CN110011634A - 声耦合谐振器陷波和带通滤波器 - Google Patents

声耦合谐振器陷波和带通滤波器 Download PDF

Info

Publication number
CN110011634A
CN110011634A CN201811482273.9A CN201811482273A CN110011634A CN 110011634 A CN110011634 A CN 110011634A CN 201811482273 A CN201811482273 A CN 201811482273A CN 110011634 A CN110011634 A CN 110011634A
Authority
CN
China
Prior art keywords
filter
resonator
coupling
resonator structure
tunable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811482273.9A
Other languages
English (en)
Inventor
R·鲍德
A·博格纳
H-J·蒂默
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN110011634A publication Critical patent/CN110011634A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/547—Notch filters, e.g. notch BAW or thin film resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
    • H03H11/1291—Current or voltage controlled filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
    • H03H7/0161—Bandpass filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/12—Bandpass or bandstop filters with adjustable bandwidth and fixed centre frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0004—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H03H9/02031—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/48—Coupling means therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/48—Coupling means therefor
    • H03H9/52—Electric coupling means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/583—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques comprising a plurality of piezoelectric layers acoustically coupled
    • H03H9/584—Coupled Resonator Filters [CFR]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/583—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques comprising a plurality of piezoelectric layers acoustically coupled
    • H03H9/585—Stacked Crystal Filters [SCF]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6479—Capacitively coupled SAW resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/66—Phase shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00—Continuous tuning
    • H03J3/20—Continuous tuning of single resonant circuit by varying inductance only or capacitance only
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/1027—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
    • H04B1/1036—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal with automatic suppression of narrow band noise or interference, e.g. by using tuneable notch filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21157—A filter circuit being added at the output of a power amplifier stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H2007/013—Notch or bandstop filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H2009/02165—Tuning
    • H03H2009/02173—Tuning of film bulk acoustic resonators [FBAR]
    • H03H2009/02188—Electrically tuning
    • H03H2009/02204—Electrically tuning operating on an additional circuit element, e.g. applying a tuning DC voltage to a passive circuit element connected to the resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2210/00—Indexing scheme relating to details of tunable filters
    • H03H2210/02—Variable filter component
    • H03H2210/025—Capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2210/00—Indexing scheme relating to details of tunable filters
    • H03H2210/02—Variable filter component
    • H03H2210/026—Inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/587—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/588—Membranes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/589—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J1/00—Details of adjusting, driving, indicating, or mechanical control arrangements for resonant circuits in general
    • H03J1/0008—Details of adjusting, driving, indicating, or mechanical control arrangements for resonant circuits in general using a central processing unit, e.g. a microprocessor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions

Abstract

本公开的实施例涉及声耦合谐振器陷波和带通滤波器。陷波滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的第一电感器、被耦合在输入节点和输出节点之间的双谐振器结构、以及被耦合在双谐振器结构和接地之间的第二电感器，并且带通滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的电容器、以及被耦合在输入节点、输出节点和接地之间的双谐振器结构。

Description

声耦合谐振器陷波和带通滤波器
技术领域
本发明总体上涉及声耦合谐振器陷波滤波器，并且在特定实施例 中涉及其系统和方法。
背景技术
诸如例如长期演进(“LTE”)的当今的无线通信标准要求针对 许多不同频带的高选择性频率滤波器。能够服务大量频带对于允许利 用对应的频带具体选择/标准在不同国家来操作移动电话尤其重要。
发明内容
根据一个实施例，陷波滤波器包括：第一电感器，被耦合在输入 节点和输出节点之间；双谐振器结构，被耦合在输入节点和输出节点 之间；以及第二电感器，被耦合在双谐振器结构和接地之间。
根据另一实施例，带通滤波器包括：电容器，被耦合在输入节点 和输出节点之间；以及双谐振结构，被耦合在输入节点、输出节点和 接地之间。
附图说明
为了更全面地理解本发明及其优点，现在参考结合附图所进行的 以下描述，在附图中：
图1(a)是根据现有技术的具有一个串联谐振器和一个分流谐振 器的一级带通梯形滤波器的示意图；
图1(b)是根据现有技术的具有一个串联谐振器和一个分流谐振 器的一级带阻梯形滤波器的示意图；
图1(c)是图1(a)中所示的滤波器的频率响应的图示；
图1(d)是图1(b)中所示的滤波器的频率响应的图示；
图2(a)是根据现有技术的体声波(“BAW”)谐振器的截面 图；
图2(b)是根据现有技术的薄膜体声波谐振器(“FBAR”)的 截面图；
图3(a)是根据一个实施例的具有三个耦合层的耦合谐振器滤波 器(“CRF”)的横截面图；
图3(b)是根据一个实施例的具有一个耦合层的CRF的横截面 图；
图3(c)是根据一个实施例的堆叠晶体滤波器(“SCF”)的横 截面图；
图4(a)是根据现有技术的全通滤波器的示意图；
图4(b)是图4(a)中所示的滤波器的频率响应的图示；
图4(c)、图4(d)和图4(e)是根据实施例的陷波滤波器的 示意图；
图5(a)是根据一个实施例的陷波滤波器的示意图；
图5(b)是图5(a)中所示的滤波器的频率响应的图示；
图6(a)、图6(b)、图6(c)和图6(d)是根据实施例的可 调谐陷波滤波器的示意图；
图6(e)是图6(a)、图6(b)、图6(c)和图6(d)中所示 的滤波器的频率响应的图示；
图7(a)是根据现有技术的准π(quasi-pi)全通滤波器的示意图；
图7(b)是图7(a)的滤波器的频率响应的图示；
图8(a)是根据一个实施例的陷波滤波器的示意图；
图8(b)是图8(a)的滤波器的频率响应的图示；
图8(c)、图8(d)、图8(e)、图8(f)和图8(g)是附加 的陷波滤波器实施例的示意图和对应的频率响应的图示；
图9(a)、图9(b)和图9(c)是根据实施例的可调谐陷波滤 波器的示意图；
图9(d)是图9(a)、图9(b)和图9(c)的滤波器的频率响 应的图示；
图10(a)、图10(b)和图10(c)是根据实施例的基于可调谐 梯形的陷波滤波器的示意图；
图11(a)、图11(b)和图11(c)是根据实施例的基于可调谐 准网格的陷波滤波器的示意图；
图12(a)、图12(b)和图12(c)是根据实施例的可调谐全通 三重(triplets)滤波器的示意图；
图13是根据一个实施例的级联带阻滤波器(“BSF”)的框图；
图14(a)根据一个实施例的级联BSF和带通滤波器(“BPF”) 的示意图；
图14(b)是图14(a)中所示的级联滤波器的频率响应的图示；
图15(a)是根据一个实施例的具有并联反馈电容的单个CRF带 通滤波器的示意图；
图15(b)是图15(a)中所示的滤波器的频率响应的图示；
图16(a)和图16(b)是根据实施例的串联耦合的CRF带通滤 波器的示意图；
图16(c)是图16(a)和图16(b)中所示的滤波器的频率响应 的图示；
图17(a)、图17(b)、图17(c)、图17(d)和图17(e) 是根据附加实施例的串联耦合的CRF带通滤波器的示意图；
图17(f)是图17(a)、图17(b)、图17(c)、图17(d) 和图17(e)中所示的滤波器的频率响应的图示；
图17(g)、图17(h)、图17(i)、图17(j)、图17(k)、 图17(l)、图17(m)、图17(n)和图17(o)示出了附加的带通 滤波器实施例的示意图；
图18(a)是根据一个实施例的具有可调谐并联反馈电容的单个 CRF带通滤波器的示意图；
图18(b)是图18(a)中所示的滤波器的频率响应的图示；
图19是包括被耦合到两个调谐电路的SCF谐振器结构的可调谐 带通滤波器的示意图；
图20(b)、图20(c)和图20(d)是根据实施例的使用CRF 谐振器结构的梯形/网格带通滤波器的示意图；
图20(a)是图20(b)、图20(c)和图20(d)中所示的滤波 器的频率响应的图示；
图21(b)、图21(c)和图21(d)是根据实施例的使用SCF 谐振器结构的梯形/网格带通滤波器的示意图；
图21(a)是图21(b)、图21(c)和图21(d)中所示的滤波 器的频率响应的图示；
图22(a)、图22(b)和图22(c)示出根据实施例的使用SCF 和CRF谐振器结构和相关联的调谐电路的可调谐梯形/网格带通滤波 器的示意图；
图23(b)示出根据一个实施例的谐振器结构的横截面图，其中 谐振器中的一个谐振器的顶电极包括用作带通滤波器电路中的反馈 电容的重叠部分；
图23(a)是在没有重叠部分的情况下图23(b)的滤波器的频 率响应的图示；
图23(c)是图23(b)的滤波器的频率响应的图示，其中重叠 部分具有与顶电极相同的厚度；
图24(b)示出根据另一实施例的谐振器结构的横截面图，其中 谐振器中的一个谐振器的顶电极包括用作带通滤波器电路中的反馈 电容的重叠部分；
图24(a)是图24(b)的滤波器的频率响应的图示，其中重叠 部分具有与顶电极不同的厚度；以及
图25(a)、图25(b)和图25(c)示出根据实施例的可调谐耦 合带通滤波器的示意图。
具体实施方式
RF前端中日益增长的复杂性(例如，由于所支持的频带的数目 日益增长)导致现有滤波器中较高的插入损耗、降低的参考灵敏度和 显著增加的面积。当与现有滤波器相比较时，对于大部分使用情况， 本文中所描述的滤波器实施例减小了面积、通过用于新的即将到来的 载波聚合模式的简化和灵活的RF前端设计缩短了上市时间并且改进 了参考灵敏度。
当今，所需要的高选择性带通滤波器是以表面声波(“SAW”) 或体声波(“BAW”)技术制造的。在两种技术中，滤波器是通过 组合某些电路拓扑(例如，梯形或网格滤波器拓扑)中的声谐振器来 实现的。需要许多滤波器来服务所有的个体LTE频带(包括Wi-Fi)。 然后，RF开关用于分别针对天线和低噪声放大器(“LNA”)或功 率放大器(“PA”)之间的相应的信号路径选择个体滤波器。总之， 需要大量的(大部分是离散的)部件，驱动电路复杂性、RF损耗、 制造复杂性以及最后但同样重要的对于移动通信设备中的RF前端所 需的空间(形状因子)。最终，功率标准将增加以补偿在较高频率较 高的损耗。因此，必须处理较高的衰减要求。
陷波滤波器(也被称为带拒滤波器(band reject filter)或阻带滤 波器)由于当前和未来的移动通信要求而享有越来越多的关注。多频 带和较高功率标准的集成导致增强的干扰问题，并且使较高的衰减水 平是必要的。尽管有这些需求，但是发表了相对较少的工作来开发应 用体声波技术的陷波(以及带通)滤波器。
许多传统的带拒滤波器包括分布式结构和波导结构。因此，它们 较大，并且对于小型集成解决方案是不实际的。最近，还提出了基于 SAW/BAW梯形的陷波滤波器。通常，这些基于梯形的陷波滤波器得 益于SAW/BAW技术的高Q因子。然而，由于通常需要多于一个级来满足所要求的规格，因此这些滤波器经受高的面积消耗和高的插入 损耗。此外，它们的性能强烈地依赖于分流和串联元件的电容比。因 此，为了展现小的带外衰减，串联元件的电容必须远大于分流谐振器 的电容。这导致串联元件的高面积消耗以及分流元件的非常小的面 积。
图1(a)和图1(b)是具有一个串联谐振器和一个分流谐振器 的1级梯形滤波器的示例拓扑。图1(a)是具有串联谐振器102和分 流谐振器104的带通滤波器的示意图，串联谐振器102被耦合在输入 节点IN和输出节点OUT之间，分流谐振器104被耦合在输出节点 OUT和接地之间。图1(b)是具有串联谐振器106和分流谐振器108 的带阻滤波器的示意图，串联谐振器106被耦合在输入节点IN和输 出节点OUT之间，分流谐振器108被耦合在输出节点OUT和接地之 间。
通常，所有的串联谐振器具有相同的谐振频率，并且所有的分流 谐振器具有相同的谐振频率。然而，串联谐振器和分流谐振器在它们 的谐振频率中解谐大致对应于谐振器的带宽的某个量。在图1(a)的 带通情况中，分流谐振器104(加载)的谐振频率低于串联谐振器102 (未加载)的谐振频率。在图1(b)的带阻情况中，分流谐振器108 (未加载)的谐振频率高于串联谐振器106(加载)的谐振频率。注 意，解谐是通过将声学层添加到滤波器堆叠来实现的，如下面将进一 步详细描述的。图1(c)示出带通滤波器的频率响应，其中响应曲线 110参照左手轴/标度/刻度线示出典型的带通响应，并且响应曲线112 参照右手标度/刻度线例如以较高的放大率/细节示出相同的曲线。图 1(d)示出带阻滤波器的频率响应，其中响应曲线114参照左手轴/ 标度/刻度线示出典型的带阻响应，并且响应曲线116参照右手轴/标 度/刻度线例如以较高的放大率/细节示出相同的曲线。
简单的体声波谐振器是图2(a)中所示的固态安装型谐振器 (“SMR”)。SMR谐振器包括底电极206、压电层204和顶电极 202。位于谐振器和衬底210之间，所谓的声镜(acoustic mirror)208 将声能保持在谐振器内部，并且包括多个交替的高声阻抗层和低声阻 抗层。另一谐振器配置是薄膜体声波谐振器(“FBAR”)，其仅具 有顶电极、压电层214和底电极216，而没有声镜，如图2(b)中所 示。FBAR谐振器经常通过位于底电极216下方的腔体而与衬底声学 隔离。备选地，FBAR可以被放置在底电极下方的非常薄的支撑膜(未 示出)上。
在图2(a)中，声镜208中的每个个体层可以以大约λ/4的厚度 为特征，例如，其中λ表示层内纵波的声学波长。注意，波长λ取决 于层材料。声镜将谐振器从如前面所讨论的支撑衬底声解耦。这种 BAW谐振器的谐振频率取决于所有层的厚度，其中压电层204的厚 度是影响最大的，接着是电极202和206的厚度。针对BAW滤波器 的个体谐振器的频率调整可以通过修改该谐振器的层堆叠中的一个 或多个层(即，通过应用光刻步骤，并且从一个(或多个)个体谐振 器选择性地刻蚀掉层厚度)来实现。然而，这种典型的BAW谐振器 的谐振频率通过整个层结构和材料选择/组合而被固定。如果谐振器被 建立在用于与衬底声解耦的装置的膜上(或者作为膜)，则同样适用。 例如，这种传统的谐振器可以借助于例如在处理期间减薄个体层来修 剪(频率调整)。谐振器可以通过电气装置(电路系统)仅在小的频 率范围内调谐，以维持所需的谐振器性能。
进一步开发的BAW器件是如图3(a)和图3(b)中所示的声耦 合BAW谐振器。这里，两个谐振器通过一个(图3(b))或三个(图 3(a))或更多个声学层而直接耦合。
图3(a)示出声耦合谐振器滤波器，其包括顶谐振器的顶电极 302、顶谐振器的压电层304、顶谐振器的底电极306、声耦合层308 的堆叠、底谐振器的顶电极310、底谐振器的压电层312、底谐振器 的底电极314、声镜316和衬底318。
类似于上面所描述的声镜208，声耦合层308中的层的序列具有 交替的低声阻抗和高声阻抗。在上面所描述的图3(a)中(以及下面 所描述的图3(b)中)示出的BAW拓扑也被称为耦合谐振器滤波器 (“CRF”)。
图3(b)示出声耦合谐振器滤波器，除了声耦合层320代替先前 所示的声耦合层308的堆叠之外，该声耦合谐振器滤波器包括与先前 关于图3(a)的声耦合谐振器滤波器所讨论的所有相同的层。声耦合 层308包括具有交替的声阻抗的三个分立的层，而声耦合层320包括 单个声阻抗层。
在没有附加的声学层的情况下滤波器中的两个谐振器的声耦合 以及从而本质上两个FBAR的堆叠，被称为堆叠晶体滤波器(“SCF”)， 如图3(c)所示。通过两个谐振器之间的由耦合层的数目和厚度控制 的耦合强度，基本的谐振模式被划分为两个独立的模式。因此，图3 (c)中所示的滤波器本质上如先前使用相同的专利附图标号所描述 的那样，除了层322直接耦合顶压电层和底压电层并且包括如所示的 中间电极部分324之外。该中间电极部分324是两个谐振器的联合电 极。
所有BAW谐振器的普遍而重要的特性是具有由夹在先前所描述 的两个顶电极和底电极之间的压电层形成的电容值C0的电容器。因 此，在除了与谐振频率相关联的或者接近谐振频率的频率范围之外的 频率范围中，BAW谐振器表现得像电容器。
本文中所描述的实施例是针对BAW谐振器陷波滤波器的声耦合 拓扑以及外部电感器/电容器，其允许建立宽带宽、高选择性的RF陷 波滤波器。这种滤波器可以为先进的RF前端拓扑铺平道路，同时显 著减少部件的数目和形状因子，从而节约成本。与上面所参照的现有 技术的陷波滤波器解决方案相比，下面根据实施例所描述的滤波器拓 扑提供了非常小的形状因子，这使它们对于未来的移动RF前端应用 是有吸引力的。
因此，下面根据实施例进一步详细描述了使用SCF/CRF电容作 为全通集总元件滤波器拓扑中电容器的替换，以在相应的全通响应中 形成陷波。使用实施例方法，包括谐振器结构的陷波/带通滤波器可以 由全通滤波器拓扑创建。
由于它们在所有频率的恒定电阻并且无衰减，全通网络通常被用 作无源集总元件延迟，或者被用作针对滤波器网络的相位校正器。根 据实施例，全通集总元件网络拓扑被用作基本元件，并且全通集总元 件网络的电容性关键元件(C0)由BAW谐振器的固有(静态)电容 代替，如下面将进一步详细描述的。由于BAW谐振器的整体电容性 行为，全通特性保持，并且一个陷波或多个陷波仅在BAW器件的谐 振频率处出现。全通网络可以包括桥接T全通拓扑和准π全通拓扑， 如本领域已知的并且下面将进一步详细描述的。对于第二网络，由于 插入损耗对于较高频率而言增加，但是对于意图的操作频率范围而言 微不足道，因此使用术语“准”。在下面的描述中，区分和描述了固 定的滤波器元件和可调谐的滤波器元件。
下面关于图4(a)-图4(e)以及图5(a)-图5(b)(固定的) 和图6(a)-图6(e)(可调谐的)来描述固定的和可调谐的基于桥 接T全通的陷波滤波器。
基于桥接T全通的陷波滤波器是通过使用如图4(a)中所示的简 单的集总元件全通滤波器来实现的。全通滤波器包括两个串联耦合的 电容器C0、分流电感器Lg和并联电感器Lp，两个串联耦合的电容 器C0被耦合在输入节点IN和输出节点OUT之间，分流电感器Lg被耦合在中间节点到接地之间，并联电感器Lp被耦合在输入节点IN 和输出节点OUT之间。在图4(b)中描绘了滤波响应。图4(b)示 出在宽频率范围上的通带响应406，即，全通的频率响应。对于低频 率，滤波传输基本上由电感器Lp提供，如曲线402中所示，而电容 器负责在较高频率的传输，如曲线404中所示。全通滤波器的整体传 输406是由传输402和404的组合引起的。为了形成所期望的陷波滤 波器，电容器C0由两个个体BAW谐振器408和410的固有(静态) 电容代替(如图4(c)所示)，或者由可以是例如SCF的声耦合BAW 谐振器器件412/414(如图4(d)中所示)或者如图4(e)中所示的 CRF 416/418/420的静态电容代替。在图4(c)、图4(d)和图4(e) 中，408、410、412、414、416和420是个体谐振器或者直接耦合或 声耦合的谐振器，并且418是声耦合层。
在图4(c)、图4(d)和图4(e)中，使用两个BAW谐振器， 但是在图4(c)中，两个BAW谐振器408和410没有声耦合(而是 并排放置作为个体电耦合器件)，而在图4(d)和图4(e)中，BAW 谐振器412/414和416/420直接或者通过声耦合而被声耦合，并且在 一个单个器件中一个在另一个之上地堆叠(这可以节省器件面积)。
图5(b)中描绘了针对具有SCF/CRF的全通网络的频率响应。 现在，频率响应展现全通响应内部的带阻特性。重要的是注意，阻带 内部的陷波的数目取决于所使用的声耦合谐振器。在简单SCF结构的 情况中，由于两个谐振器直接耦合，因此仅存在一个陷波。对于CRF， 在一个或三个耦合层的情况下，可以观察到两个陷波(模式退化)。 两个陷波之间的距离由CRF结构的谐振器之间的声耦合强度“ka” 控制。
图5(a)示出使用声耦合谐振器的陷波滤波器(例如，如也在图 (e)中所示的)的示意图。陷波滤波器包括通过声耦合层418而声 耦合的谐振器416和420以及先前所描述的电感器Lp和Lg。全通拓 扑的电容C0由声耦合谐振器416/418/420代替，以在通带中形成传输零点。声耦合谐振器416/418/420可以是堆叠晶体滤波器(“SCF”) 或者具有例如一个耦合层或三个耦合层的耦合谐振器滤波器 (“CRF”)，以形成声耦合因子“ka”。使用具有三个耦合层的CRF 示出陷波滤波器响应504，其形成如所示的两个陷波。电感器Lg和 Lp以及耦合BAW谐振器的固有电容C0可以用于调整陷波滤波器响 应。例如，通带到阻带转变的陡度可以被改变，如响应曲线502中所 示。
通过与适应的滤波器拓扑相结合来使用可调谐滤波器，本文中描 述的滤波器实施例显著减小针对例如4G LTE标准的RF前端的复杂 性。因此，在图6(a)、图6(b)、图6(c)和图6(d)中示出先 前所描述的固定陷波滤波器的可调谐版本。在图4(c)、图4(d) 和图4(e)中所示的固定陷波滤波器拓扑的谐振器由可调谐的谐振器 代替。可调谐的谐振器需要更加复杂的谐振器器件和/或附加的电调谐 部件。与陷波滤波器的固定版本相对比，BAW器件的数目现在加倍， 参见图6(b)和图6(c)。
图6(a)示出使用两个电耦合谐振器602和604的可调谐的基于 桥接T全通的陷波滤波器、以及输入节点和输出节点、以及如先前所 讨论的电感器。在图6(b)和图6(c)中，全通拓扑的电容由声耦 合且可调谐的谐振器代替，以在通带中形成可调谐的传输零点。声耦合谐振器可以使用SCF实现方式(图6(b))或者具有一个耦合层 或三个耦合层的CRF实现方式(图6(c))来实现，以形成声耦合 因子“ka”。在图6(d)中，使用简单的可调谐FBAR或SMR。针 对调谐，使用与谐振器串联或并联的电容器和电感器。
在图6(b)中所示的谐振器结构606仅使用一个声耦合BAW器 件，其可以被视作例如两个声耦合SCF(“CSCF”)。这种CSCF 器件的对应的层堆叠也被示出，并且包括例如四个压电层压电1、压 电2、压电3、压电4、六个电极(在压电层上方和下方)以及(至少) 一个声耦合层耦合1(其可以是电隔离或电传导的)，如图6(b)中 所示。声耦合层可以包括被示出为耦合1、耦合2和耦合3的三个层， 包括如先前所讨论的交替的高声阻抗层和低声阻抗层。可选地，可以 在谐振器结构606中使用附加的电极和耦合层。如果耦合层是传导的 并且用作两个SCF型结构之间的联合电极，那么电极的最小数目是 五。所示出的电极的数目是六，其中对于每个SCF型结构具有三个电 极。另一选项/可能性是将每个SCF的内部电极分裂成彼此电隔离的 两个电极，以便将电调谐电路从RF信号路径电流解耦。该选项导致 在层堆叠中总数八个电极，然后该层堆叠包括两个声耦合的CRF型 结构。该选项未被示出。注意，图6(c)中所示出的拓扑使用两个 CRF，该两个CRF是不具有声耦合的个体器件。示出了两个调谐电路 608和610，每个调谐电路与谐振器结构中的谐振器中的一个谐振器 相关联。每个调谐电路包括并联连接的电感器和变抗器(varactor)(可 调谐电容器)。
图6(c)示出与图6(a)中所示出的一般拓扑相对应的可调谐 陷波滤波器。使用了各自包括两个声耦合BAW谐振器的两个分开的 可调谐BAW谐振器器件612和614。也在图6(c)中所示的对应的 层堆叠包括两个压电层(压电1和压电2)、四个电隔离的电极(在 压电层上方和下方)以及电隔离的(至少)一个声耦合层(耦合1或 耦合1/耦合2/耦合3)。在每个可调谐的谐振器中，一个谐振器(例 如，压电1)被用在陷波滤波器的信号路径中，而相应的另一谐振器 (例如，压电2)被用作调谐电路616或618的部件。调谐电路616 和618包括附加的电部件，如例如所示的可调谐/可切换电容器和电感 器。因此，为了实现这种可调谐的谐振器，还使用电容器和电感器， 但是与如图6(d)所示的单个FBAR/SMR调谐相比，所需的无源电 调谐元件的数目减小了两倍。
还可以使用声耦合(可调谐)谐振器作为类SCF结构来实现图6 (b)和图6(c)中所示的滤波器，类SCF结构即仅包括两个压电层 和三个电极(例如，如先前所讨论的那样通过由两个谐振器共享的中 间电极)。
图6(d)示出了仅使用未被声耦合的两个单个的谐振器620和 622的可调谐陷波滤波器实现方式。谐振器620和622仅通过调谐电 路626和628电耦合。谐振器620还被耦合到调谐电路624，并且谐 振器622还被耦合到调谐电路630。调谐电路中的每一个可以如所示的被实现为电感器和变抗器的组合。简单谐振器的物理实现方式是单 个压电的压电层以及在压电层上方和下方的两个电极，如所示。
在频率响应的带阻区域内的陷波(传输零点)的数目再次取决于 所使用的BAW谐振器类型。图6(c)和图6(d)中所示的滤波器导 致一个陷波，因为它们使用串联路径中的两个声解耦的谐振器。与之 相比，由于在串联路径中的声耦合，图6(b)的基于CSCF的方案导致在带阻区域内的两个陷波。在一个实施例中，如果分开的谐振器被 设计为实现两个不同的频率，那么对于图6(c)和图6(d)的滤波 器而言两个陷波是可能的。如果是这种情况，那么将出现两个陷波。 图6(e)中所示的滤波器响应与先前所描述的图5(b)中所示的基 本上相同。然而，注意在滤波器响应中的两个调谐箭头的存在，注意 到所描绘的陷波可以通过调谐电路的动作而移动到更低或更高的频 率。
下面参照附图7(a)和图7(b)、图8(a)和图8(b)以及图 9(a)、图9(b)和图9(c)描述基于准π全通的陷波滤波器。
基于准π全通的固定陷波滤波器通过使用桥接T全通拓扑来实 现，并且由到接地的短路来代替分流电感器(与图4(b)中所示的滤 波器相比较)。然后，仅保留两个电容器C0和串联电感器Ls，如图 7(a)中所示。图7(b)中描绘了响应。响应图用两个代表性的传输 响应曲线702和704示出在宽频率范围上的通带(曲线702参照左轴， 而曲线704参照右轴示出相同的数据，从而示出更多细节)。为了形 成所期望的陷波滤波器，电容器C0再次由声耦合BAW谐振器的固 有静态电容代替，声耦合BAW谐振器在实施例中可以是SCF或CRF。
图8(a)中示出使用声耦合谐振器的陷波(带阻)滤波器。全通 拓扑的电容由声耦合谐振器结构802/804/806来代替，以在通带中形 成传输零点。声耦合谐振器结构可以是堆叠晶体滤波器(“SCF”) 或者具有一个耦合层或三个耦合层的耦合谐振器滤波器(“CRF”)， 以形成声耦合因子“ka”，如先前所描述的。图8(b)示出使用具有 在响应曲线808(参照左轴)或曲线810(参照右轴，示出更多细节) 中形成两个陷波(传输零点)的三个耦合层的CRF的陷波(带阻) 滤波器响应。电感器Ls以及耦合BAW谐振器的固有电容C0可以用 于调整陷波滤波器响应。例如，通带到阻带转变的陡度可以被改变。
如先前所描述的，阻带内部的陷波(传输零点)的数目取决于所 使用的声耦合谐振器。在简单SCF结构的情况中，由于两个谐振器直 接耦合，因此仅存在一个陷波。对于CRF，在一个或三个耦合层的情 况下，可以观察到两个陷波(模式退化)。两个陷波之间的距离由 CRF结构的谐振器之间的声耦合强度“ka”控制。
图8(c)、图8(d)、图8(e)、图8(f)和图8(g)示出使 用两个CRF或两个SCF型谐振器结构的基于全通的陷波滤波器。所 有滤波器包括输入节点IN、输出节点OUT、电感器Lp和Lg、以及 两个谐振器结构。在图8(c)、图8(d)和图8(e)中所示的滤波 器812、816和820中，电感器Lg被耦合在一个或多个中间电极与谐 振器的被耦合在一起的底电极之间。滤波器812和816包括CRF谐 振器结构，并且滤波器820包括SCF谐振器结构。在图8(f)和图8 (g)中所示的滤波器824和826中，电感器Lg被耦合在谐振器结构 的底电极和接地之间。滤波器824包括CRF谐振器结构，并且滤波 器826包括SCF谐振器结构。响应图814对应于滤波器812，响应图 818对应于滤波器816，响应图822对应于滤波器820，并且响应图 828对应于滤波器824和826。在一些情况下，分流电感器Lg可以被 短路，以实现更好的带阻特性。
图9(a)示出可调谐的基于准π全通的陷波滤波器，其使用通过 电感器Ls而耦合在一起的两个可调谐的谐振器902和904，电感器 Ls进而被耦合在输入节点IN和输出节点OUT之间。图9(b)示出 可调谐的基于准π的全通陷波滤波器，其使用两个分开的声耦合谐振 器(CRF型)。在图9(b)中，全通拓扑的两个电容由两个声耦合 且可调谐的谐振器906/908/910和914/916/918代替，以在频率响应中 形成可调谐的传输零点。调谐电路912被耦合到谐振器910，并且调 谐电路920被耦合到谐振器918。声耦合谐振器可以被实现为堆叠晶 体滤波器(SCF)或者具有一个耦合层或三个耦合层的耦合谐振器滤 波器(CRF)，以形成声耦合因子“ka”。如所示，每个声耦合谐振 器器件提供被包括在信号路径中的谐振器906和914以及作为电调谐 电路(910和918)的一部分的第二谐振器。在图9(c)中，通过由 调谐电路924、926、930和932提供的电频率调谐来使用简单FBAR 或SMR谐振器922和928。针对调谐电路，使用与谐振器串联或并 联的电容器和电感器。
图10(a)、图10(b)和图10(c)示出使用耦合谐振器的固定 的和可调谐的基于准梯形的陷波滤波器。图10(a)在上部分中示出 固定陷波滤波器，其包括：第一谐振器结构1002，被耦合在输入节点 IN和输出节点OUT之间；第二谐振器结构1004，被耦合在输入节点和接地之间；以及第三谐振器结构1006，被耦合在输出节点和接地之 间。图10(a)在下部分中示出可调谐陷波滤波器，其包括：第一可 调谐的谐振器结构1008，被耦合在输入节点IN和输出节点OUT之 间；第二可调谐的谐振器结构1010，被耦合在输入节点和接地之间； 以及第三谐振器结构1012，被耦合在输出节点和接地之间。图10(b) 示出声耦合谐振器结构实施例，其中第一谐振器结构包括声耦合谐振 器结构1014和调谐电路1016，第二谐振器结构包括声耦合谐振器结 构1018和调谐电路1020，并且第三谐振器结构包括声耦合谐振器结 构1022和调谐电路1024。图10(c)示出单个谐振器实施例，其中 第一谐振器结构包括单个谐振器1038以及调谐电路1040和1042，第 二谐振器结构包括单个谐振器1026以及调谐电路1028和1030，并且 第三谐振器结构包括单个谐振器1032以及调谐电路1034和1036。
图11(a)、图11(b)和图11(c)示出使用耦合谐振器的固定 的和可调谐的基于准网格的陷波滤波器。图11(a)的上部分示出固 定陷波滤波器，其包括：第一谐振器结构1102，被耦合在第一输入节 点和第一输出节点之间；第二谐振器结构1108，被耦合在第二输入节点和第二输出节点之间；第三谐振器结构1104，被耦合在第一输入节 点和第二输出节点之间；以及第四谐振器结构1106，被耦合在第二输 入节点和第一输出节点之间。图11(a)的下部分示出可调谐陷波滤 波器，其包括：第一谐振器结构1110，被耦合在第一输入节点和第一 输出节点之间；第二谐振器结构1116，被耦合在第二输入节点和第二 输出节点之间；第三谐振器结构1112，被耦合在第一输入节点和第二 输出节点之间；以及第四谐振器结构1114，被耦合在第二输入节点和 第一输出节点之间。图11(b)示出等价的声耦合谐振器实施例，其 包括可调谐的声耦合谐振器1118、1120、1122和1124。图11(c) 示出等价的单个谐振器实施例，其包括可调谐的单个谐振器结构 1126、1128、1130和1132。
图12(a)、图12(b)和图12(c)示出被配置作为陷波滤波器 的固定的和可调谐的全通三重结构。图12(a)在上部分中示出固定 滤波器，其包括：第一电感器L1，被耦合在输入节点和输出节点之 间；第二电感器L2，被耦合在输入节点和中间节点之间；第三电感 器L3，被耦合在输出节点和中间节点之间；第一谐振器结构1204， 被耦合在输入节点和接地之间；第二谐振器结构1206，被耦合在输出 节点和接地之间；以及第三谐振器结构1202，被耦合在中间节点和第 二输出节点之间。图12(a)在下部分中示出可调谐滤波器，其包括：第一电感器L1，被耦合在输入节点和输出节点之间；第二电感器L2， 被耦合在输入节点和中间节点之间；第三电感器L3，被耦合在输出 节点和中间节点之间；第一可调谐的谐振器结构1210，被耦合在输入 节点和接地之间；第二可调谐的谐振器结构1212，被耦合在输出节点 和接地之间；以及第三可调谐的谐振器结构1208，被耦合在中间节点 和第二输出节点之间。图12(b)中示出声耦合谐振器结构实施例， 其包括声耦合可调谐的谐振器结构1214、1216和1218。图12(c) 中示出单个谐振器实施例，其包括可调谐单个谐振器结构1220、1222 和1224。
图13(a)和图13(b)示出先前所描述的陷波/带阻滤波器(NPF) 元件可以被级联以满足系统规格。从先前描述的滤波器实施例中选择 的NPF元件可以相同或不同。图13(a)示出两个带阻滤波器1302 和1304，而图13(b)示出“N”个带阻滤波器1302、1304至1306。
图14(a)和图14(b)示出带阻滤波器(BSF)与带通滤波器(BPF) 的组合，以改进选择性或滤波边缘陡度。同样地，可以使用陷波/带阻 滤波器的所有组合，例如具有固定滤波器或可调谐陷波/带阻和可调谐 带通滤波器的可调谐陷波滤波器元件。图14(a)的上部分示出与BPF 滤波器1404串联的BSF元件1402。图14(a)的下部分示出用如先 前已经描述的声耦合谐振器滤波器结构1406代替BSF元件1402。图 14(b)示出曲线1408和1410的虚线部分，其示出在没有串联的BSF 元件的情况下带通滤波器(BPF)示例的频率响应(S21)。曲线1408 和1410的实线部分示出根据实施例的与带阻滤波器(BSF)组合的带 通滤波器的频率响应。注意，两条曲线1408(虚)和1408(实)参 考左|S21|轴(从0dB低至-100dB)，而相同的数据在两条曲线1410 (虚)和1410(实)中参照右|S21|传输轴(仅从0dB低至-5dB)示 出，从而给出关于通带插入损耗的更多信息/细节。BSF引入两个附 加的传输零点，从而导致与没有BSF的情况下的响应(分别在两条虚 曲线1408和1410中示出)相比，组合的BSF/BPF带通滤波器的陡 得多的上边缘(分别在两条实曲线1408和1410中示出)。
本文中所描述的滤波器实施例通过使用声耦合谐振器滤波器实 线小尺寸且可调谐的BAW陷波滤波器。本文中所描述的滤波器实施 例使用全通集总元件拓扑作为基本拓扑，并且由BAW谐振器的固有 静态电容来代替电容性元件。附加地，滤波掉可能会危及所需频带的 干扰，而不是设计针对每个所需频带的窄带带通滤波器、以及针对某 些应用(诸如专用载波聚合应用)而接入的窄带滤波器阵列的组合。 使用跟随有如上所述的专用窄带可调谐带阻滤波器的宽带RF滤波器 来完成干扰滤波。
在另一实施例中，描述了针对BAW(体声波)谐振器的声耦合 拓扑和外部电感器/电容器，其允许建立宽带宽RF带通滤波器。这种 滤波器可以通过显著减少的部件数目和形状因子来为先进的RF前端 拓扑铺平道路。与上面所提及的现有技术(梯形或网格)的带通滤波 器解决方案相比，所描述的拓扑提供了非常小的形状因子，这使它们 对于未来的移动RF前端应用非常有吸引力。
根据实施例，带通拓扑使用固定的和可调谐的SCF/CRF谐振器 结构。通过CRF/SCF谐振器结构的串联连接，获得宽带宽和高带外 抑制的滤波器。相应的滤波器响应还可以通过添加并联电容来改进， 如下面进一步详细描述的。在实施例中，通过使用可调谐的谐振器元 件来获得可重新配置的器件。此外，SCF/CRF谐振器结构(其也称为 SCR/CRR，即堆叠晶体谐振器/耦合谐振器谐振器)的使用是在梯形 拓扑中实现的，该梯形拓扑比传统的基于FBAR/SMR的梯形滤波器 具有更小的面积消耗。再次，在实施例中，可调谐的谐振器用于使滤 波器可重新配置。
下面描述了基于SCF/CRF的带通滤波器。
固定带通滤波器可以用单个CRF谐振器结构来实现。通过单个CRF作为独立滤波器的操作，可以获得通带特性。然而，滤波边缘示 出非常低的陡度(参见图15(b)中的虚线频率响应曲线1508)，并 且对于当今的移动通信标准而言应该更高，以确保选择性。
根据实施例，单个CRF谐振器结构的实现方式可以使用并联反馈 电容来改进。通过添加与单个CRF 1504并联的电容1502(参见图15 (a))，传输零点(TZ)1510被添加到滤波器通带1506之下，并 且另一传输零点1512被添加到滤波器通带1506之上(参见图15(b))。通过增加或减小电容值，可以控制这些TZ的位置。因此，具有可调 谐TZ的CRF也是可能的，如下面进一步详细描述的。
因此，图15(a)示出具有并联反馈电容1502的单个CRF 1504， 并联反馈电容1502引起在通带1506附近(之下的1510和之上的 1512)的传输零点，并且从而增加通带附近的滤波边缘滚降(roll-off) (不具有反馈电容的响应曲线1508；具有反馈电容的响应曲线1506)。 响应曲线1506表示图15(a)中所示的拓扑的实传输(|S21|)曲线。 通带(图15(b)中所示的示例中)是仅在2GHz左右的频率区域， 其中插入损耗小。通过由可调谐电容代替反馈电容，还可以调谐传输 零点。
下面进一步详细描述了串联耦合的CRF。通过串联连接两个耦合 的CRF，可以明显增加带外抑制。图16(a)示出两个交叉耦合的CRF 1602和1610。图16(b)示出两个直接耦合的CRF 1604和1612。图 16(c)示出根据实施例的将单个CRF与两个耦合的CRF对比的响应曲线。图16(c)示出针对单个CRF的带外抑制响应曲线1608和针 对两个耦合的CRF的响应曲线1606。
还可以一起使用反馈电容和两个CRF的串联耦合。由于串联耦 合，若干互连可能性出现。同样地，还可以使用电感的附加，以改进 通带行为。在图17(a)、图17(b)、图17(c)、图17(d)和图 17(e)中描绘这些可能的拓扑中的一些可能的拓扑。通过混合反馈 电容和串联耦合的CRF，可以实现不同拓扑。例如，图17(a)示出 两个交叉耦合的CRF 1708和1710、以及电容器1712。图17(b)示 出两个直接耦合的CRF 1712和1714、以及电容器1716。图17(c)示出两个直接耦合的CRF 1718和1720，其中底谐振器的顶电极被耦 合在一起，并且被耦合到电容器1722和1724的中心连接。图17(d) 示出两个交叉耦合的CRF 1726和1728，其中耦合路径中的一个耦合 路径被实现为具有电感器1730。图17(e)示出两个交叉耦合的CRF1732和1734，其中耦合路径中的一个耦合路径被实现为具有电感器 1738，附加的电感器1736被耦合到CRF 1732，并且附加的电感器1740 被耦合到CRF 1734。
图17(a)、图17(b)和图17(c)中所示的上面的滤波器拓扑 将传输零点添加到紧邻滤波器通带的频谱。图17(a)和图17(b) 中所示的拓扑添加两个传输零点(图17(f)的S21频谱中的响应曲 线1704)，而图17(c)中所示的拓扑添加四个传输零点(图17(f) 的S21频谱中的虚线响应曲线1706)。图17(d)和图17(e)中所 示的拓扑示出先前所描述的串联耦合的CRF的一个变型，其中电感 用于通过变化串联CRF耦合强度来改进滤波器通带。电感还可以被 添加到图17(a)至图17(c)中所示的拓扑。在图17(f)的响应曲 线1702中再次示出单个CRF响应。
在图17(g)、图17(h)、图17(i)、图17(j)、图17(k)、 图17(l)、图17(m)、图17(n)和图17(o)示出附加的带通滤 波器实施例。例如，图17(g)示出交叉耦合的滤波器1746，其中底 谐振器之间的交叉耦合包括网络1740和之间耦合滤波器1748，其中 底谐振器之间的耦合还包括网络1740。图17(g)还示出网络可以包 括电容器1742、电感器1744或者未示出的另一部件。通过向网络1740 添加电容器和/或电感器，可以改进诸如带宽的重要滤波特性。然而， 耦合在两个串联CRF之间的其它部件也可以改进滤波特性。
图17(h)中所示的滤波器1750、图17(j)中所示的滤波器1752、 图17(l)中所示的滤波器1754和图17(n)中所示的滤波器1756 各自包括其中网络1740包括电感器的实施例。图17(i)中所示的滤 波器1758、图17(k)中所示的滤波器1760、图17(m)中所示的滤 波器1762和图17(o)中所示的滤波器1764各自包括其中网络1740 包括电容器的实施例。
下面进一步详细描述可调谐带通滤波器。根据实施例，使用与下 面所描述的各种拓扑相结合的可调谐滤波器，显著减小针对例如4G LTE标准的RF前端的复杂性。因此，描述了先前所描述的固定带通 滤波器的可调谐版本。根据实施例，固定带通滤波器拓扑的谐振器由 可调谐的谐振器来代替，以实现可调谐滤波器。可调谐的谐振器需要 更复杂的谐振器器件和/或附加的电调谐部件。
通过由可调谐电容来代替先前所描述的反馈电容，可以使得传输 零点可调谐。该替换也适用于图17(a)、图17(b)、图17(c)、 图17(d)和图17(e)中所示出的拓扑。
图18(a)示出具有可调谐并联反馈电容1804的单个CRF 1804， 可调谐并联反馈电容1804引起在通带附近的可调谐传输零点，并且 从而增加通带附近的滤波边缘滚降(不具有反馈电容的响应曲线 1808；具有反馈电容的响应曲线1806)。
此外，通过使用如在SCF谐振器结构1902中所示的两个声耦合 SCF(例如，通过具有高声阻抗和低声阻抗的交替层的一个或三个耦 合层而声耦合)以及伴随的调谐电路1904和1906，可以调谐通带。 这可以通过由图19中所示的声调谐拓扑来代替先前所描述的静态 CRF部件来实现。
因此，图19示出在谐振器结构1902中的两个声耦合SCF。例如， SCF通过交替的高声阻抗和低声阻抗的一个或三个层而耦合。(备选 地，其它数目的耦合层也是可能的)。外部压电层被声调谐(通过将 对应的电极连接到调谐电路1904和1906)。这导致可调谐的通带， 而定性的通带行为类似于单个CRF的通带。
下面描述基于SCR/CRR的梯形/网格带通滤波器。
下面描述固定带通滤波器实施例。如先前所描述的，传统的 FBAR/SMR梯形/网格滤波器经受高的面积消耗和高的插入损耗。此 外，它们的性能强烈依赖于分流和串联元件的电容比。因此，为了展 现高的带外衰减，这些分流元件的电容必须远大于串联谐振器的电 容。这导致分流元件的高面积消耗。由于谐振器的操作原理，使用 SCR或CRR帮助减小面积消耗。这是由于并联连接的特征电容C0 (C_tot＝2*C0)。因此，对于高的电容水平，单个SCR/CRR的面积 可以被选择为小于传统的FBAR/SMR(C_tot＝C0)。另外，传统的 FBAR/SMR器件展现非线性行为，引起高次谐波的生成。通过使用 SCR或CRR，二阶非线性可以从本质上抵消，这使它们对于未来的 用户设备(UE)针对较高的功率处理能力是令人关注的。
因此，与使用FBAR/SMR实现方式的传统滤波器相比，使用 SCR/CRR实现方式的梯形/网格拓扑具有更小的面积消耗和更好的线 性度。在图20(b)、图20(c)和图20(d)(CRR)以及图21(b)、 图21(c)和图21(d)(SCR)中描绘针对具有SCR/CRR实施例的 梯形/网格拓扑的一个示例。
图20(b)、图20(c)和图20(d)各自示出针对使用CRR的 梯形/网格拓扑的一个示例。图20(b)示出包括单个CRF 2004的带 通滤波器。图20(c)示出包括串联CRF 2006和分流CRF 2008的带 通滤波器。图20(d)示出具有CRF 2010、CRF 2012、CRF 2014和 CRF 2016的网格滤波器拓扑，CRF 2010被耦合在第一输入节点和第 一输出节点之间，CRF 2012被耦合在第二输入节点和第二输出节点 之间，CRF 2014被耦合在第一输入节点和第二输出节点之间，CRF 2016被耦合在第二输入节点和第一输出节点之间。图20(a)中示出 针对上面所描述的带通滤波器的响应曲线2002。
图21(b)、图21(c)和图21(d)各自示出针对使用SCR的 梯形/网格拓扑的一个示例。图21(b)示出包括单个SCF 2104的带 通滤波器。图21(c)示出包括串联SCF 2106和分流SCF 2108的带 通滤波器。图21(d)示出具有SCF 2110、SCF 2112、SCF 2114和 SCF 2116的网格滤波器拓扑，SCF 2110被耦合在第一输入节点和第 一输出节点之间，SCF 2112被耦合在第二输入节点和第二输出节点之 间，SCF 2114被耦合在第一输入节点和第二输出节点之间，SCF 2116 被耦合在第二输入节点和第一输出节点之间。图21(a)中示出针对 上面所描述的带通滤波器的响应曲线SCF 2102。
下面描述可调谐带通滤波器。还可以如图22(a)、图22(b) 和图22(c)中所描述的那样通过利用串联电感器/电容器和并联电容 器/电感器的电调谐来使得使用SCR/CRR的先前的拓扑可调谐。图22 (a)示出可调谐的谐振器2202、对应的CRF带通滤波器和对应的SCF带通滤波器，对应的CRF带通滤波器包括CRF 2004以及调谐电 路2206和2208，对应的SCF带通滤波器包括SCF 2210以及调谐电 路2212和2214。图22(b)和图22(c)各自示出针对使用电调谐 SCR/CRR的可调谐梯形/网格滤波器拓扑的一个示例。图22(b)的 带通滤波器包括处于梯形拓扑的可调谐的谐振器2216和2218，并且 图22(c)的带通滤波器包括处于网格拓扑的可调谐的谐振器2220、 2222、2224和2226。
下面讨论使用针对使用电极重叠的反馈电容的设计方案的附加 的实现方式示例。图23(b)示出CRF 2308，其中谐振器的顶电极 2310包括主体部分(实线)和重叠部分(虚线)。在图23(a)中示 出响应曲线，其中不具有反馈电容的频率响应2302以及对称频率响应部分2304和2306被示出为对应于对不具有任何重叠的各种反馈电 容。图23(c)示出不具有反馈电容的频率响应2314，并且具有电极 重叠附加的频率反馈生成对于所期望的传输零点所需的小的电容。如 在图23(c)中可以看出的，重叠生成在响应部分2312中所示的附加 的不想要的模式，并且频率响应部分2316和2318不再对称。
重叠越大，谐振越明显，因此附加的寄生(spurious)模式可以 通过改变重叠厚度而被移位。在图24(b)中示出CRF 2406，其包括 顶电极2408，其中主体部分(实线)的厚度大于重叠部分(虚线)的 厚度。响应曲线2402示出具有谐振频率的寄生模式2404(来自重叠区域的谐振)，该谐振频率取决于重叠区域2408中的电极的厚度。
在图25(b)中示出使用声耦合谐振器的可调谐耦合带通滤波器， 在图25(c)中示出使用电调谐的谐振器的可调谐耦合带通滤波器。
在图25(a)中，串联电容器C0 2504或2508形成90度移相器 以及谐振器的本征电感(其对应于负电容器-C0的电抗)。该λ/4转 换使分流器件变为串联器件，反之亦然。结果，该结构表现得类似于 梯形结构BPF，但是仅使用分流相关结构2502、2506和2510，并且 所有的分流谐振器表现得好像它们都加载有有效电容器C0。可以通 过仅串联谐振器来形成等价结构，并且该方法遵循与分流版本相同的 定律，其中仅有的差别在于：将替代地选择T型90度移位网络，其 中串联部件被移动到谐振器中。
因此，图25(b)示出包括耦合在输入节点IN和输出节点OUT 之间的电容器2516和2522的带通滤波器实现方式。分流元件通过 CRF 2512和调谐电路2514、CRF 2520和调谐电路2518、以及CRF 2524和调谐电路2526来实现。
类似地，图25(c)示出包括耦合在输入节点IN和输出节点OUT 之间的电容器2534和2542的带通滤波器实现方式。分流元件通过谐 振器2530和调谐电路2528和2532、谐振器2538和调谐电路2536 和2540、以及谐振器2546和调谐电路2555和2548来实现。
下面总结和描述一种示例陷波滤波器。
一种陷波滤波器，包括：第一电感器，被耦合在输入节点和输出 节点之间；第二电感器，被耦合在输入节点和中间节点之间；第三电 感器被耦合在输出节点和中间节点之间；第一谐振器结构，被耦合在 输入节点和接地之间；第二谐振器结构，被耦合在输出节点和接地之 间；第三谐振器结构，被耦合在中间节点和输出节点之间。
上面所描述的陷波滤波器，其中谐振器结构中的至少一个谐振器 结构包括堆叠晶体滤波器。
上面所描述的陷波滤波器，其中谐振器结构中的至少一个谐振器 结构包括耦合谐振器滤波器。
上面所描述的陷波滤波器，其中谐振器结构中的至少一个谐振器 结构包括薄膜体声波谐振器。
上面所描述的陷波滤波器，其中谐振器结构中的至少一个谐振器 结构包括可调谐的谐振器结构。
上面所描述的陷波滤波器，可调谐的谐振器结构包括调谐电路。
上面所描述的陷波滤波器，其中调谐电路包括被耦合到电感器的 变抗器。
下面总结和描述一种示例滤波器系统。
一种滤波器系统，包括多个串联耦合的陷波滤波器，其中陷波滤 波器中的至少一个陷波滤波器包括全通滤波器拓扑，该全通滤波器拓 扑使用至少一个谐振器结构被配置作为陷波滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中陷波滤波器中的至少一个陷波滤 波器包括堆叠晶体滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中陷波滤波器中的至少一个陷波滤 波器包括声耦合谐振器滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中陷波滤波器中的至少一个陷波滤 波器包括电耦合谐振器滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中陷波滤波器中的至少一个陷波滤 波器包括可调谐陷波滤波器。
下面总结和描述一种示例滤波器系统。
一种滤波器系统，包括耦合到至少一个带通滤波器的至少一个陷 波滤波器，其中至少一个陷波滤波器包括全通滤波器拓扑，该全通滤 波器拓扑使用至少一个谐振器结构被配置作为陷波滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中至少一个陷波滤波器包括堆叠晶 体滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中至少一个陷波滤波器包括声耦合 谐振器滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中至少一个陷波滤波器包括电耦合 谐振器滤波器。
上面所描述的滤波器系统，其中至少一个陷波滤波器包括可调谐 陷波滤波器。
已经使用各种谐振器实现方式描述了固定的和可调谐的陷波滤 波器和带通滤波器，以及这些滤波器的系统级组合，以及用于与所描 述的滤波器中的至少一些一起使用的至少一个重叠谐振器结构。
虽然已经参照说明性实施例描述了本发明，但是本说明书不旨在 以限制的意义来解释。在参考说明书时，说明性实施例的各种修改和 组合、以及本发明的其它实施例对于本领域技术人员将是显而易见 的。因此，随附的权利要求旨在涵盖任何这种修改或者实施例。

Claims (16)

1.一种陷波滤波器，包括：
电感器，被耦合在输入节点和输出节点之间；
双谐振器结构，被耦合在所述输入节点、所述输出节点和接地之间。
2.一种可调谐陷波滤波器，包括：
电感器，被耦合在输入节点和输出节点之间；
第一谐振器结构，被耦合在所述输入节点和接地之间；以及
第二谐振器结构，被耦合在所述输出节点和接地之间。
3.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括堆叠晶体滤波器。
4.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括耦合谐振器滤波器。
5.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括薄膜体声波谐振器。
6.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括调谐电路。
7.根据权利要求6所述的可调谐陷波滤波器，其中所述调谐电路包括耦合到电感器的变抗器。
8.一种陷波滤波器，包括：
第一双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输入节点的顶电极；
第二双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输出节点的顶电极；
第一电感器，被耦合在所述输入节点和所述输出节点之间；以及
第二电感器，被耦合在所述第一双谐振器结构的所述中间电极和所述第二双谐振器结构的所述中间电极之间。
9.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构的附加中间电极和所述第二双谐振器结构的附加中间电极被耦合到接地。
10.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构的所述底电极和所述第二双谐振器结构的所述底电极被耦合在一起。
11.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括耦合谐振器滤波器。
12.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括堆叠晶体滤波器。
13.一种陷波滤波器，包括：
第一双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输入节点的顶电极；
第二双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输出节点的顶电极；
第一电感器，被耦合在所述输入节点和所述输出节点之间；以及
第二电感器，被耦合在所述第一双谐振器结构的所述底电极和所述第二双谐振器结构的所述底电极之间。
14.根据权利要求13所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构的附加中间电极被耦合到所述第一双谐振器结构的所述中间电极，并且所述第二双谐振器结构的附加中间电极被耦合到所述第二双谐振器结构的所述中间电极。
15.根据权利要求13所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括耦合谐振器滤波器。
16.根据权利要求13所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括堆叠晶体滤波器。
CN201811482273.9A 2017-12-07 2018-12-05 声耦合谐振器陷波和带通滤波器 Pending CN110011634A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762595898P 2017-12-07 2017-12-07
US62/595,898 2017-12-07
US201862641664P 2018-03-12 2018-03-12
US62/641,664 2018-03-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110011634A true CN110011634A (zh) 2019-07-12

Family

ID=64606824

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811483161.5A Active CN109921808B (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811483170.4A Active CN110022160B (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811482536.6A Pending CN110034770A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811483160.0A Pending CN110034744A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 可调谐谐振元件、滤波器电路和方法
CN201811482436.3A Pending CN110011638A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 声耦合谐振器陷波和带通滤波器
CN201811482273.9A Pending CN110011634A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 声耦合谐振器陷波和带通滤波器
CN201811483047.2A Pending CN110011635A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 声耦合谐振器陷波和带通滤波器
CN201811481547.2A Pending CN110034777A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811482871.6A Pending CN110022135A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 可调谐谐振元件、滤波器电路和方法
CN201811481186.1A Active CN110048735B (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811483161.5A Active CN109921808B (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811483170.4A Active CN110022160B (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811482536.6A Pending CN110034770A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811483160.0A Pending CN110034744A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 可调谐谐振元件、滤波器电路和方法
CN201811482436.3A Pending CN110011638A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 声耦合谐振器陷波和带通滤波器

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811483047.2A Pending CN110011635A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 声耦合谐振器陷波和带通滤波器
CN201811481547.2A Pending CN110034777A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法
CN201811482871.6A Pending CN110022135A (zh) 2017-12-07 2018-12-05 可调谐谐振元件、滤波器电路和方法
CN201811481186.1A Active CN110048735B (zh) 2017-12-07 2018-12-05 用于射频滤波器的系统和方法

Country Status (4)

Country Link
US (10) US10965274B2 (zh)
EP (10) EP3506500B1 (zh)
KR (10) KR20190067704A (zh)
CN (10) CN109921808B (zh)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9024700B2 (en) 2008-02-28 2015-05-05 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device
US9935760B2 (en) * 2013-04-16 2018-04-03 Qorvo Us, Inc. Tunable filter for LTE bands
US9698756B2 (en) 2014-12-24 2017-07-04 Qorvo Us, Inc. Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
US10700658B2 (en) * 2016-02-19 2020-06-30 Psemi Corporation Adaptive tuning networks with direct mapped multiple channel filter tuning
US10581403B2 (en) 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
WO2018084889A1 (en) * 2016-11-02 2018-05-11 Peregrine Semiconductor Corporation Mismatch detection using replica circuit
US11165412B2 (en) * 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
US11165413B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
FR3062517B1 (fr) 2017-02-02 2019-03-15 Soitec Structure pour application radiofrequence
US10056874B1 (en) 2017-02-28 2018-08-21 Psemi Corporation Power amplifier self-heating compensation circuit
US10305433B2 (en) 2017-02-28 2019-05-28 Psemi Corporation Power amplifier self-heating compensation circuit
JP6791392B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-25 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10778174B2 (en) * 2017-11-30 2020-09-15 Skyworks Solutions, Inc. Band pass filter
WO2019131077A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 株式会社村田製作所 スイッチモジュールおよび通信装置
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US11929731B2 (en) 2018-02-18 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
KR102375500B1 (ko) * 2018-03-15 2022-03-17 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 프런트 엔드 회로, 프런트 엔드 모듈, 통신 장치, 및 멀티플렉서
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
WO2019235181A1 (ja) * 2018-06-04 2019-12-12 株式会社村田製作所 高周波フロントエンドモジュールおよび通信装置
US10707914B2 (en) 2018-06-08 2020-07-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Adaptive antenna and radio
US10659086B2 (en) * 2018-06-13 2020-05-19 Qorvo Us, Inc. Multi-mode radio frequency circuit
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US20210119603A1 (en) * 2018-06-15 2021-04-22 Resonant Inc. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US10917072B2 (en) 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US11431316B2 (en) 2018-09-20 2022-08-30 Qorvo Us, Inc. Acoustic resonator structure
US11563421B2 (en) * 2018-09-21 2023-01-24 Qorvo Us, Inc. Acoustic structure having tunable parallel resonance frequency
KR20200060844A (ko) * 2018-11-23 2020-06-02 삼성전기주식회사 프론트 엔드 모듈
WO2020129882A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 株式会社村田製作所 フロントエンドモジュールおよび通信装置
CN113196675B (zh) * 2018-12-21 2023-01-24 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
US20200243484A1 (en) * 2019-01-30 2020-07-30 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Radio frequency (rf) switch device including rf switch integrated circuit (ic) divided between sides of pcb
CN113557671B (zh) * 2019-03-13 2022-12-30 株式会社村田制作所 多工器、高频模块以及通信装置
JP2020170919A (ja) * 2019-04-02 2020-10-15 株式会社村田製作所 高周波信号送受信回路
JP2021010062A (ja) * 2019-06-28 2021-01-28 株式会社村田製作所 エクストラクタ
CN114008928B (zh) * 2019-07-03 2024-03-12 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN110247677A (zh) * 2019-07-23 2019-09-17 Oppo（重庆）智能科技有限公司 通信系统及具有其的终端设备
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
JP7352855B2 (ja) * 2019-08-21 2023-09-29 株式会社村田製作所 分波器
JP2021064874A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US11444610B1 (en) * 2019-12-20 2022-09-13 Keysight Technologies, Inc. Variable frequency multiplier
CN111049498A (zh) * 2019-12-26 2020-04-21 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种窄带带通滤波电路和滤波器
CN111262541B (zh) * 2019-12-31 2021-03-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器及其封装方法、滤波器、电子设备
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US20210218434A1 (en) * 2020-01-09 2021-07-15 Skyworks Solutions, Inc. Converged radio frequency front-end architecture
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
US11469503B2 (en) * 2020-02-28 2022-10-11 T-Mobile Usa, Inc. Self-optimizing wide band array antennas
US11695436B2 (en) * 2020-04-05 2023-07-04 Skyworks Solutions, Inc. Circuits, devices and methods related to half-bridge combiners
CN111510167B (zh) * 2020-04-09 2022-03-25 惠州Tcl移动通信有限公司 射频电路及终端设备
US11057067B1 (en) * 2020-04-13 2021-07-06 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Self-interference signal cancellation
CN111917392A (zh) * 2020-04-14 2020-11-10 诺思(天津)微系统有限责任公司 压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
KR20230008772A (ko) * 2020-05-07 2023-01-16 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템에서 안테나 필터 및 이를 포함하는 전자 장치
CN113872616B (zh) * 2020-06-30 2023-05-12 华为技术有限公司 一种通信装置及通信方法
US11211906B1 (en) 2020-06-30 2021-12-28 Apple Inc. Multi-frequency band communication based on filter sharing
US20220029646A1 (en) * 2020-07-27 2022-01-27 Corning Research & Development Corporation Radio frequency transceiver filter circuit having inter-stage impedance matching
CN111900519B (zh) * 2020-07-30 2021-06-29 武汉博畅通信设备有限责任公司 基于微带线耦合的合路器
CN112383286B (zh) * 2020-08-04 2021-09-21 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器组件及其制造方法、滤波器及电子设备
US11201602B1 (en) * 2020-09-17 2021-12-14 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for tunable filtering
EP3975330A1 (en) * 2020-09-28 2022-03-30 Nokia Technologies Oy Radio communications
US11728784B2 (en) 2020-10-05 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters
US11476834B2 (en) 2020-10-05 2022-10-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors
US11658639B2 (en) 2020-10-05 2023-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
CN112332801B (zh) * 2020-10-30 2021-09-21 诺思(天津)微系统有限责任公司 包含掺杂谐振器的滤波器和多工器、通信设备
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
US11942924B2 (en) * 2020-11-23 2024-03-26 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Filter with multiple outputs or inputs to implement multiple filter frequency responses
CN115665892A (zh) * 2020-12-16 2023-01-31 Oppo（重庆）智能科技有限公司 一种射频电路、通信装置及电子设备
CN112702038A (zh) * 2020-12-29 2021-04-23 武汉大学 可调谐的固贴式体声波谐振器
CN112865738B (zh) * 2021-01-04 2023-04-07 诺思(天津)微系统有限责任公司 射频接收模组和提高其性能的方法以及通信设备
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter
CN112953573A (zh) * 2021-01-28 2021-06-11 广州慧智微电子有限公司 一种射频前端架构
CN113114165B (zh) * 2021-03-25 2022-07-05 中国电子科技集团公司第三十研究所 基于带通相位相消的级联多陷波超宽带滤波电路
US11817893B2 (en) * 2021-03-29 2023-11-14 Psemi Corporation Hybridized wideband notch filter topologies and methods
WO2022231865A1 (en) * 2021-04-27 2022-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
CN113271078B (zh) * 2021-05-19 2023-10-24 上海鸿晔电子科技股份有限公司 一种滤波器的制造方法
CN113507275A (zh) * 2021-07-15 2021-10-15 绍兴汉天下微电子有限公司 一种体声波滤波器、版图布局方法以及通信器件
CN113556095B (zh) * 2021-07-23 2024-04-19 北京中科汉天下电子技术有限公司 交叉耦合声学滤波器
IL288247B2 (en) * 2021-11-19 2024-01-01 D Fend Solutions Ad Ltd A self-controlled microwave filtration system
CN116941184A (zh) * 2021-12-31 2023-10-24 华为技术有限公司 滤波器、射频系统以及电子设备
US20230269061A1 (en) * 2022-02-18 2023-08-24 Psemi Corporation Lna with tx harmonic filter
WO2023202771A1 (en) * 2022-04-21 2023-10-26 Nokia Solutions And Networks Oy Apparatus for processing radio frequency signals
CN114553155B (zh) * 2022-04-22 2022-08-16 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种覆盖基频的超宽带射频放大器
CN114866064B (zh) * 2022-07-06 2022-09-30 深圳新声半导体有限公司 一种多层级Sc浓度不同的薄膜滤波器及其制备方法
US20240120953A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Tunable filter arrangement
CN115603698B (zh) * 2022-11-28 2023-05-05 电子科技大学 一种基于弹性软化效应的可调谐薄膜体声波谐振器

Family Cites Families (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2271870A (en) 1939-11-10 1942-02-03 Bell Telephone Labor Inc Wave transmission network
FR2235532A1 (en) 1973-06-29 1975-01-24 Brunot Michel Adjustable frequency piezo-electric filter - material resonance is obtained by exciting through range of impedance modes
US4013982A (en) * 1974-10-22 1977-03-22 International Standard Electric Corporation Piezoelectric crystal unit
JPS5252348A (en) 1975-10-24 1977-04-27 Nec Corp Piezoelectric band erasing filter
JP2961198B2 (ja) 1989-01-27 1999-10-12 本多電子株式会社 周波数可変振動子
JP3060469B2 (ja) * 1990-01-30 2000-07-10 日本電気株式会社 高周波フィルタ
JP2712706B2 (ja) * 1990-02-14 1998-02-16 国際電信電話株式会社 適応位相検出同期方法
US5774193A (en) 1992-10-05 1998-06-30 Vaughan; Thomas J. Digital television (HDTV) and analog television (NTSC) broadcast systems combined for simultaneous broadcast
US5864261A (en) 1994-05-23 1999-01-26 Iowa State University Research Foundation Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems
US5729829A (en) 1996-02-29 1998-03-17 American Nucleonics Corporation Interference mitigation method and apparatus for multiple collocated transceivers
WO1998017000A1 (en) 1996-10-15 1998-04-23 Adc Telecommunications, Inc. Tunable filter with q-multiplication
US5949309A (en) * 1997-03-17 1999-09-07 Communication Microwave Corporation Dielectric resonator filter configured to filter radio frequency signals in a transmit system
US6072996A (en) * 1997-03-28 2000-06-06 Intel Corporation Dual band radio receiver
US6472959B1 (en) 1999-03-11 2002-10-29 Nortel Networks Limited Longitudinally coupled double mode resonator filters using shallow bulk acoustic waves
US6381471B1 (en) 1999-06-30 2002-04-30 Vladimir A. Dvorkin Dual band radio telephone with dedicated receive and transmit antennas
US6542724B1 (en) * 1999-08-02 2003-04-01 Nortel Networks Limited Method and apparatus for performing image signal rejection
AU7616300A (en) * 1999-10-05 2001-05-10 Corning Incorporated Refractory nzp-type structures and method of making and using same
US7003312B2 (en) 1999-12-28 2006-02-21 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency switch circuit, high-frequency switch module and wireless communication device
US7296329B1 (en) * 2000-02-04 2007-11-20 Agere Systems Inc. Method of isolation for acoustic resonator device
DE10007577C1 (de) 2000-02-18 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Piezoresonator
US6785518B2 (en) 2001-02-16 2004-08-31 Analog Devices, Inc. Transmitter and receiver circuit for radio frequency signals
US6914493B2 (en) 2001-03-08 2005-07-05 Rf Monolithics, Inc. Noise resistant low phase noise, frequency tracking oscillators and methods of operating the same
US7174147B2 (en) 2001-04-11 2007-02-06 Kyocera Wireless Corp. Bandpass filter with tunable resonator
JP2002330001A (ja) 2001-05-02 2002-11-15 Murata Mfg Co Ltd 帯域通過型フィルタおよび通信装置
DE10147075A1 (de) 2001-09-25 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3846406B2 (ja) 2002-01-10 2006-11-15 株式会社村田製作所 電子部品、その製造方法、それを用いたフィルタおよびデュプレクサならびに電子通信機器
KR100442833B1 (ko) 2002-07-12 2004-08-02 삼성전자주식회사 이동통신시스템에 있어서 다중대역 무선주파수 수신방법및 장치
US7019734B2 (en) 2002-07-17 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Resistive touch sensor having microstructured conductive layer
US20040027030A1 (en) 2002-08-08 2004-02-12 Li-Peng Wang Manufacturing film bulk acoustic resonator filters
JP2004129238A (ja) 2002-09-10 2004-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 帯域阻止型フィルタ、フィルタ装置、アンテナ共用器、通信機器
US6879224B2 (en) 2002-09-12 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Integrated filter and impedance matching network
US7212789B2 (en) * 2002-12-30 2007-05-01 Motorola, Inc. Tunable duplexer
JP4134797B2 (ja) 2003-04-14 2008-08-20 株式会社デンソー ノッキング検出装置
DE10319554B4 (de) 2003-04-30 2018-05-09 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren
KR100584407B1 (ko) * 2003-06-30 2006-05-26 삼성전자주식회사 이동통신 시스템의 수신 전력 측정 장치 및 방법
JP4425051B2 (ja) * 2004-04-28 2010-03-03 株式会社日立国際電気 通信機
CN102497172A (zh) * 2004-10-29 2012-06-13 北电网络有限公司 带阻滤波器
US8229366B2 (en) 2005-04-08 2012-07-24 Qualcomm, Incorporated Tunable duplexer with common node notch filter
US7304533B2 (en) * 2005-04-15 2007-12-04 Microtune (Texas), L.P. Integrated channel filter using multiple resonant filters and method of operation
GB2457607B (en) 2005-04-18 2009-11-18 Avago Technologies General Ip Acoustically coupled resonators and method of making the same
JP2007036829A (ja) 2005-07-28 2007-02-08 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、フィルタ及び薄膜圧電共振器の製造方法
US7391286B2 (en) 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7612636B2 (en) 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
KR101238359B1 (ko) * 2006-02-06 2013-03-04 삼성전자주식회사 듀플렉서
DE102006022580B4 (de) 2006-05-15 2014-10-09 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
US7894779B2 (en) 2006-06-22 2011-02-22 Honeywell International Inc. Apparatus and method for transmitting and receiving multiple radio signals over a single antenna
EP2051377A4 (en) 2006-08-03 2012-03-28 Panasonic Corp FREQUENCY VARIABLE ACOUSTIC FILM RESONATOR, FILTER AND COMMUNICATION APPARATUS USING THE SAME
US7825745B1 (en) 2006-09-12 2010-11-02 Rf Magic Inc. Variable bandwidth tunable silicon duplexer
JP2008141655A (ja) 2006-12-05 2008-06-19 Alps Electric Co Ltd 可変同調回路及びテレビジョンチューナ
US20080152049A1 (en) 2006-12-08 2008-06-26 Texas Instruments Deutschland Gmbh Digital audio broadcast receiver
JP2008172711A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 薄膜バルク弾性波共振器およびフィルタおよびそれを用いた高周波モジュール
US20080240000A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Kidd Phillip Clifford System and method for radio operation in umts bands i and iv utilizing a single receiving port
US7535324B2 (en) 2007-06-15 2009-05-19 Avago Technologies Wireless Ip, Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structure and method for manufacturing a coupled resonator device
US8018303B2 (en) 2007-10-12 2011-09-13 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave device
US8209826B2 (en) 2008-04-28 2012-07-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for manufacturing a coupled resonator device
JP2009290365A (ja) 2008-05-27 2009-12-10 Panasonic Electric Works Co Ltd Ｂａｗ共振装置およびその製造方法
US8682260B1 (en) 2008-10-28 2014-03-25 Rf Micro Devices, Inc. Power amplifier with tunable bandpass and notch filter
US8385483B2 (en) 2008-11-11 2013-02-26 Isco International, Llc Self-adaptive digital RF bandpass and bandstop filter architecture
US8644197B2 (en) * 2008-12-24 2014-02-04 Hollinworth Fund, L.L.C. RF front-end module and antenna systems
US8204443B2 (en) * 2009-02-04 2012-06-19 Qualcomm Incorporated Adjustable receive filter responsive to internal radio status
US8755756B1 (en) * 2009-04-29 2014-06-17 Qualcomm Incorporated Active cancellation of interference in a wireless communication system
CN102725959B (zh) 2010-01-28 2016-05-25 株式会社村田制作所 可调谐滤波器
US8479363B2 (en) 2010-05-11 2013-07-09 Hao Zhang Methods for wafer level trimming of acoustically coupled resonator filter
US8674789B2 (en) 2010-07-07 2014-03-18 Wei Pang Serially connected first and second coupled resonator filters configured to provide at least one feedback capacitor
TWI430569B (zh) * 2010-10-11 2014-03-11 Richwave Technology Corp 體聲波共振元件與體聲波濾波器與製作體聲波共振元件的方法
JP5643056B2 (ja) * 2010-11-01 2014-12-17 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
CN103460611B (zh) * 2011-04-14 2015-08-19 株式会社村田制作所 高频前端电路
CN102324599B (zh) * 2011-05-27 2014-02-26 华南理工大学 具有恒定绝对带宽的平衡式射频电调带通滤波器
US9002309B2 (en) * 2011-05-27 2015-04-07 Qualcomm Incorporated Tunable multi-band receiver
US9172422B2 (en) 2011-07-24 2015-10-27 Ethertronics, Inc. Communication systems with enhanced isolation provision and optimized impedance matching
CN202160173U (zh) * 2011-08-23 2012-03-07 陕西凌云科技有限责任公司 接收机前端微带滤波器
US8923167B2 (en) 2011-09-27 2014-12-30 Google Technology Holdings LLC Communication device for simultaneous transmission by multiple transceivers
US9203451B2 (en) * 2011-12-14 2015-12-01 Infineon Technologies Ag System and method for an RF receiver
US9319208B2 (en) 2012-01-10 2016-04-19 Rf Micro Devices, Inc. RF duplexing device
CN102610879B (zh) * 2012-02-29 2014-06-11 南京航空航天大学 一种双频带通滤波器
US9312888B2 (en) 2012-06-29 2016-04-12 Qualcomm Incorporated Antenna interface circuits for carrier aggregation on multiple antennas
US9124355B2 (en) * 2012-08-22 2015-09-01 Google Technology Holdings LLC Tunable notch filtering in multi-transmit applications
US9240811B2 (en) * 2012-10-23 2016-01-19 Intel Deutschland Gmbh Switched duplexer front end
CN103023458A (zh) * 2012-11-13 2013-04-03 海能达通信股份有限公司 有源滤波器和双工器及无线通信设备
US9484887B2 (en) * 2012-11-28 2016-11-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Acoustic wave band reject filter
US9438288B2 (en) 2012-12-07 2016-09-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. System providing reduced intermodulation distortion
US9979531B2 (en) * 2013-01-03 2018-05-22 Google Technology Holdings LLC Method and apparatus for tuning a communication device for multi band operation
US20150236748A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
CN104113356B (zh) * 2013-04-19 2017-03-01 联发科技（新加坡）私人有限公司 无线通信单元、射频模块及调谐无线通信单元的方法
US9337991B2 (en) * 2013-04-19 2016-05-10 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Wireless communication unit, radio frequency module and method therefor
US9621327B2 (en) * 2013-09-17 2017-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to carrier aggregation front-end module applications
WO2015045538A1 (ja) 2013-09-26 2015-04-02 株式会社村田製作所 高周波パワーアンプ、高周波フロントエンド回路、無線通信装置
JP6187593B2 (ja) * 2013-09-26 2017-08-30 株式会社村田製作所 共振回路及び高周波フィルタ
US20150163747A1 (en) 2013-12-11 2015-06-11 Qualcomm Incorporated Common gate buffer having adjustable current consumption in a receiver
US9130532B2 (en) 2013-12-12 2015-09-08 Nokia Technologies Oy Tunable RF channel select filter
US9306603B2 (en) * 2014-01-24 2016-04-05 Qualcomm Incorporated Tunable radio frequency (RF) front-end architecture using filter having adjustable inductance and capacitance
CN106031076B (zh) * 2014-02-19 2020-03-06 南加利福尼亚大学 基于微型声谐振器的滤波器和双工器
US9762274B2 (en) 2014-05-29 2017-09-12 Qualcomm Incorporated Feedback receive path with RF filter
KR20150142201A (ko) * 2014-06-11 2015-12-22 엘지이노텍 주식회사 Rf 모듈
DE102014111909B3 (de) 2014-08-20 2016-02-04 Epcos Ag Abstimmbares HF-Filter mit Serienresonatoren
JP6216753B2 (ja) * 2014-09-16 2017-10-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. バンドローディングを低減するマルチバンドデバイス
US9941908B2 (en) * 2014-10-20 2018-04-10 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency filter
US9831899B1 (en) 2015-01-13 2017-11-28 Physical Optics Corporation Integrative software radio
US20170026031A1 (en) 2015-03-27 2017-01-26 Tdk Corporation Apparatus and methods for tunable notch filters
US10009054B2 (en) 2015-05-28 2018-06-26 Skyworks Solutions, Inc. Impedance matching integrous signal combiner
US9698839B2 (en) * 2015-05-29 2017-07-04 Qorvo Us, Inc. Tunable notch filter
US9614492B2 (en) 2015-06-14 2017-04-04 Roger W. Dickerson Ultra broadband network of fixed or switched frequency selective filters
KR20170022235A (ko) 2015-08-19 2017-03-02 (주)와이솔 캐리어 어그리게이션을 지원하는 필터 모듈 및 이를 포함한 전자 장치
JP6358238B2 (ja) * 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US10601655B2 (en) * 2015-12-04 2020-03-24 Skyworks Solutions, Inc. Dynamic multiplexer configuration process
US10141958B2 (en) * 2016-02-19 2018-11-27 Psemi Corporation Adaptive tuning network for combinable filters
US10141644B2 (en) * 2016-04-18 2018-11-27 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter for antennas
DE102016107658A1 (de) * 2016-04-25 2017-10-26 Infineon Technologies Ag Abstimmbares resonatorelement, filterschaltkreis und verfahren
CN106301274A (zh) * 2016-08-16 2017-01-04 宜确半导体（苏州）有限公司 一种带通滤波器
US10804583B2 (en) 2016-09-16 2020-10-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Magnetless non-reciprocal devices using modulated filters
US10158344B2 (en) 2017-01-13 2018-12-18 GM Global Technology Operations LLC Tunable bandpass filter
CN106877898B (zh) * 2017-03-30 2019-10-29 联想(北京)有限公司 一种载波聚合处理电路、信号处理方法及电子设备
CN107171674B (zh) * 2017-06-19 2020-06-16 Oppo广东移动通信有限公司 射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190067711A (ko) 2019-06-17
EP3496279B1 (en) 2023-07-12
US20190181837A1 (en) 2019-06-13
EP3496280A1 (en) 2019-06-12
US11245381B2 (en) 2022-02-08
EP3506501A3 (en) 2019-10-30
KR20190067706A (ko) 2019-06-17
US11018652B2 (en) 2021-05-25
US20190181839A1 (en) 2019-06-13
EP3506501B1 (en) 2021-06-09
US20190190490A1 (en) 2019-06-20
KR20190067710A (ko) 2019-06-17
EP3496284A1 (en) 2019-06-12
EP3506501A2 (en) 2019-07-03
EP3506499A2 (en) 2019-07-03
US20190181827A1 (en) 2019-06-13
US10965274B2 (en) 2021-03-30
KR20190067709A (ko) 2019-06-17
EP3506502A3 (en) 2019-10-30
US20190181834A1 (en) 2019-06-13
EP3496273A1 (en) 2019-06-12
CN110011635A (zh) 2019-07-12
US11012051B2 (en) 2021-05-18
CN109921808A (zh) 2019-06-21
US20190181907A1 (en) 2019-06-13
EP3506500A2 (en) 2019-07-03
US11005449B2 (en) 2021-05-11
KR20190067704A (ko) 2019-06-17
US20190181824A1 (en) 2019-06-13
KR20190067707A (ko) 2019-06-17
KR20190067705A (ko) 2019-06-17
CN110034777A (zh) 2019-07-19
KR20190067708A (ko) 2019-06-17
KR20190067715A (ko) 2019-06-17
EP3506500B1 (en) 2021-06-09
CN110011638A (zh) 2019-07-12
CN110022135A (zh) 2019-07-16
EP3496280B1 (en) 2021-06-09
EP3496281A1 (en) 2019-06-12
US10979021B2 (en) 2021-04-13
EP3496284B1 (en) 2021-09-29
CN110022160A (zh) 2019-07-16
CN110048735B (zh) 2023-02-14
US11005451B2 (en) 2021-05-11
CN109921808B (zh) 2022-06-03
US20190181825A1 (en) 2019-06-13
EP3506502A2 (en) 2019-07-03
EP3506500A3 (en) 2019-10-30
CN110034744A (zh) 2019-07-19
KR20190067713A (ko) 2019-06-17
US20190181835A1 (en) 2019-06-13
US11057018B2 (en) 2021-07-06
US10931262B2 (en) 2021-02-23
CN110034770A (zh) 2019-07-19
US20190181832A1 (en) 2019-06-13
EP3496279A1 (en) 2019-06-12
EP3496278A1 (en) 2019-06-12
EP3506499A3 (en) 2019-10-09
US10840887B2 (en) 2020-11-17
CN110048735A (zh) 2019-07-23
EP3506502B1 (en) 2021-06-09
CN110022160B (zh) 2022-07-05
EP3496278B1 (en) 2021-06-02
EP3506499B1 (en) 2023-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110011634A (zh) 声耦合谐振器陷波和带通滤波器
US9300038B2 (en) Method, system, and apparatus for resonator circuits and modulating resonators
US10840885B2 (en) Filter and method of designing an RF filter
CN106716828B (zh) 具有串联谐振器的可调谐hf滤波器
JP2017526205A (ja) Ｈｆフィルタ
US7319371B2 (en) Resonator filter structure having equal resonance frequencies
JP2017523643A (ja) 並列共振器を有するチューナブルｈｆフィルタ
KR100541895B1 (ko) 고주파 필터
KR20170121712A (ko) 튜닝 가능 공진기 소자, 필터 회로 및 방법
JPH07147503A (ja) 誘電体フィルタ
JP2004007352A (ja) 高周波フィルタおよび高周波フィルタ装置
JP6453912B2 (ja) デュプレクサ
US8686788B2 (en) Filter circuit
Bogner et al. All-Pass Based Filter Design Using BAW Resonators
CN111869113B (zh) 可调滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination