CN110246865A - 显示设备 - Google Patents

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CN110246865A CN201910170759.7A CN201910170759A CN110246865A CN 110246865 A CN110246865 A CN 110246865A CN 201910170759 A CN201910170759 A CN 201910170759A CN 110246865 A CN110246865 A CN 110246865A
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金明焕
南正植
申世重
金相烈
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Abstract

根据示例性实施方式的显示设备包括显示面板，所述显示面板包括显示区域和弯曲区域。弯曲区域中的显示面板包括多条连接导线、包括多个电极的图案以及位于多条连接导线和图案之间的保护层。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年3月9日提交至韩国知识产权局的第10-2018-0028278号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
诸如有机发光二极管显示器、液晶显示器等的显示设备通过在衬底上形成几个层或元件来制造。使用玻璃作为显示设备的衬底。然而，衬底当由玻璃制成时重且容易被损坏。此外，因为玻璃衬底是刚性的，所以难以对显示设备进行修改。最近，已经研发了使用轻的、具有抗冲击性且易于修改的柔性衬底的显示设备。
使用柔性衬底的显示设备可设计成使显示面板的包括焊盘部分的边缘弯曲从而朝向屏幕背面，其中，用于传输信号的柔性印刷电路膜(FPC)附接至所述焊盘部分。因此，与利用刚性衬底的显示设备相比，可减少死空间。如果死空间减少，则显示设备的边框宽度可减小且显示设备的内部空间的利用率提高，由此将显示设备设计成更紧凑。
该背景部分中所公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此，它可包含不构成在本国中对于本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施方式提供了能够改进显示面板的弯曲区域的物理特性并且容易且正确地评估弯曲区域的加工特性的显示设备。
根据示例性实施方式的显示设备包括显示面板，所述显示面板包括显示区域和弯曲区域。弯曲区域中的显示面板可包括多条连接导线、包括多个电极的图案以及位于多条连接导线和图案之间的保护层。
多个电极可布置在至少约50％的弯曲区域之上。
每个电极可为四边形的或圆形的。
图案还可包括连接多个电极的多个桥。
显示面板还可包括衬底，且多条连接导线可定位成在衬底上跨越弯曲区域并且可配置为传输来自显示面板的信号。
保护层可位于多条连接导线上，且图案位于保护层上。
显示面板还可包括位于显示区域中的像素电极，且图案可由与像素电极相同的材料制成。
保护层可位于衬底和多条连接导线之间，且图案可位于衬底和保护层之间。
显示面板还可包括位于显示区域中的栅电极，且图案可由与栅电极相同的材料制成。
显示面板还可包括在弯曲区域中分别位于两侧处的第一对齐标记和第二对齐标记，且图案可位于第一对齐标记和第二对齐标记之间。
图案还可包括邻近弯曲区域的多个虚拟电极。
根据示例性实施方式的显示设备包括：包括显示区域和弯曲区域的显示面板，以及在显示面板的一个表面上定位成不与弯曲区域重叠的保护膜。显示面板包括图案，图案包括布置在弯曲区域中的多个电极，保护膜包括分别位于弯曲区域的两侧处的第一部分和第二部分，以及图案的一部分与第一部分和第二部分中的至少一个重叠。
图案可包括多个子图案，且每个子图案可包括相对于弯曲区域的一个边缘对称地定位的多个电极。
每个子图案可包括多个电极，所述多个电极的数量随着更远离弯曲区域的边缘而改变。
每个子图案可包括多个电极，所述多个电极的数量随着更远离弯曲区域的边缘而增大。
每个电极可为四边形的或圆形的。
每个子图案可包括具有两种或更多种形状的多个电极。
显示面板还可包括衬底和在衬底上跨越弯曲区域的多条连接导线，且图案可位于与多条连接导线相同的层处。
在弯曲区域中，显示面板还可包括位于衬底和多条连接导线之间的第一保护层以及位于多条连接导线上的第二保护层，且图案可位于第一保护层和第二保护层之间。
显示面板还可包括位于显示区域中的源电极和漏电极，且图案可由与源电极和漏电极相同的材料制成。
根据示例性实施方式，可容易地在数量上评估剩余在显示面板的弯曲区域中的粘合剂，且可缓解弯曲区域的弯曲应力。可容易且精确地评估从显示面板的弯曲区域移除的保护膜的切割精度，并且可通过视觉检查等使测量和评估自动化。
附图说明
图1是示意性示出根据示例性实施方式的显示设备的俯视平面图。
图2是图1中所示的显示设备在弯曲之前的侧视图。
图3是图1中所示的显示设备在弯曲之后的侧视图。
图4是图1中的弯曲区域的放大图。
图5是沿着图1中的线V-V'截取的剖视图。
图6是示意性示出图1中的弯曲区域的截面结构的视图。
图7是图1中的弯曲区域以及邻近弯曲区域的区域的放大图。
图8和图9是示出根据示例性实施方式位于显示设备的弯曲区域处的图案的视图。
