CN114284451A - 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,显示面板,包括:基板;发光层,设置在基板上;阴极层,设置在发光层上;导光结构层,设于阴极层上,导光结构层包括第一绝缘层、金属层和第二绝缘层;第一绝缘层设于阴极层上,金属层设于第一绝缘层上,第二绝缘层设于金属层上;第一绝缘层的光折射率小于第二绝缘层的光折射率。本申请实施例提供的显示面板,可减轻波导效应对光线射出过程的影响,从而提高显示面板的出光效率。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,其潜在的市场前景被业界看好。相关技术中,顶发射显示面板的出光效率相比底发射显示面板更高,但有部分发射光会被捕获在面板中,导致无法最大限度地实现光提取,影响了显示面板的出光效率。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法,以解决现有的显示面板出光效率低的问题。
第一方面,本申请实施例提供一种显示面板,包括:基板;
发光层,设置在所述基板上;
阴极层,设置在所述发光层上;
导光结构层,设于所述阴极层上,所述导光结构层包括第一绝缘层、金属层和第二绝缘层;所述第一绝缘层设于所述阴极层上,所述金属层设于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层设于所述金属层上;所述第一绝缘层的光折射率小于所述第二绝缘层的光折射率。
可选的,所述第一绝缘层的光折射率这种为1.5至1.6;和/或,所述第二绝缘层的光折射率设置为1.8至2.0。
可选的,所述第一绝缘层的材料设置为Al2O3或SiOx;和/或,所述第二绝缘层的材料设置为TiO2或HfO2。
可选的,所述第一绝缘层的厚度设置为40nm至60nm;和/或,所述第二绝缘层的厚度设置为10nm至30nm。
可选的,所述金属层的材料设置为银;和/或,所述金属层的厚度设置为10nm至20nm。
可选的,所述显示面板还包括平坦层,所述平坦层设于所述阴极层与所述发光层之间。
可选的,所述平坦层的材料设置为铝或金;和/或,所述平坦层的厚度小于或等于5nm。
第二方面,本申请实施例还提供一种显示装置,所述包括如上述任一项所述的显示面板。
第三方面,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,包括如下步骤:
提供一基板;
在基板上设置发光层;
在所述发光层上设置阴极层;
在所述阴极层上设置第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上设置金属层;
在所述金属层上设置第二绝缘层;
其中,所述第一绝缘层的光折射率小于所述第二绝缘层的光折射率;
封装处理。
可选的,所述在所述发光层上设置阴极层的步骤包括:
在所述发光层上设置平坦层;
在所述平坦层上设置阴极层。
本申请实施例提供的显示面板,通过在阴极层上设置导光结构层,其中,导光结构层为第一绝缘层-金属层-第二绝缘层的DMD结构,且第一绝缘层的折射率小于第二绝缘层的折射率;光线从发光层射向导光结构层后,会在第一绝缘层和第二绝缘层之间多次反射,从而形成多重光学共振现象,以增强光线的穿透能力;由此,可减轻波导效应对光线射出过程的影响,从而提高显示面板的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对本领域技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果,下面将结合附图来进行说明。其中,在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为本申请实施例提供的显示面板的剖面示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置,以解决现有的显示面板出光效率较低的问题。以下将结合附图对进行说明。
本申请实施例提供的显示面板可应用于显示装置,其中,显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
为了更清楚地说明显示面板的结构,以下将结合附图对显示面板进行介绍。
示例性的,请参阅图1,图1为本申请实施例提供的显示面板的一种剖面示意图。显示面板包括基板10、发光层20、阴极层30和导光结构层40。发光层20设置在基板10上,阴极层30设置在发光层20上,导光结构层40设置在阴极层30上。其中,导光结构层40包括第一绝缘层41、金属层42和第二绝缘层43;第一绝缘层41设于阴极层30上,金属层42设于第一绝缘层41上,第二绝缘层43设于金属层42上;第一绝缘层41的光折射率小于第二绝缘层43的光折射率。通过在阴极层30上设置导光结构层40,其中,导光结构层40为第一绝缘层41-金属层42-第二绝缘层43的DMD结构,且第一绝缘层41的折射率小于第二绝缘层43的折射率;光线从发光层20射向导光结构层40后,会在第一绝缘层41和第二绝缘层43之间多次反射,从而形成多重光学共振现象,以增强光线的穿透能力;由此,可减轻波导效应对光线射出过程的影响,从而提高显示面板的出光效率。
基板10可以是玻璃基板10,也可以是柔性基板10,在此不做限制。基板10可包括显示区和非显示区,显示区上设有源极、栅极和漏极等。发光层20内可集成有空穴传输层和电子传输层,空穴传输层和电子传输层在发光层20内复合发出光。阴极层30用以供电子注入发光层20。可以理解,阴极层30会采用透光材料制成,发光层20发出的光线会穿过阴极层30并射向导光结构层40。
导光结构层40由第一绝缘层41、金属层42和第二绝缘层43组成DMD结构(Dielectric-metal-dielectric)。可以理解,第一绝缘层41、金属层42和第二绝缘层43均可透光。其中,第一绝缘层41的材料和第二绝缘层43的具体材料不做限制,第一绝缘层41和第二绝缘层43的具体折射率也不做限制,只需满足第一绝缘层41的光折射率小于第二绝缘层43的光折射率即可。
折射率越高,使入射光发生折射的能力越强。从发光层20发出的光射入导光结构层40后,会在第一绝缘层41和第二绝缘层43之间多次反射,以形成光学共振,从而可有效提升光的穿透能力。由于第二绝缘层43的折射率相对更高,因此穿透能力提升后的光线最终会从第二绝缘层43射出,以实现显示面板的整体出光。由此,可减少波导效应对光线从显示面板射出过程的影响,以减弱显示面板对光线的捕获,从而可提高显示面板的出光效率。
此外,当基板10设置为柔性基板10时,金属层42本身具有足够的延展性和柔韧性,可增加显示面板的柔性延展功能,也就是提高显示面板的整体弯折能力,从而有利于提高柔性显示面板的结构稳定性。
示例性的,第一绝缘层41的折射率设置为1.5至1.6;和/或,第二绝缘层43的折射率设置为1.8至2.0。若第一绝缘层41的折射率小于1.5,则光难以从发光层20穿透至导光结构层40;若第一绝缘层41的折射率大于1.6,则光难以从第一绝缘层41反射至第二绝缘层43;因此,将第一绝缘层41的折射率设置为1.5至1.6,既可保证光能穿透至导光结构层40,又能保证光能从第一绝缘层41反射至第二绝缘层43,从而有效产生共振。若第二绝缘层43的折射率小于1.8,则光难以从第二绝缘层43反射至第一绝缘层41;若第二绝缘层43的折射率大于2.0,则光最终难以射出导光结构层40;因此,将第二绝缘层43的折射率设置为1.8至2.0,可保证光线能先在第一绝缘层41和第二绝缘层43之间反射而形成共振现象,且共振后穿透能力增强的光线最终能射出导光结构层40,从而有效提高显示面板的出光效率。
示例性的,第一绝缘层41的材料设置为Al2O3或SiOx;和/或,第二绝缘层43的材料设置为TiO2或HfO2。其中,SiOx可以是一氧化硅,也可以是二氧化硅,在此不做限制;Al2O3即三氧化二铝。Al2O3和SiOx都能满足第一绝缘层41对低折射率材料的要求。此外,Al2O3和SiOx还具有一定的阻水性能,可在显示面板封装后提高整体防水性能。TiO2即二氧化钛,HfO2即二氧化铪。TiO2或HfO2都能满足第二绝缘层43对高折射率材料的要求,以进一步提升显示面板的出光效率。
示例性的,第一绝缘层41的厚度设置为40nm至60nm;和/或,第二绝缘层43的厚度设置为10nm至30nm。第一绝缘层41的厚度可设置为40nm、45nm、50nm、55nm或60nm中的一个。第二绝缘层43的厚度可设置为10nm、15nm、20nm、25nm或30nm中的一个。将第一绝缘层41的厚度设置为40nm至60nm,既可保证导光结构层40的出光效果,又可有效控制显示面板的整体厚度。将第二绝缘层43的厚度设置为10nm至30nm,既可提高导光结构层40的出光性能,又可合理控制显示面板的整体厚度。
示例性的,金属层42的材料设置为银;和/或,金属层42的厚度设置为10nm至20nm。银的延展性能较好,能有效提高显示面板的整体弯折能力。此外,银的化学稳定性较高,环境适应性较强,在各种环境中都不会被轻易腐蚀,因此可有效保证显示面板的弯折能力对各种使用环境的适应稳定性。金属层42的厚度可设置为12nm、14nm、16nm、18nm或20nm中的一个。将金属层42的厚度设置为10nm至20nm,既可保证金属层42的整体结构强度,又能合理控制显示面板的整体厚度。
示例性的,请参阅图1,显示面板还包括平坦层50,平坦层50设于阴极层30与发光层20之间。平坦层50用以平坦化发光层20上的器件,从而使阴极层30更加平整,减少光线穿过阴极层30时的光损失。平坦层50可以设置为金属材料,也可以设置为其它材料,在此不做限制。举例而言,平坦层50的材料可以设置为铝或金,以提高平坦层50的化学稳定性,避免被电解腐蚀,也防止与发光层20的器件发生化学反应。此外,平坦层50的厚度小于或等于5nm,以减少平坦层50对发光层20的所发射光线的影响,保证显示面板的出光效率。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,请参阅图2,包括如下步骤:
S10、提供一基板10;
S20、在基板10上设置发光层20;
S30、在发光层20上设置阴极层30;
S40、在阴极层30上设置第一绝缘层41;
S50、在第一绝缘层41上设置金属层42;
S60、在金属层42上设置第二绝缘层43;
其中,第一绝缘层41的光折射率小于第二绝缘层43的光折射率;
S70、封装处理。
在步骤S10中,基板10可设置为玻璃基板10,也可设置为柔性PI基板10。基板10可带有像素开口,以供发光层20的发光器件安装。
在步骤S20中,发光层20包括复合的空穴传输层和电子传输层,发光层20可通过沉积的方式设置在基板10上,沉积方式具体可为蒸镀或喷墨打印技术。
在步骤S30中,阴极层30可通过蒸镀的方式设置。具体地,步骤S30可包括:
S31、在发光层20上设置平坦层50;
S32、在平坦层50上设置阴极层30。
在步骤S31中,平坦层50可设置为金属层42,通过沉积的方式设置在发光层20上。平坦层50的材料可选为铝或金,且平坦层50的厚度不超过5nm。
在步骤S32中,阴极层30通过蒸镀的方式设置在平坦层50上。阴极层30的材料可设置为银,厚度可设置为10nm至20nm。
在步骤S40中,第一绝缘层41的材料可以是Al2O3或SiOx,通过沉积的方式设置在阴极层30上。具体的沉积方式可以是原子层沉积(ALD),也可以是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。其中,原子层沉积(ALD)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,沉积参数的可控性较高,沉积的均匀性和一致性更好。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂的优点。第一绝缘层41的厚度可设置为40nm至60nm,第一绝缘层41的折射率可设置为1.5至1.6。
在步骤S50中,金属层42可通过蒸镀技术设置在第一绝缘层41上。金属层42的材料可设置为银,厚度可设置为10nm至20nm。
在步骤S60中,第二绝缘层43的材料可以是TiO2或HfO2,且可通过蒸镀技术设置在金属层42上。第二绝缘层43的厚度可设置为10nm至30nm,第二绝缘层43的光折射率可设置为1.8至2.0。
在步骤S70中,封装是指将导光结构层40、阴极层30和发光层20通过封装结构封装于基板10上。举例而言,若基板10为玻璃基板10,则可采用四氟乙烯树脂和玻璃盖板进行封装。若基板10为柔性PI基板10,则可采用四氟乙烯树脂和阻隔膜进行贴附封装。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。以上对本申请实施例所提供的显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
发光层,设置在所述基板上;
阴极层,设置在所述发光层上;
导光结构层,设于所述阴极层上,所述导光结构层包括第一绝缘层、金属层和第二绝缘层;所述第一绝缘层设于所述阴极层上,所述金属层设于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层设于所述金属层上;所述第一绝缘层的光折射率小于所述第二绝缘层的光折射率。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的光折射率设置为1.5至1.6;和/或,所述第二绝缘层的光折射率设置为1.8至2.0。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的材料设置为Al2O3或SiOx;和/或,所述第二绝缘层的材料设置为TiO2或HfO2。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度设置为40nm至60nm;和/或,所述第二绝缘层的厚度设置为10nm至30nm。
5.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述金属层的材料设置为银;和/或,所述金属层的厚度设置为10nm至20nm。
6.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括平坦层,所述平坦层设于所述阴极层与所述发光层之间。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述平坦层的材料设置为铝或金;和/或,所述平坦层的厚度小于或等于5nm。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板上设置发光层;
在所述发光层上设置阴极层;
在所述阴极层上设置第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上设置金属层;
在所述金属层上设置第二绝缘层;
其中,所述第一绝缘层的光折射率小于所述第二绝缘层的光折射率;
封装处理。
10.如权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述发光层上设置阴极层的步骤包括:
在所述发光层上设置平坦层;
在所述平坦层上设置所述阴极层。
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- 2021-12-17 CN CN202111549430.5A patent/CN114284451A/zh active Pending
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