CN110036435B - 像素电路、主动矩阵有机发光二极管显示面板、显示设备和补偿驱动晶体管阈值电压的方法 - Google Patents

像素电路、主动矩阵有机发光二极管显示面板、显示设备和补偿驱动晶体管阈值电压的方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示面板中的像素电路。像素电路包括第一晶体管，该第一晶体管具有底栅极和顶栅极、被供应高电平电源电压的漏极、以及与发光二极管(LED)耦接的源极。在补偿时段，底栅极被提供第一电压信号并且源极被提供第二电压信号，在所述补偿时段期间，在源极感测第一晶体管的阈值电压的当前值，并且基于阈值电压的该当前值确定第三电压信号。顶栅极被构造为在发光时段被提供第三电压信号，以减小阈值电压的当前值。

Description

像素电路、主动矩阵有机发光二极管显示面板、显示设备和补 偿驱动晶体管阈值电压的方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及用于主动矩阵有机发光二极管显示面板的像素电路以及用于与该像素电路相关的阈值电压不均匀性补偿的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。
OLED显示设备通常包括阳极、包括发光层的有机层、以及阴极。OLED可以为底发射型OLED或顶发射型OLED。在底发射型OLED中，从阳极侧提取光。在底发射型OLED中，阳极通常是透明的，而阴极通常为反射性的。在顶发射型OLED中，从阴极侧提取光。阴极是光学透明的，而阳极是反射性的。
发明内容
在一方面，本公开提供了一种主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示面板中的像素电路。像素电路包括第一晶体管，该第一晶体管包括底栅极和顶栅极、被供应高电平电源电压的漏极、以及与发光二极管(LED)耦接的源极。在补偿时段，底栅极被提供第一电压信号并且源极被提供第二电压信号，在所述补偿时段期间，在源极感测第一晶体管的阈值电压的当前值，并且基于阈值电压的该当前值确定第三电压信号。顶栅极被构造为在发光时段被提供第三电压信号，以减小阈值电压的当前值。
可选地，LED为有机发光二极管(OLED)，其包括与第一晶体管的源极耦接的阳极和被供应低电平电源电压的阴极。OLED在发光时段被构造为发射由第一晶体管提供的驱动电流所引起的光。驱动电流是第一晶体管的导通电流，其基本上与阈值电压无关。
可选地，像素电路还包括：第二晶体管，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的源极、与数据电压端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；第三晶体管，其包括与第一晶体管的源极耦接的源极、与电压感测端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；第四晶体管，其包括与第一晶体管的顶栅极耦接的源极、与电压补偿端耦接的漏极、以及受第二控制信号控制的栅极；第一电容器，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的第一电极和与第一晶体管的源极耦接的第二电极；和第二电容器，其包括与第一晶体管的漏极耦接的第一电极和与第一晶体管的顶栅极耦接的第二电极。
可选地，在补偿时段的复位子时段中，第一控制信号是用于导通第二晶体管和第三晶体管的高电平电压并且第二控制信号是用于保持第四晶体管关断的低电平电压。在复位子时段之后的补偿时段的充电子时段中，第一控制信号保持为高电平电压，第二控制信号保持为低电平电压。
可选地，数据电压端被构造为在复位子时段中提供作为第一电压信号的第一高电平电压信号，以在底栅极处设置高电位电平，并且电压感测端被构造为在复位子时段中提供作为第二电压信号的低电平电压信号，以在第一晶体管的源极处设置低电位电平。
可选地，数据电压端被构造为在充电子时段中提供第二高电平电压信号作为第一电压信号。电压感测端被构造为在充电子时段中通过切断第二电压信号而悬置。底栅极处的高电位电平使第一晶体管导通，从而允许高电平电源电压对第一晶体管的源极进行充电，直到第一晶体管的源极的电位电平等于底栅极处的高电位电平减去第一晶体管的阈值电压的当前值为止。
可选地，悬置的电压感测端用于检测第一晶体管的源极处的电位电平，作为感测电压，所述控制器基于感测电压推导阈值电压的当前值。
可选地，基于预先存储的关于第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系的信息，控制器使用阈值电压的当前值来确定第三电压信号。第三电压信号选自顶栅极电压的值，该顶栅极电压的值对应于绝对值与阈值电压的当前值基本相同但符号相反的阈值电压。
可选地，在发光时段中，第一控制信号是高电平电压，以导通第二晶体管从而允许作为数据信号的第一电压信号从数据电压端被施加至底栅极，并且导通第三晶体管从而允许作为低电平电压信号的第二电压信号从电压感测端被施加至第一晶体管的源极。第二控制信号是高电平电压，以导通第四晶体管从而允许第三电压信号经由电压补偿端施加至顶栅极，从而使得阈值电压的改变后的值基本上为0。第一晶体管的导通电流被提供给LED作为发光驱动电流，其基本上与阈值电压的改变后的值无关。
可选地，流过第一晶体管的导通电流基本上与供应给LED的阴极的低电平电源电压无关。
可选地，像素电路是AMOLED显示面板的多个像素电路中的一个。多个像素电路中的每一个的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系存储在控制器中，所述控制器被构造为从多个像素电路中的每一个的相应电压感测端感测阈值电压的当前值并且基于控制器所感测的阈值电压的当前值将相应的第三电压信号提供给多个像素电路中的每一个的相应电压补偿端。
可选地，在补偿时段之后发光时段开始之前为保持时段，在保持时段期间，第一电压信号和第二电压信号被提供有低电平电压。
