CN102074186A - 显示设备、驱动显示设备的方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种可以控制有机EL元件的发光的开始或停止而不增大元件数量的显示设备、驱动该显示设备的方法和具有该显示设备的电子设备。该显示设备包括：显示部件，具有二维地布置的多组发光元件和像素电路；以及驱动部件，基于视频信号驱动每个像素电路。所述像素电路具有双栅极第一晶体管以及第二晶体管，所述双栅极第一晶体管具有第一栅极和第二栅极，并且控制流入每个发光元件的电流，所述第二晶体管根据视频信号将信号电压写入第一栅极。所述驱动部件将在用于开始发光元件的发光和用于停止发光元件的发光之间不同的电压施加到第二栅极。

Description

显示设备、驱动显示设备的方法和电子设备
技术领域
本发明涉及一种通过对各个像素布置的发光元件显示图像的显示设备、驱动该显示设备的方法、以及具有该显示设备的电子设备。
背景技术
近来，在用于图像显示的显示设备的领域，已经对使用电流驱动光学元件作为像素的发光元件的显示设备进行了开发和商业化，根据流到光学元件(例如有机EL(电致发光)元件)中的电流的值而在发射亮度上改变光学元件。
与液晶元件等不同，有机EL元件是自发光元件。因此，使用有机EL元件的显示设备(有机EL显示设备)不需要光源(背光)，因此与需要光源的液晶显示设备相比，该设备具有高图像可见性、低功耗和高响应速度。
像在液晶显示设备中一样，有机EL显示设备的驱动方法包括简单的(无源)矩阵驱动和有源矩阵驱动。前者具有以下困难：几乎不能在提供简单设备结构的同时实现具有高清晰度的大显示器。因此，目前正在积极开发有源矩阵驱动。在有源矩阵驱动中，流入对每个像素布置的有机EL元件的电流由为每个有机EL元件提供的像素电路中的有源元件(典型为TFT(薄膜晶体管))控制。
通常，有机EL元件的电流-电压(I-V)特性随着时间劣化(时间劣化)。在对有机EL元件进行电流驱动的像素电路中，当有机EL元件的I-V特性随着时间改变时，有机EL元件和串联连接到该元件的TFT之间的分压比相应地改变，导致TFT的栅源电压Vgs的改变。结果，流入TFT的电流值改变，导致流入有机EL元件的电流值的改变，因此发射亮度根据改变的电流值而改变。
在TFT中，阈值电压Vth或迁移率μ可能随时间改变，或者可能由于制造工艺的变化而对于每个像素电路变化。当TFT的阈值电压Vth或迁移率μ对于每个像素电路变化时，流入TFT的电流值对于每个像素电路变化。结果，即使将相同的电压施加到TFT各自的栅极，发射亮度在有机EL元件之间也发生变化，导致丧失屏幕均匀性。
因此，提出了校正TFT的阈值电压Vth或迁移率μ的手段，使得即使有机EL元件的I-V特性随着时间改变、或者TFT的阈值电压Vth或迁移率μ随着时间改变，有机EL元件的发射亮度也保持恒定，而不受这种时间改变的影响(例如，参见日本未审专利申请公开No.2008-083272)。
发明内容
例如，作为控制有机EL元件的发光的开始或停止的手段，考虑在有机EL元件和串联连接到该有机EL元件的TFT之间的像素电路中提供开关晶体管。然而，在这种情况下，像素尺寸与这种增大的元件相应地增大，这不期望地违背了高清晰度的趋势。因此，期望通过其它手段来控制有机EL元件的发光的开始或停止。
期望提供一种能够控制发光元件的发光的开始或停止而不增大像素电路中的元件数目的显示设备、驱动该显示设备的方法、以及使用该显示设备的电子设备。
根据本发明实施例的显示设备包括：显示部件，具有二维地布置的多组发光元件和像素电路；以及驱动部件，基于视频信号驱动每个像素电路。所述像素电路具有两个晶体管(第一晶体管和第二晶体管)。第一晶体管是包括第一和第二栅极的双栅极晶体管，并且控制流入每个发光元件的电流。第二晶体管根据视频信号将信号电压写入第一栅极。驱动部件将电压施加到第二栅极，该电压在用于开始发光元件的发光和用于停止发光元件的发光之间不同。
根据本发明实施例的电子设备包括上述显示设备。
根据本发明实施例的驱动显示设备的方法包括以下两个步骤：
(A)准备具有下述配置的显示设备的步骤；
(B)使用驱动部件将第一电压施加到第二栅极上以停止发光元件的发光，并且将幅度与第一电压不同的第二电压施加到第二栅极上以开始发光元件的发光。
应用了所述驱动方法的显示设备包括：显示部件，具有二维地布置的多组发光元件和像素电路；以及驱动部件，基于视频信号驱动每个像素电路。所述像素电路具有两个晶体管(第一晶体管和第二晶体管)。第一晶体管是包括第一和第二栅极的双栅极晶体管，并且控制流入每个发光元件的电流。第二晶体管根据视频信号将信号电压写入第一栅极。
在根据本发明实施例的显示设备、驱动该显示设备的方法以及电子设备中，第二栅极被施加电压，该电压在用于开始发光元件的发光和用于停止发光元件的发光之间不同。因此，可以控制流入发光元件的电流。
根据本发明实施例的显示设备、驱动该显示设备的方法以及电子设备，第一晶体管被配置为由双栅极晶体管构成，并且控制施加到第一晶体管的第二栅极的电压，从而可以控制流入发光元件的电流。因此，可以控制发光元件的发光的开始或停止，而不增大像素电路内的元件的数量。
根据以下描述，本发明的其它和进一步的目的、特征和优点将更充分地显现。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例的显示设备的示例的框图。
图2是示出图1中的像素电路阵列部件的内部配置示例的框图。
图3是图示图1的显示设备的操作示例的波形图。
图4是图1的显示设备的栅源电压Vgs和流入发光元件的电流Id之间的关系图。
图5是示出根据本发明第二实施例的显示设备的示例的框图。
图6是示出图5中的像素电路阵列部件的内部配置示例的框图。
图7是图示图5的显示设备的操作示例的波形图。
图8是示出包括根据每个实施例的显示设备的模块的示意配置的平面图。
图9是示出根据每个实施例的显示设备的应用示例1的外观的透视图。
图10A和图10B是透视图，其中图10A示出从表面侧看的应用示例2的外观，图10B示出从背面侧看的应用示例2的外观。
图11是示出应用示例3的外观的透视图。
图12是示出应用示例4的外观的透视图。
图13A到图13G是图，其中图13A是应用示例5在打开状态下的正视图，图13B是其侧视图，图13C是其在闭合状态下的正视图，图13D是其左侧视图，图13E是其右侧视图，图13F是其顶视图，图13G是其仰视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。按照以下顺序进行描述。
1.第一实施例(图1到图4)
作为p沟道晶体管的驱动晶体管的示例
2.第二实施例(图5到图7)
作为n沟道晶体管的驱动晶体管的示例
3.模块和应用示例(图8到图13)
第一实施例
显示设备的示意配置
图1示出了根据本发明第一实施例的显示设备1的示意配置。显示设备1包括显示面板10(显示部件)和驱动电路20(驱动部件)。显示面板10具有例如像素电路阵列部件13，该像素电路阵列部件13具有二维地布置的多个有机EL元件11R、11G和11B(发光元件)。在本实施例中，例如，彼此相邻的三个有机EL元件11R、11G和11B形成一个像素12。在下文中，术语有机EL元件11被适当地用作有机EL元件11R、11G和11B的总体术语。驱动电路20驱动像素电路阵列部件13，并且例如具有视频信号处理电路21、定时生成器电路22、信号线驱动电路23、写入线驱动电路24和背栅极线驱动电路25。
像素电路阵列部件
图2示出了像素电路阵列部件13的电路配置的示例。像素电路阵列部件13被形成在显示面板10的显示区域中。像素电路阵列部件13具有布置成行的多条写入线WSL、布置成列的多条信号线DTL、以及沿着写入线WSL布置成行的多条背栅极线BGL，例如如图1和图2所示。与写入线WSL和信号线DTL的各个交叉点相对应地以行和列(二维地)布置多组有机EL元件11和像素电路14。每个像素电路14被配置为例如由驱动晶体管Tr1(第一晶体管)、写入晶体管Tr2(第二晶体管)、以及电容器Cs构成，因此具有2Tr1C的配置。
驱动晶体管Tr1由具有顶栅极G1(第一栅极)和背栅极G2(第二栅极)的双栅极晶体管形成，并且还由p沟道MOS薄膜晶体管(TFT)形成。写入晶体管Tr2例如由双栅极、顶栅极或底栅极晶体管形成，并且还由p沟道MOSTFT形成。
在像素电路阵列部件13中，每条信号线DTL连接到信号线驱动电路23的输出端(未示出)，并且连接到写入晶体管Tr2的漏极电极或源极电极(未示出)。每条写入线WSL连接到写入线驱动电路24的输出端(未示出)，并且连接到写入晶体管Tr2的栅极电极(未示出)。没有连接到信号线DTL的、写入晶体管Tr2的漏极电极和源极电极之一(未示出)连接到驱动晶体管Tr1的顶栅极电极(未示出)和电容Cs的一端。驱动晶体管Tr1的漏极电极或源极电极(未示出)以及电容Cs的另一端连接到恒压线Vcc。没有连接到恒压线Vcc的、驱动晶体管Tr1的漏极电极和源极电极之一(未示出)连接到有机EL元件11的阳极电极(未示出)。有机EL元件11的阴极电极(未示出)例如连接到地线GND。驱动晶体管Tr1的背栅极电极(未示出)连接到背栅极线BGL。用作有机EL元件11的公共电极的阴极电极例如被连续地形成，因此在显示面板10的整个显示区域上具有类似于板的形状。
驱动电路
接下来，将参照图1描述在像素电路阵列部件13外围提供的驱动电路20中的电路。
视频信号处理电路21对从外部输入的数字视频信号20A执行预定校正，并且将经历了所述校正的视频信号21A输出到信号线驱动电路23。所述预定校正包括伽玛校正、过驱动校正等。
定时生成器电路22控制信号线驱动电路23、写入线驱动电路24和背栅极线驱动电路25，使得所述电路彼此协同工作。定时生成器电路22例如响应于从外部输入的同步信号20B(与同步信号20B同步地)将控制信号22A输出到所述电路中的每一个。
信号线驱动电路23响应于输入的控制信号22A(与输入的控制信号22A同步地)将与视频信号21A相对应的模拟视频信号施加到每条信号线DTL，使得将该模拟视频信号或对应的信号写入作为选择对象的像素电路14。具体地，信号线驱动电路23将与视频信号21A相对应的信号电压Vsig施加到每条信号线DTL，以便写入作为选择对象的像素电路14。这里，写入是指将预定电压施加到驱动晶体管Tr1的顶栅极G1。
例如，信号线驱动电路23可以输出信号电压Vsig和要施加到驱动晶体管Tr1的顶栅极G1以便停止有机EL元件11的发光的电压Vofs。电压Vofs具有比有机EL元件11的阈值电压Ve1的值低的值(恒定值)。
写入线驱动电路24响应于输入的控制信号22A(与输入的控制信号22A同步地)将选择脉冲依序施加到多条写入线WSL，使得依序选择多个有机EL元件11和多个像素电路14。例如，写入线驱动电路24可以输出为了导通写入晶体管Tr2而施加的电压Von和为了关断写入晶体管Tr2而施加的电压Voff。
背栅极线驱动电路25响应于输入的控制信号22A(与输入的控制信号22A同步地)将控制脉冲依序施加到多条背栅极线BGL，使得接通或切断电流Id向作为选择对象的有机EL元件11的流动。例如，背栅极线驱动电路25可以输出为了开始有机EL元件11的发光而施加的电压Vb1(第一电压)以及为了停止其发光而施加的电压Vb2(第二电压)。电压Vb1和电压Vb2具有彼此不同的值。电压Vb1例如为0V(零伏特)。电压Vb2低于电压Vb1，例如为-5.0V，因为在本实施例中驱动晶体管Tr1是p沟道晶体管。
显示设备1的操作
图3示出了驱动显示设备1时的各种波形的示例。在图3中，(A)和(B)分别示出了信号线DTL被周期性地施加电压Vsig和Vofs、以及写入线WSL在预定定时被施加电压Von和Voff的方面。(C)示出了背栅极线BGL在预定定时被施加电压Vb1和Vb2的方面，图示了电压Vb2低于电压Vb1(即，驱动晶体管Tr1是p沟道晶体管)的情况下的波形。(D)和(E)示出了响应于对信号线DTL、写入线WSL和背栅极线BGL中的每一个施加电压而时时刻刻改变驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg和源极电压Vs的方面。
Vth校正(阈值校正)准备时段(period)
首先，准备Vth校正。具体地，背栅极线驱动电路25将背栅极线BGL的电压从Vb1改变为Vb2(T1)。因此，驱动晶体管Tr1被关断，使得有机EL元件11停止发光。然后，背栅极线驱动电路25将背栅极线BGL的电压保持为Vb2，直到开始驱动晶体管Tr1的阈值电压校正为止。
第一Vth校正时段
接下来，执行Vth校正。具体地，当信号线DTL的电压为Vofs并且写入线WSL的电压为Von时，背栅极线驱动电路25将背栅极线BGL的电压从Vb2改变为Vb1(T2)。因此，电流Id在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，使得源极电压Vs增大。然后，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Von改变为Voff，然后信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从Vofs改变为Vsig(T3)。因此，驱动晶体管Tr1的栅极转为浮置(floating)，从而Vth校正暂停。
第一Vth校正暂停时段
在Vth校正暂停期间，在与进行了先前的Vth校正的行(像素)不同的行(像素)中执行信号线DTL的电压的采样。当Vth校正不充分时，即，当驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间的电势差Vgs大于驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth时，发生以下情况。也就是说，即使在Vth校正暂停时段期间，电流Id也在进行了先前的Vth校正的行(像素)中的驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，因此源极电压Vs增大，栅极电压Vg也通过经由电容Cs的耦合而增大。
第二Vth校正时段
在Vth校正暂停时段结束之后，再次执行Vth校正。具体地，当信号线DTL的电压为Vofs并且使能Vth校正时，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Voff改变为Von(T4)，使得驱动晶体管Tr1的栅极连接到信号线DTL。此时，当源极电压Vs低于(Vofs-Vth)(Vth校正仍然没有完成)时，电流Id在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，直到驱动晶体管Tr1被关断为止(直到电势差Vgs变为等于Vth为止)。结果，电容Cs被充电到Vth，使得电势差Vgs变为等于Vth。然后，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Von改变为Voff，随后信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从Vofs改变为Vsig(T5)。因此，驱动晶体管Tr1的栅极转为浮置，从而电势差Vgs可以保持为Vth，而与信号线DTL的电压的幅度无关。以这一方式，电势差Vgs被设置为Vth，从而即使驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth对于每个像素电路14而改变，也可以防止有机EL元件11的发射亮度的变化。
第二Vth校正暂停时段
然后，在第二Vth校正暂停时段中，信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从Vofs改变为Vsig。
写入和μ校正时段
在Vth校正暂停时段结束之后，执行写入和μ校正。具体地，当信号线DTL的电压为Vsig时，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Voff改变为Von(T6)，使得驱动晶体管Tr1的栅极连接到信号线DTL。这样，驱动晶体管Tr1的栅极电压变为等于Vsig。在这一阶段，有机EL元件11的阳极电压仍然低于有机EL元件11的阈值电压Ve1，因此有机EL元件11被关断。因此，电流Id流入有机EL元件11的元件电容(未示出)，使得该元件电容被充电，导致源极电压Vs增大ΔV，并且最终电压差Vgs变为等于Vsig+Vth-ΔV。以这一方式，同时执行写入和μ校正。由于ΔV随着驱动晶体管Tr1的迁移率μ的增大而增大，因此可以通过在开始发光之前将电压差Vgs减小ΔV而消除每个像素电路14的迁移率μ的变化。
发光时段
接下来，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Von改变为Voff(T7)。因此，驱动晶体管Tr1的栅极转为浮置，使得电流Id在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，而驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间的电压Vgs保持恒定。结果，源极电压Vs增大，相应地，驱动晶体管Tr1的栅极电势增大，因此有机EL元件11开始以低于期望亮度的亮度发光。
然后，当经过了预定时间时，背栅极线驱动电路25将背栅极线BGL的电压从Vb1改变为Vb2(T1)，使得有机EL元件11停止发光。以这一方式，驱动电路20操作，使得有机EL元件11的发光反复开始和停止。
操作
在本实施例的显示设备1中，对于每个像素12执行像素电路14的开/关控制，并且因此驱动电流如上所述被注入像素12的有机EL元件11，从而发生空穴和电子的复合(recombination)，导致发光。有机EL元件11的电极等使这样发射的光透射，然后将这样发射的光提取到外部。结果，在显示面板10上显示图像。
优点
在过去的有机EL元件中，例如，像素电路已经具有在有机EL元件和串联连接到该EL元件的TFT之间的开关晶体管，作为控制有机EL元件的发光的开始或停止的措施。然而，在这种情况下，由于像素尺寸与这种增加的开关晶体管相应地增大，因此几乎没有实现高分辨率。
在本实施例中，使用双栅极晶体管作为驱动晶体管Tr1，并且使用双栅极晶体管的独特特性来克服上述困难。将在下面描述所述独特特性。
图4示出了在背栅极G2的电压Vbg被设置为0V、+2.0V或-2.0V的情况下在双栅极晶体管的饱和区域中的Id-Vgs特性的示例。图4图示了在所述晶体管为p沟道晶体管的情况下的Id-Vgs特性。图4揭示了：在所述晶体管为p沟道晶体管的情况下，当背栅极G2的电压Vbg被例如从0V改变为+2.0V时，相对于Vgs的增大的Id增大(Id-Vgs特性的斜度)减小。这意味着当在Vgs恒定的情况下背栅极G2的电压Vbg沿着正方向改变时，电流Id逐渐减小地流入晶体管。因此，知道背栅极G2的电压Vbg从0V改变为预定电压值(例如+5.0V)，从而可以完全关断该晶体管。即使在该晶体管为n沟道晶体管时，也看到类似的行为。在所述晶体管为n沟道晶体管时，例如，尽管没有示出，但是当背栅极G2的电压Vbg从0V改变为-2.0V时，相对于Vgs的增大的Id增大(Id-Vgs特性的斜度)减小。这意味着当在Vgs恒定的情况下背栅极G2的电压Vbg沿着负方向改变时，电流Id逐渐减小地流入晶体管。因此，在这种情况下，知道背栅极G2的电压Vbg从0V改变为预定电压值(例如-5.0V)，从而可以完全关断该晶体管。
在本实施例中，使用所述独特特性来控制驱动晶体管Tr1的导通/关断。具体地，背栅极线BGL的电压从Vb1改变为Vb2，从而驱动晶体管Tr1被关断，相应地，有机EL元件11停止发光。此外，在背栅极线BGL的电压为Vb1的情况下执行Vth校正、写入和μ校正，然后将写入线WSL的电压从Von减小为Voff，从而有机EL元件11开始以期望的亮度发光。
以这一方式，在本实施例中，控制施加到驱动晶体管Tr1的背栅极G2的电压以便导通或关断晶体管Tr1，使得控制流入有机EL元件11的电流。也就是说，驱动晶体管Tr1被配置为双栅极晶体管，并且控制施加到驱动晶体管Tr1的背栅极G2的电压，使得可以控制发光元件的发光的开始或停止。因此，在本实施例中，可以在不增大像素电路14内的元件数目的情况下控制发光元件的发光的开始或停止。
第二实施例
图5示出了根据本发明第二实施例的显示设备2的示意配置。图6示出了图5的显示设备2的像素电路阵列部件13的电路配置。显示设备2在配置上与第一实施例的显示设备1的不同之处在于驱动电路20具有代替背栅极线驱动电路25的背栅极线驱动电路26。此外，显示设备2在配置上与第一实施例的显示设备1的不同之处在于像素电路14具有代替驱动晶体管Tr1的驱动晶体管Tr3，并且具有代替写入晶体管Tr2的写入晶体管Tr4。在下文中，显示设备2的配置主要在与显示设备1的配置不同的点上进行描述，而在与显示设备1的配置共同的点上适当地省略描述。
驱动晶体管Tr3由具有顶栅极G3(第一栅极)和背栅极G4(第二栅极)的双栅极晶体管形成，并且除此之外由n沟道MOS TFT形成。写入晶体管Tr4由例如双栅极、顶栅极或底栅极晶体管形成，并且除此之外由n沟道MOSTFT形成。
在像素电路阵列部件13中，每条信号线DTL连接到信号线驱动电路23的输出端(未示出)以及写入晶体管Tr4的漏极电极或源极电极(未示出)。每条写入线WSL连接到写入线驱动电路24的输出端(未示出)以及写入晶体管Tr4的栅极电极(未示出)。没有连接到信号线DTL的、写入晶体管Tr4的漏极电极和源极电极之一(未示出)连接到驱动晶体管Tr3的顶栅极电极(未示出)和电容Cs的一端。驱动晶体管Tr3的漏极电极或源极电极(未示出)以及电容Cs的另一端连接到有机EL元件11的阳极电极(未示出)。没有连接到有机EL元件11的阳极电极的、驱动晶体管Tr3的漏极电极和源极电极之一(未示出)连接到恒压线Vcc。有机EL元件11的阴极电极(未示出)例如连接到地线GND。驱动晶体管Tr3的背栅极电极(未示出)连接到背栅极线BGL。
背栅极线驱动电路26响应于输入的控制信号22A(与控制信号22A同步地)将控制脉冲施加到多条背栅极线BGL，使得接通或切断电流Id向作为选择对象的有机EL元件11的流入。例如，背栅极线驱动电路26可以输出为了开始有机EL元件11的发光而施加的电压Vb3(第一电压)和为了停止其发光而施加的电压Vb4(第二电压)。电压Vb3和电压Vb4具有彼此不同的值。电压Vb3例如为0V(零伏特)。电压Vb4高于电压Vb3，例如为+5.0V，因为在本实施例中，驱动晶体管Tr3是n沟道晶体管。
显示设备2的操作
图7示出了当驱动显示设备2时的各种波形的示例。在图7中，(A)和(B)分别示出了信号线DTL被周期性地施加电压Vsig和Vofs、以及写入线WSL在预定定时被施加电压Von和Voff的方面。(C)示出了背栅极线BGL在预定定时被施加电压Vb3和Vb4的方面，图示了电压Vb4高于电压Vb3、即驱动晶体管Tr3为n沟道晶体管的情况下的波形。(D)和(E)示出了响应于向信号线DTL、写入线WSL和背栅极线BGL中的每一个施加电压而时时刻刻改变驱动晶体管Tr3的栅极电压Vg和源极电压Vs的方面。
Vth校正准备时段
首先，准备Vth校正。具体地，背栅极线驱动电路26将背栅极线BGL的电压从Vb3改变为Vb4(T1)。因此，驱动晶体管Tr3被关断，使得有机EL元件11停止发光。然后，背栅极线驱动电路26将背栅极线BGL的电压保持为Vb4，直到开始驱动晶体管Tr3的阈值电压校正为止。
第一Vth校正时段
接下来，执行Vth校正。具体地，当信号线DTL的电压为Vofs并且写入线WSL的电压为Von时，背栅极线驱动电路26将背栅极线BGL的电压从Vb4改变为Vb3(T2)。因此，电流Id在驱动晶体管Tr3的漏极和源极之间流动，使得源极电压Vs增大。然后，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Von减小为Voff，然后信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从Vofs改变为Vsig(T3)。因此，驱动晶体管Tr3的栅极转为浮置，从而Vth校正暂停。
第一Vth校正暂停时段
在Vth校正暂停期间，在与进行了先前的Vth校正的行(像素)不同的行(像素)中执行信号线DTL的电压的采样。当Vth校正不充分时，即，当驱动晶体管Tr3的栅极和源极之间的电势差Vgs大于驱动晶体管Tr3的阈值电压Vth时，发生以下情况。也就是说，即使在Vth校正暂停时段期间，电流Id也在进行了先前的Vth校正的行(像素)中的驱动晶体管Tr3的漏极和源极之间流动，因此源极电压Vs增大，栅极电压Vg也通过经由电容Cs的耦合而增大。
第二Vth校正时段
在Vth校正暂停时段结束之后，再次执行Vth校正。具体地，当信号线DTL的电压为Vofs并且使能Vth校正时，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Voff增大为Von(T4)，使得驱动晶体管Tr3的栅极连接到信号线DTL。此时，当源极电压Vs低于(Vofs-Vth)(Vth校正仍然没有完成)时，电流Id在驱动晶体管Tr3的漏极和源极之间流动，直到驱动晶体管Tr3被关断为止(直到电势差Vgs变为等于Vth为止)。结果，电容Cs被充电到Vth，使得电势差Vgs变为等于Vth。然后，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Von减小为Voff，随后信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从Vofs改变为Vsig(T5)。因此，驱动晶体管Tr3的栅极转为浮置，从而电势差Vgs可以保持为Vth，而与信号线DTL的电压的幅度无关。以这一方式，电势差Vgs被设置为Vth，从而即使驱动晶体管Tr3的阈值电压Vth对于每个像素电路14而改变，也可以防止有机EL元件11的发射亮度的变化。
第二Vth校正暂停时段
然后，在第二Vth校正暂停时段中，信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从Vofs改变为Vsig。
写入和μ校正时段
在Vth校正暂停时段结束之后，执行写入和μ校正。具体地，当信号线DTL的电压为Vsig时，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Voff增大到Von(T6)，使得驱动晶体管Tr3的栅极连接到信号线DTL。这样，驱动晶体管Tr3的栅极电压变为等于Vsig。在这一阶段，有机EL元件11的阳极电压仍然低于有机EL元件11的阈值电压Ve1，因此有机EL元件11被关断。因此，电流Id流入有机EL元件11的元件电容(未示出)，使得该元件电容被充电，导致源极电压Vs增大ΔV，并且最终电压差Vgs变为等于Vsig+Vth-ΔV。以这一方式，同时执行写入和μ校正。由于ΔV随着驱动晶体管Tr3的迁移率μ的增大而增大，因此可以通过在开始发光之前将电压差Vgs减小ΔV而消除每个像素电路14的迁移率μ的变化。
发光时段
接下来，写入线驱动电路24将写入线WSL的电压从Von减小为Voff(T7)。因此，驱动晶体管Tr3的栅极转为浮置，使得电流Id在驱动晶体管Tr3的漏极和源极之间流动，而驱动晶体管Tr3的栅极和源极之间的电压Vgs保持恒定。结果，源极电压Vs增大，相应地，驱动晶体管Tr3的栅极电势增大，因此有机EL元件11开始以低于期望亮度的亮度发光。
然后，当经过了预定时间时，背栅极线驱动电路26将背栅极线BGL的电压从Vb3改变为Vb4(T1)，使得有机EL元件11停止发光。以这一方式，驱动电路20操作，使得有机EL元件11的发光反复开始和停止。
操作
在本实施例的显示设备2中，对于每个像素12执行像素电路14的开/关控制，并且因此驱动电流如上所述被注入每个像素12的有机EL元件11，从而发生空穴和电子的复合，导致发光。有机EL元件11的电极等使这样发射的光透射，然后将这样发射的光提取到外部。结果，在显示面板10上显示图像。
优点
在本实施例中，使用双栅极晶体管作为驱动晶体管Tr3，并且使用该双栅极晶体管的独特特性(在前一实施例中描述的独特特性)来克服上述困难。具体地，将背栅极线BGL的电压从Vb3改变为Vb4，从而驱动晶体管Tr3被关断，相应地，有机EL元件11停止发光。此外，在背栅极线BGL的电压为Vb3的情况下执行Vth校正、写入和μ校正，然后将写入线WSL的电压从Von减小为Voff，从而有机EL元件11开始以期望的亮度发光。
以这一方式，在本实施例中，控制施加到驱动晶体管Tr3的背栅极G4的电压以便导通或关断晶体管Tr3，使得控制流入EL元件11的电流。也就是说，驱动晶体管Tr3被配置为双栅极晶体管，并且控制施加到驱动晶体管Tr3的背栅极G4的电压，使得可以控制发光元件的发光的开始或停止。因此，在本实施例中，可以在不增大像素电路14内的元件数目的情况下控制发光元件的发光的开始或停止。
模块和应用示例
在下文中，描述在所述实施例中描述的显示设备1或2的应用示例。根据所述实施例的显示设备1或2可以被应用于诸如电视装置、数字照相机、笔记本个人计算机、移动终端(例如移动电话)、或摄像机之类的、任何领域中的每个电子设备的显示设备，以便基于从外部输入的或从内部生成的视频信号来显示图像或视频画面。
模块
根据所述实施例的显示设备1或2可以例如以图8所示的模块的形式被内置于诸如稍后描述的应用示例1到5的各种电子设备，在该模块中，例如，在基板31的一侧中提供从密封基板32暴露出的区域210，并且通过延长驱动电路20的线在所暴露的区域210中形成外部连接端子(未示出)。所述外部连接端子可以附接柔性印刷电路板(FPC)220以便输入或输出信号。
应用示例1
图9示出了使用根据所述实施例的显示设备1或2的电视装置的外观。该电视装置具有例如包括前面板310和滤色玻璃320的图像显示屏幕300，该图像显示屏幕300被配置为根据所述实施例的显示设备1或2。
应用示例2
图10A和图10B示出了使用根据所述实施例的显示设备1或2的数字照相机的外观。该数字照相机具有例如用于闪光灯的发光部件410、显示器420、菜单开关430和快门按钮440，显示器420被配置为根据所述实施例的显示设备1或2。
应用示例3
图11示出了使用根据所述实施例的显示设备1或2的笔记本个人计算机的外观。该笔记本个人计算机具有例如机身510、用于字母等的输入操作的键盘520、以及用于显示图像的显示器530，显示器530被配置为根据所述实施例的显示设备1或2。
应用示例4
图12示出了使用根据所述实施例的显示设备1或2的摄像机的外观。该摄像机具有例如机身610、在机身610的前侧表面上提供的物体拍摄镜头620、用于拍摄的开始/停止开关630、以及显示器640，显示器640被配置为根据所述实施例的显示设备1或2。
应用示例5
图13A到图13G示出了使用根据所述实施例的显示设备1或2的移动电话的外观。例如，通过由铰链730将上外壳710连接到下外壳720来组装该移动电话，并且该移动电话具有显示器740、副显示器750、画面灯760和照相机770。显示器740或副显示器750被配置为根据所述实施例的显示设备1或2。
尽管在上文中已经利用实施例和应用示例描述了本发明，但是本发明不限于这些实施例等，而是可以被不同地修改或更改。
例如，尽管已经用显示设备1或2为有源矩阵显示设备的情况描述了所述实施例等，但是用于有源矩阵驱动的像素电路14的配置不限于在所述实施例等中描述的那些，而是在需要时可以将电容性元件或晶体管添加到像素电路14。在这种情况下，除了信号线驱动电路23、写入线驱动电路24和背栅极线驱动电路25或26以外，根据像素电路14的改变，可以提供需要的驱动电路。
另外，尽管在所述实施例等中在定时生成器电路22的控制下驱动信号线驱动电路23、写入线驱动电路24和背栅极线驱动电路25或26，但是可以在另一个电路的控制下驱动所述驱动电路。此外，可以通过硬件(电路)或软件(程序)来控制信号线驱动电路23、写入线驱动电路24和背栅极线驱动电路25或26。
另外，尽管在所述实施例等中像素电路14具有2Tr1C的配置，但是像素电路14可以具有除了2Tr1C的配置以外的任何配置，只要该配置包括串联连接到有机EL元件11的双栅极晶体管即可。
另外，尽管在第一实施例中写入晶体管Tr2是p沟道晶体管，但是晶体管Tr2可以是n沟道晶体管。此外，尽管在第二实施例中写入晶体管Tr4是n沟道晶体管，但是晶体管Tr4可以是p沟道晶体管。
本申请包含与2009年11月24日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2009-266734中公开的主题有关的主题，其全部内容通过引用而被合并于此。
本领域技术人员应当理解，可以根据设计需要和其它因素进行各种修改、组合、子组合和变更，只要它们处于所附权利要求或其等同物的范围内即可。

Claims (7)

1.一种显示设备，包括：
显示部件，具有二维地布置的多组发光元件和像素电路；以及
驱动部件，基于视频信号驱动每个像素电路，
其中，所述像素电路具有双栅极第一晶体管、以及第二晶体管，所述双栅极第一晶体管具有第一栅极和第二栅极，并且控制流入每个发光元件的电流，所述第二晶体管根据视频信号将信号电压写入第一栅极，以及
所述驱动部件将电压施加到第二栅极，该电压在用于开始发光元件的发光和用于停止发光元件的发光之间不同。
2.如权利要求1所述的显示设备，
其中，第一晶体管的漏极或源极连接到发光元件，以及
没有连接到发光元件的、第一晶体管的漏极和源极之一连接到恒压线。
3.如权利要求1所述的显示设备，
其中，当第一晶体管是n沟道晶体管时，驱动部件施加到第二栅极用于开始发光元件的发光的电压高于施加到第二栅极用于停止发光元件的发光的电压。
4.如权利要求1所述的显示设备，
其中，当第一晶体管是p沟道晶体管时，驱动部件施加到第二栅极用于开始发光元件的发光的电压低于施加到第二栅极用于停止发光元件的发光的电压。
5.一种驱动显示设备的方法，包括以下步骤：
准备显示设备，该显示设备包括具有二维地布置的多组发光元件和像素电路的显示部件、以及基于视频信号驱动每个像素电路的驱动部件，其中，所述像素电路具有双栅极第一晶体管以及第二晶体管，所述双栅极第一晶体管具有第一栅极和第二栅极，并且控制流入每个发光元件的电流，所述第二晶体管根据视频信号将信号电压写入第一栅极；以及
使用所述驱动部件将第一电压施加到第二栅极用于停止发光元件的发光，并且将第二电压施加到第二栅极，用于开始发光元件的发光，该第二电压在幅度上与第一电压不同。
6.一种电子设备，包括：
显示设备，
其中，该显示设备包括：
显示部件，具有二维地布置的多组发光元件和像素电路；以及
驱动部件，基于视频信号驱动每个像素电路，
其中，所述像素电路具有双栅极第一晶体管以及第二晶体管，所述双栅极第一晶体管具有第一栅极和第二栅极，并且控制流入每个发光元件的电流，所述第二晶体管根据视频信号将信号电压写入第一栅极，以及
所述驱动部件将电压施加到第二栅极，该电压在用于开始发光元件的发光和用于停止发光元件的发光之间不同。
7.一种显示设备，包括：
显示部件，具有二维地布置的多组发光元件和像素电路，
其中，每个像素电路具有双栅极晶体管，该双栅极晶体管具有第一栅极和第二栅极，并且控制流入每个发光元件的电流，
第一栅极根据视频信号而被施加信号电压，以及
第二栅极被施加电压，该电压在用于开始发光元件的发光和用于停止发光元件的发光之间不同。
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