CN115117268A - 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115117268A
CN115117268A CN202110294954.8A CN202110294954A CN115117268A CN 115117268 A CN115117268 A CN 115117268A CN 202110294954 A CN202110294954 A CN 202110294954A CN 115117268 A CN115117268 A CN 115117268A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
light
buffer layer
emitting unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110294954.8A
Other languages
English (en)
Inventor
张智辉
樊燕
高昊
樊星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110294954.8A priority Critical patent/CN115117268A/zh
Priority to US17/509,760 priority patent/US20220302416A1/en
Publication of CN115117268A publication Critical patent/CN115117268A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • H10K50/156Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开提供了一种发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置,涉及显示技术领域。发光器件包括多个发光单元,多个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。每个发光单元包括微腔结构,微腔结构包括:阳极;空穴传输层,位于阳极的一侧;功能层,位于空穴传输层远离阳极的一侧;和阴极,位于功能层远离空穴传输层的一侧。第一发光单元的功能层包括:第一发光层,第一缓冲层,位于第一发光层与空穴传输层之间,和第二缓冲层,位于第一缓冲层和第一发光层之间,其中,第二缓冲层的材料与第一缓冲层的材料不同,第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。

Description

发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)包括底发射OLED(Top-Emitting OLED,TOLED)和顶发射OLED(Bottom-Emitting OLED,BOLED)两种。
相对于BOLED来说,TOLED具有更高的发光效率和更好的色纯度,因此具有广阔的发展前景。
发明内容
根据本公开实施例的一方面,提供一种发光器件,包括多个发光单元,所述多个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。每个发光单元包括微腔结构,所述微腔结构包括:阳极;空穴传输层,位于所述阳极的一侧;功能层,位于所述空穴传输层远离所述阳极的一侧;和阴极,位于所述功能层远离所述空穴传输层的一侧。所述第一发光单元的功能层包括:第一发光层,第一缓冲层,位于所述第一发光层与所述空穴传输层之间,和第二缓冲层,位于所述第一缓冲层和所述第一发光层之间,其中,所述第二缓冲层的材料与所述第一缓冲层的材料不同,所述第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,所述第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。
在一些实施例中,所述第二发光单元的功能层包括:第二发光层;第三缓冲层,位于所述第二发光层与所述空穴传输层之间;和第四缓冲层,位于所述第三缓冲层和所述第二发光层之间,其中,所述第四缓冲层的材料与所述第三缓冲层的材料不同,所述第四缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,所述第四缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。
在一些实施例中,所述第一缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的材料与所述空穴传输层的材料相同。
在一些实施例中,所述第二缓冲层和所述第四缓冲层中的至少一个的物理厚度大于或等于5纳米。
在一些实施例中,所述第三发光单元的的功能层包括:第三发光层;和第五缓冲层,位于所述第三发光层与所述空穴传输层之间。
在一些实施例中,所述第五缓冲层与所述第三发光层和所述空穴传输层接触。
在一些实施例中,所述第五缓冲层的材料与所述空穴传输层的材料相同。
在一些实施例中,所述空穴传输层的折射率的范围为1.4至2.2。
在一些实施例中,所述空穴传输层的折射率的范围为1.4至1.8。
在一些实施例中,所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的功能层的厚度彼此不同,以使得所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元中的所述微腔结构的厚度彼此不同。
在一些实施例中,所述微腔结构还包括:电子传输层,位于所述功能层与所述阴极之间。
在一些实施例中,所述第一发光单元为红色发光单元和绿色发光单元中的一个,所述第二发光单元为红色发光单元和绿色发光单元中的另一个,所述第三发光单元为蓝色发光单元。
