TWI689505B - 包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器 - Google Patents

包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器 Download PDF

Info

Publication number
TWI689505B
TWI689505B TW104137517A TW104137517A TWI689505B TW I689505 B TWI689505 B TW I689505B TW 104137517 A TW104137517 A TW 104137517A TW 104137517 A TW104137517 A TW 104137517A TW I689505 B TWI689505 B TW I689505B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic light
substituted
layer
carbon atoms
unsubstituted
Prior art date
Application number
TW104137517A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201625594A (zh
Inventor
趙桓熙
金明淑
金成昱
Original Assignee
南韓商三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商三星顯示器有限公司 filed Critical 南韓商三星顯示器有限公司
Publication of TW201625594A publication Critical patent/TW201625594A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI689505B publication Critical patent/TWI689505B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658—Organoboranes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明提供一種有機發光二極體顯示器，其包含：第一基板；於第一基板上之第一電極；於第一電極上之有機發光層；於有機發光層上之第二電極；以及於第二電極上之覆蓋層，其中覆蓋層包含至少一種雜環化合物，雜環化合物包含咔唑基以及與咔唑基鍵結之雜環基。

Description

包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器 相關申請案之交互參照
2014年9月24日向韓國智財局提出之韓國專利申請案No.10-2014-0164595，且名為：「包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器(Organic Light Emitting Diode Display Comprising Capping Layer Having High Refractive Index)」揭露之全部內容藉由參照而併入本文中。
實施例關於一種包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器(OLED顯示器)。
OLED顯示器係利用發光的有機發光二極體(OLED)顯示影像的自發光型顯示裝置。OLED與液晶顯示裝置不同的是不需要獨立光源，因而具有相對薄的厚度且輕的重量。進一步地，OLED顯示器可表現優異的性能，例如低耗能、高亮度以及快速的反應速度，因此作為下一代的顯示裝置受到關注。
OLED可包含電洞注入電極、有機發光層及電子注入電極。電洞及電子可分別自電洞注入電極及電子注入電極供給至有機發光層，且可在其中互相結合以形成激子。OLED藉由當激子自激發態落至基態時產生的能量發光。
應理解的是，此技術背景的部分係旨在用於提供理解本文所揭露的技術的有用背景，且此技術背景部分可包含構想、概念或認知，其不為揭露於本文的專利標的之對應有效申請日之前，此技術領域具有通常知識者已知或已理解的部分。
實施例係針對一種包含高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器(OLED顯示器)。
實施例可藉由提供一種有機發光二極體顯示器實現，該有機發光二極體顯示器包含：第一基板；於第一基板上之第一電極；於第一電極上之有機發光層；於有機發光層上之第二電極；以及於第二電極上之覆蓋層，其中覆蓋層包含至少一種雜環化合物(heterocyclic compound)，雜環化合物包含咔唑基(carbazole group)以及與咔唑基鍵結之雜環基(heterocyclic group)。
雜環化合物可由下列化學式1至5中的一個表示：
Figure 104137517-A0305-02-0005-1
[化學式2]
Figure 104137517-A0305-02-0006-2
Figure 104137517-A0305-02-0006-5
Figure 104137517-A0305-02-0006-6
[化學式5]
Figure 104137517-A0305-02-0007-7
其中，在化學式1至5中，A1至A7可各自獨立為取代或未取代的具有6至30個成環碳原子(ring carbon atoms)的芳香族烴基(aromatic hydrocarbon group)或取代或未取代的具有1至30個成環碳原子的芳香族雜環基(aromatic heterocyclic group)；Y1至Y8可各自獨立為C-R，且Y9至Y16可各自獨立為C-R或氮原子，其中C-R的每一個R可獨立為氫原子、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基、取代或未取代的具有1至30個成環碳原子的芳香族雜環基、取代或未取代的具有1至30個碳原子且具有直鏈、支鏈或環狀結構之烷基(alkyl group)、取代或未取代的具有1至30個碳原子之烷氧基(alkoxy group)、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子之芳氧基(aryloxy group)、取代或未取代的具有7至30個碳原子的芳烷基(aralkyl group)、取代或未取代的具有1至30個碳原子的鹵烷基(haloalkyl group)、取代或未取代的具有1至30個碳原子的鹵烷氧基(haloalkoxy group)、取代或未取代的具有3至30個碳原子的烷矽基(alkylsilyl group)、取代或未取代的具有8至40個碳原子的二烷基芳基矽基(dialkylarylsilyl group)、取代或未取代的具有13至50個碳原子的烷基二芳基矽基(alkyldiarylsilyl group)、取代或未取代的具有18至60個碳原子的三芳基矽基(triarylsilyl group)、取代或未取代的具有2至30個碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30個碳原 子的炔基、鹵素原子、氰基、羥基、硝基或羧基之中的一個；當Y1至Y16中彼此相鄰的兩個為C-R時，相鄰的C-R的R可分離或可鍵結以形成環狀結構；L1至L12可獨立為單鍵或連接基團；X1可為碳或矽；R1及R2可各自獨立為氫原子、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基、取代或未取代的具有1至30個成環碳原子的芳香族雜環基、或取代或未取代的具有1至30個碳原子的烷基，R1及R2為分離或鍵結在一起以形成環狀結構；以及X2可為硼(boron)、磷(phosphorus)或P=O。
由化學式1表示的化合物可為下列化合物1至48中的其一：
Figure 104137517-A0305-02-0008-8
Figure 104137517-A0305-02-0009-9
Figure 104137517-A0305-02-0010-11
Figure 104137517-A0305-02-0011-12
Figure 104137517-A0305-02-0012-15
Figure 104137517-A0305-02-0013-68
由化學式2表示的化合物可為下列化合物49至73中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0014-17
Figure 104137517-A0305-02-0015-19
Figure 104137517-A0305-02-0016-20
由化學式3表示的化合物可為下列化合物74至78中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0016-21
Figure 104137517-A0305-02-0017-22
由化學式4表示的化合物可為下列化合物79至84中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0017-23
Figure 104137517-A0305-02-0018-24
由化學式5表示的化合物可為下列化合物85至88中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0018-25
覆蓋層可具有約1.9或以上的折射率。
覆蓋層可具有約1.9至約3.0的折射率。
覆蓋層可具有約10nm至約300nm的厚度。
有機發光二極體顯示器可進一步包含電洞注入層及電洞傳輸層中的至少其一在第一電極與有機發光層之間。
有機發光二極體顯示器可進一步包含電子傳輸層及電子注入層中的至少其一在有機發光層與第二電極之間。
有機發光二極體顯示器可進一步包含第二基板於覆蓋層上，第二基板與覆蓋層隔開。
有機發光二極體顯示器可進一步包含空氣層在覆蓋層與第二基板之間的空間中。
有機發光二極體顯示器可進一步包含填充元件在覆蓋層與第二基板之間的空間中。
有機發光二極體顯示器可進一步包含薄膜封裝層於覆蓋層上。
10:開關薄膜電晶體
101、102、103:有機發光二極體顯示器
110:第一基板
120:緩衝層
130:線路單元
131:開關半導體層
132:驅動半導體層
140:閘極絕緣層
145:中間絕緣層
146:平坦層
151:閘極線
152:開關閘極電極
155:驅動閘極電極
158、178:電容器平板
171:數據線
172:電源線
173:開關源極電極
174:開關汲極電極
176:驅動源極電極
177:驅動汲極電極
190:像素定義層
20:驅動薄膜電晶體
210:有機發光二極體
211:第一電極
212:有機發光層
213:第二電極
230:覆蓋層
250:薄膜封裝層
251、253、255:無機層
252、254:有機層
310:空氣層
320:填充元件
80:電容器
410:第二基板
對於所屬領域具有通常知識者而言，藉由參照附圖詳細描述例示性實施例將使特點變得顯而易見，其中：第1圖係描繪根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器(OLED顯示器)之平面圖；第2圖係描繪沿著第1圖的I-I'線截取之截面圖；第3圖係描繪根據第二例示性實施例之OLED顯示器之截面圖；以及 第4圖係描繪根據第三例示性實施例之OLED顯示器之截面圖。
例示性實施例將參照附圖於下文中更充分的描述；然而，其可以各種不同形式實施，而不應理解為限制於本文所闡述的實施例。相反的，這些實施例的提供將使得本揭露徹底及完整，且將充分傳達例示性實施方式予此技術領域中具有通常知識者。
在附圖中，可為了清楚說明而放大層及區域的尺寸。此外，亦將理解的是，當元件被指為在兩個元件「之間(between)」時，其可為在兩個元件之間的唯一元件，或亦可存在一或多個中間元件。在全文中相似參考符號可指相似元件。
在此使用的所有用語僅用於描述本發明的實施例，並且可以根據相關領域和實施者的意圖進行修改。因此，在此使用的術語應該被解釋為具有與其在本揭露的語境中的涵義相符的涵義，且不旨在限制本發明。
此外，當層或元件被指為於另一層或元件「上(on)」時，層或元件可直接於另一層或元件上，或在其之間可插入一或多個中間層或中間元件。
在下文中，將參照第1圖及第2圖描述第一例示性實施例。
第1圖係描繪根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器(OLED顯示器)101之平面圖。第2圖係描繪沿著第1圖的I-I'線截取之截面圖。
如第1圖及第2圖所示，根據第一例示性實施例之OLED顯示器101可包含第一基板110、線路單元130、有機發光二極體(OLED)210、覆蓋層230及第二基板410。
第一基板110可包含例如玻璃、石英、陶瓷、塑膠等的絕緣材料。在一實施方式中，第一基板110可包含如不銹鋼等的金屬材料。
緩衝層120可設置於第一基板110上。緩衝層120可包含各種的無機層及有機層之中的至少一層。緩衝層120可有助於避免或有效地降低例如濕氣之不期望的成分滲入至線路單元130及OLED 210，且可平坦化第一基板110的表面。在一實施方式中，可省略緩衝層120。
線路單元130可設置於緩衝層120上。線路單元130可表示為包含開關薄膜電晶體(TFT)10、驅動TFT 20及電容器80之結構，且可驅動OLED 210。OLED 210可根據自線路單元130提供的驅動訊號發光，因而顯示影像。
第1圖及第2圖顯示具有2Tr-1Cap結構之主動矩陣(active-matrix(AM))型OLED顯示器101。例如，2Tr-1Cap結構可在每一個像素中包含兩個TFT 10及20以及電容器80。在一實施方式中，根據例示性實施例之顯示器可在一個像素中包含三個或以上的TFT及兩個或以上的電容器，且可進一步包含其他線路。在此，用語「像素(pixel)」表示為用於顯示影像之最小單元，且OLED顯示器101利用複數個像素顯示影像。
各像素可包含開關TFT 10、驅動TFT 20、電容器80及OLED 210。進一步地，沿著一方向設置的閘極線151、與閘極線151絕緣且相交的數據線171及共用電源線172可進一步地設置於線路單元130上。在此，各像素可藉由閘極線151、數據線171及共用電源線172定義，但不限於此。在一實施方式中，像素可藉由黑色矩陣及/或像素定義層(PDL)定義。
OLED 210可包含第一電極211、於第一電極211上之有機發光層212以及於有機發光層212上之第二電極213。電洞及電子可分別自第一電極211 及第二電極213提供至有機發光層212，且接著在其中彼此結合以形成激子。OLED可藉由當激子自激發態落至基態時所產生的能量而發光。
電容器80可包含一對電容器平板158及178，與插入在其間的中間絕緣層145。在此，中間絕緣層145可為電介質。電容器80的電容量可藉由累積在電容器80中的電荷及橫跨一對電容器平板158及178的電壓而定。
開關TFT 10可包含開關半導體層131、開關閘極電極152、開關源極電極173及開關汲極電極174。驅動TFT 20可包含驅動半導體層132、驅動閘極電極155、驅動源極電極176及驅動汲極電極177。另外，可進一步提供閘極絕緣層140以絕緣半導體層131與閘極電極152及半導體層132與閘極電極155。
開關TFT 10可用作為選擇像素以執行發光之開關元件。開關閘極電極152可連接至閘極線151，且開關源極電極173可連接至數據線171。開關汲極電極174可與開關源極電極173隔開且連接至電容器平板158。
驅動TFT 20可將允許被選擇的像素中的OLED 210的有機發光層212發光之驅動電源提供至作為像素電極之第一電極211。驅動閘極電極155可連接至與開關汲極電極174連接之電容器平板158。驅動源極電極176及另一電容器平板178可分別地連接至共用電源線172。驅動汲極電極177可經由接觸孔連接至OLED 210的第一電極211。
藉由上述結構，開關TFT 10可藉由施加至閘極線151的閘極電壓來操作，且可用於將施加至數據線171的數據電壓傳輸至驅動TFT 20。與自共用電源線172施加至驅動TFT 20的共用電壓與藉由(或自)開關TFT 10傳輸的數據電壓之間的差相等之電壓可儲存在電容器80中，且與儲存在電容器80中的電壓相對應之電流可經由驅動TFT 20流至OLED 210，因而可使OLED 210發光。
根據第一例示性實施例，第一電極211可用作為注入電洞的陽極，且第二電極213可用作為注入電子的陰極。在一實施方式中，第一電極211可用作為陰極且第二電極213可用作為陽極。
平坦層146可設置於中間絕緣層145上。平坦層146可包含絕緣材料且可包護線路單元130。平坦層146及中間絕緣層145可包含相同材料。
驅動TFT 20的汲極電極177可經由形成於平坦層146上之接觸孔連接至OLED 210的第一電極211。
根據第一例示性實施例，第一電極211可為反射電極，且第二電極213可為半透射電極。因此，在有機發光層212中產生的光可穿過第二電極213以發光。因而，根據第一例示性實施例之OLED顯示器可具有頂部發光型結構。
鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)及銅(Cu)中的一或多種金屬或其合金可用於形成反射電極及/或半透射電極。
例如，第一電極可包含含有鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少一金屬的反射層，以及設置於反射層上的透明導電層。在此，透明導電層可包含透明導電氧化物(TCO)，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁鋅(AZO)及氧化銦(In2O3)中的至少一種。此透明導電層可具有相對地高的功函數，因而允許經由第一電極211而更主動的電洞注入。
進一步地，第一電極211可具有包含依序層疊的透明導電層、反射層及透明導電層之三層結構。
在一實施方式中，第二電極213可由包含鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)及銅(Cu)中的一或多種金屬的半透射層來形成。
在一實施方式中，電洞注入層HIL及電洞傳輸層HTL中的至少其一可進一步設置在第一電極211與有機發光層212之間。在一實施方式中，電子傳輸層ETL及電子注入層EIL中的至少其一可進一步設置在有機發光層212與第二電極213之間。
包含有機發光層212、電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子傳輸層ETL及電子注入層EIL的結構可被稱為有機層。有機層可包含低分子量有機材料或高分子量有機材料。
像素定義層190可具有開口，且第一電極211可經由像素定義層190的開口而至少部分地露出。第一電極211、有機發光層212及第二電極213可依序地層疊在像素定義層190的開口中。在一實施方式中，第二電極213亦可設置於像素定義層190上以及有機發光層212上。像素定義層190可定義發光區域。
覆蓋層230可設置於OLED 210上。覆蓋層230可基本地保護OLED 210，且亦可允許在有機發光層212發出的光有效地直接向外。
覆蓋層230可包含含有咔唑基或咔唑部分(moiety)之化合物。例如，根據第一例示性實施例之覆蓋層230可包含至少一種雜環化合物，其含有咔唑基或咔唑部分以及與咔唑基或其官能基鍵結之雜環基或雜環部分。
例如，.雜環基可用作為拉電子基(electron withdrawing group)的功能，且咔唑基可作為供電子基(electron donation group)的功能。因而，同時包含咔唑基及與咔唑基鍵結的雜環基之雜環化合物可具有偶極矩。含有此種雜環化合物的覆蓋層230可具有高折射率，例如高於約1.9的折射率。例如，覆蓋層230可具有約1.9至約3.0的折射率。當覆蓋層230具有高折射率時，光可自覆蓋層230的層間反射或可在覆蓋層230與另一層或空間的介面反射，從而可發生光共振。
包含咔唑基及與咔唑基鍵結的雜環基之雜環化合物可由下列化學式1至5中的一種表示。
Figure 104137517-A0305-02-0025-26
Figure 104137517-A0305-02-0025-28
[化學式3]
Figure 104137517-A0305-02-0026-29
Figure 104137517-A0305-02-0026-30
Figure 104137517-A0305-02-0026-31
A1至A7可各自獨立為，例如取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基或取代或未取代的具有1至30個成環碳原子的芳香族雜環基。在一實施方式中，A1及A3至A6中的其一可為，例如取代或未取代的具有1至30個成環碳原子的芳香族雜環基。
Y1至Y8可各自獨立為C-R，且Y9至Y16可各自獨立為C-R或氮原子。
(C-R中的)每一個R可獨立地為，例如氫原子、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基、取代或未取代的具有1至30個成環碳原子、的芳香族雜環基、取代或未取代的具有1至30個碳原子且形成直鏈、支鏈或環狀結構之烷基、取代或未取代的具有1至30個碳原子之烷氧基、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子之芳氧基、取代或未取代的具有7至30個碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有1至30個碳原子的鹵烷基、取代或未取代的具有1至30個碳原子的鹵烷氧基、取代或未取代的具有3至30個碳原子的烷矽基、取代或未取代的具有8至40個碳原子的二烷基芳基矽基、取代或未取代的具有13至50個碳原子的烷基二芳基矽基、取代或未取代的具有18至60個碳原子的三芳基矽基、取代或未取代的具有2至30個碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30個碳原子的炔基、鹵素原子、氰基、羥基、硝基或羧基。
當R以複數個提供時，每一個R可彼此相同或不同。在一實施方式中，當Y1至Y16中彼此相鄰的兩個元素為C-R時，相鄰的C-R的R可分離或可結合以形成環狀結構。
L1至L12可獨立為，例如單鍵或連接基團。在一實施方式中，連接基團可包含例如，伸芳基(arylene group)(如伸苯基(phenylene group)、伸聯苯基 (biphenylene group)、伸三聯苯基(terphenylene group)、伸茀基(fluorenylene group)等)或伸雜芳基(heteroarylene group)(如吡啶(pyridine group)、嗒[口井]基(diazine group)、三嗪基(triazine group)、喹啉基(quinoline group)、異喹啉基(isoquinoline group)等)。在本發明的實施例中的L1、L2、L4、L6、L8、L10及L11為連接基團，連接基團可連接至一個以上的A1至A7基團。
X1可為，例如碳(C)或矽(Si)。
R1及R2可各自獨立地為，例如氫原子、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基、取代或未取代的具有1至30個成環碳原子的芳香族雜環基、或取代或未取代的具有1至30個碳原子的烷基。在一實施方式中，R1及R2可為分離或可鍵結在一起以形成環狀結構。
X2可例如為硼(B)、磷(P)或P=O。
在一實施方式中，由化學式1表示的化合物可為下列化合物1至48中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0028-33
Figure 104137517-A0305-02-0029-34
Figure 104137517-A0305-02-0030-35
Figure 104137517-A0305-02-0031-36
Figure 104137517-A0305-02-0032-38
Figure 104137517-A0305-02-0033-39
Figure 104137517-A0305-02-0034-40
在一實施方式中，由化學式2表示的化合物可為下列化合物49至73中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0034-41
Figure 104137517-A0305-02-0035-42
Figure 104137517-A0305-02-0036-44
在一實施方式中，由化學式3表示的化合物可為下列化合物74至78中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0037-45
在一實施方式中，由化學式4表示的化合物可為下列化合物79至84中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0038-46
在一實施方式中，由化學式5表示的化合物可為下列化合物85至88中的其一。
Figure 104137517-A0305-02-0039-47
在一實施方式中，覆蓋層230除了包含由化學式1至5中之其一表示的化合物之外，可包含具有透光性之一或多種無機材料或有機材料。例如，覆蓋層230可包含具有約1.3至約1.9的折射率之低折射率材料以及具有約1.9至約3.0的折射率之高折射率材料中的至少其一。
低折射率材料及高折射率材料可包含例如有機材料或有機金屬材料或無機材料。
在一實施方式中，具有低折射率之無機材料可包含例如氧化矽或氟化鎂(magnesium fluoride)。
在一實施方式中，具有低折射率之有機材料或有機金屬材料可包含例如丙烯酸(acrylic)、聚亞醯胺(polyimide)、聚醯胺、Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)等。
在一實施方式中，具有高折射率之無機材料可包含，例如氧化鋅、氧化鈦、氧化鋯(zirconium oxide)、氧化鈮(niobium oxide)、氧化鉭(tantalum oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化鎳(nickel oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮化銦(indium nitride)及/或氮化鎵(gallium nitride)。
在一實施方式中，具有高折射率之有機材料或有機金屬材料可包含例如聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT)、4,4'-雙[N-(3-甲基苯基-N-苯胺基]聯苯(4,4'-bis[N-(3-methylphenyl-N-phenylamino]biphenyl(TPD))、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)-三苯基胺(4,4',4"-tris[N-3-methylphenyl-N-phenylamino]triphenylamine(m-MTDATA))、1,3,5-三[N,N-雙(2-甲基苯基-氨基]苯(1,3,5-tris[N,N-bis(2-methylphenyl-amino]-benzene(o-MTDAB))、1,3,5-三[N,N-雙(3-甲基苯基-氨基]苯(1,3,5-tris[N,N-bis(3-methylphenyl-amino]-benzene(m-MTDAB))、1,3,5-三[N,N-雙(4-甲基苯基)-氨基]苯(1,3,5-tris[N,N-bis(4-methylphenyl)-amino]-benzene(p-MTDAB))、4,4'-雙[N,N-(3-甲基苯基)-胺基]二苯甲烷(4,4'-bis[N,N-bis(3-methylphenyl)-amino]-diphenylmethane(BPPM))、1,3,5-三(1-苯基-1-H-苯並咪唑-2-基)苯(2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)(TPBI))及/或3-(4-聯 苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ))。
在一實施方式中，覆蓋層230可包含各種適合的材料。
在一實施方式中，覆蓋層230可具有例如約10nm至約300nm的厚度。在另一實施方式中，為了完全地保護OLED 210，覆蓋層230可具有例如300nm或以上、或約300nm至約600nm的厚度。在又一實施方式中，覆蓋層230可具有例如大於600nm的厚度。
覆蓋層230可藉由適合的方法製造，例如其可藉由沉積來形成。
第二基板410可設置於覆蓋層230上。
第二基板410可為包含例如玻璃、石英、陶瓷及/或塑膠之透明絕緣基板。第二基板410可結合且密封第一基板110，以覆蓋OLED 210。
參照第2圖，空氣層310可形成在第二基板410與覆蓋層230之間的空間中。空氣層310可具有小於覆蓋層230的折射率。
在一實施方式中，在OLED 210的有機發光層212中產生的光可穿過第二電極213、覆蓋層230、空氣層310及第二基板410以向外釋出。
雖然向外傳播，但是在有機發光層212中產生的光可到達層間介面。光可通過層間介面，或可能無法通過層間介面傳播且因此可能自其反射。
在一實施方式中，在有機發光層212中產生的光可自覆蓋層230與空氣層310之間的介面或在覆蓋層230與空氣層310之間的介面反射。反射的光接著可再次自第二電極213與覆蓋層230之間的介面或在第二電極213與覆蓋層230之間的介面反射，或可通過第二電極213及有機發光層212傳播且可接著自第一電極211的上表面反射。
因而，光可重複地從各自的層或空間之間的介面反射出去，且在反射的期間，可共振具有預定波長的光且可消散具有其他波長的光。共振的光可被放大且接著可被向外釋出。藉由此共振的特性，可改善OLED顯示器101的發光效率。
