CN110246986A - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管(OLED)显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：第一电极；第二电极，在所述第一电极上；发光元件，在所述第一电极与所述第二电极之间，所述发光元件包括有机发光层；包封层，在所述第二电极上；第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，在所述包封层与所述第二电极之间，其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层具有彼此不同的折射率，其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层顺序地堆叠，其中，所述第一绝缘层接触所述第二电极，并且其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的每个包括硅。

Description

有机发光二极管显示装置
本申请是申请日为2015年12月30日、申请号为201511020969.6、发明名称为“有机发光二极管显示装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示装置，更具体地讲，涉及一种通过有效地提取发光层中生成的光而提高光效率的OLED显示装置。
背景技术
有机发光二极管装置是利用发射光的有机发光二极管(OLED)显示图像的自发射型显示装置。与液晶显示器(LCD)不同，有机发光二极管装置可以不需要单独的光源，因此，可以具有相对减小的厚度和重量。此外，有机发光二极管装置可以展示出优异的性质，例如，低功耗、高亮度和高响应速度，因此作为下一代的显示装置受到关注。
OLED通常可以包括空穴注入电极、有机发光层和电子注入电极。从空穴注入电极注入的空穴与从电子注入电极注入的电子彼此结合以形成激子。OLED通过当激子从激发态落到基态时生成的能量来发光。
目前，为了提高OLED显示装置的可用性，正在进行关于通过有效地提取发光层中生成的光来提高光效率的方法的研究。
将理解的是，技术部分的该背景意图提供对于理解技术有用的背景，如这里所公开的，技术背景部分可包括在此公开的主题的对应的有效申请日之前不为相关领域的技术人员所知晓或理解的部分的想法、构思或认识。
发明内容
根据一个或更多个实施例，有机发光二极管(OLED)显示装置包括：基底；第一电极，在基底上；发光层，在第一电极上；辅助发光层，在发光层上；第二电极，设置在辅助发光层上；以及共振诱导层，在第二电极上。共振诱导层可以包括第一低折射率层和第一高折射率层。辅助发光层可以具有在约300埃至约的范围内的光学距离。共振诱导层的第一低折射率层和第一高折射率层可以均具有在约至约的范围内的厚度。
辅助发光层可以是电子传输层(ETL)。
第一低折射率层可以在第二电极上，并且第一高折射率层可以在第一低折射率层上。
第一高折射率层可以具有大于第一低折射率层的厚度的厚度。
共振诱导层还可以包括在第一高折射率层上的第二低折射率层。
第二低折射率层可以具有与第一低折射率层的厚度不同的厚度。
第二低折射率层的厚度可以大于第一低折射率层的厚度。
第一低折射率层可以具有在约至约的范围内的厚度，第一高折射率层可以具有在约至约的范围内的厚度，第二低折射率层可以具有在约至的范围内的厚度。
第一低折射率层和第二低折射率层可以具有在约1.3至约1.6的范围内的折射率，第一高折射率层可以具有在约1.6至约3.0的范围内的折射率。
第一低折射率层和第二低折射率层可以包括LiF、Liq、双(2-甲基-8-喹啉酚根)-4-苯基苯酚根合铝(III)(aluminum(III)bis(2-methyl-8-quninolinato)-4-phenylphenolate，BAlq)和SiOx中的至少一种。
第一高折射率层可以包括SiON、SiNx、ZnOx、ZrOx和TiOx中的至少一种。
第一高折射率层可以在第二电极上，并且第一低折射率层可以在第一高折射率层上。
第一低折射率层可以具有大于第一高折射率层的厚度的厚度。
共振诱导层还可以包括在第一低折射率层上的第二高折射率层。
第一高折射率层可以具有在约至约的范围内的厚度，第一低折射率层可以具有在约至约的范围内的厚度，第二高折射率层可以具有在约至约的范围内的厚度。
第一高折射率层和第二高折射率层可以具有在约1.6至约3.0的范围内的折射率，第一低折射率层可以具有在约1.3至约1.6的范围内的折射率。
第一低折射率层可以包括LiF、Liq、双(2-甲基-8-喹啉酚根)-4-苯基苯酚根合铝(III)(BAlq)和SiOx中的至少一种。
第一高折射率层和第二高折射率层可以包括SiON、SiNx、ZnOx、ZrOx和TiOx中的至少一种。
OLED显示装置还可以包括在共振诱导层上的包封层，其中，包封层具有有机层设置在多个堆叠的无机层之间的结构或者无机层和有机层交替堆叠的结构。
无机层可以包括SiOx、SiON和SiNx中的至少一种，并且有机层可以是单体。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对本领域技术人员而言将变得明显，在附图中：
图1示出根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置的像素的平面图；
图2示出沿图1的线I-I'截取的剖视图；
图3示出光穿过具有不同折射率的多个层的路径的示意图；
图4示出根据示例性实施例的OLED显示装置的堆叠结构的示意图；
图5A至图5C示出基于电子传输层(ETL)的光学厚度的光提取效率的图；
图6示出根据现有技术的OLED显示装置中的堆叠结构的示意图；
图7示出根据示例1的OLED显示装置中的堆叠结构的示意图；
图8示出图7的光提取效率的图；
图9示出根据示例2的OLED显示装置中的堆叠结构的示意图；
图10示出图8的光提取效率的图；
图11示出根据另一示例性实施例的OLED显示装置的剖视图；以及
图12示出根据示例3的OLED显示装置中的堆叠结构的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将示例性实施方式充分地传达给本领域的技术人员。