在一些实施例中,所述第一缓冲层的带隙和所述第二缓冲层的带隙之间的差值的绝对值为第一值,所述第三缓冲层的带隙和所述第四缓冲层的带隙之间的差值的绝对值为第二值,所述第一值和所述第二值中的至少一个小于或等于0.2eV。
在一些实施例中,所述第二缓冲层和所述第四缓冲层的材料相同。
在一些实施例中,所述第一缓冲层、所述第二缓冲层、所述第三缓冲层和所述第四缓冲层中的每一个的材料包括有机材料。
在一些实施例中,所述第五缓冲层的材料包括有机材料。
在一些实施例中,所述有机材料包括芳香族化合物。
根据本公开实施例的另一方面,提供一种显示面板,包括:多个像素单元,每个像素单元包括上述任意一个实施例的发光器件。
根据本公开实施例的又一方面,提供显示装置,包括:上述任意一个实施例的显示面板。
根据本公开实施例的再一方面,提供一种发光器件的制造方法,包括形成多个发光单元,所述多个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元,每个发光单元包括微腔结构。形成所述微腔结构包括:形成阳极;在所述阳极的一侧形成空穴传输层;在所述空穴传输层远离所述阳极的一侧形成功能层;和在所述功能层远离所述空穴传输层的一侧形成阴极。形成所述第一发光单元的功能层包括:形成第一缓冲层;在所述第一缓冲层远离所述空穴传输层的一侧形成第二缓冲层;所述第二缓冲层的材料与所述第一缓冲层的材料不同,所述第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,所述第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米;和在所述第二缓冲层远离所述空穴传输层的一侧形成第一发光层。
本公开实施例提供的发光器件中,第一发光单元的功能层包括材料不同的第一缓冲层和第二缓冲层,并且,第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。这样的发光器件有利于在提高第二发光单元和第三发光单元中的至少一个的发光效率的情况下,同时提高第一发光单元的发光效率,从而可以提高发光器件的白光的发光效率。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。
附图说明
附图构成本说明书的一部分,其描述了本公开的示例性实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,在附图中:
图1A是示出蓝色发光单元的发光效率与空穴传输层的折射率之间的关系的示意图;
图1B是示出绿色发光单元的发光效率与空穴传输层的折射率之间的关系的示意图;
图1C是示出红色发光单元的发光效率与空穴传输层的折射率之间的关系的示意图;
图2A和图2B是示出根据本公开一些实施例的发光器件的结构示意图;
图3A和图3B是示出根据本公开另一些实施例的发光器件的结构示意图;
图4A是根据本公开一个实施例的发光器件的制造方法中形成微腔结构的流程示意图;
图4B是根据本公开一个实施例的形成第一发光单元的功能层的流程示意图。
应当明白,附图中所示出的各个部分的尺寸并不必然是按照实际的比例关系绘制的。此外,相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的,决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现,不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整,并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素,并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中,当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时,在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件,也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时,该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件,也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同,除非另外特别定义。还应当理解,在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义,而不应用理想化或极度形式化的意义来解释,除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
由于蓝色发光单元中发光层的材料的限制,蓝色发光单元的发光效率偏低,从而影响包括蓝色发光单元的发光器件的白光的发光效率。据此,发明人尝试找到改善蓝色发光单元的发光效率的手段。
首先,通过模拟软件分析空穴传输层的折射率和蓝色发光单元的发光效率之间的关系,发明人发现,空穴传输层的折射率越低,蓝色发光单元的发光效率越高,如图1A所示。
然后,发明人通过实验验证了通过降低空穴传输层的折射率,可以提高蓝色发光单元的发光效率。
表1示出了在不同条件下的蓝色发光单元的发光效率。
表1
Figure BDA0002983979910000061
在表1中,条件1下的空穴传输层的折射率小于条件2下的空穴传输层的折射率。由表1可以看出,条件1下的蓝色发光单元的发光效率大于条件2下的蓝色发光单元的发光效率。
但是,发明人通过进一步研究发现,由于不同发光单元中的空穴传输层是通过同一工艺(例如蒸镀共用)形成的,当空穴传输层的折射率下降时,红色发光单元和绿色发光单元的发光效率反而会出现不同程度的下降,如图1B和图1C所示。可见,空穴传输层的折射率下降时反而不利于提高发光器件的白光效率。
发明人通过进一步研究发现,通过调节红色发光单元或绿色发光单元中某些层的材料、物理厚度和光学厚度,即便空穴传输层的折射率降低,也可以提高红色发光单元和绿色发光单元中的至少一个的发光效率。如此,在提高蓝色发光单元的发光效率的情况下,还可以提高红色发光单元和绿色发光单元中的至少一个的发光效率,从而可以提高发光器件的白光的发光效率。
发明人通过进一步研究发现,通过调节某个发光单元中某些层的材料、物理厚度和光学厚度,可以在提高其他发光单元的效率的情况下,同时提高该发光单元的发光效率,从而可以提高发光器件的白光的发光效率。
下面结合不同实施例对发光器件进行说明。
图2A和图2B是示出根据本公开一些实施例的发光器件的结构示意图。
如图2A和图2B所示,发光器件包括多个发光单元。这里,多个发光单元包括第一发光单元01、第二发光单元02和第三发光单元03。例如,多个发光单元包括红色发光单元R、绿色发光单元G和蓝色发光单元B。每个发光单元包括微腔结构。
应理解,通过调整每个发光单元中微腔结构的厚度(也可以称为光学长度),可以使得特定波长的光干涉增强,从而使得每个发光单元发射出高亮度的光,例如,红色发光单元R可以发射出高亮度的红光,绿色发光单元G可以发射出高亮度的绿光,蓝色发光单元B可以发射出高亮度的蓝光。
如图2A和图2B所示,每个发光单元的微腔结构包括阳极11、空穴传输层12、功能层13和阴极14。在一些实施例中,每个发光单元的微腔结构还包括位于功能层13与阴极14之间的电子传输层15。
例如,阳极11包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层、以及位于第一金属层和第二金属层之间的金属层。在一些实施例中,第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的材料相同。例如,第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的材料包括氧化铟锡(ITO)等。例如,金属层的材料包括银等。
空穴传输层12位于阳极11的一侧。应理解,虽然图2A和图2B将不同发光单元中的空穴传输层12示出为彼此间隔开,但这并非是限制性的。例如,不同发光单元中的空穴传输层12可以一体设置,即,不同发光单元中的空穴传输层12是连续的。
功能层13位于空穴传输层12远离阳极11的一侧。应理解,功能层13至少包括发光层,例如第一发光层EL1、第二发光层EL2或第三发光层EL3。
这里,第一发光单元01的功能层13包括第一发光层EL1、第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2。例如,第一发光单元01为红色发光单元R和绿色发光单元G中的一个。例如,如图2A所示,红色发光单元R的功能层13包括第一发光层EL1、第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2;又例如,如图2B所示,绿色发光单元R的功能层13包括第一发光层EL1、第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2。
第一发光层EL1例如可以包括有机发光层。第一缓冲层BL1位于第一发光层EL1与空穴传输层12之间,第二缓冲层BL2位于第一缓冲层BL1和第一发光层EL1之间。这里,第二缓冲层BL2的材料与第一缓冲层BL1的材料不同。另外,第二缓冲层BL2的物理厚度小于或等于30纳米,并且,第二缓冲层BL2的光学厚度小于或等于60纳米。例如,第一缓冲层BL1的带隙和第二缓冲层BL2的带隙之间的差值的绝对值为第一值,第一值小于或等于0.2eV,例如,为0.05eV、0.1eV、0.15eV等,如此可以降低载流子进入第一发光层EL1的势垒,有助于提高第一发光层EL1的发光效率。
在一些实施例中,第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2的材料包括有机材料,例如芳香族化合物。作为芳香族化合物的一些实现方式,第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2的材料可以包括聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类、丁二烯类材料等。
阴极14位于功能层13远离空穴传输层12的一侧。阴极203的材料可以包括半透半反的材料,例如,镁银合金(MgAg)、氧化铟锌(IZO)等。应理解,虽然图2A和图2B将不同发光单元中的阴极14示出为彼此间隔开,但这并非是限制性的。例如,不同发光单元中的阴极14可以一体设置,即,不同发光单元共用一个阴极。
上述实施例中,第一发光单元01的功能层13包括材料不同的第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2,并且,第二缓冲层BL2的物理厚度小于或等于30纳米,第二缓冲层BL2的光学厚度小于或等于60纳米。这样的发光器件有利于在提高第二发光单元02和第三发光单元03中的至少一个的发光效率的情况下,同时提高第一发光单元的发光效率,从而可以提高发光器件的白光的发光效率。
在一个或多个实施例中,空穴传输层12的折射率的范围为1.4至2.2,例如1.5、1.6、1.8、1.9等。作为一些实现方式,空穴传输层12的折射率的范围为1.4至1.8,如此可以在提高蓝色发光单元B的发光效率的同时可以进一步提高红色发光单元R和绿色发光单元G中的一个的发光效率。
在一些实施例中,参见图2A和图2B,第二发光单元02的功能层13包括第二发光层EL2和第三缓冲层BL3。在另一些实施例中,第二发光单元02的功能层13还可以包括第四缓冲层BL4,下面结合图3A和图3B进行说明。
图3A和图3B是示出根据本公开另一些实施例的发光器件的结构示意图。
如图3A和图3B所示,第一发光单元01的功能层13包括第一发光层EL1、第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2,第二发光单元02的功能层13包括第二发光层EL2、第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4。