在下文中，將參照第3圖描述第二例示性實施例。
第3圖係描繪根據第二例示性實施例之OLED顯示器102之截面圖。為了簡化而可省略與第一例示性實施例相同的相關配置的重複描述。
根據第二例示性實施例之OLED顯示器102可包含填充元件320在覆蓋層230與第二基板410之間的空間中。填充元件320，取代空氣層310，可填充OLED顯示器102的內部空間。
填充元件320可包含有機材料，例如聚合物。在一實施方式中，填充元件320的折射率可小於或大於(例如，不同於)覆蓋層230的折射率，或可與覆蓋層230的折射率相等。
填充元件可根據覆蓋層230及第二基板410的折射率而進行選擇。例如，當第二基板410為具有約1.5的折射率之玻璃基板時，可使用具有約1.5的折射率之聚合物作為用於填充元件320的材料。在一實施方式中，用於填充元件320的材料可包含例如聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methylmethacrylate)(PMMA))。
當填充元件320填充OLED顯示器102的空的空間時，OLED顯示器102的裝置強度及耐久性可藉由填充元件320改善。
在下文中，將參照第4圖描述第三例示性實施例。
第4圖係描繪根據第三例示性實施例之OLED顯示器103之截面圖。為了簡化而可省略與第一例示性實施例相同的相關配置的重複描述。
根據第三例示性實施例之OLED顯示器103可包含薄膜封裝層250於覆蓋層230上。
薄膜封裝層250可包含一或多個無機層251、253及255，及一或多個有機層252及254。薄膜封裝層250可具有無機層251、253及255與有機層252及254交替層疊的結構。在此情況下無機層251可設置在層疊結構的最下部。例如，無機層251可設置為最靠近OLED 210。在一實施方式中，如第4圖所示，薄膜封裝層250可包含三個無機層251、253及255與兩個有機層252及254。
無機層251、253及255可包含例如Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO及Ta2O5的一或多種無機材料。無機層251、253及255可利用例如化學汽相沈積(CVD)或原子層沉積(ALD)之方法形成。在一例示性實施例中，無機層251、253及255可利用適合的方法形成。
有機層252及254可包含例如聚合物類材料。在一實施方式中，聚合物類材料可包含例如丙烯酸樹脂(acrylic resins)、環氧樹脂(epoxy resins)、聚亞醯胺及聚乙烯(polyethylene)。有機層252及254可藉由例如熱沉積製程形成。用於形成有機層252及254之熱沉積製程可在可不損害OLED 210的溫度範圍下執行。在一實施方式中，有機層252及254可利用適合的方法形成。
具有高密度的薄膜之無機層251、253及255可有助於避免或有效地降低例如濕氣或氧氣的滲入。例如，滲入至OLED 210的大部分的溼氣及氧氣可藉由無機層251、253及255防止。
穿過無機層251、253及255的溼氣及氧氣可藉由有機層252及254進一步地阻擋。與無機層251、253及255相比，有機層252及254可顯示相對低的濕氣滲入防止效果。然而，除了防止濕氣的滲入之外，有機層252及254亦可用作為緩衝層，以降低在無機層251、253及255與有機層252及254的各自的層之間的壓力。進一步地，有機層252及254可具有平坦化特性，且可平坦化薄膜封裝層250的最上部表面。
薄膜封裝層250可具有約10μm或以下的厚度。例如，可形成具有顯著較小的整體厚度之OLED顯示器103。
第二基板可設置於薄膜封裝層250上，且可省略第二基板410。在省略第二基板的情況下，可加強OLED顯示器103的可撓特性。
藉由總結與回顧，為了加強OLED顯示器的可用性，已研究出有效地保護OLED且有效地提取在有機發光層中產生的光及改善發光效率之方法。
實施例可提供展現改善的發光效率之有機發光二極體顯示器。
根據實施例，OLED顯示器可包含含有雜環化合物之覆蓋層，該雜環化合物包含咔唑基及雜環基，因而具有優異的發光效率。
文中已經揭露例示性實施例，而儘管使用特定的術語，這些術語只用於一般性及描述性的解釋及理解，而不意圖為限制。於部分例子中，對於本申請所述技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，除非具體指出，否則結合特定實施例描述的特徵、特性、與/或元件，可單獨使用或與結合其他實施例描述的特徵、特性、與/或構件組合使用。因此，將為所屬技術領域中具有通常知識者所了解的是，可進行形式及細節上的各種變更而不脫離如申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇。
101:有機發光二極體顯示器
110:第一基板
120:緩衝層
130:線路單元
132:驅動半導體層
140:閘極絕緣層
145:中間絕緣層
146:平坦層
155:驅動閘極電極
158、178:電容器平板
171:數據線
172:電源線
176:驅動源極電極
177:驅動汲極電極
190:像素定義層
20:驅動薄膜電晶體
210:有機發光二極體
211:第一電極
212:有機發光層
213:第二電極
230:覆蓋層
310:空氣層
80:電容器
410:第二基板

Claims (15)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，包含：一第一基板；一第一電極，於該第一基板上；一有機發光層，於該第一電極上；一第二電極，於該有機發光層上；以及一覆蓋層，於該第二電極上，其中，該覆蓋層包含至少一雜環化合物，該雜環化合物係由下列化學式1至5中的其一表示：
    Figure 104137517-A0305-02-0047-49
    Figure 104137517-A0305-02-0048-50
    Figure 104137517-A0305-02-0048-51
    Figure 104137517-A0305-02-0048-52
    Figure 104137517-A0305-02-0049-53
     其中，在化學式1至5中，A1至A7各自獨立為取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基或取代或未取代的具有3至30個成環碳原子的芳香族雜環基，其中A1及A2的其一包含在環中具有雜原子的6員環，A3至A5包含在環中具有雜原子的6員環，以及A6及A7的其一包含在環中具有雜原子的6員環；Y1至Y8各自獨立為C-R，且Y9至Y16各自獨立為C-R或氮原子，其中，C-R的每一個R獨立為氫原子、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基、取代或未取代的具有3至30個成環碳原子的芳香族雜環基、取代或未取代的具有1至30個碳原子且具有直鏈、支鏈或環狀結構之烷基、取代或未取代的具有1至30個碳原子之烷氧基、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子之芳氧基、取代或未取代的具有7至30個碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有1至30個碳原子的鹵烷基、取代或未取代的具有1至30個碳原子的鹵烷氧基、取代或未取代的具有3至30個碳原子的烷矽基、取代或未取代的具有8至40個碳原子的二烷基芳基 矽基、取代或未取代的具有13至50個碳原子的烷基二芳基矽基、取代或未取代的具有18至60個碳原子的三芳基矽基、取代或未取代的具有2至30個碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30個碳原子的炔基、鹵素原子、氰基、羥基、硝基或羧基之中的其一；當Y1至Y16中彼此相鄰的兩個為C-R時，相鄰的C-R的R係分離或可結合以形成環狀結構；L1至L12獨立地為單鍵或連接基團；X1為碳或矽；R1及R2各自獨立為氫原子、取代或未取代的具有6至30個成環碳原子的芳香族烴基、取代或未取代的具有3至30個成環碳原子的芳香族雜環基、或取代或未取代的具有1至30個碳原子的烷基，R1及R2為分離或鍵結在一起以形成環狀結構；以及X2係為硼、磷或P=O。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中由化學式1表示之化合物係為下列化合物1至48中的其一：
    Figure 104137517-A0305-02-0051-56
    Figure 104137517-A0305-02-0052-57
    Figure 104137517-A0305-02-0053-58
    Figure 104137517-A0305-02-0054-59
    Figure 104137517-A0305-02-0055-60
    Figure 104137517-A0305-02-0056-61
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中由化學式2表示之化合物係為下列化合物49至73中的其一：
    Figure 104137517-A0305-02-0057-62
    Figure 104137517-A0305-02-0058-63
    Figure 104137517-A0305-02-0059-64
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中由化學式3表示之化合物係為下列化合物74至78中的其一：
    Figure 104137517-A0305-02-0060-65
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中由化學式4表示之化合物係為下列化合物79至84中的其一：
    Figure 104137517-A0305-02-0061-66
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中由化學式5表示之化合物係為下列化合物85至88中的其一：
    Figure 104137517-A0305-02-0062-67
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該覆蓋層具有約1.9或以上之折射率。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該覆蓋層具有約1.9至約3.0之折射率。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該覆蓋層具有約10nm至300nm的厚度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，進一步包含一電洞注入層及一電洞傳輸層中的至少其一在該第一電極與該有機發光層之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，進一步包含一電子傳輸層及一電子注入層中的至少其一在該有機發光層與該第二電極之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，進一步包含一第二基板於該覆蓋層上，該第二基板與該覆蓋層隔開。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，進一步包含一空氣層在該覆蓋層與該第二基板之間的一空間中。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，進一步包含一填充元件在該覆蓋層與該第二基板之間的一空間中。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，進一步包含一薄膜封裝層於該覆蓋層上。
TW104137517A 2014-11-24 2015-11-13 包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器 TWI689505B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0164595 2014-11-24
KR1020140164595A KR101788366B1 (ko) 2014-11-24 2014-11-24 고굴절률 캡핑층을 포함하는 유기발광 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201625594A TW201625594A (zh) 2016-07-16
TWI689505B true TWI689505B (zh) 2020-04-01

Family

ID=54705046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104137517A TWI689505B (zh) 2014-11-24 2015-11-13 包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10121987B2 (zh)
EP (2) EP3032602B1 (zh)
KR (1) KR101788366B1 (zh)
CN (1) CN105633118B (zh)
TW (1) TWI689505B (zh)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104701466B (zh) * 2015-03-25 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
KR20180005772A (ko) * 2016-07-06 2018-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102477262B1 (ko) * 2016-08-05 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
CN106632185B (zh) * 2016-10-14 2019-04-05 长春海谱润斯科技有限公司 一种9，9-二苯基芴衍生物及其制备方法和应用
JP2020113557A (ja) * 2017-03-28 2020-07-27 保土谷化学工業株式会社 アザカルバゾール構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2018179927A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器
KR102038031B1 (ko) * 2017-09-15 2019-10-30 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102099171B1 (ko) 2017-12-29 2020-04-09 (주)랩토 아릴아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR20190082052A (ko) 2018-08-21 2019-07-09 주식회사 랩토 아릴 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102099172B1 (ko) 2018-08-21 2020-04-09 (주)랩토 아릴 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102059550B1 (ko) 2018-12-12 2019-12-26 (주)랩토 트리벤즈아졸 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
CN111341920B (zh) * 2018-12-18 2024-01-30 固安鼎材科技有限公司 一种有机电致发光器件
KR102470622B1 (ko) 2019-10-04 2022-11-24 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102417622B1 (ko) 2019-10-31 2022-07-06 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102252493B1 (ko) 2019-12-26 2021-05-14 (주)랩토 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102274482B1 (ko) 2020-01-02 2021-07-07 (주)랩토 헤테로아릴 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102261704B1 (ko) 2020-01-02 2021-06-07 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102256222B1 (ko) 2020-01-21 2021-05-26 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
CN111253319B (zh) * 2020-02-18 2024-02-09 武汉天马微电子有限公司 氮杂环化合物、显示面板以及显示装置
CN111217739A (zh) * 2020-02-19 2020-06-02 烟台显华化工科技有限公司 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件、显示装置
KR20210141825A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 주식회사 랩토 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
US11985846B2 (en) * 2020-05-13 2024-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device including stacked capping layers
KR20210141824A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 주식회사 랩토 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102554038B1 (ko) 2020-05-13 2023-07-11 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102443601B1 (ko) 2020-08-27 2022-09-19 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR20220030385A (ko) 2020-08-28 2022-03-11 주식회사 랩토 안트라센 또는 트라이페닐렌 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102561396B1 (ko) 2020-09-07 2023-08-01 주식회사 랩토 다이아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
CN112038501B (zh) * 2020-09-08 2021-08-10 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种顶发射有机电致发光器件
CN111892587A (zh) * 2020-09-09 2020-11-06 长春海谱润斯科技有限公司 一种杂环有机化合物及其有机发光器件
KR102517277B1 (ko) 2020-09-24 2023-04-04 (주)랩토 시아노기가 치환된 아릴 또는 헤테로아릴 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20220050764A (ko) 2020-10-15 2022-04-25 주식회사 랩토 고굴절 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102517278B1 (ko) 2020-11-12 2023-04-05 주식회사 랩토 트리아진 또는 피리미딘 유도체, 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102460493B1 (ko) 2020-12-04 2022-11-02 (주)랩토 디벤조 5원고리 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102612519B1 (ko) 2021-01-22 2023-12-12 주식회사 랩토 유기화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230020069A (ko) 2021-08-02 2023-02-10 주식회사 랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230026552A (ko) 2021-08-12 2023-02-27 주식회사 랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230025723A (ko) 2021-08-12 2023-02-23 주식회사 랩토 시아노기가 치환된 카바졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230028821A (ko) 2021-08-20 2023-03-03 주식회사 랩토 시아노기가 치환된 헤테로아릴 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230028648A (ko) 2021-08-20 2023-03-02 주식회사 랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
CN117343078A (zh) 2021-11-25 2024-01-05 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
KR20230131993A (ko) 2022-03-07 2023-09-15 주식회사 랩토 카바졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20240013521A (ko) 2022-07-22 2024-01-30 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20240013989A (ko) 2022-07-22 2024-01-31 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201247655A (en) * 2011-04-13 2012-12-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700013B1 (ko) 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
WO2006109493A1 (ja) 2005-03-24 2006-10-19 Kyocera Corporation 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法
JP2007277467A (ja) 2006-04-10 2007-10-25 Sony Chemical & Information Device Corp 硬化性樹脂組成物
KR101431644B1 (ko) 2009-08-10 2014-08-21 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20110058126A (ko) 2009-11-25 2011-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101407587B1 (ko) 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
US9112168B2 (en) * 2011-09-07 2015-08-18 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element, illumination device and display device
WO2013038627A1 (ja) 2011-09-12 2013-03-21 保土谷化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6128117B2 (ja) * 2012-04-24 2017-05-17 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法
KR20140008215A (ko) 2012-07-11 2014-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101740486B1 (ko) * 2012-07-25 2017-05-29 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US8598786B1 (en) 2012-10-23 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus having a hydroxyquinoline-based layer as part of the sealing structure and method of manufacturing the same
KR102051103B1 (ko) 2012-11-07 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201247655A (en) * 2011-04-13 2012-12-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element

Also Published As

Publication number Publication date
US10985340B2 (en) 2021-04-20
KR101788366B1 (ko) 2017-10-20
EP3611771B1 (en) 2022-06-15
US10121987B2 (en) 2018-11-06
KR20160062307A (ko) 2016-06-02
EP3032602B1 (en) 2019-10-30
EP3611771A1 (en) 2020-02-19
CN105633118B (zh) 2020-08-07
CN105633118A (zh) 2016-06-01
EP3032602A2 (en) 2016-06-15
TW201625594A (zh) 2016-07-16
US20160149157A1 (en) 2016-05-26
US20190067628A1 (en) 2019-02-28
EP3032602A3 (en) 2016-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI689505B (zh) 包含具有高折射率之覆蓋層之有機發光二極體顯示器
US20210210733A1 (en) Organic light-emitting diode display device
US11329257B2 (en) Organic light-emitting diode display device including a thin film encapsulation layer
KR101094287B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10476036B2 (en) Organic light emitting diode display device comprising capping layer
TWI719937B (zh) 有機發光二極體顯示器
KR101094298B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102424966B1 (ko) 유기발광 표시장치
US20110121271A1 (en) Organic light emitting diode display
CN105762299A (zh) 有机发光二极管显示装置
JP2011119223A (ja) 有機発光表示装置
KR102640898B1 (ko) 발광다이오드 및 전계발광 표시장치
EP3151301B1 (en) Organic light emitting device
TW201039478A (en) Organic light emitting device
US10103346B2 (en) Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
KR20150082787A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20150138939A (ko) 연성 봉지된 유기발광 다이오드 및 이의 제조방법