基板保持手段に保持されている基板とを、汚染液が付与されるべき基板表面の位置を規定する規定情報に基づき、移動手段によって相対移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に選択的に汚染液を付与する汚染液付与工程とを含む、評価用サンプル製造方法を提供する。

　この発明の一実施形態では、前記付与手段は、溶媒中に汚染物質が分散した汚染液の液滴を前記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて噴出することにより、汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与ノズルを含み、前記汚染液付与工程が、前記規定情報に基づいて前記付与ノズルを作動させる工程を含む。
　また、この発明の一実施形態では、前記汚染液付与工程が、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材を前記移動手段によって移動させることにより、前記規定情報に規定された基板表面の位置に、前記塗布部材を接触させる接触工程を含む。

　この発明は、さらに、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法であって、基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、前記基板保持工程と並行して、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材を移動手段によって移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる接触工程とを含む、評価用サンプル製造方法を提供する。

　さらに、この発明は、前述のような特徴を有する評価用サンプル製造装置と、前記評価用サンプル製造装置によって製造された評価用サンプルとしての基板を洗浄する洗浄ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。この構成によれば、評価用サンプル製造装置によって製造された評価用サンプルとしての基板が、洗浄ユニットによって洗浄される。したがって、評価用サンプルの製造と評価用サンプルの洗浄とを同一の装置内で実行できる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記洗浄ユニットによって基板が洗浄される前および洗浄された後の少なくとも一方で前記基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段をさらに含む。この構成によれば、洗浄ユニットによって基板が洗浄される前および洗浄された後の少なくとも一方で、基板の汚染状態が汚染状態測定手段によって測定される。したがって、評価用サンプルの製造と評価用サンプルの洗浄と基板の汚染状態の測定とを同一の装置内で実行できる。そのため、評価サンプルの製造と基板処理装置の洗浄能力の評価とを同一の装置内で実行できる。

　本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

本発明の一実施形態に係る評価用サンプル製造装置の概略構成を示す平面図である。 前記装置に備えられた洗浄ユニットの概略構成を示す図である。 前記装置に備えられた付与ユニットの概略構成を示す平面図である。 前記付与ユニットの概略構成を示す正面図である。 前記装置に備えられた汚染状態測定ユニットの概略構成を示す平面図である。 前記汚染状態測定ユニットの概略構成を示す正面図である。 評価用サンプル基板を製造するための処理の流れの一例を示すフロー図である。 汚染状態測定ユニットの測定値に基づいて規定情報を生成するときの流れを示すフロー図である。 本発明の他の実施形態に係る評価用サンプル製造装置の模式図である。 前記装置に備えることができる塗布部材の一例を示す模式的な側面図である。 前記装置に備えることができる塗布部材の一例を示す模式的な側面図である。 前記装置に備えることができる塗布部材の一例を示す模式的な側面図である。 前記装置に備えることができる塗布部材の一例を示す模式的な側面図である。 前記装置に備えることができる塗布部材の一例を示す模式的な側面図である。 汚染液によって基板に描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。 汚染液によって基板に描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。 汚染液によって基板に描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。 評価用サンプルを製造し、基板処理装置の洗浄能力を評価するときのフローの一例を示す工程図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置の模式的な平面図である。 特異モードの代表例を示す図である。 特異モードの代表例を示す図である。

　以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る評価用サンプル製造装置１の概略構成を示す平面図である。
　評価用サンプル製造装置１は、キャリア保持部２と、基板受渡部３と、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、汚染状態測定ユニット５と、洗浄ユニット６と、付与ユニット７と、熱処理ユニット８と、制御装置１０とを備えている。

　キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを積層して収容可能な収容器である。キャリアＣは、未処理の基板Ｗや、処理済の基板Ｗを収容し、その状態で複数枚の基板Ｗと共に、各工程を行う装置に搬送される。評価用サンプル製造装置１は、キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出して、その表面に汚染物質を付着させることにより、評価用サンプルとしての処理済基板Ｗ（評価用サンプル基板）を作製する。評価用サンプル基板は、洗浄工程を実行する基板処理装置に搬送されて処理され、その基板処理装置の評価のために利用される。

　キャリア保持部２は、複数のキャリアＣを支持する。キャリア保持部２に載置されたキャリアＣ内の未処理の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによって、基板受渡部３に搬送される。また、処理済の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによって、基板受渡部３からキャリア保持部２に載置された空のキャリアＣ内に搬送される。
　基板受渡部３は、基板Ｗを一時的に保管するパス３２を備えている。基板搬送ロボットとしてのインデクサロボットＩＲは、キャリア保持部２に載置されたキャリアＣから未処理の基板Ｗを受け取り、パス３２に載置する。パス３２は、複数枚の基板Ｗを一時的に保管するバッファとして機能する。処理済の基板Ｗは、基板搬送ロボットとしてのセンターロボットＣＲによってパス３２に戻される。パス３２に戻された処理済の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによってキャリア保持部２に載置されたキャリアＣ内に収容される。

　図１において破線の矢印で概念的に示すように、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを保持した状態で旋回および進退自在のアームにより、基板Ｗを任意の位置に搬送することが可能である。図示は省略しているが、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを保持した状態で上下方向に昇降自在となっている。
　図１において破線の矢印で概念的に示すように、センターロボットＣＲは、基板Ｗを保持した状態で旋回および進退自在のアームにより、基板Ｗを任意の位置に搬送することが可能である。センターロボットＣＲは、この動作により、基板受渡部３のパス３２に載置された基板Ｗを保持し、汚染状態測定ユニット５、洗浄ユニット６、付与ユニット７、および熱処理ユニット８に対して基板Ｗを渡す。

　洗浄ユニット６は、センターロボットＣＲから未処理の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗに対して洗浄処理を行うユニットである。図２は、洗浄ユニット６の概略構成を示す図である。センターロボットＣＲから渡された未処理の基板Ｗは、洗浄ユニット６に設けられたスピンチャックのスピンベース６２によって保持される。スピンベース６２は、基板Ｗの裏面を吸着する図示しない吸引穴を備えており、基板Ｗを水平な姿勢で保持することが可能である。スピンベース６２は、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線を中心に回転可能である。スピンチャックのスピンモータ６１は、スピンベース６２が基板Ｗを保持している状態で、スピンベース６２および基板Ｗを回転軸線まわりに回転させる。その結果、基板Ｗは、回転軸線を中心として水平面内で回転する。

　なお、スピンチャックは、基板Ｗの裏面を吸着する構成に限らず、基板Ｗの周縁部に複数の挟持部材を接触させることにより、基板Ｗを挟持する構成であってもよい。
　基板Ｗがスピンベース６２に保持された後、基板Ｗの上方には、洗浄液を供給する洗浄液供給機構６５（たとえば、洗浄液ノズル）が配置される。洗浄液供給機構６５から回転状態の基板Ｗに向けて洗浄液が供給されることにより、基板Ｗの表面が洗浄される。洗浄処理は、洗浄液ノズルからの洗浄液の供給に限らず、ブラシなどによって物理力を基板Ｗの処理面（表面または裏面）に作用させることにより行われてもよい。

　基板Ｗ上に供給された洗浄液は、基板Ｗの回転により基板Ｗの周囲に振り切られ、カップ６３により回収される。カップ６３に回収された洗浄液は図示しない排液装置によって排液される。洗浄液供給機構６５からの洗浄液の供給が停止された後は、スピンチャックが基板Ｗを高速回転させる。これにより、基板Ｗの上面に残留した洗浄液が除去され、基板Ｗが乾燥する。このようにして、基板Ｗを乾燥させる乾燥処理が行われ、基板Ｗの洗浄処理が完了する。そして、洗浄された基板Ｗは、センターロボットＣＲによって、付与ユニット７に搬送される。

　付与ユニット７は、洗浄された基板Ｗの処理面のうち、一部の領域に対して、汚染物質を塗布するユニットである。図３Ａは、付与ユニット７の概略構成を示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａの構成を矢印IIIＢ方向に見た正面図である。付与ユニット７は、ベース７１、ガントリー７２、および複数の付与ノズル７５を備えている。ベース７１は、付与ユニット７の底部に位置する、たとえば御影石によって作られた定盤である。ベース７１上には、ガイドレール７１２を介して、基板Ｗを保持するためのテーブル７１１が配設されている。テーブル７１１は、ガイドレール７１２によって、ベース７１の上面と平行な水平方向に設定された基板移動方向（図３Ａの上下方向）に案内される。したがって、テーブル７１１は、ベース７１の上面と平行な基板移動方向に移動可能である。テーブル７１１は、駆動機構Ｄ７１に接続されている。駆動機構Ｄ７１は、制御装置１０からの指示に応じて、テーブル７１１をベース７１に対して基板移動方向（図３Ａの上下方向）の任意の位置に移動させる。

　テーブル７１１の内部には、ヒーター７１５が埋設されている。そのため、制御装置１０は、基板Ｗの温度を任意の温度（たとえば８０℃など）に設定することが可能である。さらに、テーブル７１１の上面には、図示省略の吸引穴が複数形成されている。テーブル７１１は、センターロボットＣＲによって渡された基板Ｗを吸引穴で吸引することにより水平な姿勢で保持する。制御装置１０が駆動機構Ｄ７１を駆動すると、基板Ｗとテーブル７１１とは、ベース７１の上面に対して平行に一体移動する。そのため、制御装置１０は、基板Ｗおよびテーブル７１１を基板移動方向の任意の位置に配置できる。

　ベース７１の上方には、ガントリー７２が配設されている。ガントリー７２は、正面視（図３Ｂ参照）においてテーブル７１１を囲む形状を有しており、アルミの鋳物により形成された構造体である。ガントリー７２は、平面視において、ガイドレール７１２と交差する方向（より具体的には直交する方向）に延びている。ガントリー７２とベース７１とは、上下方向に離れている。そのため、テーブル７１１は、ガントリー７２によって形成された空間を通過して、ベース７１上を移動することが可能である。

　ガントリー７２には、ガイドレール７２２を介して走査部７２１が配設されている。走査部７２１は、ノズル７５を保持した状態で、ガイドレール７２２によって、ガントリー７２の長手方向と平行な水平方向（図３Ｂの左右方向）に設定されたノズル移動方向に案内される。すなわち、ガイドレール７２２は、ノズル移動方向に延びており、平面視においてガイドレール７１２と交差（より具体的には直交）している。つまり、ガイドレール７１２，７２２はねじれの位置の関係にあり、基板移動方向とノズル移動方向とは直交している。走査部７２１は、ガイドレール７２２に案内されることによって、ノズル移動方向に移動可能である。また、走査部７２１は、駆動機構Ｄ７２に接続されている。駆動機構Ｄ７２は、制御装置１０からの指示に応じて、走査部７２１をガントリー７２に対してノズル移動方向（図３Ｂの左右方向）の任意の位置に移動させる。

　走査部７２１には、複数の付与ノズル７５が保持されている。図３Ｂは、４個の付与ノズル７５が走査部７２１に搭載されている例を示している。付与ノズル７５の数は、１個であってもよいし、２個または３個であってもよい。５個以上の付与ノズル７５が、走査部７２１に搭載されていてもよい。
　各付与ノズル７５は、たとえば、圧電素子によって汚染液に振動を加えることにより、汚染液の液滴を噴射するインクジェットノズルである。各付与ノズル７５は、溶媒中に汚染物質が分散した汚染液を基板Ｗに向けてインクジェット方式で吐出する吐出穴７５１を有している。吐出穴７５１は、基板Ｗに対向する付与ノズル７５の下面に形成されている。各付与ノズル７５内には、汚染液を貯留する貯留機構７５２が内蔵されている。各貯留機構７５２は、吐出穴７５１と付与ノズル７５の内部で連通している。汚染液は、供給装置としての貯留機構７５２から付与ノズル７５に供給される。

　制御装置１０は、複数の付与ノズル７５の一つ以上を選択する。そして、制御装置１０は、汚染液としての汚染液を貯留機構７５２によって吐出穴７５１に供給させ、選択した付与ノズル７５の吐出穴７５１から汚染液の液滴を下向きに噴出させる。付与ノズル７５の下面で開口する吐出穴７５１は、基板Ｗの処理面と所定の間隙（たとえば５ｍｍ）を空けて対向しているため、吐出穴７５１から吐出された汚染液は、基板Ｗの一部の領域に付着する。付与ノズル７５から基板Ｗ上に供給された汚染液は、基板Ｗ上でその溶媒成分が蒸発することにより、汚染物質が基板Ｗ上に残留する。

　汚染物質としては、たとえば、ポリスチレンラテックス（ＰＳＬ：ＰｏｌｙＳｔｙｒｅｎｅ Ｌａｔｅｘ）や、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（ＳｉＮ）の微粒子が挙げられる。特に、ＰＳＬは、標準粒子として広く用いられているので、入手しやすく好適である。これらの汚染物質が溶媒中に分散されることにより、汚染液が調製されている。
　制御装置１０は、駆動機構Ｄ７１を制御することにより、ベース７１に沿って基板移動方向（図３Ａの上下方向）に基板Ｗを移動させる。さらに、制御装置１０は、駆動機構Ｄ７２を制御することにより、ガントリー７２に沿ってノズル移動方向（図３Ｂの左右方向）に付与ノズル７５を移動させる。駆動機構Ｄ７１および駆動機構Ｄ７２は、制御装置１０の指示に応じて、付与ノズル７５および基板Ｗを相対移動させる移動ユニットとして機能する。制御装置１０は、駆動機構Ｄ７１および駆動機構Ｄ７２を制御することにより、付与ノズル７５を基板Ｗの処理面の任意の位置に対向させることができる。したがって、制御装置１０は、基板Ｗの処理面内の任意の位置に汚染液を供給することができる。後述するように、制御装置１０は、内蔵の記憶装置または外部接続された記憶装置に記憶された規定情報に基づいて、基板Ｗに対する汚染液の供給を行う。

　熱処理ユニット８は、付与ユニット７により汚染物質が付与された基板Ｗに対して熱処理を施すユニットである。図示はしないが、熱処理ユニット８は、上下に積層されたベークユニット（bake unit）およびクーリングユニットを備えている。ベークユニットは、基板Ｗを所定の温度まで加熱する。所定の温度とは、たとえば、１００℃～１４０℃程度の範囲内の温度であり、好ましくは１１０℃程度である。但し、基板Ｗに付着した汚染物質の除去率が加熱温度によって変わるので、汚染物質の種類に応じて適宜に異なる温度で加熱したり、評価対象の洗浄方法や洗浄装置に応じて適宜に異なる温度で加熱したりすることが好ましい。クーリングユニットは、ベークユニットで昇温された基板Ｗを所定の温度まで冷却する。所定の温度とは、たとえば、常温（２５℃程度）である。

