CN109994628A - 有机电致发光器件及有机电致发光器件的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，发光层中包括主体材料、辅助主体材料和荧光染料；主体材料是由电子供体材料和电子受体材料混合形成的激基复合物，所述辅助主体材料为热活化延迟荧光材料，所述激基复合物的单线态能级以及三线态能级均高于所述辅助主体材料的单线态能级以及三线态能级。上述的有机电致发光器件，由于以带隙窄的激基复合物作为主体材料，与染料和具有小ΔEST的辅助主体材料共掺杂，能够促进主体和辅助主体材料由三线态激子向单线态激子的反系间窜越，增强能量传递，降低了三线态激子淬灭，器件的效率滚降小、外量子效率高。

Description

有机电致发光器件及有机电致发光器件的制备方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
作为一种新型的平板显示技术，有机电致发光二极管(OLEDs，Organic LightEmitting Diods)多采用三明治结构，即将有机发光层夹在两侧电极之间。空穴和电子分别从阳极和阴极注入，并在有机层发光中传输，相遇之后复合形成激子，激子经荧光或磷光过程辐射跃迁回到基态并发光。由于OLED具有宽视角、超薄、响应快、发光效率高、可实现柔性显示等优点，在显示和照明领域有极大的应用前景，越来越受到人们的重视。
众所周知，在电激发下，激子一般由25％单线态激子和75％三线态激子的构成，对于荧光染料而言，受电子自旋禁阻的限制仅能利用25％的单线态激子，其余75％的三线态激子因无辐射跃迀而损失掉，所以一般荧光材料的有机电致发光器件内量子效率不超过25％。1998年报道了含有贵金属的磷光染料，通过旋轨耦合效应，使本来自旋受阻的三线态激子辐射跃迁产生磷光，获得磷光并最终制得磷光器件，其理论上内量子效率高达100％。目前效率最高的报道大多是基于磷光材料，由于磷光材料含有贵金属，价格昂贵且对环境有一定的危害，限制了其进一步的发展与应用。
2012年，日本九州大学的Adachi等人在《Nature》上报道了高效率的不含有金属的热活化延迟荧光(TADF)材料与器件。这类有机材料具有很小的单-三线态能级差(ΔEST)，三线态激子可以通过吸收环境热量，经历反向的系间蹿跃，有效地上转换为单线态激子进行发光，从而实现100％的内量子效率。这种材料能够同时结合荧光和磷光材料的优点，被称为第三代有机发光材料，引起了大家的广泛关注。
Hajime Nakanotani等人2014年在《Nature communications》上报道的一种有机电致发光器件中，以宽带隙材料作为主体材料，采用双掺杂体系。此类体系中有两种客体，其中一种客体是作为辅助主体的热活化延迟荧光(TADF)材料，另外一种客体是普通的荧光材料。其发光原理如图1所示：在电激发下，TADF材料中产生三线态T1和单线态S1激子，TADF材料具有小的ΔEST，三线态T1激子通过反系间窜跃(Reverse intersystem crossing，RISC)跃迁至单线态S1上。主体材料的单线态S1和三线态T1的能级明显高于TADF材料的单线态S1和三线态T1能级，阻止了能量由TADF材料的单线态S1向主体材料的三线态S1上的转移，而是以库仑作用(能量转移)将能量传递给荧光材料的单线态S1，最终由荧光材料单线态S1激子的辐射跃迁发出延迟荧光。上述的有机电致发光器件虽然能够增加TADF材料分子向荧光材料分子的能量转移，但是存在由主体材料的三线态T1向荧光材料分子三线态T1通过交换作用(Dexter能量转移)传递能量，导致器件发光效率受损；另一方面，由于主体材料的带隙较宽，导致器件有较高的驱动电压。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中有机电致发光器件的主体材料的宽带隙导致的驱动电压高，以及主体材料分子向发光染料分子的Dexter能量转移导致激子利用效率低的缺陷。
为此，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括发光层，所述发光层材料包括主体材料、辅助主体材料和荧光染料；
所述主体材料是由电子供体材料和电子受体材料混合形成的激基复合物，所述辅助主体材料为热活化延迟荧光材料，所述激基复合物的三线态能级高于所述辅助主体材料的单线态能级。
可选地，有机电致发光器件中，所述辅助主体材料的三线态能级高于荧光染料的单线态能级。
可选地，有机电致发光器件中，所述电子供体材料和所述电子受体材料的三线态能级均高于所述主体材料的三线态能级。
可选地，有机电致发光器件中，所述电子供体材料与所述电子受体材料的质量比为1:9-9:1。
可选地，有机电致发光器件中，所述辅助主体材料的掺杂比例(辅助主体材料质量与发光层总质量的比例)为5-80wt％，所述荧光染料的掺杂比例(荧光染料质量与发光层总质量的比例)为0.1-20wt％。
可选地，有机电致发光器件中，所述主体材料的单线态与三线态的能级差小于0.15eV。可选地，有机电致发光器件中，所述辅助主体材料的单线态与三线态的能级差小于0.3eV。
可选地，有机电致发光器件中，所述电子供体材料是含有三苯胺基、二苯胺基、咔唑基中至少一种基团的化合物。
可选地，有机电致发光器件中，所述电子供体材料具有如下所示结构：
可选地，有机电致发光器件中，所述电子受体材料是含有吡啶基、嘧啶、三嗪、咪唑、邻菲罗啉中至少一种基团的化合物。
可选地，有机电致发光器件中，所述电子受体材料具有如下所示结构：
可选地，有机电致发光器件中，所述热活化延迟荧光材料具有如下所示结构：
可选地，有机电致发光器件中，所述荧光染料具有如下所示结构：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：在基板上依次层叠制备阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；
其中，所述发光层是由电子供体材料、电子受体材料、具有热活化延迟荧光特性的辅助主体材料和荧光染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成；或者，
所述发光层是将电子供体材料和电子受体材料在同一蒸发源中预混后，再与具有热活化延迟荧光特性的辅助主体材料和染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成。
可选地，有机电致发光器件的制备方法中，当电子供体材料和电子受体材料在同一蒸发源中蒸镀时，所述电子供体材料和所述电子受体材料摩尔质量差的绝对值＜100g/mol，所述电子供体材料和所述电子受体材料的升华温度的温度差绝对值≤20℃。
本发明技术方案，具有如下优点：
1、本发明提供的有机电致发光器件，其发光层材料包括主体材料、辅助主体材料和荧光染料。主体材料是由电子供体材料和电子受体材料混合形成的激基复合物，电子供体材料具有相对较深的LUMO能级，电子受体材料具有相对较浅的HOMO能级，当电子供体材料和电子受体材料在形成激基复合物时，激基复合物的HOMO能级和LUMO能级分别来源于电子供体材料和电子受体材料，使激基复合物形成相对窄的带隙和小的单线态-三线态能级差ΔEST。因此，有利于实现主体材料三线态激子通过反系间穿越(RISC)跃迁为单线态激子，主体材料的三线态能级高于所述辅助主体材料的单线态能级，进而能够促进由主体材料S1向辅助主体材料S1和染料S1的能量转移，增加有效能量转移的数量，提高有机电致发光器件的效率。辅助主体材料为热活化延迟荧光材料(TADF)，其具有小的单线态-三线态能级差，不仅能够接受主体材料通过能量转移至S1的能量和通过短程的Dexter能量转移至T1的能量，还能够通过反系间穿越(RISC)使三线态激子上转化为单线态激子，进而通过能量转移至染料S1，最终由染料单线态激子辐射跃迁发出荧光，进一步提高了能量和单线态激子比例，同时抑制三线态激子，有效减少激子损失，提高器件发光效率。TADF作为辅助材料应与传输层材料HOMO，LUMO较匹配，避免载流子在荧光染料上直接复合。
同时，以激基复合物作为主体材料与辅助主体材料和荧光染料共掺杂形成的发光层，能够大大降低由主体材料T1向荧光染料T1的Dexter能量转移，避免由于荧光染料分子三线态激子能量过高导致的分子键断裂，抑制器件中的三线态-极化子淬灭(TPA)，从而提高器件寿命，使有机电致发光器件具有高外量子效率、低效率滚降和长的使用寿命，有利于器件长时间的高效使用。
另一方面，由于主体材料的带隙窄，使器件驱动电压降低，进一步提高了器件的使用寿命、节约能耗。
2、本发明提供的电子供体材料与所述电子受体材料的质量比，能够促进激发态下分子之间的相互作用，促进具有窄带隙的激基复合物的形成。
3、本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，其中发光层是由电子供体材料、电子受体材料、辅助主体材料(TADF)和荧光染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成；或者是将电子供体材料和电子受体材料在同一蒸发源中预混后，再与具有电子传输能力和空穴传输能力的辅助主体材料和染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成。
上述的制备方法通过三源或四源预混蒸镀，能够制备以激基复合物为主体材料，与辅助主体材料和染料共掺杂形成发光层，发光层材料均匀分散于电子传输层和空穴传输层之间，使有机电致发光器件具有高的发光效率和长的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为对比文件中有机电致发光器件的能级传递示意图；
图2是本发明实施例1中电子供体材料、电子受体材料以及两者混合物的荧光光谱(发射光谱)；
图3为本发明实施例1中有机电致发光器件一种结构示意图；
图4为本发明中有机电致发光器件的能级传递示意图；
图5是本发明实施例1～4和对比例1中有机电致发光器件的测试谱图；
附图标记说明：
图3：1-第一电极；
2-第二电极；
3-有机功能层；31-空穴传输层，311-第一空穴传输材料区，312-第二空穴传输材料区，313-第三空穴传输材料区；32发光层；33电子传输层；
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
实施例1
本实施例提供一种有机电致发光器件，包括发光层，发光层由主体材料、TADF辅助主体材料和荧光染料共掺杂形成，主体材料是由电子供体材料和电子受体材料混合形成的激基复合物。
电子供体材料具有如下所示的分子结构：
电子受体材料具有如下所示的分子结构：
如图2所示电子供体材料与电子受体材料的混合物光谱相比电子供体材料、电子受体材料的发射光谱明显红移，说明两者形成激基复合物。
TADF辅助主体材料(PXZ-DPS)具有如下所示的分子结构：
荧光染料(YH201)具有如下所示的分子结构：
其中，主体材料的S1能级和T1能级均高于TADF辅助主体材料的S1能级和T1能级，TADF辅助主体材料的S1能级和T1能级均高于荧光染料的S1能级和T1能级；电子供体材料和电子受体材料的S1和T1能级均高于激基复合物的S1和T1能级。
有机电致发光器件具有第一电极1、第二电极2以及位于第一电极1和第二电极2之间的有机功能层3。第一电极1为阳极，第二电极2为阴极，有机功能层3包括层叠设置的空穴传输层31、发光层32和电子传输层33。
作为一种可选地实施方式，如图3所示，有机电致发光器件中阳极选用ITO材料；空穴传输层31选用空穴传输型材料：4,4＇-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)]苯胺(简称：TAPC)和4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称：TCTA)，对应形成第一空穴传输材料区311和第二空穴传输材料区312的层叠结构；电子传输层33选用电子传输型材料4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉(简称：Bphen)；阴极选用电子注入材料LiF和阴极材料Al，形成电子注入层/金属层结构：LiF/Al。
有机电致发光器件中发光层主体材料是电子受体材料和电子供体材料以1:1的质量比混合形成的体相激基复合物，TADF辅助主体掺杂的质量比为30wt％，荧光染料掺杂的质量比为3wt％。有机致电发光器件形成如下具体结构：ITO/TAPC(30nm)/TCTA(10nm)/host(D1-A19 1:1):30wt％PXZ-DPS(TADF):3wt％YH201(F)/Bphen(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
上述有机电致发光器件的发光机理如图4所示：以体相激基复合物形成主体材料具有相对窄的带隙和小的单线态-三线态能级差ΔEST，在主体材料中复合的载流子能够通过反系间穿越(RISC)跃迁由三线态激子上转化为单线态激子，主体材料的三线态能级高于TADF辅助主体材料的单线态能级，进而能够促进由主体材料S1向辅助主体材料S1和荧光染料S1的能量转移，增加有效能量转移的数量，提高有机电致发光器件的效率。TADF辅助主体材料和HOMO能级和LUMO能级与传输层材料相适配，避免载流子直接复合在荧光荧光染料上。TADF辅助主体材料具有小的单线态-三线态能级差，不仅能够接受主体材料通过能量转移至S1的能量和通过短程的Dexter能量转移至T1的能量，还能够通过反系间穿越(RISC)使三线态激子上转化为单线态激子，进而通过能量转移至荧光染料S1，最终由荧光染料单线态激子辐射跃迁发出荧光，进一步提高了能量和单线态激子比例，抑制三线态激子，避免有机电致发光器件的效率滚降效应，器件的外量子效率提高，从而实现高的器件效率。
另外，以激基复合物作为主体材料，能够降低由主体材料T1向荧光染料T1的Dexter能量转移，避免由于荧光染料分子三线态激子能量过高导致的分子键断裂，抑制器件中的三线态-极化子淬灭(TPA)，从而提高器件寿命，实现器件长时间的高效使用。
实施例2
本实施例提供一种有机电致发光器件，有机电致发光器件的结构同实施例1，不同之处在于所形成激基复合物的电子供体材料具有D2所示结构，具体的器件结构如下有机致电发光器件形成如下具体结构：ITO/TAPC(30nm)/TCTA(10nm)/host(D2-A19 1:1):30wt％PXZ-DPS(TADF):3wt％YH201(F)/Bphen(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
实施例3
本实施例提供一种有机电致发光器件，有机电致发光器件的结构同实施例1，不同之处在于所形成激基复合物的电子受体材料具有A35所示结构，具体的器件结构如下有机致电发光器件形成如下具体结构：ITO/TAPC(30nm)/TCTA(10nm)/host(D1-A35 1:1):30wt％PXZ-DPS(TADF):3wt％YH201(F)/Bphen(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
实施例4
本实施例提供一种有机电致发光器件，有机电致发光器件的结构同实施例3，不同之处在于将所形成激基复合物的电子供体材料D1和电子受体材料A35两种材料放入同一个蒸发源进行预混，并且具体的器件结构如下有机致电发光器件形成如下具体结构：ITO/TAPC(30nm)/TCTA(10nm)/host(D1-A35 1:1):30wt％PXZ-DPS(TADF):3wt％YH201(F)/Bphen(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
实施例5本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D11所示结构，所述电子受体材料具有A10所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为1:9；所述热活化延迟荧光材料具有T1所示结构，TADF的掺杂比例为5wt％，所述荧光染料具有F12所示结构，荧光染料的掺杂比例为0.1wt％。器件性能：外量子效率为：19.5％；色坐标为：(0.50,0.50)。
实施例6本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D3所示结构，所述电子受体材料具有A26所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为9:1；所述热活化延迟荧光材料具有T5所示结构，TADF的掺杂比例为80wt％，所述荧光染料具有F5所示结构，荧光染料的掺杂比例为1wt％。器件性能：外量子效率为：15.8％；色坐标为：(0.36,0.57)。
实施例7本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D4所示结构，所述电子受体材料具有A3所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为1:3；所述热活化延迟荧光材料具有T17所示结构，TADF的掺杂比例为4wt％，所述荧光染料具有F7所示结构，荧光染料的掺杂比例为10wt％。器件性能：外量子效率为：16.2％；色坐标为：(0.36,0.57)。
实施例8本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D7所示结构，所述电子受体材料具有A7所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为4:1；所述热活化延迟荧光材料具有T31所示结构，TADF的掺杂比例为15wt％，所述荧光染料具有F6所示结构，荧光染料的掺杂比例为10wt％。器件性能：外量子效率为：17.8％；色坐标为：(0.37,0.58)。
实施例9本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D12所示结构，所述电子受体材料具有A16所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为1:5；所述热活化延迟荧光材料具有T50所示结构，TADF的掺杂比例为65wt％，所述荧光染料具有F9所示结构，荧光染料的掺杂比例为5wt％。器件性能：外量子效率为：15.1％；色坐标为：(0.44,0.55)。
实施例10本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D15所示结构，所述电子受体材料具有A17所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为2:1；所述热活化延迟荧光材料具有T66所示结构，TADF的掺杂比例为70wt％，所述荧光染料具有F10所示结构，荧光染料的掺杂比例为8wt％。器件性能：外量子效率为：14.6％；色坐标为：(0.43,0.55)。
实施例11本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D18所示结构，所述电子受体材料具有A21所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为1:8；所述热活化延迟荧光材料具有T70所示结构，TADF的掺杂比例为25wt％，所述荧光染料具有F19所示结构，荧光染料的掺杂比例为0.5wt％。器件性能：外量子效率为：13.8％；色坐标为：(0.59,0.41)。
实施例12本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D19所示结构，所述电子受体材料具有A32所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为3:1；所述热活化延迟荧光材料具有T76所示结构，TADF的掺杂比例为30wt％，所述荧光染料具有F20所示结构，荧光染料的掺杂比例为1wt％。器件性能：外量子效率为：13.5％；色坐标为：(0.59,0.40)。
实施例13本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例1的不同之处在于：所述电子供体材料具有D16所示结构，所述电子受体材料具有A33所示结构，电子供体材料与电子受体材料的质量比为6:1；所述热活化延迟荧光材料具有T99所示结构，TADF的掺杂比例为50wt％，所述荧光染料具有F11所示结构，荧光染料的掺杂比例为2wt％。器件性能：外量子效率为：14.2％；色坐标为：(0.49,0.50)。
以上实施例中，电子供体材料、电子受体材料、辅助主体材料和荧光染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成发光层；或者是将电子供体材料和电子受体材料在同一蒸发源中预混后，再与辅助主体材料和荧光染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成发光层。
作为可选地实施方式，以上实施例中电子供体材料可用具有D1-D19所示任一结构的电子供体材料替代。
作为可选地实施方式，以上实施例中电子受体材料可用具有A1-A35所示任一结构的电子受体材料替代。
作为可选地实施方式，以上实施例中热活化延迟荧光材料可用具有T1-T99所示任一结构的热活化延迟荧光材料替代。
作为可选地实施方式，以上实施例中荧光染料可用具有F1-F24所示任一结构的荧光染料替代。
作为可选地实施方式，以上实施例中电子供体材料与电子受体材料的质量比为可采用1:9-9:1范围内的任一比值。
作为可选地实施方式，以上实施例中TADF的掺杂比例可采用5-80wt％范围内任一比例。
作为可选地实施方式，以上实施例中荧光染料的掺杂比例可采用0.1-10wt％范围内任一比例。
对比例1
本对比例提供一种有机电致发光器件，其结构同实施例1，有机电致发光器件与实施例1中提供的有机电致发光器件区别仅在于：发光层中的主体材料选择宽带隙主体mCBP。mCBP具有如下所示结构：
测试例1
器件的电流、电压、亮度、发光光谱等特性采用PR 650光谱扫描亮度计和KeithleyK 2400数字源表系统同步测试。对实施例1-4和对比例1中的所提供的有机电致发光器件进行测试，结果如表1和图5所示，实施例1-4中所提供的器件的外量子效率(EQE)大于对比例1中的器件，效率滚降(roll-off)小于对比例1中的器件。
表1
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (15)

1.一种有机电致发光器件，包括发光层，其特征在于，所述发光层中包括主体材料、辅助主体材料和荧光染料；
所述主体材料是由电子供体材料和电子受体材料混合形成的激基复合物，所述辅助主体材料为热活化延迟荧光材料，所述激基复合物的三线态能级高于所述辅助主体材料的单线态能级。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述辅助主体材料的三线态能级高于荧光染料的单线态能级。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子供体材料和所述电子受体材料的三线态能级均高于所述主体材料的三线态能级。
4.根据权利要求1～3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子供体材料与所述电子受体材料的质量比为1:9-9:1。
5.根据权利要求1～3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述辅助主体材料的掺杂比例为5-80wt％，所述荧光染料的掺杂比例为0.1-10wt％。
6.根据权利要求1～3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的单线态与三线态的能级差小于0.15eV。
7.根据权利要求1～3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述辅助主体材料的单线态与三线态的能级差小于0.3eV。
8.根据权利要求1～3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子供体材料是含有三苯胺基、二苯胺基、咔唑基中至少一种基团的化合物。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子供体材料具有如下所示结构：
10.根据权利要求1～3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子受体材料是含有吡啶基、嘧啶、三嗪、咪唑、邻菲罗啉中至少一种基团的化合物。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子受体材料具有如下所示结构：
12.根据权利要求1～3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述热活化延迟荧光材料具有如下所示结构：
13.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述荧光染料具有如下所示结构：
14.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上依次层叠制备阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；
其中，所述发光层是由电子供体材料、电子受体材料、具有热活化延迟荧光特性的辅助主体材料和荧光染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成；或者，
所述发光层是将电子供体材料和电子受体材料在同一蒸发源中预混后，再与具有热活化延迟荧光特性的辅助主体材料和荧光染料，分别在不同的蒸发源中同时蒸镀形成。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，当电子供体材料和电子受体材料在同一蒸发源中蒸镀时，所述电子供体材料和所述电子受体材料摩尔质量差的绝对值＜100g/mol，所述电子供体材料和所述电子受体材料的升华温度的温度差绝对值≤20℃。
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TW107124196A TWI661031B (zh) 2017-12-29 2018-07-13 有機電致發光裝置及其製備方法
US16/680,518 US20200083460A1 (en) 2017-12-29 2019-11-12 Organic electroluminescent devices and preparation methods thereof

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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111162186A (zh) * 2019-12-30 2020-05-15 电子科技大学 基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件及其制备方法
CN111916570A (zh) * 2020-06-23 2020-11-10 华南理工大学 一种热活化延迟荧光敏化的荧光有机发光二极管及其制备方法
CN112054132A (zh) * 2020-09-01 2020-12-08 合肥工业大学 基于dmac-dps的激基复合物主体的绿磷光oled器件效率改善方法
CN112117388A (zh) * 2020-09-23 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示面板及显示装置
CN112271262A (zh) * 2020-10-26 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件、制备方法及显示面板
WO2021070797A1 (ja) * 2019-10-10 2021-04-15 国立大学法人九州大学 組成物および有機発光素子
CN112687812A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 乐金显示有限公司 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置
CN112687815A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 乐金显示有限公司 有机发光二极管和包括有机发光二极管的有机发光装置
WO2021131769A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
CN113461545A (zh) * 2021-07-22 2021-10-01 季华恒烨(佛山)电子材料有限公司 一种有机磷光组合物及其制备方法和应用
CN113789166A (zh) * 2021-09-26 2021-12-14 山东大学 一种荧光材料及制备方法和应用
WO2022088113A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 苏州大学 基于绿色热激活延迟荧光材料的掺杂电子器件及其制备方法
CN115305081A (zh) * 2022-08-26 2022-11-08 山东大学 一种三元激基复合物荧光材料及制备方法和应用
WO2023201651A1 (zh) * 2022-04-21 2023-10-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件、显示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200072546A (ko) 2017-11-02 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN109994626B (zh) * 2017-12-29 2021-04-02 中节能万润股份有限公司 有机发光复合材料以及包含其的有机发光器件
US11950497B2 (en) * 2018-03-07 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, organic compound, and lighting device
JP2019165101A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
JP2019165102A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
EP3696167A4 (en) 2018-07-27 2021-03-24 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. COMPOUND, MATERIAL FOR AN ORGANIC ELECTROLUMINESC ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESC ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
CN112654611B (zh) * 2018-10-17 2024-04-30 保土谷化学工业株式会社 具有嘧啶环结构的化合物及有机电致发光元件
KR20200096337A (ko) * 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102427666B1 (ko) * 2019-05-23 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
US20230095786A1 (en) * 2020-01-10 2023-03-30 Kyushu University, National University Corporation Light emitting material, delayed phosphor, organic light emitting diode, screen, display and method for producing display
KR20220042625A (ko) * 2020-09-28 2022-04-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 유기발광장치
CN113461682A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 西北工业大学 一种热致延迟荧光材料及其制备方法和应用

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105261706A (zh) * 2015-09-01 2016-01-20 华南理工大学 一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法
JP2016092320A (ja) * 2014-11-10 2016-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
CN105895811A (zh) * 2015-01-26 2016-08-24 北京维信诺科技有限公司 一种热活化敏化荧光有机电致发光器件
CN106103648A (zh) * 2014-03-13 2016-11-09 默克专利有限公司 发光化合物的配制物
CN106206958A (zh) * 2015-04-30 2016-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种白光有机电致发光器件
CN106206997A (zh) * 2015-04-29 2016-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN106920884A (zh) * 2015-12-25 2017-07-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件
CN106972111A (zh) * 2017-06-01 2017-07-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光器件和显示装置
US20170320855A1 (en) * 2016-05-09 2017-11-09 National Taiwan University Spiroacridine-Triazine Hybrids and Applications for Electroluminescent Devices
CN107492596A (zh) * 2017-07-14 2017-12-19 瑞声科技（南京）有限公司 一种发光器件及其显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0765106B1 (en) * 1995-09-25 2002-11-27 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
TWI307250B (en) * 2005-03-23 2009-03-01 Au Optronics Corp Organic electroluminescent device
WO2006117914A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20080074034A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Jou Jwo-Huei Organic Light Emitting Diode Device and Light Emitting Layer Manufacture Method Thereof
KR20090092114A (ko) * 2008-02-26 2009-08-31 삼성모바일디스플레이주식회사 초강산의 염을 포함하는 전자 주입층, 이를 포함하는광전변환 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP5509634B2 (ja) * 2009-03-16 2014-06-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
US20150141642A1 (en) * 2012-04-25 2015-05-21 Kyushu University National University Corporation Light-emitting material and organic light-emitting device
EP2875019B1 (de) * 2012-07-23 2017-03-29 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
TWI641603B (zh) * 2013-08-09 2018-11-21 Kyushu University, National University Corporation 有機金屬錯合物、發光材料、延遲螢光體及有機發光元件
CN103985822B (zh) * 2014-05-30 2017-05-10 广州华睿光电材料有限公司 有机混合物、包含其的组合物、有机电子器件及应用
CN106663743B (zh) * 2014-08-22 2018-08-28 夏普株式会社 有机电致发光元件及其制造方法以及发光方法
KR20160067629A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 서울대학교산학협력단 유기발광소자
CN107004778B (zh) * 2014-12-04 2019-12-20 广州华睿光电材料有限公司 有机混合物、包含其的组合物、有机电子器件及应用

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106103648A (zh) * 2014-03-13 2016-11-09 默克专利有限公司 发光化合物的配制物
JP2016092320A (ja) * 2014-11-10 2016-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
CN105895811A (zh) * 2015-01-26 2016-08-24 北京维信诺科技有限公司 一种热活化敏化荧光有机电致发光器件
CN106206997A (zh) * 2015-04-29 2016-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN106206958A (zh) * 2015-04-30 2016-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种白光有机电致发光器件
CN105261706A (zh) * 2015-09-01 2016-01-20 华南理工大学 一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法
CN106920884A (zh) * 2015-12-25 2017-07-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件
US20170320855A1 (en) * 2016-05-09 2017-11-09 National Taiwan University Spiroacridine-Triazine Hybrids and Applications for Electroluminescent Devices
CN106972111A (zh) * 2017-06-01 2017-07-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光器件和显示装置
CN107492596A (zh) * 2017-07-14 2017-12-19 瑞声科技（南京）有限公司 一种发光器件及其显示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BO ZHAO ET AL: "Highly efficient red OLEDs using DCJTB as the dopant and delayed fluorescent exciplex as the host", 《SCIENTIFIC REPORTS》 *
WOOK SONG ET AL: "High-power-efficiency hybrid white organic light-emitting diodes with a single emitting layer doped with blue delayed fluorescent and yellow phosphorescent emitters", 《JOURNAL OF PHYSICS D:APPLIED PHYSICS》 *

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021070797A1 (ja) * 2019-10-10 2021-04-15 国立大学法人九州大学 組成物および有機発光素子
CN114555755A (zh) * 2019-10-10 2022-05-27 国立大学法人九州大学 组合物及有机发光元件
JP7395136B2 (ja) 2019-10-10 2023-12-11 国立大学法人九州大学 組成物および有機発光素子
JP2021064641A (ja) * 2019-10-10 2021-04-22 国立大学法人九州大学 組成物および有機発光素子
CN112687815B (zh) * 2019-10-18 2024-03-15 乐金显示有限公司 有机发光二极管和包括有机发光二极管的有机发光装置
CN112687812A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 乐金显示有限公司 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置
CN112687815A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 乐金显示有限公司 有机发光二极管和包括有机发光二极管的有机发光装置
CN112687812B (zh) * 2019-10-18 2024-05-07 乐金显示有限公司 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置
US11864462B2 (en) 2019-10-18 2024-01-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same
WO2021131769A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
EP4083166A4 (en) * 2019-12-27 2024-01-24 NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd. MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
CN111162186A (zh) * 2019-12-30 2020-05-15 电子科技大学 基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件及其制备方法
CN111162186B (zh) * 2019-12-30 2021-05-28 电子科技大学 基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件及其制备方法
CN111916570B (zh) * 2020-06-23 2021-08-06 华南理工大学 一种tadf敏化的荧光有机发光二极管及其制备方法
CN111916570A (zh) * 2020-06-23 2020-11-10 华南理工大学 一种热活化延迟荧光敏化的荧光有机发光二极管及其制备方法
CN112054132A (zh) * 2020-09-01 2020-12-08 合肥工业大学 基于dmac-dps的激基复合物主体的绿磷光oled器件效率改善方法
CN112117388B (zh) * 2020-09-23 2023-10-24 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示面板及显示装置
CN112117388A (zh) * 2020-09-23 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示面板及显示装置
CN112271262B (zh) * 2020-10-26 2024-01-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件、制备方法及显示面板
CN112271262A (zh) * 2020-10-26 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件、制备方法及显示面板
WO2022088113A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 苏州大学 基于绿色热激活延迟荧光材料的掺杂电子器件及其制备方法
CN113461545B (zh) * 2021-07-22 2023-07-18 季华恒烨(佛山)电子材料有限公司 一种有机磷光组合物及其制备方法和应用
CN113461545A (zh) * 2021-07-22 2021-10-01 季华恒烨(佛山)电子材料有限公司 一种有机磷光组合物及其制备方法和应用
CN113789166A (zh) * 2021-09-26 2021-12-14 山东大学 一种荧光材料及制备方法和应用
WO2023201651A1 (zh) * 2022-04-21 2023-10-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件、显示装置
CN115305081A (zh) * 2022-08-26 2022-11-08 山东大学 一种三元激基复合物荧光材料及制备方法和应用
CN115305081B (zh) * 2022-08-26 2024-04-05 山东大学 一种三元激基复合物荧光材料及制备方法和应用

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