JP2013210362A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】任意の汚染パターンを基板上に形成できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、汚染物質が付着した汚染基板Wを製造する。基板処理装置は、汚染物質を含有する汚染液を基板Wの一部の領域に付与する付与ノズル75と、基板Wと付与ノズル75とを相対移動させる駆動機構D71および駆動機構D72と、制御装置とを備えている。制御装置は、汚染液が付与されるべき基板Wの位置を規定する規定情報に基づいて付与ノズル75、駆動機構D71、および駆動機構72を制御する。これにより、制御装置は、規定情報に規定された基板Wの位置に付与ノズル75によって汚染液を付与させる。
【選択図】図3B
【解決手段】基板処理装置は、汚染物質が付着した汚染基板Wを製造する。基板処理装置は、汚染物質を含有する汚染液を基板Wの一部の領域に付与する付与ノズル75と、基板Wと付与ノズル75とを相対移動させる駆動機構D71および駆動機構D72と、制御装置とを備えている。制御装置は、汚染液が付与されるべき基板Wの位置を規定する規定情報に基づいて付与ノズル75、駆動機構D71、および駆動機構72を制御する。これにより、制御装置は、規定情報に規定された基板Wの位置に付与ノズル75によって汚染液を付与させる。
【選択図】図3B
Description
本発明は、汚染物質が付着した汚染基板を製造する基板処理装置、特に、基板に付着した微粒子の除去性能を評価するために、基板に汚染物質を付着させて評価用の汚染基板を製造する技術および汚染物質を含む分散液を基板に供給する技術に関する。
対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
特許文献1に記載の基板処理装置は、標準粒子希釈液に空気を供給して標準粒子をエアロゾル化するエアロゾル発生器と、このエアロゾル発生器の内部に基板を配置可能な粒子付着槽とを備えている。この基板処理装置は、純水および標準粒子分散液によりエアロゾル発生器内で標準粒子希釈液を生成させ、生成した標準粒子希釈液を基板に供給する。これにより、表面検査機校正用の標準汚染基板や、洗浄装置評価用の標準汚染基板が作製される。
また、特許文献2に記載の方法は、微粒子分散液を調製し、この微粒子分散液をピペットで一定量だけ取り出し、この微粒子分散液を基板の表面にピペットで分割して配置する。さらに、この方法は、微粒子分散液が配置された基板を加熱して、微粒子分散液の溶媒を蒸発させる。これにより、評価用基板が作製される。
特許文献2の方法は、基板の表面に不均一なパターンで微粒子を付着させるので、微粒子が付着していない部分を基板の洗浄前後で観察することで、予期せぬ事象で微粒子が付着する二次汚染を判定することができる。したがって、作製された評価用基板を使用して処理を行うことにより、洗浄装置等の適切な評価を行うことができる。
特許文献2の方法は、基板の表面に不均一なパターンで微粒子を付着させるので、微粒子が付着していない部分を基板の洗浄前後で観察することで、予期せぬ事象で微粒子が付着する二次汚染を判定することができる。したがって、作製された評価用基板を使用して処理を行うことにより、洗浄装置等の適切な評価を行うことができる。
半導体などの基板の製造工程では、基板を種々の保持部材によって保持して搬送することが一般的である。そのため、基板と保持部材との接触によってパーティクルが発生し、さらに、そのパーティクルが基板と保持部材との接触部に残留することが多い。接触部に残留したパーティクルは、基板処理工程のウェット工程に用いられる液の流れなどにより、特徴的な模様(特異モード)を基板に形成する。
図7Aおよび図7Bは、特異モードの代表例を示している。図7Aは、基板下部を3つのガイドによって支持することによって発生したパーティクルが、液の流れに沿って上方向に漂ったため形成された特異モードを示している。また、図7Bは、幅広の保持部によって基板を支持することによって発生したパーティクルが、気流の影響により、接触部付近の広範囲に広がったため形成された特異モードを示している。
しかしながら、特許文献1および特許文献2に記載の従来の方法は、任意の汚染パターン(汚染部分の形状)を基板上に形成することができない。したがって、従来の方法は、特異モードが再現された汚染基板を製造することができない。そのため、従来では、汚染物質が均一に分布した評価用の汚染基板を用いて、半導体洗浄装置等の基板処理装置の性能評価を擬似的に行っていた。
そこで、本発明の目的は、任意の汚染パターンを基板上に形成できる基板処理装置を提供することである。
前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、汚染物質が付着した汚染基板を製造する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、汚染物質を含有する汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与手段と、前記基板保持手段に保持されている基板と前記付与手段とを相対移動させる移動手段と、汚染液が付与されるべき基板の位置を規定する規定情報に基づいて前記付与手段および移動手段を制御し、前記規定情報に規定された基板の位置に前記付与手段によって汚染液を付与させる制御装置とを備える、基板処理装置である。この構成によれば、規定情報に基づいて、基板上の任意の位置に汚染物質を付与することが可能である。
