KR20220005099A - 유기발광 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 효율이 향상된 유기발광 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 유기발광 표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 배치되는 발광보조층; 상기 발광보조층 상에 배치되는 제2전극; 및 상기 제2전극 상에 배치된 제1저굴절막과 상기 제1저굴절막상에 배치된 고굴절막을 포함하는 공진유도층을 포함하며, 상기 발광보조층은 300 내지 630Å 범위의 광학거리를 갖고, 상기 공진유도층의 제1저굴절막과 고굴절막은 50 내지 1500Å 범위의 두께를 갖는다.

Description

유기발광 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광 효율을 향상시킨 유기발광 표시장치에 관한 것이다.
유기발광 표시장치는 빛을 방출하는 유기 발광 소자(organic light emitting diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기발광 표시장치는 액정표시장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 상대적으로 두께와 무게를 줄일 수 있고, 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낼 수 있어 차세대 표시장치로 주목 받고 있다.
일반적으로 유기 발광 소자는 정공 주입 전극, 발광층 및 전자 주입 전극을 갖는다. 유기 발광 소자는 정공 주입 전극으로부터 공급된 정공과 전자 주입 전극으로부터 공급된 전자가 발광층 내에서 결합되어 형성된 여기자(exciton)가 기저 상태로 떨어질 때 발생되는 에너지에 의해 빛을 발생한다.
현재, 유기발광 표시장치의 이용 가능성을 높이기 위하여, 발광층에서 발생된 빛을 효과적으로 추출하여 광 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 방법들이 연구되고 있다.
본 발명의 일례는 광 효율이 향상된 유기발광 표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 배치되는 발광보조층; 상기 발광보조층 상에 배치되는 제2전극; 및 상기 제2전극 상에 배치된 제1저굴절막과 상기 제1저굴절막상에 배치된 고굴절막을 포함하는 공진유도층;을 포함하며, 상기 발광보조층은 300 내지 630Å 범위의 광학거리를 갖고, 상기 공진유도층에 포함되는 각 층들이 50 내지 1500Å 범위의 두께를 갖는다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 발광보조층은 전자수송층(ETL)일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 고굴절막은 상기 제1저굴절막보다 더 큰 두께를 가진다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 공진유도층은 상기 고굴절막상에 배치된 제2저굴절막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제2저굴절막은 상기 제1저굴절막보다 더 큰 두께를 가진다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제1저굴절막은 50 내지 300Å의 두께를 갖고, 상기 고굴절막은 300 내지 1000Å의 두께를 가지며, 상기 제2저굴절막은 50 내지 1500Å의 두께를 가진다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제1저굴절막 및 상기 제2저굴절막은 1.3 지 1.6의 굴절률을 갖고, 상기 고굴절막은 1.6 내지 3.0의 굴절률을 가진다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제1저굴절막 및 상기 제2저굴절막은 LiF, Liq, aluminum(III) bis(2-methyl-8-quninolinato)-4-phenylphenolate(BAlq) 및 SiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 고굴절막은 SiON, SiNx, ZnOx, ZrOx 및 TiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 공진유도층 상에 배치되는 봉지층을 더 포함하며, 상기 봉지층은 적층된 다수의 무기막들 사이에 유기막이 배치된 구조 또는, 무기막과 유기막이 한층씩 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 무기막은 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나의 막이고, 상기 유기막은 모노머일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 배치되는 발광보조층; 상기 발광보조층 상에 배치되는 제2전극; 및 상기 제2전극 상에 배치된 제1고굴절막과 상기 제1고굴절막상에 배치된 저굴절막;을 포함하며, 상기 발광보조층은 300 내지 630Å 범위의 광학거리를 갖고, 상기 공진유도층의 제1고굴절막과 저굴절막은 50 내지 1500Å 범위의 두께를 가진다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 발광보조층은 전자수송층(ETL)일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 공진유도층은 상기 저굴절막상에 배치된 제2고굴절막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제1고굴절막은 50 내지 300Å의 두께를 갖고, 상기 저굴절막은 50 내지 1000Å의 두께를 가지며, 상기 제2고굴절막은 50 내지 1500Å의 두께를 가진다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제1고굴절막 및 상기 제2고굴절막은 1.6 내지 3.0의 굴절률을 갖고, 상기 저굴절막은 1.3 내지 1.6의 굴절률을 가진다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 저굴절막은 LiF, Liq, aluminum(III) bis(2-methyl-8-quninolinato)-4-phenylphenolate(BAlq) 및 SiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제1고굴절막 및 제2고굴절막은 SiON, SiNx, ZnOx, ZrOx 및 TiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 공진유도층 상에 배치되는 봉지층을 더 포함하며, 상기 봉지층은 적층된 다수의 무기막들 사이에 유기막이 배치된 구조 또는, 무기막과 유기막이 한층씩 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 무기막은 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나의 막이고, 상기 유기막은 모노머일 수 있다.
본 발명의 유기발광 표시장치는 광 효율이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 유기발광 표시장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'을 따라 잘라 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 3은 굴절률이 다른 복수개의 다른 층을 통과하는 광의 경로를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일례에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
도 5a 내지 도 5c는 ETL 두께에 따른 광추출 효율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 종래에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
도 8은 도 7의 광추출 효율을 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실시예 2에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
도 10은 도 8의 광추출 효율을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 실시예 3에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 유기발광 표시장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 유기발광 표시장치는 일 방향을 따라 배치되는 게이트선(101), 게이트선(101)과 절연 교차되는 데이터선(102)과 공통 전원선(103)의 경계에 의해 복수의 화소 영역이 정의되며, 하나의 화소가 하나의 화소 영역 내에 배치된다. 다만, 이에 한정되지 않고 화소 영역은 후술하는 화소 정의막에 의하여 정의될 수 있으며, 또한 복수의 화소가 하나의 화소 영역 내에 배치될 수 있다.
본 발명의 유기발광 표시장치의 하나의 화소는 스위칭 박막 트랜지스터(104)와 구동 박막 트랜지스터(105)의 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor, CAP)(106)로 이루어진 2TFT-1CAP 구조를 갖는다. 다만, 이에 한정되지 않고 하나의 화소는 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자로 이루어질 수 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(104)는 발광시키고자 하는 화소를 선택한다. 스위칭 박막 트랜지스터(104)는 게이트선(101)에 연결된 스위칭 게이트 전극(104a), 데이터선(102)에 연결된 스위칭 소스 전극(104b), 제1축전판(106a)에 연결된 스위칭 드레인 전극(104c), 및 스위칭 반도체층(104d)을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(105)는 스위칭 박막 트랜지스터(104)에 의해 선택된 화소의 유기 발광층(230)을 발광시키기 위한 구동 전원을 인가한다. 구동 박막 트랜지스터(105)는 제1축전판(106a)에 연결된 구동 게이트 전극(105a), 공통 전원선(103)에 연결된 구동 소스 전극(105b), 제1전극(210)과 연결된 구동 드레인 전극(105c), 및 구동 반도체층(105d)을 포함한다.
축전 소자(106)는 제1축전판(106a) 및 제2축전판(106b)을 포함한다. 제1축전판(106a)은 스위칭 드레인 전극(104c) 및 구동 게이트 전극(105a)에 연결되고, 제2축전판(106b)은 공통 전원선(103)에 연결된다. 축전 소자(106)의 축전 용량은 축전 소자(106)에서 축전된 전하 및 제1축전판(106a)과 제2축전판(106b) 사이의 전압에 의해 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(104)를 통해 전달된 데이터 전압과 공통 전원선(103)으로부터 구동 박막 트랜지스터(105)에 인가되는 공통 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(106)에 저장되고, 축전 소자(106)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(105)를 통해 유기 발광층(233)으로 흐름으로써 유기 발광층(233)이 발광하게 된다.
도 2는 도 1의 I-I'을 따라 잘라 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 제1기판(110), 구동 회로부(130), 유기발광소자(200), 공진유도층(310) 및 박막 봉지층(410)을 포함한다.
제1기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 기판으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 스테인리스 강 등의 금속성 재료로 형성될 수 있다.
제1기판(110) 상에 무기막 또는 유기막을 포함하는 버퍼층(107)이 배치될 수 있으며, 버퍼층(107)은 불순 원소 또는 수분과 같이 불필요한 성분이 내부로 침투하는 것을 방지함과 동시에 제1기판(110)의 표면을 평탄화한다. 또한 제1기판(110) 상에 게이트 전극(104a, 105a)과 반도체층(104d, 105d) 사이에 게이트 절연막(108)이 배치될 수 있고, 제1축전판(106a)과 제2축전판(106b) 사이에 층간 절연막(109)이 배치될 수 있다.
구동 회로부(130)는 버퍼층(120) 상에 배치된다. 구동 회로부(130)는 스위칭 박막 트랜지스터(104), 구동 박막 트랜지스터(105) 및 축전 소자(106)를 포함하는 부분으로, 유기발광소자(200)를 구동한다. 앞서 도 1과 관련하여 설명한 바와 같이, 유기발광소자(200)는 구동 회로부(130)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 광을 방출하여 화상을 표시한다.
유기발광소자(200)는 제1전극(210), 제1전극(210)상에 배치된 유기층(230) 및 유기층(230)상에 배치된 제2전극(250)을 포함한다. 유기층(230)은 유기 발광층 (233)을 포함한다(도 4 참조). 제1전극(210)은 정공을 주입하는 애노드(anode)일 수 있고, 제2전극(250)은 전자를 주입하는 캐소드(cathode)일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 제1전극(210)이 캐소드가 되고, 제2전극(250)이 애노드가 되도록 변형할 수 있다.
도면에 도시되지 않았지만, 제1전극(210)과 유기 발광층(233) 사이에는 정공 주입층(hole injection layer) 및 정공 수송층(hole transporting layer) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있으며, 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이에는 전자 수송층(electron transportiong layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 전면 발광형(top emission type) 구조이며, 따라서 제1전극(210)은 반사막으로 형성되고, 제2전극(250)은 반투과막으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 본 발명의 유기발광 표시장치는 배면 발광형 구조로 변형할 수 있고, 이 경우 제1전극(210)은 반투과막으로 형성되고 제2전극(250)은 반사막으로 형성될 수 있다.
반사막 및 반투과막은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 반사막 및 반투과막은 두께로 구별되며, 일반적으로 반투과막은 200 ㎚ 이하의 두께를 갖는다.
제1전극(210)은 투명 도전막을 더 포함할 수 있으며, 투명 도전막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명전도성산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO) 물질로 만들어질 수 있다.
제1전극(210)은 반사막으로 형성된 구조, 반사막과 투명 도전막을 포함하는 2중막 구조, 또는 투명 도전막, 반사막, 그리고 투명 도전막이 차례로 적층된 3중막 구조일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 제1전극은 투명 도전막 형성된 구조일 수 있다.
제2전극(250)은 투명 도전막으로 형성된 구조일 수 있다. 제2전극(250)이 투명 도전막으로 형성되는 경우, 제2전극(250)은 정공을 주입하는 애노드가 될 수 있고, 제1전극(210)은 반사막으로 형성되어 캐소드가 될 수 있다.
화소 정의막(190)은 개구부(192)를 갖고, 제1전극(210)은 개구부(192) 내에 노출된다. 즉, 화소 정의막(190)의 개구부(192) 내에 제1전극(210), 유기층(230) 및 제2전극(250)이 차례로 적층되며, 개구부(192)는 발광 영역을 정의한다. 또한 유기층(230) 및 제2전극(250)은 화소 정의막(190) 상에도 형성될 수 있다.
공진유도층(310)은 제2전극(250) 상에 배치되고, 고굴절막(311), 제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)을 포함한다. 공진유도층(310)은 유기 발광층(233)에서 발생된 광이 효율적으로 외부를 향해 방출될 수 있도록 돕는다.
공진유도층(310)에 관한 자세한 설명은 도 4를 참조하여 후술하기로 한다.
본 발명의 유기발광 표시장치는 공진유도층(310) 상에 배치된 박막 봉지층(410)을 더 포함할 수 있다. 박막 봉지층(410)은 제1전극(210), 유기층(230), 제2전극(250) 및 공진유도층(310)을 보호하며, 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막이 교대로 배치된 구조일 수 있다.
박막 봉지층(410)은 유기막과 무기막의 적층 구조로 형성되거나, 무기막과 유기막의 적층 구조로 형성될 수 있으며, 도면에는 무기막(411), 유기막(412) 및 무기막(413)의 삼층 구조만을 도시하였으나, 이에 국한되지 않고 이층 이상의 다층 구조로도 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 공진유도층(310) 상에 무기막(411), 유기막(412) 및 무기막(413)으로 이루어진 적층 구조의 박막 봉지층(410)이 형성된다. 이때 무기막(411, 413)은 수분이나 산소의 침투를 방지하는 역할을 하며, 유기막(412)은 표면을 평탄화시키는 역할을 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 전면발광형 구조이며, 유기 발광층(233)에서 발생된 광은 제2전극(250), 공진유도층(310) 및 박막 봉지층(410)을 거쳐 외부로 방출된다.
유기 발광층(233)에서 발생된 광은 외부로 진행하는 동안 층간 계면을 지나게 되는데, 광은 층간 계면을 통과하지 못하고 반사되기도 한다. 구체적으로, 유기 발광층(233)에서 발생된 광은 유기 발광층(233)과 제2전극(250)의 계면, 제2전극(250)과 공진유도층(310)의 계면, 공진유도층(310)과 박막 봉지층(410)의 계면을 통과하기도 하지만, 광은 층간 계면에서 반사되기도 한다.
예를 들어, 광은 공진유도층(310)과 박막 봉지층(410)의 계면에서 반사될 수 있다. 반사된 광은 제2전극(250)과 공진유도층(310)의 계면에서 다시 반사되기도 하고, 제2전극(250)과 유기 발광층(233)을 통과하여 진행한 후 제1전극(210)과 유기 발광층(233)의 계면에서 반사되기도 한다.
이와 같이 광은 각 층 사이의 계면에서 반사와 반사를 거듭할 수 있고, 그 과정에서 여러 개의 광이 공진되기도 한다. 이러한 공진이 일어날 경우, 광이 증폭되어 외부로 방출되는 광량이 증가한다. 이러한 공진 효과를 통해, 유기 발광층(233)에서 발생되는 광이 효과적으로 증폭되어 광 효율이 향상될 수 있다.
굴절률이 n1인 M1층과 굴절률이 n2인 M2층의 계면에 수직 입사되는 빛(도 3 참조)의 반사율은 다음 식으로 구해질 수 있다.
반사율 = (n2-n1)2/(n2+n1)2
상기 식에서, 굴절률을 결정하는 요소는 각층의 굴절률(n1, n2)의 합과 차이지만, 중요한 것은 굴절률의 차이임을 알 수 있다. 따라서, 계면을 형성하는 두 층의 굴절률의 차이가 크면 반사율이 커지고, 반사율이 커지면 그만큼 공진이 일어날 가능성이 높아진다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다. 전술한 유기발광소자(200)의 내부 구조에 대해서는 중복 설명하지 않고, 공진유도층(310) 및 박막 봉지층(410)을 살펴보고자 한다. 또한, 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이의 광학거리, 즉 전자 수송층의 광학두께에 따른 광 효율 향상에 대해 설명하고자 한다.
유기발광 표시장치는 다층의 적층구조를 갖는데, 유기 발광층(233)에서 발생된 광이 다층의 적층구조를 통과하여 외부로 방출되는 비율을 높이기 위해 공진 구조가 적용된다. 두 개의 반사층 사이에서 광이 반사를 반복하는 과정에서 광학적 공진이 발생하게 되면, 광의 에너지가 증가되고, 증가된 에너지를 갖는 광은 다층의 적층구조를 용이하게 통과하여 외부로 방출될 수 있다. 또한, 이러한 광학적 공진이 효율적으로 이루어지도록 하기 위해, 유기발광 표시장치를 구성하는 각각의 층은 소정의 높이를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광소자(200) 상에 배치된 공진유도층(310)을 포함한다. 공진유도층(310)은 유기 발광층(233)에서 발생된 광이 효율적으로 외부를 향해 방출될 수 있도록 돕는다.
공진유도층(310)은 고굴절막(311), 제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)을 포함하는 3층막 구조로 이루어지며, 공진유도층(311)은 제1저굴절막(312), 고굴절막(311) 및 제2저굴절막(313)이 순차적으로 적층된다.
공진유도층(310)을 이루는 각 층의 광학두께는 가시광선 최대 파장(약 780nm)의 λ/4 이하로 형성되는 것이 바람직한데, 이는 너무 두꺼운 경우에 가시광선 이외의 파장대력으로 에너지가 분산되는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 고굴절막(311), 제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)은 모두 1500Å 이하, 50 내지 1500Å 범위의 광학두께로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 광학두께는 증착되는 물질의 굴절율과 두께의 곱에 의해 정해질 수 있다.
고굴절막(311)은 1.6 내지 3.0의 굴절률을 가지며, SiON, SiNx, ZnOX 및 TiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
고굴절막(312)은 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진다. 따라서 고굴절막(311)은 무기막 또는 유기막으로 이루어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 이루어질 수 있다.
고굴절막(311)에 이용 가능한 무기 물질은 산화 아연(Znic oxide), 산화 티타늄(titanium oxide), 산화 지르코늄(zirconium oxide), 산화 나이오븀(niobium oxide), 산화 탄탈(tantalum oxide), 산화 주석(tin oxide), 산화 니켈(nickel oxide), 질화 규소(silicon nitride), 질화 인듐(indium nitride) 및 질화갈륨(gallium nitride) 등일 수 있다.
고굴절막(311)에 이용 가능한 유기 물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐 아미노]비페닐(TPD), 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐 아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-MTDAB), 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(BPPM), 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(CBP), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민 (TCTA), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸] (TPBI), 및 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(TAZ) 등일 수 있다.
제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)은 1.3 내지 1.6의 굴절률을 가지며, LiF, Liq, Aluminium(III) bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate(BAlq) 및 SiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)은 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진다. 따라서 제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)은 무기막 또는 유기막으로 이루어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 이루어질 수 있다.
제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)에 이용 가능한 무기 물질은, 예를 들어, 산화 규소(silicon oxide) 및 플루오르화 마그네슘(magnesium fluoride) 등일 수 있다.
제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)에 이용 가능한 유기 물질은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 및 Alq3[Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium]등일 수 있다.
본 발명의 유기발광 표시장치에서 고굴절막(311), 제1저굴절막(312) 및 제2저굴절막(313)으로 이용 가능한 무기 물질 또는 유기 물질은 전술한 바에 한정되는 것은 아니며, 당업자에게 공지된 다양한 물질로 적절하게 변형할 수 있다.
고굴절막(311)은 300 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있다. 제1저굴절막(312)은 50 내지 300Å의 두께를 가질 수 있으며, 제2저굴절막(313)은 50 내지 1500Å의 두께를 갖는다.
보다 구체적으로, 고굴절막(311)의 두께(D1)는 제1저굴절막(312)의 두께(D2) 보다 두껍고, 제2저굴절막(313)의 두께(D3)는 제1저굴절막(312)의 두께(D2)보다 두껍다.
공진유도층(310)은 서로 다른 굴절률을 갖는 다층막 구조이면서 동시에 고굴절막(311)을 사이에 두고 배치된 제1저굴절막(312)과 제2저굴절막(313)이 서로 다른 두께를 갖는 비대칭형 구조로 이루어짐으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4를 참고하면, 공진유도층(310) 상부에 박막 봉지층(410)이 배치된다. 박막 봉지층(410)은 무기막(411), 유기막(412) 및 무기막(413)의 삼층 구조로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
박막 봉지층(410)의 굴절률은 특별히 제한이 없으며, 박막 봉지층(410)을 이루는 각 층의 광학두께(굴절률*두께)가 가시광선 파장(3800 내지 7800Å) 이상인 것이 바람직하다.
전술한 공진유도층(310)에 의한 광 추출 효율 향상과 동시에, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광조사(200) 내부 구조 중 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이의 광학거리, 즉 전자 수송층(235)의 광학두께를 조절함으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
하기 표 1 내지 표 3은 공진유도층(310)의 고굴절막(311) 두께가 각각 400Å, 500Å 및 600Å일 때, 전자 수송층(ETL)의 두께에 따른 효율 및 효율비를 시뮬레이션 한 결과이다. 이때, 효율 및 효율비는 고굴절막(311) 두께가 500Å에서의 최대 효율을 100%로 산정하여 얻은 결과이다. 도 5a 내지 도 5c는 표 1 내지 표 3에서 얻어진 결과를 각각 그래프로 나타낸 것이다.
고굴절막 (400Å )
ETL 광학두께 (Å) White 효율 White 효율비
227.4 38.55 79%
276.9 41.22 85%
326.4 43.42 89%
375.9 44.90 92%
425.4 45.39 93%
474.9 44.96 93%
524.4 43.74 90%
573.9 41.68 86%
623.4 39.15 81%
672.9 36.64 75%
722.4 34.40 71%
771.9 32.62 67%
821.4 31.44 65%
고굴절막 (500Å)
ETL 광학두께 (Å) White 효율 White 효율비
260 41.24 85%
310 44.09 91%
360 46.45 96%
410 48.02 99%
460 48.55 100%
510 48.10 99%
560 46.79 96%
610 44.58 92%
660 41.88 86%
710 39.19 81%
760 36.79 76%
810 34.89 72%
860 33.63 69%
고굴절막 (600Å)
ETL 광학두께 (Å) White 효율 White 효율비
272.4 40.00 82%
321.9 42.76 88%
371.4 45.05 93%
420.9 46.58 96%
470.4 47.09 97%
519.9 46.65 96%
569.4 45.38 93%
618.9 43.24 89%
668.4 40.62 84%
717.9 38.01 78%
767.4 35.68 73%
816.9 33.84 70%
866.4 32.62 67%
표 1 및 도 5a를 참조하면, 고굴절막(311)의 두께가 400Å인 경우에 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이의 광학거리, 즉 전자 수송층(235)의 광학두께는 330 내지 530Å 범위인 것이 바람직하다.표 2 및 도 5b를 참조하면, 고굴절막(311)의 두께가 500인 경우에 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이의 광학거리, 즉 전자 수송층(235)의 광학두께는 300 내지 630Å 범위인 것이 바람직하다.
표 3 및 도 5c를 참조하면, 고굴절막(311)의 두께가 600Å인 경우에 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이의 광학거리, 즉 전자 수송층(235)의 광학두께는 340 내지 610Å 범위인 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 유기 발광층(233)과 제2전극(235) 사이의 광학거리가 300 내지 630Å 범위인 것이 바람직하다. 이러한 조건이 만족되는 경우, 유기 발광층(230)에서 발생된 광이 유기발광소자(200) 외부로 방출되는 효율이 증가되어 유기발광 표시장치의 광 효율이 향상된다.
도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
본 발명의 실시예 1에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광소자(200)를 포함한다. 유기발광소자(200)는 기판(110)상에 배치된 제1전극(210), 제1전극(210)상에 배치된 유기층(230) 및 유기층(230) 상에 배치된 제2전극(250)을 포함한다. 유기층(230)은 제1전극(210)상에 배치된 유기 발광층(233)을 포함한다. 또한, 유기층(230)은 제1전극(210)과 유기 발광층(233) 사이에 배치된 정공 수송층(231) 및 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이에 배치된 전자 수송층(235)을 포함한다.
제1전극(210)은 반사막(211)을 포함하는 반사전극이다. 구체적으로 제1전극(210)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 반사막(211) 및 반사막(211)상에 배치된 투명 도전막(212)을 포함한다.
투명 도전막(212)은 투명전도성산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)을 포함할 수 있는데, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide) 및 In2O3(Indium Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 투명 도전막(212)은 상대적으로 높은 일함수를 갖는다. 제1전극(210)이 투명 도전막(212)을 갖게 되면, 제1전극(210)을 통한 정공 주입이 원활해진다.
또한, 제1전극(210)은 투명 도전막, 반사막 및 투명 도전막이 차례로 적층된 3중막 구조를 가질 수도 있다.
제2전극(250)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 반투과막으로 만들어진다.
유기 발광층(233)에서 발생된 빛은 제2전극(250)을 투과할 수 있지만, 제2전극(250)의 하면에서 반사될 수도 있다. 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이의 광학거리, 즉 전자 수송층(235)의 광학두께는 300 내지 630Å 범위를 가진다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2전극(250) 상부에 배치된 공진유도층(310)은 제1저굴절막(312), 고굴절막(311) 및 제2저굴절막(313)이 순차적으로 적층된 3층막 구조로 이루어진다. 실시예 1의 공진유도층(310)은 1.39의 굴절률 및 100Å의 두께를 갖는 제1저굴절막(312), 2.33의 굴절률 및 500Å의 두께를 갖는 고굴절막(311) 및 1.47의 굴절률 및 700Å의 두께를 갖는 제2저굴절막(313)을 포함한다.
박막 봉지층(410)은 SiON으로 형성된 7000Å 두께를 갖는 무기막(411), 모노머(monomer)로 형성된 40000Å 두께를 갖는 유기막(412) 및 SiNx로 형성된 7000Å 두께를 갖는 무기막(413)이 순차적으로 적층된 3층막 구조로 이루어진다.
도 8은 실시예 1의 공진유도층(310)의 고굴절막(311)인 TiOx의 두께에 따른 유기발광 표시장치의 광 추출 효율을 나타낸 그래프이다.
비교예 1에 따른 유기발광 표시장치(도 6 참조)는 유기발광소자(20)상에 단일층으로 형성된 캡핑층(30) 및 5층막으로 이루어진 박막 봉지층(40)을 포함한다.
도 8을 참조하면, 고굴절막(311)이 500Å의 두께를 가질 때 실시예 1은 48.55의 효율을 나타내며, 비교예 1(효율 39)과 비교하여 24% 광 추출 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
이하, 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예 2를 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시예 2에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
본 발명의 실시예 2에 따른 유기발광 표시장치는 실시예 1의 유기발광 표시장치(도 7)와 비교하여 공진유도층(310)을 제외하고는 동일하므로 중복되는 구성에 대한 자세한 설명은 명세서의 간결함을 위하여 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 공진유도층(310)은 제1저굴절막(312), 고굴절막(311) 및 제2저굴절막(313)이 순차적으로 적층된 3층막 구조로 이루어진다. 실시예 2의 공진유도층(310)은 1.47의 굴절률 및 150Å의 두께를 갖는 제1저굴절막(312), 2.09의 굴절률 및 500Å의 두께를 갖는 고굴절막(311) 및 1.47의 굴절률 및 700Å의 두께를 갖는 제2저굴절막(313)을 포함한다.
도 10은 실시예 2의 공진유도층(310)의 고굴절막(311)인 SiNx의 두께에 따른 유기발광 표시장치의 광 추출 효율을 나타낸 그래프이다.
전술한 바와 같이, 비교예 1에 따른 유기발광 표시장치(도 6 참조)는 유기발광소자(20)상에 단일층으로 형성된 캡핑층(30) 및 5층막으로 이루어진 박막 봉지층(40)을 포함한다.
도 10을 참조하면, 실시예 2는 45.15의 효율을 나타내며, 비교예 1(효율 39)과 비교하여 16% 광 추출 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 배치되는 발광보조층; 상기 발광보조층 상에 배치되는 제2전극; 및 상기 제2전극 상에 배치된 제1고굴절막과 상기 제1고굴절막상에 배치된 저굴절막;을 포함하며, 상기 발광보조층은 300 내지 630Å 범위의 광학거리를 갖고, 상기 공진유도층의 제1고굴절막과 저굴절막은 50 내지 1500Å 범위의 두께를 가진다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 제1기판(110), 구동 회로부(130), 유기발광소자(200), 공진유도층(330) 및 박막 봉지층(410)을 포함한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 도 2의 유기발광 표시장치와 비교하여 공진유도층(330)을 제외하고는 동일하므로 중복되는 구성에 대한 자세한 설명은 명세서의 간결함을 위하여 생략하기로 한다.
공진유도층(330)은 제2전극(250) 상에 배치되고, 저굴절막(331), 제1고굴절막(332) 및 제2고굴절막(333)을 포함한다. 공진유도층(330)은 유기 발광층(233)에서 발생된 광이 효율적으로 외부를 향해 방출될 수 있도록 돕는다.
공진유도층(330)을 이루는 각 층의 광학두께는 가시광선 최대 파장(약 780nm)의 λ/4 이하로 형성되는 것이 바람직한데, 이는 너무 두꺼운 경우에 가시광선 이외의 파장대력으로 에너지가 분산되는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 저굴절막(331), 제1고굴절막(332) 및 제2고굴절막(333)은 모두 1500Å 이하, 50 내지 1500Å 범위의 광학두께로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 광학두께는 증착되는 물질의 굴절율과 두께의 곱에 의해 정해질 수 있다.
저굴절막(331)은 1.3 내지 1.6의 굴절률을 가지며, LiF, Liq, Aluminium(III) bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate(BAlq) 및 SiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
저굴절막(331)은 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진다. 따라서 저굴절막(331)은 무기막 또는 유기막으로 이루어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 이루어질 수 있다.
저굴절막(331)에 이용 가능한 무기 물질은, 예를 들어, 산화 규소 및 플루오르화 마그네슘 등일 수 있다.
저굴절막(331)에 이용 가능한 유기 물질은 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드, 및 Alq3[Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium]등일 수 있다.
제1고굴절막(332) 및 제2고굴절막(333)은 1.6 내지 3.0의 굴절률을 가지며, SiON, SiNx, ZnOX 및 TiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다.
제1고굴절막(332) 및 제2고굴절막(333)은 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진다. 따라서 고굴절막(311)은 무기막 또는 유기막으로 이루어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 이루어질 수 있다.
제1고굴절막(332) 및 제2고굴절막(333)에 이용 가능한 무기 물질은 산화 아연(Znic oxide), 산화 티타늄(titanium oxide), 산화 지르코늄(zirconium oxide), 산화 나이오븀(niobium oxide), 산화 탄탈(tantalum oxide), 산화 주석(tin oxide), 산화 니켈(nickel oxide), 질화 규소(silicon nitride), 질화 인듐(indium nitride) 및 질화갈륨(gallium nitride) 등일 수 있다.
제1고굴절막(332) 및 제2고굴절막(333)에 이용 가능한 유기 물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐 아미노]비페닐(TPD), 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐 아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-MTDAB), 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(BPPM), 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(CBP), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민 (TCTA), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸] (TPBI), 및 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(TAZ) 등일 수 있다.
본 발명의 유기발광 표시장치에서 저굴절막(331), 제1고굴절막(332) 및 제2고굴절막(333)으로 이용 가능한 무기 물질 또는 유기 물질은 전술한 바에 한정되는 것은 아니며, 당업자에게 공지된 다양한 물질로 적절하게 변형할 수 있다.
저굴절막(331)은 50 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있다. 제1고굴절막(332)은 50 내지 300Å의 두께를 가질 수 있으며, 제2고굴절막(333)은 50 내지 1500Å의 두께를 갖는다.
공진유도층(330)은 서로 다른 굴절률을 갖는 다층막 구조이면서 동시에 저굴절막(331)을 사이에 두고 배치된 제1고굴절막(332)과 제2고굴절막(333)이 서로 다른 두께를 갖는 비대칭형 구조로 이루어짐으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 전면발광형 구조이며, 유기 발광층(233)에서 발생된 광은 제2전극(250), 공진유도층(330) 및 박막 봉지층(410)을 거쳐 외부로 방출된다.
도 12는 본 발명의 실시예 3에 따른 유기발광 표시장치의 모식도이다.
본 발명의 실시예 3에 따른 유기발광 표시장치는 실시예 1의 유기발광 표시장치(도 7)와 비교하여 공진유도층(330)을 제외하고는 동일하므로 중복되는 구성에 대한 자세한 설명은 명세서의 간결함을 위하여 생략하기로 한다.
도 12를 참조하면, 공진유도층(330)은 제1고굴절막(312), 저굴절막(311) 및 제2고굴절막(313)이 순차적으로 적층된 3층막 구조로 이루어진다. 실시예 3의 공진유도층(330)은 2.10의 굴절률 및 700Å의 두께를 갖는 제1고굴절막(332), 1.47의 굴절률 및 900Å의 두께를 갖는 저굴절막(331) 및 1.89의 굴절률 및 800Å의 두께를 갖는 제2고굴절막(333)을 포함한다.
표 4는 비교예 1과 실시예 3의 RGB별 광 추출 효율을 나타낸다.
비교예 1에 따른 유기발광 표시장치(도 6 참조)는 유기발광소자(20)상에 단일층으로 형성된 캡핑층(30) 및 5층막으로 이루어진 박막 봉지층(40)을 포함한다.
R G B W
효율
R_x R_y 효율 G_x G_y 효율 B_x B_y 효율
비교예 1 0.662 0.337 46.5 0.236 0.710 105.9 0.139 0.051 5.29 39.01
실시예
3		 0.661 0.338 52.8 0.240 0.715 119.5 0.137 0.052 5.94 43.27
표 4를 보면, 제1고굴절막(312), 저굴절막(311) 및 제2고굴절막(313)이 순차적으로 적층된 3층막 구조 공진유도층(330)을 포함하는 동시에 유기 발광층(233)과 제2전극(250) 사이의 광학거리, 즉 전자 수송층(235)의 광학두께가 300 내지 630Å 범위인 실시예 3은 43.27의 효율을 나타내며, 비교예 1(효율 39.01)과 비교하여 11% 광 추출 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.이상에서 설명된 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
110: 제1기판
130: 구동부
200: 유기발광소자
210: 제1전극
211: 반사막
212: 투명 도전막
230: 유기층
231: 정공 수송층
233: 유기 발광층
235: 전자 수송층
250: 제2전극
310, 330: 공진유도층
311, 332, 333: 고굴절막
312, 313, 331: 저굴절막
410: 박막 봉지층

Claims (6)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제1전극;
    상기 제1전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 전자수송층;
    상기 전자수송층 상에 배치되는 제2전극; 및
    상기 제2전극 상에 배치된 제1저굴절막, 상기 제1저굴절막상에 배치된 고굴절막 및 상기 고굴절막 상에 배치된 제2저굴절막을 포함하는 공진유도층을 포함하며,
    상기 전자수송층은 227.4Å의 광학두께를 갖고, 상기 제1저굴절막은 50Å 내지 300Å 범위의 두께를 가지며, 상기 고굴절막은 400Å의 두께를 가지며, 그리고 상기 제2저굴절막은 50Å 내지 1500Å 범위의 두께를 갖는 유기발광 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1저굴절막 및 상기 제2저굴절막은 1.3 내지 1.6의 굴절률을 갖고,
    상기 고굴절막은 1.6 내지 3.0의 굴절률을 갖는 유기발광 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1저굴절막 및 상기 제2저굴절막은 LiF, Liq, aluminum(III) bis(2-methyl-8-quninolinato)-4-phenylphenolate(BAlq) 및 SiOx 중 적어도 어느 하나의 막인 유기발광 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고굴절막은 SiON, SiNx, ZnOx, ZrOx 및 TiOx 중 적어도 어느 하나의 막인 유기발광 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공진유도층 상에 배치되는 봉지층을 더 포함하며, 상기 봉지층은 적층된 다수의 무기막들 사이에 유기막이 배치된 구조 또는, 무기막과 유기막이 한층씩 교대로 적층된 구조를 갖는 유기발광 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 무기막은 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나의 막이고, 상기 유기막은 모노머인 유기발광 표시장치.
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