在另一方面，本公开提供了一种主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示面板，其包括像素电路的矩阵。矩阵中的每个像素电路包括第一晶体管，该第一晶体管包括底栅极和顶栅极、被供应高电平电源电压的漏极、以及与发光二极管(LED)耦接的源极。在补偿时段，底栅极被提供第一电压信号并且源极被提供第二电压信号，在所述补偿时段期间，在源极感测第一晶体管的阈值电压的当前值，并且基于阈值电压的该当前值确定第三电压信号。顶栅极被构造为在发光时段被提供第三电压信号，以减小阈值电压的当前值。LED是有机发光二极管，其包括与第一晶体管的源极耦接的阳极和被供应低电平电源电压的阴极，LED在发光时段被构造为发射由第一晶体管提供的驱动电流所引起的光，所述驱动电流是基本上与阈值电压无关的导通电流。
可选地，矩阵中的每个像素电路还包括：第二晶体管，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的源极、与数据电压端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；第三晶体管，其包括与第一晶体管的源极耦接的源极、与电压感测端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；第四晶体管，其包括与第一晶体管的顶栅极耦接的源极、与电压补偿端耦接的漏极、以及受第二控制信号控制的栅极；第一电容器，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的第一电极和与第一晶体管的源极耦接的第二电极；和第二电容器，其包括与第一晶体管的漏极耦接的第一电极和与第一晶体管的顶栅极耦接的第二电极。
可选地，每个像素电路在补偿时段中从数据电压端接收第一电压信号并且从电压感测端接收第二电压信号，从而允许控制器根据经由电压感测端检测的感测电压推导第一晶体管的阈值电压的当前值，以确定要在发光阶段中施加至电压补偿端的第三电压信号的相应值。
可选地，控制器被构造为预先存储矩阵中每个像素电路的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系，并且基于针对每个像素电路单独地推导的阈值电压的当前值来在补偿时段中针对每个像素电路单独地确定第三电压信号。
可选地，控制器还被构造为在发光时段中经由相应像素电路的相应电压补偿端将第三电压信号施加至第一晶体管的顶栅极，以将相应像素电路的第一晶体管的阈值电压改变为基本上为0。
在又一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括本文描述的AMOLED显示面板和与该AMOLED显示面板耦接的控制器，该控制器被构造为预先存储矩阵中的每个像素电路的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系。控制器还被构造为基于针对每个像素电路单独地推导的阈值电压的当前值来在补偿时段中针对每个像素电路单独地确定第三电压信号。控制器还被构造为在发光时段中经由相应像素电路的相应电压补偿端将第三电压信号施加至第一晶体管的顶栅极，以使每个像素电路的第一晶体管的阈值电压减小。
在又一方面，本公开提供了一种补偿AMOLED显示面板的像素电路的驱动晶体管的阈值电压的方法。所述方法包括：提供双栅极晶体管作为像素电路中的驱动晶体管。双栅极晶体管包括底栅极和顶栅极。所述方法还包括：在补偿时段中将第一电压信号提供至底栅极并且将第二电压信号提供至源极，从而感测驱动晶体管的阈值电压的当前值。另外，所述方法包括：基于阈值电压的当前值确定第三电压信号。此外，所述方法包括：在操作时序的发光时段中将第三电压信号施加至顶栅极，从而将阈值电压的当前值改变为约0。
可选地，在补偿时段中将第一电压信号提供至底栅极并且将第二电压信号提供至源极的方法包括：在补偿时段的复位子时段中将第一高电平电压信号作为第一电压信号提供至数据电压端并且将低电平电压信号作为第二电压信号提供至电压感测端，在所述补偿时段的复位子时段期间，第一控制信号为高电平电压，以导通第二晶体管和第三晶体管，并且第二控制信号为低电平电压，以关断第四晶体管。
可选地，在补偿时段中将第一电压信号提供至底栅极并且将第二电压信号提供至源极的方法还包括：在补偿时段的充电子时段中将第二高电平电压信号作为第一电压信号提供至数据电压端并且使电压感测端悬置，在补偿时段的充电子时段期间，第一控制信号保持高电平电压并且第二控制信号保持低电平电压，从而允许对双栅极晶体管的源极进行充电以达到等于第二高电平电压信号的电位电平减去双栅极晶体管的阈值电压的当前值的电位电平，使得驱动芯片可以通过经由电压感测端感测双栅极晶体管的源极处的电位电平来推导阈值电压的当前值。
可选地，确定第三电压信号的方法包括：基于预先存储在驱动芯片中的双栅极晶体管的顶栅极电压与阈值电压之间的对应关系来选择双栅极晶体管的对应于与当前值相同但符号相反的阈值电压的顶栅极电压。
可选地，在发光时段中将第三电压信号施加至顶栅极的方法包括：在发光时段中将第三电压信号施加至电压补偿端，在发光时段期间，第一控制信号和第二控制信号中的每一个均为高电平电压，以导通第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一电压信号作为数据信号提供至数据电压端并且第二电压信号作为低电平电压信号提供至电压感测端。第三电压信号被传递至双栅极晶体管的顶栅极，以减小阈值电压，并且由高电位电平的数据信号引起的驱动晶体管的导通电流被提供为驱动电流,以使LED发光。导通电流基本上与双栅极晶体管的阈值电压无关。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本公开的范围。
图1是用于驱动有机发光二极管发光的传统2T1C像素电路。
图2是根据本公开的一些实施例的用于驱动有机发光二极管发光的像素电路。
图3是根据本公开的一些实施例的操作图2的像素电路的时序图。
图4是根据本公开的一些实施例的双栅极薄膜晶体管的示例性结构图。
图5是根据本公开的一些实施例的在不同顶栅极电压下双栅极晶体管的漏极电流对底栅极电压的示例性测量曲线。
图6是根据本公开的一些替代性实施例的用于驱动有机发光二极管发光的像素电路。
图7是根据本公开的一些替代性实施例的操作图6的像素电路的时序图。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
典型的AMOLED显示面板使用薄膜晶体管(TFT)来构建用于为有机发光二极管(OLED)提供驱动电流的像素电路。像素电路中的TFT通常为低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)或氧化物薄膜晶体管(氧化物TFT)。与非晶硅TFT相比，LTPS TFT和氧化物TFT具有更高的迁移率和更加稳定的特性，因此，更适于在AMOLED显示器中使用。然而，由于结晶化工艺的限制，在大型薄膜基板上制作的LTPS TFT的电学参数(比如阈值电压、迁移率等)不均匀，并且这种不均匀性可导致OLED的电流变化和亮度变化，这些变化可被人眼感知，即，Mura现象。在大面积基板上制作的氧化物TFT可具有更佳的均匀性。但是，在高温下长时间通过电压驱动进行操作后，氧化物TFT的阈值电压漂移。在大面积显示面板中，由于在不同像素处显示的图像的变化，导致不同位置处的不同TFT的阈值电压的漂移不同，使得显示强度变化。由于这种变化与先前显示的图像有关，因此导致图像模糊现象。
在大尺寸显示应用中，背板的电源线中存在一定电阻，并且背板的正电源(ARVDD)向所有像素提供驱动电流，因此在靠近电源ARVDD的位置的区域中的电源电压高于在远离电源ARVDD的位置的区域中的电源电压，这种现象被称为电阻压降(IR Drop)。由于OLED的电流取决于ARVDD的电压，因此IR Drop也使得不同区域的电流差异，进而在显示时出现Mura现象。
此外，由于在蒸镀OLED器件时薄膜厚度产生不均匀性，导致电学参数也存在不均匀性。对于形成具有基于非晶硅或氧化物的N型TFT的像素电路而言，存储电容器用于耦接在驱动TFT的栅极和OLED的阳极之间。当数据电压信号传输至栅极时，如果每个像素电路的OLED的阳极电压不同，则施加到驱动TFT上的实际栅源电压Vgs不同。这使得不同OLED中的驱动电流不同，进而使得不同像素之间的显示强度不同。
普遍使用用于AMOLED的电压编程像素驱动法，其与传统的AMLCD像素驱动方法类似。驱动芯片(集成电路)提供灰阶电压信号，其可被转换为像素电路中的驱动TFT的灰阶电流信号，从而驱动OLED发光以实现灰阶强度。这种像素驱动方法由于其比如驱动速度快、结构简单和适用于大尺寸面板等的性质而被广泛使用。图1是用于驱动有机发光二极管发光的传统2T1C像素电路。在该像素电路中，控制开关晶体管T2以将数据电压从数据线传递至驱动晶体管T1的栅极。驱动晶体管T1将该数据电压转换为用于OLED器件的相应驱动电流。在正常工作模式中，驱动晶体管T1处于饱和状态，从而在用于扫描一行图像的时段内为OLED器件提供稳定的驱动电流。驱动电流可以表示为：
Figure BDA0001368846790000081
其中μn是载流子迁移率，Cox是栅氧化层电容，W/L是驱动晶体管的宽长比，Vdata是数据信号电压。VOLED是所有像素电路共享的OLED工作电压。Vthn是驱动晶体管的阈值电压，其对于增强型TFT而言为正值，并且对于耗尽型TFT而言为负值。基于与2T1C像素电路相关联的驱动电流的以上表达式，如果阈值电压Vthn不同，则不同像素电路中的驱动电流会不同。由于与像素电路相关联的驱动晶体管的阈值电压随时间漂移，导致不同驱动电流随时间变化，进而导致图像模糊现象。因此，该2T1C像素电路需要增加额外的TFT和电容器，用于设计具有补偿功能的电路，以补偿TFT的不均匀性和OLED的不均匀性。
由于TFT阈值电压和OLED器件的不均匀性，AMOLED显示面板的像素电路需要以某种方式实现补偿机制，以校正Mura现象或模糊现象，特别对于大尺寸显示面板而言更是如此。用于补偿TFT阈值电压漂移的具有3T1C结构的传统像素电路包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、感测晶体管T3、一个存储电容器Cst、用于供应高电位电压VDD的第一电源线、用于供应低电位电压VSS(其低于高电位电压VDD)的第二电源线、用于供应低于高电位电压VDD且高于低电位电压VSS的参考电压Vsense的参考线。开关晶体管T2受施加至栅极节点的栅极驱动信号Vdata的控制，并且电连接在驱动晶体管的节点N1和数据线之间。存储电容器Cst连接在节点N1和节点N2之间，用于在一帧时间内维持预定电压。感测晶体管T3受施加至栅极节点的栅极驱动信号Vdata的控制，从而将通过参考电压线供应的参考电压Vsense施加至第二节点N2(例如，驱动晶体管T1的源极节点)并且还允许与参考电压线连接的驱动芯片感测节点N2处的电压。基于该电路结构，AMOLED像素电路的感测驱动操作在感测时段、补偿时段、以及发光时段这三个时间段中进行，从而实现对驱动晶体管的阈值电压的补偿，使得OLED器件的驱动电流基本上与阈值电压无关。然而，利用基于上述3T1C像素电路的感测驱动操作来补偿阈值电压受限于阈值电压的特定范围。在AMOLED显示面板的工作过程中，如果阈值电压的漂移变得过大，则阈值电压的值会超过所述特定范围，使得可能无法完全补偿阈值电压的漂移。换言之，一些像素电路的补偿精度将降低，导致对大尺寸AMOLED显示面板的TFT阈值电压的不均匀性进行校正的效果较差。
因此，本发明特别提供了像素电路、具有该像素电路的AMOLED显示面板和显示设备、及其像素驱动方法，其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。
在一方面，本公开提供了一种AMOLED显示面板的像素电路，其能够控制驱动晶体管的阈值电压的漂移。漂移方向和漂移值均可被控制，使得可以基本上消除由于驱动晶体管的阈值电压的较大漂移而导致的不均匀问题。
图2是根据本公开的一些实施例的用于驱动有机发光二极管发光的像素电路。参照图2，该像素电路是基于4T2C结构的。第一晶体管T1是用于为像素电路的发光二极管(LED)提供发光驱动电流的驱动晶体管。LED为有机发光二极管(OLED)。T1具有与高电平电源电压VDD耦接的漏极和与节点N2耦接的源极。在实施例中，T1是双栅极晶体管，其具有与节点N1耦接的底栅极BG和与节点N3耦接的顶栅极TG。第二晶体管T2是开关晶体管，其具有受第一控制信号G1控制的栅极，与数据电压端耦接的漏极和与节点N1耦接的源极，第一控制信号G1可以为栅极驱动电路产生的栅极驱动信号，数据电压端构造为被供应第一电压信号Vdata(来自AMOLED显示面板的数据线)。第三晶体管T3是感测晶体管，其具有同样受第一控制信号G1控制的栅极、与节点N2耦接的源极、以及与电压感测端耦接的漏极，电压感测端构造为被供应第二电压信号Vsense。第四晶体管T4是控制晶体管，也是开关晶体管，其具有受第二控制信号G2控制的栅极、与节点N3耦接的源极、以及与电压补偿端耦接的漏极，节点N3连接至驱动晶体管T1的顶栅极TG，电压补偿端构造为被供应第三电压信号Vtg。可选地，上述所有晶体管可为n沟道型薄膜晶体管。另外，像素电路包括第一电容器C1，其具有与节点N1耦接的第一电极和与节点N2耦接的第二电极。此外，像素电路包括第二电容器C2，其具有与驱动晶体管T1的漏极耦接的第一电极和与节点N3耦接的第二电极，节点N3连接至驱动晶体管T1的顶栅极TG。
图4是根据本公开的一些实施例的双栅极薄膜晶体管的示例性结构图。参照图4，一些实施例中的双栅极薄膜晶体管包括：底栅极BG；底栅极BG上的栅绝缘层GI；栅绝缘层GI的远离底栅极BG的一侧的有源层AL；有源层AL的远离栅绝缘层GI的一侧的源极S和漏极D；源极S、漏极D和有源层AL的远离栅绝缘层GI的一侧的钝化层PVL；以及钝化层PVL的远离有源层AL的一侧的顶栅极TG。
在一些实施例中，提供为双栅极晶体管的驱动晶体管T1、开关晶体管T2、以及感测晶体管T3加上第一电容器C1，作为当前像素电路的一部分，通过在发光时段为OLED提供与阈值电压基本上无关的驱动电流，提供了在驱动晶体管的正常工作条件期间对驱动晶体管T1的阈值电压的漂移进行补偿的功能。双栅极晶体管的底栅极BG受开关晶体管T2的控制。双栅极晶体管的顶栅极TG受控制晶体管T4的控制以调整其电位电平，使得可以控制驱动晶体管T1的阈值电压。特别地，阈值电压的绝对值和符号均可以被控制，这是因为通过向双栅极晶体管的顶栅极施加不同的顶栅极电压，可有效地将其阈值电压从正值改变为负值，反之亦然(如图5的示例中所示)。可选地，在施加恰当顶栅极电压的情况下，可以将阈值电压的值控制到0附近。由于(第四)控制晶体管T4基本上独立于其余电路结构，因此，对阈值电压的控制也与补偿的功能无关。通过将阈值电压的值控制在有限范围，特别是0附近，使得像素电路更加准确地执行补偿功能，从而确保提供给像素电路的LED的驱动电流基本上与驱动晶体管的阈值电压无关。因此，解决了由于阈值电压的特别大的漂移导致的不完整或不准确的补偿所引起的不均匀性问题。
在一些实施例中，第一电容器C1作为存储电容器直接耦接在底栅极BG(即，节点N1)和驱动晶体管的源极(即，节点N2)之间，从而提供充足电容用于稳定驱动晶体管T1的栅极和源极之间的电位电平差Vgs。在一些实施例中，第二电容器C2直接耦接在驱动晶体管T1的漏极和顶栅极TG之间，从而在其通过第三电压信号Vtg从电压补偿端被充电之后，提供充足电容用于稳定顶栅极TG处的电位电平。
图3是根据本公开的一些实施例的操作图2的像素电路的时序图。参照图3，所述时序图示出了用于操作图2的像素电路的至少一个周期，至少包括补偿时段和发光时段，它们由保持时段间隔开，在该周期中，控制器相应地提供用于操作像素电路的多个编程电压信号。控制器构造为针对AMOLED显示面板中的每一个像素电路提供这些编程电压信号。在一些实施例中，编程电压信号至少包括：第一电压信号，其提供给与第二晶体管T2的漏极耦接的数据电压端；第二电压信号，其提供给与第三晶体管T3的漏极耦接的电压感测端；以及第三电压信号，其提供给与第四晶体管T4的漏极耦接的电压补偿端。还提供了第一控制信号G1和第二控制信号G2，或者可以通过由控制器控制的栅极驱动器电路产生第一控制信号G1和第二控制信号G2，用于单独地导通或关断第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4。
对像素电路的操作可以针对每像素执行至少一个周期(以驱动像素的OLED发光)。每个周期的补偿时段包括复位子时段，随后是充电子时段。在复位子时段中，第一控制信号G1为足以导通第二晶体管T2并且还导通第三晶体管T3的高电平电压。第二控制信号G2是低电平电压，从而关断第四晶体管T4。通过控制器提供第一电压信号Vdata作为供应至数据电压端的第一高电平电压信号VGM。第二晶体管T2导通，从而将第一高电平电压信号传递至作为驱动晶体管T1的底栅极BG的节点N1。可选地，第一高电平电压信号可以足够高以导通驱动晶体管T1。在复位子时段，同样由控制器向电压感测端提供第二电压信号Vsense作为低电平电压信号Vrefl，并在第三晶体管T3导通时传递至作为驱动晶体管T1的源极的节点N2。在复位子时段中，第三电压信号Vtg设置为关闭并且通过设置为低电平电压的第二控制信号G2使第四晶体管关断。针对下一个充电子时段设置和准备第一电容器C1两侧的电位电平。OLED的阳极处的电位电平VOLED为低，因此没有光发出。
参照图3，在复位子时段之后的充电子时段中，第一控制信号G1和第二控制信号G2保持与前一子时段中相同，从而保持第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4的状态。通过控制器提供第一电压信号Vdata作为供应至数据电压端并传递至驱动晶体管T1的底栅极BG以保持其导通的第二高电平电压信号VG0。同时，电压感测端首先与第二电压信号中断，使得其悬置，这使得驱动晶体管的源极悬置并具有前一复位子时段中设置的Vrefl的低电位电平。底栅极BG(或节点N1)处的高电位电平VG0使驱动晶体管T1保持导通，从而允许其从被供应高电位电源电压VDD的漏极对源极进行充电。充电持续到源极的电位电平达到等于VG0-Vth的电位电平，其中Vth是驱动晶体管T1的当前值。同时，在第三晶体管导通时，控制器可使用电压感测端来感测驱动晶体管的源极处的电位电平的改变。通过获得等于VG0-Vth的感测电压，控制器能够推导驱动晶体管T1的阈值电压的当前值。OLED的阳极处的电位电平仍被控制为低电平，因此没有光发出。
在一些实施例中，控制器构造为同AMOLED显示面板一起布置的驱动芯片。每当AMOLED显示面板完成其将所有这些薄膜晶体管(TFT)布置在玻璃基板上以形成像素电路的矩阵的工艺时，每个TFT经受多个IV测试。至少对于每个驱动晶体管(其为如图4所示那样构造的具有顶栅极和底栅极的双栅极晶体管)而言，IV测试将测量在不同顶栅极电压(例如，从-6V到+6V，等)的条件下其随底栅极电压(例如，从-20V到+20V，等)变化的漏极电流。图5示出了这种IV测试测量结果的示例。基于这些IV测试，可以推导每个单独像素电路中的每个驱动晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系。例如，参照图5，对于-6V的顶栅极电压，晶体管的阈值电压Vth为约6V；对于0V的顶栅极电压，阈值电压Vth为约0V；对于+6V的顶栅极电压，阈值电压为约-6V。通常，可以针对显示面板上带有像素位置ID的每个驱动晶体管单独生成顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系(例如，一一对应关系)的查找表并将其存储在驱动芯片的存储器中。现在，在AMOLED显示面板的图像显示操作期间，控制器在补偿时段的充电子时段结束时通过感测驱动晶体管的源极处的电位电平来接收特定像素电路的驱动晶体管的阈值电压的当前值。随后，控制器可以将阈值电压的当前值与针对同一所述特定像素电路的驱动晶体管而存储在存储器中的查找表进行比较。如果顶栅极电压对应于绝对值与阈值电压的当前值相同但符号相反的阈值电压，则从查找表中选出该顶栅极电压。例如，如果控制器所感测的阈值电压的当前值为3V，则选择对应于-3V的阈值电压的顶栅极电压。又例如，如果控制器所感测的阈值电压的当前值为-4V，则选择对应于+4V的阈值电压的顶栅极电压。如果将所选择的顶栅极电压施加至双栅极晶体管的顶栅极，则该顶栅极电压能够减小阈值电压的当前值。特别地，根据双栅极晶体管的结构配置(参见图4)，顶栅极电压将阈值电压从当前值改变为基本为0。在实施例中，在发光时段中，控制器构造为将第三电压信号的值和符号确定为选定的顶栅极电压的值和符号，并且将第三电压信号施加至相应像素电路的电压补偿端，从而减小驱动晶体管的阈值电压的当前值。
参照图3，在发光时段中，第一控制信号G1和第二控制信号G2均为高电平电压，从而使晶体管T2、T3和T4导通。通过控制器将第一电压信号Vdata作为数据信号Dn提供至数据电压端并传递至驱动晶体管T1的底栅极BG。通过控制器将第二电压信号Vsense作为低电平电压Vrefl提供至电压感测端并传递至驱动晶体管的源极或OLED的阳极，使得VOLED＝Vrefl。通过控制器将第三电压信号Vtg作为补偿电压Vcom提供至电压补偿端，其电平按上述方式选择，可以根据感测的阈值电压的当前值而为正值、0、或负值。由于第四晶体管T4导通，补偿电压Vcom传递至驱动晶体T1的顶栅极TG。现在，作为双栅极晶体管的驱动晶体管的顶栅极TG被施加有补偿电压Vcom，从而可以减小驱动晶体管的阈值电压的当前值。可选地，驱动晶体管的阈值电压的当前值改变为基本上为0。除了驱动晶体管的阈值电压的当前值为减小值以外，所有其他的电压信号设置和像素电路结构自身基本上与用于执行阈值电压的补偿功能的像素电路相同。可选地，驱动晶体管的阈值电压的当前值至少处于0附近的非常小的范围内。因此，通过像素电路可以准确地实现阈值电压的补偿，从而提供与阈值电压完全无关的驱动电流，使得OLED发光仅基于所供应的数据信号Dn，并且没有Mura或模糊现象。
再次参照图3，在发光时段开始之前，可以在补偿时段之后包括保持时段。由于对驱动晶体管的源极进行充电相对较慢，因此控制器可能需要额外的时间来测量要等于VG0-Vth的感测电压并利用预先存储的顶栅极电压与阈值电压之间的对应关系(例如，一一对应关系)的查找表来处理该感测电压以将特定顶栅极电压确定为补偿电压。在保持时段期间，所有的电压信号和栅极驱动信号被设置为低电平以使得像素电路处于非工作模式并等待控制器在下一周期提供补偿电压以减小阈值电压的绝对值并执行精确补偿，使得发光时段中的驱动电流基本上与阈值电压的(减小的)绝对值无关。
在另一实施例中，由于驱动电流仅取决于底栅极BG和源极N2处的电压电平，而底栅极BG和源极N2处的电压电平分别被设置为来自第一电压信号的Vdata和来自第二电压信号的Vrefl(它们均与供应至OLED器件的阴极的低电平电源电压VSS完全无关)，因此，驱动电流同样基本上不受低电平电源电压VSS的任何变化的影响。因此，图2的像素电路还具有补偿OLED的阴极处的接地弹跳效应(ground bouncing effect)的功能。
图6是根据本公开的一些替代性实施例的用于驱动有机发光二极管发光的像素电路。参照图6，该像素电路是基于5T2C结构的。第一晶体管T1是用于为像素电路的发光二极管(LED)提供发光驱动电流的驱动晶体管。LED为有机发光二极管(OLED)。T1具有与第五晶体管T5的源极耦接的漏极和与节点N2耦接的源极。特别地，T1是双栅极晶体管，其具有与节点N1耦接的底栅极BG和与节点N3耦接的顶栅极TG。第二晶体管T2是开关晶体管，其具有受第一控制信号G1控制的栅极、与数据电压端耦接的漏极和与节点N1耦接的源极，第一控制信号G1可以为栅极驱动电路产生的栅极驱动信号，数据电压端构造为被供应第一电压信号Vdata(来自AMOLED显示面板的数据线)。第三晶体管T3是感测晶体管，其具有同样受第一控制信号G1控制的栅极、与节点N2耦接的源极、以及与电压感测端耦接的漏极，电压感测端构造为被供应第二电压信号Vsense。第四晶体管T4是控制晶体管，也是开关晶体管，其具有受第二控制信号G2控制的栅极、与节点N3耦接的源极、以及与电压补偿端耦接的漏极，节点N3连接至驱动晶体管T1的顶栅极TG，电压补偿端构造为被供应第三电压信号Vtg。回到晶体管5，其还具有受第三控制信号G3控制的栅极和与高电平电源电压VDD耦接的漏极。可选地，上述所有晶体管可为n沟道型薄膜晶体管。另外，像素电路包括第一电容器C1，其具有与节点N1耦接的第一电极和与节点N2耦接的第二电极。此外，像素电路包括第二电容器C2，其具有与驱动晶体管T1的漏极耦接的第一电极和与节点N3耦接的第二电极，节点N3连接至驱动晶体管T1的顶栅极TG。该5T2C像素电路类似于图2中示出的4T2C像素电路，不同之处在于增加了用于控制T1的漏极和高电平电源电压VDD之间的连接的第五晶体管T5。
图7是根据本公开的一些替代性实施例的操作图6的像素电路的时序图。参照图7，所述时序图示出了用于操作图6的像素电路的至少一个周期，至少包括补偿时段和发光时段，它们由保持时段间隔开，在该周期中，控制器相应地提供用于操作像素电路的多个编程电压信号。控制器构造为针对AMOLED显示面板中的每一个像素电路提供这些编程电压信号。在一些实施中，编程电压信号至少包括：第一电压信号，其提供给与第二晶体管T2的漏极耦接的数据电压端；第二电压信号，其提供给与第三晶体管T3的漏极耦接的电压感测端；以及第三电压信号，其提供给与第四晶体管T4的漏极耦接的电压补偿端。还提供了三个控制信号G1、G2和G3，或者可以通过由控制器控制的栅极驱动器电路产生这三个控制信号G1、G2和G3，用于单独地导通或关断第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5。
参照图7和图3，图6的5T2C像素电路的时序控制类似，不同之处在于第三控制信号G3实现为导通或关断第五晶体管T5。特别地，在补偿时段的复位子时段期间，G3为低电平电压信号，使得第五晶体管T5关断。这有效地关闭了从VDD向节点N2(即，OLED的阳极)的任何充电效应，使得电位电平VOLED可以准确地复位为由控制器作为低电平电压Vrefl提供的电压信号Vsense所定义的那样。这确保了在下一充电子时段期间VDD向节点N2的充电可以从节点N1和节点N2二者处的恰当电位电平开始。在其他时段中，第三控制信号G3是高电平电压信号。G3使晶体管T5导通，从而使VDD连接至作为驱动晶体管的第一晶体管T1的漏极。图6的5T2C像素电路的时序控制的其余功能与图2的控制4T2C像素电路的那些功能完全相同，详细描述可以参见上述内容。
在另一方面，本公开提供了一种具有像素电路的矩阵的AMOLED显示面板，其中每个像素电路按照图2中所示的方式构造并且根据图3中所示的时序图进行操作。矩阵中的每个像素电路包括第一晶体管，该第一晶体管具有底栅极和顶栅极、被供应高电平电源电压的漏极、以及与发光二极管(LED)耦接的源极。在补偿时段，底栅极被提供第一电压信号并且源极被提供第二电压信号，在所述补偿时段期间，在源极感测第一晶体管的阈值电压的当前值。基于阈值电压的该当前值确定第三电压信号，并且顶栅极被构造为在发光时段被提供第三电压信号，以减小阈值电压的当前值。可选地，施加至顶栅极的第三电压信号将阈值电压的当前值改变为基本上为0。在补偿时段中，矩阵中的每个像素电路从数据电压端接收第一电压信号并且从电压感测端接收第二电压信号，从而允许控制器根据经由电压感测端检测的感测电压推导第一晶体管的阈值电压的当前值，以确定要在发光阶段中施加至电压补偿端的第三电压信号的相应值。LED为有机发光二极管(OLED)，其具有与第一晶体管的源极耦接的阳极和被供应低电平电源电压的阴极。LED在发光时段被构造为发射由第一晶体管提供的驱动电流所引起的光，所述驱动电流是与阈值电压基本上无关的导通电流。
可选地，控制器被构造为预先存储矩阵中每个像素电路的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系(例如，一一对应关系)，并且基于针对每个像素电路单独地推导的阈值电压的当前值来在补偿时段中单独地确定第三电压信号。
可选地，控制器还构造为在发光时段中经由相应像素电路的相应电压补偿端将第三电压信号施加至第一晶体管的顶栅极，以使每个像素电路的第一晶体管的阈值电压减小至基本为0。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括本文描述的AMOLED显示面板和与该AMOLED显示面板耦接的控制器，该控制器被构造为预先存储矩阵中的每个像素电路的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系(例如，一一对应关系)。控制器还构造为基于针对每个像素电路单独地推导的阈值电压的当前值来在补偿时段中单独地确定第三电压信号。控制器还构造为在发光时段中经由相应像素电路的相应电压补偿端将第三电压信号施加至第一晶体管的顶栅极，以使每个像素电路的第一晶体管的阈值电压减小至基本为0。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
在又一方面，本公开提供了一种补偿AMOLED显示面板的像素电路的驱动晶体管的阈值电压的方法。在一些实施例中，所述方法包括：提供双栅极晶体管作为像素电路中的驱动晶体管。双栅极晶体管具有底栅极和顶栅极。所述方法还包括：在补偿时段中可操作地将第一电压信号提供至底栅极并且将第二电压信号提供至源极，从而感测驱动晶体管的阈值电压的当前值。另外，所述方法包括：基于阈值电压的当前值确定第三电压信号。此外，所述方法包括：在发光时段中可操作地将第三电压信号施加至顶栅极，从而将阈值电压的当前值改变为基本上为0。
可选地，所述方法包括：提供双栅极晶体管以形成本文所述的像素电路。
可选地，根据本文所述的时序图执行所述方法。所述方法包括：在补偿时段的复位子时段中，将第一电压信号作为第一高电平电压信号提供至数据电压端并且将第二电压信号作为低电平电压信号提供至电压感测端。在复位子时段期间，第一控制信号是用于导通第二晶体管和第三晶体管的高电平电压并且第二控制信号是用于关断第四晶体管的低电平电压。
可选地，所述方法包括：在补偿时段的充电子时段中，将第一电压信号作为第二高电平电压信号提供至数据电压端并使电压感测端悬置。在充电子时段期间，第一控制信号保持高电平电压并且第二控制信号保持低电平电压，从而允许对双栅极晶体管的源极进行充电以达到等于第二高电平电压信号减去双栅极晶体管的阈值电压的当前值的电位电平，使得驱动芯片可通过经由电压感测端对双栅极晶体管的源极处的电位电平进行感测来推导阈值电压的当前值。
可选地，所述方法包括：基于驱动芯片中预先存储的与双栅极晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系有关的信息，选择双栅极晶体管的对应于与当前值相同但符号相反的阈值电压的顶栅极电压。
可选地，所述方法还包括：通过在发光时段中将第三电压信号施加至电压补偿端，而在发光时段中可操作地将第三电压信号施加至顶栅极。在发光时段期间，第一控制信号和第二控制信号中的每一个均为高电平电压，以导通第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一电压信号作为数据信号提供至数据电压端并且第二电压信号作为低电平电压信号提供至电压感测端。第三电压信号传递至双栅极晶体管的顶栅极以将阈值电压减小为基本上为0。驱动晶体管的导通电流是由高电位电平的数据信号引起的并且被作为驱动电流提供，从而使LED发光。导通电流基本上与双栅极晶体管的阈值电压无关。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (23)

1.一种主动矩阵有机发光二极管显示面板中的像素电路，包括：
第一晶体管，其包括底栅极和顶栅极、被供应高电平电源电压的漏极、以及与发光二极管耦接的源极；
其中，在补偿时段，底栅极被提供第一电压信号并且源极被提供第二电压信号，在补偿时段期间，在源极感测第一晶体管的阈值电压的当前值，并且基于阈值电压的当前值确定第三电压信号；并且
顶栅极被构造为在发光时段被提供第三电压信号，以减小阈值电压的当前值；
在补偿时段之后发光时段开始之前为保持时段，在保持时段期间，第一电压信号和第二电压信号被提供有低电平电压。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，发光二极管是有机发光二极管，其包括与第一晶体管的源极耦接的阳极和被供应低电平电源电压的阴极，有机发光二极管在发光时段被构造为发射由第一晶体管提供的驱动电流所引起的光，所述驱动电流是实质上与阈值电压无关的第一晶体管的导通电流。
3.根据权利要求1所述的像素电路，还包括；
第二晶体管，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的源极、与数据电压端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；
第三晶体管，其包括与第一晶体管的源极耦接的源极、与电压感测端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；
第四晶体管，其包括与第一晶体管的顶栅极耦接的源极、与电压补偿端耦接的漏极、以及受第二控制信号控制的栅极；
第一电容器，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的第一电极和与第一晶体管的源极耦接的第二电极；和
第二电容器，其包括与第一晶体管的漏极耦接的第一电极和与第一晶体管的顶栅极耦接的第二电极。
4.根据权利要求3所述的像素电路，其中，在补偿时段的复位子时段中，第一控制信号是用于导通第二晶体管和第三晶体管的高电平电压并且第二控制信号是用于保持第四晶体管关断的低电平电压；并且
在复位子时段之后的补偿时段的充电子时段中，第一控制信号保持为高电平电压，第二控制信号保持为低电平电压。
5.根据权利要求4所述的像素电路，其中，数据电压端被构造为在复位子时段中提供作为第一电压信号的第一高电平电压信号，以在底栅极处设置高电位电平，并且电压感测端被构造为在复位子时段中提供作为第二电压信号的低电平电压信号，以在第一晶体管的源极处设置低电位电平。
6.根据权利要求5所述的像素电路，其中，数据电压端被构造为在充电子时段中提供第二高电平电压信号作为第一电压信号，并且电压感测端被构造为在充电子时段中通过切断第二电压信号而悬置；并且
底栅极处的高电位电平使第一晶体管导通，从而允许高电平电源电压对第一晶体管的源极进行充电，直到第一晶体管的源极的电位电平等于底栅极处的高电位电平减去第一晶体管的阈值电压的当前值为止。
7.根据权利要求6所述的像素电路，其中，悬置的电压感测端用于检测第一晶体管的源极处的电位电平作为感测电压，控制器基于感测电压推导阈值电压的当前值。
8.根据权利要求7所述的像素电路，其中，基于预先存储的关于第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系的信息，控制器使用阈值电压的当前值来确定第三电压信号；并且
第三电压信号选自顶栅极电压的值，该顶栅极电压的值对应于绝对值与阈值电压的当前值实质相同但符号相反的阈值电压。
9.根据权利要求8所述的像素电路，其中，在发光时段中，第一控制信号是高电平电压，以导通第二晶体管从而允许作为数据信号的第一电压信号从数据电压端被施加至底栅极，并且导通第三晶体管从而允许作为低电平电压信号的第二电压信号从电压感测端被施加至第一晶体管的源极；并且
第二控制信号是高电平电压，以导通第四晶体管从而允许第三电压信号经由电压补偿端施加至顶栅极，从而使得阈值电压的改变后的值实质上为0；并且
第一晶体管的导通电流被提供给发光二极管作为发光驱动电流，其实质上与阈值电压的改变后的值无关。
10.根据权利要求2所述的像素电路，其中，流过第一晶体管的导通电流实质上与供应给发光二极管的阴极的低电平电源电压无关。
11.根据权利要求8所述的像素电路，其中，像素电路是主动矩阵有机发光二极管显示面板的多个像素电路中的一个；
多个像素电路中的每一个的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系存储在控制器中，所述控制器被构造为从多个像素电路中的每一个的相应电压感测端感测阈值电压的当前值并且基于控制器所感测的阈值电压的当前值将相应的第三电压信号提供给多个像素电路中的每一个的相应电压补偿端。
12.一种主动矩阵有机发光二极管显示面板，包括像素电路的矩阵，矩阵中的每个像素电路包括：
第一晶体管，其包括底栅极和顶栅极、供应有高电平电源电压的漏极、以及与发光二极管耦接的源极，在补偿时段，底栅极被提供第一电压信号并且源极被提供第二电压信号，在所述补偿时段期间，在源极感测第一晶体管的阈值电压的当前值，并且基于阈值电压的当前值确定第三电压信号，并且顶栅极被构造为在发光时段被提供第三电压信号，以减小阈值电压的当前值；在补偿时段之后发光时段开始之前为保持时段，在保持时段期间，第一电压信号和第二电压信号被提供有低电平电压；
其中发光二极管是有机发光二极管，其包括与第一晶体管的源极耦接的阳极和被供应低电平电源电压的阴极，发光二极管在发光时段被构造为发射由第一晶体管提供的驱动电流所引起的光，所述驱动电流是实质上与阈值电压无关的导通电流。
13.根据权利要求12所述的主动矩阵有机发光二极管显示面板，其中，矩阵中的每个像素电路还包括：
第二晶体管，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的源极、与数据电压端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；
第三晶体管，其包括与第一晶体管的源极耦接的源极、与电压感测端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；
第四晶体管，其包括与第一晶体管的顶栅极耦接的源极、与电压补偿端耦接的漏极、以及受第二控制信号控制的栅极；
第一电容器，其包括与第一晶体管的底栅极耦接的第一电极和与第一晶体管的源极耦接的第二电极；和
第二电容器，其包括与第一晶体管的漏极耦接的第一电极和与第一晶体管的顶栅极耦接的第二电极。
14.根据权利要求13所述的主动矩阵有机发光二极管显示面板，其中，每个像素电路在补偿时段中从数据电压端接收第一电压信号并且从电压感测端接收第二电压信号，从而允许控制器根据经由电压感测端检测的感测电压推导第一晶体管的阈值电压的当前值，以确定要在发光阶段中施加至电压补偿端的第三电压信号的相应值。
15.根据权利要求14所述的主动矩阵有机发光二极管显示面板，其中，控制器被构造为预先存储矩阵中每个像素电路的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系，并且基于针对每个像素电路单独地推导的阈值电压的当前值来在补偿时段中针对每个像素电路单独地确定第三电压信号。
16.根据权利要求15所述的主动矩阵有机发光二极管显示面板，其中，控制器还被构造为在发光时段中经由相应像素电路的相应电压补偿端将第三电压信号施加至第一晶体管的顶栅极，以将相应像素电路的第一晶体管的阈值电压改变为实质上为0。
17.一种显示设备，包括：
权利要求12所述的主动矩阵有机发光二极管显示面板；和
控制器，其与主动矩阵有机发光二极管显示面板耦接并且被构造为：预先存储矩阵中的每个像素电路的第一晶体管的顶栅极电压和阈值电压之间的对应关系；基于针对每个像素电路单独推导的阈值电压的当前值，在补偿时段中针对每个像素电路单独确定第三电压信号；以及在发光时段中经由相应像素电路的相应电压补偿端将第三电压信号施加至第一晶体管的顶栅极，从而减小每个像素电路的第一晶体管的阈值电压。
18.一种补偿主动矩阵有机发光二极管显示面板的像素电路的驱动晶体管的阈值电压的方法，包括：
提供双栅极晶体管作为像素电路中的驱动晶体管，该双栅极晶体管包括底栅极和顶栅极；
在补偿时段中将第一电压信号提供至底栅极并且将第二电压信号提供至源极，从而感测驱动晶体管的阈值电压的当前值；
基于阈值电压的当前值确定第三电压信号；和
在操作时序的发光时段中将第三电压信号施加至顶栅极，从而将阈值电压的当前值改变为0；
在补偿时段之后发光时段开始之前为保持时段，在保持时段期间，第一电压信号和第二电压信号被提供有低电平电压。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述像素电路包括：
双栅极晶体管，其漏极被供应高电平电源电压；
发光二极管，其包括与双栅极晶体管的源极耦接的阳极和被供应低电平电源电压的阴极；
第二晶体管，其包括与双栅极晶体管的底栅极耦接的源极、与数据电压端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；
第三晶体管，其包括与双栅极晶体管的源极耦接的源极、与电压感测端耦接的漏极、以及受第一控制信号控制的栅极；
第四晶体管，其包括与双栅极晶体管的顶栅极耦接的源极、与电压补偿端耦接的漏极、以及受第二控制信号控制的栅极；
第一电容器，其包括与双栅极晶体管的底栅极耦接的第一电极和与双栅极晶体管的源极耦接的第二电极；和
第二电容器，其包括与双栅极晶体管的漏极耦接的第一电极和与双栅极晶体管的顶栅极耦接的第二电极。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，在补偿时段中将第一电压信号提供至底栅极并且将第二电压信号提供至源极包括：在补偿时段的复位子时段中将第一高电平电压信号作为第一电压信号提供至数据电压端并且将低电平电压信号作为第二电压信号提供至电压感测端，在所述补偿时段的复位子时段期间，第一控制信号为高电平电压，以导通第二晶体管和第三晶体管，并且第二控制信号为低电平电压，以关断第四晶体管。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，在补偿时段中将第一电压信号提供至底栅极并且将第二电压信号提供至源极还包括：在补偿时段的充电子时段中将第二高电平电压信号作为第一电压信号提供至数据电压端并且使电压感测端悬置，在补偿时段的充电子时段期间，第一控制信号保持高电平电压并且第二控制信号保持低电平电压，从而允许对双栅极晶体管的源极进行充电以达到等于第二高电平电压信号的电位电平减去双栅极晶体管的阈值电压的当前值的电位电平，使得驱动芯片可以通过经由电压感测端感测双栅极晶体管的源极处的电位电平来推导阈值电压的当前值。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，确定第三电压信号包括：基于预先存储在驱动芯片中的双栅极晶体管的顶栅极电压与阈值电压之间的对应关系来选择双栅极晶体管的对应于与当前值相同但符号相反的阈值电压的顶栅极电压。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，在发光时段中将第三电压信号施加至顶栅极包括：在发光时段中将第三电压信号施加至电压补偿端，在发光时段期间，第一控制信号和第二控制信号中的每一个均为高电平电压，以导通第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一电压信号作为数据信号提供至数据电压端并且第二电压信号作为低电平电压信号提供至电压感测端，其中，第三电压信号被传递至双栅极晶体管的顶栅极，以减小阈值电压，并且由高电位电平的数据信号引起的驱动晶体管的导通电流被提供为驱动电流,以使发光二极管发光，导通电流与双栅极晶体管的阈值电压实质上无关。
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