图10和图11是示出当将弯曲区域弯曲时对于连接导线的影响根据图案的形状的图形。
图12是示出当将弯曲区域弯曲时对于连接导线的影响根据曲率半径的图形。
图13是根据示例性实施方式的显示设备在弯曲之后的侧视图。
图14是根据示例性实施方式的显示设备的剖视图。
图15是示意性示出根据示例性实施方式的显示设备的俯视平面图。
图16是沿着图15的线XVI-XVI'截取的剖视图。
图17、图18、图19和图20是根据示例性实施方式的通过图15中的单点划线指示的区域的放大图。
具体实施方式
将在下文中参考示出示例性实施方式的附图更充分地描述发明构思。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施方式可以以均不脱离发明构思的精神或范围的各种不同方式进行修改。
在说明书通篇，相同的附图标记指代相同的元件。在附图中，为了清楚地示出相应层和相应区域的布置和相对位置，可能放大或缩小相应层和相应区域的厚度或尺寸。
应理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件上时，它可直接地在该另一元件上，或者还可存在介于中间的元件。相反，当元件被称为直接在另一元件上时，不存在介于中间的元件。
此外，除非明确地相反描述，否则词语“包括(comprise)”及诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变型将理解为指示包括所阐述的元件，但是不排除任何其他元件。
此外，在说明书中，措辞“在平面图中”是指从上方观察对象部分时，以及措辞“在剖视图中”是指从侧部观察通过竖直切割对象部分所得的截面时。
现在，将参考附图描述根据示例性实施方式的显示设备。虽然将有机发光二极管显示器描述为显示设备，但是发明构思不限于此，且发明构思可应用于其他显示设备，诸如液晶显示器。
图1是示意性示出根据示例性实施方式的显示设备的俯视平面图。图2是图1中所示的显示设备在弯曲之前的侧视图。图3是图1中所示的显示设备在弯曲之后的侧视图。
参考图1，显示设备包括显示面板10、附接至显示面板10的柔性印刷电路膜20、包括集成电路芯片30的驱动器件等。
显示面板10包括显示区域DA和非显示区域NA，其中，显示区域DA对应于显示图像的屏幕，在非显示区域NA中用于生成和/或传输施加至显示区域DA的各种信号的电路和/或信号线围绕显示区域DA设置。在图1中，虚线四边形的内部和外部分别对应于显示区域DA和非显示区域NA。
像素PX设置成矩阵形式，例如设置在显示面板10的显示区域DA中。信号线(未示出)，诸如扫描线(称为栅极线)、光发射控制线、数据线和驱动电压线，也设置在显示区域DA中。扫描线、光发射控制线、数据线和驱动电压线连接至每个像素PX，且每个像素PX可接收来自这些信号线的扫描信号(称为栅极信号)、光发射控制信号、数据信号和驱动电压。
显示区域DA可包括用于感测用户的接触触摸或非接触触摸的触摸传感器层。虽然显示区域DA被示出为具有其拐角经圆化的四边形形状，但是显示区域DA可具有各种形状，诸如多边形形状、圆形形状、椭圆形状等。
在显示面板10的非显示区域NA中定位有焊盘部分PP，在所述焊盘部分PP中设置有用于从显示面板10的外部接收信号的焊盘。焊盘部分PP可定位成沿着显示面板10的一个边缘在第一方向x上延长。柔性印刷电路膜20可粘结至焊盘部分PP，且柔性印刷电路膜20的焊盘可电连接至焊盘部分PP的焊盘。
生成和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动器件(未示出)也可位于非显示区域NA中。驱动器件可包括向数据线施加数据信号的数据驱动器、向扫描线施加扫描信号的扫描驱动器、向光发射控制线施加光发射控制信号的光发射驱动器以及控制数据驱动器、扫描驱动器和光发射驱动器的信号控制器。扫描驱动器和光发射驱动器可集成在显示面板10上。数据驱动器和信号控制器可设置为集成电路芯片(称为驱动IC芯片)30，且集成电路芯片30可安装在显示面板10的非显示区域NA中。集成电路芯片30可安装至可电连接至显示面板10的柔性印刷电路板(PCB)。
参考图1、图2和图3，显示面板10包括弯曲区域BR。例如，弯曲区域BR可位于在显示区域DA和焊盘部分PP之间的非显示区域NA处。弯曲区域BR可定位成在第一方向x上跨越显示面板10。如图3中所示，显示面板10可在弯曲区域BR中基于平行于第一方向x的弯曲轴以预定曲率半径弯曲。当显示面板10是顶部发射型时，显示面板10可弯曲使得焊盘部分PP和柔性印刷电路膜20比位于显示面板10的背面处的弯曲区域BR相距显示区域DA远。在应用显示设备的电子设备中，显示面板10可如上所述那样处于弯曲状态。
弯曲区域BR可绕一个弯曲轴弯曲，然而弯曲区域BR可绕两个或更多个弯曲轴弯曲。在图中，弯曲区域BR位于非显示区域NA处，然而，弯曲区域BR可位于显示区域DA和非显示区域NA之上，或者可位于显示区域DA中。
参考图2和图3，用于保护显示面板10的保护膜50位于显示面板10下方。保护膜50通过粘合剂附接至显示面板10的后表面。保护膜50可由塑料制成，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯硫化物等。
保护膜50定位成覆盖显示面板10的整个后表面，然而它不位于弯曲区域BR中，以减小弯曲区域BR的弯曲应力。保护膜50可通过将保护膜粘附在显示面板10的整个后表面上之后移除位于弯曲区域BR中的保护膜部分来形成。
