JPH02126970A - スピンコーティング方法 - Google Patents
スピンコーティング方法Info
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- JPH02126970A JPH02126970A JP28076288A JP28076288A JPH02126970A JP H02126970 A JPH02126970 A JP H02126970A JP 28076288 A JP28076288 A JP 28076288A JP 28076288 A JP28076288 A JP 28076288A JP H02126970 A JPH02126970 A JP H02126970A
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- coating
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板等の被塗布基板を回転させ、不純
物を含む液状拡散ソース等またはフォトレジスト等を滴
下もしくは吹付けて塗布するスピンコーティング方法に
関する。
物を含む液状拡散ソース等またはフォトレジスト等を滴
下もしくは吹付けて塗布するスピンコーティング方法に
関する。
半導体素子の製作には、所期の電気的特性を得るために
、例えばシリコン・ウェハのような半導体基板内に所定
の不純物を所定の濃度に分布せしめることが必要である
。これは半導体基板に不純物を含む拡散ソースを付着さ
せる工程とその不純物を基板中に熱拡散させる工程とに
よって行われる。不純物を基板に付着させる方法は種々
あるが、そのひとつとして基板を所定の周速で回転させ
るとともに液状の拡散ソースを基板の中心に滴下させる
かもしくは吹付けによって供給し、遠心力で周囲に拡散
ソースを延ばすスピンコーティング方法が広く行われて
いる。スピンコーティングを行う場合の基板の周速は拡
散ソースの粘度、供給量より決定された周速で行われる
。そして所定の拡散ソース液の供給後に、コーティング
を行う周速よりもさらに高い周速にて過剰の拡散ソース
を振切って拡散ソースの膜厚を均一化する。
、例えばシリコン・ウェハのような半導体基板内に所定
の不純物を所定の濃度に分布せしめることが必要である
。これは半導体基板に不純物を含む拡散ソースを付着さ
せる工程とその不純物を基板中に熱拡散させる工程とに
よって行われる。不純物を基板に付着させる方法は種々
あるが、そのひとつとして基板を所定の周速で回転させ
るとともに液状の拡散ソースを基板の中心に滴下させる
かもしくは吹付けによって供給し、遠心力で周囲に拡散
ソースを延ばすスピンコーティング方法が広く行われて
いる。スピンコーティングを行う場合の基板の周速は拡
散ソースの粘度、供給量より決定された周速で行われる
。そして所定の拡散ソース液の供給後に、コーティング
を行う周速よりもさらに高い周速にて過剰の拡散ソース
を振切って拡散ソースの膜厚を均一化する。
また、フォトリソグラフィを行う場合、フォトレジスト
を半導体基板上に均一な厚さに塗布する必要がある。こ
の場合も同様なやり方のスピンコーティング方法が用い
られる。
を半導体基板上に均一な厚さに塗布する必要がある。こ
の場合も同様なやり方のスピンコーティング方法が用い
られる。
従来のスピンコーティング法では、ソース塗布時に基板
の反対面の外周部分に塗布面よりのソースが回り込んで
しまうという欠点があった。これは、ソースの種類およ
びスピンコーティング条件により若干の程度差はあるが
、いずれにせよ、さけられない欠点であった。とりわけ
、ソースが水溶性で粘度も低く基板に対する濡れ性の良
い場合にはこの回り込みは激しく、外周部より約２〜３
Ｉに及ぶことがある。また、ソース供給後高回転でコー
ティングするためソースが飛ばされソースの付着量が少
なくなってしまうという問題も有り、この２つの問題は
半導体素子製作の大きな問題となっていた。
の反対面の外周部分に塗布面よりのソースが回り込んで
しまうという欠点があった。これは、ソースの種類およ
びスピンコーティング条件により若干の程度差はあるが
、いずれにせよ、さけられない欠点であった。とりわけ
、ソースが水溶性で粘度も低く基板に対する濡れ性の良
い場合にはこの回り込みは激しく、外周部より約２〜３
Ｉに及ぶことがある。また、ソース供給後高回転でコー
ティングするためソースが飛ばされソースの付着量が少
なくなってしまうという問題も有り、この２つの問題は
半導体素子製作の大きな問題となっていた。
一方、フォトレジストの塗布の際にも同様な問題があり
、レジスト液裏面に回り込むと裏面が平面でなくなり、
露光装置などへ基板を真空チャックで装着する場合の密
着性が得られなくなるおそれがある。また所定の膜厚が
得られなくなるおそれがある。
、レジスト液裏面に回り込むと裏面が平面でなくなり、
露光装置などへ基板を真空チャックで装着する場合の密
着性が得られなくなるおそれがある。また所定の膜厚が
得られなくなるおそれがある。
本発明の課題は、塗布液の回り込みがなく、所望の面に
均一で所定の厚さの膜を塗布できるスピンコーティング
方法を提供することにある。
均一で所定の厚さの膜を塗布できるスピンコーティング
方法を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明のスピンコーティン
グ方法は、高い周速で水平面内に回転する被塗布基板の
中心部に塗布液を供給し、次いで周速を落として塗布液
を基板の周辺まで延ばすものとする。
グ方法は、高い周速で水平面内に回転する被塗布基板の
中心部に塗布液を供給し、次いで周速を落として塗布液
を基板の周辺まで延ばすものとする。
塗布液を滴下または吹付けるときに、高い周速で被塗布
基板が回転しているので、塗布液は周辺に向かって広が
るが、周速が速いため振り飛ばされて基板の裏面への回
り込みはなく、次いで周速を落とすと塗布液は基板の周
辺まで徐々に拡がり、回り込みが起こることがない。
基板が回転しているので、塗布液は周辺に向かって広が
るが、周速が速いため振り飛ばされて基板の裏面への回
り込みはなく、次いで周速を落とすと塗布液は基板の周
辺まで徐々に拡がり、回り込みが起こることがない。
第１図は本発明の一実施例の拡散ソース塗布時の回転数
の時間的な変化を示す０図の上に斜線を引いて示したの
がソースの滴下時期である。すなわち、予めシリコン基
板をスピンナ上で高回転にさせておき最高回転数で回転
している時期にソースを滴下する方式である。これは、
第２図の比較のために示したシリコン基板をスピンナ上
で低回転させておき、そこにソースを滴下し、その後高
回転させていた従来の方式と明白に相違している。
の時間的な変化を示す０図の上に斜線を引いて示したの
がソースの滴下時期である。すなわち、予めシリコン基
板をスピンナ上で高回転にさせておき最高回転数で回転
している時期にソースを滴下する方式である。これは、
第２図の比較のために示したシリコン基板をスピンナ上
で低回転させておき、そこにソースを滴下し、その後高
回転させていた従来の方式と明白に相違している。
第２図に示す方式では、駆動モータの機械的な限界によ
って回転数ＮｓからＮ＃にうつる途中でソースが基板の
外周部まで広がってしまう、その時点では遠心力が小さ
いため、ソースを振り飛ばすことができずソースが基板
の裏面に回り込んでしまう現象の発生することが分かっ
た。これに対し本発明による方式は、ウェハがすでに高
速回転数Ｎ１に達している時期に、ソースが滴下される
ため、ソース振り切りの遠心力は十分であり、従って回
り込みのない塗布が可能である。しかし、ソース滴下後
も回転数Ｎ、でコーティングしているとソースが飛ばさ
れる量が多くなってしまい、基板上の拡散ソース塗布量
が減ってしまう、そこでソース滴下後はＮ、より回転数
の低いＮ８にすることにより、回り込みがなくソース付
着量の適度な塗布が可能である。
って回転数ＮｓからＮ＃にうつる途中でソースが基板の
外周部まで広がってしまう、その時点では遠心力が小さ
いため、ソースを振り飛ばすことができずソースが基板
の裏面に回り込んでしまう現象の発生することが分かっ
た。これに対し本発明による方式は、ウェハがすでに高
速回転数Ｎ１に達している時期に、ソースが滴下される
ため、ソース振り切りの遠心力は十分であり、従って回
り込みのない塗布が可能である。しかし、ソース滴下後
も回転数Ｎ、でコーティングしているとソースが飛ばさ
れる量が多くなってしまい、基板上の拡散ソース塗布量
が減ってしまう、そこでソース滴下後はＮ、より回転数
の低いＮ８にすることにより、回り込みがなくソース付
着量の適度な塗布が可能である。
スピンコーティング条件は、ソースの粘度、基板の直径
、基板の表面状態等によって異なるが、実験ではＨ，−
８ＱＯＯｒｐｔｓ以上、Ｎ＊ −２０００〜５０００ｒ
ｐ鐙が適切であった。このことは、ソースを吹付けによ
り被塗布基板中心部へ供給する場合も同様である。
、基板の表面状態等によって異なるが、実験ではＨ，−
８ＱＯＯｒｐｔｓ以上、Ｎ＊ −２０００〜５０００ｒ
ｐ鐙が適切であった。このことは、ソースを吹付けによ
り被塗布基板中心部へ供給する場合も同様である。
本発明によるスピンコーティング方法は特に低粘度ソー
スの塗布に有効である。また、フォトレジストの回り込
みのない塗布にも有効に通用できる。
スの塗布に有効である。また、フォトレジストの回り込
みのない塗布にも有効に通用できる。
本発明によれば、被塗布基板を高速度で回転させておい
て、塗布液を基板中心部に供給することにより塗布液が
振り飛ばされることがあっても裏面へ回り込むことはな
く、その後回転数を低くすることにより塗布液が振り飛
ばされたり裏面へ回り込むことなく広がるので、塗布液
の付着量が多くなり、所望の厚さの塗膜が得られる。従
って、ダイオードその他の半導体素子製造における拡散
ソース塗布に極めて有効であり、フォトレジストその他
の液の基板片面への塗布にも同様に有効である。
て、塗布液を基板中心部に供給することにより塗布液が
振り飛ばされることがあっても裏面へ回り込むことはな
く、その後回転数を低くすることにより塗布液が振り飛
ばされたり裏面へ回り込むことなく広がるので、塗布液
の付着量が多くなり、所望の厚さの塗膜が得られる。従
って、ダイオードその他の半導体素子製造における拡散
ソース塗布に極めて有効であり、フォトレジストその他
の液の基板片面への塗布にも同様に有効である。
第１図は本発明の一実施例のスピンコーティング方法に
おける半導体基板回転数の時間的変化と拡散ソース滴下
の時期を示す４１１図、第２図は従来のスピンコーティ
ング方法における同様の線図で第１図 第２図
おける半導体基板回転数の時間的変化と拡散ソース滴下
の時期を示す４１１図、第２図は従来のスピンコーティ
ング方法における同様の線図で第１図 第２図
Claims (1)
- １）高い周速で水平面内に回転する被塗布基板の中心部
に塗布液を供給し、次いで周速を落として塗布液を基板
の周辺まで延ばすことを特徴とするスピンコーティング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280762A JPH0696138B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | スピンコーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280762A JPH0696138B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | スピンコーティング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126970A true JPH02126970A (ja) | 1990-05-15 |
| JPH0696138B2 JPH0696138B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17629601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63280762A Expired - Lifetime JPH0696138B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | スピンコーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696138B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005128516A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
| JP2008306220A (ja) * | 2008-09-22 | 2008-12-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154444A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法 |
| JPS60115224A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Fuji Xerox Co Ltd | レジスト塗布方法 |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63280762A patent/JPH0696138B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154444A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法 |
| JPS60115224A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Fuji Xerox Co Ltd | レジスト塗布方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005128516A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
| JP4629396B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2011-02-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクの製造方法及び転写マスクの製造方法 |
| JP2008306220A (ja) * | 2008-09-22 | 2008-12-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0696138B2 (ja) | 1994-11-30 |
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