KR20230095439A - 표시 패널 - Google Patents

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KR20230095439A
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display panel
panel
dielectric constant
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KR1020210184905A
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신명아
이준재
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 개시물은 표시 패널에 관한 것으로, 보다 구체적으로 패널층 상부의 구성요소에 대해 유전율 감소 처리를 함으로써, 패널층 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상을 막아 그리니쉬 현상을 제거할 수 있는 발명에 관한 것이다.

Description

표시 패널{DISPLAY PANEL}
본 개시물은 표시 패널에 관한 것으로, 보다 구체적으로 패널층 상부의 구성요소에 대해 유전율 감소 처리를 함으로써, 패널층 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상을 막아 그리니쉬 현상을 제거할 수 있는 발명에 관한 것이다.
표시 장치는 대표적으로 액정 표시 장치, 전계 방출 표시 장치, 전기 습윤 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 사용되고 있다.
이와 같은 표시 장치는 표시 패널을 외부의 충격으로부터 보호하기 위해 글라스 또는 플라스틱 재질의 커버 윈도우를 포함할 수 있는데, 커버 윈도우와 외부의 물체가 마찰하여 발생한 전하 또는 외부에서 생성된 전하가 커버 윈도우에 쌓이는 문제가 있다. 또한, 위와 같은 전하는 표시 패널의 측면에서 표시패널 내부의 패널층으로 이동할 수 있고, 이는 표시층 내부의 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압값을 이동시키는 이른바 쉬프트 현상이 발생할 수 있다.
쉬프트 현상이 발생해 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압값이 높아지는 경우, 기존 대비 높은 전압에 의해 표시 패널이 발광됨으로써, 표시 패널의 끝단부 또는 측면 영역이 다른 영역보다 더 밝게 발광하는 그리니쉬(Greenish) 현상이 발생하여 화면의 품질이 낮아질 수 있다. 또는, 쉬프트 현상이 발생해 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압값이 낮아지는 경우, 발광 신호보다 더 낮은 신호에서도 표시 패널이 발광하게 되어, 다른 영역보다 더 밝게 발광하는 그리니쉬 현상이 발생하여 화면의 품질이 낮아질 수 있다.
본 개시물은 위와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 패널층 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상을 방지하여 그리니쉬 현상을 방지하기 위한 것이다.
본 개시물은 커버 윈도우; 커버 윈도우의 하부에 배치되는 접착층; 접착층의 하부에 배치되는 편광판; 및 편광판의 하부에 배치되는 패널층을 포함하고, 커버 윈도우, 접착층 및 편광판 중 적어도 하나는 유전율 감소 처리된 것을 특징으로 하는 표시 패널을 제공한다.
유전율 감소 처리된 커버 윈도우, 접착층 및 편광판 중 적어도 하나는 커버 윈도우로부터 패널층으로 침투한 전하와 전계를 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
접착층의 유전율은 커버 윈도우의 유전율보다 더 낮은 것을 특징으로 할 수 있다.
접착층은 유전율이 2.6 이하인 물질로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
접착층은 저유전율 필러를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
커버 윈도우는 하부에 저유전율 코팅층을 더 포함할 수 있다.
편광판의 상부에 저유전율 코팅층을 더 포함할 수 있다.
편광판의 하부에 저유전율 코팅층을 더 포함할 수 있다.
표시 패널은 패드가 형성되는 패드 영역을 포함하고, 패드 영역이 접하는 패드 엣지에서: 패널층의 하부에 배치되는 회로 소자 및 구동 IC; 및 패널층의 하부에 순차적으로 배치되는 점착제, 쿠션 테이프 및 방열 시트를 더 포함할 수 있다.
표시 패널은 패드가 형성되는 패드 영역을 포함하고, 패드 영역이 접하지 않는 주변 엣지에서: 패널층의 하부에 순차적으로 배치되는 점착제 및 쿠션 테이프를 더 포함하고, 쿠션 테이프는 미들 프레임이 직접 부착될 수 있다.
본 개시물에 따르면, 패널층 상부에 배치되는 소자인 커버 윈도우, 접착층, 편광판 중 적어도 하나의 구성에 유전율 감소 처리를 함으로써, 패널 내부에 침입한 전하와 발생되는 전계의 세기를 낮춤으로써 트랜지스터의 쉬프트 현상을 막고 그리니쉬 현상을 방지할 수 있다.
본 개시물에 따르면, 패드가 위치하는 엣지 영역에 도전 용액 도포가 어려웠던 종래의 기술과 달리, 엣지 영역에서 발생하는 쉬프트 현상 및 그리니쉬 현상을 방지할 수 있다.
본 개시물에 따르면, 패드가 위치하지 않는 주변 영역에 대해서 방열 시트를 국부적으로 제거할 수 있다.
도 1은 본 개시물의 일 실시예에 따른 표시 패널의 블록도이다.
도 2는 본 개시물의 일 실시예에 따른 표시 패널에 포함되는 서브 화소의 회로도이다.
도 3은 본 개시물의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I' 선에 따른 패널층의 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II'선에 따른 패널층의 단면도이다.
도 6은 본 개시물의 일 실시예에 따른 플렉서블 패널의 사시도이다.
도 7은 본 개시물의 일 실시예에 따른 플렉서블 기판의 벤딩 상태를 보여주는 사시도이다.
도 8은 본 개시물의 일 실시예에 따라 벤딩된 플렉서블 패널을 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 개시물의 일 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 A-A' 방향의 단면을 나타낸다.
도 10은 본 개시물의 일 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 B-B' 방향의 단면을 나타낸다.
도 11은 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 A-A' 방향의 단면을 나타낸다.
도 12는 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8을 표시 패널의 B-B' 방향의 단면을 나타낸다.
도 13은 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 A-A' 방향의 단면을 나타낸다.
도 14는 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8을 표시 패널의 B-B' 방향의 단면을 나타낸다.
이하, 도면을 참조하여 실시 예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성 요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성 요소 "상에 있다.", "연결된다.", 또는 "결합된다."고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성 요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성 요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 실시 예들의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
"아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다." 또는 "가지다." 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 개시물은 설명의 편의를 위해 예시적으로 유기 발광 표시 패널로 설명하기로 한다. 하지만, 본 개시물의 사상은 유기 발광 표시 패널에 한정되는 것이 아니며, 다른 형태의 표시 패널, 예컨대, 액정 표시 패널, 미니 LED 표시 패널 등에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 1은 본 개시물의 일 실시예에 따른 표시 패널의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 패널(100)은 영상 처리부(151), 타이밍 컨트롤러(152), 데이터 드라이버(153), 게이트 드라이버(154) 및 패널층(110)을 포함할 수 있다.
영상 처리부(151)는 외부로부터 공급되는 데이터 신호(DATA)와 데이터 인에이블 신호(DE)를 출력할 수 있다. 영상 처리부(151)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 및 클럭 신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(152)는 영상 처리부(151)로부터 데이터 인에이블 신호(DE), 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 및 클럭 신호 등을 포함하는 구동 신호와, 데이터 신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍 컨트롤러(152)는 구동 신호에 기초하여 게이트 드라이버(154)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)와 데이터 드라이버(153)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)를 출력할 수 있다.
데이터 드라이버(153)는 타이밍 컨트롤러(152)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준 전압으로 변환하여 출력할 수 있다. 데이터 드라이버(153)는 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)을 통해 데이터 신호(DATA)를 출력할 수 있다.
게이트 드라이버(154)는 타이밍 컨트롤러(152)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)에 응답하여 게이트 전압의 레벨을 쉬프트(Shift)시키면서 게이트 신호를 출력할 수 있다. 게이트 드라이버(154)는 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)을 통해 게이트 신호를 출력할 수 있다.
