CN105633118A - 包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器 - Google Patents

包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN105633118A
CN105633118A CN201510783358.0A CN201510783358A CN105633118A CN 105633118 A CN105633118 A CN 105633118A CN 201510783358 A CN201510783358 A CN 201510783358A CN 105633118 A CN105633118 A CN 105633118A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
unsubstituted
light emitting
emitting diode
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510783358.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105633118B (zh
Inventor
赵桓熙
金明淑
金成昱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN105633118A publication Critical patent/CN105633118A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105633118B publication Critical patent/CN105633118B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658—Organoboranes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

有机发光二极管显示器包括第一基板；在第一基板上的第一电极；在第一电极上的有机发光层；在有机发光层上的第二电极；和在第二电极上的覆盖层，其中所述覆盖层包括至少一种杂环化合物，所述杂环化合物包括咔唑基和与所述咔唑基键合的杂环基团。

Description

包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器
相关申请的交叉引用
于2014年11月24日在韩国知识产权局提交的且标题为“包含具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiodeDisplayComprisingCappingLayerHavingHighRefractiveIndex)”的韩国专利申请No.10-2014-0164595通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本申请实施方式涉及包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器(OLED显示器)。
背景技术
OLED显示器是使用发光的有机发光二极管(OLED)显示图像的自发光型显示装置。OLED显示器不需要单独光源，这与液晶显示装置不同，从而具有相对小的厚度和较轻的重量。此外，OLED显示器可表现出优异的性质诸如低功耗、高亮度和高响应速度，因此作为新一代显示装置引起注意。
OLED可以包括空穴注入电极、有机发光层和电子注入电极。空穴和电子可分别由空穴注入电极和电子注入电极供应到有机发光层，然后可在其中彼此复合以形成激子。OLED通过在激子从激发态降至基态时产生的能量而发光。
应理解，此背景技术部分意图提供对于理解技术有用的背景，因而在本文公开，背景技术部分可包括并不是所属领域技术人员在本文公开的主题的相应有效申请日之前已知的或理解的内容的一部分的理念、概念或认知。
发明概述
本申请实施方式涉及包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器(OLED显示器)。
本申请实施方式可通过提供有机发光二极管显示器来实现，所述有机发光二极管显示器包括第一基板；在第一基板上的第一电极；在第一电极上的有机发光层；在有机发光层上的第二电极；和在第二电极上的覆盖层，其中所述覆盖层包括至少一种杂环化合物，所述杂环化合物包括咔唑基和与所述咔唑基键合的杂环基团。
杂环化合物可由下列化学式1至5之一表示：
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
其中，在化学式1至5中，A1至A7可各自独立地为或包括取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基或取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团；Y1至Y8可各自独立地为C-R，且Y9至Y16可各自独立地为C-R或氮原子，其中C-R上的每个R可独立地为以下之一：氢原子、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团、取代的或未取代的具有1至30个环碳原子且具有直链、支链或环状结构的烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基、取代的或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的卤代烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的卤代烷氧基、取代的或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代的或未取代的具有8至40个碳原子的二烷基芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有13至50个碳原子的烷基二芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有18至60个碳原子的三芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、卤素原子、氰基、羟基、硝基、或羧基；当彼此相邻的Y1至Y16中的两个为C-R时，相邻C-R的R可以是分离的或可组合以形成环状结构；L1至L12可各自独立地为单键或连接基团；X1可以为碳或硅；R1和R2可各自独立地为或包括氢原子、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团、或取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基，R1和R2是分离的或键合在一起以形成环状结构；且X2可以为硼、磷或P＝O。
由化学式1表示的化合物可以为下列化合物1至48之一：
由化学式2表示的化合物可以为下列化合物49至73之一：
由化学式3表示的化合物可以为下列化合物74至78之一：
