CN108305829A - 基板处理方法及基板处理装置 - Google Patents

基板处理方法及基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108305829A
CN108305829A CN201711458281.5A CN201711458281A CN108305829A CN 108305829 A CN108305829 A CN 108305829A CN 201711458281 A CN201711458281 A CN 201711458281A CN 108305829 A CN108305829 A CN 108305829A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
inner space
pressure
liquid film
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711458281.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108305829B (zh
Inventor
阿部博史
奥谷学
吉原直彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN108305829A publication Critical patent/CN108305829A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108305829B publication Critical patent/CN108305829B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0014—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by incorporation in a layer which is removed with the contaminants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/106—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by boiling the liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/007—Heating the liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供基板处理方法，包括：基板保持工序，使基板保持单元将基板保持为水平；密闭工序，在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间；液膜形成工序，对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液，在基板上形成处理液的液膜；加压工序，通过对内部空间供给气体，对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力；加热工序，加热基板，使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层；液膜排除工序，通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态，一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力，使处理液蒸发，从基板上排除液膜。

Description

基板处理方法及基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理方法及基板处理装置。作为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平板显示)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在逐个处理基板的单张式基板处理装置的基板处理中，例如，对由旋转卡盘大致水平地保持的基板供给药液。然后，对基板供给冲洗液，由此，基板上的药液被置换为冲洗液。然后，进行用于排除基板上的冲洗液的旋转干燥工序。
如图11所示，在基板的表面形成有图案时，旋转干燥工序中，进入图案内部的冲洗液可能无法除去。由此，可能发生基板干燥不良。由于进入图案内部的冲洗液的液面(空气和液体的界面)形成在图案内部，因此液体的表面张力作用于液面与图案之间的接触位置。当这一表面张力较大时，容易引起图案的倒塌。作为典型的冲洗液的水，由于其表面张力较大，因此不能忽视旋转干燥工序中的图案倒塌。
因此，建议供给作为表面张力低于水的有机溶剂的异丙醇(Isopropyl Alcohol:IPA)。通过用IPA处理基板的上表面，进入图案内部的水被置换为IPA。然后通过除去IPA来干燥基板的上表面。
但是，近年来，在基板表面形成细微且高宽比高的细微图案(柱状的图案、线状的图案等)以实现高集成化。细微且高的高宽比的细微图案易倒塌。当细微图案内部的IPA从上方逐渐蒸发时，直至IPA完全蒸发的期间，表面张力持续作用于IPA的液面与细微图案之间的接触位置。因此，图案可能倒塌。因此，在基板的上表面形成IPA液膜后，需要缩短表面张力作用于细微图案的时间。
因此，美国专利申请公开第2014/127908号说明书中提出利用加热器来加热基板的基板处理方法。通过利用加热器加热基板，在IPA液膜与基板的上表面之间形成IPA的蒸气层。由此，细微图案的内部充满气相的IPA。因此，可以缩短在细微图案的内部产生IPA液面的时间。因此，从上方使与细微图案内部的IPA逐渐蒸发的方法相比，能够缩短表面张力作用于细微图案的时间。
美国专利申请公开第2014/127908号说明书所记载的基板处理方法中，在于IPA的液膜与基板的上表面之间形成有IPA的蒸气层的状态下，向基板外排除IPA的液膜。美国专利申请公开第2014/127908号说明书中，作为在形成有蒸气层的状态下向基板外排除IPA的液膜的方法，公开了例如，倾斜基板使IPA的液膜滑落的方法(参照美国专利申请公开第2014/127908号的图11A～图11C)和通过用吸引嘴吸引IPA的液膜从而排除IPA的液膜的方法(参照美国专利申请公开第2014/127908号的图12A～图12C)等。
在于IPA的液膜与基板的上表面之间形成有IPA的蒸气层的状态下向基板外排除IPA的液膜的方法，优选是能够根据基板处理装置的结构等进行选择。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于提供一种基板处理方法及基板处理装置，在IPA等处理液的液膜与基板的上表面之间形成处理液的蒸气层的结构中，能够从基板上良好地排除液膜。
本发明的一个实施方式提供一种基板处理方法，包括：基板保持工序，使用于将基板保持为水平的基板保持单元保持所述基板；密闭工序，在将保持有所述基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下，密闭所述内部空间；液膜形成工序，通过对所述保持为水平的基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，在所述液膜和所述基板之间形成所述处理液的蒸气层；以及液膜排除工序，通过一边维持在所述液膜和所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，由此使所述处理液蒸发而从所述基板上排除所述液膜。
根据这一方法，加热工序中，基板被加热至可在液膜与基板之间形成蒸气层的程度的高温。因此，基板的上表面附近的处理液瞬时蒸发，在液膜和基板之间形成蒸气层。因此，与使处理液的液膜从上方逐渐蒸发的方法相比，缩短了表面张力作用于基板的上表面的时间。
液膜排除工序中的内部空间的减压中，在维持蒸气层的状态下，使内部空间的压力达到小于第一压力的第二压力。此处，形成所述蒸气层的程度的高温是指高于第二压力下的沸点的温度。因此，在通过减压使内部空间的压力达到第二压力的状态下，液膜的温度高于处理液的沸点。因此，由于处理液瞬时蒸发，因此可从基板上瞬时排除液膜。
结果，在处理液的液膜与基板的上表面之间形成处理液的蒸气层的结构中，能够从基板上良好地排除液膜。
本发明的一个实施方式提供一种基板处理方法，包括：基板保持工序，使用于将基板保持为水平的基板保持单元保持所述基板；密闭工序，在将保持有所述基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下，密闭所述内部空间；液膜形成工序，通过对所述保持未水平的基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，所述液膜的温度高于大气压下的所述处理液的沸点；以及液膜排除工序，通过一边维持所述液膜的温度高于大气压下的所述处理液的沸点的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，由此，以经由在所述液膜和所述基板之间形成有所述处理液的蒸气层的状态的方式，使所述处理液蒸发而从所述基板上排除所述液膜。
根据这一方法，液膜排除工序中，通过对密闭的腔室的内部空间减压，经由在液膜与基板之间形成有处理液的蒸气层的状态后，从基板上排除液膜。基板的温度达到可在密闭的内部空间的减压过程中在液膜与基板之间形成蒸气层的程度的高温。因此，基板的上表面附近的处理液瞬时蒸发，在液膜与基板之间形成蒸气层。因此，与使处理液的液膜从上方逐渐蒸发的方法相比，缩短了表面张力作用于基板的上表面的时间。
在液膜排除工序中的内部空间的减压中，在液膜的温度维持在高于大气压下的处理液的沸点的状态下，使内部空间的压力达到小于第一压力的第二压力。因此，在通过减压使内部空间的压力达到第二压力的状态下，液膜的温度是高于大气压中的处理液的沸点的高温。因此，处理液瞬时蒸发，可从基板上瞬时排除液膜。
结果，在处理液的液膜与基板的上表面之间形成处理液的蒸气层的结构中，能够从基板上良好地排除液膜。
本发明的一个实施方式中，所述第二压力是大气压以下的压力。因此，与第二压力大于大气压的结构相比，能够增大第一压力与第二压力之差。换言之，与第二压力大于大气压的结构相比，能够增大液膜的温度与对内部空间减压后的处理液的沸点之差。因此，液膜排除工序中，处理液蒸发时的蒸发速度增大。因此，处理液瞬时蒸发，由此可从基板上瞬时排除液膜。
本发明的一个实施方式中，所述第二压力与大气压相等。而且，所述液膜排除工序包括气体排出工序，所述气体排出工序将所述内部空间向所述内部空间的外部开放，从而将所述内部空间内的气体向所述内部空间的外部排出，以对所述内部空间减压。
根据这一方法，第二压力与大气压相等。因此，通过将内部空间向内部空间的外部开放这一简单的方法，能够将内部空间内的气体向内部空间的外部排出，对内部空间减压。因此，液膜排除工序中，通过利用简单的方法对内部空间减压，能够使处理液瞬时蒸发。
本发明的一个实施方式中，所述加压工序及所述加热工序并行执行。因此，能够缩短从基板保持单元保持基板起，至腔室的内部空间的减压开始为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
本发明的一个实施方式中，所述液膜形成工序及所述加压工序并行执行。因此，能够缩短从基板保持单元保持基板起，至腔室的内部空间的减压开始为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
本发明的一个实施方式中，所述加热工序包括接触加热工序，在所述接触加热工序中，在使加热器单元与所述基板的下表面接触的状态下加热所述基板。
根据这一方法，在使加热器单元与基板的下表面接触的状态下加热基板。由此，能够高效地加热基板，从而能够缩短加热工序所需的时间。因此，能够缩短从基板保持单元保持基板起，至腔室的内部空间的减压开始为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，将基板保持为水平；腔室，具有可收纳所述基板保持单元的内部空间；处理液供给单元，对所述保持为水平的基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液；加热器单元，加热所述基板；气体供给单元，对所述内部空间供给气体；减压单元，对所述内部空间减压；以及控制器，控制所述基板保持单元、所述腔室、所述处理液供给单元、所述加热器单元、所述气体供给单元以及所述减压单元。
而且，所述控制器被编程为执行以下工序：基板保持工序，使所述基板保持单元保持基板；密闭工序，密闭在收纳有所述基板保持单元的状态下的所述内部空间；液膜形成工序，通过对所述基板的上表面供给所述处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，在所述液膜和所述基板之间形成所述处理液的蒸气层；以及液膜排除工序，通过一边维持在所述液膜和所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，由此使所述处理液蒸发而从所述基板上排除所述液膜。
根据该结构，加热工序中，加热基板使得温度成为在液膜与基板之间可形成蒸气层的程度。因此，基板的上表面附近的处理液瞬时蒸发，在液膜与基板之间形成蒸气层。因此，与使处理液的液膜从上方逐渐蒸发的结构相比，缩短了表面张力作用于基板的上表面的时间。
液膜排除工序中的内部空间的减压中，在维持有蒸气层的状态下，使内部空间的压力达到小于第一压力的第二压力。此处，形成所述蒸气层的程度的高温是指高于第二压力下的沸点的温度。因此，在通过减压使内部空间的压力达到第二压力的状态下，液膜的温度高于处理液的沸点。因此，处理液瞬时蒸发，从而从基板上瞬时排除液膜。
结果，在处理液的液膜与基板的上表面之间形成处理液的蒸气层的结构中，能够从基板上良好地排除液膜。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，将基板保持为水平；腔室，具有可收纳所述基板保持单元的内部空间；处理液供给单元，对所述保持为水平的基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液；加热器单元，加热所述基板；气体供给单元，对所述内部空间供给气体；减压单元，对所述内部空间减压；以及控制器，控制所述基板保持单元、所述腔室、所述处理液供给单元、所述加热器单元、所述气体供给单元以及所述减压单元。
然后，所述控制器被编程为执行以下工序：基板保持工序，使所述基板保持单元保持基板；密闭工序，密闭在收纳有所述基板保持单元的状态下的所述内部空间；液膜形成工序，通过对所述基板的上表面供给所述处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，所述液膜的温度高于大气压下的所述处理液的沸点；以及液膜排除工序，通过一边维持所述液膜的温度高于大气压下的所述处理液的沸点的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，以经由在所述液膜与所述基板之间形成有所述处理液的蒸气层的状态的方式，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜。
根据该结构，液膜排除工序中，通过对密闭的腔室的内部空间减压，经由在液膜与基板之间形成有处理液的蒸气层的状态后，从基板上排除液膜。基板的温度达到可密闭的内部空间的减压过程中在液膜与基板之间可形成蒸气层的程度的高温。因此，基板的上表面附近的处理液瞬时蒸发，在液膜与基板之间形成蒸气层。因此，与使处理液的液膜从上方逐渐蒸发的结构相比，缩短了表面张力作用于基板的上表面的时间。
在液膜排除工序中的内部空间的减压中，在液膜的温度维持在比大气压下的处理液的沸点高的温度的状态下，使内部空间的压力达到小于第一压力的第二压力。因此，在通过减压使内部空间的压力达到第二压力的状态下，液膜的温度高于大气压下的处理液的沸点。因此，处理液瞬时蒸发，可从基板上瞬时排除处理液。
结果，在处理液的液膜与基板的上表面之间形成处理液的蒸气层的结构中，能够从基板上良好地排除液膜。
本发明的其他实施方式中，所述第二压力是大气压以下的压力。因此，与第二压力大于大气压的结构相比，能够增大第一压力与第二压力之差。换言之，与第二压力大于大气压的结构相比，能够增大液膜的温度与对内部空间减压后的处理液的沸点之差。因此，液膜排除工序中，处理液蒸发时的蒸发速度增大。因此，处理液瞬时蒸发，由此可从基板上瞬时排除液膜。
本发明的其他实施方式中，所述第二压力等于大气压。然后，所述减压单元包括排出单元，所述排出单元通过将所述内部空间向所述内部空间的外部开放而将所述内部空间内的气体向所述内部空间的外部排出。然后，所述控制器被编程为执行气体排出工序，通过控制所述排出单元，将所述内部空间内的气体向所述内部空间的外部排出从而对所述内部空间减压。
根据该结构，第二压力等于大气压。因此，通过向内部空间的外部开放内部空间这一简单的方法，能够将内部空间内的气体向内部空间的外部排出，并对内部空间减压。因此，液膜排除工序中，通过利用简单的方法对内部空间减压，能够使处理液瞬时蒸发。
本发明的其他实施方式中，所述控制器被编程为使所述加压工序及所述加热工序并行执行。因此，能够缩短从基板保持单元保持基板起，至腔室的内部空间的减压开始为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
本发明的其他实施方式中，所述控制器被编程为使所述液膜形成工序及所述加压工序并行执行。因此，能够缩短从基板保持单元保持基板起，至腔室的内部空间的减压开始为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还包括使所述加热器单元升降的加热器升降单元。而且，所述控制器被编程为执行接触加热工序，所述接触加热工序通过控制所述加热器升降单元，在使所述加热器单元与所述基板的下表面接触的状态下加热所述基板。
根据该结构，在使加热器单元与基板的下表面接触的状态下加热基板。由此，能够高效地加热基板，从而能够缩短加热工序所需的时间。因此，能够缩短从基板保持单元保持基板起，至腔室的内部空间的减压开始为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
通过参照附图对以下叙述的实施方式的说明，本发明的上述的、或者其他的目的、特征以及效果将变得显而易见。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置的内部布局的图解性俯视图。
图2是用于说明通过所述基板处理装置处理的基板的表面构造的一例的示意性剖视图。
图3是用于说明所述基板处理装置具有的处理单元的结构例的图解性部分剖视图。
图4是用于说明所述基板处理装置的主要部件的电学结构的框图。
图5是用于说明所述基板处理装置的基板处理的一例的流程图。
图6是用于说明干燥处理(图5的S4)的流程图。
图7A～图7F是用于说明干燥处理(图5的S4)的图解性剖视图。
图8A～图8C是在加热工序中形成蒸气层的情况下，从基板上排除液膜时的基板的上表面周边的示意性剖视图。
图9A～图9C是在液膜排除工序中形成蒸气层的情况下，从基板上排除液膜时的基板W的上表面周边的示意性剖视图。
图10是用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性部分剖视图。
图11是用于说明表面张力导致的图案倒塌的原理的图解性剖视图。
具体实施方式
<第一实施方式>
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解性俯视图。
基板处理装置1是逐个处理硅晶片等基板W的单张式装置。该实施方式中，基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，利用IPA等处理液处理基板W；装载台LP，用于载置托架C，该托架C用于收纳在处理单元2中处理的多张基板W；搬送机械手IR及CR，在装载台LP和处理单元2之间搬送基板W；控制器3，用于控制基板处理装置1。搬送机械手IR在托架C与搬送机械手CR之间搬送基板W。搬送机械手CR在搬送机械手IR与处理单元2之间搬送基板W。多个处理单元2例如具有同样的结构。处理液是指用于处理基板W的上表面的液体。处理液包括去离子水(DIW：Deionized Water)等冲洗液和表面张力小于水的IPA等低表面张力液体。
图2是用于说明在基板处理装置1中处理的基板W的上表面33的构造的一例的示意性剖视图。参照图2，由基板处理装置1处理的基板W是例如在硅晶片的表面形成细微图案30的基板。细微图案30包括多个凸状的构造体31。多个构造体31彼此沿相同方向排列。
各构造体31的图案宽度W1通常为10nm～45nm左右。细微图案30的间隙W2为10nm～数μm左右。细微图案30可以是线状构造体的图案。该情况下，细微图案30中设置有槽(沟槽)状的间隙。
细微图案30通常包括绝缘膜。细微图案30也可以包括导体膜。更具体而言，细微图案30可以由将绝缘膜及导体膜层压而成的层压膜形成。细微图案30也可以由单层膜构成。
绝缘膜可以是SiO2膜或氮化膜。此外，导体膜既可以是引入了用于降低电阻的杂质的非晶硅膜，也可以是金属膜(例如金属配线膜)。
作为构成层压膜的各膜，可例示多晶硅膜、SiN膜、BSG膜(包含硼的SiO2膜)以及TEOS膜(利用TEOS(四乙氧基硅烷)通过CVD法形成的SiO2膜)等。
此外，细微图案30的膜厚T为例如50nm～5μm左右。细微图案30中，高宽比可以为例如5～500左右(典型地为5～50左右)。高宽比是膜厚T与图案宽度W1的比。
将形成有这样的细微图案30的基板W进行干燥时，拉近邻接的构造体31的表面张力(亦参照图11)作用于细微图案30。由此，可能引起细微图案30的图案倒塌。
图3是用于说明处理单元2的结构例的图解性部分剖视图。
处理单元2包括一张基板W保持为水平姿势的基板保持单元5、用于加热基板W的加热器单元6、具有可密闭的内部空间7a的密闭腔室7、对基板W的上表面供给药液的药液供给单元8、以及对基板W的上表面供给DIW等冲洗液的冲洗液供给单元9。
处理单元2还包括对内部空间7a供给氮气(N2)等气体的气体供给单元10、对基板W的上表面供给IPA等低表面张力液体的低表面张力液体供给单元11、将内部空间7a内的气体向密闭腔室7的外部排出的排出单元12、以及用于收纳密闭腔室7的收纳腔室13。
收纳腔室13中形成出入口(未图示)，用于将基板W搬入收纳腔室13内，或从收纳腔室13内将基板W搬出。收纳腔室13具有用于开闭该出入口的闸门单元(未图示)。
基板保持单元5包括可以从下方抵接基板W的多个下侧抵接销20、用于支持多个下侧抵接销20的下侧支持构件21、可以从上方抵接基板W的多个上侧抵接销22、以及用于支持多个上侧抵接销22的上侧支持构件23。下侧支持构件21及上侧支持构件23在该实施方式中分别为环状。
处理单元2还具有使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的基板旋转单元14。基板旋转单元14包括对下侧支持构件21施加旋转力的电动机(未图示)。下侧支持构件21由该电动机旋转，由此，基板保持单元5所保持的基板W以旋转轴线A1为中心旋转。
多个下侧抵接销20在周向上隔开间隔地配置在下侧支持构件21的上表面。下侧抵接销20具有相对于水平方向倾斜的倾斜面20a。下侧抵接销20配置为使倾斜面20a朝向旋转轴线A1侧。
多个上侧抵接销22在周向上隔开间隔地配置在上侧支持构件23的下表面的周缘部。上侧抵接销22具有相对于水平方向倾斜的倾斜面22a。上侧抵接销22配置为使倾斜面22a朝向旋转轴线A1侧。
基板W水平地载置于多个下侧抵接销20上。当基板W载置于多个下侧抵接销20时，下侧抵接销20的倾斜面20a抵接于基板W的下表面的周缘部。由此，基板W被基板保持单元5水平地保持。基板W被多个下侧抵接销20和多个上侧抵接销22挟持，由此可靠地保持水平。
与本实施方式不同，基板保持单元5也可以是通过在水平方向上挟持基板W而水平地保持基板W的挟持式卡盘。
密闭腔室7是具有能够收纳基板保持单元5的内部空间7a的腔室的一例。密闭腔室7包括在上端具有开口的下侧收纳构件70和配置在下侧收纳构件70的上方、并在下端具有开口的上侧收纳构件71。下侧收纳构件70及上侧收纳构件71分别具有有底的圆筒状的形态。下侧支持构件21收纳于下侧收纳构件70。上侧支持构件23收纳于上侧收纳构件71。
下侧收纳构件70一体地包括大致圆板状的底壁73和从底壁73向上方延伸的周壁74。周壁74具有以旋转轴线A1为中心的圆筒状的形态。周壁74具有圆环状的上端面74a。
在底壁73的上表面形成与废液配管(未图示)或回收配管(未图示)连接的环状槽73a。导入环状槽73a的药液或冲洗液通过废液配管或回收配管被废弃或回收。
上侧收纳构件71一体地包括大致圆板状的底壁75和从底壁75向下方延伸的周壁76。周壁76具有以旋转轴线A1为中心的圆筒状的形态。周壁76具有圆环状的下端面76a。
在上侧收纳构件71的周缘部和下侧收纳构件70的周缘部之间设置有圆环状的密封构件72。具体而言，密封构件72设置在下侧收纳构件70的周壁74的上端面74a与上侧收纳构件71的周壁76的下端面76a之间。本实施方式中，密封构件72安装于上侧收纳构件71的周壁76的下端面76a。
在上侧收纳构件71的底壁75的中央区域中设置的圆筒状的中央突部75a插通在上侧支持构件23的中央区域设置的插通孔23a。由此，上侧支持构件23由上侧收纳构件71保持，使得上侧支持构件23能够绕着旋转轴线A1相对于上侧收纳构件71旋转。
用于使上侧收纳构件71升降的收纳构件升降单元77与上侧收纳构件71结合。收纳构件升降单元77包括例如滚珠螺杆机构(未图示)和对其施加驱动力的电动机(未图示)。由于上侧支持构件23被上侧收纳构件71支持，因此上侧支持构件23能够与上侧收纳构件71一体地升降。
上侧收纳构件71能够在下位置与上位置之间升降。上侧收纳构件71的下位置是在上侧收纳构件71与下侧收纳构件70之间压缩密封构件72的位置(后述的图7B所示的位置)。上侧收纳构件71的上位置是上侧收纳构件71与下侧收纳构件70分离的位置(后述的图7A所示的位置)。当上侧收纳构件71位于下位置时，由于上侧收纳构件71和下侧收纳构件70之间被密封构件72密封，因此密闭腔室7的内部空间7a密闭。在内部空间7a密闭的状态下，基板保持单元5被收纳在内部空间7a。
当上侧收纳构件71位于下位置时，多个上侧抵接销22从上方抵接于基板W。因此，基板W被多个下侧抵接销20和多个上侧抵接销22挟持。在基板W被多个下侧抵接销20和多个上侧抵接销22挟持的状态下，当下侧支持构件21被基板旋转单元14驱动旋转时，下侧支持构件21、上侧支持构件23以及基板W绕着旋转轴线A1一体地旋转。即，基板保持单元5所保持的基板W由基板旋转单元14驱动绕着旋转轴线A1旋转。
加热器单元6配置在基板W的下方。加热器单元6具有圆板状的加热板的形态。加热器单元6具有从下方与基板W的下表面相向的相向面6a。
加热器单元6包括板本体60和加热器61。板本体60构成为以旋转轴线A1为中心的圆形。更准确地，板本体60具有直径略小于基板W的直径的圆形的平面形状。
加热器61可以是内装于板本体60的电阻器。通过对加热器61通电，相向面6a被加热至高于室温(例如20～30℃。例如25℃)的高温。具体而言，通过对加热器61通电，能够将相向面6a加热至高于大气压中的IPA的沸点(86.4℃)的高温。
沿旋转轴线A1在铅直方向上延伸的升降轴62与加热器单元6的下表面结合。与加热器61连接的供电线63穿过升降轴62内。而且，对加热器61供给电力的加热器通电单元64与供电线63连接。
升降轴62插通于在下侧收纳构件70的底壁73的中央部上形成的贯通孔73b。升降轴62的下端延伸至底壁73的更下方。升降轴62与贯通孔73b之间被圆环状的密封构件65密封。因此，尽管下侧收纳构件70中设置有贯通孔73b，也能充分地确保内部空间7a的密闭性。
处理单元2包括使加热器单元6升降的加热器升降单元66。加热器升降单元66与升降轴62结合。通过起动加热器升降单元66，使加热器单元6在与基板W的下表面在下方分离的下位置(后述的图7A所示的位置)和相向面6a与基板W的下表面接触的上位置(接触位置，后述的图7D所示的位置)之间上下移动。
在加热器单元6不与基板W接触的状态下，能够利用来自相向面6a的辐射热加热基板W。当加热器单元6位于接触位置时，利用来自相向面6a的热传导，基板W被大量的热量加热。
加热器升降单元66包括例如滚珠螺杆机构(未图示)和对其施加驱动力的电动机(未图示)。
药液供给单元8包括对基板W的上表面供给药液的药液喷嘴81、与药液喷嘴81结合的药液供给管82、以及安装于药液供给管82并且用于开闭药液流路的药液阀83。从药液供给源向药液供给管82供给氢氟酸等药液。
药液不限于氢氟酸，也可以是包含硫酸，醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢溶液、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐剂中的至少一种的液体。作为将它们混合而成的药液的例子，可举出SPM(sulfuricacid/hydrogen peroxide mixture：硫酸过氧化氢溶液混合液)、SC1(ammonia-hydrogenperoxide mixture：氨过氧化氢溶液混合液)等。
药液喷嘴81通过药液喷嘴移动单元84在铅直方向及水平方向移动。药液喷嘴81能够通过水平方向的移动，而在与基板W的上表面的旋转中心位置相向的中央位置，和不与基板W的上表面相向的退避位置之间移动。基板W的上表面的旋转中心位置是指在基板W的上表面中的与旋转轴线A1交叉的位置。不与基板W的上表面相向的退避位置是指俯视时密闭腔室7的外侧的位置。与本实施方式不同，药液喷嘴81也可以是配置在密闭腔室7的外侧的固定喷嘴。
冲洗液供给单元9包括对基板W的上表面供给冲洗液的冲洗液喷嘴91、与冲洗液喷嘴91结合的冲洗液供给管92、以及安装于冲洗液供给管92并且用于开闭冲洗液流路的冲洗液阀93。从冲洗液供给源向冲洗液供给管92供给DIW等冲洗液。
冲洗液不限于DIW，也可以是碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如，10～100PPm左右)的盐酸水、氨水、还原水(富氢水)。
冲洗液喷嘴91通过冲洗液喷嘴移动单元94在铅直方向及水平方向移动。冲洗液喷嘴91能够通过水平方向的移动，而在与基板W的上表面的旋转中心位置相向的中央位置与不与基板W的上表面相向的退避位置之间移动。与本实施方式不同，冲洗液喷嘴91也可以是配置在密闭腔室7的外侧的固定喷嘴。
气体供给单元10包括对基板W的上表面的中央区域供给氮气等气体的气体喷嘴101、与气体喷嘴101结合的气体供给管102、以及安装于气体供给管102并且用于开闭气体流路的气体阀103。从气体供给源对气体供给管102供给氮气等气体。
作为从气体供给源对气体供给管102供给的气体，优选氮气等非活性气体。非活性气体不限于氮气，只要是相对于基板W的上表面及细微图案30(参照图2)为非活性的气体即可。作为非活性气体的例子，氮气以外，可以举出氩等稀有气体。
低表面张力液体供给单元11是对基板W的上表面供给用于处理基板W的上表面的处理液的处理液供给单元的一例。低表面张力液体供给单元11包括对基板W的上表面的中央区域供给IPA等低表面张力液体的低表面张力液体喷嘴111、与低表面张力液体喷嘴111结合的低表面张力液体供给管112、以及安装于低表面张力液体供给管112并且用于开闭低表面张力液体的流路的低表面张力液体阀113。从低表面张力液体供给源对低表面张力液体供给管112供给IPA等低表面张力液体。
作为从低表面张力液体供给源向低表面张力液体供给管112供给的低表面张力液体，可以使用不与基板W的上表面及在基板W上形成的细微图案30(参照图2)发生化学反应(反应性差)的、IPA以外的有机溶剂。更具体而言，可以使用包括IPA、HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮以及反式-1，2-二氯乙烯中的至少一种液体作为低表面张力液体。此外，低表面张力液体无需仅由单组分组成，也可以是与其他组分混合的液体。例如，可以是IPA液和纯水的混合液，也可以是IPA液体与HFE液体的混合液。
排出单元12包括向密闭腔室7的外部导出内部空间7a的气体的排出管122、和用于开闭排出管122的排出阀123。通过在内部空间7a密闭的状态下打开排出阀123，使气体在内部空间7a和内部空间7a的外部之间移动。由此，内部空间7a和内部空间7a的外部的压力变得均匀。
排出管122的前端部121、气体喷嘴101以及低表面张力液体喷嘴111分别插通多个插通孔75b，该多个插通孔75b设置在上侧收纳构件71的底壁75的中央突部75a上。排出管122的前端部121、气体喷嘴101以及低表面张力液体喷嘴111分别与上侧收纳构件71之间由密封构件(未图示)等密闭。因此，尽管在上侧收纳构件71设置有多个插通孔75b，也能充分地确保内部空间7a的密闭性。
图4是用于说明基板处理装置1的主要部件的电学结构的框图。控制器3具有微型计算机，按照规定的控制程序对基板处理装置1所具有的控制对象进行控制。更具体而言，控制器3包括处理器(CPU)3A和用于储存控制程序的存储器3B，处理器3A执行控制程序，由此执行用于进行基板处理的各种控制。尤其，控制器3控制搬送机械手IR、CR，基板旋转单元14，喷嘴移动单元84、94，阀类83、93、103、113、123，收纳构件升降单元77，加热器升降单元66以及加热器通电单元64等的动作。
图5是用于说明基板处理装置1的基板处理的一例的流程图。基板处理装置1的基板处理中，基于通过控制器3生成的处理计划表，例如，如图5所示，按照搬入基板(S1)、药液处理(S2)、冲洗处理(S3)、干燥处理(S4)以及搬出基板(S5)的顺序执行。
基板处理中，首先，进行搬入基板(S1)。搬入基板(S1)期间，加热器单元6位于下位置，上侧收纳构件71位于上位置。未处理的基板W被搬送机械手IR、CR从托架C搬入处理单元2，并载置于下侧抵接销20(S1)。然后，基板W被基板保持单元5水平地保持，直至被搬送机械手CR搬出(基板保持工序)。
然后，在搬送机械手CR退避到处理单元2外之后，开始药液处理(S2)。
基板旋转单元14使下侧支持构件21旋转。由此，被水平地保持的基板W旋转(基板旋转工序)。另一方面，药液喷嘴移动单元84将药液喷嘴81配置在基板W的上方的药液处理位置。药液处理位置可以是从药液喷嘴81喷出的药液落在基板W的上表面的旋转中心的位置。然后，药液阀83打开。由此，从药液喷嘴81向旋转状态的基板W的上表面供给药液。供给的药液通过离心力而遍布基板W的整个上表面。
基板处理中，对旋转状态的基板W上供给的药液通过离心力从基板W的周缘向外方飞散，被下侧收纳构件70的周壁74接住。然后，被周壁74接住的药液被导入在底壁73设置的环状槽73a，并且经由回收配管或废液配管被回收或废弃。对于后述的冲洗液及低表面张力液体，也是经由与药液相同的路径被回收或废弃。
接下来，在一定时间的药液处理之后，通过将基板W上的药液置换为DIW，执行用于从基板W上排除药液的DIW冲洗处理(S3)。
冲洗液喷嘴移动单元94将冲洗液喷嘴91配置在基板W的上方的冲洗液处理位置。冲洗液处理位置可以是从冲洗液喷嘴91喷出的冲洗液落在基板W的上表面的旋转中心的位置。然后，药液阀83关闭，冲洗液阀93打开。由此，从冲洗液喷嘴91向旋转状态的基板W的上表面供给DIW。供给的DIW通过离心力遍布基板W的整个上表面。基板W上的药液被该DIW冲洗掉。在此期间，药液喷嘴移动单元84使药液喷嘴81从基板W的上方向密闭腔室7的侧方退避。
接下来，如后面详细叙述的那样，在一定时间的DIW冲洗处理(S3)之后，执行使基板W干燥的干燥处理(S4)。在通过收纳构件升降单元77使上侧收纳构件71移动到下位置从而使密闭腔室7的内部空间7a密闭的状态下执行干燥处理(S4)(密闭工序)。在干燥处理(S4)中，基板W被干燥后，收纳构件升降单元77使上侧收纳构件71移动到上位置。然后，搬送机械手CR进入处理单元2，从基板保持单元5抓取处理过的基板W，向处理单元2外搬出(S5)。该基板W从搬送机械手CR被传递到搬送机械手IR，通过搬送机械手IR被收纳于托架C。
图6是用于说明干燥处理(图5的S4)的流程图。图7A～图7F是用于说明干燥处理(图5的S4)的图解性剖视图。
如图7A所示，干燥处理(图5的S4)中，首先，冲洗液阀93关闭。然后，冲洗液喷嘴移动单元94使冲洗液喷嘴91从基板W的上方向密闭腔室7的侧方退避。
接下来，如图7B所示，收纳构件升降单元77使上侧收纳构件71移动到下位置。由此，执行将密闭腔室7的内部空间7a进行密闭的密封工序(步骤T1)。然后，低表面张力液体阀113打开。由此，从低表面张力液体喷嘴111向基板W的上表面开始供给IPA等低表面张力液体(步骤T2)。即，开始低表面张力液体供给工序。该基板处理中，在密闭工序结束之后开始低表面张力液体供给工序。但是，低表面张力液体供给工序可以在开始密闭工序之前开始，也可以在密闭工序的途中开始。
然后，气体阀103打开。由此，开始从气体喷嘴101对密闭腔室7的内部空间7a供给氮气等气体(步骤T3)。另一方面，排出阀123维持在关闭的状态。因此，由于对内部空间7a供给的气体不会被排出到内部空间7a的外部而贮留在内部空间7a，因此内部空间7a被加压(加压工序)。
然后，如图7C所示，DIW被IPA置换后，通过继续对基板W的上表面供给IPA，在基板W上形成IPA的液膜40(液膜形成工序)。
然后，如图7D所示，通过关闭低表面张力液体阀113，停止对基板W的上表面供给IPA(步骤T4)。由此，低表面张力液体供给工序结束。液膜形成工序与低表面张力液体供给工序同时开始，并与低表面张力液体同时结束。加压工序在低表面张力液体供给工序的途中开始。换言之，加压工序及液膜形成工序并行执行。
然后，基板旋转单元14使基板保持单元5停止旋转。基板W停止旋转后，加热器升降单元66使加热器单元6配置在上位置。由此，加热器单元6的相向面6a抵接于基板W的下表面。该状态下，加热器通电单元64开始对加热器单元6通电。由此，加热器单元6的温度上升，开始对基板W进行加热的加热工序(接触加热工序)(步骤T5)。加热工序中，基板W被加热至例如比大气压下的IPA的沸点(82.6℃)高10℃～100℃左右的温度。
在能够利用加热器单元6的辐射热而充分加热基板W上的液膜40的情况下，无需使板本体60抵接于基板W的下表面。加热器通电单元64可以在基板处理装置1的动作中始终通电。
当内部空间7a的压力达到第一压力时，通过关闭气体阀103，停止对内部空间7a供给气体(步骤T6)。由此，加压工序结束。第一压力是高于大气压的压力。
对基板W进行加热，使得当内部空间7a的压力达到第一压力时的IPA的液膜40的温度(例如90℃～100℃)比大气压下的IPA的沸点(82.6℃)高。将被加热到比大气压下的IPA的沸点高的温度的液膜40的状态称为过热状态。
加压工序及加热工序并行执行，使得液膜40的温度不超过内部空间7a的压力下的IPA的沸点。
然后，如图7E所示，在液膜40的温度维持在比大气压下的IPA的沸点高的温度的状态下，开始减压工序(步骤T7)，使得内部空间7a的压力减到小于第一压力的第二压力。本实施方式中，为了使内部空间7a减压，打开排出单元12的排出阀123。由此，内部空间7a向内部空间7a的外部(例如收纳腔室13的内部空间13a)开放。然后，内部空间7a内的气体经由排出管122向内部空间7a的外部排出(气体排出工序)。内部空间7a的减压进行大约1秒。像这样地，排出单元12作为使内部空间7a减压的减压单元而发挥作用。
当内部空间7a的压力达到第二压力时，排出阀123关闭(步骤T8)。由此，气体排出工序(减压工序)结束。由于内部空间7a的外部压力与大气压相等，因此减压工序结束后的内部空间7a的压力(第二压力)与大气压相等。
内部空间7a被减压直至内部空间7a的压力达到第二压力，由此IPA的沸点降低。因此，由于液膜40的温度高于沸点，因此和液膜40的温度与沸点相同的情况相比，IPA剧烈(瞬时)蒸发。因此，从基板W上排除IPA的液膜40(液膜排除工序)。
然后，如图7F所示，从基板W上排除IPA的液膜40后，加热器升降单元66使加热器单元6配置在下位置，以使加热器单元6离开基板W。然后，加热器通电单元64停止对加热器单元6通电。由此，加热基板W的加热工序(接触加热工序)结束(步骤T9)。
收纳构件升降单元77使上侧收纳构件71移动到上位置，由此密闭腔室7上下打开。由此，内部空间7a向密闭腔室7的外部开放(步骤T10)。然后，如上所述，进行基板搬出(图5的S5)。
另外，在液膜排除工序结束后且内部空间7a开放前，可以执行使基板W高速旋转从而向基板W的周围甩掉基板W的IPA的旋转干燥。具体而言，基板旋转单元14以规定的干燥速度使基板W旋转。干燥速度是例如500rpm～3000rpm。由此，较大的离心力作用于基板W上的IPA，基板W上的IPA被甩向基板W的周围。
旋转干燥时，由于内部空间7a密闭，因此上侧收纳构件71配置在下位置。因此，基板W在上下方向被多个下侧抵接销20和多个上侧抵接销22挟持。因此，能够使基板W稳定地旋转。
干燥处理(S4)中，在排除基板W上的液膜40时，在基板W的上表面33和液膜40之间形成IPA的蒸气层41。该基板处理中，可能出现加热工序中形成蒸气层41的情况以及在液膜排除工序(减压工序)中形成蒸气层41的情况。
首先，说明加热工序中形成蒸气层41的情况下的基板W的上表面附近的状态。图8A～图8C是在加热工序中形成蒸气层41的情况下，从基板W上排除液膜40时的基板W的上表面33的周边的示意性剖视图。
如图8A所示，在形成有IPA等低表面张力液体的液膜40的状态(图6的步骤T4)下，IPA到达在基板W的上表面33形成的细微图案30的间隙的底部。干燥处理(图5的S4)中，这一状态维持到加热工序开始(直至步骤T5之前)。
然后，加热工序中，基板W被加热到液膜40的温度高于大气压(第二压力)下的IPA的沸点，由此基板W的上表面的IPA的液膜40的一部分蒸发气化。由此，IPA的蒸气填满细微图案30的间隙，并且IPA的液膜40从基板W的上表面(各构造体31的上端面31a)浮起。结果，如图8B所示，在基板W和液膜40之间形成IPA的蒸气层41。在基板W的加热开始后、液膜40被充分加热之后(至少图6的步骤T5之后)，并且在内部空间7a的排气开始之前(图6的步骤T7之前)形成蒸气层41。
在形成有蒸气层41的状态下，当内部空间7a进行排气时(图6的步骤T7之后)，构成液膜40的IPA蒸发，如图8C所示从基板W上排除液膜40。
接下来，说明在液膜排除工序(减压工序)中形成蒸气层41的情况下的基板W的上表面附近的状态。图9A～图9C是在液膜排除工序中形成蒸气层41的情况下，从基板W上排除液膜40时的基板W的上表面33的周边的示意性剖视图。
如图9A所示，在形成有IPA等低表面张力液体的液膜40的状态(图6的步骤T4)下，IPA达到在基板W的上表面33形成的细微图案30的间隙的底部。这一状态维持到内部空间7a的减压开始前(直至图6的步骤T7之前)。
然后，液膜排除工序中，当内部空间7a减压时，在内部空间7a的压力达到第二压力前，基板W的上表面33的IPA的液膜40的一部分蒸发气化。由此，IPA的蒸气填满细微图案30的间隙，并且IPA的液膜40从基板W的上表面(各构造体31的上端面31a)浮起。结果，如图9B所示，在基板W和液膜40之间形成IPA的蒸气层41。
然后，通过继续进行内部空间7a的减压，如图9C所示构成液膜40的IPA蒸发，液膜40被从基板W上排除。
如此，液膜排除工序中，在液膜40的温度高于第二压力(大气压)下的IPA的沸点的状态下，内部空间7a的压力减压至内部空间7a的压力达到第二压力，由此经由在液膜40与基板W之间形成有蒸气层41的状态后排除液膜40。
根据本实施方式，加热工序中形成蒸气层41的情况下(参照图8A～图8C)，加热工序中，基板W被加热至在液膜40与基板W之间可形成蒸气层41的程度的高温(例如，比大气压下的IPA的沸点(82.6℃)高10℃～100℃左右的温度)。因此，基板W的上表面33附近的IPA(处理液)瞬时蒸发，形成蒸气层41。因此，与使IPA的液膜40从上方逐渐蒸发的方法相比，表面张力作用于基板W的上表面(在该上表面上形成的细微图案30的各构造体31)的时间缩短。
在液膜排除工序中的内部空间7a的减压中，在维持蒸气层41的状态下，使内部空间7a的压力达到小于第一压力的第二压力。在内部空间7a的压力通过减压达到第二压力的状态下，液膜40的温度高于IPA的沸点(82.6℃)。因此，由于IPA瞬时蒸发，因此从基板W上瞬时排除液膜40。
结果，在加热工序中形成蒸气层41的情况下，能够从基板W上良好地排除液膜40。
根据本实施方式，在液膜排除工序中形成蒸气层41的情况下(参照图9A～图9C)，液膜排除工序中，通过使密封的内部空间7a减压，经由在液膜40与基板W之间形成有IPA的蒸气层41的状态后，从基板W上排除液膜40。在密闭的内部空间7a的减压过程中，基板W的温度达到在液膜40和基板W之间可形成蒸气层41的程度的高温。因此，基板W的上表面33附近的IPA瞬时蒸发，形成蒸气层41。因此，与使IPA的液膜40从上方逐渐蒸发的方法相比，表面张力作用于基板W的上表面33(在该上表面上形成的细微图案30的各构造体31)的时间缩短。
液膜排除工序中的内部空间7a的减压中，液膜40的温度维持在高于第二压力(大气压)下的IPA的沸点的状态下，内部空间7a的压力达到低于第一压力的第二压力。因此，在内部空间7a的压力通过减压达到第二压力的状态下，液膜40的温度高于第二压力(大气压)下的IPA的沸点。因此，IPA瞬时蒸发，从而液膜40被从基板W上瞬时排除。
结果，于在液膜排除工序中形成蒸气层41的情况下，能够从基板W上良好地排除液膜40。
根据本实施方式，第二压力是与大气压相等的压力。因此，通过将内部空间7a对内部空间7a的外部开放这一简单的方法，能够使内部空间7a内的气体向内部空间7a的外部排出(气体排出工序)，并且使内部空间7a减压。因此，在液膜排除工序中，通过使用简单的方法对内部空间7a进行减压，能够使IPA瞬时蒸发。
此外，由于在从基板W上排除了液膜40的状态下，密闭腔室7的内部空间7a的压力为大气压，因此在内部空间7a减压后可以不必调整内部空间7a的压力，就能从密闭腔室7取出基板W。
此外，第二压力与大气压相等，由此，与第二压力被设定为高于大气压的压力的基板处理相比，能够增大第一压力与第二压力之差。换言之，与第二压力大于大气压的结构相比，能够增大液膜40的温度与使内部空间7a减压到第二压力后的IPA的沸点之差。因此，通过内部空间7a的减压，增大IPA蒸发时的蒸发速度。因此，在液膜排除工序中，通过内部空间7a的减压，IPA瞬时蒸发，因此从基板W上瞬时排除液膜40。
根据本实施方式，加压工序及加热工序并行执行。因此，能够缩短从基板保持单元5保持基板W起，至开始进行密闭腔室7的内部空间7a的减压为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
根据本实施方式，液膜形成工序及加压工序并行执行。因此，能够缩短从基板保持单元5保持基板W起，至开始进行密闭腔室7的内部空间7a的减压为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
根据本实施方式，加热工序包括在使加热器单元6与基板W的下表面接触的状态下加热基板W的接触加热工序。由此，由于能够高效地加热基板W，因此能够缩短加热工序所需的时间。因此，能够缩短从基板保持单元5保持基板W起，至开始进行密闭腔室7的内部空间7a的减压为止的时间。因此，能够缩短基板处理所需的时间。
参照图6，该实施方式中的基板处理的干燥处理(图5的S4)中，按照步骤T1～步骤T10的顺序执行。但是，与上述实施方式中的干燥处理(图5的S4)不同，步骤T2～步骤T6的顺序可任意变更。但是，加热工序中，需要以液膜40的温度不超过内部空间7a的压力下的处理液的沸点的方式加热基板W。由此，能够以任意的顺序顺次开始加压工序、加热工序以及液膜形成工序。因此，可以逐次执行这些工序，也可以并行执行这些工序。
该实施方式中的基板处理的干燥处理(图5的S4)的液膜形成工序中，可以形成冲洗液的液膜40而非低表面张力液体的液膜40。该情况下，不对基板W的上表面供给低表面张力液体。即，省略图6的步骤T2及步骤T4。取而代之，在密封工序之前(图6的步骤T1之前)，通过从冲洗液喷嘴91供给的DIW等冲洗液，在基板W上形成冲洗液的液膜40。该情况下，冲洗液供给单元9作为对基板W的上表面供给用于处理基板W的上表面的处理液的处理液供给单元而发挥作用。
<第二实施方式>
图10是用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置1所具有的处理单元2P的结构例的图解性部分剖视图。图10的第二实施方式中，对与如上说明的构件相同的构件标记相同的参照符号，并省略其说明。
与第一实施方式的处理单元2不同，第二实施方式的处理单元2P的冲洗液供给单元9包括取代冲洗液喷嘴91的冲洗液喷嘴95，该冲洗液喷嘴95插通在上侧收纳构件71的底壁75的中央突部75a设置的插通孔75b。冲洗液喷嘴95是固定喷嘴。冲洗液供给管92与冲洗液喷嘴95结合。处理单元2P不包括低表面张力液体供给单元11。
第二实施方式的基板处理装置1的基板处理中，在冲洗处理(图5的S3)中，从冲洗液喷嘴95向旋转状态的基板W的上表面供给DIW。在干燥处理(图5的S4)中，在基板W上形成DIW等冲洗液的液膜40(液膜形成工序)。然后，在加热工序或液膜排除工序中，形成冲洗液的蒸气层41。然后，液膜排除工序中，冲洗液蒸发，冲洗液的液膜40被排除。该实施方式的基板处理中，冲洗液供给单元9作为对基板W的上表面供给用于处理基板W的上表面的处理液的处理液供给单元而发挥作用。
该实施方式也起到与第一实施方式相同的效果。
本发明并不限定于以上说明的实施方式，还能够以其他的方式实施。
例如，与上述的第一实施方式及第二实施方式不同，参照图3的双点划线及图10的双点划线，处理单元2、2P也可以包括用于吸引内部空间7a内的气体的吸引单元12A。
吸引单元12A包括真空泵等吸引泵124、连接吸引泵124与内部空间7a的吸引管125、以及安装在吸引管125上的吸引阀126。吸引管125的前端插通插通孔75b，该插通孔75b设置在上侧收纳构件71的底壁75的中央突部75a。
吸引泵124由控制器3控制(参照图4的双点划线)。吸引阀126由控制器3开闭(参照图4)。该变形例的基板处理装置1的基板处理在液膜排除工序(减压工序)中，通过打开吸引阀126而不是排出阀123，能够对内部空间7a减压使得内部空间7a的压力达到低于大气压的压力。即，能够使第二压力低于大气压。如此，吸引单元12A作为使密闭的内部空间7a减压的减压单元而发挥作用。
该基板处理中，在减压工序结束后并且在密闭腔室7上下打开前，排出阀123打开。由此，内部空间7a的压力与大气压相等，因此能够上下打开密闭腔室7，并将内部空间7a向外部开放(步骤T10)。
根据该变形例，能够使第二压力低于大气压。因此，与将第二压力设定为等于大气压的基板处理(图5～图9中说明的基板处理)和将第二压力设定为高于大气压的基板处理相比，能够增大第一压力与第二压力之差。换言之，与将第二压力设定为等于大气压的基板处理(图5～图9中说明的基板处理)和将第二压力设定为高于大气压的基板处理相比，能够增大液膜40的温度与将内部空间7a减压到第二压力后的IPA的沸点之差。
因此，通过内部空间7a的减压从而使IPA蒸发时的蒸发速度增大。因此，在液膜排除工序中，由于通过内部空间7a的减压而使IPA瞬时蒸发，因此从基板W上瞬时排除液膜40。
此外，上述的实施方式中的基板处理中，第二压力可以低于第一压力并且高于大气压。为此，在液膜排除工序中，在内部空间7a的压力达到大气压以下之前，最好关闭排出阀123或吸引阀126。
已经详细说明了本发明的实施方式，但这些仅是用于阐明本发明的技术内容的具体例，本发明并不应被解释为限定于这些具体例，本发明的范围仅由权利要求的范围来限定。
本申请对应于2017年1月12日向日本专利局提交的日本专利申请2017-003512号，该申请的全部公开内容通过引用而结合于此。

Claims (14)

1.一种基板处理方法，其中，包括：
基板保持工序，使用于将基板保持为水平的基板保持单元保持所述基板；
密闭工序，在将保持有所述基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下，密闭所述内部空间；
液膜形成工序，通过对保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；
加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；
加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层；以及
液膜排除工序，通过一边维持在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜。
2.一种基板处理方法，其中，包括：
基板保持工序，使用于将基板保持为水平的基板保持单元保持所述基板；
密闭工序，在将保持有所述基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下，密闭所述内部空间；
液膜形成工序，通过对保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；
加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；
加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，所述液膜的温度变为高于大气压下的所述处理液的沸点的温度；以及
液膜排除工序，通过一边维持所述液膜的温度变为高于大气压下的所述处理液的沸点的温度的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，以经由在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态的方式，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述第二压力是大气压以下的压力。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述第二压力是与大气压相等的压力，
所述液膜排除工序包括气体排出工序，在所述气体排出工序中，将所述内部空间向所述内部空间的外部开放，从而将所述内部空间内的气体向所述内部空间的外部排出，以对所述内部空间减压。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述加压工序及所述加热工序并行执行。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述液膜形成工序及所述加压工序并行执行。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述加热工序包括接触加热工序，在所述接触加热工序中，在使加热器单元与所述基板的下表面接触的状态下加热所述基板。
8.一种基板处理装置，其中，包括：
基板保持单元，将基板保持为水平；
腔室，具有用于收纳所述基板保持单元的内部空间；
处理液供给单元，对保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液；
加热器单元，加热所述基板；
气体供给单元，对所述内部空间供给气体；
减压单元，对所述内部空间减压；以及
控制器，控制所述基板保持单元、所述腔室、所述处理液供给单元、所述加热器单元、所述气体供给单元以及所述减压单元，
所述控制器被编程为执行以下工序：
基板保持工序，使所述基板保持单元保持基板；
密闭工序，密闭在收纳有所述基板保持单元的状态下的所述内部空间；
液膜形成工序，通过对所述基板的上表面供给所述处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；
加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；
加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层；以及
液膜排除工序，通过一边维持在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜。
9.一种基板处理装置，其中，包括：
基板保持单元，将基板保持为水平；
腔室，具有用于收纳所述基板保持单元的内部空间；
处理液供给单元，对保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液；
加热器单元，加热所述基板；
气体供给单元，对所述内部空间供给气体；
减压单元，对所述内部空间减压；以及
控制器，控制所述基板保持单元、所述腔室、所述处理液供给单元、所述加热器单元、所述气体供给单元以及所述减压单元，
所述控制器被编程为执行以下工序：
基板保持工序，使所述基板保持单元保持基板；
密闭工序，密闭在收纳有所述基板保持单元的状态下的所述内部空间；
液膜形成工序，通过对所述基板的上表面供给所述处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；
加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；
加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，所述液膜的温度变为高于大气压下的所述处理液的沸点的温度；以及
液膜排除工序，通过一边维持所述液膜的温度变为高于大气压下的所述处理液的沸点的温度的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，以经由在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态的方式，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其中，
所述第二压力是大气压以下的压力。
11.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其中，
所述第二压力是与大气压相等的压力，
所述减压单元包括排出单元，所述排出单元将所述内部空间向所述内部空间的外部开放，从而将所述内部空间内的气体向所述内部空间的外部排出，
所述控制器被编程为执行气体排出工序，所述气体排出工序通过控制所述排出单元，将所述内部空间内的气体向所述内部空间的外部排出以对所述内部空间减压。
12.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其中，
所述控制器被编程为使所述加压工序及所述加热工序并行执行。
13.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其中，
所述控制器被编程为使所述液膜形成工序及所述加压工序并行执行。
14.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其中，
还包括加热器升降单元，所述加热器升降单元使所述加热器单元升降，
所述控制器被编程为执行接触加热工序，所述接触加热工序通过控制所述加热器升降单元，在使所述加热器单元与所述基板的下表面接触的状态下加热所述基板。
CN201711458281.5A 2017-01-12 2017-12-28 基板处理方法及基板处理装置 Active CN108305829B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017003512A JP6826890B2 (ja) 2017-01-12 2017-01-12 基板処理方法および基板処理装置
JP2017-003512 2017-01-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108305829A true CN108305829A (zh) 2018-07-20
CN108305829B CN108305829B (zh) 2022-02-08

Family

ID=62782071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711458281.5A Active CN108305829B (zh) 2017-01-12 2017-12-28 基板处理方法及基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180193886A1 (zh)
JP (1) JP6826890B2 (zh)
KR (1) KR102006552B1 (zh)
CN (1) CN108305829B (zh)
TW (1) TWI660796B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752475B (zh) * 2019-04-23 2022-01-11 南韓商杰宜斯科技有限公司 蝕刻裝置及其蝕刻方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101980729B1 (ko) * 2017-05-17 2019-08-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102134261B1 (ko) * 2018-10-25 2020-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7265874B2 (ja) 2019-01-28 2023-04-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030044532A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Shyh-Dar Lee Process for preparing porous low dielectric constant material
US20040154641A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-12 P.C.T. Systems, Inc. Substrate processing apparatus and method
CN1638026A (zh) * 2004-01-07 2005-07-13 松下电器产业株式会社 衬底处理器件及其清洗方法
JP2013207022A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
TW201347066A (zh) * 2012-01-25 2013-11-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及使用於其之液體供給裝置暨基板處理方法
CN103811302A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 大日本网屏制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6596093B2 (en) * 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US7267727B2 (en) * 2002-09-24 2007-09-11 Air Products And Chemicals, Inc. Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy
JP5626249B2 (ja) * 2012-03-27 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体
TWI661502B (zh) * 2014-02-27 2019-06-01 日商斯克林集團公司 基板處理裝置
KR102308587B1 (ko) * 2014-03-19 2021-10-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6304592B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10971354B2 (en) * 2016-07-15 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Drying high aspect ratio features
US10546762B2 (en) * 2016-11-18 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Drying high aspect ratio features

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030044532A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Shyh-Dar Lee Process for preparing porous low dielectric constant material
US20040154641A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-12 P.C.T. Systems, Inc. Substrate processing apparatus and method
CN1638026A (zh) * 2004-01-07 2005-07-13 松下电器产业株式会社 衬底处理器件及其清洗方法
TW201347066A (zh) * 2012-01-25 2013-11-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及使用於其之液體供給裝置暨基板處理方法
JP2013207022A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN103811302A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 大日本网屏制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752475B (zh) * 2019-04-23 2022-01-11 南韓商杰宜斯科技有限公司 蝕刻裝置及其蝕刻方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180193886A1 (en) 2018-07-12
TWI660796B (zh) 2019-06-01
CN108305829B (zh) 2022-02-08
JP2018113372A (ja) 2018-07-19
KR102006552B1 (ko) 2019-08-01
KR20180083249A (ko) 2018-07-20
TW201841694A (zh) 2018-12-01
JP6826890B2 (ja) 2021-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104952699B (zh) 基板处理方法
CN108305829A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
CN108198748B (zh) 基板处理装置
CN104934307B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP6728009B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN106847665A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP6875811B2 (ja) パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置
CN106252199B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
KR102197758B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2019061988A (ja) 薬液生成方法、薬液生成装置および基板処理装置
CN108630569A (zh) 基板处理装置
CN110692122A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
WO2020021903A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102121705B1 (ko) 희생막 형성 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20190043708A1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR101523351B1 (ko) 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체
WO2022196049A1 (ja) 基板処理方法、および、基板処理装置
CN108511319A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP2022168743A (ja) 基板処理方法、および、基板処理装置
JP2022049594A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2024075338A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2023034828A (ja) 基板処理方法、および、基板処理装置
CN110352473A (zh) 基板处理装置及基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant