JPS6088429A - 半導体塗布拡散方法 - Google Patents
半導体塗布拡散方法Info
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- JPS6088429A JPS6088429A JP19647583A JP19647583A JPS6088429A JP S6088429 A JPS6088429 A JP S6088429A JP 19647583 A JP19647583 A JP 19647583A JP 19647583 A JP19647583 A JP 19647583A JP S6088429 A JPS6088429 A JP S6088429A
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- sprayed
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 2
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 235000012773 waffles Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、半導体基板の一面に液状の拡散ソースを塗布
したのち、加熱して不純物を半導体内部に拡散させる半
導体塗布拡散方法に関する。
したのち、加熱して不純物を半導体内部に拡散させる半
導体塗布拡散方法に関する。
半導体素子の製作には、所期の電気的特性を得るために
、例えはシリコン・ウェーハのような半導体基板内部に
所定の不純物を所定の濃度に分布せしめることが必要で
ある。これは半導体基板に不純物を含む拡散ソースを付
着させる工程と、その不純物元素を基板中に熱拡散させ
、る工程とによって行われる。不純物を基板に付着させ
る方法は種々あるが、その一つとして液状の拡散ソース
を基板の片面に塗布する方法が知られておシ、塗布する
方法としてはスピンナ法が一般的である。これは半導体
基板上に液状ソースを滴下した後、基板を回転させてソ
ースを基板の一面全面に広げると共に、余剰分を振υ切
ってしまう方法である。
、例えはシリコン・ウェーハのような半導体基板内部に
所定の不純物を所定の濃度に分布せしめることが必要で
ある。これは半導体基板に不純物を含む拡散ソースを付
着させる工程と、その不純物元素を基板中に熱拡散させ
、る工程とによって行われる。不純物を基板に付着させ
る方法は種々あるが、その一つとして液状の拡散ソース
を基板の片面に塗布する方法が知られておシ、塗布する
方法としてはスピンナ法が一般的である。これは半導体
基板上に液状ソースを滴下した後、基板を回転させてソ
ースを基板の一面全面に広げると共に、余剰分を振υ切
ってしまう方法である。
スピンナを使用するのは、片面のみに塗布ができること
、面内の塗布量の均一性の良いととならびに作業性も良
く、自動化も可能である点ですぐれている。
、面内の塗布量の均一性の良いととならびに作業性も良
く、自動化も可能である点ですぐれている。
しかし、従来のスピンナ法では、ソース塗布時に基板の
反対面の外周部分に塗布面よりのソースが回り込んでし
、まりという欠点があった。これ祉、ソースの稙知、及
びスピンナ条件にょシ若干の程度の差はあるが、いずれ
にせよさけられない欠点であった。とシわけ、ソースが
水溶性で粘度も低く、基板に対する濡れ性の良い場合に
はこの回シ込みは激しく、外周部よシ約２〜３調にも及
ぶ事がある。この回置、込みは正常な不純物分布の得ら
れない事から、半導体素子の製作過程中での歩留シ低下
の大きな侠因となっていた０ 〔発明の目的〕 本発明はスピンナ法の上記の利点を損なうことなく、拡
散ソースの反対面への回り込みの無い半導体塗布拡散方
法を提供することを目的とする。
反対面の外周部分に塗布面よりのソースが回り込んでし
、まりという欠点があった。これ祉、ソースの稙知、及
びスピンナ条件にょシ若干の程度の差はあるが、いずれ
にせよさけられない欠点であった。とシわけ、ソースが
水溶性で粘度も低く、基板に対する濡れ性の良い場合に
はこの回シ込みは激しく、外周部よシ約２〜３調にも及
ぶ事がある。この回置、込みは正常な不純物分布の得ら
れない事から、半導体素子の製作過程中での歩留シ低下
の大きな侠因となっていた０ 〔発明の目的〕 本発明はスピンナ法の上記の利点を損なうことなく、拡
散ソースの反対面への回り込みの無い半導体塗布拡散方
法を提供することを目的とする。
本発明は半折１体基板を所定の速度で回転させながら液
状拡散ソースを基板中心部に向って噴射させるもので、
拡散ソースを塗布面全面に広がらせると共に、余分なソ
ースを基板上から振シ飛はして反対面への回ｐ込み？防
ぐものである。
状拡散ソースを基板中心部に向って噴射させるもので、
拡散ソースを塗布面全面に広がらせると共に、余分なソ
ースを基板上から振シ飛はして反対面への回ｐ込み？防
ぐものである。
第１図は本発明の一実施例におりるスピンナ回転数およ
び拡散ソース供給のタイムチャートを示す。すなわち予
めシリコン・ウェーハをスピンナ上で回転させ１おき、
最高回転数に達してから図の斜線区域で示した時期にウ
ェーハの中心部にソースを噴射する方式である。これは
第２図のタイムチャートが示すように従来は拡散ソース
をウェーハ上に滴下してからスピンナを回転させていた
方式と明白に相違している。第１図に示す方式では、駆
動モータの機械的な限界によって回転数の上昇時期１の
途中でソースがウェーハの外周部まで広がってしまう。
び拡散ソース供給のタイムチャートを示す。すなわち予
めシリコン・ウェーハをスピンナ上で回転させ１おき、
最高回転数に達してから図の斜線区域で示した時期にウ
ェーハの中心部にソースを噴射する方式である。これは
第２図のタイムチャートが示すように従来は拡散ソース
をウェーハ上に滴下してからスピンナを回転させていた
方式と明白に相違している。第１図に示す方式では、駆
動モータの機械的な限界によって回転数の上昇時期１の
途中でソースがウェーハの外周部まで広がってしまう。
その時点ではウェーハの回転数は１１０００ｒｐにも満
たない。従って遠心力が小さいためソースを振シ飛ばす
ことができず、ソースがウェーハの裏側に回シ込んでし
まう現象の発生する事が判った。これに対し本発明によ
る方式はウェーハがすでに高速回転に達している時期２
にソースが表面に噴射されるだめ、ソース振シ切りの遠
心力は十分であり、従って裏回りのない塗布が可能であ
る。
たない。従って遠心力が小さいためソースを振シ飛ばす
ことができず、ソースがウェーハの裏側に回シ込んでし
まう現象の発生する事が判った。これに対し本発明によ
る方式はウェーハがすでに高速回転に達している時期２
にソースが表面に噴射されるだめ、ソース振シ切りの遠
心力は十分であり、従って裏回りのない塗布が可能であ
る。
本発明による方式でソースを滴下するのでなく噴射する
のはウェーハが高速で回転しており、ソースは短時間で
振シ飛ばされてしまうので、少量ずつ滴下していたので
は全面に塗布する事が困難だからである。このため拡散
ソースを加圧し、短時間で一定量のソースをウェーッ・
に吹き付ける必要がある。ソース噴射時のウェーッ・の
回転数は、ソースの粘性、ウェーッ１の直径、ウェーッ
・の表面状態等によって異なｐｌこれらを考慮して適宜
選択できるが、実験では１０００〜４０００ｒｐｍが適
切であった。また噴射量についてもこれらの条件から適
宜調整される。
のはウェーハが高速で回転しており、ソースは短時間で
振シ飛ばされてしまうので、少量ずつ滴下していたので
は全面に塗布する事が困難だからである。このため拡散
ソースを加圧し、短時間で一定量のソースをウェーッ・
に吹き付ける必要がある。ソース噴射時のウェーッ・の
回転数は、ソースの粘性、ウェーッ１の直径、ウェーッ
・の表面状態等によって異なｐｌこれらを考慮して適宜
選択できるが、実験では１０００〜４０００ｒｐｍが適
切であった。また噴射量についてもこれらの条件から適
宜調整される。
ソースをウェーッ・の中心部に向けて噴射することは、
中心に合わないと塗シ残しができるために重要である。
中心に合わないと塗シ残しができるために重要である。
本発明はスピンナを用いて拡散ソースを半導体基板の片
面に塗布する場合に、予めスピンナを起動して所定の速
度で回転している基板上に拡散ソースを噴射するもので
、余剰のソースを遠心力によシ振シ飛ばすことができる
ため、ソースの反対面への回り込みを阻止することがで
き、片面からのみの不純物拡散が保証されるので半導体
素子製作の歩留シ向上に対して極めて有効である。
面に塗布する場合に、予めスピンナを起動して所定の速
度で回転している基板上に拡散ソースを噴射するもので
、余剰のソースを遠心力によシ振シ飛ばすことができる
ため、ソースの反対面への回り込みを阻止することがで
き、片面からのみの不純物拡散が保証されるので半導体
素子製作の歩留シ向上に対して極めて有効である。
第１図は本発明の実施例におけるスピンナ回転数と拡散
ソース供給のタイムチャート図、第２図は従来の方式に
おける同様なタイムチャート図である。
ソース供給のタイムチャート図、第２図は従来の方式に
おける同様なタイムチャート図である。
Claims (1)
- １）半導体基板の一面に供給された不純物を含む液状拡
散ソースを基板の回転によシ基板−面全面に広がらせて
塗布したのち不純物の熱拡散を行う方法において、半導
体基板を所定の速度で回転させながら拡散ソースを基板
中心部に向って噴射させることにより供給することを特
徴とする半導体塗布拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647583A JPS6088429A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 半導体塗布拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647583A JPS6088429A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 半導体塗布拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088429A true JPS6088429A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16358415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19647583A Pending JPS6088429A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 半導体塗布拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088429A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114877A (en) * | 1975-04-02 | 1976-10-08 | Hitachi Ltd | Coating equipment |
| JPS528383U (ja) * | 1975-07-02 | 1977-01-20 | ||
| JPS5666044A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19647583A patent/JPS6088429A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114877A (en) * | 1975-04-02 | 1976-10-08 | Hitachi Ltd | Coating equipment |
| JPS528383U (ja) * | 1975-07-02 | 1977-01-20 | ||
| JPS5666044A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
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