由化学式4表示的化合物可以为下列化合物79至84之一：
由化学式5表示的化合物可以为下列化合物85至88之一：
覆盖层可具有约1.9或更高的折射率。
覆盖层可具有约1.9至约3.0的折射率。
覆盖层可具有约10nm至约300nm的厚度。
有机发光二极管显示器还可以包括在第一电极与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
有机发光二极管显示器还可以包括在有机发光层与第二电极之间的电子传输层和电子注入层中的至少一个。
有机发光二极管显示器还可以包括在覆盖层上的第二基板，所述第二基板与覆盖层间隔开。
有机发光二极管显示器还可以包括在覆盖层与第二基板之间的空间中的空气层。
有机发光二极管显示器还可以包括在覆盖层与第二基板之间的空间的填充元件。
有机发光二极管显示器还可以包括在覆盖层上的薄膜封装层。
附图简述
通过参考所附附图详细地描述示例性实施方式，特征将对本领域技术人员而言是明显的，在附图中：
图1举例说明了根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器(OLED显示器)的平面视图；
图2举例说明了沿图1的线I-I'截取的横截面视图；
图3举例说明了根据第二示例性实施方式的OLED显示器的横截面视图；以及
图4举例说明了根据第三示例性实施方式的OLED显示器的横截面视图。
详细描述
现在将参考附图在下文更全面地描述示例实施方式；然而，它们可以体现为不同形式并且不应解释为限于本文所述的实施方式。相反，提供了这些实施方式以使本公开将为彻底的且完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达示例性实施。
在附图中，为清楚说明起见，层和区域的尺寸可被放大。此外，也应理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以为两个元件之间的一个元件，或者也可存在一个或多个中间元件。相同的附图标记通篇是指相同的元件。
本文所使用的所有术语仅用来描述实施方式且可根据相关领域和申请人的意图而改变。因此，本文所使用的术语应被解释为具有与它们在本公开的上下文中的含义一致的含义，且不旨在限制本公开。
此外，当层或元件被称为在另一层或元件“之上”时，其可直接在其他层或元件上，或可在其间插入一个或多个中间的层或元件。
在下文，将参考图1和2描述第一示例性实施方式。
图1举例说明了根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器(OLED显示器)101的平面视图。图2举例说明了沿图1的线I-I'截取的横截面视图。
如在图1和2中所述，根据第一示例性实施方式的OLED显示器101可以包括第一基板110、布线单元130、有机发光二极管(OLED)210、覆盖层230和第二基板410。
第一基板110可以包括例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等的绝缘材料。在实施中，第一基板110可以包括金属材料诸如不锈钢等。
缓冲层120可布置在第一基板110上。缓冲层120可以包括各种无机层和有机层中的至少一层。缓冲层120可有助于阻止或有效减少不合需要的要素诸如水分渗透到布线单元130和OLED210中，且可使第一基板110的表面平坦化。在实施中，缓冲层120可被省略。
布线单元130可布置在缓冲层120上。布线单元130可以是指包括切换薄膜晶体管(TFT)10、驱动TFT20和电容器80的结构，并且可驱动OLED210。OLED210可根据从布线单元130供应的驱动信号发光，从而显示图像。
图1和2举例说明了具有2Tr-1Cap结构的有源矩阵(AM)型OLED显示器101。例如，2Tr-1Cap结构可以在每个像素中包括两个TFT10和20以及电容器80。在实施中，根据示例性实施方式的显示器可以在一个像素中包括三个或更多个TFT以及两个或更多个电容器80，并且还可以包括另外的线。在本文，术语“像素”是指用于显示图像的最小单元，并且OLED显示器101使用多个像素显示图像。
每个像素可以包括切换TFT10、驱动TFT20、电容器80和OLED210。此外，沿着一个方向布置的栅极线151，数据线171和与栅极线151绝缘且与其交叉的共用电源线172可进一步布置在布线单元130上。在本文，每个像素可由栅极线151、数据线171和共用电源线172限定，但并不限于此。在实施中，像素可由黑色基质和/或像素界定层(PDL)限定。
OLED210可以包括第一电极211、在第一电极211上的有机发光层212，和在有机发光层212上的第二电极213。空穴和电子可分别从第一电极211和第二电极213供应到有机发光层212，然后彼此在其中复合以形成激子。OLED可通过在激子从激发态降至基态时产生的能量而发光。
电容器80可以包括一对电容器板158和178，其中在其间插入层间绝缘层145。在本文，层间绝缘层145可以为介电体。电容器80的电容可通过在电容器80中蓄积的电荷和穿过一对电容器板158和178的电压来确定。
切换TFT10可以包括切换半导体层131、切换栅电极152、切换源电极173和切换漏电极174。驱动TFT20可以包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。此外，可进一步提供栅极绝缘层140以绝缘半导体层131和132以及栅电极152和155。
切换TFT10可起切换元件的作用，其选择像素以执行发光。切换栅电极152可连接于栅极线151，并且切换源电极173可连接于数据线171。切换漏电极174可与切换源电极173间隔开并且连接于电容器板158。
驱动TFT20可向用作像素电极的第一电极211施加驱动功率，所述驱动功率允许OLED210的有机发光层212以选定的像素发光。驱动栅电极155可连接于电容器板158，所述电容器板158连接于切换漏电极174。驱动源电极176和另一个电容器板178可分别连接于共用电源线172。驱动漏电极177可通过接触空穴连接于OLED210的第一电极211。
在前述结构下，切换TFT10可通过向栅极线151施加的栅极电压来操作并且可用来将向数据线171施加的数据电压传送至驱动TFT20。等于从共用电源线172施加至驱动TFT20的共用电压与通过(或从)切换TFT10传送的数据电压之间的差值的电压可存储于电容器80中，并且对应于存储于电容器80中的电压的电流可通过驱动TFT20流至OLED210，从而OLED210可发光。
根据第一示例性实施方式，第一电极211可用作注入空穴的阳极，且第二电极213可用作注入电子的阴极。在实施中，第一电极211可用作阴极且第二电极213可用作阳极。
平坦化层146可布置在层间绝缘层145上。平坦化层146可以包括绝缘材料且可保护布线单元130。平坦化层146和层间绝缘层145可以包括相同材料。
驱动TFT20的漏电极177可通过在平坦化层146上形成的接触空穴连接于OLED210的第一电极211。
根据第一示例性实施方式，第一电极211可以为反射电极且第二电极213可以为透反电极。因此，有机发光层212中产生的光可穿过第二电极213用于发光。因此，根据第一示例性实施方式的OLED显示器101可具有顶部发光型结构。
镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)的一种或多种金属、或其金属合金可用于形成反射电极和/或透反电极。
例如，第一电极211可以包括反射层，所述反射层包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种金属，并且透明导电层布置在反射层上。在本文，透明导电层可以包括透明导电氧化物(TCO)，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝锌(AZO)和氧化铟(In2O3)中的至少一种。此类透明导电层可具有相对高功函，从而允许通过第一电极211的更活跃的空穴注入。
此外，第一电极211可具有三层结构，包括透明导电层、反射层和顺序层压的透明导电层。
在实施中，第二电极213可由透反层形成，所述透反层包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)中的一种或多种金属。
在实施中，空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一个可进一步布置在第一电极211与有机发光层212之间。在实施中，电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个可进一步布置在有机发光层212与第二电极213之间。
结构包括有机发光层212、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子传输层ETL，并且电子注入层EIL可被称为有机层。有机层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。
像素界定层190可具有孔口，并且第一电极211可通过像素界定层190的孔口至少部分暴露。第一电极211、有机发光层212和第二电极213可顺序层压在像素界定层190的孔口内。在实施中，第二电极213也可布置在像素界定层190上以及在有机发光层212上。像素界定层190可界定发光区。
覆盖层230可布置在OLED210上。覆盖层230可基本上保护OLED210，并且还可允许有效地向外引导有机发光层212中发射的光。
覆盖层230可以包括包含咔唑基或部分的化合物。例如，根据第一示例性实施方式的覆盖层230可以包括至少一种杂环化合物(其包括咔唑基或部分和与咔唑基或部分键合的杂环基团或部分)。
例如，杂环基团可起吸电子基团的作用，并且咔唑基可起供电子基团的作用。因此，包括咔唑基和与咔唑基键合的杂环基团二者的杂环化合物可具有偶极矩。包括此类杂环化合物的覆盖层230可具有高折射率，例如，高于约1.9。例如，覆盖层230可具有约1.9至约3.0的折射率。当覆盖层230具有高折射率时，光可从覆盖层230的层间反射或可在覆盖层230和另一层或空间的界面处反射，以使可发生光共振。
包括咔唑基和与咔唑基键合的杂环基团的杂环化合物可由下列化学式1至5之一表示：
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
A1至A7可各自独立地为或包括，例如，取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基或取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团。在实施中，A1和A3至A6中的一个可为或包括，例如，取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团。
Y1至Y8可各自独立地为C-R，且Y9至Y16可各自独立地为C-R或氮原子。
(C-R中的)每个R可独立地为或包括，例如，氢原子、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团、取代的或未取代的具有1至30个碳原子且形成直链、支链或环状结构的烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基、取代的或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的卤代烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的卤代烷氧基、取代的或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代的或未取代的具有8至40个碳原子的二烷基芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有13至50个碳原子的烷基二芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有18至60个碳原子的三芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、卤素原子、氰基、羟基、硝基、或羧基。
当R以复数提供时，每个R可以彼此相同或不同。在实施中，当Y1至Y16中彼此相邻的两个要素为C-R时，相邻C-R的R可以是分离的或可组合以形成环状结构。
L1至L12可各自独立地为，例如，单键或连接基团。在实施中，连接基团可以包括，例如，亚芳基(诸如亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚芴基等)或亚杂芳基(诸如吡啶基、二嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团等)。在本发明的实施方式中，其中L1、L2、L4、L6、L8、L10和L11中的一个或多个是连接基团，所述连接基团可以连接至多于一个A1至A7基团。
X1可以为例如碳(C)或硅(Si)。
R1和R2可各自独立地为或包括，例如，氢原子、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团、或取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基。在实施中，R1和R2可以是分离的或可键合在一起以形成环状结构。
X2可以为例如硼(B)、磷(P)、或P＝O。
在实施中，由化学式1表示的化合物可以为下列化合物1至48之一：
在实施中，由化学式2表示的化合物可以为下列化合物49至73之一：
在实施中，由化学式3表示的化合物可以为下列化合物74至78之一：
在实施中，由化学式4表示的化合物可以为下列化合物79至84之一：
在实施中，由化学式5表示的化合物可以为下列化合物85至88之一：
在实施中，撇开或除了由化学式1至5中之一表示的化合物之外，覆盖层230还可以包括一种或多种具有光透射性的无机材料或有机材料。例如，覆盖层230可以包括以下的至少一种：具有约1.3至约1.9的折射率的低折射率材料，和具有约1.9至约3.0的折射率的高折射率材料。
低折射率材料和高折射率材料可以包括，例如，有机或有机金属材料或无机材料。
在实施中，具有低折射率的无机材料可以包括，例如，氧化硅或氟化镁。
在实施中，具有低折射率的有机或有机金属材料可以包括，例如，丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺、Alq3[三(8-羟基喹啉)铝]等。
在实施中，具有高折射率的无机材料可以包括，例如，氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化硅、氮化铟和/或氮化镓。
在实施中，具有高折射率的有机或有机金属材料可以包括，例如，聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩(PEDOT)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基-N-苯基氨基]联苯(TPD)、4,4',4”-三[N-3-甲基苯基-N-苯基氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双(2-甲基苯基-氨基]-苯(o-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基-氨基]-苯(m-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(4-甲基苯基)-氨基]-苯(p-MTDAB)、4,4'-双[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-二苯基甲烷(BPPM)、2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三-[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)和/或3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)。
在实施中，覆盖层230可以包括各种适合的材料。
在实施中，覆盖层230可具有例如约10nm至约300nm的厚度。在实施中，覆盖层230可具有例如300nm或更高、或约300nm至约600nm的厚度，以便完全保护OLED210。在实施中，覆盖层230可具有例如大于600nm的厚度。
覆盖层230可通过适合方法制造，例如，其可通过沉积而形成。
第二基板410可布置在覆盖层230上。
第二基板410可以为透明绝缘基板，包括，例如玻璃、石英、陶瓷和/或塑料。第二基板410可以结合且密封至第一基板100，从而覆盖OLED210。
参考图2，空气层310可在第二基板410与覆盖层230之间的空间中形成。空气层310的折射率可低于覆盖层230的折射率。
在实施中，在OLED210的有机发光层212中产生的光可穿过第二电极213、覆盖层230、空气层310和第二基板410以向外释放。
尽管向外传播，但是有机发光层212中产生的光可到达层间界面。光可穿过层间界面，或可能不能通过层间界面传播，且因此可从其反射。
在实施中，有机发光层212中产生的光可从覆盖层230与空气层310之间的界面反射或在该界面处反射。反射光然后可再次从第二电极213与覆盖层230之间的界面反射或在该界面处反射，或可通过第二电极213与有机发光层212传播，然后可从第一电极211的上表面反射。
因此，光可在各个层或空间之间的界面反复反射，并且在反射期间，可使具有预定波长的光共振并且可使具有其他波长的光消散。共振光可被放大且然后可向外释放。由于此类共振，可使OLED显示器101的光效率改善。
在下文，将参考图3描述第二示例性实施方式。
图3举例说明了根据第二示例性实施方式的OLED显示器102的横截面视图。为了简洁，可以省去关于与第一示例性实施方式的那些相同的构造的重复描述。
根据第二示例性实施方式的OLED显示器102可以包括在覆盖层230与第二基板410之间的空间中的填充元件320。代替空气层310的填充元件320可填充OLED显示器102的内部空间。
填充元件320可以包括有机材料，例如聚合物。在实施中，填充元件320的折射率可低于或高于(例如，不同于)覆盖层230的折射率，或可等于覆盖层230的折射率。
填充元件可根据覆盖层230和第二基板410的折射率来选择。例如，当第二基板410为具有约1.5的折射率的玻璃基板时，具有约1.5的折射率的聚合物可用作用于填充元件320的材料。在实施中，用于填充元件320的材料可以包括，例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)。
当填充元件320填充OLED显示器102的空的空间时，OLED显示器102的设备强度和耐久性可因填充元件320而改善。
在下文，将参考图4描述第三示例性实施方式。
图4举例说明了根据第三示例性实施方式的OLED显示器103的横截面视图。为了简洁起见，可省略关于与第一示例性实施方式的那些相同的构造的重复描述。
根据第三示例性实施方式的OLED显示器103可以包括覆盖层230上的薄膜封装层250。
薄膜封装层250可以包括一个或多个无机层251、253和255，以及一个或多个有机层252和254。薄膜封装层250可具有无机层251、253和255以及有机层252和254被交替地层压的结构。在这种情况下，无机层251可布置在层压结构的最低部分处。例如，无机层251可布置在最接近OLED210处。在实施中，如在图4中举例说明的，薄膜封装层250可以包括三个无机层251、253和255以及两个有机层252和254。
无机层251、253和255可以包括一种或多种无机材料，例如Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO和Ta2O5。无机层251、253和255可使用诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的方法而形成。在实施中，无机层251、253和255可使用适合方法形成。
有机层252和254可以包括，例如基于聚合物的材料。在实施中，基于聚合物的材料可以包括，例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。有机层252和254可通过例如热沉积工艺而形成。用于形成有机层252和254的热沉积工艺可在可以不损坏OLED210的温度范围内执行。在实施中，有机层252和254可使用适合方法形成。
具有高密度的薄膜的无机层251、253和255可有助于阻止或有效减少例如水分或氧的渗透。例如，可通过无机层251、253和255阻止水分和氧到OLED210中的大部分渗透。
穿过无机层251、253和255的水分和氧可进一步通过有机层252和254阻挡。有机层252和254相较于无机层251、253和255可显示相对低的阻止水分渗透的功效。然而，除了阻止水分渗透，有机层252和254还可用作缓冲层以减少无机层251、253和255与有机层252和254的各个层之间的应力。此外，有机层252和254可具有平坦化性质，可平坦化薄膜封装层250的最上表面。
薄膜封装层250可具有约10μm或以下的厚度。例如，可形成具有明显小的总厚度的OLED显示器103。
第二基板可布置在薄膜封装层250上，并且第二基板410可被省略。在第二基板被省略的情况下，OLED显示器103的柔性性质可增强。
通过总结和回顾，为了增强OLED显示器的适用性，已考虑有效保护OLED以及有效提取有机发光层中产生的光且改善光效率的方法。
本申请的实施方式可提供展现改善的光效率的有机发光二极管显示器。
根据实施方式，OLED显示器可以包括覆盖层，覆盖层包括包含咔唑基和杂环基团的杂环化合物，从而具有优异的光效率。
本文已公开了示例实施方式，并且虽然采用特定术语，但是它们仅以一般和描述性含义使用和说明，并非出于限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员自提交本申请起显而易见的是，结合特定实施方式描述的特性、特征和/或元件可以单独地使用或与结合其它实施方式描述的特性、特征和/或元件组合使用，除非另有明确指示。因此，本领域技术人员应理解，可在不偏离权利要求书中阐述的本发明的精神和范围下作出形式和细节的各种变化。

Claims (16)

1.一种有机发光二极管显示器，其包含：
第一基板；
在所述第一基板上的第一电极；
在所述第一电极上的有机发光层；
在所述有机发光层上的第二电极；和
在所述第二电极上的覆盖层，
其中所述覆盖层包括至少一种杂环化合物，所述杂环化合物包括咔唑基和与该咔唑基键合的杂环基团。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述杂环化合物由下列化学式1至5中之一表示：
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
其中，在化学式1至5中，
A1至A7各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基或取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团；
Y1至Y8可各自独立地为C-R，且Y9至Y16各自独立地为C-R或氮原子，其中C-R上的每个R独立地为以下之一：
氢原子、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团、取代的或未取代的具有1至30个碳原子且具有直链、支链或环状结构的烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基、取代的或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的卤代烷基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的卤代烷氧基、取代的或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代的或未取代的具有8至40个碳原子的二烷基芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有13至50个碳原子的烷基二芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有18至60个碳原子的三芳基甲硅烷基、取代的或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、卤素原子、氰基、羟基、硝基、或羧基；
当Y1至Y16中彼此相邻的两个为C-R时，相邻C-R的R是分离的或组合以形成环状结构；
L1至L12各自独立地为单键或连接基团；
X1为碳或硅；
R1和R2各自独立地为氢原子、取代的或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代的或未取代的具有1至30个环碳原子的芳族杂环基团、或取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基，R1和R2是分离的或键合在一起以形成环状结构；以及
X2为硼、磷或P＝O。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述由化学式1表示的化合物为下列化合物1至48之一：
4.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述由化学式2表示的化合物为下列化合物49至73之一：
5.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述由化学式3表示的化合物为下列化合物74至78之一：
6.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述由化学式4表示的化合物为下列化合物79至84之一：
7.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述由化学式5表示的化合物为下列化合物85至88之一：
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述覆盖层具有1.9或更高的折射率。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述覆盖层具有1.9至3.0的折射率。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述覆盖层具有10nm至300nm的厚度。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包含在所述第一电极与所述有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包含在所述有机发光层与所述第二电极之间的电子传输层和电子注入层中的至少一个。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包含在所述覆盖层上的第二基板，所述第二基板与所述覆盖层间隔开。
14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器，还包含在所述覆盖层与所述第二基板之间的空间中的空气层。
15.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器，还包含在所述覆盖层与所述第二基板之间的空间中的填充元件。
16.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包含在所述覆盖层上的薄膜封装层。
CN201510783358.0A 2014-11-24 2015-11-16 包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器 Active CN105633118B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0164595 2014-11-24
KR1020140164595A KR101788366B1 (ko) 2014-11-24 2014-11-24 고굴절률 캡핑층을 포함하는 유기발광 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105633118A true CN105633118A (zh) 2016-06-01
CN105633118B CN105633118B (zh) 2020-08-07

Family

ID=54705046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510783358.0A Active CN105633118B (zh) 2014-11-24 2015-11-16 包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10121987B2 (zh)
EP (2) EP3032602B1 (zh)
KR (1) KR101788366B1 (zh)
CN (1) CN105633118B (zh)
TW (1) TWI689505B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106632185A (zh) * 2016-10-14 2017-05-10 长春海谱润斯科技有限公司 一种9,9‑二苯基芴衍生物及其制备方法和应用
CN107591493A (zh) * 2016-07-06 2018-01-16 三星显示有限公司 有机发光二极管显示装置
CN111217739A (zh) * 2020-02-19 2020-06-02 烟台显华化工科技有限公司 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件、显示装置
CN111253319A (zh) * 2020-02-18 2020-06-09 武汉天马微电子有限公司 氮杂环化合物、显示面板以及显示装置
CN111341920A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 固安鼎材科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN111892587A (zh) * 2020-09-09 2020-11-06 长春海谱润斯科技有限公司 一种杂环有机化合物及其有机发光器件
CN112038501A (zh) * 2020-09-08 2020-12-04 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种顶发射有机电致发光器件
CN115207251A (zh) * 2016-11-28 2022-10-18 三星显示有限公司 显示设备和包括其的头戴式电子装置
EP4122934A1 (en) 2021-11-25 2023-01-25 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104701466B (zh) * 2015-03-25 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
KR102477262B1 (ko) * 2016-08-05 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP2020113557A (ja) * 2017-03-28 2020-07-27 保土谷化学工業株式会社 アザカルバゾール構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP7007366B2 (ja) * 2017-03-31 2022-01-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器
KR102038031B1 (ko) * 2017-09-15 2019-10-30 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102099171B1 (ko) 2017-12-29 2020-04-09 (주)랩토 아릴아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR20190082052A (ko) 2018-08-21 2019-07-09 주식회사 랩토 아릴 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102099172B1 (ko) 2018-08-21 2020-04-09 (주)랩토 아릴 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102059550B1 (ko) 2018-12-12 2019-12-26 (주)랩토 트리벤즈아졸 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102470622B1 (ko) 2019-10-04 2022-11-24 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102417622B1 (ko) 2019-10-31 2022-07-06 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR20210057843A (ko) * 2019-11-12 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102252493B1 (ko) 2019-12-26 2021-05-14 (주)랩토 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102261704B1 (ko) 2020-01-02 2021-06-07 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102274482B1 (ko) 2020-01-02 2021-07-07 (주)랩토 헤테로아릴 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR102256222B1 (ko) 2020-01-21 2021-05-26 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20210141825A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 주식회사 랩토 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102554038B1 (ko) 2020-05-13 2023-07-11 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20210141824A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 주식회사 랩토 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
US11985846B2 (en) * 2020-05-13 2024-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device including stacked capping layers
KR102443601B1 (ko) 2020-08-27 2022-09-19 (주)랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR20220030385A (ko) 2020-08-28 2022-03-11 주식회사 랩토 안트라센 또는 트라이페닐렌 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102561396B1 (ko) 2020-09-07 2023-08-01 주식회사 랩토 다이아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102517277B1 (ko) 2020-09-24 2023-04-04 (주)랩토 시아노기가 치환된 아릴 또는 헤테로아릴 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20220050764A (ko) 2020-10-15 2022-04-25 주식회사 랩토 고굴절 벤즈아졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102517278B1 (ko) 2020-11-12 2023-04-05 주식회사 랩토 트리아진 또는 피리미딘 유도체, 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR102460493B1 (ko) 2020-12-04 2022-11-02 (주)랩토 디벤조 5원고리 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20220087590A (ko) 2020-12-16 2022-06-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102612519B1 (ko) 2021-01-22 2023-12-12 주식회사 랩토 유기화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230020069A (ko) 2021-08-02 2023-02-10 주식회사 랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230025723A (ko) 2021-08-12 2023-02-23 주식회사 랩토 시아노기가 치환된 카바졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230026552A (ko) 2021-08-12 2023-02-27 주식회사 랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230028821A (ko) 2021-08-20 2023-03-03 주식회사 랩토 시아노기가 치환된 헤테로아릴 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230028648A (ko) 2021-08-20 2023-03-02 주식회사 랩토 3차 아민 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20230131993A (ko) 2022-03-07 2023-09-15 주식회사 랩토 카바졸 유도체 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20240013521A (ko) 2022-07-22 2024-01-30 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
KR20240013989A (ko) 2022-07-22 2024-01-31 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
WO2024167142A1 (ko) * 2023-02-07 2024-08-15 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080023724A1 (en) * 2005-03-24 2008-01-31 Kyocera Corporation Light emitting element, light emitting device having the same and method for manufacturing the same
TW201247655A (en) * 2011-04-13 2012-12-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
CN103570737A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 三星显示有限公司 杂环化合物，包含其的有机发光装置和有机发光显示器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700013B1 (ko) 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
JP2007277467A (ja) 2006-04-10 2007-10-25 Sony Chemical & Information Device Corp 硬化性樹脂組成物
KR101431644B1 (ko) 2009-08-10 2014-08-21 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20110058126A (ko) 2009-11-25 2011-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101407587B1 (ko) 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
JPWO2013035490A1 (ja) * 2011-09-07 2015-03-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
CN105576143B (zh) 2011-09-12 2018-08-07 保土谷化学工业株式会社 有机电致发光器件
WO2013161603A1 (ja) * 2012-04-24 2013-10-31 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法
KR20140008215A (ko) 2012-07-11 2014-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US8598786B1 (en) 2012-10-23 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus having a hydroxyquinoline-based layer as part of the sealing structure and method of manufacturing the same
KR102051103B1 (ko) 2012-11-07 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080023724A1 (en) * 2005-03-24 2008-01-31 Kyocera Corporation Light emitting element, light emitting device having the same and method for manufacturing the same
TW201247655A (en) * 2011-04-13 2012-12-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
CN103570737A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 三星显示有限公司 杂环化合物，包含其的有机发光装置和有机发光显示器

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107591493A (zh) * 2016-07-06 2018-01-16 三星显示有限公司 有机发光二极管显示装置
US12052885B2 (en) 2016-07-06 2024-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
CN106632185B (zh) * 2016-10-14 2019-04-05 长春海谱润斯科技有限公司 一种9，9-二苯基芴衍生物及其制备方法和应用
CN106632185A (zh) * 2016-10-14 2017-05-10 长春海谱润斯科技有限公司 一种9,9‑二苯基芴衍生物及其制备方法和应用
CN115207251A (zh) * 2016-11-28 2022-10-18 三星显示有限公司 显示设备和包括其的头戴式电子装置
CN111341920A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 固安鼎材科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN111341920B (zh) * 2018-12-18 2024-01-30 固安鼎材科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN111253319A (zh) * 2020-02-18 2020-06-09 武汉天马微电子有限公司 氮杂环化合物、显示面板以及显示装置
CN111253319B (zh) * 2020-02-18 2024-02-09 武汉天马微电子有限公司 氮杂环化合物、显示面板以及显示装置
CN111217739A (zh) * 2020-02-19 2020-06-02 烟台显华化工科技有限公司 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件、显示装置
CN112038501B (zh) * 2020-09-08 2021-08-10 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种顶发射有机电致发光器件
CN112038501A (zh) * 2020-09-08 2020-12-04 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种顶发射有机电致发光器件
CN111892587A (zh) * 2020-09-09 2020-11-06 长春海谱润斯科技有限公司 一种杂环有机化合物及其有机发光器件
EP4122934A1 (en) 2021-11-25 2023-01-25 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device

Also Published As

Publication number Publication date
US20160149157A1 (en) 2016-05-26
KR20160062307A (ko) 2016-06-02
EP3032602A2 (en) 2016-06-15
US10121987B2 (en) 2018-11-06
EP3032602B1 (en) 2019-10-30
EP3032602A3 (en) 2016-09-28
EP3611771A1 (en) 2020-02-19
EP3611771B1 (en) 2022-06-15
US20190067628A1 (en) 2019-02-28
TWI689505B (zh) 2020-04-01
KR101788366B1 (ko) 2017-10-20
CN105633118B (zh) 2020-08-07
US10985340B2 (en) 2021-04-20
TW201625594A (zh) 2016-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105633118A (zh) 包括具有高折射率的覆盖层的有机发光二极管显示器
CN107591493A (zh) 有机发光二极管显示装置
US10476036B2 (en) Organic light emitting diode display device comprising capping layer
CN107689423A (zh) 有机发光二极管显示装置
US11329257B2 (en) Organic light-emitting diode display device including a thin film encapsulation layer
US20110121271A1 (en) Organic light emitting diode display
US9806296B2 (en) Organic light emitting diode device
CN101661949B (zh) 有机发光二极管显示器
KR102424966B1 (ko) 유기발광 표시장치
US20160087245A1 (en) Organic light emitting diode device
CN110246986A (zh) 有机发光二极管显示装置
CN103187536A (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
CN103190199B (zh) 有机el装置
CN103904104A (zh) 有机发光显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant