TWI719937B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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尹智煥
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

提供一種有機發光二極體顯示器，其包含：基板；以及在基板上的複數個紅色有機發光二極體、綠色有機發光二極體以及藍色有機發光二極體，複數個紅色有機發光二極體、綠色有機發光二極體以及藍色有機發光二極體的每一個係包含：在基板上的第一電極；在第一電極上的有機層；以及在有機層上的第二電極，且有機層係包含在第一電極上的發光輔助層以及在發光輔助層上的有機發光層，且紅色有機發光二極體的每一個的有機層具有約90至110nm的厚度。

Description

有機發光二極體顯示器
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2014年11月07日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2014-0154601號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
本發明之實施例係關於一種包含薄膜有機層的有機發光二極體顯示器。
有機發光二極體顯示器(OLED顯示器)係利用發光的有機發光二極體(OLEDs)顯示影像的自發光型顯示裝置。OLED顯示器表現出優異的性能，例如低耗能、高亮度以及反應速度快，因此作為下一代的顯示裝置受到關注。
OLED通常包含彼此相對的陽極及陰極，且有機層設置在其間。進一步，有機層包含有機發光層。電洞及電子係分別自陽極及陰極供給至有機發光層，接著在其中互相結合以形成激子。OLED藉由當激子自受激態落至基態時所產生的能量而發光。
微腔可被用以更有效率地萃取自有機發光層產生的光，因而改善亮度效率。微腔是利用其中當光被反覆地反射於以預定距離(即，光徑長度)彼此隔開的反射層(例如，陽極電極)及半透射層(例如，陰極電極)的原理，較強的干擾效果發生在反射光之間，以使預定波長的光被放大且使其他波長的光被抵銷。因而，改善OLED顯示器的前方顏色的再現性與亮度。
為了實現微腔效果，紅色、綠色以及藍色OLED的陽極與陰極之間的距離分別根據紅色、綠色以及藍色的波長定義，且設置在陽極與陰極之間的有機層的厚度也根據分別的波長定義。然而，當為了達到微腔效果而形成較厚的有機層時，需要較多的有機材料，因而增加OLED顯示器的製造成本。
應理解的是，此技術背景的部分係旨在用於提供理解本文所揭露的技術的有用背景，且此技術背景部分可包含構想、概念或認知，其不為對應揭露於本文的專利標的的有效申請日之前為此技術領域具有通常知識者已知或已理解的部分。
本發明的實施例之態樣係針對一種包含具有減少的(例如，較薄)厚度的有機層之有機發光二極體顯示器，因而減少製造成本。
根據本發明的實施例，有機發光二極體顯示器包含：基板；以及在基板上的複數個紅色有機發光二極體、綠色有機發光二極體以及藍色有機發光二極體，複數個紅色有機發光二極體、綠色有機發光二極體以及藍色有機發光二極體的每一個係包含：在基板上的第一電極；在第一電極上的有機層；以及在有機層上的第二電極，且有機層包含在第一電極上的發光輔助層及在發光輔助層上的有機發光層，且紅色有機發光二極體的每一個有機層具有約90至110nm的厚度。
紅色有機發光二極體的每一個之發光輔助層可具有約10mn或以下的厚度。
紅色有機發光二極體的每一個之有機發光層可具有約30至40nm的厚度。
綠色有機發光二極體的每一個之發光輔助層可具有約100至120nm的厚度。
綠色有機發光二極體的每一個之有機發光層可具有約30至40nm的厚度。
藍色有機發光二極體的每一個之發光輔助層可具有約80至100nm的厚度。
藍色有機發光二極體的每一個之有機發光層可具有約20至30nm的厚度。
有機層可進一步包含在第一電極與發光輔助層之間的電洞傳遞層及電洞注入層之至少之一。
電洞傳遞層可具有約30至40nm的厚度。
有機層可進一步包含在有機發光層與第二電極之間的電子傳遞層及電子注入層之至少之一。
有機發光二極體顯示器可進一步包含在第二電極上的覆蓋層。
覆蓋層可具有約70至120nm的厚度。
綠色有機發光二極體的每一個之有機層可具有約80至100nm的厚度。
綠色有機發光二極體的每一個之發光輔助層可具有約10至20nm的厚度。
綠色有機發光二極體的每一個之有機發光層可具有約30至40nm的厚度。
有機層可進一步包含在第一電極與發光輔助層之間的電洞傳遞層，電洞傳遞層具有約10至20nm的厚度。
藍色有機發光二極體的每一個之有機層可具有約60至70nm的厚度。
藍色有機發光二極體的每一個之發光輔助層可具有約10nm或以下的厚度。
藍色有機發光二極體的每一個之有機發光層可具有約10至20nm的厚度。
有機層可進一步包含在第一電極與發光輔助層之間的電洞傳遞層，且電洞傳遞層可具有約10至20nm的厚度。
根據本發明的實施例，有機發光二極體顯示器包含具有減少的(例如，較薄)厚度的有機層，使得有機發光二極體顯示器的製造成本可減少。
上述發明僅是說明性的，且並不旨在以任何方式進行限制。除了上述說明性的態樣、實施例、及特徵，進一步的態樣、實施例、及特徵將藉由參考圖式及以下的詳細說明而變得顯而易見。
下文中，例示性實施例將參照附圖更詳細描述，在全文中相似參考符號可指相似元件。然而，本發明可以各種不同形式實施，且不應理解為僅限制於本文所闡述的實施例。相反的，這些實施例係提供為示例以使得本揭露將徹底及完整，且將充分傳達本發明之態樣及特性給所屬技術領域中具有通常知識者。因而，對所屬技術領域具有通常知識者而言針對完全理解本發明之態樣及特性所不需要的製程、元件以及技術可不描述。除非另有說明，否則在全文附圖與說明書中，相似的參考符號表示相似的元件，且因此其說明將不被重複。在圖式中，為了更好地描述本發明的實施例以及清楚起見可簡化或誇大元件、層及區域等的相對尺寸。在實際產品中存在的其他元件可被省略。因此，圖式係旨在助於理解本發明。
在此使用的所有用語僅用於描述本發明的實施例，並且可以根據相關領域和實施者的意圖進行修改。因此，在此使用的術語應該被解釋為具有與其在本揭露的語境中的涵義相符的涵義，且不旨在限制本發明。
將被理解的是，儘管用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等可使用於本文以描述各種元件、構件、區域、層及/或部分，這些元件、構件、區域、層及/或部分不應該被這些用語所限制。這些用詞僅用來區分一個元件、構件、區域、層及/或部分與另一個元件、構件、區域、層及/或部分。因此，如下所述之第一元件、構件、區域、層或部分可稱為第二元件、構件、區域、層或部分，而不脫離本發明的精神和範圍。
空間相關的用語，例如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「下面(under)」、「上方(above)」、「上部(upper)」以及其他相似用語，可為了說明方便用於本文中以描述圖式中所繪示之元件或特徵與另一元件或特徵的關係。應理解的是，除了圖式中描繪的方位之外，空間相關的用語旨在包含使用或操作中裝置之不同方位。例如，若將圖式中的裝置翻轉，描述在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」或「下面(under)」的元件將被轉向為在其他元件或特徵的「上方(above)」。因此，例示性用語「下方(below)」及「下面(under)」可同時包含上方與下方的方向。裝置可轉向其他方位(例如，旋轉90度或其他方位)，而在此使用的空間相關描述用語應據此作相對應的解釋。
將理解的是，當元件或層被指為「上(on)」、「連接(connected to)」或「耦接(coupled to)」至另一元件或另一層時，其可以是直接在另一元件或另一層上或直接連接或直接耦接至另一元件或另一層，或者可能有一或多個中介元件或中介層的存在。此外，將理解的是，當元件或層被指為在兩個元件或兩層「之間 (between)」時，其可為於兩個元件或兩層之間的唯一元件或唯一層，或亦可存在一個或多個中間元件或中介層。
在此所用之詞語係僅為描述特定實施例之目的而非旨在用於限制本發明。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則「一(a)」、「一(an)」之單數型式亦旨在包含複數型式。更將理解的是，當用語「包括(comprises)」、「包括(comprising)」「包含(includes)」及「包含(including)」用於說明書中時，係指明所述特性、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但是不排除一或更多其他特性、整數、步驟、操作、元件、構件及/或及其群組的存在或增添。如本文所使用之術語「與/或(and/or)」係包含一個或多個相關所列舉之項目的任何與所有的組合。當表達式如「至少一個(at least one of)」置於一列表元件前時，係修改整個列表的元件而非修改列表中的單一元件。
如本文使用的用語「實質上(substantially)」、「約(about)」及相似用語係用於作為近似的用語而不是作為程度的用語，且旨在計入測量值或計算值的固有偏差，其將為所屬技術領域之通常知識者所認知。 進一步，當描述本發明的實施例時，「可(may)」的使用意指「本發明的一或多個實施例」。如本文所使用的用語「使用(use)」、「使用(using)」以及「使用(used)」可分別被認為與用語「利用(utilize)」、「利用(utilizing)」以及「利用(utilized)」為同義。並且，用語「例示性(exemplary)」意指為表示例子或說明。
除非另有定義，否則本文所用之所有用詞(包含技術與科學用詞)具有與本發明所屬技術領域之通常知識者所通常理解的相同含義。將進一步理解的是，諸如那些定義於常用字典內之用詞，應被解釋為具有與其在相關技術及/或說明書的語境中相符之意義，且除非明確地於此定義，否則將不應以理想化或過於正式的意義解釋。
根據本文所述的本發明的實施例之OLED顯示器、驅動電路及/或任何其他相關裝置或構件可利用任何合適的硬體、韌體(例如，特定應用積體電路)、軟體，或軟體、韌體及硬體合適地併用來實現。例如，OLED顯示器的各種構件可形成在積體電路(IC) 晶片上或在分離IC晶片上。進一步，OLED顯示器的各種構件可在可撓性印刷電路薄膜、捲帶載體包裝(TCP)、印刷電路板(PCB)上實現，或與另一個形成在相同基板上。進一步，OLED顯示器的各種構件可為在一或多個處理器上、在一或多個計算裝置運行的程序或線程、執行電腦程序指令和與用於執行本文所述的各種功能性的其他系統構件交互作用。電腦程序指令儲存在記憶體，其可利用標準記憶體裝置，例如隨機存取記憶體(RAM)等的計算裝置執行。電腦程序指令也可儲存在其他非暫時電腦可讀媒體，例如CD-ROM、快閃裝置或類似物等。另外，本發明所屬技術領域之通常知識者應認識到各種計算裝置的功能性可被組合或集成到單一計算裝置，或特定計算裝置的功能性可被分布在一或多個其他計算裝置而不背離本發明之例示性實施例的範疇。
下文中，將參照第1圖至第3圖描述本發明之第一實施例。
第1圖係根據本發明之實施例的有機發光二極體顯示器(下文為OLED顯示器)之平面圖。第2圖係沿著第1圖的I-I'線所截取之橫向截面圖。
參照第1圖及第2圖，根據本發明之實施例的OLED顯示器101包含第一基板110、驅動電路單元130、有機發光二極體(下文為OLED)200以及覆蓋層(CPL)310。
第一基板110可由選自玻璃、石英、陶瓷、塑膠等的群組之絕緣性材料製造，但不限於此。在部分實施例中，第一基板110可由例如不銹鋼等金屬材料製造。
緩衝層120設置於第一基板110上。緩衝層120可包含選自多種的無機層及有機層的一或多個層。根據實施例，緩衝層120配置成防止或更有效地降低不良要素的滲入，例如雜質及濕氣進入驅動電路單元130及OLED 200，以及平面化第一基板110的表面。然而，緩衝層120並非總是需要，在部分實施例中可被省略。
驅動電路單元130設置在緩衝層120上。驅動電路單元130包含開關薄膜電晶體(下文為TFT)10、驅動TFT20以及電容器80，且配置以驅動OLED 200。OLED 200根據自驅動電路單元130施加的驅動訊號發光以顯示影像。
第1圖及第2圖顯示具有2Tr-1Cap結構的主動矩陣(AM)型OLED顯示器101，其在每個像素中包含兩個TFT10及20以及電容器80，但本發明之實施例不限於此。在部分實施例中，OLED顯示器101可在一個像素中具有包含三個或多個TFT及兩個或多個電容器的許多不同結構，且可進一步包含額外的線路。在此，用語「像素(pixel)」指為用於顯示影像的最小單元，且OLED顯示器101利用複數個像素顯示影像。
每一個像素包含開關TFT10、驅動TFT20、電容器80以及OLED 200。此外，沿著一方向排列之閘極線151以及自閘極線151絕緣且相交的數據線171及共用電源線172也設置在驅動電路單元130上。在此，每一個像素可藉由閘極線151、數據線171以及共用電源線172定義，但不限於此。在部分實施例中，像素可藉由像素定義層及/或黑色矩陣定義。
OLED 200包含第一電極210、形成在第一電極210上的有機層230以及形成在有機層230上的第二電極250。有機層230包含有機發光層233(參照第3圖)。電洞及電子分別自第一電極210及第二電極250注入至有機發光層233。電洞及電子彼此結合以形成激子，且OLED藉由當激子自受激態落至基態時所產生的能量而發光。
電容器80包含一對電容器板158及178，其具有插入在其之間的層間絕緣層145。在此，層間絕緣層145可為介電質。電容器80的電容值可藉由儲存在電容器80的電荷改變及橫跨一對電容器板158及178的電壓定義。
開關TFT10包含開關半導體層131、開關閘極電極152、開關源極電極173以及開關汲極電極174。驅動TFT20包含驅動半導體層132、驅動閘極電極155、驅動源極電極176以及驅動汲極電極177。半導體層131及132與閘極電極152及155藉由閘極絕緣層140絕緣。
開關TFT10係作用為選擇像素以執行發光的開關元件。開關閘極電極152連接至閘極線151且開關源極電極173連接至數據線171。開關汲極電極174與開關源極電極173間隔且連接至一電容器板158。
驅動TFT20將使在被選擇的像素中的OLED 200的有機發光層233發光的驅動電源施加至作為像素電極的第一電極210。驅動閘極電極155連接至一電容器板158，其連接至開關汲極電極174。驅動源極電極176及另一電容器板178分別連接至共用電源線172。驅動汲極電極177通過接觸孔連接至作為OLED 200的像素電極的第一電極210。在部分實施例中，平坦化層146可進一步設置在驅動源極電極176與驅動汲極電極177上，或設置在開關源極電極173與開關汲極電極174上。
根據具有上結構的實施例，開關TFT10藉由施加至閘極線151的閘極電壓運作且作用以傳送施加至數據線171的數據電壓至驅動TFT20。相當於自共用電源線172施加至驅動TFT20的共用電壓與藉由(或自)開關TFT10傳送的數據電壓之間的差的電壓係儲存在電容器80中，且對應儲存在電容器80中的電壓的電流經由驅動TFT20流至OLED 200，而可使OLED 200發光。
根據實施例，第一電極210係作為電洞注入電極的陽極且第二電極250係作為電子注入電極的陰極。然而，本發明之實施例不限於此，因此第一電極210可作用為陰極，且第二電極250可作用為陽極。
根據實施例，第一電極210形成反射層且第二電極250形成半透射層。因此，自有機發光層233產生的光可通過第二電極250而發射。亦即，根據本發明之實施例的OLED顯示器101可具有頂部發射型結構。
像素定義層190具有孔洞。第一電極210的部分通過像素定義層190的孔洞露出。第一電極210、有機層230以及第二電極250在像素定義層190的孔洞依序層疊。第二電極250也設置在像素定義層190上。進一步，有機層230的至少一部分設置在像素定義層190上(及/或與像素定義層190接觸)。因此，像素定義層190可定義發光區域。
覆蓋層310設置在第二電極250上。覆蓋層310配置成保護OLED 200並且也允許自有機層230產生的光更有效率地向外釋放。
儘管未示出，薄膜封裝層可進一步設置在覆蓋層310上，用於保護OLED 200。薄膜封裝層可具有交替設置的至少一有機層和至少一無機層的結構，因而防止外部空氣(例如，濕氣或氧氣)滲入至OLED 200。
進一步，封裝基板可設置在第二電極250上且與第二電極250間隔。封裝基板可由透明材料，例如石英、玻璃、陶瓷及塑膠製造。封裝基板可被接合至基板110且覆蓋OLED 200。
第3圖係在第2圖所示之OLED顯示器101之示意圖。
根據本發明之實施例的OLED顯示器101包含紅色OLED 200R、綠色OLED 200G及藍色OLED 200B。
紅色OLED 200R、綠色OLED 200G及藍色OLED 200B包含在基板110上的第一電極210、在第一電極210上的有機層230以及在有機層230上的第二電極250。有機層230包含在第一電極210上的發光輔助層232及在發光輔助層232上的有機發光層233。進一步，有機層230包含在第一電極210與發光輔助層232之間的電洞傳遞層(HTL)231及在有機發光層233與第二電極250之間的電子傳遞層(ETL)234。
在第3圖的OLED 200R、200G及200B中，第一電極210、發光輔助層232及有機發光層233係分別形成以用於對應OLED 200R、200G及200B的每一個。反之，電洞傳遞層231、電子傳遞層234及第二電極250係一體地層疊以用於全部的OLED 200R、200G及200B。
根據實施例，第一電極係為包含反射層211的反射電極。更詳細而言，第一電極210包含含有鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、銅(Cu)及鋁(Al)的至少一種金屬的反射層211，以及在反射層211上的透明導電層212。
透明導電層212可包含透明導電氧化物(TCO)，亦即，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)、鋁鋅氧化物(AZO)及銦氧化物(In2 O3 )的至少一種。透明導電層212可具有相對較高的功函數。當第一電極包210包含透明導電層212時，通過第一電極210的電洞注入可更有效率地進行。在此，透明導電層212的上表面212a係為第一電極210的上表面。
反射層211可具有約50至100nm的厚度。透明導電層212可具有約2至10nm的厚度，例如，厚度約5nm。
進一步，第一電極210可具有依序層疊透明導電層、反射層及透明導電層的三層結構。
第二電極250可由含有鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、銅(Cu)及鋁(Al)的一或多種金屬的半透射層形成。第二金屬250可具有約5至20nm的厚度。在部分實施例中，第二電極250在考慮到對於薄元件及電子施加功能的趨勢下，可具有約10至15nm的厚度。
自有機發光層233發出的光可通過第二電極250，但也可自第二電極250的下表面251反射。因此，自有機發光層233發出的光可在反射層211的上表面211a與第二電極250的下表面251之間重複反射。
發光輔助層232R(或R’)、232G(或G’)及232B(或B’)可包含電洞傳遞材料且可由與電洞傳遞層231以相同的材料製造。進一步，紅色OLED 200R、綠色OLED 200G及藍色OLED 200B的發光輔助層232R、232G及232B可由相同的材料製造。
例如，發光輔助層232R、232G及232B可包含選自N,N-二萘基-N,N’-二苯基聯苯胺(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine, NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基) -聯苯胺(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)- benzidine, TPD)、s-TAD及4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-胺)-三苯胺(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-Nphenyl-amino)- triphenylamine, MTDATA)組成的群組的一或多個電洞傳遞材料。
進一步，發光輔助層232可包含選自N,N-二萘基-N,N’-二苯基聯苯胺(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine, NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基) -聯苯胺(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)- benzidine, TPD)、s-TAD及4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-胺)-三苯胺(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-Nphenyl-amino)- triphenylamine, MTDATA) 所組成的群組的一或多個電洞傳遞材料以及在電洞傳遞材料上摻雜之p型摻雜劑。可利用本發明所屬技術領域中具有通常知識者所使用及已知的任何p型摻雜劑作為p型摻雜劑。
電子傳遞層234可由任何電子傳遞材料製造。
雖然未示出，但是有機層230可進一步包含在第一電極210與電洞傳遞層231之間的電洞注入層，或可僅包含電洞注入層來替代電洞傳遞層231。進一步，有機層230可進一步包含在電子傳遞層234與第二電極250之間的電子注入層，或可僅包含電子注入層來替代電子傳遞層234(未圖示)。
OLED 200及OLED顯示器101具有多層層疊結構，且自有機發光層233發出的大部分的光可能無法通過多層層疊結構且可能無法向外釋放。因而，在OLED顯示器中可能致使光衰減。
根據實施例，為了允許自有機發光層233發出的光更有效率地向外釋放，精細共振結構被施加至OLED 200。當光在包含反射層211的第一電極210與即為半透射層的第二電極250之間重複反射時，對應反射距離的光的波長(例如，預定波長)被放大且使其他波長的光被抵銷。在此情況下，被放大的光可通過即為半透射層的第二電極250向外釋放。
第6圖係為在OLED中所致使之共振之概略圖。
如第6圖所示，光的共振可發生於第一電極210的反射層211與第二電極250之間。因而，發生在OLED的第一電極210與第二電極250之間的共振被稱為內部共振。
進一步，當在覆蓋層310與在覆蓋層上的材料之間的反射率差變大時，覆蓋層310的上表面311作用為半透射層。因而，光在第一電極210的反射層211與覆蓋層310的上表面311之間重複反射，因而致使光共振。
為了致使共振，在反射層211的上表面211a與第二電極250的下表面251之間的距離t1及在反射層211的上表面211a與覆蓋層310的上表面311之間的距離t2可對應各自的顏色調整。
在此，在反射層211的上表面211a與第二電極250的下表面251之間的距離t1將被稱為在反射層211與第二電極250之間的距離t1。
第7圖係為紅色OLED的光穿透率之圖表。在第7圖中顯示根據第一電極210的反射層211與第二電極250之間的距離t1，發出的紅光穿過OLED的相對穿透率(a.u.)。假設未使用共振結構時，穿透率為100，紅光的相對穿透率(a.u.)意指與100的穿透率相比的相對穿透率。
參照第7圖，當在反射層211與第二電極250之間的距離t1為約105nm、260nm以及440nm時，紅光穿過OLED 200的穿透率具有波峰R1、R2及R3。更詳細而言，當在反射層211與第二電極250之間的距離t1為約105nm時，出現第一波峰R1，當距離t1為約260nm時，出現第二波峰R2，且當距離t1為約440nm時，出現第三波峰R3。在此，第一、第二及第三波峰R1、R2及R3對應第一、第二及第三共振。
形成OLED的每一層可具有大於可適用於每一個對應功能的最小厚度的厚度。在考慮到最小厚度及薄膜製程的有效性下，OLED通常被設計成使第二共振發生在第一電極210的反射層211與第二電極250之間。因而，紅色OLED可通常被設計成在第一電極210的反射層211與第二電極250之間的距離t1為約260nm。
反之，根據本發明之實施例的OLED顯示器101可具有紅光經受在紅色OLED 200R的反射層211與第二電極250之間的第一共振的結構。
為了此目的，根據本發明之實施例的紅色OLED 200R可在反射層211與第二電極250之間的距離設計成約95至115nm。
同時，設置在第一電極210的反射層211上的透明導電層212可具有約2至10nm的厚度，亦即，例如約5nm。因而，設置在紅色OLED 200R的第一電極210與第二電極250之間的有機層230可具有約90至110nm的厚度。例如，設置在紅色OLED 200R的第一電極210與第二電極250之間的有機層230可具有約95至105nm的厚度，亦即，例如約100nm。
參照第3圖，有機層230的厚度對應第一電極210與第二電極250之間的距離，更詳細而言，亦即在透明導電層212的上表面212a與第二電極250的下表面251之間的距離。
在一實施例中，紅色有機發光層233R(或R)具有約30至40nm的厚度。當具有約30至40nm的厚度時，紅色有機發光層233R(或R)可發光。
在一實施例中，紅色OLED 200R的發光輔助層232R(或R')具有小於10nm的厚度，例如約2至10nm。當形成有機層230的其他層的厚度變化時，發光輔助層232的厚度也可變化。發光輔助層232配置成傳遞電洞至有機發光層233且調整有機層230的厚度。
當將OLED 200相應地設計成在第一電極210的反射層211與第二電極250之間致使第一共振時，與在第一電極210的反射層211與第二電極250之間發生第二共振的情況相比，可減少用於製造有機層230的有機材料的量。因此，可減少OLED顯示器101的製造成本。
根據本發明之實施例，綠色OLED 200G及藍色OLED 200B可被設計成在第一電極210的反射層211與第二電極250之間發生第二共振。
根據實施例，在綠色及藍色OLED的情況中，當第一電極210的反射層211與第二電極250之間的距離t1分別為約225nm及185nm時，發生第二共振。因此，在根據本發明之實施例的OLED顯示器101中，綠色及藍色OLED在第一電極210的反射層211與第二電極250之間的距離分別可被設計成約225nm及185nm。當考慮透明導電層212可具有約5nm的厚度時，綠色及藍色OLED的有機層230可分別具有約220nm及180nm的厚度。
在一實施例中，綠色OLED 200G的發光輔助層232G(或G')具有約100至120nm的厚度，且綠色有機發光層233G(或G)具有約30至40nm的厚度。
在一實施例中，藍色OLED 200B的發光輔助層232B(或B')具有約80至100nm的厚度，且藍色有機發光層233B(或B)具有約20至30nm的厚度。
在一實施例中，為共用層之電洞傳遞層231具有約30至40nm的厚度。
進一步，根據本發明之實施例，覆蓋層310的上表面311可作用為半透射層。因此，OLED可設計成也可在第一電極210的反射層211與覆蓋層310的上表面311之間發生共振，因而改善OLED顯示器101的光萃取效率。
在紅色OLED 200R中，當反射層211的上表面211a與覆蓋層310的上表面311之間的距離t2係約兩倍於反射層211的上表面211a與第二電極250之間的距離t1時，紅光可經受共振。為了此目的，覆蓋層310可具有約70至120nm的厚度。然而，覆蓋層310的厚度係不限於此。
覆蓋層310可包含選自三-8-羥基喹啉-鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)、ZnSe、2,5-雙(6'-(2',2”-聯砒啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(2,5-bis(6'-(2',2"-bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole)、4' -雙[N-(1-萘基)-N-苯基-胺基] 聯苯(4'-bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amion] biphenyl, α-NPD)、N,N'-二苯基- N,N'-雙(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, TPD)以及1,1'-雙[(二-4-甲苯基胺基苯基]環己烷(1,1'-bis (di-4-tolylaminophenyl) cyclohexane, TAPC)所組成的群組中的至少一個。
通常，形成覆蓋層的材料與用於形成OLED 200的有機層230的材料相比較便宜。因此，藉由減少第一電極210與第二電極250之間的距離來減少較高成本的有機材料所需的量，且進一步調整由較低成本材料製造的覆蓋層310的厚度，而能在第一電極210的反射層211與覆蓋層310的上表面311之間致使共振。
在下文中，將參照第4圖描述本發明之另一實施例。第4圖係根據本發明之實施例的OLED顯示器102之示意圖。前述實施例的上述元件將被省略，以避免重複。
根據本發明之實施例的OLED顯示器102具有其中綠光經受在綠色OLED 200G內部的第一共振的結構。亦即，綠光的第一共振發生在綠色OLED 200G的反射層211與第二電極250之間。
為了此目的，根據本發明之實施例的綠色OLED 200G的有機層230具有約80至100nm的厚度。例如，綠色OLED 200G的有機層230可具有約80至90nm的厚度，例如約85nm。
進一步，在一實施例中的綠色OLED 200G的發光輔助層232G(或G')具有約10至20nm的厚度，且綠色有機發光層233G(或G)具有約30至40nm的厚度。
電洞傳遞層231係一體地層疊以用於紅色、綠色及藍色OLED 200R、200G及200B且可具有約10至20nm的厚度。
電洞傳遞層231的厚度為可變化的。
當根據本發明之實施例的OLED顯示器102的電洞傳遞層231具有約10至20nm的厚度時，紅色OLED 200R的發光輔助層232R(或R')可具有約20至30nm的厚度，且藍色OLED 200B的發光輔助層232B(或B')可具有約100至120nm的厚度。
為了在第一電極210的反射層211與覆蓋層310的上表面311之間致使共振，可調整覆蓋層310的厚度。在部分實施例中，根據本發明之實施例的OLED顯示器102的覆蓋層310可具有約70至120nm的厚度。
在下文中，將參照第5圖描述本發明之另一實施例。第5圖係根據本發明之實施例的OLED顯示器之示意圖。前述實施例的上述元件將被省略，以避免重複。
根據本發明之實施例的OLED顯示器103具有其中藍光經受在藍色OLED 200B內部的第一共振的結構。亦即，藍光的第一共振發生在藍色OLED 200B的反射層211與第二電極250之間。
為了此目的，根據本發明之實施例的藍色OLED 200B的有機層230具有約60至70nm的厚度。例如，藍色OLED 200B的有機層230可具有約60至65nm的厚度。
進一步，藍色OLED 200B的發光輔助層232B可具有約10nm或以下的厚度，例如為約2至10nm。在一實施例中，藍色有機發光層233B(或B)具有約10至20nm的厚度。在此情況下，電洞傳遞層231可具有約10至20nm的厚度。
進一步， 為了固定在第一電極210與覆蓋層310的上表面311之間的共振距離，可調整覆蓋層310的厚度。在部分實施例中，覆蓋層可具有約70至120nm的厚度。
自前述，將理解的是，為了說明目的在此已描述根據本揭露的各種實施例，且藉由所屬技術領域中具有通常知識者理解的是，在未脫離如以下申請專利範圍及其等效物所述之本發明之範疇與精神下，可進行各種修改。此外，在此所揭露之實施例之 任何及所有特徵可與如所屬技術領域中具有通常知識者所知的任何適合方法結合。因而，在此所揭露之各種實施例並非意在用於限制本教示之實際範圍與精神。
10‧‧‧開關薄膜電晶體 101、102、103‧‧‧有機發光二極體顯示器 110‧‧‧基板 120‧‧‧緩衝層 130‧‧‧驅動電路單元 131‧‧‧開關半導體層 132‧‧‧驅動半導體層 140‧‧‧閘極絕緣層 145‧‧‧層間絕緣層 146‧‧‧平坦化層 151‧‧‧閘極線 152‧‧‧開關閘極電極 155‧‧‧驅動閘極電極 158、178‧‧‧電容器板 171‧‧‧數據線 172‧‧‧共用電源線 173‧‧‧開關源極電極 174‧‧‧開關汲極電極 176‧‧‧驅動源極電極 177‧‧‧驅動汲極電極 190‧‧‧像素定義層 20‧‧‧驅動薄膜電晶體 200‧‧‧有機發光二極體 200B‧‧‧藍色有機發光二極體 200G‧‧‧綠色有機發光二極體 200R‧‧‧紅色有機發光二極體 210‧‧‧第一電極 211‧‧‧反射層 211a、212a、311‧‧‧上表面 212‧‧‧透明導電層 230‧‧‧有機層 231‧‧‧電洞傳遞層 232、232B、B’、232G、G’、232R、R’‧‧‧發光輔助層 233‧‧‧有機發光層 233B、B‧‧‧藍色有機發光層 233G、G‧‧‧綠色有機發光層 233R、R‧‧‧紅色有機發光層 234‧‧‧電子傳遞層 250‧‧‧第二電極 251‧‧‧下表面 310‧‧‧覆蓋層 80‧‧‧電容器 R1‧‧‧第一波峰 R2‧‧‧第二波峰 R3‧‧‧第三波峰 t1、t2‧‧‧距離
本發明揭露之上述及其他特徵與態樣將藉由搭配附圖之下列詳細描述而變得更顯而易見，其中：
第1圖係根據本發明之實施例的有機發光二極體顯示器(OLED顯示器)之平面圖；
第2圖係沿著第1圖的I-I'線之橫向截面圖；
第3圖係在第2圖所示之OLED顯示器之示意圖；
第4圖係根據本發明之另一實施例的OLED顯示器之示意圖；
第5圖係根據本發明之又一實施例的OLED顯示器之示意圖；
第6圖係為有機發光二極體(OLED)中所致使之共振之概略圖；以及
第7圖係為紅色OLED的光穿透率之圖表。
101‧‧‧有機發光二極體顯示器
200B‧‧‧藍色有機發光二極體
200G‧‧‧綠色有機發光二極體
200R‧‧‧紅色有機發光二極體
210‧‧‧第一電極
211‧‧‧反射層
211a、212a、311‧‧‧上表面
212‧‧‧透明導電層
230‧‧‧有機層
231‧‧‧電洞傳遞層
232、232B、B’、232G、G’、232R、R’‧‧‧發光輔助層
233‧‧‧有機發光層
233B、B‧‧‧藍色有機發光層
233G、G‧‧‧綠色有機發光層
233R、R‧‧‧紅色有機發光層
234‧‧‧電子傳遞層
250‧‧‧第二電極
251‧‧‧下表面
310‧‧‧覆蓋層

Claims (18)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一基板；以及複數個紅色有機發光二極體、複數個綠色有機發光二極體以及複數個藍色有機發光二極體，係在該基板上，該複數個紅色有機發光二極體、該複數個綠色有機發光二極體以及該複數個藍色有機發光二極體的每一個係包含：一第一電極，係在該基板上；一有機層，係在該第一電極上；一第二電極，係在該有機層上，以及一覆蓋層，係在該第二電極上，其中，該有機層係包含在該第一電極上的一發光輔助層以及在該發光輔助層上的一有機發光層，以及其中該紅色有機發光二極體的每一個之該有機層具有約90至110nm的厚度；其中至少一個該紅色有機發光二極體、至少一個該綠色有機發光二極體以及至少一個該藍色有機發光二極體的該第二電極係一體地層疊為連續的層，且該第二電極具有10至15nm的厚度；其中該複數個紅色有機發光二極體中的每一個的該第一電極的一反射層的上表面至該第二電極的下表面的距離對應於該複數個紅色有機發光二極體中的每一個的紅光的一第一共振； 其中該第一電極的該反射層的上表面與該複數個紅色有機發光二極體中的每一個的該覆蓋層的上表面之間的距離對應於該複數個紅色有機發光二極體中的每一個的紅光的一第二共振；其中該藍色有機發光二極體的每一個之該有機層具有約60至65nm的厚度；以及其中該複數個藍色有機發光二極體中的每一個的該第一電極的一反射層的上表面至該第二電極的下表面的距離對應於該複數個藍色有機發光二極體中的每一個的藍光的一第一共振。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該紅色有機發光二極體的每一個的該發光輔助層具有約10nm或小於10nm的厚度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該紅色有機發光二極體的每一個的該有機發光層具有約30至40nm的厚度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該綠色有機發光二極體的每一個的該發光輔助層具有約100至120nm的厚度。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其中該綠色有機發光二極體的每一個的該有機發光層具有約30至40nm的厚度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該藍色有機發光二極體的每一個的該發光輔助層具有約80至 100nm的厚度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器，其中該藍色有機發光二極體的每一個的該有機發光層具有約20至30nm的厚度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該有機層進一步包含在該第一電極與該發光輔助層之間的一電洞傳遞層及一電洞注入層之至少之一。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示器，其中該電洞傳遞層具有約30至40nm的厚度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該有機層進一步包含在該有機發光層與該第二電極之間的一電子傳遞層與一電子注入層之至少之一。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該覆蓋層具有約70至120nm的厚度。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該綠色有機發光二極體的每一個的該有機層具有約80至100nm的厚度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，其中該綠色有機發光二極體的每一個的該發光輔助層具有約10至20nm的厚度。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，其中該綠色有機發光二極體的每一個的該有機發光層具有約30至40nm的厚度。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，其中該有機層進一步包含在該第一電極與該發光輔助層之間的一電洞傳遞層，且該電洞傳遞層具有約10至20nm的厚度。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該藍色有機發光二極體的每一個的該發光輔助層具有約10nm或10nm以下的厚度。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該藍色有機發光二極體的每一個的該有機發光層具有約10至20nm的厚度。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該有機層進一步包含在該第一電極與該發光輔助層之間的一電洞傳遞層，且該電洞傳遞層具有約10至20nm的厚度。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102333934B1 (ko) * 2015-07-29 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
CN105428392A (zh) * 2015-12-31 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示装置及其制备方法
US10811636B2 (en) 2016-11-10 2020-10-20 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
US10461139B2 (en) 2016-11-10 2019-10-29 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
KR20180099168A (ko) * 2017-02-28 2018-09-05 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN109564982B (zh) 2017-03-30 2021-02-09 株式会社Lg化学 有机发光器件
CN107170779A (zh) * 2017-05-12 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及显示装置
KR102421769B1 (ko) * 2017-11-13 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치
CN111710795A (zh) * 2020-06-08 2020-09-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光器件、显示面板及其制备方法
CN111710796A (zh) * 2020-06-08 2020-09-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光器件、显示面板及制备方法
US11696501B2 (en) 2020-10-26 2023-07-04 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
US11963445B2 (en) 2020-10-26 2024-04-16 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
US20230225206A1 (en) 2020-10-26 2023-07-13 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
US11690292B2 (en) 2020-10-26 2023-06-27 Duk San Neolux Co., Ltd. Organic electronic element comprising a compound for organic electronic element and an electronic device thereof
US11063226B1 (en) * 2020-10-26 2021-07-13 Duk San Neolux Co., Ltd. Organic electronic element comprising compound for organic electronic element and an electronic device thereof
US11925116B2 (en) 2020-10-26 2024-03-05 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
US11991929B2 (en) 2020-10-26 2024-05-21 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
US11785847B2 (en) 2020-10-26 2023-10-10 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
US12102004B2 (en) 2020-10-26 2024-09-24 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
US11985894B2 (en) 2020-10-26 2024-05-14 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
CN115117268A (zh) * 2021-03-19 2022-09-27 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置
CN113871431A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和移动终端

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080054797A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element array
US20110140139A1 (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JP2012038555A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
TW201218855A (en) * 2010-10-25 2012-05-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light emitting display device
US20140117315A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004178930A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Sony Corp 発光素子およびこれを用いた表示装置
JP2004355975A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Sony Corp 表示装置の製造方法
US6917159B2 (en) 2003-08-14 2005-07-12 Eastman Kodak Company Microcavity OLED device
US7030553B2 (en) * 2003-08-19 2006-04-18 Eastman Kodak Company OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel
TWI255669B (en) 2003-09-19 2006-05-21 Sony Corp Display device, manufacturing method thereof, organic light emitting device, and manufacturing method thereof
US7075161B2 (en) * 2003-10-23 2006-07-11 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for making a low capacitance artificial nanopore
JP2006253015A (ja) 2005-03-11 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスカラー発光装置
JP2008027722A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4450051B2 (ja) * 2007-11-13 2010-04-14 ソニー株式会社 表示装置
US7855153B2 (en) * 2008-02-08 2010-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7825581B2 (en) * 2008-02-12 2010-11-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US8426728B2 (en) * 2009-06-12 2013-04-23 Honeywell International Inc. Quantum dot solar cells
JP5016730B2 (ja) 2009-07-28 2012-09-05 パイオニア株式会社 発光素子及び表示装置
JP5783780B2 (ja) * 2010-06-03 2015-09-24 キヤノン株式会社 表示装置
KR101866390B1 (ko) 2011-09-20 2018-06-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101866393B1 (ko) * 2011-12-30 2018-06-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102016068B1 (ko) * 2012-11-30 2019-08-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101980758B1 (ko) * 2012-12-14 2019-08-28 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102016072B1 (ko) * 2012-12-28 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102141918B1 (ko) * 2013-12-31 2020-08-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102106146B1 (ko) * 2013-12-31 2020-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102098139B1 (ko) * 2013-12-31 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080054797A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element array
US20110140139A1 (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JP2012038555A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
TW201218855A (en) * 2010-10-25 2012-05-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light emitting display device
US20140117315A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

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