　汚染状態測定ユニット５は、汚染物質の位置、大きさ、および個数を含む基板Ｗの汚染状態を測定する汚染状態測定装置である。図４Ａは、汚染状態測定ユニット５の概略構成を示す図であり、図４Ｂは図４Ａの構成を矢印IVＢ方向から見た正面図である。汚染状態測定ユニット５は、ベース５１、ガントリー５２、および画像取得装置５５を備えている。ベース５１は、汚染状態測定ユニット５の底部に位置する、たとえば御影石によって作られた定盤である。ベース５１上には、ガイドレール５１２を介して、基板Ｗを保持するテーブル５１１が配設されている。テーブル５１１は、ガイドレール５１２によって、ベース５１の上面と平行な水平方向（図４Ａの上下方向）に設定された基板移動方向に案内される。したがって、テーブル５１１は、ベース５１の上面と平行な基板移動方向に移動可能である。また、テーブル５１１は、駆動機構Ｄ５２に接続されている。駆動機構Ｄ５２は、制御装置１０からの指示に応じて、テーブル５１１をベース５１に対して基板移動方向（図４Ａの上下方向）の任意の位置に移動させる。

　また、テーブル５１１の上面には、図示省略の吸引穴が複数形成されている。テーブル５１１は、センターロボットＣＲによって渡された基板Ｗを吸引穴で吸引することにより水平な姿勢で保持する。制御装置１０が駆動機構Ｄ５１を駆動すると、基板Ｗとテーブル５１１とは、ベース５１の上面に対して平行に一体移動する。そのため、制御装置１０は、基板Ｗとテーブル５１１を基板移動方向の任意の位置に配置できる。

　また、ベース５１の上方には、ガントリー５２が配設されている。ガントリー５２は、正面視（図４Ｂ参照）においてテーブル５１１を囲む形状を有しており、アルミの鋳物により形成された構造体である。ガントリー５２は、平面視において、ガイドレール５１２と交差する方向（より具体的には直交する方向）に延びている。ガントリー５２とベース５１とは、上下方向に離れている。そのため、テーブル５１１は、ガントリー５２によって形成された空間を通過して、ベース５１上を移動することが可能である。

　ガントリー５２には、ガイドレール５２２を介して走査部５２１が配設されている。走査部５２１は、画像取得装置５５を保持した状態で、ガイドレール５２２によって、ガントリー５２の長手方向と平行な水平方向（図４Ｂの左右方向）に設定されたカメラ移動方向に案内される。すなわち、ガイドレール５２２は、カメラ移動方向に延びており、平面視においてガイドレール５１２と交差（より具体的には直交）している。つまり、ガイドレール５１２，５２２はねじれの位置の関係にあり、基板移動方向とカメラ移動方向とは直交している。走査部５２１は、ガイドレール７２２に案内されることによって、カメラ移動方向に移動可能である。また、走査部５２１は、駆動機構Ｄ５２に接続されている。駆動機構Ｄ５２は、制御装置１０からの指示に応じて、走査部５２１をガントリー５２に対してカメラ移動方向（図４Ｂの左右方向）の任意の位置に移動させる。

　走査部５２１には、画像取得装置５５が保持されている。画像取得装置５５は、ＣＣＤ（charge coupled device）カメラなどの光学機器を用いて画像を取得し、取得した画像のデータを制御装置１０に送信する。画像取得装置５５は、ＣＣＤカメラに限らず、たとえば、レーザー散乱方式の表面検査機を用いて、基板Ｗの処理面に付着している汚染物質の個数および位置を測定してもよい。また、基板Ｗの汚染状態の測定は、熱処理ユニット８の処理の後に限らず、洗浄前に行われてもよい。この場合、洗浄前の基板Ｗの処理面に元々付着していた異物（汚染物質）の個数および位置が測定されることになる。

　制御装置１０は、駆動機構Ｄ５１を制御することにより、ベース５１に沿って基板移動方向（図４Ａの上下方向）に基板Ｗを移動させる。制御装置１０は、駆動機構Ｄ５２を制御することにより、ガントリー５２に沿ってカメラ移動方向（図４Ｂの左右方向）に画像取得装置５５を移動させる。画像取得装置５５は、基板Ｗの一部の領域の画像を取得する。したがって、制御装置１０は、基板Ｗの処理面内の任意の位置の画像を画像取得装置５５に取得させることができる。そのため、汚染状態測定ユニット５は、基板Ｗのすべての領域で汚染物質の位置、大きさ、および個数を測定できる。

　制御装置１０は、ＣＰＵ（中央処理装置）およびメモリ１０ｍ（記憶装置）を内蔵している。制御装置１０は、センターロボットＣＲや付与ユニット７の動作など、前述した各部を統括的に制御する。たとえば、メモリ１０ｍは、付与ユニット７によって汚染液が付与されるべき基板Ｗの表面上の位置を規定する規定情報を記憶する。制御装置１０は、規定情報をメモリ１０ｍに入力する入力装置１０ｉを備えている。オペレータは、入力装置１０ｉを用いて規定情報を入力することにより、付与ユニット７にて付与する汚染物質の付与位置を任意に設定することが可能である。さらに、制御装置１０は、データ通信装置１０ｃを備えている。データ通信装置１０ｃは、評価用サンプル製造装置１の外部から規定情報などのデータを受信する。制御装置１０は、データ通信装置１０ｃが受信したデータをメモリ１０ｍに格納する。

　次に、図５を参照して、評価用サンプル製造装置１による洗浄評価用の基板Ｗ（評価用サンプル基板）の製造を説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る処理の流れの一例を説明するためのフロー図である。
　まず、汚染物質を付着させる位置（規定情報）が、制御装置１０の入力装置１０ｉを用いて制御装置１０に入力される（ステップＳ１）。規定情報は、入力装置１０ｉから入力されたデータに限らず、制御装置１０のメモリ１０ｍ（記憶装置）に予め格納されているデータであってもよいし、予め格納されているデータを基に作成されたデータであってもよい。

　次に、制御装置１０は、インデクサロボットＩＲを制御して、キャリア保持部２に載置されたキャリアＣ内の複数枚の未処理の基板Ｗを順次に基板受渡部３のパス３２に搬送させる。センターロボットＣＲは、制御装置１０に制御されることによって、搬送アームによってパス３２に載置された基板Ｗを、洗浄ユニット６に搬送する（ステップＳ２）。
　洗浄ユニット６は、制御装置１０に制御されることによって、搬入された基板Ｗを洗浄し、乾燥させることにより基板Ｗの処理面を清浄化する。これにより、これから汚染物質で汚染される基板Ｗの処理面を清浄な状態とすることができる（ステップＳ３）。

　次に、センターロボットＣＲは、制御装置１０に制御されることによって、洗浄ユニット６で洗浄された基板Ｗを搬送アームで取り出し、付与ユニット７に搬送する。付与ユニット７では、基板Ｗが付与ユニット７のテーブル７１１に保持される。このとき、基板Ｗの方向が、付与ユニット７のテーブル７１１に対して所定の方向（例として図３Ａでは基板Ｗに形成されたノッチが同図の下向きとなる位置）に向けられる。このようにして、制御装置１０は、基板Ｗに汚染物質を付与する際に、汚染物質により形成される汚染パターンと基板Ｗの方向との関係を任意に決定することが可能である。

　たとえば、パス３２は、基板Ｗを回転させてノッチを任意の方向に向けるアライニング機構を有していてもよい。これにより、基板Ｗの方向をセンターロボットＣＲに渡される前に所定方向に向けることができ、それによって、付与ユニット７のテーブル７１１上に保持されるときの基板Ｗの方向を制御することができる。
　付与ユニット７は、制御装置１０からの指示を受けて、基板Ｗを保持したテーブル７１１の位置と、付与ノズル７５の位置とを制御し、基板Ｗの主面の任意の位置に、汚染液を吐出する（ステップＳ４）。基板Ｗはテーブル７１１に埋設されたヒーター７１５により、たとえば８０℃に加熱されているため、基板Ｗに供給された汚染液の溶媒成分が揮発する。汚染液中に分散している汚染物質は、溶媒成分の揮発によって凝集し、基板Ｗの主面（処理面）内において汚染液が付与された位置に固定される。

