CN105374847A - 有机发光显示器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光显示器。该有机发光显示器包括：衬底；位于衬底上的第一电极；位于第一电极上的有机发光层；形成于有机发光层上的第二电极；位于第二电极上的非谐振反射诱导层；以及位于非谐振反射诱导层上的封盖层。

Description

有机发光显示器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年8月14日提交到韩国知识产权局的第10-2014-0105995号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部公开通过引用并入本文。
技术领域
本发明实施方式的各方面涉及改善发光效率的有机发光显示器。
背景技术
有机发光显示器是能够使用有机发光二极管(OLED)显示图像的自发射型显示器。有机发光显示器的特征在于低功耗和短响应时间，由此在近年来受到关注。
有机发光显示器具有包括OLED的多层结构。由于这种结构，在OLED内生成的大多数光可能没有被引导至外部而熄灭在有机发光显示器的内部。因此，有机发光显示器展现出低发光效率。因此，提取至外部的光与从OLED生成的光的比率需要增加，以增强有机发光显示器的发光效率。
应理解，背景技术部分旨在提供对于理解技术以及如本文中所公开的那些有用的背景，背景技术部分可包括并非在本文中公开的主题的相应有效递交日期之前由相关领域的技术人员已知的或领会的一部分的想法、概念或认知。
发明内容
本发明公开涉及一种改善光提取效率的有机发光显示器。
根据本发明的实施方式，有机发光显示器包括：衬底、位于衬底上的第一电极、位于第一电极上的有机发光层、位于有机发光层上的第二电极、位于第二电极上的非谐振反射诱导层、以及位于非谐振反射诱导层上的封盖层。
非谐振反射诱导层可具有1.1至1.5的折射率。
非谐振反射诱导层可具有5nm至10nm的厚度。
非谐振反射诱导层可包括选自CaF2、NaF、Na3AlF6、SiOx、AlF3、LiF、MgF2、Alq3[三(8-羟基喹啉)铝]、丙烯酸树脂、聚酰亚胺基树脂和聚酰胺基树脂的组中的至少一种。
非谐振反射诱导层与封盖层之间的折射率的差异可为0.3或更大。
封盖层可具有1.6至3.0的折射率。
封盖层可具有20nm至200nm的厚度。
封盖层可包括选自三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、ZnSe、2,5-双(6’-(2’,2”-二吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]二苯基(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(TPD)、以及1,1’-双(二-4-甲苯基氨基苯基)环己烷(TAPC)的组中的至少一种。
第一电极可包括反射层以及位于反射层上的至少一个透明传导层。
反射层可包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铜(Cu)和铝(Al)中的至少一种。
透明传导层可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铝锌氧化物(AZO)和铟氧化物(In2O3)中的至少一种。
有机发光显示器可满足式1和式2：
[式1]t1＝(n1×λ1)/2，
[式2]t2＝(n2×λ1)/2，
其中，λ1为从有机发光层发出的光的波长，t1为反射层的上表面与第二电极的下表面之间的距离，t2为反射层的上表面与封盖层的上表面之间的距离，以及n1和n2为自然数。
有机发光显示器可满足式3：
[式3](m1×λ1)/2<t3<[(m1+1)×λ1]/2，
其中，λ1为从有机发光层发出的光的波长，t3为反射层的上表面与封盖层的下表面之间的距离，以及m1为自然数。
有机发光显示器还可包括位于第一电极与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
有机发光显示器还可包括位于有机发光层与第二电极之间的电子传输层和电子注入层中的至少一个。
有机发光显示器还可包括位于封盖层上的光提取诱导层。
有机发光显示器还可包括位于封盖层上的薄膜封装层。
薄膜封装层可具有多个无机层和多个有机层交替地层叠的结构。
根据本发明的实施方式，有机发光显示器包括布置在OLED与封盖层之间的非谐振反射诱导层。因此，从OLED向外部发射的光的比率增加，从而改善有机发光显示器的发光率。
前文仅仅是示意性的，并且不旨在以任何方式进行限制。除了以上描述的示例性方面、实施方式和特征以外，通过参照附图和下面的详细描述，其他方面、实施方式和特征将变得明显。
附图说明
本发明公开的以上及其他特征和方面将通过结合附图的以下详细描述而更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示器的平面图；
图2是沿图1的线I-I'取得的剖视图；
图3是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示器的模拟图；
图4是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光显示器的模拟图；
图5是示出根据波长的光提取强度的比较的图表；
图6是示出根据比较性实验1以及实验1至5的有机发光显示器的光提取强度的比较的图表；以及
图7是示出根据比较性实验1以及实验6至10的有机发光显示器的光提取强度的比较的图表。
具体实施方式
在下文中，将参照附图对本发明公开的实施方式进行更详细的描述。然而，本发明实施方式的范围不限于具体实施方式或附图，而应被解释为包含本发明的精神和范围中所包括的所有变型、等同物及替代物。
本文中所使用的所有术语仅用于描述本发明的实施方式，并且可根据本发明的目的或相关领域技术人员已知的实践而修改。应理解，术语，例如限定在常用词典中的术语，应被解释为具有与本申请的上下文及相关领域中的含义一致的含义。
在附图中，某些元件或形状可被简化或夸大以更好地示出本发明，并且存在于实际产品中的其他元件也可省略。在整个说明书中，相同的参考编号指示相同的元件。因此，附图旨在便于理解本发明。
此外，当层或元件被称为位于另一层或元件“上”时，该层或元件可直接位于另一层或元件上，或者一个或多个中间层或元件可介于二者之间。
在下文中，将参照图1和图2对本发明的第一实施方式进行描述。
图1是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示器的平面图，以及图2是沿图1的线I-I'取得的剖视图。
如图1和图2中所示，根据第一实施方式的有机发光显示器101可包括衬底110、OLED200、非谐振反射诱导层300和封盖层400。
衬底110可由选自玻璃、石英、陶瓷、塑料等的组的绝缘材料制成。然而，本发明的第一实施方式并不限于此，并因此，衬底110也可由不锈钢等的金属材料制成。
缓冲层120可布置在衬底110上。缓冲层120可包括选自各种无机层和有机层的一个或多个层。缓冲层120配置成减少或防止诸如杂质或湿气的不期望元素渗透到布线130或OLED200中，并且配置成使表面平坦化。然而，缓冲层120可能不总是必要的，并且可被省略。
布线130可布置在缓冲层120上。包括开关薄膜晶体管(TFT)10、驱动TFT20以及电容器80的结构被称为布线130。布线130配置成驱动OLED200。OLED200配置成根据从布线130传送的驱动信号通过发光来显示图像。
虽然图1和图2示出了具有在一个像素中包括两个薄膜晶体管TFT10和20以及一个电容器80的2Tr-1Cap结构的有源矩阵(AM)型OLED显示器，但是本发明实施方式并不限于此。例如，有机发光显示器101可具有在一个像素中包括三个或更多TFT以及两个或更多电容器的许多不同的结构，并且还可包括附加的线。在本文中，术语“像素”是指用于显示图像的最小单元，并且有机发光显示器101可使用多个像素显示图像。
多个像素中的每个可包括开关TFT10、驱动TFT20、电容器80以及OLED200。此外，布线130可包括沿着一个方向布置的栅极线151、以及与栅极线151绝缘并相交的数据线171和公共电力线172。在本文中，一个像素一般可由栅极线151、数据线171和公共电力线172限定，但并不限于此。因此，像素也可由像素限定层(PDL)限定。
OLED200可包括第一电极210、形成于第一电极210上的有机发光层230、以及形成于有机发光层230上的第二电极250。在OLED中，空穴和电子分别从第一电极210和第二电极250注入到有机发光层230中。注入的空穴和电子彼此结合以形成激子，OLED通过在激子从激发态跌落至基态时所生成的能量来发光。
电容器80可包括一对电容器板158和178，层间绝缘层160插置于一对电容器板158和178之间。在本文中，层间绝缘层160可为介电材料。电容器80的电容可通过存储在电容器80中的电荷以及横跨一对电容器板158和178的电压来确定。
开关TFT10可包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174。驱动TFT20可包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。开关半导体层131和驱动半导体层132通过栅极绝缘层140与开关栅电极152和驱动栅电极155绝缘。
开关TFT10可充当选择像素来执行光发射的开关元件。开关栅电极152可连接至栅极线151，开关源电极173可连接至数据线171。开关漏电极174可与开关源电极173相隔开，并且可连接至一个电容器板158。