패널층(110)은 데이터 드라이버(153) 및 게이트 드라이버(154)로부터 공급된 데이터 신호(DATA) 및 게이트 신호에 응답하여 서브 화소(P)가 발광하면서 영상을 표시할 수 있다. 서브 화소(P)의 상세 구조는 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 개시물의 일 실시예에 따른 표시 패널(100)에 포함되는 서브 화소의 회로도이다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(100)에 포함되는 서브 화소는 스위칭 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 보상 회로(135) 및 발광 소자(130)를 포함할 수 있다.
발광 소자(130)는 구동 트랜지스터(DT)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 발광하도록 동작할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(ST)는 게이트 라인(116)을 통해 공급된 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(117)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작을 할 수 있다.
구동 트랜지스터(DT)는 커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 고전위 전원 라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동 전류가 흐르도록 동작할 수 있다.
보상 회로(135)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상 회로(135)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수 있다. 보상 회로(135)의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 서브 화소는, 스위칭 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터 및 발광 소자(130)를 포함하는 2T 1C 구조로 구성되었지만, 보상 회로(135)가 추가되는 경우, 3T 1C, 4T 2C, 5T 2C, 6T 1C, 6T, 2C, 7T 1C, 7T 2C 등 다양하게 구성될 수 있다.
도 3은 본 개시물의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 3은 표시 패널(100)의 패널층이 벤딩되지 않은 상태를 예시적으로 보여주고 있다.
도 3을 참조하면, 패널층(110)은 플렉서블 기판(111) 위에 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 통해서 실제로 광을 방출하는 화소가 배치되는 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)의 가장자리를 둘러싸는 베젤 영역인 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
플렉서블 기판(111)의 비표시 영역(NA)은 패널층(110)의 구동을 위한 게이트 구동부(154) 등과 같은 회로 및 스캔 라인(SL) 등과 같은 다양한 신호 배선이 배치될 수 있다.
패널층(110)의 구동을 위한 회로는, 플렉서블 기판(111) 상에 게이트 인 패널(GIP) 방식으로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 플렉서블 기판(111)에 연결될 수 있다.
플렉서블 기판(111)이 4개의 변 중에서 도 3을 기준으로 상부의 변에는 금속 패턴인 패드(155)가 배치될 수 있다. 패드(155)는 외부의 모듈과 본딩(bonding) 되기 위한 금속 패턴이다. 본 개시물에서는 플렉서블 기판(111)이 벤딩된 후의 상태에서 보여지는 4개의 변 중에서 패드가 형성되는 변을 패드 엣지(PE)이라고 지칭하기로 한다. 즉, 도 3을 기준으로, 벤딩 영역(BA) 중에서 벤딩이 시작되는 가상의 라인을 패드 엣지(PE)라고 정의할 수 있다. 또한, 본 개시물에서는 플렉서블 기판(111)의 4개의 변 중에서 패드가 형성되지 않은 나머지 변을 주변 엣지(NPE)이라고 지칭하기로 한다. 도 3을 기준으로, 주변 영역은 좌측변, 우측변 및 하부변일 수 있다. 패드 엣지(PE) 및 주변 엣지(NPE)에 대한 정의는 도 8을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
비표시 영역(NA)의 일측에는 벤딩 영역(BA)이 형성될 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 플렉서블 기판(111)을 화살표 방향으로 구부려 지는 영역을 지칭할 수 있다.
플렉서블 기판(111)의 비표시 영역(NA)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동 회로가 배치되는 영역이다. 비표시 영역(NA)은 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉서블 기판(111)의 상면에서 시인될 필요가 없다. 따라서, 플렉서블 기판(111)의 비표시 영역(NA)의 일부 영역을 벤딩하여 배선 및 구동 회로를 위한 면적으로 활용할 수 있고, 이로 인해 베젤을 축소시킬 수 있다.
플렉서블 기판(111) 상에는 다양한 배선들이 형성될 수 있다. 배선은 플렉서블 기판(111)의 표시 영역(AA)에 형성될 수 있고, 비표시 영역(NA)에도 형성될 수 있다. 회로 배선(140)은 도전성 물질로 형성되며, 플렉서블 기판(111)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 막기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 회로 배선(140)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 또는, 회로 배선(140)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu) 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금으로 형성될 수도 있다. 회로 배선(140)은 다양한 도전성 물질을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄(Ti) / 알루미늄(Al) / 티타늄(Ti)의 3층 구조로 형성될 수 있다.
벤딩 영역(BA)에 형성되는 회로 배선(140)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 플렉서블 기판(111) 상에서 벤딩 방향과 동일한 방향으로 연장하는 회로 배선(140)이 가장 큰 인장력을 받게 된다. 따라서, 벤딩 영역(BA) 상에 배치되는 회로 배선(140)중 일부는 벤딩 방향과 상이한 사선 방향으로 연장하도록 형성될 수 있다.
도 4는 도 3의 I-I' 선에 따른 패널층의 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II'선에 따른 패널층의 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하여, 본 개시물에 따른 패널층(110) 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 플렉서블 기판(111)은 하부에 개재되는 판형 구성으로서, 그 상부에 배치되는 다른 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 한다. 플렉서블 기판(111)은 글라스나 플라스틱으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 기판(111)은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름 형태일 수 있다.
플렉서블 기판(111) 상에 버퍼층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 플렉서블 기판(111)을 통해서 외부의 수분이나 이물질이 침투하는 것을 방지하며, 플렉서블 기판(111)의 표면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 플렉서블 기판(111) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(120)의 종류에 따라서 생략될 수도 있다.
박막 트랜지스터(120)는 플렉서블 기판(111) 상에 배치되며, 게이트 전극(121), 소스 전극(122), 드레인 전극(123) 및 반도체층(124)을 포함할 수 있다. 반도체층(124)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 구성할 수 있다. 반도체층(124)은 산화물 반도체로 구성할 수도 있다. 반도체층(124)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스 영역, 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역 사이의 체널 영역을 포함할 수 있다. 또한, 채널 영역과 인접한 소스 영역이나 드레인 영역에는 저농도 도핑 영역을 더 포함할 수 있다.
소스 영역 및 드레인 영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로서, 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)이 각각 접속될 수 있다.
반도체층(124)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터의 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있다.
제 1 절연층(115a)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 다층 구조로 구성된 절연층일 수 있다. 제 1 절연층(115a)은 반도체층(124)에 흐르는 전류가 게이트 전극(121)로 흘러가지 않도록 배치될 수 있다.
게이트 전극(121)은 게이트 라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(120)를 턴온 또는 턴오프시키는 스위치 역할을 할 수 있다. 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)은 데이터 라인과 연결되며, 외부에서 전달되는 전기 신호가 박막 트랜지스터(120)로부터 발광 소자(130)로 전달되도록 할 수 있다.
제 2 절연층(115b)은 제 1 절연층(115a) 및 게이트 전극(121) 상에 형성될 수 있다. 제 2 절연층(115b)은 게이트 전극(121), 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물의 단일층이나 다중층으로 형성될 수 있다.
제 2 절연층(115b)의 상부에는 평탄화층(115c, 115d)이 배치될 수 있다. 평탄화층(115c, 115d)은 박막 트랜지스터(120)을 보호하고, 박막 트랜지스터(120)로 인해 발생되는 단차를 평탄화시키기 위한 구성일 수 있다. 평탄화층(115c, 115d)은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐린계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로부렌 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.
중간 전극(125)은 제 1 평탄화층(115c)에 형성되는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)와 연결될 수 있다. 중간 전극(125)는 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(123) 및 애노드 전극(131)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
발광 소자(130)는 제 2 평탄화층(115d)의 상부에 배치될 수 있다. 발광 소자(130)는 애노드 전극(131), 발광부(132) 및 캐소드 전극(133)을 포함할 수 있다.
애노드 전극(131)은 제 2 평탄화 층(115d) 상에 배치되며, 발광부(132)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극일 수 있다. 애노드 전극(131)은 제 2 평탄화층(115d)를 관통하도록 형성되는 컨택 홀을 통해 중간 전극(125)와 컨택될 수 있다. 애노드 전극(131)은 투명 전도성 물질인 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다.
뱅크(115e)는 애노드 전극(131) 및 제 2 평탄화층(115d) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(115e)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 서브 화소를 정의할 수 있다. 뱅크(115e)의 상부에는 증착 마스크와 접촉하여 발생되는 손상을 방지하기 위해서 스페이서(115f)가 배치될 수 있다.
발광부(132)는 애노드 전극(131)의 상부에 배치될 수 있다. 발광부(132)는 광을 방출하는 역할을 할 수 있다. 발광부(132)는 전기적 신호에 의해 스스로 발광하는 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광부(132)는 예를 들어, Red, Green, Blue, white 등과 같은 색을 방출하는 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
캐소드 전극(133)은 발광부(132) 상에 배치될 수 있다. 캐소드 전극(133)은 발광부(132)로 전자를 공급하는 역할을 할 수 있다. 캐소드 전극(133)은 마그네슘(Mg), 은-마그네슘 합금 등과 같은 금속 물질로 구성될 수 있다. 또한, 캐소드 전극(133)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 인듐 주석 아연 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 계열의 투명 전도성 산화물일 수 있다.
봉지부(115g)는 캐소드 전극(133)의 상부에 배치될 수 있다. 봉지부(115g)는 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 이물질들로 인해서 하부의 구성요소들이 산화되어 손상되는 것을 막는 역할을 할 수 있다. 봉지부(115g)는 복수의 배리어 필름이 적층되어 형성될 수 있다. 봉지부(115g)는 무기물인 질화실리콘 또는 산화알루미늄으로 구성될 수 있다.
도 5를 설명하는데 있어서, 전술한 설명과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면 본 개시물에 따른 표시 패널(100)은 벤딩 영역(BA)을 포함한 비표시 영역(NA)에서 이중층으로 구성되는 배선들(141, 142)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 플렉서블 기판(111) 상에 제 1 배선(141)이 형성될 수 있다. 제 1 배선(141)의 상부에는 제 1 평탄화층(115c)이 형성될 수 있다. 제 1 평탄화층(115c)의 상부에는 제 2 배선(142)이 형성될 수 있다. 제 2 배선(142)의 상부에는 제 2 평탄화층(115d)이 배치될 수 있다. 제 2 평탄화층(115d)의 상부에는 마이크로 코팅층(145)이 형성될 수 있다.
제 1 배선(141) 및 제 2 배선(142)은 패널층(110) 및 패드 영역(PA)을 연결하기 위한 배선이다. 제 1 배선(141) 및 제 2 배선(142)은 금, 은, 알루미늄과 같은 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 또는, 제 1 배선(141) 및 제 2 배선(1424)은 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 니켈, 네오디뮴, 구리, 은 등의 합금으로 구성될 수도 있다.
플렉서블 기판(111)을 벤딩하는 과정에서, 벤딩 영역(BA)은 큰 스트레스를 받게 된다. 스트레스로 인해 배선을 감싸는 층에 크랙이 발생할 수 있다. 또한, 배선을 단층으로 형성하는 경우에는 배선을 차지하기 위한 공간도 많이 요구된다. 본 개시물에서와 같이, 벤딩 영역(BA)을 지나는 배선을 다층 구조로 형성함으로써, 배선을 감싸는 층에 발생하는 스트레스를 줄일 수 있고, 배선을 위한 공간을 줄일 수 있게 된다.
도 6은 본 개시물의 일 실시예에 따른 플렉서블 패널의 사시도이다.
도 7은 본 개시물의 일 실시예에 따른 플렉서블 기판의 벤딩 상태를 보여주는 사시도이다.
도 8은 본 개시물의 일 실시예에 따라 벤딩된 플렉서블 패널을 나타내는 평면도이다.
도 6 내지 도 8을 참조하여, 본 개시물에 따른 플렉서블 기판을 설명하기로 한다.
도 6을 참조하면, 플렉서블 기판(111)은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)의 가장자리를 둘러싸는 비표시 영역(NA)으로 구획될 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 패드가 배치되는 패드 영역(PA)이 구획될 수 있다. 표시 영역(AA) 상에는 복수개의 서브 화소들이 배치되는 영역이다. 서브 화소는 서로 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 구획될 수 있다.
회로 소자(161)는 플렉서블 기판(111)의 패드 영역(PA)에서 패드와 연결되는 구성일 수 있다. 회로 소자(161)는 범프 또는 단차를 포함할 수 있다. 회로 소자(161)의 범프는 이방성 도전 필름을 통해 패드 영역(PA)의 패드들과 연결될 수 있다. 회로 소자(161)는 구동 IC가 연성 필름에 실장된 칩온필름(COF)일 수 있다. 또한, 회로 소자(161)는 칩온글라스(COG) 공정으로 기판 위해서 직접 패드들에 접합될 수도 있다. 또한, 회로 소자(161)는 FPC(Flexible Printed Circuit)와 같은 연성 회로일 수 있다. 본 개시물에서는 회로 소자(161)이 예시적으로 COF인 것으로 설명하기로 한다.
전술한 바와 같이, 플렉서블 기판(111) 또는 표시층(110)의 4개의 변 중에서, 패드가 형성되는 패드 영역(PA)이 형성되는 변을 패드 엣지(PE)라 정의하고, 패드가 미형성되는 변을 주변 엣지(NPE)라 정의하기로 한다. 즉, 사각형의 플렉서블 기판(111)을 가정하면, 하나의 변은 패드 엣지(PE)이고, 나머지 3개의 변은 주변 엣지(NPE)로 지칭될 수 있다. 도 8에 도시된 평면도에서 구동 IC(165) 및 회로 소자(161)가 벤딩된 부분의 플렉서블 기판(111)의 변인 하부의 변은 패드 엣지(PE)이고, 나머지 3개(좌측, 우측, 및 상측)의 변은 주변 엣지(NPE)로 지칭될 수 있다. 절개선 A-A'는 패드 엣지(PE)을 절개하는 절개선을 나타내고, 절개선 B-B'는 주변 엣지(NPE)를 절개하는 절개선을 나타낸다. 본 개시물에 따른 표시 패널(100)의 A-A' 단면 및 B-B' 단면은 도 9 내지 도 14를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
다시 도 7을 참조하면, 플렉서블 기판(111)은 패드 영역(PA)에 접하는 변이 소정의 곡률을 갖도록 배면 방향으로 벤딩될 수 있다. 기판(111)이 구부러짐에 따라, 패드 영역(PA)은 표시 영역(AA)의 배면 방향에서 표시 영역(AA)과 중첩될 수 있다. 표시 패널(100)의 전면에서는 회로 소자(161)나 구동 IC(165)는 시인되지 않을 수 있다. 벤딩을 위해서 플렉서블 기판(111)은 유연한 재질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 기판(111)은 폴리이미드와 같은 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 벤딩된 플렉서블 기판(111)의 일면에서 커버 윈도우(164)가 결합할 수 있다. 커버 윈도우(164)는 벤딩된 플렉서블 기판(111)보다 더 큰 면적으로 형성되어, 내부에 플렉서블 기판(111)을 수용할 수 있다.
또한, 벤딩된 플렉서블 기판(111)의 타면에서 백 플레이트(101)가 결합할 수 있다. 백 플레이트(101)는 표시 패널(100)의 강성을 유지하고, 표시 패널(100)의 하부에 이물이 부착되는 것을 방지할 수 있고, 외부로부터의 충격을 완층하는 역할을 할 수 있다. 백 플레이트(101)는 폴리이미드로 형성된 플라스틱 박막으로 구현될 수 있다. 백 플레이트(101)는 벤딩부(BA)에는 형성되지 않는 것이 바람직할 수 있다. 백 플레이트(101)는 후술하는 바와 같이, 제 1 백 플레이트(101a) 및 제 2 백 플레이트(101b)를 포함할 수 있다. 백 플레이트(101)의 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 9는 본 개시물의 일 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 A-A' 방향의 단면을 나타낸다.
도 10은 본 개시물의 일 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 B-B' 방향의 단면을 나타낸다.
도 9 및 도 10을 참조하여, 본 개시물의 일 실시예에 따른 표시 패널(100)을 설명하기로 한다.
도 9를 참조하면, 표시 패널(100) 중에서 패드가 형성되는 패드 영역(PA)이 접하는 패드 엣지(PE)의 단면(A-A')을 나타낸다.
도 9를 참조하면, 표시 패널(100)은 최상층에 커버 윈도우(164), 커버 윈도우(164)의 하부에 배치되는 접착층(163), 접착층(163)의 하부에 배치되는 편광판(162), 편광판(162)의 하부에 배치되는 패널층(110)을 포함할 수 있다. 패널층(110)은 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 플렉서블 기판을 포함할 수 있고, 벤딩 영역에서 벤딩될 수 있다. 도 4는 플렉서블 기판을 포함하는 패널층(110)이 벤딩된 것을 도시하고 있다.
커버 윈도우(164)는 표시 패널(100)의 최상층에 배치되며 글라스 또는 플라스틱 재질일 수 있다. 커버 윈도우(164)는 표시 패널(100) 내부의 소자들을 보호하는 보호층의 역할을 하며, 외부에 노출된다. 따라서, 표시 장치의 사용자가 터치 등을 하는 경우, 사용자의 손가락과 접하게 되며, 마찰로 인한 전하가 생성될 수 있다. 이와 같은 마찰 등으로 발생한 전하는 커버 윈도우(164)의 측면을 따라서 이동하여 표시 패널(100) 내부로 침입할 수 있다.
접착층(163)은 커버 윈도우(164)의 하부에 배치되며 커버 윈도우(164)와 편광판(162)를 서로 접착시키는 역할을 한다. 접착층(163)은 예를 들어, OCA(Optical Clear Adhesive)나 PSA(Pressure Sensitive Adhesive)와 같은 물질로서 투명한 재질일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 접착층(163)은 유전율 감소 처리된 접착층일 수 있다. 구체적으로, 접착층(163)의 유전율은 커버 윈도우(164)의 유전율보다 더 낮을 수 있다. 예를 들어, 커버 윈도우(164)가 글라스 재질로 형성되는 경우, 유리의 유전율은 일반적으로 5 내지 6 정도이다. 다른 예를 들어, 커버 윈도우(164)가 플라스틱 재질로 형성되는 경우, 플라스틱의 유전율은 일반적으로 3 정도이다. 본 실시예에 따른 접착층(163)의 유전율은 예를 들어 2.6 이하일 수 있다.
접착층(163)에 대해 유전율 감소 처리를 하기 위해서, 접착층(163)은 저유전율을 갖는 필러(filler)(169)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 저유전율 필러는 폴리머 계열의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 저유전율 필러는 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸렌(PE) 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 저유전율 필러는 불소계 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 저유전율 필러는 테프론계 물질로 형성될 수 있다.
다른 예를 들어, 접착층(163)은 저유전율 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 접착층(163)은 폴리머 계열의 물질인 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌 재질로 형성될 수 있다. 또한, 접착층(163)은 불소계 물질인 테프론으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따라 접착층(163)이 유전율 감소 처리가 됨으로써, 그리니쉬 현상이 방지될 수 있다. 전술한 바와 같이, 그리니쉬 현상은 패널층(110) 내부로 외부의 전하가 침입하여 퇴적되는 경우에, 패널층(110) 내부의 트랜지스터가 쉬프트 현상이 발생하는 것에 기인한다. 이에 따라, 종래의 기술은 외부의 전하가 패널층(110) 내부로 침입하지 못하게 하는 것에 집중되었다. 예를 들어, 패널층(110)의 외부에 대전 용액을 도포하고 경화시켜, 전하가 대전 용액막을 따라 하부의 방열 시트(173)로 이동되는 경로를 만드는 방식이 사용되었다. 하지만, 본 개시물은 대전 용액 도포 등과 같이 전하의 이동 경로를 만들지 않고 대신에 전하가 패널층(110)으로 이동되는 것을 허용할 수 있다. 패널층(110)에 퇴적된 전하는 고유전율을 갖는 커버 윈도우(164)나 종래의 접착층(163)과 전계(EF: Electric Field)를 형성하게 된다. 패널층(110) 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상은 이와 같은 전계(EF) 내에 트랜지스터가 위치함으로 인해서 발생하는 것이다. 본 실시예는 접착층(163)에 대해 유전율 감소 처리를 함으로서, 패널층(110) 내부의 전하 및 접착층(163) 사이에 종래와 대비하여 상대적으로 세기가 낮은 전계(EF)를 형성함으로써, 패널층(110) 내부에 전하가 퇴적되는 것에도 불구하고, 트랜지스터의 쉬프트 현상이 방지되고 이에 따른 그리니쉬 현상도 방지될 수 있다. 또한, 본 개시물의 발명자는 접착층(163)의 유전율이 대략 2.6 정도로 형성함으로써 그리니쉬 현상이 크게 감소되는 것을 실험적으로 발명하였다.
또한, 종래에 방식에 따르면, 표시 패널(100)의 패드 엣지(PE)에서는 대전 용액의 도포가 어려움이 있었다. 구체적으로, 도 9를 참조하면, 패드 엣지(PE)에서는 패널층(110)이 벤딩되는 구조로 형성되어 있으므로, 대전 용액이 접착층(163)과 편광판(162)의 측면까지 도포되는데 어려움이 있었다. 이에 반해, 본 발명은 접착층(163)에 유전율 감소 처리를 하므로, 위와 같은 어려움 없이 그리니쉬 현상을 방지할 수 있게 된다.
편광판(162)은 편광 기능을 갖는 필름으로 형성될 수 있다. 편광판(162)은 외부 광의 반사를 억제하여 외부에서 시청할 때의 반사 시감을 줄일 수 있다. 편광판(162)는 표시 영역(AA) 상에 배치될 수 있다.
제 1 백플레이트(101a)는 패널층(110)의 하부에 형성되는 단단한 구조체로서 패널층(110)의 강성을 보강하는 역할을 할 수 있다. 제 1 백플레이트(101a)는 플라스틱 박막으로 형성될 수 있다.
지지 부재(170)는 점착제(171), 쿠션 테이프(172) 및 방열 시트(173)의 3중층으로 구성될 수 있다. 점착제(171)는 제 1 백플레이트(101a)의 배면에 형성될 수 있다. 점착제(171)는 엠보싱 패턴을 포함할 수 있다. 이와 같은 엠보싱 패턴은 기포가 발생하는 형상을 개선할 수 있다. 쿠션 테이프(172)는 외력을 받을 경우 압축되어 충격을 흡수하는 기능을 할 수 있다. 쿠션 테이프(172)는 점착제(171)의 배면에 형성될 수 있다. 방열 시트(173)는 쿠션 테이프(172)의 하부에 배치될 수 있다. 방열 시트(173) 방열 기능을 할 수 있다. 방열 시트(173)는 예를 들어, 구동 IC(165)나 회로 소자(161)에서 발생하는 열을 방출하기 위해 구리와 같은 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한, 방열 시트(173)는 종래의 발명에 따라 대전 용액을 따라 형성된 경로로 이동한 전하를 외부로 방출하는 그라운드의 역할도 할 수 있다.
블랙 매트릭스(167)는 패널층(110)의 상부의 일부 영역에 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(167)는 패널층(110)의 가장자리를 따라서 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(167)는 블랙 잉크로 형성될 수 있다.
마이크로 코팅층(145)은 벤딩 영역(BA)에서 패널층(110)의 상부에 배치될 수 있다. 마이크로 코팅층(110)은 패드 영역(PA)에 배치된 패드에서 연장되는 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. 마이크로 코팅층(145)은 아크릴레이트 폴리머와 같은 아크릴계 물질로 형성될 수 있다.
접착 테이프(168)는 방열 시트(173) 및 제 2 백플레이트(101b) 사이에 배치될 수 있다. 접착 테이프(168)는 일정한 두께를 가짐으로써 벤딩 영역(BA)의 곡률을 감소시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 접착 테이프(168)는 쿠션 테이프(172)의 두께를 증가시킬 수 있어 외력에 의한 충격을 흡수하는 역할을 할 수 있다.
제 2 백플레이트(102b)는 방열 시트(173)의 하부에 배치되는 단단한 구조체로서 벤딩 영역(BA) 끝단에서의 패널층(110)의 강성을 보강하는 역할을 할 수 있다.
구동 IC(165) 및 회로 소자(161)는 서로 연결될 수 있다. 회로 소자(161)는 플렉서블 인쇄 회로 기판(FPCB)일 수 있다. 구동 IC(165)는 데이터 드라이버, 타이밍 컨트롤러 등과 같은 IC일 수 있다.
한편, 도 10을 참조하여 후술하는 바와 달리, 패드가 형성되는 패드 영역(PA)가 접하는 패드 엣지(PE)에서는 방열 시트(173)가 생략되지 않는 것이 바람직하다. 즉, 패널층(110)의 하부에는 순차적으로 점착제(171), 쿠션 테이프(172) 및 방열 시트(173)가 배치될 수 있다. 패드 엣지(PE)에서는 하부에 구동 IC(165)와 회로 소자(161)가 배치되므로, 구동 IC(165) 및 회로 소자(161)에서 방출되는 열을 외부로 방출시키기 위해서 방열 시트(173)가 배치되는 것이 바람직하다.
도 10을 참조하면, 표시 패널(100) 중에서 패드가 형성되는 패드 영역(PA)이 접하지 않는 주변 엣지(NPE)의 단면(B-B')을 나타낸다. 도 10을 설명하는데 있어서 동일한 부호로 참조되는 구성요소는 전술한 설명으로 대체하기로 한다.
도 10을 참조하면, 표시 패널(100)은 최상층에 커버 윈도우(164), 커버 윈도우(164)의 하부에 배치되는 접착층(163), 접착층(163)의 하부에 배치되는 편광판(162) 및 편광판(162)의 하부에 배치되는 패널층(110)을 포함할 수 있다. 패널층(110)은 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 플렉서블 기판을 포함할 수 있다.
커버 윈도우(164)는 표시 패널(100)의 최상층에 배치되며 글라스 또는 플라스틱 재질일 수 있다. 커버 윈도우(164)의 상부에서는 마찰로 인한 전하가 생성되어, 전하는 커버 윈도우(164)의 측면을 따라서 표시 패널(100)의 내부로 침입할 수 있다.
접착층(163)은 커버 윈도우(164)의 하부에 배치되는 접착층으로서 OCA나 PSA와 같은 투명 물질일 수 있다.
도 9를 참조하여 전술한 바와 같이, 접착층(163)은 유전율 감소 처리된 접착층일 수 있다. 일 예로서, 접착층(163)의 유전율은 커버 윈도우(164)의 유전율보다 더 낮을 수 있고, 예를 들어, 접착층(163)의 유전율은 2.6 이하일 수 있다.
접착층(163)의 유전율 감소 처리를 위해, 접착층(163)은 저유전율을 갖는 필러(169)를 포함할 수 있다. 또는 접착층(163)은 저유전율 물질로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따라 접착층(163)이 유전율 감소 처리가 됨으로써, 그리니쉬 현상이 방지될 수 있다. 전술한 바와 같이, 그리니쉬 현상은 패널층(110) 내부로 외부의 전하가 침입하여 퇴적되는 경우에, 패널층(110) 내부의 트랜지스터가 쉬프트 현상이 발생하는 것에 기인한다. 이에 따라, 종래의 기술은 외부의 전하가 패널층(110) 내부로 침입하지 못하게 하는 것에 집중되었다. 예를 들어, 패널층(110)의 외부에 대전 용액을 도포하고 경화시켜, 전하가 대전 용액막을 따라 하부의 방열 시트(173)으로 이동되는 경로를 만드는 방식이 사용되었다. 하지만, 본 개시물은 대전 용액 도포 등과 같이 전하의 이동 경로를 만들지 않고 대신에 전하가 패널층(110)으로 이동되는 것을 허용할 수 있다. 패널층(110)에 퇴적된 전하는 고유전율을 갖는 커버 윈도우(164)나 종래의 접착층(163)과 전계(EF: Electric Field)를 형성하게 된다. 패널층(110) 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상은 이와 같은 전계(EF) 내에 트랜지스터가 위치함으로 인해서 발생하는 것이다. 본 실시예는 접착층(163)에 대해 유전율 감소 처리를 함으로서, 패널층(110) 내부의 전하 및 접착층(163) 사이에 종래와 대비하여 상대적으로 세기가 낮은 전계(EF)를 형성함으로써, 패널층(110) 내부에 전하가 퇴적되는 것에도 불구하고, 트랜지스터의 쉬프트 현상이 방지되고 이에 따른 그리니쉬 현상도 방지될 수 있다. 또한, 본 개시물의 발명자는 접착층(163)의 유전율이 대략 2.6 정도로 형성함으로써 그리니쉬 현상이 크게 감소되는 것을 실험적으로 발명하였다.
또한, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 패널층(110)의 하부에 순차적으로 점착제(171) 및 쿠션 테이프(172)가 배치될 수 있다. 즉, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 방열 시트(173)은 생략될 수 있다. 종래에 따르면, 전하는 대전 용액 등을 따라서 방열 시트(173)로 이동하여 방열 시트(173)을 통해 전하가 방출되었다. 하지만, 본 실시예에서는 전하가 패널층(110) 내부로 혀용하는 대신, 접착층(163)의 저유전율 처리를 통해, 형성되는 전기장의 세기를 낮춰 트랜지스터의 쉬프트 현상 및 그리니쉬 현상을 해결할 수 있다. 따라서, 종래에 채택되었던 방열 시트(173)는 주변 엣지(NPE)에서는 제거될 수 있다. 이로 인해, 표시 패널(100)의 제조 단가를 낮출 수 있고, 표시 패널(100)의 박형화가 가능해지며, 무게를 저감시킬 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 쿠션 테이프(172)는 미들 프레임(182)에 직접 부착될 수 있다. 즉, 종래 또는 도 9에서 쿠션 테이프(172) 하부에 배치되었던 방열 시트(173)가 생략됨으로써, 쿠션 테이프(172)는 하부에 배치되는 미들 프레임(182)과 직접 부착될 수 있다. 고정력을 높이기 위해서 쿠션 테이프(172) 및 미들 프레임(182) 사이에 고정 테이프(181)가 추가될 수 있으나, 이 역시도 쿠션 테이프(172)가 미들 프레임(182)에 직접 부착되는 것으로 이해될 수 있을 것이다.
편광판(162)은 편광 기능을 갖는 필름으로 형성될 수 있고, 외부 광의 반사를 억제할 수 있다.
패널층(110)은 내부에 구동 트랜지스터와 같은 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
제 1 백플레이트(101a)는 패널층(110)의 하부에 형성되는 구조체로서 패널층(110)의 강성을 보강할 수 있다.
지지 부재(170)은 점착제(171) 및 쿠션 테이프(172)를 포함할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 지지 부재(170)는 방열 시트(173)을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 지지 부재(170)은 미들 프레임(182)에 직접 부착될 수 있다.
미들 프레임(182)은 표시 패널(100)의 외관을 형성하는 세트 프레임이다. 즉, 미들 프레임(182)은 커버 윈도우(164)의 하부에서 커버 윈도우(164)와 결합함으로써 표시 패널(100)의 측면 외관을 정의할 수 있다. 또한, 미들 프레임(182)는 표시 패널(100)의 하부를 커버하도록 형성됨으로써 표시 패널(100)의 하부 외관을 정의할 수 있다.
도 11은 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 A-A' 방향의 단면을 나타낸다.
도 12는 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8을 표시 패널의 B-B' 방향의 단면을 나타낸다.
도 11 및 도 12를 참조하여, 본 개시물의 다른 실시예에 따른 표시 패널(100)을 설명하기로 한다. 설명에 앞서서 동일한 참조 부호로 지칭되는 구성요소는 그 설명을 생략하기로 한다.
본 실시예에 따르면, 커버 윈도우(164)는 유전율 감소 처리된 것을 특징으로 한다. 예를 들어, 유전율 감소 처리를 위해 커버 윈도우(164)의 하부에는 저유전율 코팅층(191)이 추가로 배치될 수 있다.
구체적으로, 커버 윈도우(164)는 하부 코팅을 통해 저유전율 물질이 코팅될 수 있다. 저유전율 코팅층(191)은 예를 들어, 폴리머 계열의 물질인 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸린(PE) 재질의 물질로 구성된 막층일 수 있다. 또는, 저유전율 코팅층(191)은 불소계 물질인 테프론 물질로 구성된 막층일 수 있다.
본 실시예에 따라 커버 윈도우(164)가 유전율 감소 처리가 됨으로써, 그리니쉬 현상이 방지될 수 있다. 전술한 바와 같이, 그리니쉬 현상은 패널층(110) 내부로 외부의 전하가 침입하여 퇴적되는 경우에, 패널층(110) 내부의 트랜지스터가 쉬프트 현상이 발생하는 것에 기인한다. 이에 따라, 종래의 기술은 외부의 전하가 패널층(110) 내부로 침입하지 못하게 하는 것에 집중되었다. 예를 들어, 패널층(110)의 외부에 대전 용액을 도포하고 경화시켜, 전하가 대전 용액막을 따라 하부의 방열 시트(173)으로 이동되는 경로를 만드는 방식이 사용되었다. 하지만, 본 개시물은 대전 용액 도포 등과 같이 전하의 이동 경로를 만들지 않고 대신에 전하가 패널층(110)으로 이동되는 것을 허용할 수 있다. 패널층(110)에 퇴적된 전하는 고유전율을 갖는 종래의 커버 윈도우(164)와 전계(EF: Electric Field)를 형성하게 된다. 일반적인 커버 윈도우(164)의 유전율은 글라스 재질인 경우 5 내지 6 정도이고, 플라스틱 재질인 경우 3 정도이다. 본 실시예에 따라 커버 윈도우(164)의 하부에 형성되는 코팅층(191)은 2.6 이하의 유전율을 가질 수 있다. 패널층(110) 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상은 이와 같은 전계(EF) 내에 트랜지스터가 위치함으로 인해서 발생하는 것이다. 본 실시예는 커버 윈도우(164)에 대해 유전율 감소 처리를 함으로서, 패널층(110) 내부의 전하 및 커버 윈도우(164) 사이에 종래와 대비하여 상대적으로 세기가 낮은 전계(EF)를 형성함으로써, 패널층(110) 내부에 전하가 퇴적되는 것에도 불구하고, 트랜지스터의 쉬프트 현상이 방지되고 이에 따른 그리니쉬 현상도 방지될 수 있다. 또한, 본 개시물의 발명자는 커버 윈도우(164)의 유전율이 대략 2.6 정도로 형성함으로써 그리니쉬 현상이 크게 감소되는 것을 실험적으로 발명하였다.
또한, 종래에 방식에 따르면, 표시 패널(100)의 패드 엣지에서는 대전 용액의 도포가 어려움이 있었다. 구체적으로, 도 11을 참조하면, 패드 엣지에서는 패널층(110)이 벤딩되는 구조로 형성되어 있으므로, 대전 용액이 접착층(163)과 편광판(162)의 측면까지 도포되는데 어려움이 있었다. 이에 반해, 본 발명은 커버 윈도우(164)에 유전율 감소 처리를 하므로, 위와 같은 어려움 없이 그리니쉬 현상을 방지할 수 있게 된다.
도 12를 참조하면, 표시 패널(100) 중에서 패드가 형성되는 패드 영역(PA)이 접하지 않는 주변 엣지(NPE)의 단면(B-B')이 도시된다.
도 12를 참조하면, 표시 패널(100)은 최상층에 커버 윈도우(164), 커버 윈도우(164)의 하부에 배치되는 저유전율 코팅층(191), 저유전율 코팅층(191)의 하부에 배치되는 접착층(163), 접착층(163)의 하부에 배치되는 편광판(162) 및 편광판(162)의 하부에 배치되는 패널층(110)을 포함할 수 있다. 패널층(110)은 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 플렉서블 기판을 포함할 수 있다.
도 11을 참조하여 전술한 바와 같이, 본 실시예에서 커버 윈도우(164)는 유전율 감소 처리된 커버 윈도우(164)일 수 있다. 일 예로서, 커버 윈도우(164)는 하부에 저유전율 코팅층(191)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 커버 윈도우(164) 하부의 코팅층(191)은 예를 들어, 폴리머 계열의 물질인 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸린(PE) 재질의 물질로 구성된 막층일 수 있다. 또는, 저유전율 코팅층(191)은 불소계 물질인 테프론 물질로 구성된 막층일 수 있다.
본 실시예에 따라 커버 윈도우(164)가 유전율 감소 처리가 됨으로써, 그리니쉬 현상이 방지될 수 있다. 전술한 바와 같이, 그리니쉬 현상은 패널층(110) 내부로 외부의 전하가 침입하여 퇴적되는 경우에, 패널층(110) 내부의 트랜지스터가 쉬프트 현상이 발생하는 것에 기인한다. 이에 따라, 종래의 기술은 외부의 전하가 패널층(110) 내부로 침입하지 못하게 하는 것에 집중되었다. 예를 들어, 패널층(110)의 외부에 대전 용액을 도포하고 경화시켜, 전하가 대전 용액막을 따라 하부의 방열 시트(173)으로 이동되는 경로를 만드는 방식이 사용되었다. 하지만, 본 개시물은 대전 용액 도포 등과 같이 전하의 이동 경로를 만들지 않고 대신에 전하가 패널층(110)으로 이동되는 것을 허용할 수 있다. 패널층(110)에 퇴적된 전하는 고유전율을 갖는 종래의 커버 윈도우(164)와 전계(EF: Electric Field)를 형성하게 된다. 일반적인 커버 윈도우(164)의 유전율은 글라스 재질인 경우 5 내지 6 정도이고, 플라스틱 재질인 경우 3 정도이다. 본 실시예에 따라 커버 윈도우(164)의 하부에 형성되는 코팅층(191)은 2.6 이하의 유전율을 가질 수 있다. 패널층(110) 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상은 이와 같은 전계(EF) 내에 트랜지스터가 위치함으로 인해서 발생하는 것이다. 본 실시예는 커버 윈도우(164)에 대해 유전율 감소 처리를 함으로서, 패널층(110) 내부의 전하 및 커버 윈도우(164)에 사이에 종래와 대비하여 상대적으로 세기가 낮은 전계(EF)를 형성함으로써, 패널층(110) 내부에 전하가 퇴적되는 것에도 불구하고, 트랜지스터의 쉬프트 현상이 방지되고 이에 따른 그리니쉬 현상도 방지될 수 있다. 또한, 본 개시물의 발명자는 커버 윈도우(164)의 유전율이 대략 2.6 정도로 형성함으로써 그리니쉬 현상이 크게 감소되는 것을 실험적으로 발명하였다.
또한, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 패널층(110)의 하부에 순차적으로 점착제(171) 및 쿠션 테이프(172)가 배치될 수 있다. 즉, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 방열 시트(173)는 생략될 수 있다. 종래에 따르면, 전하는 대전 용액 등을 따라서 방열 시트(173)로 이동하여 방열 시트(173)을 통해 전하가 방출되었다. 하지만, 본 실시예에서는 전하가 패널층(110) 내부로 혀용하는 대신, 커버 윈도우(164)의 저유전율 처리를 통해, 형성되는 전기장의 세기를 낮춰 트랜지스터의 쉬프트 현상 및 그리니쉬 현상을 해결할 수 있다. 따라서, 종래에 채택되었던 방열 시트(173)는 주변 엣지(NPE)에서는 제거될 수 있다. 이로 인해, 표시 패널(100)의 제조 단가를 낮출 수 있고, 표시 패널(100)의 박형화가 가능해지며, 무게를 저감시킬 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 쿠션 테이프(172)는 미들 프레임(182)에 직접 부착될 수 있다. 즉, 종래 또는 도 11에서 쿠션 테이프(172) 하부에 배치되었던 방열 시트(173)가 생략됨으로써, 쿠션 테이프(172)는 하부에 배치되는 미들 프레임(182)과 직접 부착될 수 있다. 고정력을 높이기 위해서 쿠션 테이프(172) 및 미들 프레임(182) 사이에 고정 테이프(181)가 추가될 수 있으나, 이 역시도 쿠션 테이프(172)가 미들 프레임(182)에 직접 부착되는 것으로 이해될 수 있을 것이다.
편광판(162)은 편광 기능을 갖는 필름으로 형성될 수 있고, 외부 광의 반사를 억제할 수 있다.
패널층(110)은 내부에 구동 트랜지스터와 같은 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
제 1 백플레이트(101a)는 패널층(110)의 하부에 형성되는 구조체로서 패널층(110)의 강성을 보강할 수 있다.
지지 부재(170)은 점착제(171) 및 쿠션 테이프(172)를 포함할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 지지 부재(170)는 방열 시트(173)을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 지지 부재(170)은 미들 프레임(182)에 직접 부착될 수 있다.
미들 프레임(182)은 표시 패널(100)의 외관을 형성하는 세트 프레임이다. 즉, 미들 프레임(182)은 커버 윈도우(164)의 하부에서 커버 윈도우(164)와 결합함으로써 표시 패널(100)의 측면 외관을 정의할 수 있다. 또한, 미들 프레임(182)는 표시 패널(100)의 하부를 커버하도록 형성됨으로써 표시 패널(100)의 하부 외관을 정의할 수 있다.
도 13은 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8의 표시 패널의 A-A' 방향의 단면을 나타낸다.
도 14는 본 개시물의 다른 실시예에 따른 것으로 도 8을 표시 패널의 B-B' 방향의 단면을 나타낸다.
도 13 및 도 14를 참조하여, 본 개시물의 다른 실시예에 따른 표시 패널(100)을 설명하기로 한다. 설명에 앞서서 동일한 참조 부호로 지칭되는 구성요소는 그 설명을 생략하기로 한다.
본 실시예에 따르면, 편광판(162)은 유전율 감소 처리된 것을 특징으로 한다. 예를 들어, 유전율 감소 처리를 위해 편광판(162)의 상부 및 하부의 각각에는 저유전율 코팅층(192, 193)이 추가로 배치될 수 있다. 다른 예시로서, 편광판(162)의 상부에 저유전율 코팅층(192)이 추가로 배치될 수 있다. 다른 예시로서, 편광판(162)의 하부에 저유전율 코팅층(193)이 추가로 배치될 수 있다. 설명의 편의를 위해 편광판(162)의 상부 및 하부 각각에 저유전율 코팅층(193)이 추가된 것으로 설명하기로 한다.
구체적으로, 편광판(162)은 상부 및 하부 코팅을 통해 저유전율 물질이 코팅될 수 있다. 저유전율 코팅층(192, 193)은 예를 들어, 폴리머 계열의 물질인 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸린(PE) 재질의 물질로 구성된 막층일 수 있다. 또는, 저유전율 코팅층(192, 193)은 불소계 물질인 테프론 물질로 구성된 막층일 수 있다.
본 실시예에 따라 편광판(162)이 유전율 감소 처리가 됨으로써, 그리니쉬 현상이 방지될 수 있다. 전술한 바와 같이, 그리니쉬 현상은 패널층(110) 내부로 외부의 전하가 침입하여 퇴적되는 경우에, 패널층(110) 내부의 트랜지스터가 쉬프트 현상이 발생하는 것에 기인한다. 이에 따라, 종래의 기술은 외부의 전하가 패널층(110) 내부로 침입하지 못하게 하는 것에 집중되었다. 예를 들어, 패널층(110)의 외부에 대전 용액을 도포하고 경화시켜, 전하가 대전 용액막을 따라 하부의 방열 시트(173)으로 이동되는 경로를 만드는 방식이 사용되었다. 하지만, 본 개시물은 대전 용액 도포 등과 같이 전하의 이동 경로를 만들지 않고 대신에 전하가 패널층(110)으로 이동되는 것을 허용할 수 있다. 패널층(110)에 퇴적된 전하는 고유전율을 갖는 종래의 커버 윈도우(164)와 전계(EF: Electric Field)를 형성하게 된다. 일반적인 커버 윈도우(164)의 유전율은 글라스 재질인 경우 5 내지 6 정도이고, 플라스틱 재질인 경우 3 정도이다. 본 실시예에 따라 편광판(162)의 하부에 형성되는 코팅층(191)은 2.6 이하의 유전율을 가질 수 있다. 패널층(110) 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상은 이와 같은 전계(EF) 내에 트랜지스터가 위치함으로 인해서 발생하는 것이다. 본 실시예는 편광판(162)에 대해 유전율 감소 처리를 함으로서, 패널층(110) 내부의 전하 및 편광판(162) 사이에 종래와 대비하여 상대적으로 세기가 낮은 전계(EF)를 형성함으로써, 패널층(110) 내부에 전하가 퇴적되는 것에도 불구하고, 트랜지스터의 쉬프트 현상이 방지되고 이에 따른 그리니쉬 현상도 방지될 수 있다. 또한, 본 개시물의 발명자는 편광판(162)의 유전율이 대략 2.6 정도로 형성함으로써 그리니쉬 현상이 크게 감소되는 것을 실험적으로 발명하였다.
또한, 종래에 방식에 따르면, 표시 패널(100)의 패드 엣지에서는 대전 용액의 도포가 어려움이 있었다. 구체적으로, 도 11을 참조하면, 패드 엣지에서는 패널층(110)이 벤딩되는 구조로 형성되어 있으므로, 대전 용액이 접착층(163)과 편광판(162)의 측면까지 도포되는데 어려움이 있었다. 이에 반해, 본 발명은 편광판(162)에 유전율 감소 처리를 하므로, 위와 같은 어려움 없이 그리니쉬 현상을 방지할 수 있게 된다.
도 14 참조하면, 표시 패널(100) 중에서 패드가 형성되는 패드 영역(PA)이 접하지 않는 주변 엣지(NPE)의 단면(B-B')이 도시된다.
도 14를 참조하면, 표시 패널(100)은 최상층에 커버 윈도우(164), 커버 윈도우(164)의 하부에 배치되는 접착층(163), 접착층(163)의 하부에 배치되고 상부 및/또는 하부에 저유전율 코팅층(192, 193)을 포함하는 편광판(162) 및 편광판(162)의 하부에 배치되는 패널층(110)을 포함할 수 있다. 패널층(110)은 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 플렉서블 기판을 포함할 수 있다.
도 13을 참조하여 전술한 바와 같이, 본 실시예에서 편광판(162)은 유전율 감소 처리된 편광판(162)일 수 있다. 일 예로서, 편광판(162)는 상부 및/또는 하부에 저유전율 코팅층(192, 193)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 편광판(162)의 상부 및/또는 하부의 코팅층(192,193)은 예를 들어, 폴리머 계열의 물질인 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸린(PE) 재질의 물질로 구성된 막층일 수 있다. 또는, 저유전율 코팅층(192, 193)은 불소계 물질인 테프론 물질로 구성된 막층일 수 있다.
본 실시예에 따라 편광판(162)이 유전율 감소 처리가 됨으로써, 그리니쉬 현상이 방지될 수 있다. 전술한 바와 같이, 그리니쉬 현상은 패널층(110) 내부로 외부의 전하가 침입하여 퇴적되는 경우에, 패널층(110) 내부의 트랜지스터가 쉬프트 현상이 발생하는 것에 기인한다. 이에 따라, 종래의 기술은 외부의 전하가 패널층(110) 내부로 침입하지 못하게 하는 것에 집중되었다. 예를 들어, 패널층(110)의 외부에 대전 용액을 도포하고 경화시켜, 전하가 대전 용액막을 따라 하부의 방열 시트(173)으로 이동되는 경로를 만드는 방식이 사용되었다. 하지만, 본 개시물은 대전 용액 도포 등과 같이 전하의 이동 경로를 만들지 않고 대신에 전하가 패널층(110)으로 이동되는 것을 허용할 수 있다. 패널층(110)에 퇴적된 전하는 고유전율을 갖는 종래의 커버 윈도우(164)와 전계(EF: Electric Field)를 형성하게 된다. 일반적인 커버 윈도우(164)의 유전율은 글라스 재질인 경우 5 내지 6 정도이고, 플라스틱 재질인 경우 3 정도이다. 본 실시예에 따라 편광판(162)의 하부에 형성되는 코팅층(192, 193)은 2.6 이하의 유전율을 가질 수 있다. 패널층(110) 내부의 트랜지스터의 쉬프트 현상은 이와 같은 전계(EF) 내에 트랜지스터가 위치함으로 인해서 발생하는 것이다. 본 실시예는 편광판(162)에 대해 유전율 감소 처리를 함으로서, 패널층(110) 내부의 전하 및 편광판(162)에 사이에 종래와 대비하여 상대적으로 세기가 낮은 전계(EF)를 형성함으로써, 패널층(110) 내부에 전하가 퇴적되는 것에도 불구하고, 트랜지스터의 쉬프트 현상이 방지되고 이에 따른 그리니쉬 현상도 방지될 수 있다. 또한, 본 개시물의 발명자는 편광판(162)의 유전율이 대략 2.6 정도로 형성함으로써 그리니쉬 현상이 크게 감소되는 것을 실험적으로 발명하였다.
또한, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 패널층(110)의 하부에 순차적으로 점착제(171) 및 쿠션 테이프(172)가 배치될 수 있다. 즉, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 방열 시트(173)는 생략될 수 있다. 종래에 따르면, 전하는 대전 용액 등을 따라서 방열 시트(173)로 이동하여 방열 시트(173)을 통해 전하가 방출되었다. 하지만, 본 실시예에서는 전하가 패널층(110) 내부로 혀용하는 대신, 편광판(162)의 저유전율 처리를 통해, 형성되는 전기장의 세기를 낮춰 트랜지스터의 쉬프트 현상 및 그리니쉬 현상을 해결할 수 있다. 따라서, 종래에 채택되었던 방열 시트(173)는 주변 엣지(NPE)에서는 제거될 수 있다. 이로 인해, 표시 패널(100)의 제조 단가를 낮출 수 있고, 표시 패널(100)의 박형화가 가능해지며, 무게를 저감시킬 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 주변 엣지(NPE)에서 쿠션 테이프(172)는 미들 프레임(182)에 직접 부착될 수 있다. 즉, 종래 또는 도 13에서 쿠션 테이프(172) 하부에 배치되었던 방열 시트(173)가 생략됨으로써, 쿠션 테이프(172)는 하부에 배치되는 미들 프레임(182)과 직접 부착될 수 있다. 고정력을 높이기 위해서 쿠션 테이프(172) 및 미들 프레임(182) 사이에 고정 테이프(181)가 추가될 수 있으나, 이 역시도 쿠션 테이프(172)가 미들 프레임(182)에 직접 부착되는 것으로 이해될 수 있을 것이다.
패널층(110)은 내부에 구동 트랜지스터와 같은 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
제 1 백플레이트(101a)는 패널층(110)의 하부에 형성되는 구조체로서 패널층(110)의 강성을 보강할 수 있다.
지지 부재(170)은 점착제(171) 및 쿠션 테이프(172)를 포함할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 지지 부재(170)는 방열 시트(173)을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 지지 부재(170)은 미들 프레임(182)에 직접 부착될 수 있다.
미들 프레임(182)은 표시 패널(100)의 외관을 형성하는 세트 프레임이다. 즉, 미들 프레임(182)은 커버 윈도우(164)의 하부에서 커버 윈도우(164)와 결합함으로써 표시 패널(100)의 측면 외관을 정의할 수 있다. 또한, 미들 프레임(182)는 표시 패널(100)의 하부를 커버하도록 형성됨으로써 표시 패널(100)의 하부 외관을 정의할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 표시 패널
110: 패널층
101a, 101b: 제 1, 2 백플레이트
164: 커버 윈도우
163: 접착층
162: 편광판
170: 지지부재
171: 점착층
172: 쿠션 플레이트
173: 방열 시트
182: 미들 프레임
191, 192, 193: 저유전율 코팅층

Claims (10)

  1. 커버 윈도우;
    상기 커버 윈도우의 하부에 배치되는 접착층;
    상기 접착층의 하부에 배치되는 편광판; 및
    상기 편광판의 하부에 배치되는 패널층을 포함하고,
    상기 커버 윈도우, 상기 접착층 및 상기 편광판 중 적어도 하나는 유전율 감소 처리된 것을 특징으로 하는,
    표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전율 감소 처리된 커버 윈도우, 접착층 및 편광판 중 적어도 하나는 상기 커버 윈도우로부터 상기 패널층으로 침투한 전하와 전계를 형성하는 것을 특징으로 하는,
    표시 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층의 유전율은 상기 커버 윈도우의 유전율보다 더 낮은 것을 특징으로 하는,
    표시 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은 유전율이 2.6 이하인 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    표시 패널.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은 저유전율 필러를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    표시 패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 커버 윈도우는 하부에 저유전율 코팅층을 더 포함하는,
    표시 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 편광판의 상부에 저유전율 코팅층을 더 포함하는,
    표시 패널.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 편광판의 하부에 저유전율 코팅층을 더 포함하는,
    표시 패널.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 패드가 형성되는 패드 영역을 포함하고,
    상기 패드 영역이 접하는 패드 엣지에서:
    상기 패널층의 하부에 배치되는 회로 소자 및 구동 IC; 및
    상기 패널층의 하부에 순차적으로 배치되는 점착제, 쿠션 테이프 및 방열 시트를 더 포함하는,
    표시 패널.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 패드가 형성되는 패드 영역을 포함하고,
    상기 패드 영역이 접하지 않는 주변 엣지에서:
    상기 패널층의 하부에 순차적으로 배치되는 점착제 및 쿠션 테이프를 더 포함하고,
    상기 쿠션 테이프는 상기 미들 프레임이 직접 부착되는,
    표시 패널.

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