　付与ユニット７は、このような動作を繰り返し実行する。すなわち、付与ユニット７は、汚染液の液滴を付与ノズル７５から基板Ｗに向けて連続的に供給しつつ、基板Ｗと付与ノズル７５とを相対移動させる。これにより、規定情報に規定された基板Ｗの位置に汚染物質が付与されると共に、規定情報に規定された汚染パターンが基板Ｗに描画される。
　次に、センターロボットＣＲは、制御装置１０に制御されることによって、付与ユニット７で汚染物質が付与された基板Ｗを搬送アームで取り出し、熱処理ユニット８のベークユニットに搬送する。ベークユニットは、汚染液の吐出により処理面に汚染物質が付着した基板Ｗを加熱する（ステップＳ５）。加熱温度は、たとえば１００℃～１４０℃程度であり、付着力を考慮すると好ましくは１２０℃である。加熱時間は、たとえば、３分間である。

　加熱処理の後、センターロボットＣＲは、制御装置１０に制御されることによって、基板Ｗをクーリングユニットに搬送する。クーリングユニットは、加熱された基板Ｗを冷却する。基板Ｗは、たとえば、常温（２５℃）まで冷却される。センターロボットＣＲは、常温まで冷却された基板Ｗを汚染状態測定ユニット５に搬送する。
　汚染状態測定ユニット５は、基板Ｗに付着している汚染物質の個数および位置を測定し、基板Ｗが規定情報どおりに汚染されているか否かを検査する（ステップＳ６）。

　基板Ｗが規定情報どおりに汚染されている場合（ＯＫの場合）、制御装置１０は、センターロボットＣＲにより基板Ｗを基板受渡部３のパス３２に搬送させ、続いてインデクサロボットＩＲにより基板Ｗをキャリア保持部２に載置されたキャリアＣに収納させる（ステップＳ７）。
　一方、基板Ｗが規定情報どおりに汚染されていない場合（ＮＧの場合）、制御装置１０は、センターロボットＣＲにより基板Ｗを洗浄ユニット６に戻して洗浄させ、汚染物質を除去した後、再度付与処理を行う（ステップＳ３～Ｓ５）。その際には、汚染物質の密度（単位面積当たりの個数）を調整してから、再付与を行うことが好ましい。たとえば、付与ノズル７５の動作を制御して、一回当たりの汚染液吐出量を増減したり、基板Ｗ上の単位面積当たりの汚染液吐出回数を増減したりすることによって、汚染物質の付与密度を調整できる。

　前述のように、本実施形態に係る評価用サンプル製造装置１は、任意の汚染パターンを基板Ｗ上に形成することができる。したがって、評価用サンプル製造装置１は、所定のウェット工程で形成される特異モードと同様な汚染状態を有する評価用サンプル基板Ｗを製造できる。また、評価用サンプル製造装置１は、複数枚の基板Ｗのそれぞれに前述の一連の処理を行うことにより、同等の特異モードを有する複数枚の評価用サンプル基板Ｗを製造できる。

　図６は、汚染状態測定ユニット５の測定値に基づいて規定情報を生成するときの流れを示すフロー図である。前述の実施形態では、規定情報が入力装置１０ｉを用いて制御装置１０に指定される場合について説明した。しかし、以下の図６に示すように、特定のウェット処理で形成された特異モードを有する汚染基板Ｗを用いて規定情報を作成してもよい。具体的には、汚染基板Ｗの汚染状態が汚染状態測定ユニット５によって測定される。そして、汚染状態測定ユニット５で測定された汚染物質の位置を元に、汚染基板Ｗの特異モードに対応した規定情報が生成されてもよい。

　具体的に説明すると、まず、制御装置１０は、インデクサロボットＩＲを用いて、キャリア保持部２に載置されたキャリアＣ内の汚染基板Ｗを基板受渡部３のパス３２に搬送する。センターロボットＣＲは、制御装置１０に制御されることによって、搬送アームによってパス３２に載置された汚染基板Ｗを、汚染状態測定ユニット５に搬送する（ステップＳ１１）。

　次に、汚染状態測定ユニット５に搬送された基板Ｗは、テーブル５１１上の所定の位置に保持される。このとき、ノッチの位置を任意に設定することにより、基板Ｗの姿勢とノッチの位置との関係を含めて、汚染物質の位置を測定することができる。たとえば、パス３２に備えられたアライニング機構によって、センターロボットＣＲに渡す前に、基板Ｗを回転させてその方向を制御すれば、テーブル５１１に基板Ｗが保持されるときのノッチの位置を設定できる。

　汚染状態測定ユニット５は、制御装置１０に制御されることによって、テーブル５１１上に保持された汚染基板Ｗと、画像取得装置５５とを相対移動させる。これにより、汚染基板Ｗの主面が画像取得装置５５によって走査される。これにより、汚染基板Ｗの主面全域が撮影され、汚染基板Ｗの主面上に付着している汚染物質の位置データが取得される（ステップＳ１２）。

　汚染状態測定ユニット５で測定された汚染物質の位置は、制御装置１０の表示装置１０ｄ（図１参照）に表示され、オペレータによって確認される（ステップＳ１３）。オペレータの確認が終わると、制御装置１０は、汚染状態測定ユニット５で測定された測定値（汚染物質の位置データ）に基づいて規定情報を生成し、メモリ１０ｍに格納する（ステップＳ１４）。ここで生成された規定情報は、別の工程にて洗浄評価用の評価用サンプル基板Ｗを作製する際の規定情報として用いられる。

　規定情報が生成された後、制御装置１０は、センターロボットＣＲによって汚染基板Ｗを汚染状態測定ユニット５から基板受渡部３のパス３２に搬送させ、続いて、インデクサロボットＩＲによって汚染基板Ｗをキャリア保持部２に載置されたキャリアＣに搬送させる。
　このようにして、特定のウェット処理で形成された特異モードを有する汚染基板Ｗの汚染状態が測定され、この測定値に基づいて規定情報が生成される。付与ユニット７は、規定情報に規定された基板Ｗの位置に汚染液を付与する。したがって、評価用サンプル製造装置１は、特異モードを有する汚染基板Ｗと実質的に同じ汚染状態の評価用サンプル基板を作製できる。つまり、評価用サンプル製造装置１は、特定のウェット処理で形成された特異モードを再現できる。そのため、洗浄装置等の基板処理装置の評価を正確に行える。

　以上の実施形態について、次のような変更を加えることができる。
　たとえば、前述の実施形態では、評価用サンプル製造装置１が洗浄ユニット６を備えている場合について説明したが、処理面が清浄な基板Ｗを安定して付与ユニット７に搬送できるのであれば、洗浄ユニット６が省略されてもよい。この場合、評価用サンプル製造装置１の構成を簡単化してコストを低減できる。

　また、前述の実施形態では、評価用サンプル製造装置１が、汚染状態測定ユニット５を備えている場合について説明したが、汚染状態測定ユニット５が省略されてもよい。この場合、評価用サンプル製造装置１の構成を簡単化してコストを低減できる。
　また、前述の実施形態では、評価用サンプル製造装置１が熱処理ユニット８を備えている場合について説明したが、熱処理ユニット８が省略されてもよい。たとえば、汚染液の溶媒成分が、揮発性の高い溶媒成分である場合、熱処理ユニット８がなくても、汚染物質を基板Ｗ上に定着させることできる。熱処理ユニット８を省略すれば、評価用サンプル製造装置１の構成を簡単化してコストを低減できる。

　また、前述の実施形態では、センターロボットＣＲが中心部に配置され、その周囲に洗浄ユニット６や付与ユニット７が配置されているが、本発明は、このような配置に限定されない。たとえば、洗浄ユニット６や付与ユニット７が直線状に配置され、センターロボットＣＲの搬送アームが洗浄ユニット６や付与ユニット７に沿って移動できるように構成されていてもよい。

　また、前述の実施形態では、ＰＳＬの分散液を含む汚染液を基板Ｗに供給する構成としたが、たとえば、ＰＳＬの他に、シリコン酸化物の粒子の分散液を含む汚染液や、窒化珪素の粒子の分散液を含む汚染液を供給する付与ノズル７５を複数並設する構成としてもよい。これにより、種々のプロセスに用いられる複数種の評価用の基板Ｗを製造できる。
　また、前述の実施形態では、汚染物質として用いられるＰＳＬの大きさに関しては述べられていないが、単一の大きさのＰＳＬを用いてもよいし、大きさの異なる複数のＰＳＬを用いてもよい。大きさの異なる複数のＰＳＬが汚染物質として用いられる場合、付与ユニット７は、複数の付与ノズル７５を備えているため、たとえば付与ノズル７５ごとに基板Ｗに付与する汚染物質の大きさを異ならせることも可能である。

　さらに、規定情報は、汚染液が付与されるべき基板の位置だけでなく、汚染液に含まれる汚染物質の大きさを含んでいてもよい。この場合、評価用サンプル製造装置１は、より複雑な特異モードを有する評価用基板を作製することができる。たとえば、評価用サンプル製造装置１は、汚染状態測定ユニット５により０．１μｍ以下の汚染物質の規定情報と、０．５μｍ以上の汚染物質の規定情報を取得することにより、より実際の汚染に近い評価用基板を作成することができる。具体的には、複数の付与ノズル７５の貯留機構７５２には、大きさが異なる汚染物質を含有する複数種類の汚染液をそれぞれ貯留させておく。制御装置１０は、規定情報に規定された基板表面の位置に当該規定情報に規定された大きさの汚染物質を含む汚染液が付与されるように複数の付与ノズル７５の動作を制御する。これにより、汚染物質の分布だけでなく、汚染物質の大きさをも再現した評価用サンプル基板を製造できる。

　また、前述実施形態では、円板状の評価用サンプル基板を製造する例を説明したが、液晶表示装置用基板などに対応した多角形の評価用サンプル基板が製造されてもよい。
　図７は、本発明の他の実施形態に係る評価用サンプル製造装置を説明するための模式図である。この実施形態では、たとえば、前述の図１に示された構成において、付与ユニット７に代えて、付与ユニット２７が用いられる。付与ユニット２７は、塗布部材２７７によって汚染液を基板Ｗに塗布することにより、基板Ｗの表面に汚染物質を付与するように構成されている。図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄおよび図８Ｅは、塗布部材２７７の構成例をそれぞれ示す模式的な側面図である。図９Ａ、図９Ｂ、および図９Ｃは、汚染液によって基板Ｗに描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。図１０は、評価用サンプルを製造し、基板処理装置３００の洗浄能力を評価するときのフローの一例を示す工程図である。以下の説明における塗布部材２７７の形状および大きさは、特に断りがない限り、自由状態での形状および大きさである。自由状態とは、外力が加わっていない状態である。

　図７に示すように、この実施形態の評価用サンプル製造装置１００は、付与ユニット２７および汚染状態測定ユニット５を含む。評価用サンプル製造装置１００は、少なくとも、付与ユニット２７を含んでいればよい。すなわち、汚染状態測定ユニット５は、評価用サンプル製造装置１００に内蔵されている必要はなく、評価用サンプル製造装置１００とは別のユニットであってもよい。好ましくは、評価用サンプル製造装置１００は、図１に示された評価用サンプル製造装置１と類似の構成を有している。すなわち、評価用サンプル製造装置１００は、図１の構成において、付与ユニット７に代えて、付与ユニット２７を適用した構成を有していることが好ましい。

　評価用サンプル製造装置１００は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗに汚染物質を含む汚染液を塗布して、基板処理装置３００の洗浄能力を評価するための評価サンプルを一枚ずつ製造する枚葉式の装置である。基板処理装置３００は、基板Ｗを洗浄する装置であって、枚葉式の装置であってもよいし、バッチ式の装置であってもよい。
　図７に示すように、付与ユニット２７は、当該ユニットの動作やバルブの開閉を制御する制御装置２７４と、箱形の隔壁を含むチャンバー２７５と、チャンバー２７５内で基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック２７６とを含む。評価用サンプル製造装置１は、さらに、基板Ｗを汚染させる汚染液を保持可能で基板Ｗよりも柔らかい塗布部材２７７と、塗布部材２７７に汚染液を供給する供給装置２７８と、塗布部材２７７を移動させることにより、基板Ｗ内の任意の位置に塗布部材２７７を接触させる移動装置２７９と、基板Ｗに対する塗布部材２７７の押付圧を変更する押付圧変更装置２８０と、基板Ｗを乾燥させる乾燥装置２８１とを含む。

　図７に示すように、スピンチャック２７６は、基板Ｗを水平に保持している状態で回転軸線Ａ１まわりに回転可能な円盤状のスピンベース２８２と、スピンベース２８２を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ２８３とを含む。スピンチャック２７６は、基板Ｗの周縁部を挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図７では、スピンチャック２７６がバキューム式のチャックである場合が示されている。制御装置２７４は、スピンモータ２８３を制御することにより、基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる。

　図７に示すように、塗布部材２７７は、先端部２８４が下に向けられた状態でホルダ２８５に支持されている。ホルダ２８５は、移動装置２７９および押付圧変更装置２８０に支持されている。塗布部材２７７の先端部２８４は、移動装置２７９および押付圧変更装置２８０によって基板Ｗの上面に押し付けられる。移動装置２７９は、基板Ｗ内の任意の位置に塗布部材２７７を接触させることができ、かつ塗布部材２７７を基板Ｗに接触させた状態で塗布部材２７７を基板Ｗに沿って移動させることができる。移動装置２７９は、モータやシリンダなどのアクチュエータを含む装置である。基板Ｗに対する塗布部材２７７の押付圧は、押付圧変更装置２８０によって変更される。押付圧変更装置２８０は、基板Ｗに対する塗布部材２７７の押付圧を所定の範囲内で連続的にまたは段階的に変更可能であり、かつ基板Ｗに対する塗布部材２７７の押付圧を一定に維持可能である。押付圧変更装置２８０は、たとえば、塗布部材２７７を付勢するバネなどの弾性体と、弾性体の弾性変形量を変更するアクチュエータとを含む装置である。

　塗布部材２７７は、基板Ｗよりも小さい。すなわち、基板Ｗの主面に垂直な方向から見たときの塗布部材２７７の先端部２８４の面積は、基板Ｗの主面の面積よりも小さい。塗布部材２７７が基板Ｗに押し付けられると、塗布部材２７７が撓んで基板Ｗに密着し、塗布部材２７７が基板Ｗから離れると、塗布部材２７７が元の形状に復元する。塗布部材２７７は、図７、図８Ａ、および図８Ｂに示すような筆や刷毛などの合成樹脂製の複数の繊維によって構成されたブラシ２８６であってもよいし、図８Ｃおよび図８Ｄに示すような合成樹脂製のスポンジ２８７であってもよい。塗布部材２７７がブラシ２８６である場合、塗布部材２７７は、図７に示すような先端が平坦な先端部２８４Ａを有していてもよいし、図８Ａに示すような先細りの先端部２８４Ｂを有していてもよい。また、塗布部材２７７がブラシ２８６である場合、図８Ｂに示すように、塗布部材２７７は、先端が平坦で、塗布部材２７７の幅Ｗ１（基板Ｗの上面と平行な方向への長さ）が塗布部材２７７の高さＨ１（基板Ｗの上面に垂直な方向への長さ）よりも長い先端部２８４Ｃを有していてもよい。塗布部材２７７がスポンジ２８７である場合も同様に、塗布部材２７７は、先端が平坦な先端部２８４Ｄ（図８Ｃ参照）を有していてもよいし、先細りの先端部２８４Ｅ（図８Ｄ参照）を有していてもよい。さらに、スポンジ２８７からなる塗布部材２７７は、先端が平坦で、塗布部材２７７の幅Ｗ２が塗布部材２７７の高さＨ２よりも長い先端部２８４Ｆを有していてもよい（図８Ｅ参照）。

　図７に示すように、供給装置２７８は、汚染物質と溶媒とを含む汚染液を溜める上向きに開いたタンク２８８を含む。タンク２８８は、チャンバー２７５内に配置されている。タンク２８８内の汚染液は、タンク２８８に供給される前に調合されたものであってもよいし、タンク２８８内で調合されたものであってもよい。図７では、汚染液がタンク２８８内で調合される構成が示されている。この場合、供給装置２７８は、汚染物質を溶解させる溶媒をタンク２８８内に供給する溶媒供給配管２８９と、溶媒供給配管２８９に介装された溶媒バルブ２９０と、タンク２８８内の液体を撹拌する撹拌装置２９１とを含む。汚染物質は、タンク２８８内に供給され、溶媒は、溶媒供給配管２８９を介してタンク２８８内に供給される。汚染物質は、パーティクル（たとえば、ＳｉＯ_２の粉末）であってもよいし、金属汚染物質の一例である硫酸銅であってもよいし、有機汚染物質であってもよい。また、溶媒は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）であってもよいし、アルコールであってもよいし、これら以外の液体であってもよい。汚染物質および溶媒は、タンク２８８内で撹拌装置２９１によって撹拌される。これにより、汚染物質および溶媒が所定の比率で混合された汚染液が調合される。

　図７に示すように、制御装置２７４は、移動装置２７９を制御することにより、塗布部材２７７の先端部２８４をタンク２８８内の汚染液に浸漬させる（図１０のステップＳ２１参照）。これにより、汚染液が、塗布部材２７７の内部に染み込んで、塗布部材２７７の内部と塗布部材２７７の外表面とに保持される。制御装置２７４は、塗布部材２７７の先端部２８４を汚染液に浸漬させた後、移動装置２７９および押付圧変更装置２８０を制御することにより、基板Ｗに対する塗布部材２７７の押付圧を押付圧変更装置２８０によって調整しながら、塗布部材２７７の先端部２８４を基板Ｗの上面に接触させる。これにより、汚染液が基板Ｗの上面に塗布される（図１０のステップＳ２２参照）。塗布部材２７７が基板Ｗよりも柔らかいので、塗布部材２７７が基板Ｗに押し付けられると、塗布部材２７７が撓んで、塗布部材２７７内の汚染液が外に染み出る。そのため、押付圧に応じた量の汚染液が基板Ｗに塗布される。さらに、塗布部材２７７が撓むので、塗布部材２７７は、押付圧に応じた接触面積で基板Ｗに接触する。そのため、汚染液が塗布される基板Ｗ内の領域（塗布領域）の面積は、押付圧に応じて変化する。

　制御装置２７４は、たとえば、塗布部材２７７の先端部２８４を基板Ｗの上面に接触させた状態で、塗布部材２７７を基板Ｗに沿って移動させる。このとき、制御装置２７４は、移動装置２７９によって塗布部材２７７の高さを調整することにより、塗布部材２７７と基板Ｗとの接触面積を変更してもよいし、押付圧変更装置２８０によって押付圧を変更してもよい。制御装置２７４は、このようにして汚染液を保持した状態の塗布部材２７７を基板Ｗに接触させて、任意の汚染パターンを基板Ｗに描く。汚染液が塗布される基板Ｗ内の領域（塗布領域）は、図９Ａに示すように、基板Ｗの上面周縁部の全域であってもよいし、図９Ｂに示すように、基板Ｗの上面内の複数の領域であってもよいし、図９Ｃに示すように、基板Ｗの上面内の帯状の領域であってもよい。これら以外の汚染パターンが汚染液によって基板Ｗに描かれてもよい。たとえば、回転軸線Ａ１上に中心を有する複数の同心円が、汚染液によって基板Ｗに描かれてもよいし、基板Ｗの上面を横切る複数の線が、汚染液によって基板Ｗに描かれてもよい。

　塗布領域が、基板Ｗの上面周縁部の全域である場合、制御装置２７４は、基板Ｗの回転を停止させた状態で基板Ｗの上面周縁部に沿って塗布部材２７７を移動させてもよい。また、塗布部材２７７を基板Ｗの上面周縁部に接触させると共に、スピンチャック２７６によって基板Ｗを回転させてもよい。さらにこの場合、先端部２８４が平坦で、その幅が塗布領域の幅（任意の円周上での径方向への長さ）と等しい塗布部材２７７（たとえば、図９Ａに示す塗布部材２７７）が用いられてもよい。

　また、塗布領域が、基板Ｗの上面内の複数の領域である場合、制御装置２７４は、基板Ｗの回転を停止させた状態で塗布部材２７７を複数の領域に接触させてもよいし、塗布部材２７７が基板Ｗから離れているときに基板Ｗを回転させることにより、塗布部材２７７の移動距離を短縮してもよい。さらに、塗布領域が、基板Ｗの上面内の複数の領域であり、各領域の面積が狭い場合には、先端部２８４が先細りの塗布部材２７７（たとえば、図９Ｂ、図８Ａ、および図８Ｄに示す塗布部材２７７）が用いられることが好ましい。

　また、塗布領域が、基板Ｗの上面内の帯状の領域である場合、制御装置２７４は、基板Ｗの回転を停止させた状態で基板Ｗの上面に沿って塗布部材２７７を移動させてもよい。さらに、塗布領域が、基板Ｗの上面内の帯状の領域であり、塗布領域の面積が広い場合、先端部２８４が平坦な塗布部材２７７（たとえば、図７、図８Ｂ、図８Ｃ、および図８Ｅに示す塗布部材２７７）が用いられることが好ましい。特に、先端部２８４が平坦で、かつ塗布部材２７７の幅が塗布部材２７７の高さより長い塗布部材２７７（たとえば、図８Ｂおよび図８Ｅに示す塗布部材２７７）が用いられることが好ましい。

　制御装置２７４は、前述の実施形態において説明した規定情報を記憶するためのメモリ２７４ｍ（記憶装置）を備えていることが好ましい。そして、制御装置２７４は、規定情報に基づいて移動装置２７９を制御することにより、基板Ｗの表面上において規定情報によって規定された位置に選択的に汚染液を塗布するようにプログラムされていることが好ましい。さらに、制御装置２７４は、規定情報に基づいて、移動装置２７９に加えて押付圧変更装置２８０を併せて制御することにより、基板Ｗの表面上に選択的に汚染液を付与するようにプログラムされていてもよい。

　制御装置２７４は、汚染液を基板Ｗに塗布した後、基板Ｗを乾燥させる（図１０のステップＳ２３参照）。制御装置２７４は、基板Ｗに付着している汚染液を基板Ｗの周囲に振り切るために、スピンチャック２７６によって基板Ｗを高速回転させることにより基板Ｗを乾燥させてもよい。また、制御装置２７４は、赤外線ランプやヒーターなどの乾燥装置２８１を用いることにより、基板Ｗを静止させた状態で基板Ｗを乾燥させてもよい。また、制御装置２７４は、基板Ｗを自然乾燥させてもよい。いずれの場合でも、評価用サンプルとしての基板Ｗは、乾燥後にチャンバー２７５から搬出される。その後、基板Ｗの汚染状態がパーティクルカウンターなどの汚染状態測定ユニット５によって測定される（図１０のステップＳ２４参照）。次に、基板Ｗが、基板処理装置３００によって洗浄され（図１０のステップＳ２５参照）、その後、基板Ｗの汚染状態が、汚染状態測定ユニット５によって測定される（図１０のステップＳ２６参照）。その測定結果を用いることにより、基板処理装置３００の洗浄能力が評価される。

　以上のようにこの実施形態では、汚染液を保持している塗布部材２７７が、移動装置２７９によって、スピンチャック２７６に保持されている基板Ｗに押し付けられる。塗布部材２７７が基板Ｗよりも柔らかいので、塗布部材２７７が基板Ｗに押し付けられると、塗布部材２７７が基板Ｗに密着し、塗布部材２７７に保持されている汚染液が基板Ｗの一部に塗布される。移動装置２７９は、基板Ｗ内の任意の位置に塗布部材２７７を接触させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置１００は、基板Ｗごとに汚染位置を変更できる。さらに、移動装置２７９は、塗布部材２７７を基板Ｗに接触させた状態で基板Ｗに沿って移動させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置１００は、任意の汚染パターンを基板Ｗ上に形成できる。

　さらにこの実施形態では、基板Ｗに対する塗布部材２７７の押付圧が、押付圧変更装置２８０によって変更される。塗布部材２７７に保持されている汚染液は、塗布部材２７７と基板Ｗとに挟まれて、基板Ｗに押し付けられる。押付圧が強いと、基板Ｗに対する汚染液の付着力が強くなり、押付圧が弱いと、基板Ｗに対する汚染液の付着力が弱くなる。したがって、押付圧変更装置２８０は、押付圧を変更することにより、基板Ｗに対する汚染液の付着力を変更できる。さらに、押付圧が強いと、塗布部材２７７から染み出る液量が増加し、押付圧が弱いと、塗布部材２７７から染み出る液量が減少する。したがって、押付圧変更装置２８０は、押付圧を変更することにより、基板Ｗに対する汚染液の塗布量を変更できる。

　図１１は、本発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置２０３の模式的な平面図である。この図５において、前述の図１～図４Ｂ、図７～９Ｃに示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
　この実施形態に係る基板処理装置２０３は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置２０３は、基板Ｗが搬入されるインデクサブロックと、インデクサブロックに搬入された基板Ｗを処理する処理ブロックと、装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置１０とを備えている。制御装置１０は、前述の制御装置２７４の機能をも有していてもよい。

　インデクサブロックは、キャリア保持部２０５と、インデクサロボットＩＲと、ＩＲ移動機構２０６とを備えている。キャリア保持部２０５は、複数枚の基板Ｗを収容できるキャリアＣを保持する。複数のキャリアＣは、水平なキャリア配列方向Ｕに配列された状態でキャリア保持部２０５に保持される。ＩＲ移動機構２０６は、キャリア配列方向ＵにインデクサロボットＩＲを移動させる。インデクサロボットＩＲは、キャリア保持部２０５に保持されたキャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板ＷをキャリアＣから搬出する搬出動作を行う。基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによって水平な姿勢で搬送される。

　一方、処理ブロックは、基板Ｗを処理する複数（たとえば、４つ以上）の処理ユニット２０７と、センターロボットＣＲとを備えている。複数の処理ユニット２０７は、平面視において、センターロボットＣＲを取り囲むように配置されている。複数の処理ユニット２０７は、基板Ｗの表面に汚染物質を付与して評価サンプルを製造する付与ユニット２７と、基板Ｗの汚染状態を測定する汚染状態測定ユニット５と、基板Ｗの洗浄処理を行う洗浄ユニット６とを含む。洗浄ユニット６は、たとえば、前述の図２に示されたような構成を有しており、基板Ｗを一枚ずつ洗浄する枚葉式のユニットである。洗浄ユニット６は、スピンチャック（図１参照）と、スピンチャックのスピンベース６２に保持されている基板Ｗに向けて洗浄液を吐出する洗浄液供給機構６５とを含み、洗浄液供給機構６５から洗浄液が基板Ｗに吐出されることにより、基板Ｗの洗浄処理が行われる。なお、洗浄ユニット６における処理は、洗浄液による洗浄に限らず、ブラシによる洗浄、ガスによる洗浄であってもよい。センターロボットＣＲは、処理ユニット２０７に基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板Ｗを処理ユニット２０７から搬出する搬出動作を行う。さらに、センターロボットＣＲは、複数の処理ユニット２０７間で基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、センターロボットＣＲによって水平な姿勢で搬送される。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから基板Ｗを受け取り、かつインデクサロボットＩＲに基板Ｗを渡す。

　制御装置１０は、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲによって、キャリアＣ内の基板Ｗを付与ユニット２７内に搬入させる。その後、制御装置１０は、付与ユニット２７によって、汚染液を基板Ｗに塗布させることにより、評価用サンプルを製造させる。次に、制御装置１０は、センターロボットＣＲによって、付与ユニット２７内の基板Ｗを汚染状態測定ユニット５内に搬入させる。その後、制御装置１０は、汚染状態測定ユニット５によって、洗浄ユニット６によって洗浄される前の基板Ｗの汚染状態を測定させる。次に、制御装置１０は、センターロボットＣＲによって、汚染状態測定ユニット５内の基板Ｗを洗浄ユニット６内に搬入させる。その後、制御装置１０は、洗浄ユニット６によって基板Ｗを洗浄させる。次に、制御装置１０は、センターロボットＣＲによって、洗浄ユニット６内の基板Ｗを汚染状態測定ユニット５内に搬入させる。その後、制御装置１０は、汚染状態測定ユニット５によって、洗浄ユニット６によって洗浄された後の基板Ｗの汚染状態を測定させる。次に、制御装置１０は、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲによって、汚染状態測定ユニット５内の基板ＷをキャリアＣ内に搬入させる。制御装置１０は、この一連の動作を繰り返し実行することにより、複数枚の基板Ｗを一枚ずつ処理する。このように、この実施形態では、洗浄ユニット６によって基板Ｗが洗浄される前および洗浄された後に、基板Ｗの汚染状態が汚染状態測定ユニット５によって測定される。したがって、評価用サンプルの製造と洗浄ユニット６の洗浄能力の評価とを同一の装置２０３内で実行できる。

　なお、図１１に示すように、基板処理装置２０３は、付与ユニット２７に代えて、前述の図３Ａおよび図３Ｂ等を参照して説明した付与ユニット７を備えていてもよい。
　図７～図１１を参照して説明した実施形態について、次のような変更を加えることができる。
　たとえば、前述の実施形態では、汚染液が、基板の上面に塗布される場合について説明したが、汚染液は、基板の下面および周端面に塗布されてもよい。すなわち、汚染液が塗布される領域は、基板の上面、下面、および周端面内のいずれの領域であってもよい。

　また、前述の実施形態では、付与ユニット２７が、押付圧変更装置を備える場合について説明したが、付与ユニット２７は、押付圧変更装置を備えていなくてもよい。
　また、図１１の実施形態では、基板処理装置が汚染状態測定ユニット５を備えている場合について説明したが、基板処理装置は、汚染状態測定ユニット５を備えていなくてもよい。

　また、前述の実施形態では、付与ユニット２７において、基板がスピンチャックによって保持される場合について説明したが、基板は、スピンチャック以外の基板保持装置によって非回転状態で保持されてもよい。
　また、前述実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。

　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
　この出願は、２０１２年２月２７日に日本国特許庁に提出された特願２０１２－４０４８１号、２０１２年３月２９日に日本国特許庁に提出された特願２０１２－７７１２９号、および２０１２年９月２１日に日本国特許庁に提出された特願２０１２－２０８５０４号に対応しており、これらの出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

１     評価用サンプル製造装置
２     キャリア保持部
３     基板受渡部
５     汚染状態測定ユニット
６     洗浄ユニット
７     付与ユニット
８     熱処理ユニット
１０   制御装置
１０ｃ データ通信装置
１０ｄ 表示装置
１０ｉ 入力装置
１０ｍ メモリ
２７   付与ユニット
３２   パス
５１   ベース
５２   ガントリー
５５   画像取得装置
６１   スピンモータ
６２   スピンベース
６３   カップ
６５   洗浄液供給機構
７１   ベース
７２   ガントリー
７５   付与ノズル
１００ 評価用サンプル製造装置
２０３ 基板処理装置
２０５ キャリア保持部
２０６ 移動機構
２０７ 処理ユニット
２７４ 制御装置
２７４ｍ      メモリ
２７５ チャンバー
２７６ スピンチャック
２７７ 塗布部材
２７８ 供給装置
２７９ 移動装置
２８０ 押付圧変更装置
２８１ 乾燥装置
２８２ スピンベース
２８３ スピンモータ
２８４，２８４Ａ，２８４Ｂ，２８４Ｃ，２８４Ｄ，２８４Ｅ，２８４Ｆ    先端部
２８５ ホルダ
２８６ ブラシ
２８７ スポンジ
２８８ タンク
２８９ 溶媒供給配管
２９０ 溶媒バルブ
２９１ 撹拌装置
３００ 基板処理装置
５１１ テーブル
５１２，５２２       ガイドレール
５２１ 走査部
７１１ テーブル
７１２，７２２       ガイドレール
７１５ ヒーター
７２１ 走査部
７２２ ガイドレール
７５１ 吐出穴
７５２ 貯留機構
Ａ１   回転軸線
Ｃ     キャリア
ＣＲ   センターロボット
Ｄ５１，Ｄ５２       駆動機構
Ｄ７１，Ｄ７２       駆動機構
ＩＲ   インデクサロボット
Ｓ１～Ｓ７，Ｓ１１～Ｓ１５，Ｓ２１～Ｓ２６       ステップ
Ｕ     キャリア配列方向
Ｗ     基板、評価用サンプル基板
Ｗ１，Ｗ２    幅
Ｈ１，Ｈ２　高さ

Claims (20)

1. 　基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置であって、
   　基板を保持する基板保持手段と、
   　汚染物質を含有する汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の表面に付与する付与手段と、
   　前記基板保持手段に保持されている基板と前記付与手段とを相対移動させる移動手段と、
   　汚染液が付与されるべき基板表面の位置を規定する規定情報に基づいて前記移動手段を制御し、前記規定情報に規定された基板表面の位置に前記付与手段によって汚染液を選択的に付与させる制御装置とを含む、評価用サンプル製造装置。
2. 　前記付与手段は、溶媒中に汚染物質が分散した汚染液の液滴を前記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて噴出することにより、汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与ノズルを含み、
   　前記制御装置が、さらに前記規定情報に基づいて前記付与ノズルを制御する、請求項１に記載の評価用サンプル製造装置。
3. 　前記評価用サンプル製造装置は、基板に付着している汚染物質の位置を測定する汚染状態測定手段をさらに含み、
   　前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて前記規定情報を生成する、請求項１または２に記載の評価用サンプル製造装置。
4. 　前記付与手段は、含有する汚染物質の大きさがそれぞれ異なる複数種の汚染液を前記基板の表面にそれぞれ付与する複数の汚染液付与手段を含み、
   　前記汚染状態測定手段は、基板に付着している汚染物質の位置および大きさを測定し、
   　前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて、前記汚染液が付与されるべき基板表面の位置と前記汚染液に含まれる汚染物質の大きさとを規定する前記規定情報を生成し、前記規定情報に規定された基板表面の位置に前記規定情報に規定された大きさの汚染物質を含む汚染液を前記付与手段によって付与させる、請求項３に記載の評価用サンプル製造装置。
5. 　前記付与手段によって汚染液が付与される基板を、汚染液の付与前に洗浄する洗浄ユニットをさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置。
6. 　前記付与手段によって汚染液が付与された基板を熱処理する熱処理ユニットをさらに含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置。
7. 　前記熱処理ユニットが、前記基板を加熱および冷却する、請求項６に記載の評価用サンプル製造装置。
8. 　前記付与手段が、汚染物質を含有する汚染液を保持可能で、かつ基板よりも柔らかい塗布部材を含み、
   　前記制御装置が、前記移動手段によって前記塗布部材を移動させることにより、前記規定情報に規定された基板表面の位置に、前記塗布部材を接触させる、請求項１に記載の評価用サンプル製造装置。
9. 　基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置であって、
   　基板を保持する基板保持手段と、
   　汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材と、
   　前記塗布部材を移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる移動手段とを含む、評価用サンプル製造装置。
10. 　前記基板保持手段に保持されている基板に対する前記塗布部材の押付圧を変更する押付圧変更手段をさらに含む、請求項８または９に記載の評価用サンプル製造装置。
11. 　前記塗布部材は、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいブラシを含む、請求項８～１０のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置。
12. 　前記塗布部材は、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいスポンジを含む、請求項８～１０のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置。
13. 　前記塗布部材は、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる平坦な先端部を含む、請求項８～１２のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置。
14. 　前記塗布部材は、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる先細りの先端部を含む、請求項８～１２のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置。
15. 　基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法であって、
    　基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、
    　汚染物質を含有する汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の表面に付与する付与手段と前記基板保持手段に保持されている基板とを、汚染液が付与されるべき基板表面の位置を規定する規定情報に基づき、移動手段によって相対移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に選択的に汚染液を付与する汚染液付与工程とを含む、評価用サンプル製造方法。
16. 　前記付与手段は、溶媒中に汚染物質が分散した汚染液の液滴を前記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて噴出することにより、汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与ノズルを含み、
    　前記汚染液付与工程が、前記規定情報に基づいて前記付与ノズルを作動させる工程を含む、請求項１５に記載の評価用サンプル製造方法。
17. 　前記汚染液付与工程が、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材を前記移動手段によって移動させることにより、前記規定情報に規定された基板表面の位置に、前記塗布部材を接触させる接触工程を含む、請求項１５に記載の評価用サンプル製造方法。
18. 　基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法であって、
    　基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、
    　前記基板保持工程と並行して、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材を移動手段によって移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる接触工程とを含む、評価用サンプル製造方法。
19. 　請求項１～１４のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置と、
    　前記評価用サンプル製造装置によって製造された評価用サンプルとしての基板を洗浄する洗浄ユニットとを含む、基板処理装置。
20. 　前記洗浄ユニットによって前記評価用サンプルが洗浄される前および洗浄された後の少なくとも一方で前記基板の汚染状態を測定するサンプル汚染状態測定手段をさらに含む、請求項１９に記載の基板処理装置。

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