TW201347066A - 基板處理裝置及使用於其之液體供給裝置暨基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置係控制部21操作搬送部9，於塗佈部15對來自匣盒台3之基板W塗佈處理液，利用熱處理部19使污染用物質附著於基板W。由於對基板W塗佈含有污染用物質之處理液而使其附著有污染用物質，故而可製作再現潤濕步驟之污染之評估用之基板W。又，由於在處理液之塗佈後於熱處理部19中對基板W實施熱處理，故而可製作經過烘烤處理之評估用之基板W。

Description

基板處理裝置及使用於其之液體供給裝置暨基板處理方法
本發明係關於一種對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機發光二極體(Organic Light-emitting diode)用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板(以下，簡稱為基板)進行處理之基板處理裝置，及使用於其之液體供給裝置暨基板處理方法，尤其係關於一種為了評估附著於基板之微粒子之去除性能而使污染用物質附著於基板並製作評估用基板之技術，以及供給含有污染用物質之分散液之技術。
先前，此種裝置有如下之基板處理裝置(例如，參照專利文獻1)，其包括對標準粒子稀釋液供給空氣而使標準粒子氣霧劑化之氣霧劑產生器、及可於該氣霧劑產生器之內部配置基板之粒子附著槽。
該基板處理裝置係藉由純水及標準粒子分散液於氣霧劑產生器內生成標準粒子稀釋液，並對收容於內部之基板供給所生成之標準粒子稀釋液。藉此，作成表面檢查機校正用之標準污染基板、或清洗裝置評估用之標準污染基板。
又，此種方法有如下者：製備微粒子分散液，利用吸管將該微粒子分散液僅取出固定量，並利用吸管將該微粒子分散液分批 配置於基板表面，對該基板進行加熱而使微粒子分散液之溶劑蒸發，藉此製作評估用基板(例如，參照專利文獻2)。
該方法係於基板表面以不均勻之圖案附著有微粒子，故而藉由於清洗後觀察圖案，而可判定未預期之現象中微粒子附著之二次污染。因此，藉由使用作成之評估用基板進行處理，而可進行清洗裝置等之恰當之評估。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]
日本專利特開平7-335515號公報
[專利文獻2]
日本專利特開平9-266189號公報
然而，於具有此種構成之習知例之情形時，具有如下問題。
於製造半導體時，大體劃分有乾燥步驟與潤濕步驟，其比例於現狀中為大致1：1。於該等步驟中，潛在如下可能性，即，附著成為使裝置性能惡化、使良率降低之原因之微粒。然而，由於習知之裝置係藉由氣霧劑使微粒附著於基板而製作評估用之基板，故而僅可製作以乾燥狀態附著有微粒之評估用基板。因此，存在無法製作用於潤濕步驟之評估之評估用基板之問題。
此外，於半導體製造步驟中存在使基板升溫至例如100℃左右之烘烤步驟。於基板上大多黏附有光阻膜等有機膜，若於此 狀態下進行烘烤處理，則附著於有機膜上之微粒之附著力因有機膜之熔融或凝固而變得牢固。又，即便於微粒本身為有機物之情形時，亦藉由烘烤處理而變得牢固。因此，存在如下問題：已進行烘烤處理之基板變得更難以去除微粒，習知之裝置中已進行烘烤處理之評估用基板之製作亦較為困難。
又，習知之方法必需使用吸管使微粒子分散液附著於基 板表面，存在如下問題：於製作評估用基板時需要較長之時間，並且評估用基板之表面之微粒子之附著程度之偏差變大。又，於該習知之方法中，為了使溶劑蒸發而進行乾燥，但較烘烤步驟中之加熱溫度低，無法再現烘烤步驟中之微粒之附著。
又，於習知之裝置中，藉由於對基板供給分散液之前調 整對分散液直接供給之純水或空氣之量，而調整附著於基板之微粒數。又，於習知之方法中，液中之微粒濃度係於既知之分散液中投入微粒而調整微粒濃度。即，習知之裝置及習知之方法係對分散液之原液直接進行微粒數之調整，故而存在該調整非常難之問題。即，為了降低濃度，必需於分散液之原液中投入大量之液體，為了提高濃度，必需大量投入分散液之原液。
又，基板表面存在具有純水容易潤濕之親水性、及純水 容易排斥而不易潤濕之疏水性(例如，光阻膜等有機膜)之特性者。於基板表面為親水性之情形時，對基板供給於純水中分散有污染用物質之處理液，藉由使基板旋轉進行乾燥而可使基板之整個面之污染用物質之分佈大致均勻。因此，若對基板供給污染用物質之濃度較低之處理液，則可使污染用物質稀薄且均等地附著於整個表面，若對基板供給污染用物質之濃度較高之處理液，則可使污染用物質緊密且均等地附 著於整個表面。然而，於基板之表面為疏水性之情形時，因處理液無法均勻地覆蓋基板之整個面，故而存在無法使污染用物質均勻地附著於基板之整個面之問題。因此，於如上所述之濕式中，針對疏水性之基板而言無法使污染用物質附著於整個表面，因而於疏水性之基板中無法作成潤濕步驟之評估用基板。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種 可製作亦可用於潤濕步驟之評估且經過烘烤處理之評估用基板之基板處理裝置。
又，本發明之又一目的在於提供一種可容易地進行污染 用物質之濃度調整之液體供給裝置。
又，本發明之目的在於提供一種可製作即便為疏水性之 基板亦可用於潤濕步驟之評估之評估用基板的基板處理裝置及基板處理方法。
為達成此種目的，本發明採用如下構成。
即，本發明係一種對基板塗佈污染用物質之基板處理裝置，其特徵在於包括：基板供給收納部，其供給未處理之基板，並且收納經過處理之基板；液體供給部，其供給分散有污染用物質之處理液；塗佈部，其對自上述基板供給收納部供給之基板塗佈自上述液體供給部供給之處理液；熱處理部，其對塗佈有處理液之基板進行熱處理；及搬送部，其於上述基板供給收納部、上述塗佈部、及上述熱處理部之間搬送基板。
[作用、效果]根據本發明，於塗佈部對來自基板供給收納部之基板塗佈處理液，利用熱處理部使污染用物質附著於基板。由 於對基板塗佈含有污染用物質之處理液而使其附著有污染用物質，故而可製作再現潤濕步驟之污染之評估用基板。又，由於在處理液之塗佈後於熱處理部中對基板實施熱處理，故而可製作經過烘烤處理之評估用基板。
又，於本發明中，較佳為進而包括：清洗部，其對基板 進行清洗；及控制部，其於利用上述清洗部對自上述基板供給收納部供給之基板進行清洗後，利用上述塗佈部對清洗後之基板進行塗佈。
控制部藉由利用清洗部對自基板供給收納部供給之基 板進行清洗，而可使基板之污染度初始化。因此，其後可藉由利用塗佈部塗佈處理液而將基板控制為所期望之污染度。
又，於本發明中，較佳為進而包括：測定部，其測定基 板之污染度；及控制部，其係於利用上述塗佈部進行塗佈前，利用上述測定部測定基板之污染度，並且於利用上述塗佈部進行塗佈後，利用上述測定部測定基板之污染度之控制部。
藉由比較處理液之塗佈前後之測定部之測定結果，而可 確認成為所期望之污染度。又，可以塗佈後之測定結果為基準判斷清洗處理等之能力。
又，於本發明中，較佳為上述控制部於利用上述塗佈部 之塗佈後之利用上述測定部之測定結果為基板之污染度與目標值不一致之情形時，利用上述清洗部清洗基板，製備上述液體供給部之處理液，進行利用上述測定部之測定及利用上述塗佈部之塗佈。
於基板之污染度與目標值不一致之情形時，利用清洗部 清洗基板而進行初始化，製備液體供給部之處理液，藉由測定及塗佈而將污染用物質塗佈於基板。因此，可製作成為所期望之污染度之評 估用基板。
又，於本發明中，較佳為上述熱處理部包括加熱基板之 加熱部、及冷卻基板之冷卻部。
藉由利用加熱部進行加熱而可使處理液之污染用物質 固定於基板，藉由利用冷卻部進行冷卻而可快速地移動至清洗等之評估對象之處理裝置進行處理。又，由於利用加熱部進行加熱，故而可評估烘烤處理中之污染。
又，於本發明中，較佳為上述液體供給部包括：分散槽， 其蓄積使污染用物質分散於液體中所得之分散液；及稀釋槽，其係將於上述分散槽中生成之分散液稀釋並作為處理液而蓄積。
於分散槽中，蓄積分散有污染用物質之分散液，於稀釋 槽中，將於分散槽中生成之分散液稀釋並蓄積處理液。由於利用稀釋槽稀釋分散液，故而可容易將處理液調整為所期望之污染用物質之濃度。
又，於本發明中，較佳為上述塗佈部包括：預分配部， 其於對未處理之基板供給處理液前，於待機位置吐出既定量之處理液；及濃度測定部，其對由上述預分配部吐出之處理液中之污染用物質之濃度進行測定；且上述液體供給部於上述濃度測定部之測定結果與目標濃度不一致之情形時，藉由自上述分散槽向上述稀釋槽補充分散液或向上述稀釋槽補充液體而調整污染用物質之濃度。
對由塗佈部之預分配部吐出之處理液利用濃度測定部 測定污染用物質之濃度，根據其結果調整污染用物質之濃度。因此，可使基板之污染度正確。又，濃度調整係藉由進行自分散槽向稀釋槽補充分散液或向稀釋槽補充液體而進行。因此，不直接對分散液進行 濃度調整，而對稀釋槽之稀釋液進行濃度調整，故而可容易地進行污染用物質之濃度調整。
又，於本發明中，較佳為上述分散槽進而包括：投入口， 其形成於上部；旋轉板，其構成為於中心部可圍繞鉛垂軸旋轉，且於較中心部更靠外周側具備複數個插入口；滴下機構，其設置於上述旋轉板之各插入口，使上述旋轉板之各插入口之內周面朝向各插入口之中心部伸縮；及驅動部，其使上述旋轉板旋轉，使任一插入口位於上述投入口；且預先將蓄積含有污染用物質之分散液之原液之原液容器以使其吐出口朝向上述插入口之下方之方式插入於上述各插入口，上述控制部係於以使所期望之原液容器位於上述投入口之方式操作上述驅動部而使其移動之狀態下，操作上述滴下機構，向上述分散槽中投入含有污染用物質之分散液之原液。
可預先於旋轉板之各插入口配置濃度不同之原液容 器。因此，以所期望之濃度之原液容器位於投入口之方式，控制部操作驅動部而使旋轉板旋轉，並操作滴下機構，藉此可於廣範圍內調整分散槽中之分散液之濃度。而且，僅使旋轉板旋轉而使所期望之濃度之原液容器位於投入口即可，可使分散槽中之調整比較容易。
又，本發明係一種用以對基板供給含有污染用物質之處 理液之液體供給裝置，其特徵在於包括：分散槽，其蓄積使污染用物質分散於液體中所得之分散液；稀釋槽，其係將於上述分散槽中生成之分散液稀釋並蓄積處理液；供給手段，其自上述稀釋槽對基板供給處理液；及控制部，其藉由自上述分散槽向上述稀釋槽補充分散液或向上述稀釋槽補充液體而調整污染用物質之濃度。
[作用、效果]根據本發明，自供給手段供給之處理液係 藉由控制部進行自分散槽向稀釋槽補充分散液或向稀釋槽補充液體而可調整污染用物質之濃度。因此，不直接對分散液進行濃度調整，而對稀釋槽之稀釋液進行濃度調整，故而可容易地進行污染用物質之濃度調整。
又，於本發明中，較佳為上述分散槽進而包括：投入口， 其形成於上部；旋轉板，其構成為於中心部可圍繞鉛垂軸旋轉，且於較中心部更靠外周側具備複數個插入口；滴下機構，其設置於上述旋轉板之各插入口，使上述旋轉板之各插入口之內周面朝向各插入口之中心部伸縮；及驅動部，其使上述旋轉板旋轉，使任一插入口位於上述投入口；且預先將蓄積含有污染用物質之分散液之原液之原液容器以使其吐出口朝向上述插入口之下方之方式插入於上述各插入口，上述控制部係於以使所期望之原液容器位於上述投入口之方式操作上述驅動部而使其移動之狀態下，操作上述滴下機構，向上述分散槽中投入含有污染用物質之分散液之原液。
可預先於旋轉板之各插入口配置濃度不同之原液容 器。因此，以使所期望之濃度之原液容器位於投入口之方式，控制部操作驅動部而使旋轉板旋轉，並操作滴下機構，藉此可於廣範圍內調整分散槽中之分散液之濃度。而且，僅使旋轉板旋轉而使所期望之濃度之原液容器位於投入口即可，可使分散槽中之調整比較容易。
又，本發明係關於一種對疏水性之基板附著污染用物質 之基板處理裝置，其特徵在於包括：旋轉手段，其以水平姿勢保持疏水性之基板，使疏水性之基板於水平面內旋轉；低表面張力處理液供給手段，其對水性之基板之上表面供給含有污染用物質之低表面張力處理液；及惰性氣體環境形成手段，其於由上述旋轉手段保持之疏水 性之基板之上表面形成惰性氣體環境；且自上述低表面張力處理供給手段對由上述旋轉手段保持之疏水性之基板之上表面供給處理液而對疏水性之基板之上表面整體供給處理液，於藉由上述惰性氣體環境形成手段形成惰性氣體環境之狀態下，藉由上述旋轉手段使疏水性之基板旋轉並使供給於上表面之處理液乾燥，藉此，使污染用物質附著於疏水性之基板之上表面整體。
[作用、效果]根據本發明，由於對由旋轉手段保持之疏 水性之基板之上表面供給低表面張力處理液，故而即便基板為疏水性亦不易排斥，可將污染用物質塗佈於疏水性之基板之上表面整體。而且，於藉由惰性氣體環境形成手段形成惰性氣體環境之狀態下使低表面張力處理液乾燥，使污染用物質附著於疏水性之基板之上表面整體。此時，由於在惰性氣體環境下乾燥，故而來自基板之物質與氧於低表面張力處理液中溶出，而可抑制產生因生成與污染用物質不同之物質而導致之水印。因此，即便為疏水性之基板亦可製作可用於潤濕步驟之評估之評估用基板，而且可使污染程度之精度正確。
又，於本發明中，較佳為上述惰性氣體環境形成手段構 成為遍及與上述旋轉手段之上方相隔之待機位置、及接近於由上述旋轉手段保持之疏水性之基板之上表面之處理位置可升降，於低表面張力處理液之乾燥時，上述惰性氣體環境形成手段移動至處理位置。
由於在乾燥時惰性氣體環境形成手段移動至處理位置，故而於形成惰性氣體環境時可減少所需之惰性氣體之量。
又，於本發明中，較佳為上述惰性氣體環境形成手段包括：旋轉板，其可圍繞鉛垂軸與上述旋轉手段同步地旋轉；及噴射口，其形成於上述旋轉板，且朝向疏水性之基板噴射惰性氣體。
由於旋轉板與旋轉手段同步地旋轉，故而藉由自噴射口 供給惰性氣體而可穩定地形成惰性氣體環境，不會捲入周圍之空氣。
又，於本發明中，較佳為上述低表面張力處理液供給手 段包括供給口，該供給口自上述旋轉板之下表面中心部朝向疏水性之基板之上表面供給低表面張力處理液。
由於自旋轉板之供給口供給低表面張力處理液，故而無 需另一個噴嘴，而可使構成簡易化，可降低裝置成本。
又，於本發明中，較佳為上述低表面張力處理液供給手 段供給有機溶劑作為低表面張力處理液。
可於乾燥處理時縮短乾燥時間，可提高處理效率。
又，本發明係一種對疏水性之基板附著污染用物質之基 板處理方法，其特徵在於包括：塗佈過程，其係藉由對疏水性之基板之整個面供給處理液之霧，而將污染用物質塗佈於疏水性之基板之整個面；及乾燥過程，其係使供給於疏水性之基板之整個面之處理液之霧乾燥，使污染用物質附著於疏水性之基板之整個面。
[作用、效果]根據本發明，於塗佈過程中於疏水性之基 板之整個面塗佈污染用物質，於乾燥過程中使污染用物質附著於疏水性之基板之整個面。由於塗佈過程係經由處理液之霧使污染用物質附著，故而即便為疏水性之基板亦可遍及基板之整個面均等地塗佈霧。因此，即便為疏水性之基板亦可製作再現潤濕步驟之污染用物質之附著之評估用基板。
又，於本發明中，較佳為上述塗佈過程係對疏水性之基 板之整個面供給含有污染用物質之處理液之霧。
由於供給含有污染用物質之處理液之霧，故而一次供給 即可塗佈污染用物質。又，由於利用含有污染用物質之處理液使污染用物質附著，故而可再現極其接近於潤濕步驟之污染之狀態。
又，於本發明中，較佳為上述塗佈過程包括：霧供給過 程，其係對疏水性之基板之整個面供給處理液之霧；及散佈過程，其係於疏水性之基板之上方散佈污染用物質。
於霧供給過程中僅供給處理液之霧，於散佈過程中於上 方散佈污染用物質，藉此，可將污染用物質取入至位於疏水面上之處理液之霧中。因此，可將污染用物質塗佈於基板之疏水面上。
又，本發明係一種對疏水性之基板附著污染用物質之基 板處理裝置，其特徵在於包括：載置台，其載置疏水性之基板；塗佈手段，其藉由對載置於上述載置台之疏水性之基板之整個面供給處理液之霧，而將污染用物質塗佈於疏水性之基板之整個面；及乾燥手段，其使藉由上述塗佈手段而塗佈於疏水性之基板之整個面之處理液乾燥，使污染用物質附著於疏水性之基板之整個面。
[作用、效果]根據本發明，藉由塗佈手段對載置於載置 台之疏水性之基板之整個面供給處理液之霧，藉由乾燥手段使經塗佈之處理液乾燥，可使污染用物質附著於疏水性之基板之整個面。由於藉由塗佈手段經由處理液之霧而使污染用物質附著，故而即便為疏水性之基板亦可遍及基板之整個面均等地塗佈霧。因此，即便為疏水性之基板亦可製作再現潤濕步驟之污染用物質之附著之評估用基板。
又，於本發明中，較佳為上述塗佈手段係對疏水性之基 板之整個面供給含有污染用物質之處理液之霧之含有污染用物質之處理液霧化手段。
由於藉由含有污染用物質之處理液霧化手段供給含有 污染用物質之處理液之霧，故而一次供給即可塗佈污染用物質。
又，於本發明中，較佳為上述塗佈手段包括：處理液霧 化手段，其對疏水性之基板之整個面供給處理液之霧；及散佈手段，其於疏水性之基板之上方散佈污染用物質。
利用塗佈手段僅供給處理液之霧，利用散佈手段於上方 散佈污染用物質，藉此，可將污染用物質取入至位於疏水面上之處理液之霧中。因此，可將污染用物質塗佈於基板之疏水面上。
又，於本發明中，較佳為進而包括包圍上述載置台之腔 室。
由於可藉由腔室防止污染物質以外之物質混入，故而可 正確地製作評估用基板。
又，於本發明中，較佳為上述乾燥手段係附設於載置台 之加熱手段。
由於藉由加熱手段對基板整體進行加熱，故而可使疏水面上之霧於短時間內乾燥，而可縮短評估用基板之製作時間。
根據本發明之基板處理裝置，控制部係操作搬送部，於塗佈部中對來自基板供給收納部之基板塗佈處理液，於熱處理部中使污染用物質附著於基板。由於對基板塗佈含有污染用物質之處理液而使其附著有污染用物質，故而可製作再現潤濕步驟之污染之評估用基板。又，由於在處理液之塗佈後於熱處理部中對基板實施熱處理，故而可製作經過烘烤處理之評估用基板。
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧匣盒台
3a、3b‧‧‧載置部
5‧‧‧索引器
7‧‧‧基板交接部
9‧‧‧搬送部
11‧‧‧清洗部
13‧‧‧測定部
15‧‧‧塗佈部
17‧‧‧液體供給裝置
19‧‧‧熱處理部
21‧‧‧控制部
23‧‧‧交接台
25‧‧‧搬送臂
27‧‧‧烘烤單元
29‧‧‧導風單元
31、111‧‧‧旋轉夾頭
33、113、136‧‧‧旋轉軸
35、114、135‧‧‧電動馬達
37、115‧‧‧防飛散杯
39‧‧‧吐出噴嘴
41‧‧‧杯清洗噴嘴
43‧‧‧預分配部
45、123‧‧‧供給配管
47、61、65、67、71、73、77、79、83、85、138、142‧‧‧開閉閥
49‧‧‧濃度測定部
51‧‧‧分散槽
53‧‧‧稀釋槽
55‧‧‧投入口
57‧‧‧原液投入機構
59‧‧‧連結配管
63‧‧‧純水供給配管
69‧‧‧氮氣供給配管
75‧‧‧抽壓配管
81‧‧‧排液配管
87、89‧‧‧攪拌單元
91‧‧‧原液容器
93‧‧‧主體部
95‧‧‧圓錐部
97‧‧‧吐出口
99‧‧‧邊緣部
101、117‧‧‧旋轉板
103‧‧‧驅動部
105‧‧‧滴下機構
107‧‧‧安裝口
109‧‧‧卡止突起
112‧‧‧支持銷
116‧‧‧遮斷板
118‧‧‧供給軸
119‧‧‧第1供給路
120‧‧‧第2供給路
121‧‧‧供給口
122‧‧‧噴射口
124‧‧‧低表面張力處理液供給源
125、128、146、149、152、155、156‧‧‧流量調整閥
126‧‧‧供給管
127‧‧‧乾燥氮氣供給源
131‧‧‧載置台
132‧‧‧加熱器
133‧‧‧冷卻器
134‧‧‧腔室
136‧‧‧排液口
137‧‧‧排液管
139‧‧‧排氣口
140‧‧‧排氣管
141‧‧‧減壓泵
143‧‧‧霧化噴嘴
144‧‧‧散佈噴嘴
145‧‧‧處理液供給配管
147‧‧‧分支管
148‧‧‧蓄積槽
150‧‧‧壓送泵
151‧‧‧載體配管
153‧‧‧第1污染用物質槽
154‧‧‧第2污染用物質槽
C‧‧‧匣盒
CR、R‧‧‧機械手
D‧‧‧污染用物質
M1、M2‧‧‧霧
W‧‧‧基板
圖1係表示實施例1之基板處理裝置之概略構成之平面圖。
圖2係表示塗佈部及液體供給裝置之概略構成之圖。
圖3係表示原液容器之概略構成之立體圖。
圖4係表示原液投入機構之概略構成之立體圖。
圖5係表示自本實施例與習知例中之樣品製作算起之經過時間與污染用物質之去除率之關係的表圖。
圖6係表示本實施例之樣品製作日與污染用物質之去除率之關係之表圖。
圖7係表示未進行烘烤處理之樣品之樣品製作日與污染用物質之去除率之關係之表圖。
圖8係表示烘烤溫度與污染用物質之去除率之關係之表圖。
圖9係實施例2之基板處理裝置之概略構成圖。
圖10係表示低表面張力處理液之供給狀態之模式圖。
圖11係表示使低表面張力處理液擴展於基板之上表面整體之狀態之模式圖。
圖12係表示使遮斷板自待機位置移動至處理位置之狀態之模式圖。
圖13係表示乾燥處理之狀態之模式圖。
圖14係表示實施例3之基板處理裝置之整體之概略構成圖。
圖15(a)至(c)係表示評估用基板之製作方法1之處理過程之模式圖。
圖16(a)至(d)係表示評估用基板之製作方法2之處理過程之模式圖。
以下，對本發明之各種實施例進行說明。
[實施例1]
以下，參照圖式對本發明之實施例1進行說明。
圖1係表示實施例1之基板處理裝置之概略構成之平面圖。
本實施例之基板處理裝置1包括包含一對匣盒台3之索引器(indexer)5、基板交接部7、搬送部9、清洗部11、測定部13、塗佈部15、液體供給裝置17、熱處理部19、及控制部21。
匣盒C為可積層並收容複數片基板W之收容器。該匣盒C係收容未處理之基板W、或經過處理之基板W，並於此狀態下與複數片基板W一併被搬送移動至各步驟之裝置中。一對匣盒台3包括：載置部3a，其用以載置收容有未處理之基板W之匣盒C；及載置部3b，其用以載置收容有經過處理之基板W之匣盒C。
索引器5具有可沿著匣盒台3移動之機械手R，藉由機械手R之未圖示之手而自收納有未處理之基板W之匣盒C取出基板W，並且僅取出匣盒C內之基板W，且僅將基板W搬送至基板交接部7。又，索引器5自基板交接部7接收經過處理之基板W，將經過處理之基板W收容於匣盒C。
基板交接部7包括可自索引器5側與搬送部9側之兩者存取之交接台23。基板交接部7係將自索引器5交付之未處理之基板W載置於交接台23，對搬送部9交付該基板W。又，基板交接部7係將自搬送部9交付之經過處理之基板W載置於交接台23，對索引器5交付該基板W。
搬送部9包含具備旋轉自由且進退自由之搬送臂25之 機械手CR。搬送部9藉由該搬送臂25而於基板交接部7、清洗部11、測定部13、塗佈部15、熱處理部19之間將基板W逐片地搬送並交接。
清洗部11係自搬送部9接收未處理之基板W，並對該 基板W進行清洗處理。例如，清洗部11使毛刷及清洗液作用於基板W，而使基板W之處理面潔淨。經進行清洗處理之基板W藉由搬送部9而搬出至測定部13。
測定部13係測定由清洗部11而潔淨之基板W之處理面 之潔淨度。測定部13例如藉由雷射散射方式之表面檢查機對基板W之處理面所附著之異物之個數進行測定。又，測定部13對經過塗佈部15及熱處理部19之基板W之處理面所附著之異物(污染用物質)之個數進行測定。
塗佈部15對經過清洗及測定之基板W之處理面塗佈污 染用物質。液體供給裝置17對塗佈部15供給分散有污染用物質之處理液。關於塗佈部15及液體供給裝置17之詳細情況於下文中進行敍述。
熱處理部19係對藉由塗佈部15而塗佈有污染用物質之 基板W實施熱處理。具體而言，以二段堆積具備烘烤單元27、及導風單元29。烘烤單元27將基板W加熱至既定之溫度。既定之溫度係例如100℃~140℃左右之範圍，較佳為110℃左右。然而，由於因加熱溫度而導致附著於基板W之污染用物質之去除率發生變化，故而較佳為根據污染用物質之種類而以適當不同之溫度進行加熱，或根據評估對象之清洗方法或清洗裝置而以適當不同之溫度進行加熱。導風單元29將由烘烤單元27而升溫之基板W冷卻至既定之溫度。既定之溫度例如為常溫(25℃)左右。
控制部21內置有中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)及記憶體，統括控制機械手CR或塗佈部15之動作等、上述各部。未圖示之記憶體預先儲存有表示下述之旋轉板101之安裝口107之位置、與安裝於各安裝口107之原液容器91之污染用物質之種類或濃度之對應之表(table)。又，未圖示之記憶體預先設定有稀釋液中之污染用物質之目標濃度、或成為塗佈後之污染用物質之目標之污染度。
再者，上述索引器5相當於本發明之「基板供給收納部」，液體供給裝置17相當於本發明之「液體供給部」，烘烤單元27相當於本發明之「加熱部」，導風單元29相當於本發明之「冷卻部」。
此處，參照圖2。再者，圖2係表示塗佈部及液體供給裝置之概略構成之圖。
塗佈部15係所謂之單片式之裝置，依序逐片地對基板W進行處理。塗佈部15包括旋轉夾頭31、旋轉軸33、電動馬達35、防飛散杯37、吐出噴嘴39、杯清洗噴嘴41、預分配部43、供給配管45、及開閉閥47。
旋轉夾頭31係以水平姿勢可旋轉地保持基板W。旋轉軸33之一端側安裝於旋轉夾頭31之下部，另一端側安裝於電動馬達35之旋轉軸。若電動馬達35被旋轉驅動，則旋轉軸33與旋轉夾頭31旋轉，由旋轉夾頭31保持之基板W於水平面內旋轉。
防飛散杯37係以包圍旋轉夾頭31之側方及下方之方式設定。防飛散杯37構成為接收自旋轉之基板W飛散至周圍之處理液，並將其作為排液排出。防飛散杯37與旋轉夾頭31構成為可相對地升降。於將塗佈前之基板W載置於旋轉夾頭31，或自旋轉夾頭31移除塗佈後之基板W時，旋轉夾頭31與防飛散杯37相對升降。
吐出噴嘴39對基板W吐出分散有污染用物質之處理 液。吐出噴嘴39構成為吐出處理液之前端部於基板W之旋轉中心附近之「吐出位置」、及位於防飛散杯37之側方之「待機位置」之間可揺動。吐出噴嘴39於其基端部連通連接有供給配管45之一端側。自供給配管45之另一端側供給分散有污染用物質之處理液。該處理液之供給藉由設置於供給配管45之開閉閥47而控制。
於吐出噴嘴39之待機位置設置有預分配部43。該預分 配部43係於對基板W吐出處理液之前自吐出噴嘴39吐出固定量之處理液。該預分配部43包括於吐出之處理液流下時測定處理液中所含之污染用物質之濃度之濃度測定部49。測定之結果由控制部21反饋。
杯清洗噴嘴41係吐出用以使飛散而附著於防飛散杯37 之內壁之處理液溶解而將其去除之清洗液。若處理液附著於防飛散杯37並固化，則污染用物質自此處飛散而附著於基板W，故而較佳為定期地利用杯清洗噴嘴41清洗防止杯37之內壁。藉此，可長期正確地控制附著於基板W之污染用物質之個數。
液體供給裝置17係連通連接有與吐出噴嘴39連通之供 給配管45之另一端側，並供給分散有污染用物質之處理液。
液體供給裝置17大體劃分包括分散槽51與稀釋槽53。
分散槽51係使污染用物質分散於液體中而製備並蓄積 分散液。稀釋槽53係將於分散槽51中生成之分散液稀釋並作為處理液而蓄積。分散槽51於其上部形成有與內部空間連通之投入口55。於該投入口55設置有原液投入機構57。原液投入機構57之詳細情況於下文中進行敍述，係用以投入含有污染用物質之分散液之原液之機構。
分散槽51之底部與稀釋槽53之上部由連結配管59連 通連接。連結配管59安裝有開閉閥61。連結配管59係對稀釋槽53供給分散槽51內之分散液。供給量係藉由控制部21操作開閉閥61而進行。於分散槽51與稀釋槽53之上部連通連接有純水供給配管63之一端側。純水供給配管63之另一端側與純水供給源連通連接。於純水供給配管63中之分散槽51側設置有開閉閥65，於純水供給配管63中之稀釋槽53側設置有開閉閥67。
於分散槽51及稀釋槽53之上部連通連接有氮氣供給配管69之一端側。氮氣供給配管69之另一端側與氮氣供給源連通連接。於氮氣供給配管69中之分散槽51側設置有開閉閥71，於氮氣供給配管69中之稀釋槽53側設置有開閉閥73。於氮氣供給配管69中之開閉閥71、73之下游側連通連接有抽壓配管75之一端側。抽壓配管75之另一端側於大氣中開放。於抽壓配管75中之分散槽51側設置有開閉閥77，於抽壓配管75中之稀釋槽53側設置有開閉閥79。稀釋槽53插通有上述供給配管45之另一端側。
分散槽51與稀釋槽53於底部連通連接有排液配管81之一端側。排液配管81之另一端側與未圖示之排液處理部連通連接。排液配管81於分散槽51側具備開閉閥83，於稀釋槽53側具備開閉閥85。又，分散槽51於底部具備攪拌單元87，稀釋槽53於底部具備攪拌單元89。該攪拌單元87具備對蓄積於內部之液體進行攪拌之功能，例如使氮氣發泡並進行攪拌。
其次，參照圖3及圖4。再者，圖3係表示原液容器之概略構成之立體圖，圖4係表示原液投入機構57之概略構成之立體圖。
原液容器91蓄積有以既定之濃度含有污染用物質之分散液之原液。原液容器91包括包含具有彈性之構件之主體部93、及形 成於主體部93之下部之圓錐部95。於圓錐部95之下端部形成有吐出口97。如圖3中二點鏈線所示，若朝向中心部按壓主體部93之外周面而使其彎曲，則自吐出口97僅滴下既定量之含有污染用物質之分散液之原液。又，於主體部93與圓錐部95之邊界附近形成有邊緣部99。該邊緣部99係於載置原液容器91時卡止於較圓錐部95之外徑而言為大徑且較邊緣部99之外徑而言為小徑之孔部。
再者，作為污染用物質，例如可列舉稱為PSL(Polystyrene Latex)之聚苯乙烯乳膠、或矽氧化物(SiO2)、氮化矽(SiN)之微粒子。尤其，由於PSL被廣泛用作標準粒子，故而容易獲得而較佳。原液容器91蓄積有使上述污染用物質以既定之濃度分散於純水而獲得之分散液之原液。較佳為預先準備複數個原液容器91，預先使污染用物質之種類或粒子尺寸、濃度針對每個原液容器91而不同。
原液投入機構57設有上述原液容器91，自任一原液容器91將原液投入至分散槽51中。原液投入機構57包括旋轉板101、驅動部103、及滴下機構105。
旋轉板101於旋轉中心部之外周側形成有於上下方向上貫通之8個安裝口107。安裝口107於高度方向上之中央部附近形成有卡止突起109。卡止突起109之內徑較原液容器91之圓錐部之外徑而言為大徑，較邊緣部99之外徑而言為小徑。驅動部103設置於旋轉板101之中心部且下部，使旋轉板101圍繞鉛垂軸旋轉。滴下機構105埋入於安裝口107之上部內側面。滴下機構105構成為使安裝口107之內周面朝向其中心側進退自由。具體而言，構成為使按壓原液容器91之主體部93之構件相對於俯視為安裝口107之中心部進退。
控制部21係藉由參照未圖示之記憶體而預知於哪一安 裝口107設有何種濃度之原液容器91。因此，使驅動部103動作，使所期望之濃度之原液容器91位於分散槽51之投入口55，使滴下機構105動作，藉此將所期望之濃度之原液投入至分散槽51中。
再者，上述安裝口107相當於本發明之「插入口」。
其次，對利用上述構成之基板處理裝置1進行之清洗評估用之基板W之製作進行說明。
控制部21係於索引器5中將載置於載置部3a之匣盒C內之複數片未處理之基板W依序搬送至基板交接部7之交接台23。機械手CR藉由搬送臂25而將載置於交接台23之基板W首先搬送至清洗部11。
清洗部11對搬入之基板W進行清洗，而使基板W之處理面潔淨化。藉此，自此重設因污染用物質而被污染之基板W之處理面。
其次，機械手CR利用搬送臂25取出由清洗部11清洗之基板W，其次搬送至測定部13。測定部13測定所取入之基板W之處理面之潔淨度。此時，於潔淨度低於既定之潔淨度之情形時，再次搬送至清洗部11再次進行清洗。於潔淨度滿足既定之潔淨度之情形時，搬送臂25將基板W搬送至塗佈部15。
再者，於塗佈部15之塗佈處理前，液體供給裝置17係為了進行塗佈而預先製備如下之處理液，並進行其污染用物質之濃度調整。
首先，操作開閉閥65，於分散槽51中蓄積既定量之純水。其次，操作原液投入機構57，使蓄積污染物質用之分散液之原液之原液容器91位於投入口55之正上方。繼而，操作滴下機構105，將 既定量之原液自原液容器91滴下至分散槽51中。此時，操作攪拌單元87，為了使濃度於分散槽51內較為均勻，較佳為預先對分散槽51內進行攪拌。藉此，可製備分散液。該分散液之濃度預先設為較供給並塗佈於基板之處理液之目標濃度充分濃之值。其次，開放開閉閥61之後，操作開閉閥71，將氮氣送入分散槽51內。藉此，將蓄積於分散槽51內之含有污染用物質之分散液之所需量供給至稀釋槽53中。於稀釋槽53中，控制部21藉由未圖示之濃度計測定污染用物質之濃度，根據其結果操作開閉閥67，供給純水使濃度變低，或操作開閉閥61，供給分散液使濃度變高。此時，為了使稀釋液之濃度於槽內較為均勻，較佳為預先使攪拌單元89動作。於濃度達到作為處理液之目標濃度時，處理液之製備完成。其後，控制部21操作塗佈部15而對基板W進行塗佈。
再者，為了接近於半導體製程中之污染之實態，較佳為 於原液容器91中例如蓄積PSL，且以混合其粒徑至少為49 nm、70 nm之兩種之方式，藉由至少兩種原液容器91於分散槽51中製備分散液。
塗佈部15係將基板W載置於旋轉夾頭31，並且使吐出 噴嘴39位於預分配部43。而且，吐出少量之處理液。而且，基於由濃度測定部49測定之結果，控制部21決定直接進行塗佈，或進行處理液之污染用物質之濃度調整。
於濃度為目標濃度之情形時，使吐出噴嘴39移動至吐 出位置。繼而，對靜止之狀態之基板W供給處理液。處理液之供給量例如為10 cc左右。其後，使電動馬達35動作而以既定之旋轉速度使基板W旋轉。此時之旋轉速度例如為500 rpm左右，藉此使所供給之處理液自基板W之中心部至基板W之外周部之間擴展，並且利用離 心力脫去剩餘之處理液。其後，將電動馬達35切換為高速旋轉，將作為供給至基板W之處理液之溶劑之純水脫去而進行乾燥。此時之高速旋轉例如為2500 rpm左右。於使電動馬達35之旋轉停止後，機械手CR藉由搬送臂25將基板W搬送至烘烤單元27。
烘烤單元27對因處理液之吐出而於處理面附著有污染 用物質之基板W進行加熱。加熱溫度為100℃~140℃左右，若考慮到附著力則較佳為120℃。加熱時間例如為3分鐘。
於加熱處理之後，機械手CR將基板W搬送至導風單元 29。於導風單元29中，使經加熱之基板W降溫。基板W例如降溫至常溫(25℃)。
機械手CR係將降溫至常溫之基板W搬送至測定部13。 此處，對附著於基板W之污染用物質之個數進行計數，檢查基板W是否達到目標之污染度。於達到目標之污染度之情形時，藉由機械手CR將基板W搬送至基板交接部7，並收納於索引器5之匣盒C中。於對所有基板W實施上述處理後，將所有基板W收納於索引器5之匣盒C中。藉此，結束對收納於一個匣盒C之複數片基板W之污染處理。於未達到目標之污染度之情形時，返回至清洗部11對基板W進行清洗，暫時將污染用物質去除後，再次進行塗佈。此時，較佳為於進行處理液中之污染用物質之濃度調整之後進行再塗佈。
如上所述，根據本實施例之基板處理裝置1，控制部21 係操作搬送部9，於塗佈部15中對來自匣盒台3之基板W塗佈處理液，於熱處理部19中使污染用物質附著於基板W。由於對基板W塗佈含有污染用物質之處理液而使其附著有污染用物質，故而可製作再現潤濕步驟之污染之評估用之基板W。又，由於在處理液之塗佈後於熱處 理部19中對基板W實施熱處理，故而可製作經過烘烤處理之評估用之基板W。
又，控制部21藉由利用清洗部11對自匣盒台3供給之 基板W進行清洗，而可使基板W之污染度初始化。因此，其後藉由利用塗佈部15塗佈處理液，而可將基板W控制為所期望之污染度。
進而，控制部21藉由比較處理液之塗佈前後之測定部 13之測定結果，而可確認基板W變成所期望之污染度。又，可以塗佈後之測定結果為基準判斷清洗處理等之能力。又，控制部21係於基板W之污染度與目標值不一致之情形時，利用清洗部11清洗基板W而進行初始化，製備液體供給裝置17之處理液，藉由測定及塗佈將污染用物質塗佈於基板W。因此，可製作成為所期望之污染度之評估用之基板W。
又，基板處理裝置1包括包含烘烤單元27與導風單元 29之熱處理部19。藉由利用烘烤單元27加熱基板W而可使處理液之污染用物質固定於基板W，藉由利用導風單元29冷卻基板W而可快速地移動至清洗等之評估對象之處理裝置進行處理。又，由於利用烘烤單元27加熱基板W，故而可評估烘烤處理中之污染。
進而，液體供給裝置17係於分散槽51中蓄積分散有污 染用物質之分散液，並由稀釋槽53將分散槽中生成之分散液稀釋並蓄積處理液。由於將較處理液濃度充分濃之濃度之分散液由稀釋槽53稀釋，故而可容易將處理液調整為所期望之污染用物質之濃度，又，亦容易變更濃度。
又，塗佈部15係利用濃度測定部49對由預分配部43 吐出之處理液測定污染用物質之濃度，並根據其結果調整污染用物質 之濃度。因此，可使基板W之污染度正確。又，濃度調整係藉由進行自分散槽51向稀釋槽53補充分散液或向稀釋槽53補充純水而進行。因此，不直接對分散液進行濃度調整，而對稀釋槽53之稀釋液(處理液)進行濃度調整，故而可容易地進行污染用物質之濃度調整。
進而，液體供給裝置17包括旋轉板101，可預先於各安 裝口107配置濃度不同之原液容器91。因此，可以使所期望之濃度之原液容器91位於投入口之方式，使控制部21操作驅動部103而使旋轉板101旋轉，操作滴下機構105，藉此可於廣範圍內調整分散槽51中之分散液之濃度。而且，僅使旋轉板101旋轉而使所期望之濃度之原液容器91位於投入口55即可，可使分散槽51之調整比較容易。
其次，對藉由上述基板處理裝置1而製作之清洗評估用 之基板W進行說明。再者，作為污染用物質，使用PSL。
此處，參照圖5。再者，圖5係表示自本實施例與習知 例中之樣品製作算起之經過時間與污染用物質之去除率之關係之表圖。
該表圖係於利用相同之清洗裝置對於習知例與本實施 例中作成之評估用之基板W進行清洗後，對清洗前與清洗後之污染用物質之個數進行計數，根據其個數算出去除率而繪製者。進而，對同時製作之評估用之基板W隔開時間測定去除率。再者，清洗係藉由噴霧噴嘴而進行，且將設定噴霧強度設為液滴速度38 m/s，將噴霧處理時間設為30秒。
根據圖5之表圖明確可知，習知例中，去除率隨著時間 之經過而降低，於15小時之時間點去除率降低至23%左右。另一方面，本實施例中，即便於已經過216小時(大致8天)之時間點亦為82%左 右，儘管自製作時間點起經過一段時間，但亦大致固定為80%左右。藉此，可知本實施例係儘管自製作評估用之基板W之時間點起經過一段時間，但污染用物質亦穩定地附著於基板W。換言之，表示可製作作為清洗裝置之評估用之基板W而較佳者。
其次，參照圖6。再者，圖6係表示本實施例之樣品製作日與污染用物質之去除率之關係之表圖。
該表圖係針對根據本實施例而於不同日製作之複數片評估用之基板W而言，於各自之製作日進行清洗處理，並針對毎日而表示去除率之變化者。
根據圖6之表圖明確可知，去除率即便於改變日期之情形時亦穩定為80%左右。其變動幅度為5%左右。
再者，圖7係表示並非本發明之習知之作成方法，即僅進行處理液之塗佈而未進行烘烤處理之樣品之樣品製作日與污染用物質之去除率之關係之表圖。
根據圖7之表圖明確可知，若不進行烘烤處理，則去除率會根據製作日不同而變動20%左右，去除率不穩定。其原因在於，作為污染用物質之PSL之主要成分為聚苯乙烯。可知，聚苯乙烯並無確定之熔點，於大致100℃下變得柔軟。又，亦可知，若使一次性變柔軟之PSL恢復至常溫，則對基板W之附著力增加。因此，烘烤處理時之溫度越高則越對使水分蒸發有效，但若烘烤處理時之溫度過高，則PSL過於牢固地附著於基板W而難以取下，不適於清洗評估。
因此，本發明者等人係改變烘烤處理時之溫度而製作評估用之基板W，並測定各溫度之污染用物質之去除率之變化。此處，參照圖8。再者，圖8係表示烘烤溫度與污染用物質之去除率之關係之 表圖。
根據圖8之表圖明確可知，若烘烤處理時之溫度未達 100℃，則去除率較高，但若烘烤處理時之溫度超過100℃，則去除率根據溫度而降低至140℃。無論去除率過高還是過低，均不適於評估，較佳為根據污染用物質之種類、或基板W之種類、評估對象之清洗方法或裝置而適當設定烘烤處理時之溫度。
本發明並不限定於上述實施形態，可以如下方式進行變 形實施。
(1)於上述實施例中，基板處理裝置1具備清洗部11。然 而，只要可將處理面潔淨之基板W穩定地搬送至塗佈部15，則本發明無需具備清洗部11。藉此，可使基板處理裝置1之構成簡單化而可實現成本降低。
(2)於上述實施例中具備測定部13，但本發明並非必需 具備測定部13。藉此，可使基板處理裝置1之構成簡單化而可實現成本降低。
(3)於上述實施例中，將搬送部9配置於中心部，於其周 圍配置有清洗部11及塗佈部15，但本發明並不限定於此種配置。例如，亦可採用呈直線狀地配置清洗部11及塗佈部15，並以使搬送臂25可沿其移動之方式配置搬送部9之構成。
(4)於上述實施例中，分散槽51之原液投入機構57具備 旋轉板101，且具備可安裝複數個之原液容器91之安裝口107。然而，本發明並不限定於此種構成。例如，亦可設為如下構成：包括具備複數個原液容器91之原液容器載置單元，將各原液容器91之吐出口97與分散槽51由配管連通連接，自任意之原液容器91將原液滴下至分 散槽51中。藉此，無需旋轉控制，僅控制配管之開閉閥即可，而可使控制更簡易化。
(4)於上述實施例中，設為對基板W供給含有PSL之分 散液之處理液之構成，但例如亦可設為並排設置複數個供給除PSL以外含有矽氧化物之粒子之分散液之處理液、或含有氮化矽之粒子之分散液之處理液之液體供給裝置17之構成。藉此，可將評估用之基板W用作各種製程之評估用。
(5)於上述實施例中，設為於對基板W塗佈處理液時使 基板W靜止之狀態，但亦可以使基板W旋轉之狀態供給處理液。又，亦可於開始對靜止之基板W供給處理液後，開始使基板W旋轉。此種基板W之旋轉控制只要考慮附著於基板W之處理面之污染用物質之分佈等決定即可。
(6)於上述實施例中，將吐出噴嘴39固定於基板W之旋 轉中心。然而，於基板W之處理面之污染用物質之分佈不均勻之情形時，例如亦可一面自基板W之中心部向周邊部搖動吐出噴嘴39一面供給處理液。又，亦可於基板W之中心部自吐出噴嘴39吐出處理液，其後使吐出噴嘴39移動至中心部與周緣之中間附近，對該部位吐出剩餘之處理液。藉由此種吐出方法，可於基板W之處理面設為均勻之污染用物質之分佈。
[實施例2]
其次，參照圖式說明本發明之實施例2。
圖9係實施例2之基板處理裝置之概略構成圖。
本實施例之基板處理裝置係逐片地依序對基板W實施 處理之所謂之單片式之裝置。此處，將基板W設為疏水性。疏水性之基板W係例如於基板W為矽製之情形時為無氧化膜等而使矽露出者、或於基板W上黏附有光阻被膜或保護膜等有機膜者。
旋轉夾頭111俯視呈圓形狀，且直徑略大於基板W之直徑。於旋轉夾頭111之上表面周邊部立設有複數個支持銷112。複數個支持銷112抵接於基板W之下表面周緣部及端緣，使基板W之下表面自旋轉夾頭111之上表面僅離開既定距離，以水平姿勢支持基板W。於旋轉夾頭111之下表面中心部連結有旋轉軸113之前端部。旋轉軸113與電動馬達114連結。電動馬達114以旋轉軸朝向鉛垂方向之方式配置。
於旋轉夾頭111之周圍設置有防飛散杯115。該防飛散杯115係於旋轉夾頭111旋轉時回收自由旋轉夾頭111保持之基板W飛散至周圍之處理液。旋轉夾頭111及旋轉馬達114、及防飛散杯115係於將基板W載置於旋轉夾頭111、或將載置於旋轉夾頭111之基板W搬出時，藉由未圖示之升降機構而使其等相對地升降，使旋轉夾頭111自防飛散杯115突出。
再者，上述旋轉夾頭111相當於本發明之「旋轉手段」。
於旋轉夾頭111之上方設置有遮斷板116。該遮斷板116包括旋轉板117、及供給軸118。遮斷板116構成為藉由未圖示之升降機構而遍及圖9中實線所示之「待機位置」、及圖9中二點鏈線所示之「處理位置」可升降。又，遮斷板116構成為可與旋轉夾頭111向相同之方向且以相同之速度同步地旋轉。旋轉板117俯視呈圓形狀，且與旋轉夾頭111大致同徑。供給軸118自旋轉板117之上表面中央部向上方延伸。供給軸118於中央部形成有第1供給路119，於其外周側 同軸狀地形成有第2供給路120。
旋轉板117於其下表面中央部形成有與第1供給路119 連通之供給口121，於其外周側形成有與第2供給路120連通之噴射口122。於第1供給路119連通連接有供給配管123之一端側。於供給配管123之另一端側連通連接有低表面張力處理液供給源124。供給配管123設置有流量調整閥124。該流量調整閥125係調整於供給配管123中流通之低表面張力處理液之流量。又，於第2供給路120連通連接有供給配管126之一端側。於供給管12之另一端側連通連接有可供給乾燥氮氣(dry N2 gas)之乾燥氮氣供給源127。供給管126設置有流量調整閥128。流量調整閥128調整於供給配管126中流通之乾燥氮氣之流量。
上述低表面張力處理液供給源124例如蓄積有預先混合 污染用物質而成之低表面張力處理液。作為污染用物質，例如可列舉稱為PSL(Polystyren Latex)之聚苯乙烯、或矽氧化物(SiO2)、氮化矽(SiN)之微粒子。尤其，由於PSL被廣泛用作標準粒子，故而容易獲得而較佳。低表面張力處理液較佳為表面張力低於純水，且蒸氣壓較高。具體而言，可列舉有機溶劑，更具體而言，可列舉異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)、甲醇、乙醇、丙酮等。又，亦可使用添加界面活性劑(例如，六甲基二矽氮烷(HMDS，hexamethyldisilazane)等)而減小表面張力者。
再者，供給口121相當於本發明之「低表面張力處理液 供給手段」，遮斷板116相當於本發明之「惰性氣體環境形成手段」。
其次，參照圖10~圖13對利用上述基板處理裝置之評 估用基板之製作處理進行說明。圖10係表示低表面張力處理液之供給狀態之模式圖，圖11係表示將低表面張力處理液擴展於基板之上表面 整體之狀態之模式圖，圖12係表示使遮斷板自待機位置移動至處理位置之狀態之模式圖，圖13係表示乾燥處理之狀態之模式圖。
再者，於初始狀態下，至少上表面(處理面)為疏水性之 基板W設為已載置於旋轉夾頭111者。又，遮斷板116係設為位於「待機位置」者。
首先，以使旋轉夾頭111不旋轉而靜止之狀態開放流量 調整閥125，以既定流量自供給口121供給低表面張力處理液。於自供給口121供給既定量之低表面張力處理液後，關閉流量調整閥125。藉此，將既定量之低表面張力處理液滴下至基板W之上表面中央部(圖10)。基板W之上表面為疏水性，但由於處理液具有低表面張力之特性，故而於基板W之上表面不被排斥，可均勻地覆蓋經滴下之區域之整個表面。
其次，使電動馬達114動作，以第1轉速(為相對低速之 轉速，例如為150 rpm~300 rpm左右)使旋轉夾頭111旋轉，將滴下至基板W之上表面中央部之低面張力處理液擴展塗佈於基板W之整個表面(圖11)。藉此，可使低表面張力處理液均勻地遍及基板W之上表面整體。此時，剩餘之低表面張力處理液自基板W之周緣飛散至外周側，並藉由防飛散杯115回收。
其次，將電動馬達114之轉速切換為高於第1轉速之第 2轉速(為相對高速之轉速，例如為1000 rpm~1500 rpm左右)，並且使遮斷板116下降至「處理位置」(圖11)。此時，遮斷板116設為與旋轉夾頭111相同之方向且與旋轉夾頭111之轉速相同之速度。
其次，操作流量調整閥128，以既定流量自噴射口122噴射乾燥氮氣。藉此，較薄地覆蓋基板W之上表面之低表面張力處理 液藉由乾燥氮氣而自中央部被推流至外周側，並且藉由乾燥氮氣而乾燥(圖12)。藉此，於基板W之上表面僅殘留低表面張力處理液中所含之污染用物質。藉由將該乾燥處理僅進行既定時間，而可使污染用物質遍及基板W之上表面整體均勻地附著。
若乾燥處理結束，則使電動馬達114之旋轉停止，並且 關閉流量調整閥128，使遮斷板116之旋轉停止並使其上升至「待機位置」。繼而，更換成下一個處理對象之基板W。藉由上述一系列之處理，可將一片基板W製成評估用基板。
根據上述之本實施例裝置，由於對由旋轉夾頭111保持 之疏水性之基板W之上表面供給低表面張力處理液，故而即便基板W為疏水性亦不易被排斥，可將污染用物質塗佈於疏水性之基板W之上表面整體。而且，於藉由遮斷板116形成惰性氣體環境之狀態下，使低表面張力處理液乾燥，使污染用物質附著於疏水性之基板W之上表面整體。此時，由於利用惰性氣體環境乾燥，故而來自基板W之物質與氧於低表面張力處理液中溶出，而可抑制產生因生成與污染用物質不同之物質而導致之水印。因此，即便為疏水性之基板W亦可製作可用於潤濕步驟之評估之評估用基板，而且可使污染程度之精度正確。
又，於乾燥處理時，遮斷板116移動至接近於基板W之 上表面之「處理位置」，故而可減少形成惰性氣體環境所需之惰性氣體之量。
又，由於旋轉板117與旋轉夾頭111同步地旋轉，故而 藉由自噴射口122供給乾燥氮氣，而可穩定地形成乾燥氮氣環境，而不會捲入周圍之空氣。
進而，由於自旋轉板117之供給口121供給低表面張力 處理液，故而無需另一個噴嘴，而可使構成簡易化，可降低裝置成本。
又，由於使用有機溶劑作為低表面張力處理液，故而可 於乾燥處理時縮短乾燥時間，可提高處理效率。
本發明並不限定於上述實施形態，可以如下方式進行變 形實施。
(1)於上述實施例中，將旋轉板117設為與旋轉夾頭111 大致同徑，但本發明並不限定於此種構成。例如，旋轉板117亦可較旋轉夾頭111而言為小徑。於此情形時，於旋轉板117之中央部設置噴射口，於外周面下部亦設置噴射口。而且，藉由自外周面下部之噴射口朝向基板W之外周緣呈傘狀地噴射乾燥氮氣，而可發揮與上述實施例相同之效果。進而，由於旋轉板117為小徑，故而可減小旋轉板117之轉矩，可減輕旋轉機構之負荷。
(2)於上述實施例中，由所謂之「機械式夾頭」構成旋轉 夾頭111，但本發明並不限定於該構成。例如，亦可採用吸附並保持基板W之下表面中央部之「抽吸式夾頭」。
(3)於上述實施例中，以使基板W靜止之狀態供給低表 面張力處理液，但亦可以使基板W低速旋轉之狀態進行供給。
(4)於上述實施例中，使用氮氣作為惰性氣體，但只要為 惰性氣體則本發明並不限定於氮氣。
[實施例3]
其次，參照圖式說明本發明之實施例3。
圖14係表示實施例3之基板處理裝置之整體之概略構成圖。
本實施例之基板處理裝置具備載置台131。載置台131 係以水平姿勢載置處理對象之基板W。此處所謂之基板W係上表面具有疏水性之特性者。具有疏水性之特性者例如有裸矽、或光阻膜等有機膜。
載置台131具有與基板W之外徑大致相同程度之直 徑，於內部設置有加熱器132與冷卻器133。加熱器132對載置於載置台131之基板W進行加熱，冷卻器133對載置於載置台131之基板W進行冷卻。
再者，上述加熱器132相當於本發明之「乾燥手段」及 「加熱手段」。
腔室134包圍載置台131之整體而設置。於腔室134之底部設置有電動馬達135。電動馬達135以使旋轉軸136朝向鉛垂方向之縱置而配置。旋轉軸136之前端部與載置台131之底面中央部連結。若電動馬達135動作，則載置台131圍繞鉛垂軸於水平面內旋轉。
排液口136形成於腔室134之底面之一部位。排液口136係將腔室134之內部與外部連通。於排液口136連通連接有排液管137之一端側，另一端側與未圖示之回收設備連通連接。排液管137設置有開閉閥138。若開放該開閉閥138，則蓄積於腔室134之底部之處理液被排出。
排氣口139形成於腔室134之底面之一部位。於排氣口139連通連接有排氣管140之一端側，另一端側與減壓泵141連通連接。又，於排氣管140設置有開閉閥142。若開放開閉閥142而使減壓泵141動作，則可將腔室134內減壓。
霧化噴嘴143與散佈噴嘴144設置於相當於載置台131之旋轉中心之上方之腔室134之頂面。霧化噴嘴143連通連接有處理 液供給配管145之一端側。處理液供給配管145之另一端側與溶劑供給源連通連接。流量調整閥146設置於處理液供給配管145，調整於處理液供給排管145中流通之溶劑之流量。於流量調整閥146與霧化噴嘴143之間連通連接有分支管147之一端側。分支管147之另一端側插入於蓄積槽148中。又，分支管147設置有流量調整閥149、及壓送泵150。
蓄積槽148蓄積有含有污染用物質之處理液。處理液預先於溶劑中混合有既定濃度之污染用物質。再者，污染用物質係根據評估用基板之使用目的而決定污染用物質之種類、或其粒子之直徑。作為污染用物質，例如可列舉稱為PSL(Polystyren Latex)之聚苯乙烯、或矽氧化物(SiO2)、氮化矽(SiN)之微粒子。尤其，由於PSL被廣泛用作標準粒子，故而容易獲得而較佳。作為處理液之溶劑，例如可列舉純水、有機溶劑。作為有機溶劑，例如可列舉異丙醇(IPA)或氫氟醚(HFE，hydrofluoroether)等。若考慮乾燥時之效率，則較佳為與純水相比有機溶劑較佳且蒸氣壓較高者。上述溶劑供給源係供給上述處理液之溶劑。
上述霧化噴嘴143係將自蓄積槽148以既定流量供給之含有污染用物質之處理液噴吐至腔室134之內部。又，亦可僅將溶劑噴吐至腔室134之內部。霧化噴嘴143例如藉由2流體噴嘴或1流體噴嘴、噴霧器等噴霧手段將含有污染用物質之處理液或溶劑霧化並供給於腔室134內。此外，利用霧化噴嘴143之處理液之霧例如為微米級，污染用物質為數十nm左右之大小。
再者，上述霧化噴嘴143相當於本發明之「塗佈手段」及「處理液霧化手段」暨「含有污染用物質之處理液霧化手段」。
上述散佈噴嘴144連通連接有載體配管151之一端側。於載體配管151之另一端側連通連接有乾燥氮氣供給源。流量調整閥152係調整來自乾燥氮氣供給源之乾燥氮氣之流量。於流量調整閥152與散佈噴嘴143之間連通有第1污染用物質槽153與第2污染用物質槽154。第1污染用物質槽153包括流量調整閥155，第2污染物質槽154包括流量調整閥156。第1污染用物質槽153例如蓄積如上述之污染用物質之粒徑較小者，第2污染用物質槽154係蓄積粒徑較第1污染用物質槽153所蓄積之污染用物質大之污染用物質。
再者，上述散佈噴嘴27相當於本發明之「散佈手段」。
開放流量調整閥152，開放流量調整閥155或流量調整閥156，藉此，可將所期望之粒徑之污染用物質與乾燥氮氣一併自散佈噴嘴144供給於腔室134內。
此處，使用上述構成之基板處理裝置對潤濕步驟之評估用基板之製作例進行說明。
<製作方法1>
參照圖15。再者，圖15(a)~(c)係表示評估用基板之製作方法1之處理過程之模式圖。
首先，將疏水性之基板W搬入於腔室134內，且使疏水面為上表面而將其載置於載置台131。繼而，於關閉開閉閥138之狀態下，開放開閉閥142而使減壓泵141動作。藉此，將腔室134內減壓，並且將剩餘之微粒等自腔室134排出。若腔室134之內壓達到既定之壓力，則關閉開閉閥142使減壓泵141停止。其次，於關閉流量調整閥146之狀態下，開放流量調整閥149，並且使壓送泵150動作。藉此，含有污染用物質之處理液以霧M1之形式自霧化噴嘴143供給 至腔室134之內部(圖15(a))。
再者，上述過程相當於本發明之「塗佈過程」。
如此，含有污染用物質之處理液之霧M1遍及基板W之整個表面附著於疏水性之基板W之上表面(圖15(b))。霧M1含有污染用物質D。再者，含有污染用物質之處理液之供給較佳為設為霧不於基板W之疏水面上積聚之程度之量。其原因在於，由於基板W之上表面為疏水性，故而若大量供給霧M1，則有鄰近之霧M1結合而成為較大之塊而於疏水面上變得不穩定從而移動之虞。
其次，對載置台131之加熱器132進行加熱，一併對載置台131與基板W進行加熱。藉此，含有污染用物質D之處理液之霧M1中，僅溶劑蒸發。因此，僅霧M1中之污染用物質D附著於疏水性之基板W(圖15(c))。又，視需要藉由冷卻器133使基板W冷卻至既定溫度。
再者，上述過程相當於本發明之「乾燥過程」。
其後，開放腔室134之減壓，將整個表面附著有污染用物質D之疏水性之基板W自腔室134搬出。
<製作方法2>
參照圖16。再者，圖16(a)~(d)係表示評估用基板之製作方法2之處理過程之模式圖。
首先，將疏水性之基板W搬入腔室134內並將其載置於載置台1。繼而，將腔室134內減壓且將剩餘之微粒等排出。若腔室134內之壓力達到既定壓力，則使減壓泵141停止。其次，於關閉流量調整閥149之狀態下，開放流量調整閥146。藉此，僅溶劑(處理液)以霧M2之形式自霧化噴嘴143供給至腔室134之內部(圖16(a))。
如此一來，僅溶劑(處理液)之霧M2遍及基板W之整個 表面附著於疏水性之基板W之上表面(圖16(b))。不大量供給霧M2為較佳方法係與上述作成方法1相同。
其次，開放開閉閥155，並且例如開放流量調整閥152。 藉此，污染用物質D與乾燥氮氣一併自散佈噴嘴144散佈於腔室134內(圖16(c))。藉此，污染用物質D被取入於位於基板W之上表面之霧M2中。
再者，上述兩個過程相當於本發明之「塗佈過程」，圖 16(c)之過程相當於本發明之「散佈過程」。
其次，對載置台131之加熱器132進行加熱，一併對載 置台131與基板W進行加熱。藉此，含有污染用物質D之處理液之霧M2中，僅溶劑蒸發。因此，霧M2中之污染用物質D附著於疏水性之基板W(圖16(c))。
再者，上述過程相當於本發明之「乾燥過程」。
其後，開放腔室134之減壓，將整個表面附著有污染用 物質D之疏水性之基板W自腔室134搬出。
根據本實施例方法，由於經由處理液之霧M1、M2使污 染用物質D附著，故而即便為疏水性之基板W亦可遍及基板W之整個表面均等地塗佈霧M1、M2。因此，即便為疏水性之基板W亦可製作再現潤濕步驟之污染用物質之附著之評估用基板。
又，由於製作方法1係對基板W供給含有污染用物質D 之處理液之霧M1，故而可一次性將污染用物質D塗佈於基板W。又，由於利用含有污染用物質D之處理液使污染用物質D附著，故而可再現極其接近潤濕步驟之污染之狀態。
又，作成方法2係供給僅處理液之霧M2，且於基板W 之上方散佈污染用物質D，藉此可將污染用物質D取入於位於疏水面上之處理液之霧M2中。因此，可將污染用物質D塗佈於基板之疏水面上。
又，根據本實施例裝置，對載置於載置台131之疏水性 之基板W之整個表面供給處理液之霧M1、M2，藉由加熱器132使所塗佈之處理液乾燥，可使污染用物質D附著於疏水性之基板W之整個表面。由於經由處理液之霧M1、M2而使污染用物質D附著，故而即便為疏水性之基板W亦可遍及基板W之整個表面均等地塗佈霧M1、M2。因此，即便疏水性之基板W亦可製作再現潤濕步驟之污染用物質之附著之評估用基板。
本發明並不限定於上述實施形態，可以下述方式進行變 形實施。
(1)於上述實施例中，利用加熱器132進行乾燥，但例如 於蒸氣壓較高之處理液之情形時，亦可藉由利用減壓泵141對腔室134之內部進一步進行減壓而進行乾燥。又，亦可使電動馬達135低速旋轉而進行乾燥。
(2)於上述實施例中，構成為載置台131可旋轉，但只要 不藉由旋轉進行乾燥，亦可省略電動馬達135。
(3)於上述實施例中，由腔室134包圍載置台131，但只 要為潔淨之環境，且污染用物質D以外之物質不自周圍混入，則亦可省略腔室7。
(4)於上述實施例中，於常溫下供給霧，但例如亦可預先 藉由冷卻器133冷卻基板W。藉此，可促進供給於腔室134內之霧附 著於基板W。
(5)於上述實施例中，設為可對應於製作方法1與製作方法2之兩者之裝置構成，但於僅實施一者之情形時，可省略另一者之構成。
(產業上之可利用性)
如上所述，本發明適於作成半導體領域中之評估用之基板之技術。
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧匣盒台
3a‧‧‧載置部
3b‧‧‧載置部
5‧‧‧索引器
7‧‧‧基板交接部
9‧‧‧搬送部
11‧‧‧清洗部
13‧‧‧測定部
15‧‧‧塗佈部
17‧‧‧液體供給裝置
19‧‧‧熱處理部
21‧‧‧控制部
23‧‧‧交接台
25‧‧‧搬送臂
27‧‧‧烘烤單元
29‧‧‧導風單元
C‧‧‧匣盒
CR、R‧‧‧機械手
W‧‧‧基板

Claims (23)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板塗佈污染用物質者，其特徵在於具備：基板供給收納部，其供給未處理之基板，並且收納經過處理之基板；液體供給部，其供給分散有污染用物質之處理液；塗佈部，其對自上述基板供給收納部所供給之基板，塗佈自上述液體供給部供給之處理液；熱處理部，其對塗佈有處理液之基板進行熱處理；及搬送部，其於上述基板供給收納部、上述塗佈部、及上述熱處理部之間搬送基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其進而具備：清洗部，其對基板進行清洗；及控制部，其係於利用上述清洗部對自上述基板供給收納部所供給之基板進行清洗後，利用上述塗佈部對清洗後之基板進行塗佈。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其進而具備：測定部，其測定基板之污染度；及控制部，其係於利用上述塗佈部進行塗佈前，利用上述測定部測定基板之污染度，並且於利用上述塗佈部進行塗佈後，利用上述測定部測定基板之污染度。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述控制部於利用上述塗佈部之塗佈後之利用上述測定部之測定結果為基板之污染度與目標值不一致之情形時，利用上述清洗部清洗基板，製備上述液體供給部之處理液，進行利用上述測 定部之測定及利用上述塗佈部之塗佈。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述熱處理部具備加熱基板之加熱部、及冷卻基板之冷卻部。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述液體供給部具備：分散槽，其蓄積使污染用物質分散於液體中之分散液；及稀釋槽，其係將於上述分散槽中所生成之分散液稀釋並作為處理液而蓄積。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述塗佈部具備：預分配部，其於對未處理之基板供給處理液前，於待機位置吐出既定量之處理液；及濃度測定部，其對由上述預分配部所吐出之處理液中之污染用物質之濃度進行測定；且上述液體供給部於上述濃度測定部之測定結果與目標濃度不一致之情形時，藉由自上述分散槽向上述稀釋槽補充分散液、或向上述稀釋槽補充液體，而調整污染用物質之濃度。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之基板處理裝置，其中，上述分散槽進而具備：投入口，其形成於上部；旋轉板，其構成為於中心部可圍繞鉛垂軸旋轉，且於較中心部更靠外周側具備複數個插入口；滴下機構，其設置於上述旋轉板之各插入口，使上述旋轉板之各插入口之內周面朝向各插入口之中心部伸縮；及驅動部，其使上述旋轉板旋轉，使任一插入口位於上述投入口；且預先將蓄積含有污染用物質之分散液原液的原液容器，以使其 吐出口朝向上述插入口下方之方式插入於上述各插入口，上述控制部於以使所期望之原液容器位於上述投入口之方式操作上述驅動部而使其移動之狀態下，操作上述滴下機構，向上述分散槽中投入含有污染用物質之分散液原液。
  9. 一種液體供給裝置，其係用以對基板供給含有污染用物質之處理液者，其特徵在於具備：分散槽，其蓄積使污染用物質分散於液體中之分散液；稀釋槽，其係將於上述分散槽中所生成之分散液稀釋並蓄積處理液；供給手段，其自上述稀釋槽對基板供給處理液；及控制部，其藉由自上述分散槽向上述稀釋槽補充分散液、或向上述稀釋槽補充液體，而調整污染用物質之濃度。
  10. 如申請專利範圍第9項之液體供給裝置，其中，上述分散槽進而具備：投入口，其形成於上部；旋轉板，其構成為於中心部可圍繞鉛垂軸旋轉，且於較中心部更靠外周側具備複數個插入口；滴下機構，其設置於上述旋轉板之各插入口，使上述旋轉板之各插入口之內周面朝向各插入口之中心部伸縮；及驅動部，其使上述旋轉板旋轉，使任一插入口位於上述投入口；且預先將蓄積含有污染用物質之分散液原液的原液容器，以使其吐出口朝向上述插入口下方之方式插入於上述各插入口，上述控制部係於以使所期望之原液容器位於上述投入口之方 式操作上述驅動部而使其移動之狀態下，操作上述滴下機構，向上述分散槽中投入含有污染用物質之分散液原液。
  11. 一種基板處理裝置，其係對疏水性基板附著污染用物質者，其特徵在於具備：旋轉手段，其以水平姿勢保持疏水性基板，使疏水性基板於水平面內旋轉；低表面張力處理液供給手段，其對疏水性基板之上表面供給含有污染用物質之低表面張力處理液；及惰性氣體環境形成手段，其於由上述旋轉手段所保持之疏水性基板之上表面，形成惰性氣體環境；且對由上述旋轉手段所保持之疏水性基板之上表面，自上述低表面張力處理供給手段供給低表面張力處理液，而對疏水性基板之上表面整體供給低表面張力處理液，於藉由上述惰性氣體環境形成手段形成惰性氣體環境之狀態下，藉由上述旋轉手段使疏水性基板旋轉，並使供給於上表面之低表面張力處理液乾燥，藉此，使污染用物質附著於疏水性基板之上表面整體。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述惰性氣體環境形成手段構成為：可於遍及與上述旋轉手段之上方相隔之待機位置、及接近於由上述旋轉手段所保持之疏水性基板之上表面之處理位置升降，而於低表面張力處理液之乾燥時，上述惰性氣體環境形成手段移動至處理位置。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述惰性氣體環境形成手段具備：旋轉板，其可圍繞鉛垂軸與 上述旋轉手段同步地旋轉；及噴射口，其形成於上述旋轉板，且朝向疏水性基板噴射惰性氣體。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，上述低表面張力處理液供給手段具備供給口，該供給口自上述旋轉板之下表面中心部朝向疏水性基板之上表面供給低表面張力處理液。
  15. 如申請專利範圍第11至14項中任一項之基板處理裝置，其中，上述低表面張力處理液供給手段供給有機溶劑作為低表面張力處理液。
  16. 一種基板處理方法，其係對疏水性基板附著污染用物質者，其特徵在於具備：塗佈過程，其藉由對疏水性基板之整個面供給處理液之霧，而將污染用物質塗佈於疏水性基板之整個面；及乾燥過程，其係使供給於疏水性基板之整個面之處理液之霧乾燥，使污染用物質附著於疏水性基板之整個面。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理方法，其中，上述塗佈過程係對疏水性基板之整個面供給含有污染用物質之處理液之霧。
  18. 如申請專利範圍第16項之基板處理方法，其中，上述塗佈過程具備：霧供給過程，其係對疏水性基板之整個面供給處理液之霧；及散佈過程，其係於疏水性基板之上方散佈污染用物質。
  19. 一種基板處理裝置，其係對疏水性基板附著污染用物質者，其特徵在於具備： 載置台，其載置疏水性基板；塗佈手段，其藉由對載置於上述載置台之疏水性基板之整個面供給處理液之霧，而將污染用物質塗佈於疏水性基板之整個面；及乾燥手段，其使藉由上述塗佈手段而塗佈於疏水性基板之整個面之處理液乾燥，使污染用物質附著於疏水性基板之整個面。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述塗佈手段係含有污染用物質之處理液霧化手段，其對疏水性基板之整個面供給含有污染用物質之處理液之霧。
  21. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述塗佈手段具備：處理液霧化手段，其對疏水性基板之整個面供給處理液之霧；及散佈手段，其於疏水性基板之上方散佈污染用物質。
  22. 如申請專利範圍第19至21項中任一項之基板處理裝置，其進而具備：包圍上述載置台之腔室。
  23. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述乾燥手段係附設於載置台之加熱手段。
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