更详细地，通过滚压层压方法将其中粘合剂(诸如压敏粘合剂)施加至一个表面的保护膜均匀地粘附至显示面板10的整个后表面。接下来，通过向弯曲区域BR照射紫外线将设置在弯曲区域BR中的粘合剂光分解以使得粘合力劣化，并且在弯曲区域BR的两侧(在第二方向y上的两侧)处沿着第一方向x切割保护膜。接下来，剥离位于弯曲区域BR中的其两侧被切割的保护膜部分。当切割保护膜时，可使用图4中所示的对齐标记AM来对齐诸如激光切割器的切割设备。
可与所移除的保护膜部分一起移除设置在弯曲区域BR中的粘合剂，然而粘合剂的一部分可能在弯曲区域BR中保留在显示面板10的后表面处。颗粒附接至剩余的粘合剂(在下文中称为残余粘合剂)使得显示面板10可能被污染且可能出现缺陷。根据示例性实施方式，显示面板10包括能够测量残余粘合剂的图案IP，且这参考图4和图5详细描述。
图4是图1中的弯曲区域的放大图，且图5是沿着图1中的线V-V'截取的剖视图。
图4示出位于弯曲区域BR中的图案IP和位于弯曲区域BR中的残余粘合剂R。如图5中所示，在第二方向y上跨越弯曲区域BR的多条连接导线179位于弯曲区域BR中，且为了避免图的复杂，图4中仅示出图案IP和对齐标记AM。
参考图4，显示面板10包括图案IP，图案IP包括在弯曲区域BR中的多个电极E。示出具有四边形形状的电极E，然而除了四边形之外电极E还可具有各种形状，诸如多边形、圆形或椭圆形。在弯曲区域BR中，电极E的数量可为约20至约2000、约50至约1000或者约100至约500。配置图案IP的电极E可位于约50％以上、约70％以上或约90％以上的弯曲区域BR上方，或者可均匀地位于基本整个弯曲区域BR的上方。电极E可具有相同的形状并且可以以相同的间隔布置。电极E可为其一个边的长度l是约20μm至约100μm的正方形，且电极E的间距p可为约30μm至约150μm。例如，当电极E的间距p设定为约70μm时，具有一个约50μm的长度l的电极E可以以约20μm的间隔s布置，且具有一个约35μm的长度l的电极E可以以约35μm的间隔s布置。在弯曲区域BR中，图案IP可形成为具有约10％至约80％的面积密度、约20％至约70％的面积密度或者约30％至约60％的面积密度。
如果图案IP形成在弯曲区域BR中，则通过仅经由视觉检查观察与残余粘合剂R重叠或不与残余粘合剂R重叠的电极E的数量，可非常简单地且在数量上确认残余粘合剂R的程度。例如，在图4中，图案IP包括120个电极E。如果其中50％以上的面积与残余粘合剂R重叠的电极E设定为重叠的电极E，则存在约50个这种重叠的电极E。换言之，可确认残余粘合剂R的面积密度是弯曲区域BR的约42％(等于50/120×100％)。因为当利用光学显微镜检查与残余粘合剂R重叠和不与残余粘合剂R重叠的电极E时亮度可不同，所以不需要复杂的设备或算法来确认所述重叠。
如果残余粘合剂R没有以预定水平以上重叠，则可执行用于制造显示设备的后续工艺或者显示设备可被运送，以及如果残余粘合剂R的重叠在预定水平以上，则可将显示设备视为有缺陷的。因为图案IP均匀地布置在整个弯曲区域BR上，所以连同评估残余粘合剂R的功能一起，图案IP还具有缓解弯曲区域BR的弯曲应力和控制中性面的功能。稍后给出其详细描述，且首先参考图5描述图案IP如何形成在显示面板10中。
对齐标记AM可在弯曲区域BR中位于在第一方向x上的两侧处。因此，图案IP可在弯曲区域BR中位于对齐标记AM之间。对齐标记AM可具有如所示出的十字形平面形状或者可具有其他形状。
参考图5，示意性示出显示面板10的显示区域DA和弯曲区域BR的剖视图。显示面板10包括衬底110以及形成在衬底110上的多个层、导线和元件。在显示面板10的显示区域DA中，设置有非常大量的像素，但是为了避免图形复杂仅示出和描述仅一个像素。另外，每个像素包括晶体管、电容器和有机发光二极管，然而，显示面板10的堆叠结构基于一个晶体管TR和连接至晶体管TR的一个有机发光二极管OLED进行描述。
衬底110可以是柔性衬底。衬底110可由聚合物制成，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯。衬底110可包括用于防止水分等从外部渗入的阻挡层。阻挡层可包括无机绝缘材料，诸如硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)等。
缓冲层120位于衬底110上。缓冲层120起到防止可能在形成半导体层154的工艺中从衬底110扩散至半导体层154的杂质和减小施加至衬底110的应力的作用。缓冲层120可包括无机绝缘材料，诸如硅的氧化物、硅的氮化物等。缓冲层120可位于衬底110的整个表面之上，然而，缓冲层120可不位于弯曲区域BR中。这是因为，由无机绝缘材料形成的层容易受弯曲的伤害，使得可能出现裂纹或者位于弯曲区域BR中的导线可能被损坏。
晶体管TR的半导体层154位于缓冲层120上。半导体层154包括与栅电极124重叠的沟道区以及设置在沟道区的相应侧处的源区和漏区。半导体层154可包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
包括诸如硅的氧化物或硅的氮化物的无机绝缘材料的第一绝缘层140位于半导体层154上。第一绝缘层140可称为栅绝缘层。第一绝缘层140可不位于弯曲区域BR中。
包括扫描线、晶体管TR的栅电极124、第一导线127和第二导线129的栅极导体位于第一绝缘层140上。栅极导体可在相同的工艺中由相同的材料形成。栅极导体可包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)的金属或它们的金属合金。第一导线127可连接至显示区域DA(例如，信号线，诸如数据线或驱动电压线)以及驱动器件(例如，扫描驱动器或光发射驱动器)，且第二导线129可连接至集成电路芯片30的输出焊盘或焊盘部分PP的焊盘。
第二绝缘层160位于第一绝缘层140和栅极导体上。第二绝缘层160可包括无机绝缘材料，诸如硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物(SiON)以及硅的氟氧化物(SiOF)。第二绝缘层160可称为层间绝缘层。第二绝缘层160可不位于弯曲区域BR中。
包括数据线、驱动电压线172、晶体管TR的源电极173和漏电极175、电压传输线177以及连接导线179的数据导体位于第二绝缘层160上。数据导体可在相同的工艺中由相同的材料形成。源电极173和漏电极175可通过形成在第二绝缘层160和第一绝缘层140中的接触孔分别连接至半导体层154的源区和漏区。电压传输线177可传输电力电压，诸如驱动电压、公共电压等。参考图4，对齐标记AM可与源电极173和漏电极175由相同的材料且在相同的工艺中形成。对齐标记AM可与栅电极124由相同的材料且在相同的工艺中形成。
连接导线179主要位于弯曲区域BR中。连接导线179可跨越弯曲区域BR从而在基本平行于第二方向y的方向上延伸。连接导线179的一端和另一端通过形成在第二绝缘层160中的接触孔分别连接至第一导线127和第二导线129。因此，作为栅极导体的第一导线127和第二导线129通过连接导线179电连接至彼此。因此，从集成电路芯片30输出的信号(例如，数据信号、控制信号或电压信号)、输入至焊盘部分PP的焊盘的信号(例如，驱动电压(ELVDD)或公共电压(ELVSS))等可通过第二导线129、连接导线179和第一导线127传输至显示区域DA、驱动器件等。因为当弯曲区域BR弯曲时连接导线179弯曲，所以连接导线179可由具有优良的柔性和低的杨氏模量的金属形成。如果连接导线179的柔性增大，则因为对于应变的应力减小，所以可减小在弯曲区域BR处劣化(例如，发生裂缝)或断开的风险。
数据导体可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等金属以及它们的金属合金。数据导体可以是多层，并且可具有三层结构，该三层结构例如包括用于提高接触性能的下层(辅助层)以及用于防止氧化等的上层(封盖层)等。例如，下层和上层可包括钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)或钽(Ta)。例如，数据导体可以是多层，诸如钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钛/铜/钛(Ti/Cu/Ti)或钼/铝/钛(Mo/Al/Ti)，但是实施方式不限于此。
第一保护层165在弯曲区域BR中位于衬底110和连接导线179之间。第一保护层165的一部分可与第一绝缘层140或第二绝缘层160重叠。在弯曲区域BR中，第一保护层165可直接地位于衬底110上，且第一保护层165的下表面可与衬底110的上表面接触。第一保护层165可包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可包括聚酰亚胺、基于丙烯醛基的聚合物、基于硅氧烷的聚合物等。
栅电极124、源电极173和漏电极175连同半导体层154一起形成晶体管TR。在所示出的晶体管TR中，栅电极124位于半导体层154上，然而晶体管TR的结构不限于此并且可进行各种改变。
第三绝缘层180位于第二绝缘层160和数据导体上。第三绝缘层180在弯曲区域BR中且在弯曲区域BR附近如第二保护层185那样定位并且形成第二保护层185。在弯曲区域BR中，第二保护层185可位于第一保护层165上。第三绝缘层180和第二保护层185可在相同的工艺中由相同的材料形成。第三绝缘层180和第二保护层185可包括有机绝缘材料，例如，聚酰亚胺、基于丙烯醛基的聚合物、基于硅氧烷的聚合物等。连接导线179夹置于第一保护层165和第二保护层185之间。换言之，在弯曲区域BR中，连接导线179通过包括有机绝缘材料的第一保护层165和第二保护层185包围，由此防止在弯曲时被损坏。
像素电极PE在显示区域DA中位于第三绝缘层180上。像素电极PE可通过形成在第三绝缘层180中的接触孔连接至漏电极175。图案IP在弯曲区域BR中位于第二保护层185上。图案IP可与像素电极PE在相同的工艺中由相同的材料形成。例如，通过溅射方法等将导电材料沉积在第三绝缘层180和第二保护层185上以形成导电层，并且之后通过光刻工艺图案化导电层从而一起形成像素电极PE和图案IP。如果通过该方法形成图案IP，则不需要添加形成图案IP的工艺，且图案IP不干扰弯曲区域BR的其他导体(即，连接导线179)。
图案IP可除了显示区域DA的像素电极PE之外还与其他组成元件一起形成，或者可与形成在显示区域DA中的组成元件独立地形成。对齐标记AM可与像素电极PE在相同的工艺中由相同的材料形成。
像素电极PE和图案IP可包括诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼/铝/钕(Mo/Al/Nd)的金属或它们的金属合金。像素电极PE和图案IP可包括透明导电材料，诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。例如，像素电极PE和图案IP可以是多层，诸如ITO/银(Ag)/ITO。
具有与像素电极PE重叠的开口的第四绝缘层360位于第三绝缘层180上。第四绝缘层360的开口可限定每个像素区域，并且称为像素限定层。第四绝缘层360可在弯曲区域BR中位于第二保护层185上的第三保护层367处。第四绝缘层360和第三保护层367可在相同的工艺中由相同的材料形成。第四绝缘层360和第三保护层367可包括有机绝缘材料。
发射层EL位于像素电极PE上。传输公共电压的公共电极CE位于发射层EL上。公共电极CE通过具有低功函数的薄层压金属形成，诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等，从而具有光透射性质。公共电极CE可由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成。每个像素的像素电极PE、发射层EL和公共电极CE构成如有机发光二极管OLED的发光元件。
封装层390位于公共电极CE上。封装层390可通过封装有机发光二极管OLED防止水分或氧气从外部渗入。封装层390可以是其中沉积了无机材料层和/或有机材料层的薄膜封装层。在所示出的示例性实施方式中，封装层390是包括第一无机材料层391、第二无机材料层393和介于第一无机材料层391和第二无机材料层393之间的有机材料层392的薄膜封装层。封装层390可不位于弯曲区域BR中。
用于减少外部光的反射的偏振层可位于封装层390上。偏振层可不与弯曲区域BR重叠。
用于缓解拉伸应力并保护连接导线179的弯曲保护层400在弯曲区域BR中位于第三保护层367上。弯曲保护层400可称为应力中和层。弯曲保护层400可包括有机绝缘材料，诸如丙烯醛基树脂。
至少一个坝状部D1和D2可位于封装层390和弯曲区域BR之间。坝状部D1和D2可包括第一坝状部D1和第二坝状部D2。第一坝状部D1可定位成比第二坝状部D2更靠近显示区域DA，且第二坝状部D2可形成为高于第一坝状部D1。第一坝状部D1和第二坝状部D2中的每一个可包括至少一个层。例如，第一坝状部D1可包括第一层365和位于第一层365上的第二层405。第一层365可与第四绝缘层360在相同的工艺中由相同的材料形成，且第二层405可与弯曲保护层400在相同的工艺中由相同的材料形成。第二坝状部D2可包括第一层186、第二层366和第三层406。第一层186可与第三绝缘层180在相同的工艺中由相同的材料形成，第二层366可与第四绝缘层360在相同的工艺中由相同的材料形成，且第三层406可与弯曲保护层400在相同的工艺中由相同的材料形成。第一坝状部D1和第二坝状部D2可具有在形成封装层390的有机材料层392时防止有机材料朝向非显示区域NA溢流的功能。配置封装层390的第一无机材料层391和第二无机材料层393可形成为在第一坝状部D1和第二坝状部D2上延伸。在这种情况中，由于第一无机材料层391和第二无机材料层393的接触面积增大，所以第一无机材料层391和第二无机材料层393之间的粘附力可增大。
保护膜50位于衬底110下方。保护膜50可通过诸如压敏粘合剂或光学透明粘合剂的粘合剂附接至衬底110。如上所述，在弯曲区域BR中移除保护膜50以减小弯曲应力，并且在移除保护膜50之前存在于衬底110和保护膜50之间的粘合剂可保留在衬底110的下表面处。形成在弯曲区域BR中的图案IP可用于评估粘合剂的剩余量。
图6是示意性示出图1中的弯曲区域BR的截面结构的视图。
显示面板10的弯曲区域BR可具有其中衬底110、第一保护层165、连接导线179、第二保护层185、图案IP、第三保护层367和弯曲保护层400相继地沉积的结构。
设计弯曲区域BR使得连接导线179在弯曲期间不被损坏是重要的。为此，连接导线179位于包括有机绝缘材料的第一保护层165和第二保护层185之间。另外，弯曲区域BR的层可形成为使得弯曲区域BR的中性面定位成靠近连接导线179。中性面是在弯曲区域BR内的表面，在中性面处，当弯曲区域BR因弯曲力而受载荷时，弯曲区域BR的材料不受应力(压缩应力或拉伸应力)。在弯曲区域BR的弯曲期间，在中性面上(上方)的部分处产生拉伸应力以及在中性面下方的部分处产生压缩应力。因为连接导线179对于拉伸应力比对于压缩应力脆弱，所以中性面可略微地位于连接导线179上方，例如如所示那样在第二保护层185上。因此，为了定位中性面，需要将弯曲保护层400以及第二保护层185和第三保护层367形成为厚的，其中第二保护层185和第三保护层367与形成在显示区域DA中的第三绝缘层180和第四绝缘层360一起形成。
由于图案IP位于连接导线179上方，所以图案IP可使中性面向上移动。换言之，图案IP将中性面的位置控制成适于缓解在连接导线179中生成的弯曲应力。另外，通过形成图案IP，即使用于控制中性面的弯曲保护层400形成为更薄，弯曲区域BR的中性面也可被控制在预定位置。在图6中，图案IP位于第二保护层185和第三保护层367之间，然而图案IP可位于其他层之间，而且可位于第三保护层367和弯曲保护层400之间。
图7是图1中的弯曲区域以及邻近弯曲区域的区域的放大图。
参考图7，如图4中所示，图案IP可形成到弯曲区域BR以及在第二方向y上邻近弯曲区域BR的区域。换言之，在平面图中，图案IP可包括沿着位于弯曲区域BR中的电极E位于弯曲区域BR上方的第一虚拟电极Ed1以及位于弯曲区域BR下方的第二虚拟电极Ed2。如上所述，如果形成还包括第一虚拟电极Ed1和第二虚拟电极Ed2的图案IP，则可受图案IP控制的弯曲区域BR的中性面区域可扩展至邻近弯曲区域BR的区域，且可获得弯曲区域BR的余裕。换言之，即使显示面板10没有在预期的弯曲区域BR中正确地弯曲，且邻近弯曲区域BR的区域弯曲，因为中性面区域通过图案IP扩展，所以也可保护位于该区域中的导线(具体地，连接导线179)。
图案IP包括第一列的第一虚拟电极Ed1和第一列的第二虚拟电极Ed2，然而可以包括或者可以不包括两列或更多列的第一虚拟电极Ed1和/或两列或更多列的第二虚拟电极Ed2。第一虚拟电极Ed1的间距和第二虚拟电极Ed2的间距可与电极E的间距p相同。第一虚拟电极Ed1和第二虚拟电极Ed2的形状和尺寸可与电极E的形状和尺寸相同，并且可具有各种形状，诸如四边形、除了四边形之外的多边形、圆形以及椭圆形。
参考图8至图12描述图案IP的一些示例性实施方式和与其相关的弯曲应力缓解效果。
图8和图9是示出根据示例性实施方式位于显示设备的弯曲区域处的图案IP的视图。
参考图8，图案IP包括多个电极E以及连接相邻电极E的桥B。桥B的宽度小于电极E的宽度，且例如可为约5μm至约20μm。电极E可为具有相同尺寸的四边形，并且可以以相同的间隔s和间距p布置。如上所述，如果如图4中所示的图案IP的电极E通过桥B连接，则与仅包括电极E的图案IP相比，在弯曲区域BR中图案IP的面积密度可增大。例如，图案IP可具有约20％至约90％或约40％至约80％的面积密度。如果图案IP的面积密度增大，则弯曲应力控制能力可增大。另一方面，当图案IP包括图7中所示的第一虚拟电极Ed1和第二虚拟电极Ed2时，第一虚拟电极Ed1和第二虚拟电极Ed2可通过如图8中所示的相同的方法连接至桥B。
参考图9，示出配置图案IP的每个电极E是圆形的示例。电极E可为具有约20μm至约100μm的直径d的圆形，且电极E的间距p可为约30μm至约150μm。
例如，当电极E的间距p设定为约70μm时，约50μm的直径d的电极E可以以约20μm的间隔s布置，且约35μm的直径d的电极E可以以约35μm的间隔s布置。电极E平行于第一方向x且向第二方向y倾斜，然而电极E也可平行于第二方向y。
电极E除了图8和图9中所示的形状之外还可具有各种形状，且图案IP可通过有规律地布置在基本整个弯曲区域BR之上的电极E来形成。各种形状的电极E可具有通过桥B连接的结构。
图10和图11是示出当将弯曲区域弯曲时对于连接导线179的影响根据图案的形状的图形。图12是示出当将弯曲区域弯曲时对于连接导线179的影响根据曲率半径的图形。
在图10和图11的图形中，示例性实施方式A至E中的每一个是图案IP形成在弯曲区域BR中的情况，且示例性实施方式F是图案IP不形成在弯曲区域BR中的情况。每个弯曲区域BR以1mm的曲率半径弯曲。
表1
参考图10和图11，随着电极E的面积在相同间距p的情况下增大，应变和应力大量地出现且应变和应力在包括桥B的情况(示例性实施方式E)中最大。这意味着，随着图案IP的面积密度增大，缓解弯曲应力的效果越强。当形成图案IP时，应变和应力呈现为比不形成图案IP时大。因此，图案IP可缓解在弯曲区域BR的弯曲期间的应变和应力。
参考图12，在弯曲区域BR弯曲时，呈现为曲率半径与连接导线179的应力约成反比。图案IP可在更小的曲率半径的情况下更有效地缓解弯曲应力增大。
目前为止，已经在示例性实施方式中在显示面板10是前部发射型的情况中描述了弯曲区域BR的弯曲、图案IP的形成等。然而，在显示面板10是底部发射型的情况中，弯曲区域BR的弯曲方向、图案IP的形成位置等可与上述示例性实施方式不同。在主要集中于与上述示例性实施方式的差别的情况下，参考图13和图14描述显示面板10是底部发射型的情况。
图13是根据示例性实施方式的显示设备在弯曲之后的侧视图，以及图14是根据示例性实施方式的显示设备的剖视图。
参考图13，当显示面板10是底部发射型时，弯曲区域BR可在与图3中所示的方向相反的方向上弯曲。因此，焊盘部分PP和柔性印刷电路膜20可弯曲为位于显示面板10的前方。在该弯曲中，在弯曲区域BR中，在中性面的上部分处产生压缩应力，且在中性面的下部分处产生拉伸应力。
参考图14，示出与图1中的线V-V'对应的区域的截面。因为连接导线179对于拉伸应力比对于压缩应力脆弱，所以中性面适于定位成略微地低于连接导线179。因此，由于可将图案IP形成在连接导线179下方而不是上方以使中性面向下移动，所以可缓解连接导线179的弯曲应力。
为了在不添加工艺的情况下形成图案IP，在形成连接导线179之前，图案IP可与形成在显示区域DA中的配置(例如，栅电极124)在相同的工艺中由相同的材料形成。图案IP可与除了显示区域DA的栅电极124之外的其他组成元件一起形成，或者可与形成在显示区域DA中的组成元件独立地形成。在显示面板10是底部发射型的情况中，由于从有机发光二极管OLED的发射层EL发射的光必须发射至显示面板10的后表面，所以像素电极PE可仅由具有高的功函数的透明导电材料形成或者由透明导电材料层和半透反射式金属层形成。
接下来，结合在切割保护膜以移除在显示面板10的弯曲区域BR中的保护膜时的加工精度检查来给出描述。省略或简化以上描述的组成元件的描述。
图15是示意性示出根据示例性实施方式的显示设备的俯视平面图。图16是沿着图15的线XVI-XVI'截取的剖视图。图17、图18、图19和图20是根据示例性实施方式的通过图15中的单点划线指示的区域的放大图。
图15示出如图1中所示的显示设备。图16示出图15中的显示面板10的弯曲区域BR的两侧(在第一方向x上的两侧)的边缘部分的截面。保护膜50在显示面板10的后表面处附接至除了弯曲区域BR之外的部分。保护膜50包括分别位于弯曲区域BR的两侧处的第一部分50a和第二部分50b。
包括子图案sIP的图案IP位于弯曲区域BR中且在弯曲区域BR附近。换言之，图案IP不限于在弯曲区域BR内，而是延伸超过弯曲区域BR的边界，并且然后设置到弯曲区域BR的外部。不同于参考图1至图14描述的用于评估残余粘合剂R的图案IP，该图案IP用于评估弯曲区域BR中的保护膜的切割精度。显示面板10可包括用于评估残余粘合剂R的图案IP和用于评估保护膜切割精度的图案IP两者，或者可仅包括它们中的一者。
如图16中所示，图案IP可位于第一保护层165和第二保护层185之间。图案IP可与晶体管TR的源电极173和漏电极175在相同的工艺中由相同的材料形成。在显示面板10的弯曲区域BR中，传输数据信号、控制信号、驱动电压等的连接导线179如图5中所示那样进行定位，然而连接导线179可位于弯曲区域BR的右侧/左侧的边缘部分(例如，在从边缘起约0.1mm至0.3mm内的区域)中。因此，虽然图案IP由与源电极173、漏电极175、连接导线179相同的数据导体形成，但是图案IP不干扰作为弯曲区域BR的其他导体的连接导线。
图案IP可位于其他层之间。例如，图案IP可位于第二保护层185和第三保护层367之间、第三保护层367和弯曲保护层400之间、缓冲层120和第一绝缘层140之间、第一绝缘层140和第二绝缘层160之间或者衬底110和第一保护层165之间。图案IP可与半导体层154、与栅电极124、与像素电极PE或者与公共电极CE在相同的工艺中由相同的材料形成。如上所述，如果图案IP与形成在显示区域DA中的组成元件一起形成，则可不需要增加用于形成图案IP的过程。
为了将保护膜50形成为仅不位于弯曲区域BR中，将保护膜50完全地附接至显示面板10的后表面，沿着第一方向x在弯曲区域BR的两侧(在第二方向y上的两侧)处激光切割保护膜50，并且去除位于弯曲区域BR中的保护膜部分。图案IP用于评估激光切割执行的精确程度。
图17示出在弯曲区域BR的上边缘和下边缘处通过激光切割保护膜的状态。在保护膜切割之后但是在保护膜部分50'移除之前，保护膜部分50'位于弯曲区域BR中。图案IP包括在弯曲区域BR的右侧和左侧处位于弯曲区域BR的两侧的边缘部分处的电极E。图案IP包括在弯曲区域BR的两侧的边缘附近在弯曲区域BR的上边缘部分和下边缘部分处的子图案sIP。配置每个子图案sIP的电极E在弯曲区域BR的上边缘部分和下边缘部分处位于弯曲区域BR的外部和内部之上。因此，子图案sIP的一部分与保护膜50的第一部分50a或第二部分50b重叠。
示出了图案IP包括四个子图案sIP且子图案sIP相比于对齐标记AM位于弯曲区域BR的内部处的示例，然而，图案IP可包括少于四个或多于四个的子图案sIP，且子图案sIP相比于对齐标记AM可位于弯曲区域BR的外部。
可通过参考对齐标记AM将诸如CO2激光切割器的激光切割设备对齐以及沿着弯曲区域BR的上边缘和下边缘照射激光束来执行激光切割。如果激光束被照射到保护膜，则保护膜通过热能熔化。如果通过激光束切割保护膜，则由于体积损失而产生具有预定宽度的切边(cuff)K1和K2。保护膜可通过切边K1和K2划分成不位于弯曲区域BR中的保护膜50a和50b以及位于弯曲区域BR中的保护膜部分50'。
切边K1和K2是其中保护膜通过激光切割被移除的空间。切边K1和K2限制保护膜的切割侧表面。切边K1和K2可具有大致“U”字符至“V”字符的截面形状，且最大宽度可为约100μm至约200μm。即使参考对齐标记AM对齐激光束的照射位置，也可能由于设备公差或材料公差产生对齐误差，使得保护膜的朝向弯曲区域BR的边缘部分可能因对齐误差而侵入弯曲区域BR或远离弯曲区域BR。因此，如果激光切割超过可允许误差等级，则在移除位于弯曲区域BR中的保护膜部分50'或者除了弯曲区域BR可弯曲的部分之外的部分之后，在弯曲时在弯曲区域BR处产生过多的应力，尤其是在弯曲区域BR的上边缘部分和/或下边缘部分处产生过多的应力。因此，在位于弯曲区域BR中或弯曲区域BR附近的导线中产生裂缝，或者导线可能断开连接。评估激光切割是否正确地执行是为了防止缺陷的产生，并且是工艺中所需要的。
如示例性实施方式中所示，由于图案IP形成在弯曲区域BR的上边缘部分和下边缘部分处，所以可容易且正确地评估激光切割的精度。更详细地，图案IP的子图案sIP可包括其数量随着向上和向下更远离弯曲区域BR的上边缘而增大的电极E，且子图案sIP可包括其数量随着向上和向下更远离弯曲区域BR的下边缘而增大的电极E。电极E相对于弯曲区域BR的上边缘对称地形成并且相对于弯曲区域BR的下边缘对称地形成。如上所述，如果形成图案IP，则仅通过经由视觉检查等评估不与切边K1和K2重叠的电极E的数量，可测量激光切割的对齐水平和加工精度。
例如，在图17中的弯曲区域BR的上边缘处，七个电极E在切边K1上方，且九个电极E在切边K1下方。因为电极E相对于弯曲区域BR的上边缘对称地形成且在切边K1下方的电极E的数量大于在切边K1上方的电极E的数量，所以可快速地确认切边K1略微地位于弯曲区域BR的上边缘上方。在利用光学显微镜进行检查时，与切边K1和K2重叠的电极E和不与切边K1和K2重叠的电极E在亮度上是不同的，例如，重叠的电极E可显示为更暗，因此它可容易被检查。子图案sIP可具有电极E的数量越远离弯曲区域BR的上边缘和下边缘而减小的结构。
可通过考虑切边K1和K2的宽度和对齐余裕精度来恰当地确定电极E的尺寸和间隔。例如，电极E可为其一个边的长度l是约5μm的正方形并且可利用在第一方向x上约3μm的间隔s1、在第二方向y上约5μm的间隔s2以及10μm的间距p来形成。电极E可为其一个边的长度l是约10μm的正方形，并且可利用在第一方向x上约6μm的间隔s1、在第二方向y上约10μm的间隔s2以及20μm的间距p来形成。随着电极E的间距p减小，可更精确地测量对齐误差。
电极E的形状和排列可进行各种改变。例如，参考图18、图19和图20，构成子图案sIP的电极E可如沙漏那样布置。如图19中所示，电极E可为圆形的，并且可具有其他形状。电极E可具有几种形状的组合。例如，如图20中所示，电极E可具有圆形电极E1和四边形电极E2的组合。如果有规律地包括子图案sIP的不同形状的电极E1和E2，则可根据形状和不与切边K1和K2重叠的电极E1和E2的数量来评估对齐精度。例如，在图20中的弯曲区域BR的下边缘部分中，仅四边形电极E2设置在切边K2下方，且圆形电极E1和四边形电极E2设置在切边K2上方。因此，可立即掌握切边K2略微地位于弯曲区域BR的下边缘下方。
示出了四边形和圆形的电极E，然而，如果电极E按照数量随着向上和向下更远离弯曲区域BR的上边缘和下边而逐渐增大或减小的方式有规律地布置并且可通过视觉检查等被识别，则电极E的形状不受限制。
虽然已经结合目前认为是实用的示例性实施方式的示例性实施方式描述了发明构思，但是要理解，发明构思不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在覆盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
显示面板，包括显示区域和弯曲区域，
其中，所述弯曲区域中的所述显示面板包括：
多条连接导线，
图案，包括多个电极，以及
保护层，位于所述多条连接导线和所述图案之间。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，
所述多个电极布置在至少50％的所述弯曲区域之上。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中，每个所述电极是四边形的或圆形的。
4.如权利要求2所述的显示设备，其中，所述图案还包括连接所述多个电极的多个桥。
5.如权利要求2所述的显示设备，其中，
所述显示面板还包括衬底，以及
所述多条连接导线定位成在所述衬底上跨越所述弯曲区域，并且配置为传输来自所述显示面板外部的信号。
6.如权利要求5所述的显示设备，其中，
所述保护层位于所述多条连接导线上，并且所述图案位于所述保护层上。
7.如权利要求6所述的显示设备，其中，
所述显示面板还包括位于所述显示区域中的像素电极，以及
所述图案由与所述像素电极相同的材料制成。
8.如权利要求5所述的显示设备，其中，
所述保护层位于所述衬底和所述多条连接导线之间，以及所述图案位于所述衬底和所述保护层之间。
9.如权利要求8所述的显示设备，其中，
所述显示面板还包括位于所述显示区域中的栅电极，以及
所述图案由与所述栅电极相同的材料制成。
10.如权利要求1所述的显示设备，其中，
所述显示面板还包括分别位于所述弯曲区域的两侧处的第一对齐标记和第二对齐标记，以及
所述图案位于所述第一对齐标记和所述第二对齐标记之间。
11.如权利要求1所述的显示设备，其中，
所述图案还包括邻近所述弯曲区域的多个虚拟电极。
12.显示设备，包括：
显示面板，包括显示区域和弯曲区域；以及
保护膜，在所述显示面板的一个表面上定位成不与所述弯曲区域重叠，
其中，
所述显示面板包括图案，所述图案包括布置在所述弯曲区域中的多个电极，
所述保护膜包括分别位于所述弯曲区域的两侧处的第一部分和第二部分，以及
所述图案的一部分与所述第一部分和所述第二部分中的至少一个重叠。
13.如权利要求12所述的显示设备，其中，
所述图案包括多个子图案，以及
每个所述子图案包括相对于所述弯曲区域的一个边缘对称地定位的多个电极。
14.如权利要求13所述的显示设备，其中，
每个所述子图案包括多个电极，所述多个电极的数量随着更远离所述弯曲区域的所述边缘而改变。
15.如权利要求14所述的显示设备，其中，
每个所述子图案包括多个电极，所述多个电极的数量随着更远离所述弯曲区域的所述边缘而增大。
16.如权利要求13所述的显示设备，其中，每个所述电极是四边形的或圆形的。
17.如权利要求13所述的显示设备，其中，每个所述子图案包括具有两种或更多种形状的多个电极。
18.如权利要求12所述的显示设备，其中，
所述显示面板还包括衬底以及在所述衬底上跨越所述弯曲区域的多条连接导线，以及
所述图案位于与所述多条连接导线相同的层处。
19.如权利要求18所述的显示设备，其中，
在所述弯曲区域中，所述显示面板还包括位于所述衬底和所述多条连接导线之间的第一保护层以及位于所述多条连接导线上的第二保护层，以及
所述图案位于所述第一保护层和所述第二保护层之间。
20.如权利要求18所述的显示设备，其中，
所述显示面板还包括位于所述显示区域中的源电极和漏电极，以及
所述图案由与所述源电极和所述漏电极相同的材料制成。
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