例如,如图3A所示,红色发光单元R的功能层13包括第一发光层EL1、第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2,绿色发光单元G的功能层13包括第二发光层EL2、第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4;又例如,如图3B所示,绿色发光单元G的功能层13包括第一发光层EL1、第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2,红色发光单元R的功能层13包括第二发光层EL2、第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4。
第三缓冲层BL3位于第二发光层EL2与空穴传输层12之间,第四缓冲层BL4位于第三缓冲层BL3和第二发光层EL2之间。这里,第四缓冲层BL4的材料与第三缓冲层BL3的材料不同。另外,第四缓冲层BL4的物理厚度小于或等于30纳米,并且,第四缓冲层BL4的光学厚度小于或等于60纳米。例如,第三缓冲层BL3的带隙和第四缓冲层BL4的带隙之间的差值的绝对值为第二值,第二值小于或等于0.2eV,例如,为0.05eV、0.1eV、0.15eV等。如此可以降低载流子进入第二发光层EL2的势垒,有助于提高第二发光层EL2的发光效率。
在一个或多个实施例中,第一值和第二值均小于或等于0.2eV。如此可以降低载流子进入第一发光层EL1和第二发光层EL2的势垒,有助于提高第一发光层EL1和第二发光层EL2的发光效率。
在一些实施例中,第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4的材料包括有机材料,例如芳香族化合物。作为芳香族化合物的一些实现方式,第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4的材料可以包括聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类、丁二烯类材料等。
上述实施例中,第一发光单元01的功能层13包括材料不同的第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2,第二发光单元02的功能层13包括材料不同的第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4,并且,第二缓冲层BL2和第四缓冲层BL4的物理厚度小于或等于30纳米,第二缓冲层BL2和第四缓冲层BL4的光学厚度小于或等于60纳米。这样的发光器件有利于在提高第三发光单元03的发光效率的情况下,同时提高第一发光单元01和第二发光单元02的发光效率,从而可以进一步提高发光器件的白光的发光效率。
在一些实施例中,第二缓冲层BL2和第四缓冲层BL4中的至少一个的物理厚度大于或等于5纳米、小于或等于30纳米。如此可以保证第二缓冲层BL2和第四缓冲层BL4中的至少一个的性能的稳定性,从而在有利于提高发光器件的白光的发光效率的前提下,可以提高发光器件的可靠性。
在一些实施例中,第二缓冲层BL2和第四缓冲层BL4的材料相同,如此第二缓冲层BL2和第四缓冲层BL4可以通过同一工艺(例如蒸镀工艺)形成,从而可以在提高第一发光单元01和第二发光单元02的发光效率的情况下,有利于简化工艺和节约成本。
在一些实施例中,第一缓冲层BL1和第三缓冲层BL3中的至少一个的材料与空穴传输层12的材料相同。这样的结构下,在第一缓冲层BL1和第三缓冲层BL3中的至少一个与空穴传输层12之间不会引入新的界面势垒,有利于减小激子的损耗,从而进一步提高发光器件的发光效率。
在一些实施例中,参见图2A-图2B、以及图3A-图3B,第三发光单元03(例如蓝色发光单元B)的功能层13包括第三发光层EL3和第五缓冲层BL3。这里,第五缓冲层BL5位于第三发光层EL3与空穴传输层12之间。
根据本公开的一个或多个实施例,第五缓冲层BL5与第三发光层EL3和空穴传输层12接触。换言之,第三发光层EL3与空穴传输层12之间除了第五缓冲层BL5外,不存在其他额外的层。例如,第五缓冲层BL5的材料包括有机材料,例如芳香族化合物。
在一些实施例中,第五缓冲层BL5的材料与空穴传输层12的材料相同。这样的结构下,在第五缓冲层BL5与空穴传输层12之间不会引入新的界面势垒,有利于进一步减小激子的损耗,从而更进一步提高发光器件的发光效率。
对于微腔结构来说,在m×λ/2=L的情况下,每个发光单元中的发光层发出的光和阳极反射的光干涉增强。这里,m是正整数,λ是发光层发出的光波长,L是微腔结构的厚度。例如,红色发光单元R中的发光层发出的红光的波长大约为620nm,绿色发光单元G中的发光层发出的绿光的波长大约为530nm,蓝色发光单元B的发光层发出的蓝光的波长大约为460nm。可见,为了获得更高亮度的红光、绿光和蓝光,红色发光单元R、绿色发光单元G和蓝色发光单元B中的微腔结构的厚度不同。
在一些实施例中,第一发光单元01、第二发光单元02和第三发光单元03的功能层13的厚度彼此不同,以使得第一发光单元01、第二发光单元02和第三发光单元03中的微腔结构的厚度彼此不同。例如,不同发光单元的微腔结构中除功能层13之外的其他层的厚度可以彼此相同。换言之,不同发光单元的微腔结构中的功能层13的厚度的不同使得不同发光单元的微腔结构的厚度不同。
作为一些实现方式,参见图2A和图3A,红色发光单元R中的第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2的厚度之和大于绿色发光单元G中的第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4的厚度之和,绿色发光单元G中的第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4的厚度之和大于蓝色发光单元B中第五缓冲层BL5的厚度。