在附图中，为了说明的清晰起见，可夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“之下”时，该层可以直接在另一层之下，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终指示同样的元件。
为了便于描述，在这里可使用空间相对术语“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…之上”、“上面的”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中示出的装置被翻转的情况下，定位为在另一装置“之下”或“下方”的装置可以被定位为在另一装置“之上”。因此，示例性术语“在…之下”可包括下面和上面两种位置。装置也可以被定位在其他方向上，因此，空间相对术语可以根据方位而被不同地解释。
这里使用的所有术语仅用于描述实施例，并且可以根据相关领域和申请人的意图而改变。因此，这里使用的术语应当被解释为具有与本公开的上下文中的它们的意思一致的意思，而不意图限制本公开。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一(个、种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变形时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解的是，除非本说明中明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的上下文中的它们的意思一致的意思，而不是将以理想的或者过于形式的意思来解释。
图1示出根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置的像素的平面图。
参照图1，在根据示例性实施例的OLED显示装置中，多个像素区域可以通过栅极线101、与栅极线101交叉并且绝缘的数据线102、以及公共电源线103之中的边界来限定。单个像素可以设置在单个像素区域中。然而，像素区域不限于此，例如，像素区域可以通过稍后将描述的像素限定层来限定，多个像素可以设置在单个像素区域中等等。
根据示例性实施例的OLED显示装置的单个像素可以具有2TFT-1CAP结构。例如，2TFT-1CAP结构可以包括两个薄膜晶体管(TFT)(即，开关TFT 104和驱动TFT 105)和单个电容器(CAP)106。然而，OLED显示装置的像素的结构不限于此，在单个像素中可以包括三个或更多个TFT以及两个或更多个CAP 106。
开关TFT 104可以选择像素来执行光发射。开关TFT 104可以包括连接到栅极线101的开关栅电极104a、连接到数据线102的开关源电极104b、连接到第一电容器板106a的开关漏电极104c、以及开关半导体层104d。
驱动TFT 105可以施加驱动电力，驱动电力使得被开关TFT 104选择的像素中的有机发光层233发光。驱动TFT 105可以包括连接到第一电容器板106a的驱动栅电极105a、连接到公共电源线103的驱动源电极105b、连接到第一电极110的驱动漏电极105c、以及驱动半导体层105d。
CAP 106可以包括第一电容器板106a和第二电容器板106b。第一电容器板106a可以连接到开关漏电极104c和驱动栅电极105a，第二电容器板106b可以连接到公共电源线103。CAP 106的电容可以由CAP 106中存储的电荷以及第一电容器板106a与第二电容器板106b之间的电压来确定。
具有与通过(或从)开关TFT 104传输的数据电压的电平与从公共电源线103施加到驱动TFT 105的公共电压的电平之差相等的电平的电压可以存储在CAP 106中。具有与CAP 106中存储的电压的电平对应的电平的电流可以通过驱动TFT 105流到有机发光层233，以使得有机发光层233发光。
图2示出沿图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图2，根据示例性实施例的OLED显示装置可以包括第一基底110、驱动电路单元130、OLED元件200、共振诱导层310和薄膜包封层410。
第一基底110可以是包括玻璃、石英、陶瓷、塑料等中的至少一种的绝缘基底。然而，形成第一基底110的材料不限于此，并且可以由金属材料(例如，不锈钢)形成。
包括无机或有机层的缓冲层107可以设置在第一基底110上。缓冲层107可以防止或有效地减少不期望的成分(例如，掺杂的元素或湿气)渗透到第一基底110中，并且也可以使第一基底110的表面平坦化。此外，栅极绝缘层108可以在第一基底110上，并在开关栅电极104a和驱动栅电极105a与开关半导体层104d和驱动半导体层105d之间，绝缘层间层109可以位于第一电容器板106a与第二电容器板106b之间。
驱动电路单元130可以在缓冲层107上。驱动电路单元130可以包括开关TFT 104、驱动TFT 105和CAP 106，并且可以驱动OLED元件200。如先前参照图1描述的，OLED元件200可以通过基于从驱动电路单元130传输的驱动信号发光来显示图像。
OLED元件200可以包括第一电极210、在第一电极210上的发光元件230以及在发光元件230上的第二电极250。发光元件230可以包括有机发光层233(参照图4)。第一电极210可以是注入空穴的阳极，第二电极250可以是注入电子的阴极。然而，第一电极210和第二电极250的类型不限于此，第一电极210可以是阴极，第二电极250可以是阳极。
尽管未示出，但是空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个还可以在第一电极210和有机发光层233之间，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个还可以设置在有机发光层233和第二电极250之间。
根据示例性实施例的OLED显示装置可以是顶部发射型。因此，第一电极210可以包括反射层，第二电极250可以包括透反射层。然而，第一电极210和第二电极250的类型不限于此，OLED显示装置可以是底部发射型。在这种情况下，第一电极210可以包括透反射层，第二电极250可以包括反射层。
反射层和透反射层可以包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)等或它们的金属合金中的一种或更多种。这里，例如反射层或透反射层的层的类型可以基于层的厚度来确定。通常，透反射层具有小于或等于约200纳米(nm)的厚度。
第一电极210还可以包括透明导电层，透明导电层可以包括透明导电氧化物(TCO)，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)。
第一电极210可以具有包括反射层的结构、包括反射层和透明导电层的双层结构、或者透明导电层、反射层和透明导电层顺序地堆叠的三层结构。然而，第一电极210的结构不限于此，第一电极210可以具有包括透明导电层的结构。
第二电极250可以具有包括透明导电层的结构。在由透明导电层形成的情况下，第二电极250可以是注入空穴的阳极，第一电极210可以包括用作阴极的反射层。
像素限定层190可以具有开口192，第一电极210可以通过开口192暴露。也就是说，第一电极210、发光元件230和第二电极250可以顺序地堆叠在像素限定层190的开口192内，开口192可以限定发光区域。此外，发光元件230和第二电极250可以在像素限定层190上。
共振诱导层310可以在第二电极250上，并且可以包括高折射率层311、第一低折射率层312和第二低折射率层313。共振诱导层310可以对有机发光层233中生成的光的有效外部发射给予帮助。
稍后将参照图4描述关于共振诱导层310的详情。
根据示例性实施例的OLED显示装置还可以包括共振诱导层310上的薄膜包封层410。薄膜包封层410可以保护第一电极210、发光元件230、第二电极250和共振诱导层310，并且可以具有至少一个无机层和至少一个有机层交替地堆叠的结构。
薄膜包封层410可以具有有机层和无机层堆叠的结构，或者可以具有无机层和有机层堆叠的结构。尽管图2示出薄膜包封层410为具有无机层411、有机层412和无机层413的三层结构，但是薄膜包封层410的结构不限于此，薄膜包封层410可以具有包括两层或更多层的多层结构。
参照图2，具有无机层411、有机层412和无机层413堆叠的结构的薄膜包封层410可以形成在共振诱导层310上。在这种情况下，无机层411和413可以防止或有效地减少湿气或氧渗透到发光元件230中，有机层412可以使共振诱导层310的表面平坦化。
当OLED装置是顶部发射型时，有机发光层233中生成的光可以通过第二电极250、共振诱导层310和薄膜包封层410向外发射。
有机发光层233中生成的光在向外行进时可能穿过层间界面；在这种情况下，光可能不穿过层间界面或者可能从层间界面被反射。详细地，有机发光层233中生成的光可以穿过有机发光层233和第二电极250之间的界面、第二电极250和共振诱导层310之间的界面以及共振诱导层310和薄膜包封层410之间的界面。然而，光可以在这些层间界面中的一个或更多个处被反射。
例如，光可以在共振诱导层310和薄膜包封层410之间的界面处被反射。像这样反射的光可以在第二电极250和共振诱导层310之间的界面处被再反射，或者可以行进穿过第二电极250和有机发光层233以在第一电极210和有机发光层233之间的界面处被反射。
如此，光可以在层之间的界面的每个处被反复反射，并且光因反射而可以经历共振。当这种共振发生时，光可以被放大，从而向外发射的光的量增大。利用这样的共振效应，从有机发光层233发射的光可以被有效地放大，使得可以提高其中的光效率。
垂直入射在具有折射率n1的介质M1与具有折射率n2的介质M2之间的界面上的光(参照图3)的反射率可以由公式1获得。
[公式1]
反射率＝(n2-n1)2/(n2+n1)2
在公式1中，可以理解的是，尽管确定反射率的因素是针对每层的折射率n1与n2之和以及折射率n1与n2之差，但是折射率n1与n2之差可以是其中相对重要的因素。因此，反射率可以随着形成界面的两个层的折射率之差的增大而增大。此外，共振的可能性可以响应于反射率的增大而增大。
同时，在界面处的频繁的反射会导致光路增长。例如，图3示出从介质M2向介质M1传播而无任何反射地离开介质M1和M2之间的界面的光L1，以及在介质M2的每个界面处被反射(即，两次反射)之后向介质M1传播的光L2。当介质M2的厚度为“d”并且入射在介质M1和M2之间的界面上的光的入射角是“θ2”时，与入射在介质M1上而在介质M2内无任何反射的光L1的光路相比，在反射离开介质M2的每个界面(即，两次反射)之后入射在介质M1上的光L2的光路具有“2d/cosθ2”的路程差。当入射在介质M2上的光在介质M2内被反射四次然后入射在介质M1上时，路程差变为“4d/cosθ2”。因此，随着光被反射的次数增加，路程差可以增大。此外，当介质M1的折射率n1小于介质M2的折射率n2时，入射在介质M1上的光的入射角θ1可以大于该角度θ2。
图4示出用于根据示例性实施例的OLED显示装置中的堆叠结构的示意图。将省略上述关于OLED元件200的内部结构的重复描述，在下文中将描述共振诱导层310和薄膜包封层410。另外，将描述基于有机发光层233和第二电极250之间的光学距离(即，ETL的光学厚度(n×d))的光效率提高。
OLED显示装置可以具有多层结构，为了增大由有机发光层233生成的并且穿过多层结构而向外发射的光的强度，可以将共振结构应用到其中。在光在两个反射层之间被重复反射期间发生光学共振的情况下，光的强度可以增大，这种具有增大的强度的光可以穿过多层结构以向外发射。另外，为了有效的光学共振，构成OLED显示装置的层可以具有预定的厚度。
根据示例性实施例的OLED显示装置可以包括设置在OLED元件200上的共振诱导层310。共振诱导层310可以对有机发光层233中生成的光的有效外部发射给予帮助。
共振诱导层310可以具有高折射率层311、第一低折射率层312和第二低折射率层313顺序地堆叠的三层结构。
具体地，构成共振诱导层310的每个层的光学厚度可以形成为小于或等于可见光的最大波长(例如，约780nm(7800埃))的约λ/4，使得在极大的光学厚度的情况下，可以防止能量分散到除了可见光的波段之外的波段。因此，具体地，高折射率层311、第一低折射率层312和第二低折射率层313可以具有在约至约的范围内的光学厚度。光学厚度通过将材料的折射率乘以厚度而确定。
高折射率层311可以具有在约1.6至约3.0的范围内的折射率，并且可以包括SiON、SiNx、ZnOx、ZrOx、TiOx等中的至少一种。
高折射率层311可以由无机材料和有机材料中的至少一种形成。因此，高折射率层311可以包括无机层或有机层，或者可以包括包含无机粒子的有机层。
可用于高折射率层311的这样的无机材料可以包括例如氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化硅、氮化铟、氮化镓等。
可用于高折射率层311的这样的有机材料可以包括例如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、4,4',4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双(2-甲基苯基)氨基]-苯(o-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基)氨基]苯(m-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(4-甲基苯基)氨基]苯(p-MTDAB)、4,4'-双[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]二苯基甲烷(BPPM)、4,4'-二咔唑基-1,1'-联苯(CBP)、4,4',4”-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)、2,2',2”-(1,3,5-苯-甲苯基)三-[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)等。
第一低折射率层312和第二低折射率层313可以具有约1.3至约1.6的折射率。第一低折射率层312和第二低折射率层313可以使用LiF、Liq、双(2-甲基-8-喹啉酚根)-4-苯基苯酚根合铝(III)(BAlq)和SiOx中的至少一种。
第一低折射率层312和第二低折射率层313可以由无机材料和有机材料中的至少一种形成。因此，第一低折射率层312和第二低折射率层313可以包括无机层或有机层，或者可以包括包含无机粒子的有机层。
可用于第一低折射率层312和第二低折射率层313的这样的无机材料可以包括例如氧化硅和氟化镁。
可用于第一低折射率层312和第二低折射率层313的这样的有机材料可以包括例如丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺、alq3[三(8-羟基喹啉)铝]等。
然而，可用于根据示例性实施例的OLED显示装置中的高折射率层311、第一低折射率层312和第二低折射率层313的无机材料或有机材料可以不限于以上描述，可以利用本领域技术人员公知的任何合适的材料。
高折射率层311可以具有约至约的厚度。第一低折射率层312可以具有约至约的厚度。第二低折射率层313可以具有约至约的厚度。
详细地，高折射率层311的厚度D1可以大于第一低折射率层312的厚度D2，第二低折射率层313的厚度D3可以大于第一低折射率层312的厚度D2。
共振诱导层310可以通过具有折射率不同的多层结构和不对称结构来提高光提取效率，在所述不对称结构中，位于高折射率层311的相对侧上的第一低折射率层312和第二低折射率层313具有不同的厚度。
参照图4，薄膜包封层410可以设置在共振诱导层310的上面。尽管薄膜包封层410示出为具有包括无机层411、有机层412和无机层413的三层结构，但是薄膜包封层410不限于此。
薄膜包封层410的折射率不受具体限制，构成薄膜包封层410的每个层的光学厚度(折射率×厚度)可以大于或等于可见光的波长，所述可见光的波长在约至约的范围内。
除了上述通过共振诱导层310来提高光提取效率之外，根据示例性实施例的OLED显示装置还可以通过调整有机发光层233和第二电极250之间的光学距离(即，在OLED元件200的内部结构内的ETL 235的光学厚度)来提高光提取效率。
表1至表3表示当共振诱导层310的高折射率层311的厚度为和时基于ETL的厚度的效率和效率比的模拟结果。这里，效率和效率比是基于当高折射率层311的厚度为时最大效率为100％的计算而获得的。图5A至图5C是示出基于ETL的光学厚度的光提取效率的图。
[表1]
[表2]
[表3]
参照表1和图5A，当高折射率层311的厚度为时，可以提高光提取效率的有机发光层233与第二电极250之间的光学距离(即，ETL 235的光学厚度)可以在约至约的范围内。
参照表2和图5B，当高折射率层311的厚度为时，可以提高光提取效率的有机发光层233与第二电极250之间的光学距离(即，ETL 235的光学厚度)可以在约至约的范围内。
参照表3和图5C，当高折射率层311的厚度为时，可以提高光提取效率的有机发光层233与第二电极250之间的光学距离(即，ETL 235的光学厚度)可以在约至约的范围内。
因此，在根据示例性实施例的OLED显示装置中，有机发光层233与第二电极250之间的光学距离可以在约至约的范围内。当满足上述条件时，有机发光层233中生成的向OLED元件200外部发射的光的效率可以增大，以提高OLED显示装置的光效率。
图7示出根据示例1的OLED显示装置的示意图。
根据示例1的OLED显示装置可以包括OLED元件200。OLED元件200可以包括在基底110上的第一电极210、在第一电极210上的发光元件230和在发光元件230上的第二电极250。发光元件230可以包括在第一电极210上的有机发光层233。另外，发光元件230可以包括在第一电极210与有机发光层233之间的HTL 231以及在有机发光层233与第二电极250之间的ETL235。
第一电极210可以是包括反射层211的反射电极。详细地，第一电极210可以包括反射层211和反射层211上的透明导电层212，其中，反射层211包括Mg、Ag、Au、Ca、Li、Cr、铜(Cu)、Al等中的一种或更多种金属。
透明导电层212可以包括TCO，例如，ITO、IZO、ZnO、氧化铝锌(AZO)、In2O3等中的至少一种。透明导电层212可以具有相对高的逸出功。当第一电极210具有透明导电层212时，可以容易地执行通过第一电极210的空穴注入。
另外，第一电极210可以具有透明导电层、反射层和透明导电层顺序地堆叠的三层结构。
第二电极250可以由包括Mg、Ag、Au、Ca、Li、Cr、Cu、Al等中的一种或更多种的透反射层形成。
有机发光层233中生成的光可以穿过第二电极250，同时一部分光可以反射离开第二电极250的下表面。有机发光层233与第二电极250之间的光学距离(即，ETL 235的光学厚度)可以在约至约的范围内。
如图7中所示，设置在第二电极250上面的共振诱导层310可以具有第一低折射率层312、高折射率层311和第二低折射率层313顺序地堆叠的三层结构。根据示例1的共振诱导层310可以包括折射率为1.39且厚度为的第一低折射率层312(LiF)、折射率为2.33且厚度为的高折射率层311(TiOx)以及折射率为1.47且厚度为的第二低折射率层313(SiOx)。
薄膜包封层410可以具有三层结构，在该三层结构中，厚度为的SiON的无机层411、厚度为的单体的有机层412以及厚度为的SiNx的无机层413顺序地堆叠。
图8示出基于TiOx(即，根据示例1的共振诱导层310的高折射率层311)的厚度的OLED显示装置的光提取效率的图。
根据比较示例1的OLED显示装置(参照图6)可以包括形成为单层的覆盖层30以及由五个层形成的薄膜包封层40，覆盖层30和薄膜包封层40位于OLED元件20上。具体地，覆盖层30可以是LiF。薄膜包封层40的五个层可以包括顺序地堆叠的AlOx、单体、SiNx、单体和SiNx。
参照图8，可以理解的是，当高折射率层311具有(50nm)的厚度时，示例1表示出48.55的效率，与比较示例1(39的效率)相比光提取效率提高24％。
在下文中，将参照图9描述示例2。图9示出根据示例2的OLED显示装置的示意图。
由于根据示例2的OLED显示装置除了共振诱导层310之外与根据示例1的OLED显示装置(图7)相同，因此，为了简洁，将省略与其相同结构有关的细节。
参照图9，共振诱导层310可以具有第一低折射率层312、高折射率层311和第二低折射率层313顺序地堆叠的三层结构。根据示例2的共振诱导层310可以包括折射率为1.47且厚度为的第一低折射率层312(SiOx)、折射率为2.09且厚度为的高折射率层311(SiNx)、以及折射率为1.47且厚度为的第二低折射率层313(SiOx)。
图10示出基于SiNx(即，示例2的共振诱导层310的高折射率层311)的厚度的OLED显示装置的光提取效率的图。
如上所述，根据比较示例1的OLED显示装置(参照图6)可以包括形成为单层的覆盖层30以及由五个层形成的薄膜包封层40，覆盖层30和薄膜包封层40形成在OLED元件20上。
参照图10，可以理解，示例2表示出45.15的效率，与比较示例1(39的效率)相比光提取效率提高16％。
图11示出根据另一示例性实施例的OLED显示装置的剖视图。
根据另一示例性实施例的OLED显示装置可以包括：基底110；第一电极210，位于基底110上；发光层233，位于第一电极210上；辅助发光层235，位于发光层上；第二电极250，位于辅助发光层235上；以及共振诱导层330，包括在第二电极上的第一高折射率层和在第一高折射率层上的低折射率层，其中，辅助发光层具有在约至约的范围内的光学距离，共振诱导层的第一高折射率层和低折射率层具有在约至约的范围内的厚度。
参照图11，根据其他示例性实施例的OLED显示装置可以包括第一基底110、驱动电路单元130、OLED元件200、共振诱导层330和薄膜包封层410。由于根据其他示例性实施例的OLED显示装置除了共振诱导层330之外与图2中的OLED显示装置相同，因此，为了简洁，将省略与其相同结构有关的细节。
共振诱导层330可以在第二电极250上，并且可以包括低折射率层331、第一高折射率层332和第二高折射率层333。共振诱导层330可以对有机发光层233中生成的光的有效外部发射给予帮助。
具体地，构成共振诱导层330的每个层的光学厚度可以形成为小于或等于可见光的最大波长(例如，约780nm的约λ/4，使得在极大的光学厚度的情况下，可以防止能量分散到除了可见光的波段之外的波段。因此，具体地，低折射率层331、第一高折射率层332和第二高折射率层333可以形成为具有小于或等于约(即，在约至约的范围内)的光学厚度。这里，光学厚度通过将材料的折射率乘以厚度而确定。
低折射率层331可以使用LiF、Liq、双(2-甲基-8-喹啉酚根)-4-苯基苯酚根合铝(III)(BAlq)和SiOx等中的至少一种。低折射率层331可以由无机材料和有机材料中的至少一种形成。因此，低折射率层331可以包括无机层或有机层，或者可以包括包含无机粒子的有机层。
可用于低折射率层331的这样的无机材料可以包括例如氧化硅、氟化镁等。
可用于低折射率层331的这样的有机材料可以包括例如丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺、alq3[三(8-羟基喹啉)铝]等。
第一高折射率层332和第二高折射率层333可以具有在约1.6至约3.0的范围内的折射率，并且可以包括SiON、SiNx、ZnOx、TiOx等中的至少一种。
第一高折射率层332和第二高折射率层333可以由无机材料和有机材料中的至少一种形成。因此，第一高折射率层332和第二高折射率层333可以包括无机层或有机层，或者可以包括包含无机粒子的有机层。
可用于第一高折射率层332和第二高折射率层333的这样的无机材料可以包括例如氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化硅、氮化铟、氮化镓等。
可用于第一高折射率层332和第二高折射率层333的这样的有机材料可以包括例如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、4,4',4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双(2-甲基苯基)氨基]-苯(o-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基)氨基]苯(m-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(4-甲基苯基)氨基]苯(p-MTDAB)、4,4'-双[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]二苯基甲烷(BPPM)、4,4'-二咔唑基-1,1'-联苯(CBP)、4,4',4”-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)、2,2',2”-(1,3,5-苯-甲苯基)三-[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)等。
然而，可用于根据其他示例性实施例的低折射率层331、第一高折射率层332和第二高折射率层333的无机材料或有机材料可以不限于以上描述，可以利用本领域技术人员公知的任何合适的材料。
低折射率层331可以具有约至约的厚度。第一高折射率层332可以具有约至约的厚度，第二高折射率层333可以具有约至约的厚度。
共振诱导层330可以通过具有折射率不同的多层结构和不对称结构来提高光提取效率，在所述不对称结构中，设置在低折射率层331的相对侧上的第一高折射率层332和第二高折射率层333具有不同的厚度。
根据其他示例性实施例的OLED显示装置可以是顶部发射型。有机发光层233中生成的光可以通过第二电极250、共振诱导层330和薄膜包封层410向外发射。
图12示出根据示例3的OLED显示装置的示意图。
由于根据示例3的OLED显示装置除了共振诱导层330之外与根据示例1的OLED显示装置(图7)相同，因此，为了简洁，将省略与其相同结构有关的细节。
参照图12，共振诱导层330可以具有第一高折射率层332、低折射率层331和第二高折射率层333顺序地堆叠的三层结构。根据示例性3的共振诱导层330可以包括折射率为2.10且厚度为的第一高折射率层332(SiNx)、折射率为1.47且厚度为的低折射率层331(SiOx)、以及折射率为1.89且厚度为的第二高折射率层333(SiNx)。
表4表示针对比较示例1和示例3的每个RGB的光提取效率。
根据比较示例1的OLED显示装置(参照图6)可以包括形成为单层的覆盖层30以及由五个层形成的薄膜包封层40，覆盖层30和薄膜包封层40形成在OLED元件20上。
[表4]
参照表4，可以理解的是，示例3表示出43.27的效率，与比较示例1(39.01的效率)相比光提取效率提高11％，在示例3中，共振诱导层330具有第一高折射率层332、低折射率层331和第二高折射率层333顺序地堆叠的三层结构，并且有机发光层233与第二电极250之间的光学距离(即，ETL 235的光学厚度)在约至约的范围内。
如上阐述的，根据示例性实施例，OLED显示装置可以提高光效率。
在此已经公开了示例实施例，虽然采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的含义来使用和解释它们，而不是出于限制的目的。在一些情况下，对于到提交本申请时为止的本领域的普通技术人员而言将明显的是，可以单独使用结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件，或者与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (18)

1.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括：
第一电极；
第二电极，在所述第一电极上；
发光元件，在所述第一电极与所述第二电极之间，所述发光元件包括有机发光层；
包封层，在所述第二电极上；
第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，在所述包封层与所述第二电极之间，
其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层具有彼此不同的折射率，
其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层顺序地堆叠，
其中，所述第一绝缘层接触所述第二电极，并且
其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的每个包括硅。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括在所述有机发光层上的辅助发光层，其特征在于，所述辅助发光层具有在至的范围内的光学距离，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均具有在至的范围内的厚度。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述辅助发光层是电子传输层。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第二绝缘层具有大于所述第一绝缘层的厚度的厚度。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第三绝缘层具有与所述第一绝缘层的厚度不同的厚度。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第三绝缘层的所述厚度大于所述第一绝缘层的所述厚度。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，
所述第一绝缘层具有在至的范围内的厚度，
所述第二绝缘层具有在至的范围内的厚度，并且
所述第三绝缘层具有在至的范围内的厚度。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层具有在1.3至1.6的范围内的折射率，所述第二绝缘层具有在1.6至3.0的范围内的折射率。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层包括LiF、Liq、双(2-甲基-8-喹啉酚根)-4-苯基苯酚根合铝(III)和SiOx中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置还包括在所述包封层与所述第二电极之间的共振诱导层，所述共振诱导层包括所述第一绝缘层至所述第三绝缘层。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一低折射率层，所述第二绝缘层包括高折射率层，所述第三绝缘层包括第二低折射率层。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，
所述第一绝缘层具有在至的范围内的厚度，
所述第二绝缘层具有在至的范围内的厚度，并且
所述第三绝缘层具有在至的范围内的厚度。
14.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层具有在1.6至3.0的范围内的折射率，所述第二绝缘层具有在1.3至1.6的范围内的折射率。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层包括SiON、SiNx、ZnOx、ZrOx和TiOx中的至少一种。
16.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一高折射率层，所述第二绝缘层包括低折射率层，所述第三绝缘层包括第二高折射率层。
17.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述包封层具有有机层设置在多个堆叠的无机层之间的结构，或者无机层和有机层交替堆叠的结构。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述无机层包括SiOx、SiON和SiNx中的至少一种，并且所述有机层是单体。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104485429B (zh) * 2014-12-31 2017-08-08 北京维信诺科技有限公司 一种具有光学谐振层的oled器件及其制备方法、显示器
KR102631878B1 (ko) * 2016-06-28 2024-01-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102608418B1 (ko) * 2016-07-13 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102477262B1 (ko) * 2016-08-05 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR102472606B1 (ko) 2016-10-26 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 색변환 패널을 포함하는 표시 장치
JP2018073567A (ja) * 2016-10-27 2018-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102380262B1 (ko) 2016-11-07 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
KR20180061866A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP6807726B2 (ja) * 2016-12-16 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN108630822B (zh) * 2017-03-24 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发射oled器件的组件和顶发射oled器件
KR102418609B1 (ko) 2017-11-16 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP6994914B2 (ja) * 2017-11-21 2022-01-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102519478B1 (ko) * 2017-12-21 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 발광표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
KR102391617B1 (ko) * 2017-12-29 2022-04-27 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치
CN208722925U (zh) * 2018-08-16 2019-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示器件的封装结构、显示装置
CN109346619B (zh) * 2018-09-19 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
KR20200037889A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
WO2020080108A1 (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 東レ株式会社 発光素子、それを含むディスプレイ、照明装置およびセンサ
KR20200123906A (ko) 2019-04-22 2020-11-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN110970572A (zh) * 2019-11-14 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、显示面板及显示装置
KR20210099707A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
CN111261801A (zh) * 2020-02-12 2020-06-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN111293232B (zh) * 2020-02-24 2021-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板
US11985846B2 (en) * 2020-05-13 2024-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device including stacked capping layers
CN113178530B (zh) * 2021-04-09 2022-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板与显示装置
CN114284451A (zh) * 2021-12-17 2022-04-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN115050793B (zh) * 2022-06-14 2023-08-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101728489A (zh) * 2008-10-22 2010-06-09 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN102074568A (zh) * 2009-11-25 2011-05-25 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN103493144A (zh) * 2011-04-28 2014-01-01 法国圣戈班玻璃厂 透明电导体
WO2014041743A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-20 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US20140252331A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Film for improving color display and method of manufacturing the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100756A (ja) * 2003-11-07 2006-04-13 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
KR100683693B1 (ko) * 2004-11-10 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
JP4525536B2 (ja) * 2004-11-22 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ装置および電子機器
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
JP5167723B2 (ja) * 2007-08-21 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP2010067718A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および電子機器
WO2011081125A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 住友化学株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
KR101842586B1 (ko) * 2011-04-05 2018-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104094669B (zh) * 2012-02-01 2016-06-22 夏普株式会社 显示装置
US9318725B2 (en) * 2012-02-27 2016-04-19 Jian Li Microcavity OLED device with narrow band phosphorescent emitters

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101728489A (zh) * 2008-10-22 2010-06-09 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN102074568A (zh) * 2009-11-25 2011-05-25 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN103493144A (zh) * 2011-04-28 2014-01-01 法国圣戈班玻璃厂 透明电导体
WO2014041743A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-20 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US20140252331A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Film for improving color display and method of manufacturing the same

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