驱动TFT20可将驱动电力施加至充当像素电极的第一电极210，这允许在选定像素中的OLED200的有机发光层230发光。驱动栅电极155可连接至与开关漏电极174连接的电容器板158。驱动源电极176和另一电容器板178可分别连接至公共电力线172。驱动漏电极177可通过接触孔连接至充当OLED200的像素电极的第一电极210。
通过上述结构，开关TFT10可通过施加至栅极线151的栅极电压操作，并且可用于将施加至数据线171的数据电压传送至驱动TFT20。与从公共电力线172施加至驱动TFT20的公共电压和从开关TFT10传送的数据电压之间的差异相等的电压可被存储在电容器80中，并且与存储在电容器80中的电压相对应的电流可经由驱动TFT20流至OLED200，以使OLED200可发光。
根据第一实施方式，第一电极210为充当空穴注入电极的阳极，第二电极250为充当电子注入电极的阴极。然而，本发明实施方式并不限于此，并因此，第一电极210可充当阴极，第二电极250可充当阳极。
根据第一实施方式，第一电极210可包括反射层，第二电极250可包括半透反射层。因此，从有机发光层230发出的光可通过第二电极250提取。也就是说，根据第一实施方式的有机发光显示器101可为顶发射型。
镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中的一种或多种金属或者其合金可用于形成反射层或半透反射层。在这种情况下，通过厚度来确定层为反射层或是半透反射层。通常，半透反射层具有200nm或更小的厚度。随着半透反射层的厚度减小，透光率增加，并且随着半透反射层的厚度增加，透光率减小。
更详细地，第一电极210可包括反射层211、以及布置在反射层211上的透明传导层212，其中反射层211包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铜(Cu)和铝(Al)中的一种或多种金属。也就是说，第一电极210具有包括反射层211和透明传导层212的多层结构。透明传导层212布置在反射层211与有机发光层230之间。
透明传导性氧化物(TCO)可用于形成透明传导层212。透明传导性氧化物(TCO)可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铝锌氧化物(AZO)和铟氧化物(In2O3)中的至少一种。透明传导层212可具有相对高的功函数。因此，在第一电极210具有透明传导层212的情况下，通过第一电极210的空穴注入可更加活跃地进行。
另外，第一电极210可具有透明传导层、反射层和透明传导层依次层叠的三层结构，并且也可仅由透明传导层形成。
第二电极250可由包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铜(Cu)和铝(Al)中的一种或多种金属的半透反射层形成。
空穴注入层(HIL)221和空穴传输层(HTL)222可布置在第一电极210与有机发光层230之间，但是本发明第一实施方式并不限于此。因此，HIL221和HTL222中的仅一个可布置在第一电极210与有机发光层230之间。另外，可布置两层HIL221，并且可布置两层HTL222。可省略HIL221和HTL222。
电子传输层(ETL)241和电子注入层(EIL)242可布置在有机发光层230与第二电极250之间，但是第一实施方式并不限于此。因此，ETL241和EIL242中的仅一个可布置在有机发光层230与第二电极250之间。另外，可布置两层ETL241，并且可布置两层EIL242。可省略ETL241和EIL242。
包括有机发光层230、HIL221、HTL222、ETL241和EIL242的结构可被称为有机层。有机层可由低分子量有机材料或高分子量有机材料制成。
低分子量有机材料可用于HIL221、HTL222、有机发光层230、ETL241和EIL242中。低分子量有机材料可具有单层结构或多层层叠结构。在这种情况下，可应用的有机材料的示例包括酞菁铜(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等。高分子量有机材料可应用于HTL222和有机发光层230。
像素限定层190可具有开口。第一电极210的一部分通过像素限定层190的开口暴露。第一电极210、有机发光层230和第二电极250可依次层叠在像素限定层190的开口中。第二电极250可以不仅形成在有机发光层230上，而且还可以形成在像素限定层190上。另外，HIL221、HTL222、ETL241和EIL242可布置在像素限定层190与第二电极250之间。OLED200可从布置在像素限定层190的开口中的有机发光层230发光。相应地，像素限定层190可限定发光区域。
非谐振反射诱导层300可布置在第二电极250上。封盖层400布置在非谐振反射诱导层300上。封盖层400配置成保护OLED200，并且可用于有效地将从有机发光层230生成的光发射到外部。
非谐振反射诱导层300可比封盖层400具有更低的折射率。
因为非谐振反射诱导层300的折射率比封盖层400的折射率低，所以非谐振反射诱导层300与封盖层400之间的界面可在从有机发光层230发出的光被发射到外部时充当反射表面。根据非谐振反射诱导层300与封盖层400之间的折射率差异的增加，非谐振反射诱导层300与封盖层400之间的界面的反射率可增加。为了获得高效的界面反射，非谐振反射诱导层300与封盖层400之间的折射率差异可为0.3或更大。
封盖层400由可通过阻挡例如湿气和氧气的外部空气来保护OLED200的材料制成。这种封盖层400具有1.6至3.0的折射率。考虑到封盖层400的折射率，非谐振反射诱导层300可具有1.1至1.5的折射率。
非谐振反射诱导层300可由具有低折射率的材料制成。例如，非谐振反射诱导层300可包括选自CaF2、NaF、Na3AlF6、SiOx、AlF3、LiF、MgF2、Alq3[三(8-羟基喹啉)铝]、丙烯酸树脂、聚酰亚胺基树脂和聚酰胺基树脂的组中的至少一种。
另外，非谐振反射诱导层300可由薄膜形成，并且可具有例如3nm至30nm的厚度，也就是说，更详细地，可具有5nm至10nm的厚度。由于非谐振反射诱导层300的厚度小，所以非谐振反射诱导层300可以不影响有机发光显示器的其他部分的内部谐振结构，并且可充当低折射率层。
封盖层400可具有20nm至200nm的厚度。在封盖层400具有比20nm小的厚度的情况下，封盖层400不能适当地阻挡例如湿气和氧气的外部空气。相反地，在封盖层400具有比200nm大的厚度时，不利于实现用于有机发光显示器的薄膜结构并且可能导致高成本。
封盖层400可包括选自三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、ZnSe、2,5-双(6’-(2’,2”-二吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]二苯基(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(TPD)、1,1’-双(二-4-甲苯基氨基苯基)环己烷(TAPC)的组中的至少一种。
薄膜封装层(未示出)还可布置在封盖层400上以保护OLED200。薄膜封装层可具有交替地布置有至少一个有机层和至少一个无机层的结构，从而防止例如湿气和氧气的外部空气渗透到OLED200中。
在下文中，将参照图3对根据本发明的第一实施方式的有机发光显示器101的内部的反射和谐振进行描述。
图3是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示器的模拟图。图3示意性示出了图2的部分“A”。在图3中，第一电极210的下部可被简单地描述为衬底110。
有机发光显示器101可具有多层层叠结构。另外，谐振结构被应用到该有机发光显示器101，使得通过多层层叠结构提取至外部的光与从有机发光层230产生的光的比率能够增加。也就是说，当光在两个反射层之间反复反射并且发生光学谐振时，可增加光能量。具有增加的能量的光可容易地经过多层结构并且被提取至外部。另外，构成有机发光显示器的多个层中的每个可具有预定高度，以获得有效的光学谐振。
根据第一实施方式的有机发光显示器101包括第一电极210和第二电极250，其中，第一电极210包括反射层211，第二电极250由包含金属的半透反射层制成。因此，光可容易地反射出第一电极210的反射层211的表面以及第二电极250的表面。结果，根据第一实施方式的有机发光显示器101可具有通过调节第一电极210的反射层211的上表面211a与第二电极250的下表面251之间的距离使光学谐振发生的结构。
出于这种目的，根据第一实施方式的有机发光显示器101可被设计成使得反射层211的上表面211a与第二电极250的下表面251之间的距离t1为从有机发光层230发射的光的一半波长的倍数。
更详细地，如果从有机发光层230发射的光的波长为λ1，并且反射层211的上表面211a与第二电极250的下表面251之间的距离为t1，则根据第一实施方式的有机发光显示器101可满足下式1。
[式1]
t1＝(n1×λ1)/2，其中，n1为自然数。
在满足这种条件的情况下，反射层211的上表面211a与第二电极250的下表面251之间可发生光学谐振。在下文中，发生在反射层211的上表面211a与第二电极250的下表面251之间的光学谐振被称为“第一谐振”。从有机发光层230提取至外部的光的光提取效率通过第一谐振而增加，从而改善有机发光显示器的发光效率。
另外，封盖层400可具有相对高的折射率，并因此，光可反射出封盖层400。因此，根据第一实施方式的有机发光显示器101可具有通过调节第一电极210的反射层211的上表面211a与封盖层400的上表面401之间的距离而使光学谐振发生的结构。
出于这种目的，如果从有机发光层230发出的光的波长为λ1，并且反射层211的上表面211a与封盖层400的上表面401之间的距离为t2，则根据第一实施方式的有机发光显示器101满足下式2。
[式2]
t2＝(n2×λ1)/2，其中，n2为自然数。
在满足这种条件的情况下，反射层211的上表面211a与封盖层400的上表面401之间可发生光学谐振。在下文中，发生在反射层211的上表面211a与封盖层400的上表面401之间的光学谐振被称为“第二谐振”。从有机发光层230发射至外部的光的光提取效率通过该第二谐振而增加，从而改善有机发光显示器的发光效率。
与此同时，光可反射出封盖层400的下表面402。根据第一实施方式的有机发光显示器101可具有在第一电极210的反射层211的上表面211a与封盖层400的下表面402之间可不发生光学谐振的结构。
出于这种目的，根据第一实施方式的有机发光显示器101可包括布置在OLED200的第二电极250与封盖层400之间的非谐振反射诱导层300。另外，第一电极210的反射层211的上表面211a与封盖层400的下表面402之间的距离可通过调节非谐振反射诱导层300的厚度来调节。因此，在第一电极210的反射层211的上表面211a与封盖层400的下表面402之间可以不发生光学谐振。
更具体地，如果从有机发光层230发射的光的波长为λ1，并且反射层211的上表面211a与封盖层400的下表面402之间的距离为t3，则根据第一实施方式的有机发光显示器101满足下式3。
[式3]
(m1×λ1)/2<t3<[(m1+1)×λ1]/2，其中，m1为自然数。
在这种情况下，在反射层211的上表面211a与封盖层400的下表面402之间可以不发生光学谐振。光学谐振不通过反射而发生的情况被称为非谐振反射。经受非谐振反射的光可在增加第一谐振或第二谐振的光能量中起到作用。
在根据第一实施方式的有机发光显示器101中，封盖层400的下表面402变为非谐振反射诱导层300与封盖层400之间的界面。
此外，构成OLED200的多个层和封盖层400中的每个需要具有预定厚度，以诱导第一谐振和第二谐振。因此，非谐振反射诱导层300可具有3nm至30nm的厚度，也就是说，更具体地，具有5nm至10nm的厚度以用于稳定的层结构，使得非谐振反射可发生在封盖层400的下部处，而不对其他层的厚度和谐振结构产生较大影响。
在下文中，将参照图4对本发明的第二实施方式进行描述。图4是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光显示器102的模拟图。在本文中，为了简洁起见，将不提供对第一实施方式的相同配置的重复描述。
根据本发明的第二实施方式的有机发光显示器102可包括布置在封盖层400上的光提取诱导层410。光提取诱导层410具有布置在其上的一个层的折射率与封盖层400的折射率之间的折射率，从而防止封盖层400与上部的层之间的折射率的突然改变。因此，经过封盖层400的光可容易被引导至封盖层400的外部。例如，在光提取诱导层410的上部为空气层(折射率＝1)的情况下，也就是说，经过封盖层400的光被引导至空气层，光提取诱导层410可具有1.1至1.5的折射率。
在下文中，将参照图5至图7对光提取效率进行描述。
图5是示出根据波长的光提取强度的比较的图表。更详细地，图5是示出根据比较性实验1以及实验1、2和11的有机发光显示器的光提取强度的模拟结果的图表。该图表示出了在波长为460nm时实验1的光提取强度值被标准化为“1”的情况下的光提取强度的比较。
比较性实验1示出了包括封盖层但不包括非谐振反射诱导层和光提取诱导层的有机发光显示器。实验1和2示出了包括封盖层和非谐振反射诱导层但不包括光提取诱导层的有机发光显示器。实验11示出了包括封盖层、非谐振反射诱导层和光提取诱导层的有机发光显示器。
在本文中，封盖层、非谐振反射诱导层和光提取诱导层的折射率分别为1.7、1.4和1.4。另外，在下表1中描述了根据实验1、2和11以及比较性实验1的封盖层、非谐振反射诱导层和光提取诱导层的厚度。
【表1】
图6是示出根据比较性实验1以及实验1至5的有机发光显示器的光提取强度的比较的图表。更详细地，图6是示出当波长为460nm时测量的光提取强度的图表。该图表示出了在比较性实验1的光提取强度值被标准化为“1”的情况下的光提取强度的比较。
在本文中，封盖层和非谐振反射诱导层的折射率分别为1.7和1.4。另外，在下表2中描述了根据比较性实验1以及实验1至5的封盖层和非谐振反射诱导层的厚度。
【表2】
图7是示出根据比较性实验1以及实验6至10的有机发光显示器的光提取强度的比较的图表。相似地，图7是示出当波长为460nm时测量的光提取强度的图表。该图表示出了当波长为460nm时在比较性实验1的光提取强度值被标准化为“1”的情况下的光提取强度的比较。
在本文中，封盖层和非谐振反射诱导层的折射率分别为1.7和1.4。另外，在下表3中描述了根据比较性实验1以及实验6至10的封盖层和非谐振反射诱导层的厚度。
【表3】
参照图5至图7，相比于非谐振反射诱导层未布置在封盖层上的比较性实验1，根据非谐振反射诱导层布置在封盖层上的实验1至11的有机发光显示器示出了得到改善的光提取强度。也就是说，根据非谐振反射诱导层布置在封盖层上的实验1至11的有机发光显示器的光提取效率高于根据非谐振反射诱导层未布置在封盖层上的比较性实验1的有机发光显示器的光提取效率。
通过上述内容，应领会，出于说明的目的已在本文中描述了根据本公开的多种实施方式，并且可在不背离本发明教导的范围和精神的情况下进行各种变型。因此，本文中所公开的各种实施方式并不旨在限制本发明教导的真实范围和精神。

Claims (18)

1.一种有机发光显示器，包括：
衬底；
第一电极，位于所述衬底上；
有机发光层，位于所述第一电极上；
第二电极，位于所述有机发光层上；
非谐振反射诱导层，位于所述第二电极上；以及
封盖层，位于所述非谐振反射诱导层上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非谐振反射诱导层具有1.1至1.5的折射率。
3.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非谐振反射诱导层具有5nm至10nm的厚度。
4.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非谐振反射诱导层包括选自CaF2、NaF、Na3AlF6、SiOx、AlF3、LiF、MgF2、三(8-羟基喹啉)铝、丙烯酸树脂、聚酰亚胺基树脂和聚酰胺基树脂的组中的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非谐振反射诱导层与所述封盖层之间的折射率的差异为0.3或更大。
6.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述封盖层具有1.6至3.0的折射率。
7.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述封盖层具有20nm至200nm的厚度。
8.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述封盖层包括选自三(8-羟基喹啉)铝、ZnSe、2,5-双(6’-(2’,2”-二吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]二苯基、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-二苯基-4,4’-二胺、以及1,1’-双(二-4-甲苯基氨基苯基)环己烷的组中的至少一种。
9.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述第一电极包括反射层以及位于所述反射层上的至少一个透明传导层。
10.如权利要求9所述的有机发光显示器，其中，所述反射层包括镁、银、金、钙、锂、铬、铜和铝中的至少一种。
11.如权利要求9所述的有机发光显示器，其中，所述透明传导层包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌氧化物、铝锌氧化物和铟氧化物中的至少一种。
12.如权利要求9所述的有机发光显示器，满足式1和式2：
[式1]t1＝(n1×λ1)/2，
[式2]t2＝(n2×λ1)/2，
其中，
λ1为从所述有机发光层发出的光的波长，
t1为所述反射层的上表面与所述第二电极的下表面之间的距离，
t2为所述反射层的所述上表面与所述封盖层的上表面之间的距离，以及
n1和n2为自然数。
13.如权利要求9所述的有机发光显示器，满足式3：
[式3](m1×λ1)/2<t3<[(m1+1)×λ1]/2，
其中，
λ1为从所述有机发光层发出的光的波长，
t3为所述反射层的所述上表面与所述封盖层的下表面之间的距离，以及
m1为自然数。
14.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括：
位于所述第一电极与所述有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
15.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括：
位于所述有机发光层与所述第二电极之间的电子传输层和电子注入层中的至少一个。
16.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括位于所述封盖层上的光提取诱导层。
17.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括位于所述封盖层上的薄膜封装层。
18.如权利要求17所述的有机发光显示器，其中，所述薄膜封装层具有多个无机层和多个有机层交替地层叠的结构。
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