例如,红色发光单元R中的第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2的厚度之和大于或等于80nm。绿色发光单元G中的第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL4的厚度之和大于或等于50nm。
表2示出了通过模拟软件(例如setfos光学模拟软件)获得的在不同条件下的红色发光单元R的发光效率R-eff ratio、绿色发光单元G的发光效率G-eff ratio、蓝色发光单元B的B-eff ratio、以及发光器件的白光的发光效率W-eff ratio。
表2
条件 B-eff ratio G-eff ratio R-eff ratio W-eff ratio
参考条件 100% 100% 100% 100%
条件1 102.50% 96.99% 98.46% 98.60%
条件2 96.60% 102.01% 101.64% 97.92%
条件3 102.50% 103.95% 102.71% 103.20%
在参考条件下:空穴传输层12的折射率为参考折射率;红色发光单元R和绿色发光单元G中的一个的功能层13包括第一缓冲层BL1、而不包括第二缓冲层BL2,另一个的功能层13包括第三缓冲层BL3、而不包括第四缓冲层BL5;蓝色发光单元B的功能层13包括第五缓冲层BL5。
在条件1下:空穴传输层12的折射率小于参考折射率。其他条件与参考条件相同。
在条件2下:空穴传输层12的折射率大于参考折射率。其他条件与参考条件相同。
在条件3下:空穴传输层12的折射率小于参考折射率;红色发光单元R和绿色发光单元G中的一个的功能层13包括第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2,另一个的功能层13包括第三缓冲层BL3和第四缓冲层BL5;蓝色发光单元B的功能层13包括第五缓冲层BL5。
另外,在每个条件下,每个发光单元的微腔结构的厚度满足以上提到的干涉增强的条件。
从表2可以看出,在条件4下,本公开实施例提供的方案在空穴传输层12的折射率较小的情况下,不仅可以提高蓝色发光单元B的发光效率,仍可以同时提高红色发光单元R和绿色发光单元G的发光效率,从而提高发光器件的白光的发光效率。
本公开实施例还提供了一种发光器件的制造方法,包括形成多个发光单元。这里,多个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元,每个发光单元包括微腔结构。
图4A是根据本公开一个实施例的发光器件的制造方法中形成微腔结构的流程示意图。图4B是根据本公开一个实施例的形成第一发光单元的功能层的流程示意图。例如,第一发光单元为红色发光单元和绿色发光单元中的一个。
如图4A所示,形成微腔结构的过程包括步骤402-步骤408。
在步骤402,形成阳极。例如,可以在背板的一侧形成阳极。这里,背板中可以形成有驱动电路。
例如,可以先形成阳极材料层,然后对阳极材料层进行图案化,以得到图案化后的阳极。
在步骤404,在阳极的一侧形成空穴传输层。
例如,可以通过蒸镀、旋涂或印刷等工艺形成空穴传输层。例如,空穴传输层的厚度大于或等于100纳米。
在步骤406,在空穴传输层远离阳极的一侧形成功能层。
应理解,针对不同的发光单元,可以形成与发光单元相应的功能层。后文将结合图4B介绍形成第一发光单元的功能层的过程。
在步骤408,在功能层远离空穴传输层的一侧形成阴极。
如图4B所示,形成第一发光单元的功能层的过程可以包括步骤416-步骤436。
在步骤416,形成第一缓冲层。
例如,可以通过蒸镀、化学气相沉积、旋涂、喷墨打印或印刷等工艺形成第一缓冲层。
在步骤426,在第一缓冲层远离空穴传输层的一侧形成第二缓冲层。
类似地,例如,可以通过蒸镀、化学气相沉积、旋涂、喷墨打印或印刷等工艺形成第一缓冲层。
这里,第二缓冲层的材料与第一缓冲层的材料不同,第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。
在步骤436,在第二缓冲层远离空穴传输层的一侧形成第一发光层。
例如,可以通过蒸镀工艺等形成第一发光层。
上述实施例形成的发光器件中,第一发光单元的功能层包括材料不同的第一缓冲层和第二缓冲层,并且,第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。这样的发光器件有利于在提高第二发光单元和第三发光单元中的至少一个的发光效率的情况下,同时提高第一发光单元的发光效率,从而可以提高发光器件的白光的发光效率。
本公开实施例还提供了一种显示面板。该显示面板包括多个像素单元,每个像素单元可以包括上述任意一个实施例的发光器件。
本公开实施例还提供了一种显示装置。该显示装置包括上述任意一个实施例的显示面板。在一些实施例中,显示装置例如可以是移动终端、电视机、显示器(例如微显示器)、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。
至此,已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思,没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述,完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本公开的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (20)

1.一种发光器件,包括多个发光单元,所述多个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元,其中:
每个发光单元包括微腔结构,所述微腔结构包括:
阳极,
空穴传输层,位于所述阳极的一侧,
功能层,位于所述空穴传输层远离所述阳极的一侧,和
阴极,位于所述功能层远离所述空穴传输层的一侧;并且所述第一发光单元的功能层包括:
第一发光层,
第一缓冲层,位于所述第一发光层与所述空穴传输层之间,和
第二缓冲层,位于所述第一缓冲层和所述第一发光层之间,其中,所述第二缓冲层的材料与所述第一缓冲层的材料不同,所述第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,所述第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二发光单元的功能层包括:
第二发光层;
第三缓冲层,位于所述第二发光层与所述空穴传输层之间;和
第四缓冲层,位于所述第三缓冲层和所述第二发光层之间,其中,所述第四缓冲层的材料与所述第三缓冲层的材料不同,所述第四缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,所述第四缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述第一缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的材料与所述空穴传输层的材料相同。
4.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述第二缓冲层和所述第四缓冲层中的至少一个的物理厚度大于或等于5纳米。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第三发光单元的的功能层包括:
第三发光层;和
第五缓冲层,位于所述第三发光层与所述空穴传输层之间。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其中,所述第五缓冲层与所述第三发光层和所述空穴传输层接触。
7.根据权利要求5所述的发光器件,其中,所述第五缓冲层的材料与所述空穴传输层的材料相同。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的发光器件,其中,所述空穴传输层的折射率的范围为1.4至2.2。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其中,所述空穴传输层的折射率的范围为1.4至1.8。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的功能层的厚度彼此不同,以使得所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元中的所述微腔结构的厚度彼此不同。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述微腔结构还包括:
电子传输层,位于所述功能层与所述阴极之间。
12.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述第一发光单元为红色发光单元和绿色发光单元中的一个,所述第二发光单元为红色发光单元和绿色发光单元中的另一个,所述第三发光单元为蓝色发光单元。
13.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述第一缓冲层的带隙和所述第二缓冲层的带隙之间的差值的绝对值为第一值,所述第三缓冲层的带隙和所述第四缓冲层的带隙之间的差值的绝对值为第二值,所述第一值和所述第二值中的至少一个小于或等于0.2eV。
14.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述第二缓冲层和所述第四缓冲层的材料相同。
15.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述第一缓冲层、所述第二缓冲层、所述第三缓冲层和所述第四缓冲层中的每一个的材料包括有机材料。
16.根据权利要求5所述的发光器件,其中,所述第五缓冲层的材料包括有机材料。
17.根据权利要求15或16所述的发光器件,其中,所述有机材料包括芳香族化合物。
18.一种显示面板,包括:多个像素单元,每个像素单元包括如权利要求1-17任意一项所述的发光器件。
19.一种显示装置,包括:如权利要求18所述的显示面板。
20.一种发光器件的制造方法,包括形成多个发光单元,所述多个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元,每个发光单元包括微腔结构,形成所述微腔结构包括:
形成阳极;
在所述阳极的一侧形成空穴传输层;
在所述空穴传输层远离所述阳极的一侧形成功能层;和
在所述功能层远离所述空穴传输层的一侧形成阴极,
其中,形成所述第一发光单元的功能层包括:
形成第一缓冲层,
在所述第一缓冲层远离所述空穴传输层的一侧形成第二缓冲层,所述第二缓冲层的材料与所述第一缓冲层的材料不同,所述第二缓冲层的物理厚度小于或等于30纳米,并且,所述第二缓冲层的光学厚度小于或等于60纳米,和
在所述第二缓冲层远离所述空穴传输层的一侧形成第一发光层。
CN202110294954.8A 2021-03-19 2021-03-19 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置 Pending CN115117268A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110294954.8A CN115117268A (zh) 2021-03-19 2021-03-19 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置
US17/509,760 US20220302416A1 (en) 2021-03-19 2021-10-25 Light-emitting device and manufacturing method thereof, display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110294954.8A CN115117268A (zh) 2021-03-19 2021-03-19 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115117268A true CN115117268A (zh) 2022-09-27

Family

ID=83285106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110294954.8A Pending CN115117268A (zh) 2021-03-19 2021-03-19 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220302416A1 (zh)
CN (1) CN115117268A (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721554B1 (ko) * 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR101429725B1 (ko) * 2012-10-31 2014-08-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102268135B1 (ko) * 2014-11-07 2021-06-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
WO2018179116A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 シャープ株式会社 有機el表示装置
JP2018181492A (ja) * 2017-04-06 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN110783392B (zh) * 2019-11-06 2023-04-14 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示装置
WO2022034413A1 (ja) * 2020-08-11 2022-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光デバイス、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置
CN113130805B (zh) * 2021-04-12 2023-06-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220302416A1 (en) 2022-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108023023B (zh) 有机发光装置及使用该有机发光装置的有机发光显示装置
US7061176B2 (en) Electroluminescent device having a thin-film layer, and electronic device having the electroluminescent device
US7872412B2 (en) Organic light emitting display device and electronic device
KR101429537B1 (ko) 유기발광소자
US9450028B2 (en) Organic light-emitting device and image display system employing the same
CN103794622A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN108539034B (zh) 有机发光显示面板和有机发光显示装置
US20220393127A1 (en) Organic light-emitting display device, manufacturing method thereof, and display panel
KR20180025060A (ko) 유기발광소자 및 이를 구비한 유기발광 표시장치
CN108417727B (zh) 一种oled发光器件及其制备方法、显示装置
US7545093B2 (en) Organic electro-luminescent device
US20070285001A1 (en) System for displaying images
CN115064647A (zh) 一种显示面板及显示装置
US20070159087A1 (en) Organic light-emitting device
CN109119438B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN111628096B (zh) 有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置
WO2024022202A1 (zh) 发光器件、显示基板及显示装置
CN109768178B (zh) 有机电致发光器件、显示基板、显示装置
WO2024007448A1 (zh) 显示基板及显示装置
CN110797470A (zh) 显示装置、显示面板、发光器件及其制造方法
KR100605112B1 (ko) 유기전기발광소자
CN115117268A (zh) 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置
US20220416189A1 (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display panel
KR20090029007A (ko) 유기발광소자 및 그 구동방법
CN113785409B (zh) Oled显示基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination