CN117153713B - 频率元器件残留污染物的检测方法、系统和设备控制方法 - Google Patents
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- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 322
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 185
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 152
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 131
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 4
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000802 evaporation-induced self-assembly Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N13/00—Investigating surface or boundary effects, e.g. wetting power; Investigating diffusion effects; Analysing materials by determining surface, boundary, or diffusion effects
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/60—Analysis of geometric attributes
- G06T7/62—Analysis of geometric attributes of area, perimeter, diameter or volume
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N13/00—Investigating surface or boundary effects, e.g. wetting power; Investigating diffusion effects; Analysing materials by determining surface, boundary, or diffusion effects
- G01N2013/003—Diffusion; diffusivity between liquids
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geometry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
本申请适用于频率元器件污染检测技术领域，提供了频率元器件残留污染物的检测方法、系统和设备控制方法。该检测方法包括：采用点胶机向多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。本申请能够对频率元器件清洗设备清洗后的频率元器件直接且快速地检测其清洗程度，能够及时发现清洗不合格的产品，调整清洗设备的工作参数，提高产品良率。
Description
技术领域
本申请属于频率元器件污染检测技术领域，尤其涉及频率元器件残留污染物的检测方法、系统和设备控制方法。
背景技术
在半导体行业中，对频率元器件封盖前工序一般都是无尘环境，但因为产品在工艺的流动过程中表面还是会有少量灰尘（包括微粒子和有机物残留）附着从而影响产品电气特性，因此为了去除晶片或晶圆表面的灰尘，一般关键工序会对材料或半成品进行表面的清洗。但目前对清洗后的材料或半成品并没有好的方式来检测清洗的效果，只能对后续测试良率来向前推断清洗的效果。但该方法较为滞后，无法及时检测清洗的效果。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题，本申请实施例提供了频率元器件残留污染物的检测方法、系统和设备控制方法。
本申请是通过如下技术方案实现的：
第一方面，本申请实施例提供了一种频率元器件残留污染物的检测方法，包括：
取多个批次的清洗后频率元器件，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；
采用点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
结合第一方面，在一些实施例中，所述等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，包括：
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第一预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第一图像，以及根据所述第一图像确定液体的第一扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第二预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第二图像，以及根据所述第二图像确定液体的第二扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第三预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第三图像，以及根据所述第三图像确定液体的第三扩散区域；
其中，所述第三预设时间大于所述第二预设时间，所述第二预设时间大于所述第一预设时间。
结合第一方面，在一些实施例中，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，包括：
若第一扩散区域的形状不满足预设形状要求，或在晶圆表面的所占比例大于第一预设范围，则将对应的清洗后功率记为残留污染物超标；否则，将对应的清洗后频率元器件记为残留污染物未超标。
结合第一方面，在一些实施例中，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：
对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若第二扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第二预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗预合格。
结合第一方面，在一些实施例中，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：
对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若从第二图像中识别出第二扩散区域中存在气泡，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗过度。
结合第一方面，在一些实施例中，所述方法还包括：
对于清洗预合格的清洗后频率元器件，若第三扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第三预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗合格。