請求項2に記載の発明は、前記付与手段は、汚染物質が分散した溶媒および汚染物質を含む汚染液の液滴を下向きに噴出することにより、汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与ノズルを含む、請求項1に記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板上に簡便に汚染物質を付与することができる。
請求項3に記載の発明は、前記基板処理装置は、基板に付着している汚染物質の位置を測定する汚染状態測定手段をさらに備え、前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて前記規定情報を生成する、請求項1または2に記載の基板処理装置である。この構成によれば、汚染物質が付着した基板と同じ位置に汚染物質が付与された評価用の汚染基板を製造することができる。
請求項3に記載の発明は、前記基板処理装置は、基板に付着している汚染物質の位置を測定する汚染状態測定手段をさらに備え、前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて前記規定情報を生成する、請求項1または2に記載の基板処理装置である。この構成によれば、汚染物質が付着した基板と同じ位置に汚染物質が付与された評価用の汚染基板を製造することができる。
請求項4に記載の発明は、前記付与手段は、含有する汚染物質の大きさがそれぞれ異なる複数種の汚染液を前記基板の一部の領域に個別に付与し、前記汚染状態測定手段は、基板に付着している汚染物質の位置および大きさを測定し、前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて、前記汚染液が付与されるべき基板の位置と前記汚染液に含まれる汚染物質の大きさとを規定する前記規定情報を生成し、前記規定情報に規定された基板の位置に前記規定情報に規定された大きさの汚染物質を含む汚染液を前記付与手段によって付与させる、請求項3に記載の基板処理装置である。この構成によれば、位置および大きさの異なる汚染を付与することができる。
請求項5に記載の発明は、前記付与手段によって汚染液が付与される基板を事前に洗浄する洗浄ユニットをさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、汚染液が付与される前に基板が洗浄されるので、汚染液が付与される前の基板の状態によらずに、安定した品質の評価用の汚染基板を製造することができる。
請求項6に記載の発明は、前記付与手段によって汚染液が付与された基板を加熱および冷却する熱処理ユニットをさらに備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、評価用の汚染基板に対する汚染物質の密着度を安定させることができる。
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す平面図である。
基板処理装置1は、キャリア保持部2と、基板受渡部3と、インデクサロボットIRと、センターロボットCRと、汚染状態測定ユニット5と、洗浄ユニット6と、付与ユニット7と、熱処理ユニット8と、制御装置10とを備えている。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す平面図である。
基板処理装置1は、キャリア保持部2と、基板受渡部3と、インデクサロボットIRと、センターロボットCRと、汚染状態測定ユニット5と、洗浄ユニット6と、付与ユニット7と、熱処理ユニット8と、制御装置10とを備えている。
キャリアCは、複数枚の基板Wを積層して収容可能な収容器である。キャリアCは、未処理の基板Wや、処理済の基板Wを収容し、その状態で複数枚の基板Wと共に,各工程を行う装置に搬送される。キャリア保持部2は、複数のキャリアCを支持する。キャリア保持部2に載置されたキャリアC内の未処理の基板Wは、インデクサロボットIRによって、基板受渡部3に搬送される。また、処理済の基板Wは、インデクサロボットIRによって、基板受渡部3からキャリア保持部2に載置された空のキャリアC内に搬送される。
基板受渡部3は、基板Wを一時的に保管するパス32を備えている。基板搬送ロボットとしてのインデクサロボットIRは、キャリア保持部2に載置されたキャリアCから未処理の基板Wを受け取り、パス32に載置する。パス32は、複数枚の基板Wを一時的に保管するバッファとして機能する。処理済の基板Wは、基板搬送ロボットとしてのセンターロボットCRによってパス32に戻される。パス32に戻された処理済の基板Wは、インデクサロボットIRによってキャリア保持部2に載置されたキャリアC内に収容される。
図1において破線の矢印で概念的に示すように、インデクサロボットIRは、基板Wを保持した状態で旋回および進退自在のアームにより、基板Wを任意の位置に搬送することが可能である。図示は省略しているが、インデクサロボットIRは、基板Wを保持した状態で上下方向にも進退自在となっている。
図1において破線の矢印で概念的に示すように、センターロボットCRは、基板Wを保持した状態で旋回および進退自在のアームにより、基板Wを任意の位置に搬送することが可能である。センターロボットCRは、この動作により、基板受渡部3のパス32に載置された基板Wを保持し、汚染状態測定ユニット5、洗浄ユニット6、付与ユニット7、および熱処理ユニット8に対して基板Wを渡す。
図1において破線の矢印で概念的に示すように、センターロボットCRは、基板Wを保持した状態で旋回および進退自在のアームにより、基板Wを任意の位置に搬送することが可能である。センターロボットCRは、この動作により、基板受渡部3のパス32に載置された基板Wを保持し、汚染状態測定ユニット5、洗浄ユニット6、付与ユニット7、および熱処理ユニット8に対して基板Wを渡す。
洗浄ユニット6は、センターロボットCRから未処理の基板Wを受け取り、その基板Wに対して洗浄処理を行うユニットである。図2は、洗浄ユニット6の概略構成を示す図である。センターロボットCRから受け渡された未処理の基板Wは、洗浄ユニット6に設けられたスピンチャックのスピンベース62によって保持される。スピンベース62は、基板Wの裏面を吸着する図示しない吸引穴を備えており、基板Wを水平な姿勢で保持することが可能である。スピンベース62は、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線を中心に回転可能である。スピンチャックのスピンモータ61は、スピンベース62が基板Wを保持している状態で、スピンベース62および基板Wを回転軸線まわりに回転させる。その結果、基板Wは、回転軸線を中心として水平面内で回転する。
なお、スピンチャックは、基板Wの裏面を吸着する構成に限らず、基板Wの周縁部に複数の挟持部材を接触させることにより、基板Wを挟持する構成であってもよい。
基板Wがスピンベース62に保持された後、基板Wの上方には、洗浄液を供給する洗浄液供給機構65(たとえば、洗浄液ノズル)が配置される。洗浄液供給機構65から回転状態の基板Wに向けて洗浄液が供給されることにより、基板Wの表面が洗浄される。洗浄処理は、洗浄液ノズルからの洗浄液の供給に限らず、ブラシなどによって物理力を基板Wの処理面(表面または裏面)に作用させることにより行われてもよい。
基板Wがスピンベース62に保持された後、基板Wの上方には、洗浄液を供給する洗浄液供給機構65(たとえば、洗浄液ノズル)が配置される。洗浄液供給機構65から回転状態の基板Wに向けて洗浄液が供給されることにより、基板Wの表面が洗浄される。洗浄処理は、洗浄液ノズルからの洗浄液の供給に限らず、ブラシなどによって物理力を基板Wの処理面(表面または裏面)に作用させることにより行われてもよい。
基板W上に供給された洗浄液は、基板Wの回転により基板Wの周囲に振り切られ、カップ63により回収される。カップ63に回収された洗浄液は図示しない排液装置によって排液される。洗浄液供給機構65からの洗浄液の供給が停止された後は、スピンチャックが基板Wを高速回転させる。これにより、基板Wの上面に残留した洗浄液が除去され、基板Wが乾燥する。このようにして、基板Wを乾燥させる乾燥処理が行われ、基板Wの洗浄処理が完了する。そして、洗浄された基板Wは、センターロボットCRによって、付与ユニット7に搬送される。
付与ユニット7は、洗浄された基板Wの処理面のうち、一部の領域に対して、汚染物質を塗布するユニットである。図3Aおよび図3Bは、付与ユニット7の概略構成を示す図である。付与ユニット7は、ベース71、ガントリー72、および複数の付与ノズル75を備えている。ベース71は、付与ユニット7の底部に位置する、御影石によって作られた定盤である。ベース71上には、ガイドレール712を介してテーブル711が配設されている。テーブル711は、ガイドレール712によって、ベース71の上面と平行な方向(図3Aの上下方向)に水平に案内される。したがって、テーブル711は、ベース71の上面と平行な方向に移動可能である。テーブル711は、駆動機構D71に接続されている。駆動機構D71は、制御装置10からの指示に応じて、テーブル711をベース71に対して図3Aの上下方向の任意の位置に移動させる。
テーブル711の内部には、ヒーター715が埋設されている。そのため、制御装置10は、基板Wの温度を任意の温度(たとえば80℃など)に設定することが可能である。さらに、テーブル711の上面には、図示省略の吸引穴が複数形成されている。テーブル711は、センターロボットCRによって渡された基板Wを吸引穴で吸引することにより水平な姿勢で保持する。制御装置10が駆動機構D71を駆動すると、基板Wとテーブル711とは、ベース71の上面に対して平行に一体移動する。そのため、制御装置10は、基板Wとテーブル711を任意の位置に配置できる。
ベース71の上方には、テーブル711を囲むようにガントリー72が配設されている。ガントリー72は、アルミの鋳物により形成された構造体である。ガントリー72とベース71とは、上下方向に離れている。そのため、テーブル711は、ガントリー72によって形成された空間を通過して、ベース71上を移動することが可能である。
ガントリー72には、ガイドレール722を介して走査部721が配設されている。走査部721は、ガイドレール722によって、ガントリー72の側面と平行な方向(図3Bの左右方向)に水平に案内される。そのため、走査部721は、ガントリー72の側面と平行な方向に移動可能である。また、走査部721は、駆動機構D72に接続されている。駆動機構D72は、制御装置10からの指示に応じて、走査部721をガントリー72に対して図3Bの左右方向の任意の位置に移動させる。
ガントリー72には、ガイドレール722を介して走査部721が配設されている。走査部721は、ガイドレール722によって、ガントリー72の側面と平行な方向(図3Bの左右方向)に水平に案内される。そのため、走査部721は、ガントリー72の側面と平行な方向に移動可能である。また、走査部721は、駆動機構D72に接続されている。駆動機構D72は、制御装置10からの指示に応じて、走査部721をガントリー72に対して図3Bの左右方向の任意の位置に移動させる。
走査部721には、複数の付与ノズル75が配置されている。図3Bは、4個の付与ノズル75が搭載されている例を示している。付与ノズル75の数は、1個であってもよいし、2個または3個であってもよい。当然、5個以上の付与ノズル75が、走査部721に搭載されていてもよい。
付与ノズル75は、圧電素子によって汚染液に振動を加えることにより、汚染液の液滴を噴射するインクジェットノズルである。付与ノズル75は、汚染物質が分散した汚染液としての処理液を基板Wに向けてインクジェット方式で吐出する吐出穴751を有している。吐出穴751は、基板Wに対向する付与ノズル75の下面に形成されている。付与ノズル75内には、汚染物質が分散した処理液を貯留する貯留機構752が内蔵されている。各貯留機構752は、吐出穴751と付与ノズル75の内部で連通している。汚染液は、供給装置としての貯留機構752から付与ノズル75に供給される。
付与ノズル75は、圧電素子によって汚染液に振動を加えることにより、汚染液の液滴を噴射するインクジェットノズルである。付与ノズル75は、汚染物質が分散した汚染液としての処理液を基板Wに向けてインクジェット方式で吐出する吐出穴751を有している。吐出穴751は、基板Wに対向する付与ノズル75の下面に形成されている。付与ノズル75内には、汚染物質が分散した処理液を貯留する貯留機構752が内蔵されている。各貯留機構752は、吐出穴751と付与ノズル75の内部で連通している。汚染液は、供給装置としての貯留機構752から付与ノズル75に供給される。
制御装置10は、複数の付与ノズル75のいずれか一つを選択する。そして、制御装置10は、汚染液としての処理液を貯留機構752によって吐出穴751に供給させ、選択した付与ノズル75の吐出穴751から処理液の液滴を下向きに噴出させる。付与ノズル75の下面で開口する吐出穴751は、基板Wの処理面と所定の間隙(たとえば5mm)を空けて対向しているため、吐出穴751から吐出された処理液は、基板Wの一部の領域に付着する。付与ノズル75から基板W上に供給された処理液は、基板W上でその溶媒成分が蒸発することにより、汚染物質が基板W上に残留する。
なお、汚染物質としては、たとえば、PSL(PolyStyrene Latex)と呼ばれるポリスチレンラテックスや、シリコン酸化物(SiO2)、窒化珪素(SiN)の微粒子が挙げられる。特に、PSLは、標準粒子として広く用いられているので、入手しやすく好適である。これらの汚染物質が溶媒中に分散することにより、処理液が構成されている。
制御装置10は、駆動機構D71を制御することにより、ベース71に沿って図3Aの上下方向(基板移動方向)に基板Wを移動させる。さらに、制御装置10は、駆動機構D72を制御することにより、ガントリー72に沿って図3Bの左右方向(ノズル移動方向)に付与ノズル75を移動させる。駆動機構D71および駆動機構D72は、制御装置10の指示に応じて、付与ノズル75および基板Wを相対移動させる移動ユニットとして機能する。制御装置10は、駆動機構D71および駆動機構D72を制御することにより、付与ノズル75を基板Wの任意の位置に対向させることができる。したがって、制御装置10は、基板Wの処理面内の任意の位置に処理液を供給することができる。後述するように、制御装置10は、制御装置10に記憶された規定情報に基づいて基板Wに対する処理液の供給を行う。
熱処理ユニット8は、付与ユニット7により汚染物質が付与された基板Wに対して熱処理を施すユニットである。図示はしないが、熱処理ユニット8は、上下に積層されたベークユニット(bake unit)およびクーリングユニットを備えている。ベークユニットは、基板Wを所定の温度まで加熱する。所定の温度とは、たとえば、100℃〜140℃程度の範囲内の温度であり、好ましくは110℃程度である。但し、基板Wに付着した汚染物質の除去率が加熱温度によって変わるので、汚染物質の種類に応じて適宜に異なる温度で加熱したり、評価対象の洗浄方法や洗浄装置に応じて適宜に異なる温度で加熱したりすることが好ましい。クーリングユニットは、ベークユニットで昇温された基板Wを所定の温度まで冷却する。所定の温度とは、たとえば、常温(25℃程度)である。
汚染状態測定ユニット5は、汚染物質の位置、大きさ、および個数を含む基板Wの汚染状態を測定する汚染状態測定装置である。図4Aおよび図4Bは、汚染状態測定ユニット5の概略構成を示す図である。汚染状態測定ユニット5は、ベース51、ガントリー52、および画像取得装置55を備えている。ベース51は、汚染状態測定ユニット5の底部に位置する、御影石によって作られた定盤である。ベース51上には、ガイドレール512を介してテーブル511が配設されている。テーブル511は、ガイドレール512によって、ベース51の上面と平行な方向(図4Aの上下方向)に水平に案内される。したがって、テーブル511は、ベース51の上面と平行な方向に移動可能である。また、テーブル511は、駆動機構D52に接続されている。駆動機構D52は、制御装置10からの指示に応じて、テーブル511をベース51に対して図4Aの上下方向の任意の位置に移動させる。
また、テーブル511の上面には、図示省略の吸引穴が複数形成されている。テーブル511は、センターロボットCRによって渡された基板Wを吸引穴で吸引することにより水平な姿勢で保持する。制御装置10が駆動機構D51を駆動すると、基板Wとテーブル511とは、ベース51の上面に対して平行に一体移動する。そのため、制御装置10は、基板Wとテーブル511を任意の位置に配置できる。
また、ベース51の上方には、テーブル511を囲むようにガントリー52が配設されている。ガントリー52は、アルミの鋳物により形成された構造体である。ガントリー52とベース51とは、上下方向に離れている。そのため、テーブル511は、ガントリー52によって形成された空間を通過して、ベース51上を移動することが可能である。
ガントリー52には、ガイドレール522を介して走査部521が配設されている。走査部521は、ガイドレール522によって、ガントリー52の側面と平行な方向(図4Bの左右方向)に案内される。したがって、走査部521は、ガントリー52の側面と平行な方向に移動可能である。また、走査部521は、駆動機構D52に接続されている。駆動機構D52は、制御装置10からの指示に応じて、走査部521をガントリー52に対して図4Bの左右方向の任意の位置に移動させる。
ガントリー52には、ガイドレール522を介して走査部521が配設されている。走査部521は、ガイドレール522によって、ガントリー52の側面と平行な方向(図4Bの左右方向)に案内される。したがって、走査部521は、ガントリー52の側面と平行な方向に移動可能である。また、走査部521は、駆動機構D52に接続されている。駆動機構D52は、制御装置10からの指示に応じて、走査部521をガントリー52に対して図4Bの左右方向の任意の位置に移動させる。
走査部521には、画像取得装置55が配置されている。画像取得装置55は、CCD(charge coupled device)カメラなどの光学機器を用いて画像を取得し、取得した画像のデータを制御装置10に送信する。画像取得装置55は、CCDカメラに限らず、たとえば、レーザー散乱方式の表面検査機を用いて、基板Wの処理面に付着している汚染物質の個数および位置を測定してもよい。また、基板Wの汚染状態の測定は、熱処理ユニット8の処理の後に限らず、洗浄前に行われてもよい。この場合、基板Wの処理面に予め付着していた異物(汚染物質)の個数および位置が測定されることになる。
制御装置10は、駆動機構D51を制御することにより、ベース51に沿って図4Aの上下方向に基板Wを移動させる。制御装置10は、駆動機構D52を制御することにより、ガントリー52に沿って図4Bの左右方向に画像取得装置55を移動させる。画像取得装置55は、基板Wの一部の領域の画像を取得する。したがって、制御装置10は、基板Wの処理面内の任意の位置の画像を画像取得装置55に取得させることができる。そのため、汚染状態測定ユニット5は、基板Wのすべての領域で汚染物質の位置、大きさ、および個数を測定できる。
制御装置10は、CPU(中央処理装置)およびメモリ(記憶装置)を内蔵している。制御装置10は、センターロボットCRや付与ユニット7の動作など、前述した各部を統括的に制御する。図示しないメモリは、付与ユニット7によって汚染液が付与されるべき基板Wの位置を規定する規定情報を記憶する。制御装置10は、規定情報をメモリに入力する図示しない入力装置を備えている。オペレータは、入力装置を用いて規定情報を入力することにより、付与ユニット7にて付与する汚染物質の位置を任意に設定することが可能である。さらに、制御装置10は、図示しないデータ通信装置を備えている。データ通信装置は、基板処理装置1の外部から規定情報などのデータを受信し、受信したデータをメモリなどの制御装置10を構成する装置に送信する。
次に、図5を参照して、基板処理装置1による洗浄評価用の基板Wの製造を説明する。図5は、本発明の一実施形態に係る処理の流れの一例を説明するためのフロー図である。
まず、汚染物質を付着させる位置(規定情報)が、制御装置10の図示しない入力装置を用いて制御装置10に入力される(ステップS1)。規定情報は、入力装置から入力されたデータに限らず、制御装置10の図示しない記憶装置に予め格納されているデータであってもよいし、予め格納されているデータを基に作成されたデータであってもよい。
まず、汚染物質を付着させる位置(規定情報)が、制御装置10の図示しない入力装置を用いて制御装置10に入力される(ステップS1)。規定情報は、入力装置から入力されたデータに限らず、制御装置10の図示しない記憶装置に予め格納されているデータであってもよいし、予め格納されているデータを基に作成されたデータであってもよい。
次に、制御装置10は、インデクサロボットIRを用いて、キャリア保持部2に載置されたキャリアC内の複数枚の未処理の基板Wを順次に基板受渡部3のパス32に搬送する。センターロボットCRは、搬送アームによってパス32に載置された基板Wを、洗浄ユニット6に搬送する(ステップS2)。
洗浄ユニット6は、搬入された基板Wを洗浄し、乾燥させることにより基板Wの処理面を清浄化する。これにより、これから汚染物質で汚染される基板Wの処理面を清浄な状態とすることができる(ステップS3)。
洗浄ユニット6は、搬入された基板Wを洗浄し、乾燥させることにより基板Wの処理面を清浄化する。これにより、これから汚染物質で汚染される基板Wの処理面を清浄な状態とすることができる(ステップS3)。
次に、センターロボットCRは、洗浄ユニット6で洗浄された基板Wを搬送アームで取り出し、付与ユニット7に搬送する。付与ユニット7では、基板Wが付与ユニット7のテーブル711に保持される。このとき、基板Wのノッチは、付与ユニット7のテーブル711に対して所定の位置(例として図3Aではノッチが下向きの位置)に位置決めされる。そのため、制御装置10は、基板Wに汚染物質を付与する際に、汚染物質により形成される汚染パターンと基板Wの方向とを任意に決定することが可能である。
付与ユニット7は、制御装置10からの指示を受けて、基板Wを保持したテーブル711の位置と、付与ノズル75の位置とを制御し、基板Wの主面の任意の位置に、汚染物質が分散した処理液を吐出する(ステップS4)。このとき、基板Wはテーブル711に埋設されたヒーター715により、たとえば80℃に加熱されているため、基板Wに供給された処理液の溶媒成分が揮発する。処理液中に分散している汚染物質は、溶媒成分の揮発によって凝集し、基板Wの主面内の所定位置に固定される。
付与ユニット7は、このような動作を繰り返し実行する。すなわち、付与ユニット7は、汚染物質が分散した処理液を付与ノズル75から基板Wに連続的に供給しつつ、基板Wと付与ノズル75とを相対移動させる。これにより、規定情報に規定された基板Wの位置に汚染物質が付与されると共に、規定情報に規定された汚染パターンが基板Wに描画される。
次に、センターロボットCRは、付与ユニット7で汚染物質が付与された基板Wを搬送アームで取り出し、熱処理ユニット8のベークユニットに搬送する。ベークユニットは、処理液の吐出により処理面に汚染物質が付着した基板Wを加熱する(ステップS5)。加熱温度は、たとえば100℃〜140℃程度であり、付着力を考慮すると好ましくは120℃である。加熱時間は、たとえば、3分間である。
加熱処理の後、センターロボットCRは、基板Wをクーリングユニットに搬送する。クーリングユニットは、加熱された基板Wを冷却する。基板Wは、たとえば、常温(25℃)まで冷却される。センターロボットCRは、常温まで冷却された基板Wを汚染状態測定ユニット5に搬送する。
汚染状態測定ユニット5は、基板Wに付着している汚染物質の個数および位置を測定し、基板Wが規定情報どおりに汚染されているか否かを検査する(ステップS6)。
汚染状態測定ユニット5は、基板Wに付着している汚染物質の個数および位置を測定し、基板Wが規定情報どおりに汚染されているか否かを検査する(ステップS6)。
基板Wの汚染度が目標とする汚染度に達している場合(OKの場合)、制御装置10は、センターロボットCRにより基板Wを基板受渡部3のパス32に搬送し、続いてインデクサロボットIRにより基板Wをキャリア保持部2に載置されたキャリアCに収納させる(ステップS7)。
一方、基板Wの汚染度が目標とする汚染度に達していない場合(NGの場合)、制御装置10は、基板Wを洗浄ユニット6に戻して洗浄し、汚染物質を除去した後、再度付与処理を行う(ステップS3〜S5)。その際には、処理液における汚染物質の濃度や付与する個数などを調整してから、再付与を行うことが好ましい。
一方、基板Wの汚染度が目標とする汚染度に達していない場合(NGの場合)、制御装置10は、基板Wを洗浄ユニット6に戻して洗浄し、汚染物質を除去した後、再度付与処理を行う(ステップS3〜S5)。その際には、処理液における汚染物質の濃度や付与する個数などを調整してから、再付与を行うことが好ましい。
前述のように、本実施形態に係る基板処理装置1は、任意の汚染パターンを基板W上に形成することができる。したがって、基板処理装置1は、所定のウェット工程で形成された特異モードを有する評価用の汚染基板Wを製造できる。また、基板処理装置1は、複数枚の基板Wのそれぞれに前述の一連の処理を行うことにより、同じ特異モードを有する複数枚の汚染基板Wを製造できる。
なお、前述の実施形態では、規定情報が入力装置を用いて制御装置10に指定される場合について説明したが、以下の図6に示すように、特定のウェット処理で形成された特異モードを有する汚染基板Wの汚染状態が汚染状態測定ユニット5によって測定され、汚染状態測定ユニット5で測定された汚染物質の位置を元に、この汚染基板Wと同じ規定情報が生成されてもよい。
図6は、汚染状態測定ユニット5の測定値に基づいて規定情報を生成するときの流れを示すフロー図である。
まず、制御装置10は、インデクサロボットIRを用いて、キャリア保持部2に載置されたキャリアC内の汚染基板Wを基板受渡部3のパス32に搬送する。センターロボットCRは、搬送アームによってパス32に載置された汚染基板Wを、汚染状態測定ユニット5に搬送する(ステップS11)。
まず、制御装置10は、インデクサロボットIRを用いて、キャリア保持部2に載置されたキャリアC内の汚染基板Wを基板受渡部3のパス32に搬送する。センターロボットCRは、搬送アームによってパス32に載置された汚染基板Wを、汚染状態測定ユニット5に搬送する(ステップS11)。
次に、制御装置10は、汚染状態測定ユニット5に搬送された基板Wをテーブル511上の所定の位置に保持する。このとき、ノッチの位置を任意に設定することにより、基板Wの姿勢とノッチの位置との関係を含めて、汚染物質の位置を測定することができる。
汚染状態測定ユニット5は、テーブル511上に保持された汚染基板Wと、画像取得装置55とを相対移動させることにより、汚染基板Wの主面を画像取得装置55に走査させる。これにより、汚染基板Wの主面全域が撮影され、汚染基板Wの主面上に付着している汚染物質の位置データが取得される(ステップS12)。
汚染状態測定ユニット5は、テーブル511上に保持された汚染基板Wと、画像取得装置55とを相対移動させることにより、汚染基板Wの主面を画像取得装置55に走査させる。これにより、汚染基板Wの主面全域が撮影され、汚染基板Wの主面上に付着している汚染物質の位置データが取得される(ステップS12)。
汚染状態測定ユニット5で測定された汚染物質の位置は、制御装置10の図示しない表示装置に表示され、オペレータによって確認される(ステップS13)。オペレータの確認が終わると、制御装置10は、汚染状態測定ユニット5で測定された測定値(汚染物質の位置データ)に基づいて規定情報を生成し、メモリに格納する(ステップ14)。ここで生成された規定情報は、別の工程にて洗浄評価用の汚染基板Wを作製する際の規定情報として用いられる。
規定情報が生成された後、制御装置10は、センターロボットCRによって汚染基板Wを汚染状態測定ユニット5から基板受渡部3のパス32に搬送させ、続いて、インデクサロボットIRによって汚染基板Wをキャリア保持部2に載置されたキャリアCに搬送させる。
このようにして、特定のウェット処理で形成された特異モードを有する汚染基板Wの汚染状態が測定され、この測定値に基づいて規定情報が生成される。付与ユニット7は、規定情報に規定された基板Wの位置に汚染液を付与する。したがって、基板処理装置1は、特異モードを有する汚染基板Wと実質的に同じ汚染状態の評価用基板を作製できる。つまり、基板処理装置1は、特定のウェット処理で形成された特異モードを再現できる。そのため、洗浄装置等の評価をより正確に行える。
このようにして、特定のウェット処理で形成された特異モードを有する汚染基板Wの汚染状態が測定され、この測定値に基づいて規定情報が生成される。付与ユニット7は、規定情報に規定された基板Wの位置に汚染液を付与する。したがって、基板処理装置1は、特異モードを有する汚染基板Wと実質的に同じ汚染状態の評価用基板を作製できる。つまり、基板処理装置1は、特定のウェット処理で形成された特異モードを再現できる。そのため、洗浄装置等の評価をより正確に行える。
本発明の一実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、基板処理装置1が洗浄ユニット6を備えている場合について説明したが、処理面が清浄な基板Wを安定して付与ユニット7に搬送できるのであれば、洗浄ユニット6が省略されてもよい。この場合、基板処理装置1の構成を簡単化してコストを低減できる。
たとえば、前述の実施形態では、基板処理装置1が洗浄ユニット6を備えている場合について説明したが、処理面が清浄な基板Wを安定して付与ユニット7に搬送できるのであれば、洗浄ユニット6が省略されてもよい。この場合、基板処理装置1の構成を簡単化してコストを低減できる。
また、前述の実施形態では、基板処理装置1が、汚染状態測定ユニット5を備えている場合について説明したが、汚染状態測定ユニット5が省略されてもよい。この場合、基板処理装置1の構成を簡単化してコストを低減できる。
また、前述の実施形態では、基板処理装置1が熱処理ユニット8を備えている場合について説明したが、熱処理ユニット8が省略されてもよい。たとえば、汚染物質が分散した処理液に含まれる溶媒成分が、揮発性の高い溶媒成分である場合、熱処理ユニット8がなくても、汚染物質を基板W上に定着させることできる。熱処理ユニット8を省略すれば、基板処理装置1の構成を簡単化してコストを低減できる。
また、前述の実施形態では、基板処理装置1が熱処理ユニット8を備えている場合について説明したが、熱処理ユニット8が省略されてもよい。たとえば、汚染物質が分散した処理液に含まれる溶媒成分が、揮発性の高い溶媒成分である場合、熱処理ユニット8がなくても、汚染物質を基板W上に定着させることできる。熱処理ユニット8を省略すれば、基板処理装置1の構成を簡単化してコストを低減できる。
また、前述の実施形態では、センターロボットCRが中心部に配置され、その周囲に洗浄ユニット6や付与ユニット7が配置されているが、本発明は、このような配置に限定されない。たとえば、洗浄ユニット6や付与ユニット7が直線状に配置され、センターロボットCRの搬送アームが洗浄ユニット6や付与ユニット7に沿って移動できるように構成されていてもよい。
また、前述の実施形態では、PSLの分散液を含む処理液を基板Wに供給する構成としたが、たとえば、PSLの他に、シリコン酸化物の粒子の分散液を含む処理液や、窒化珪素の粒子の分散液を含む処理液を供給する付与ノズル75を複数並設する構成としてもよい。これにより、種々のプロセスに用いられる複数種の評価用の基板Wを製造できる。
また、前述の実施形態では、汚染物質として用いられるPSLの大きさに関しては述べられていないが、単一の大きさのPSLを用いてもよいし、大きさの異なる複数のPSLを用いてもよい。大きさの異なる複数のPSLが汚染物質として用いられる場合、付与ユニット7は、複数の付与ノズル75を備えているため、たとえば付与ノズル75ごとに基板Wに付与する汚染物質の大きさを変化させることも可能である。
また、前述の実施形態では、汚染物質として用いられるPSLの大きさに関しては述べられていないが、単一の大きさのPSLを用いてもよいし、大きさの異なる複数のPSLを用いてもよい。大きさの異なる複数のPSLが汚染物質として用いられる場合、付与ユニット7は、複数の付与ノズル75を備えているため、たとえば付与ノズル75ごとに基板Wに付与する汚染物質の大きさを変化させることも可能である。
さらに、規定情報は、汚染液が付与されるべき基板の位置だけでなく、汚染液に含まれる汚染物質の大きさを含んでいてもよい。この場合、基板処理装置1は、より複雑な特異モードを有する評価用基板を作製することができる。たとえば、基板処理装置1は、汚染状態測定ユニット5により0.1μm以下の汚染物質の規定情報と、0.5μm以上の汚染物質の規定情報を取得することにより、より実際の汚染に近い評価用基板を作成することができる。
1 :基板処理装置
2 :キャリア保持部
3 :基板受渡部
5 :汚染状態測定ユニット
6 :洗浄ユニット
7 :付与ユニット
8 :熱処理ユニット
10 :制御装置
32 :パス
61 :スピンモータ
62 :スピンベース
63 :カップ
65 :洗浄液供給機構
71 :ベース
72 :ガントリー
75 :付与ノズル
711 :テーブル
712 :ガイドレール
715 :ヒーター
721 :走査部
722 :ガイドレール
751 :吐出穴
752 :貯留機構
C :キャリア
CR :センターロボット
IR :インデクサロボット
W :基板
2 :キャリア保持部
3 :基板受渡部
5 :汚染状態測定ユニット
6 :洗浄ユニット
7 :付与ユニット
8 :熱処理ユニット
10 :制御装置
32 :パス
61 :スピンモータ
62 :スピンベース
63 :カップ
65 :洗浄液供給機構
71 :ベース
72 :ガントリー
75 :付与ノズル
711 :テーブル
712 :ガイドレール
715 :ヒーター
721 :走査部
722 :ガイドレール
751 :吐出穴
752 :貯留機構
C :キャリア
CR :センターロボット
IR :インデクサロボット
W :基板
Claims (6)
- 汚染物質が付着した汚染基板を製造する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
汚染物質を含有する汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板と前記付与手段とを相対移動させる移動手段と、
汚染液が付与されるべき基板の位置を規定する規定情報に基づいて前記付与手段および移動手段を制御し、前記規定情報に規定された基板の位置に前記付与手段によって汚染液を付与させる制御装置とを備える、基板処理装置。 - 前記付与手段は、汚染物質が分散した溶媒および汚染物質を含む汚染液の液滴を下向きに噴出することにより、汚染液を前記基板保持手段に保持されている基板の一部の領域に付与する付与ノズルを含む、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、基板に付着している汚染物質の位置を測定する汚染状態測定手段をさらに備え、
前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて前記規定情報を生成する、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記付与手段は、含有する汚染物質の大きさがそれぞれ異なる複数種の汚染液を前記基板の一部の領域に個別に付与し、
前記汚染状態測定手段は、基板に付着している汚染物質の位置および大きさを測定し、
前記制御装置は、前記汚染状態測定手段の測定値に基づいて、前記汚染液が付与されるべき基板の位置と前記汚染液に含まれる汚染物質の大きさとを規定する前記規定情報を生成し、前記規定情報に規定された基板の位置に前記規定情報に規定された大きさの汚染物質を含む汚染液を前記付与手段によって付与させる、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記付与手段によって汚染液が付与される基板を事前に洗浄する洗浄ユニットをさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記付与手段によって汚染液が付与された基板を加熱および冷却する熱処理ユニットをさらに備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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Cited By (1)
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KR20150077095A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 주식회사 엘지실트론 | 표준 웨이퍼 제조 방법 |
-
2012
- 2012-09-21 JP JP2012208504A patent/JP2013210362A/ja active Pending
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