CN101738865A - 一种干法贴膜工艺 - Google Patents

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李德君
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Abstract

本发明提供了一种用于晶圆片光刻制程中的干法贴膜工艺，其步骤包括：在晶圆片表面涂布一层粘合剂形成粘合剂层并加热烘干；将干膜贴在晶圆片表面送入贴膜机碾压贴膜；然后将贴好膜的晶圆片送入固化炉中坚膜。本发明在普通的干法碾压贴膜工艺中，添加一层较薄的粘合层，使得坚膜之后，干膜与晶圆片之间被粘合剂紧密填充，提高了干膜贴合的紧密度，使用本发明方法所形成干膜具有支撑坚固，贴合度高，可靠性强的特点。

Description

一种干法贴膜工艺
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体属于晶圆片的光刻贴膜技术，尤其涉及一种干法贴膜工艺。
背景技术
在半导体生产制造中，光刻工序有时需要在晶圆片表面先覆盖光刻膜，其中分为湿法贴膜和干法贴膜两种方式，而当所需光刻胶较厚，厚度达到30um～120um，使用较为广泛的方式是干法碾压贴膜工艺。
所述碾压贴膜只得是将一定厚度的干膜光刻胶，通过贴膜机的滚轮，在一定的环境条件下，一次性碾压至晶圆片表面。这种贴膜方式所得的干膜与晶圆片表面的紧密性，取决于贴膜机的性能以及各种环境因素，如果晶圆片表面存在其他杂质，或者贴膜机性能不稳，所得的干膜有可能与晶圆片之间存在空袭或者皱褶等。
干膜与晶圆片之间如果衔接不紧密有可能对后续工艺产生不良影响，结合图1所示，例如在封装工艺中，焊接凸点需要在晶圆片表面特定点生长，一般做法是先在晶圆片表面溅射金属种子层1，然后用干膜工艺贴一层光敏性光刻膜2，光刻之后在指定位置形成开口3，露出金属种子层，后续进行电镀金属生长。因为在电镀过程中光刻膜起到了阻挡非开口处表面金属生长的作用，光刻膜需要较厚，且必须与晶圆片贴合紧密，否则电镀液进入光刻膜与金属种子层之间的空隙4，将在空隙处造成漏镀，破坏表面一致性，导致产品报废失效。因此，改进晶圆片的贴膜工艺，提高干膜与晶圆片的紧密度是非常必要的。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种用于半导体晶圆片的干法贴膜工艺，改善光刻膜与晶圆片的紧密度。
为解决上述技术问题，本发明提供的干法贴膜工艺，所述工艺流程包括以下步骤：
(1)提供晶圆，所述晶圆上具有待光刻的半导体结构，在晶圆片表面涂布一层钝性粘合剂形成粘合剂层；
(2)将晶圆片送入加热炉中，加热烘干粘合剂；
(3)将晶圆片送入贴膜机进行碾压贴膜；
(4)将贴好膜的晶圆片送入固化炉中干燥、坚膜。
根据本发明所提供的一种干法贴膜工艺，其中步骤(1)使用旋转涂覆将晶圆片自转，在晶圆片表面均匀涂布粘合剂；所述步骤(3)贴膜机碾压贴膜时先加热晶圆片，再加热滚轮，将干膜压在晶圆表面粘合层上；所述步骤(4)加热坚膜使粘合层与干膜及晶圆片紧密填充。
本发明的技术效果是：本发明在普通的干法碾压贴膜工艺中，添加一层较薄的粘合层，使得坚膜之后，干膜与晶圆片之间被粘合剂紧密填充，提高了干膜贴合的紧密度，因此，使用本发明方法所形成干膜具有支撑坚固，贴合度高，可靠性强的特点。
附图说明
图1是现有干法贴膜工艺下干膜贴合不紧密示意图；
图2是本发明所述干法贴膜工艺的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图用一个具体实施例对本发明作进一步的详细描述。
如图2所示，本发明所述干法贴膜工艺，详细流程及工艺参数如下：
(1)采用旋转涂布的方式，让待贴膜的晶圆片以1500rpm的速度自转，涂抹粘合剂150秒，所使用的粘合剂为AP3000粘合剂；
AP3000型粘合剂其主要化学成分为：水解三乙酰氧基乙烯基硅烷(VTAS)0.1～1％；1-甲氧基-2-丙醇＞98％；液态；
形成的粘合层5厚度约为10埃～20埃。
(2)将涂覆完的晶圆片送入加热炉以70～120摄氏度温度加热烘干2～5分钟。
(3)将晶圆片送入贴膜机的晶圆台，将晶圆片加热至55～65摄氏度，然后将压膜的滚轮加热到65～75摄氏度，将所需厚度的干膜6碾压成型至晶圆表面。
(4)将贴好膜的晶圆放到固化炉内以90～110摄氏度温度加热坚膜5～15分钟。
采用上述流程进行的干法贴膜工艺，形成的光刻干膜与晶圆片之间形成一薄层粘合层，因为粘合层的存在，使得干膜粘贴紧密，应用在封装的焊料凸块制程工艺中，效果显著，良好的避免了电镀液进入干膜下缝隙造成的漏镀现象。此贴膜工艺还可以推广应用于各种光刻制程，满足生产需要。
在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。

Claims (7)

1.一种干法贴膜工艺，用于光刻制程中在晶圆片表面形成光刻膜，所述工艺流程包括以下步骤：
(1)提供晶圆，所述晶圆上具有待光刻的半导体结构，在晶圆片表面涂布一层钝性粘合剂形成粘合剂层；
(2)将晶圆片送入加热炉中，加热烘干粘合剂；
(3)将晶圆片送入贴膜机进行碾压贴膜；
(4)将贴好膜的晶圆片送入固化炉中干燥、坚膜。
2.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(1)使用旋转涂覆将晶圆片自转，在晶圆片表面均匀涂布粘合剂。
3.如权利要求2所述的干法贴膜工艺，其特征在于所述粘合剂为液态粘合剂，其主要化学成分为：水解三乙酰氧基乙烯基硅烷(VTAS)0.1～1％；1-甲氧基-2-丙醇＞98％。
4.如权利要求2所述的干法贴膜工艺，其特征在于旋转涂覆时，晶圆片以1500rpm的速度自转，涂布粘合剂150秒。
5.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(2)中将涂覆完的晶圆片送入加热炉以70～120摄氏度温度加热烘干2～5分钟。
6.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(3)将晶圆片送入贴膜机的晶圆台先加热至55～65摄氏度，然后将压膜的滚轮加热到65～75摄氏度，将所需厚度的干膜碾压成型至晶圆表面。
7.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(4)将贴好膜的晶圆放到固化炉内以90～110摄氏度温度加热坚膜5～15分钟，使粘合层与干膜及晶圆片紧密填充。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103217865A (zh) * 2012-01-18 2013-07-24 昆山允升吉光电科技有限公司 一种超薄钢片贴膜方法
CN103732528A (zh) * 2011-08-03 2014-04-16 卡文迪什动力有限公司 从mems空腔底部消除硅残留物

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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