结合第一方面，在一些实施例中，所述液体可以为添加色素的纯水，所述第一预设时间为2分钟至4分钟，所述第一预设范围为30%-50%，所述第二预设时间为5分钟至7分钟，所述第二预设范围为60-80%，所述第三预设时间为8分钟至10分钟，所述第三预设范围为95%-100%。
上述频率元器件残留污染物的检测方法，首先对多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，等待一定时间后采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域以及对应的扩散时间。最后，根据液体的扩散区域和扩散时间可以确定各个批次的清洗后频率元器件的清洗程度。由此可见，本申请实施例能够对经频率元器件清洗设备清洗后的频率元器件直接且快速地检测其清洗程度，相对于相关技术中的推断检测方法，能够及时发现清洗不合格的产品，及时调整清洗设备的工作参数，提高产品良率。
第二方面，本申请实施例提供了一种频率元器件清洗设备控制方法，包括：
获取多个批次的清洗后频率元器件，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；
采用点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和液体的扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；
根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
结合第二方面，在一些实施例中，所述根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗，包括：
对于任一批次的清洗后频率元器件，若确定为清洗合格的清洗后频率元器件占比大于阈值，则获取该批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数；
根据获取的清洗参数对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
上述频率元器件清洗设备控制方法，首先对不同清洗参数的多批次清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，等待一定时间后采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域以及对应的扩散时间。之后，根据液体的扩散区域和扩散时间可以确定各个批次的清洗后频率元器件的清洗程度。最后，根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数为之后的频率元器件进行清洗。本申请根据多个批次清洗后频率元器件的清洗程度，选取清洗程度较佳对应的清洗参数对频率元器件清洗设备进行控制，能够提高对频率元器件的清洗效果。
第三方面，本申请实施例提供了一种频率元器件残留污染物的检测系统，包括：
检测平台，所述检测平台用于放置清洗后频率元器件；
点胶机，所述点胶机中装有纯水，用于为放置于所述检测平台上的清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
图像采集设备，所述图像采集设备用于在多个预设时间点采集晶圆表面的图像；
计算设备，所述计算设备用于根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，以及根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有、可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如下步骤：
获取多个清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
第五方面，本申请实施例提供了一种计算设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有、可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如下步骤：
获取多个批次的清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；
根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；
根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
第六方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如下步骤：
采集多个清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
第七方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如下步骤：
采集多个批次的清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；
根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；
根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
可以理解的是，上述第三方面至第七方面的有益效果可以参见上述第一方面和第二方面中的相关描述，在此不再赘述。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本说明书。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的频率元器件清洗设备的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的频率元器件清洗过程示意图；
图3是本申请实施例提供的残留污染物与气体作用过程示意图；
图4是本申请实施例提供的残留污染物超标的示意图；
图5是本申请实施例提供的残留污染物清洗过度的示意图；
图6是本申请实施例提供的频率元器件残留污染物的检测方法的流程示意图；
图7是本申请实施例提供的残留污染物超标的晶圆表面的液体扩散过程的示意图；
图8是本申请实施例提供的残留污染物清洗过度的晶圆表面的液体扩散过程的示意图；
图9是本申请实施例提供的残留污染物清洗合格的晶圆表面的液体扩散过程的示意图；
图10是本申请实施例提供的频率元器件清洗设备控制方法的流程示意图；
图11是本申请实施例提供的频率元器件残留污染物的检测系统的结构示意图；
图12是本申请实施例提供的计算设备的结构示意图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
针对背景技术中所述的无法及时检测清洗的效果的技术问题，本申请发明人对其研究如下：
参见图1，频率元器件清洗设备包括能量供应器、密封腔体、真空泵和气罐，密封腔体与真空泵和气罐连通，密封腔体用于放置待清洗频率元器件，真空泵用于为密封腔体提供真空环境，气罐用于为密封腔体提供清洗用气体，能量供应器用于为清洗提供能量。
在待清洗频率元器件放置于密封腔体中之后，真空泵对密封腔体进行抽真空。当密封腔体的气压达到预设真空条件（例如密封腔体的气压降到10-1托）后，气罐向密封腔体中充入清洗用气体（例如氩气），能量供应器为密封腔体提供能量。
参见图2，密封腔体可以包括壳体，设置在壳体底部的正电极板，设置在壳体顶部的负电极板，正电极板与高频率电源连接。待清洗频率元器件可以放置于正电极板和负电极板之间，被清洗面朝向该正电极板，能量供应器为正电极板供电。
当密封腔体内部的压力降低到阈值（例如10-1托左右）时，清洗用气体（例如氩气）的气态正离子（图2中的Ar+）开始往负电极移动，由于受电场作用气态正离子会加速撞击负电极板，产生电子e-。e-又会受电场作用往正电极板方向移动，移动过程中会撞击充入的气体分子（Ar原子），产生Ar+等气态正离子，此Ar+再受到电场的作用去撞击负电极板，又再产生电子e-。Ar+气态正离子在向负电极板运动的过程中，一部分Ar+气态正离子会撞击待清洗频率元器件，将残留污染物C清洗掉，如图3所示，如此周而复始对待清洗频率元器件进行清洗。
然而，采用上述清洗的方式对对频率元器件清洗后，可能还存在有较多且较小的残留污染物（例如可能与灰尘的数量和大小相当），而这是无法用肉眼或者检测设备在较短时间内检测出来的。经研究发现，对频率元器件清洗后，清洗后频率元器件可能存在三种状态：残留污染物超标（如图4所示）、清洗合格和清洗过度（如图5所示）。如果清洗效果不佳会存在少量残留污染物（例如灰尘）附着在材料或半成品进表面，如果清洗过度会导致原本材料或半产品表面结构被破坏，如上两种状况都会使后端成品电气特性有失效的风险。
如果只是通过后端成品电气特性的良率判断电浆清洗的效果，当清洗效果异常时会导致大量的产品和材料报废增加了制造成本。而且，清洗效果分析的反应速度过慢，且经过多道工序，分析的干扰因子太多，很难找到真因。
基于上述问题，本申请实施例提供了一种频率元器件残留污染物的检测方法，首先对多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，等待一定时间后采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域以及对应的扩散时间。最后，根据液体的扩散区域和扩散时间可以确定各个批次的清洗后频率元器件的清洗程度。由此可见，本申请实施例能够对经频率元器件清洗设备清洗后的频率元器件直接且快速地检测其清洗程度，相对于相关技术中的推断检测方法，能够及时发现清洗不合格的产品，及时调整清洗设备的工作参数，提高产品良率。
以下结合图6对本申请的频率元器件残留污染物的检测方法进行详细说明。
图6是本申请一实施例提供的频率元器件残留污染物的检测方法的示意性流程图，参照图6，对该频率元器件残留污染物的检测方法的详述如下：
步骤101，采用点胶机向多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体。
其中，可以同时对多个清洗后频率元器件进行残留污染物检测，通过同一点胶机向多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体。
示例性的，该液体可以为纯水，能够减少水中其他物质对液体扩散的影响。另外，为了便于观测，纯水中可以添加有色素。
其中，本申请实施例中所述的灰尘，可以包括微粒子和有机物残留等，对于微粒子可以用显微镜观察确认，对于有机物残留无法用显微镜确认。上述微粒子和有机物残留等统称为残留污染物。
步骤102，等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域。
一些实施例中，步骤102可以包括：
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第一预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第一图像，以及根据第一图像确定液体的第一扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第二预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第二图像，以及根据第二图像确定液体的第二扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第三预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第三图像，以及根据第三图像确定液体的第三扩散区域；
其中，第三预设时间大于第二预设时间，第二预设时间大于第一预设时间。
作为举例，在T0时刻对清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的纯水后，到第一预设时间后的T1时刻采集晶圆表面的第一图像，到第二预设时间后的T2时刻采集晶圆表面的第二图像，到第三预设时间后的T3时刻采集晶圆表面的第三图像。
示例性的，第一预设时间可以为2分钟至4分钟，例如第一预设时间可以为3分钟。第二预设时间可以为5分钟至7分钟，例如第二预设时间可以为6分钟。第三预设时间为8分钟至10分钟，例如第三预设时间可以为10分钟。
本步骤中所述的晶圆可以为裸片，也可以为具有单层镀膜或为多层镀膜的晶圆。对于裸片和单层镀膜的晶圆，可以将液体滴在整个晶圆表面（包括镀膜区和无镀膜区），观察整个晶圆表面上液体的扩散情况；对于多层镀膜的晶圆，可以将液体滴在晶圆表面的无镀膜区，观察无镀膜区上液体的扩散情况。
步骤103，根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
示例性的，扩散时间可以通过计时器得到，具体方法不再说明。
一种场景中，可以先计算出清洗后频率元器件的晶圆表面的表面积，通过点胶控制器控制点胶机在晶圆表面滴入预设体积的水阻值大于15ohm的纯水。本申请的发明人经研究发现：
（1）如果晶圆表面清洗效果不佳，代表晶圆表面还有灰尘等残留污染物，这时晶圆表面的粗糙度会增加，而晶圆表面粗糙度变大，会导致水的张力变大。在经过第一预设时间t1和第二预设时间t2后水滴的形状如图7所示，水滴会在一个较为快速的第二预设时间t2内覆盖整个晶圆表面；
（2）如果晶圆表面清洗过度，代表晶圆表面经过了过度的原子撞击，晶圆表面会形成一些凹坑，这时也增加了晶圆表面的粗糙度，水的张力也会变大，在经过第一预设时间t1和第二预设时间t2后水滴的形状如图8所示，水滴也会在一个较为快速的第二预设时间t2内覆盖整个晶圆表面；
（3）如果晶圆表面的清洗效果佳，则晶圆表面的粗糙度较小，水的张力也较小，在经过第一预设时间t1、第二预设时间t2和第三预设时间t3后水滴的形状如图9所示，水滴在一个较为慢速的第三预设时间t3内才会覆盖整个晶圆表面。
本申请实施例中，清洗可以包括液体清洗和气体清洗（例如电浆清洗）等，对于液体清洗通常不会导致对晶圆表面的清洗过度的情况发生，而电浆清洗则可能会导致对晶圆表面的清洗过度。
在以上的研究发现的基础上，本申请的发明人经过多次的验证得到t3>t1，t3>t2，且时间差异较为明显，因此可以基于这三个时间判断清洗效果。例如，可以通过多个时间点的液体扩散情况来确定该频率元器件的清洗效果是否合格。
一些实施例中，步骤103可以包括：若第一扩散区域的形状不满足预设形状要求，或在晶圆表面的所占比例大于第一预设范围，则将对应的清洗后功率记为残留污染物超标；否则，将对应的清洗后频率元器件记为残留污染物未超标。
其中，晶圆的材质可以为二氧化硅、单晶硅、碳酸锂和铌酸锂等材质中的一种。本申请实施例中，以二氧化硅材质的晶圆为例进行说明，但不以此为限。对于其他材质的晶圆，本领域技术人员可以参考二氧化硅材质的晶圆的相关内容，不再赘述。
示例性的，第一预设范围可以为30%-50%。
举例说明，对于T1时刻采集的晶圆表面的第一图像，从中识别出水滴经过第一预设时间后扩散得到的扩散区域，之后计算扩散区域在晶圆表面的所占比例。若该所占比例大于30%-50%的范围内，或者扩散区域的形状不为预设形状，则可以初步确定对应的清洗后频率元器件记为残留污染物超标；否则，可以初步确定对应的清洗后频率元器件记为残留污染物未超标。
一些实施例中，步骤103还可以包括：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若第二扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第二预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗预合格。
示例性的，第二预设范围大于第一预设范围，可以为60%-80%。
举例说明，对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，可以在T2时刻采集该频率元器件的晶圆表面的第二图像，从中识别出水滴经过第二预设时间后扩散得到的扩散区域，之后计算扩散区域在晶圆表面的所占比例。若该所占比例位于60%-80%的范围内，且扩散区域的形状为预设形状，则可以将对应的清洗后频率元器件记为清洗预合格。
一些实施例中，步骤103还可以包括：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若从第二图像中识别出第二扩散区域中存在气泡，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗过度。
基于前述内容可知，清洗过度的频率元器件其晶圆表面会存在一些凹坑，在其晶圆表面滴水后，通常会存在一些凹坑中未进入水的情况发生，对应在图像上会存在相应的小气泡。因此，对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，可以基于这一特性检测第二图像中是否存在气泡；若从某些频率元器件的第二图像中识别出气泡，则可以将对应的清洗后频率元器件记为清洗过度。
一些实施例中，步骤103还可以包括：对于清洗预合格的清洗后频率元器件，若第三扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第三预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗合格。
示例性的，第三预设范围大于第二预设范围，可以为95%-100%。
举例说明，对于清洗预合格的清洗后频率元器件，可以在T3时刻采集该频率元器件的晶圆表面的第三图像，从中识别出水滴经过第三预设时间后扩散得到的扩散区域，之后计算扩散区域在晶圆表面的所占比例。若该所占比例位于95%-100%的范围内，且扩散区域的形状为预设形状，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗合格。
示例性的，上述预设形状可以为圆形或接近圆形的形状。
上述频率元器件残留污染物的检测方法，首先对多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，等待一定时间后采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域以及对应的扩散时间。最后，根据液体的扩散区域和扩散时间可以确定各个批次的清洗后频率元器件的清洗程度。由此可见，本申请实施例能够对经频率元器件清洗设备清洗后的频率元器件直接且快速地检测其清洗程度，相对于相关技术中的推断检测方法，能够及时发现清洗不合格的产品，及时调整清洗设备的工作参数，提高产品良率。
本申请实施例还提供了一种频率元器件清洗设备控制方法，参见图10，对该频率元器件清洗设备控制方法详述如下：
步骤201，获取多个批次的清洗后频率元器件，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同。
其中，可以将频率元器件清洗设备在不同清洗参数下清洗的多个批次的清洗后频率元器件进行残留污染物检测，每一批次的清洗后频率元器件均可以包括多个频率元器件。
步骤202，采用点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体。
其中，可以同时对多个批次的清洗后频率元器件进行残留污染物检测，通过同一点胶机向多个批次的清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体。
示例性的，该液体可以为纯水，能够减少水中其他物质对液体扩散的影响。另外，为了便于观测，纯水中可以添加有色素。
步骤203，等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域。
一些实施例中，步骤203可以包括：
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第一预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第一图像，以及根据第一图像确定液体的第一扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第二预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第二图像，以及根据第二图像确定液体的第二扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第三预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第三图像，以及根据第三图像确定液体的第三扩散区域；
其中，第三预设时间大于第二预设时间，第二预设时间大于第一预设时间。
作为举例，在T0时刻对清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的纯水后，到第一预设时间后的T1时刻采集晶圆表面的第一图像，到第二预设时间后的T2时刻采集晶圆表面的第二图像，到第三预设时间后的T3时刻采集晶圆表面的第三图像。
示例性的，第一预设时间可以为2分钟至4分钟，例如第一预设时间可以为3分钟。第二预设时间可以为5分钟至7分钟，例如第二预设时间可以为6分钟。第三预设时间为8分钟至10分钟，例如第三预设时间可以为10分钟。
步骤204，根据液体的扩散区域和液体的扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
步骤204的具体细节请参考步骤103，在此不再复述。
步骤205，根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
示例性的，对于任一批次的清洗后频率元器件，若确定为清洗合格的清洗后频率元器件占比大于阈值，则获取该批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数；根据获取的清洗参数对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
例如，根据获取的清洗参数对清洗设备进行控制，可以为：获取的清洗参数可能为某个批次的清洗后频率元器件对应的一组清洗参数，也可能为两个及以上批次的清洗后频率元器件对应的至少两组清洗参数；对于获取的清洗参数为一组的情况，采用该组清洗参数对清洗设备进行控制；对于获取的清洗参数为至少两组的情况，将该至少两组清洗参数进行融合后对清洗设备进行控制，或选择一组清洗参数对清洗设备进行控制。
具体说明，对于A批次、B批次和C批次的清洗后频率元器件，A批次对应清洗参数X，B批次对应清洗参数Y，C批次对应清洗参数Z，A批次包括频率元器件A1、A2、……、Al，B批次包括频率元器件B1、B2、……、Bm，C批次包括频率元器件C1、C2、……、Cn。
假设，A批次的清洗后频率元器件为清洗合格， B批次的清洗后频率元器件为残留污染物超标，C批次的清洗后频率元器件清洗过度，则根据A批次对应的清洗参数X对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
具体的，判定A批次的清洗后频率元器件是否为清洗合格的方法为：若A批次频率元器件A1、A2、……、Al中判定为清洗合格的数量为r，该r除以l的数值大于或等于阈值，则A批次的清洗后频率元器件为清洗合格；若r除以l的数值小于阈值，则A批次的清洗后频率元器件为清洗不合格。同样的，对于B批次和C批次的清洗后频率元器件是否为清洗合格，也采用这一方法实现。
示例性的，上述频率元器件清洗设备控制方法，可以每隔一定时间执行一次，或者对于清洗的频率元器件类型发生变化时执行一次。
上述频率元器件清洗设备控制方法，首先对不同清洗参数的多批次清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，等待一定时间后采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域以及对应的扩散时间。之后，根据液体的扩散区域和扩散时间可以确定各个批次的清洗后频率元器件的清洗程度。最后，根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数为之后的频率元器件进行清洗。本申请根据多个批次清洗后频率元器件的清洗程度，选取清洗程度较佳对应的清洗参数对频率元器件清洗设备进行控制，能够提高对频率元器件的清洗效果。
本申请实施例还提供了一种频率元器件残留污染物的检测系统，参见图11，该频率元器件残留污染物的检测系统包括检测平台301、点胶机302、图像采集设备303和计算设备304。
检测平台301用于放置清洗后频率元器件305。
点胶机302中装有纯水，用于为放置于检测平台301上的清洗后频率元器件305的晶圆表面滴下预设体积的液体。
图像采集设备303用于在多个预设时间点采集晶圆表面的图像。
计算设备304用于根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，以及根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件305的清洗程度，清洗程度表征清洗后频率元器件305的晶圆表面的污染物残留情况。
或者，计算设备304用于根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，以及根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件305的清洗程度，清洗程度表征清洗后频率元器件305的晶圆表面的污染物残留情况；根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
示例性的，计算设备304具体可以用于：从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第一预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第一图像，以及根据所述第一图像确定液体的第一扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第二预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第二图像，以及根据所述第二图像确定液体的第二扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第三预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第三图像，以及根据所述第三图像确定液体的第三扩散区域；
其中，所述第三预设时间大于所述第二预设时间，所述第二预设时间大于所述第一预设时间。
示例性的，计算设备304具体可以用于：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若第二扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第二预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗预合格。
示例性的，计算设备304具体可以用于：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若从第二图像中识别出第二扩散区域中存在气泡，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗过度。
示例性的，计算设备304具体可以用于：对于清洗预合格的清洗后频率元器件，若第三扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第三预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗合格。
其中，第一预设时间可以为2分钟至4分钟，第一预设范围可以为30%-50%，第二预设时间可以为5分钟至7分钟，第二预设范围可以为60%-80%，第三预设时间可以为8分钟至10分钟，第三预设范围可以为95%-100%。
本申请实施例还提供了一种计算设备，参见图12，该计算设备可以包括：至少一个处理器410和存储器420，所述存储器420中存储有可在所述至少一个处理器410上运行的计算机程序，所述处理器410执行所述计算机程序时如下步骤：
采集多个批次的清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
或者，处理器410执行所述计算机程序时如下步骤：
采集多个批次的清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；
根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；
根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
示例性的，计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，一个或者多个模块/单元被存储在存储器420中，并由处理器410执行，以完成本申请。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序段，该程序段用于描述计算机程序在计算设备中的执行过程。
本领域技术人员可以理解，图12仅仅是计算设备的示例，并不构成对计算设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如输入输出设备、网络接入设备、总线等。
处理器410可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器 (Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列 (Field-Programmable Gate Array，FPGA) 或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
存储器420可以是计算设备的内部存储单元，也可以是计算设备的外部存储设备，例如插接式硬盘，智能存储卡（Smart Media Card，SMC），安全数字（Secure Digital，SD）卡，闪存卡（Flash Card）等。所述存储器420用于存储所述计算机程序以及计算设备所需的其他程序和数据。所述存储器420还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
总线可以是工业标准体系结构（Industry Standard Architecture，ISA）总线、外部设备互连（Peripheral Component，PCI）总线或扩展工业标准体系结构（ExtendedIndustry Standard Architecture，EISA）总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，本申请附图中的总线并不限定仅有一根总线或一种类型的总线。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现可实现如下步骤：获取多个清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现可实现如下步骤：获取多个批次的清洗后频率元器件的晶圆表面的图像；其中，通过点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质至少可以包括：能够将计算机程序代码携带到拍照装置/计算设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，RandomAccess Memory）、电载波信号、电信信号以及软件分发介质。例如U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/网络设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/网络设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，包括：
采用点胶机向多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；
所述等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，包括：
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第一预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第一图像，以及根据所述第一图像确定液体的第一扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第二预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第二图像，以及根据所述第二图像确定液体的第二扩散区域；
从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第三预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第三图像，以及根据所述第三图像确定液体的第三扩散区域；
其中，所述第三预设时间大于所述第二预设时间，所述第二预设时间大于所述第一预设时间。
2.如权利要求1所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，包括：
若第一扩散区域的形状不满足预设形状要求，或在晶圆表面的所占比例大于第一预设范围，则将对应的清洗后频率元器件记为残留污染物超标；否则，将对应的清洗后频率元器件记为残留污染物未超标。
3.如权利要求2所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：
对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若第二扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第二预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗预合格。
4.如权利要求2所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：
对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若从第二图像中识别出第二扩散区域中存在气泡，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗过度。
5.如权利要求3所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：
对于清洗预合格的清洗后频率元器件，若第三扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第三预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗合格。
6.如权利要求5所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述液体为添加色素的纯水，所述第一预设时间为2分钟至4分钟，所述第一预设范围为30%-50%，所述第二预设时间为5分钟至7分钟，所述第二预设范围为60%-80%，所述第三预设时间为8分钟至10分钟，所述第三预设范围为95%-100%。
7.一种频率元器件清洗设备控制方法，其特征在于，包括：
获取多个批次的清洗后频率元器件，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；
采用点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；
根据液体的扩散区域和液体的扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；
根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗；
所述根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗，包括：
对于任一批次的清洗后频率元器件，若确定为清洗合格的清洗后频率元器件数量占比大于阈值，则获取该批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数；
根据获取的清洗参数对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗。
8.一种采用权利要求1所述的频率元器件残留污染物的检测方法的频率元器件残留污染物的检测系统，其特征在于，包括：
检测平台，所述检测平台用于放置清洗后频率元器件；
点胶机，所述点胶机中装有纯水，用于为放置于所述检测平台上的清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；
图像采集设备，所述图像采集设备用于在多个预设时间点采集晶圆表面的图像；
计算设备，所述计算设备用于根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，以及根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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|---|---|
| CN117153713A CN117153713A (zh) | 2023-12-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202311385225.9A Active CN117153713B (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 频率元器件残留污染物的检测方法、系统和设备控制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117153713B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |