CN112271262A - 有机发光器件、制备方法及显示面板 - Google Patents
有机发光器件、制备方法及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112271262A CN112271262A CN202011156775.XA CN202011156775A CN112271262A CN 112271262 A CN112271262 A CN 112271262A CN 202011156775 A CN202011156775 A CN 202011156775A CN 112271262 A CN112271262 A CN 112271262A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- layer
- fluorescent dopant
- homo
- lumo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 310
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 97
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 66
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 63
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 21
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- RXXVCHIRRGNGCO-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-12h-quinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 RXXVCHIRRGNGCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000473 manganese(VI) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- -1 p-dimethylaminostyryl Chemical group 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XOFYZVNMUHMLCC-ZPOLXVRWSA-N prednisone Chemical compound O=C1C=C[C@]2(C)[C@H]3C(=O)C[C@](C)([C@@](CC4)(O)C(=O)CO)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 XOFYZVNMUHMLCC-ZPOLXVRWSA-N 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
- H10K50/121—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants for assisting energy transfer, e.g. sensitization
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本说明书实施例提供一种有机发光器件、制备方法及显示面板。具体地，所述有机发光器件包括：p型基质层、n型基质层以及位于两者之间的中间层；所述p型基质层和所述n型基质层两者中至少一者中设置有荧光掺杂剂，所述荧光掺杂剂靠近所述中间层且与所述中间层具有预设距离；所述p型基质层和所述n型基质层，被配置为在电作用下与所述中间层之间形成空间分离的激基复合物；所述荧光掺杂剂，被配置为获取所述激基复合物产生的单线态激子的能量并发光。本说说明书的技术方案，能够扩大激基复合物形成的激子的分布区域，有效降低因激子过于集中造成的激子淬灭和效率滚降。
Description
技术领域
本说明书实施例涉及有机电致发光显示技术领域，尤其涉及一种有机发光器件、制备方法及显示面板。
背景技术
热活化延迟荧光(Thermally-Activated Delayed Fluorescence，简写TADF)技术作为具有应用潜力的OLED技术，近年来获得较快发展，被誉为第三代OLED技术。其中TADF型界面激基复合物(n型+p型)作基质(Host)是第三代OLED技术开发的重点，该技术通过延迟荧光效应收集～100％的单线态激子(S1)并传递给掺杂剂，达到IQE值的理论突破。目前，TADF型界面激基复合物作基质仍面临严重的效率滚降问题，阻碍其发展。
发明内容
有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种有机发光器件、制备方法及显示面板，以降低TADF型界面激基复合物作基质时的效率滚降，提高能量利用率。
基于上述目的，本说明书的第一方面，提供了一种有机发光器件，包括：p型基质层、n型基质层以及位于两者之间的中间层；
所述p型基质层和所述n型基质层两者中至少一者中设置有荧光掺杂剂，所述荧光掺杂剂靠近所述中间层且与所述中间层具有预设距离；
所述p型基质层和所述n型基质层，被配置为在电作用下与所述中间层之间形成空间分离的激基复合物；
所述荧光掺杂剂，被配置为获取所述激基复合物产生的单线态激子的能量并发光。
进一步地，所述中间层的厚度为1.0nm～20.0nm。
进一步地，所述中间层的材料选自电子和空穴传输平衡的双极性材料。
进一步地，所述p型基质层中的p型基质材料包括咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、芳香胺、芴中的一者或多者。
进一步地，所述n型基质层中的n型基质材料包括吖嗪衍生物；所述吖嗪衍生物的取代基选自二苯并杂原子五元环、芴、苯环、联苯中的一者或多者。
进一步地，所述p型基质层中的p型基质材料和所述n型基质层中的n型基质材料制备的混合膜层的光致发光光谱和所述荧光掺杂剂的紫外吸收光谱的重叠面积大于等于50％。
进一步地，所述预设距离的范围是3.0nm～10.0nm。
进一步地，所述荧光掺杂剂形成掺杂区或荧光层中的至少一者。
进一步地，所述荧光层的厚度为0.1～1.5nm。
进一步地，所述p型基质层中的p型基质、所述n型基质层中的n型基质、所述中间层的材料和所述荧光掺杂剂的能级满足如下条件：
|HOMO|(n型)-|LUMO|(p型)≥4ev，
|HOMO|(p型)-|LUMO|(n型)≤3ev，
|HOMO|(p型&n型)≤|HOMO|(荧光掺杂剂)，
|LUMO|(荧光掺杂剂)≤|LUMO|(p型&n型)，
|HOMO|(p型)＜|HOMO|(中间层)＜|HOMO|(n型)，
|LUMO|(p型)＜|LUMO|(中间层)＜|LUMO|(n型)，
S1(荧光掺杂剂)＜S1(p型&n型)以及
T1(荧光掺杂剂)＜T1(p型&n型)；
其中，|HOMO|(n型)对应n型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(n型)对应n型基质材料的LUMO能级；
|HOMO|(p型)对应p型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(p型)对应p型基质材料的LUMO能级；
|HOMO|(中间层)对应中间层材料的HOMO能级，|LUMO|(中间层)对应中间层材料的LUMO能级；
|HOMO|(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的HOMO能级，|LUMO|(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的LUMO能级；
|HOMO|(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的HOMO能级；
|LUMO|(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的LUMO能级；
S1(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的单线态激子的能量；
T1(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的三线态激子的能量；
S1(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的单线态激子的能量；
T1(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的三线态激子的能量。
本说明书的第二方面，还提供了一种有机发光器件的制备方法；具体包括如下步骤：
提供一基板；
在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层；
其中，所述p型基质层和所述n型基质层中的至少一者中设置荧光掺杂剂；所述荧光掺杂剂靠近所述中间层且与所述中间层具有预设距离；
其中，所述p型基质层和所述n型基质层，被配置为在电作用下与所述中间层之间形成空间分离的激基复合物；
所述荧光掺杂剂，被配置为获取所述激基复合物产生的单线态激子的能量并发光。
进一步地，所述在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层的步骤，包括：
在所述基板上形成包括荧光掺杂剂的p型基质第一子层；
在所述p型基质第一子层上形成p型基质第二子层；
在所述p型基质第二子层上形成所述中间层。
进一步地，所述在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层的步骤，包括：
在所述中间层上形成n型基质第二子层；
在所述n型基质第二子层上形成包括荧光掺杂剂的n型基质第一子层。
进一步地，所述p型基质第一子层或所述n型基质第一子层中的荧光掺杂剂形成掺杂区或荧光层。
进一步地，所述荧光层的厚度为0.1～1.5nm。
进一步地，所述p型基质第二子层的厚度与所述预设距离相匹配；和/或
所述n型基质第二子层的厚度与所述预设距离相匹配。
进一步地，所述中间层的厚度为1.0nm～20.0nm。
本说明书的第三方面，还提供一种显示面板，其包括前述任一所述的有机发光器件。
从上面所述可以看出，本说明书一个或多个实施例提供的有机发光器件、制备方法及显示面板，通过在所述p型基质层和所述n型基质层之间设置中间层，使得在电作用下所述p型基质层、所述n型基质层和所述中间层之间形成空间分离的激基复合物，扩大激基复合物形成的激子的分布区域，有效降低因激子过于集中造成的激子淬灭和效率滚降。此外，利用空间距离减小激基复合物产生的三线态激子和单线态激子间的能极差△Est，从而促进三线态激子反隙间穿越(Reverse Intersystem Crossing，简写RISC)至单线态激子，提高激子利用率。通过设置位于所述p型基质层和/或所述n型基质层中的荧光掺杂剂靠近所述中间层并与所述中间层具有预设距离，实现激子形成区和能量释放区(即发光区域)的有效分离，避免荧光掺杂剂直接捕获激子造成能量损失。由此，通过设置中间层并设定所述荧光掺杂剂的位置，降低有机发光器件的效率滚降，提高有机发光器件的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本说明书提供的现有技术中有机发光器件的一种结构示意图；
图2为本说明书一个或多个实施例提供的有机发光器件的一种结构示意图；
图3为本说明书一个或多个实施例提供的有机发光器件的另一种结构示意图；
图4为本说明书一个或多个实施例提供的有机发光器件的电致发光机制示意图；
图5为本说明书一个或多个实施例提供的有机发光器件的一种制备方法的流程示意图；
图6为本说明书一个或多个实施例提供的有机发光器件的另一种制备方法的流程示意图；
图7为本说明书一个或多个实施例提供的有机发光器件的又一种制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
现有技术中，请参阅图1所示，TADF型界面激基复合物作基质(Host)的有机发光器件通常包括阳极101、空穴传输层(HIL,Hole Tranport Layer)102、p型基质层103、n型基质层104、电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)105以及阴极106。这样的结构中，所述p型基质层103和所述n型基质层104直接接触，导致诸多问题，例如：激子过于集中在p型基质层103和n型基质层104相互接触的界面处造成器件效率滚降；掺杂剂均匀掺杂导致激子产生区和能量释放区(对应发光区域)无法有效分开，使得掺杂剂直接捕获激子，存在Dexter能量损失，进而导致整个有机发光器件的效率的进一步降低。
基于此，在本说明书的第一方面提供一种有机发光器件。
请参阅图2和图3，所述有机发光器件，具体包括p型基质层204和n型基质层206以及位于两者之间的中间层205；所述p型基质层204和所述n型基质层206两者中至少一者中设置有荧光掺杂剂，所述荧光掺杂剂靠近所述中间层205且与所述中间层205具有预设距离；
所述p型基质层204和所述n型基质层206，被配置为在电作用下与所述中间层205之间形成空间分离的激基复合物；
所述荧光掺杂剂，被配置为获取所述激基复合物产生的单线态激子的能量并发光。
需要说明的是，所述p型基质层204包括p型基质材料，所述p型基质材料作为激基复合物的给体且能够传输空穴；所述n型基质层206包括n型基质材料，所述n型基质材料作为激基复合物的受体且能够传输电子。
由此可见，通过在所述p型基质层和所述n型基质层之间设置中间层，使得在电作用下所述p型基质层、所述n型基质层和所述中间层之间形成空间分离的激基复合物，扩大激基复合物形成的激子的分布区域，有效降低因激子过于集中造成的激子淬灭和效率滚降。此外，利用空间距离减小激基复合物产生的三线态激子和单线态激子间的能极差△Est，从而促进三线态激子反隙间穿越(Reverse Intersystem Crossing，简写RISC)至单线态激子，提高激子利用率。通过设置位于所述p型基质层和/或所述n型基质层中的荧光掺杂剂靠近所述中间层并与所述中间层具有预设距离，实现激子形成区和能量释放区(即发光区域)的有效分离，避免荧光掺杂剂直接捕获载流子造成能量损失。由此，通过设置中间层并设定所述荧光掺杂剂的位置，降低有机发光器件的效率滚降，提高有机发光器件的效率。
这里结合图4，对本说明书一个或多个实施例中所述有机发光器件的电致发光机制说明如下：在电作用下所述p型基质层和所述n型基质层与所述中间层之间形成空间分离的激基复合物。通常激基复合物形成的单线态激子和三线态激子之间的能极差较小，使得三线态激子(T1)能够通过反隙间窜越(RISC)上转换到单线态激子(S1)。又本实施例中的空间分离的激基复合物给体和受体之间存在空间距离，进一步缩小了单线态激子和三线态激子之间能级差，更加有利于三线态激子(T1)上转换至单线态激子(S1)，从而达到激子的能量以单线态激子的形式得到接近100％的收集。进一步地，所述荧光掺杂剂获取前述单线态激子的能量实现发光。
虽然所述激基复合物形成的单线态激子和三线态激子之间的能极差随着给体和受体之间的距离的增加而减小，但是当所述中间层的厚度超过所述激基复合物中空穴、电子对的长程耦合距离时，则难以形成有效的激基复合物，进而无法将施加的电能转化为稳定的光能。
由此，作为一个可选的实施例，所述中间层(Interlayer)的厚度为1.0nm～20.0nm。通过设置中间层的厚度，能够保障有效形成空间分离的激基复合物同时尽量扩大所述激基复合物中受体和给体之间的空间距离，从而有效降低所述激基复合物形成的单线态激子和三线态激子之间的能极差，提高三线态激子上转为单线态激子的比例，进而提高有机发光器件的能量的利用效率。
可选的，所述厚度可以是1.0nm、1.5nm、1.6nm、2.1nm、2.5nm、3.0nm、4.0nm、5.0nm、5.2nm、5.3nm、6.0nm、7.0nm、8.4nm、9.1nm、10.0nm、12.0nm、14.0nm、17.0nm、18.7nm或20.0nm。
作为一个可选的实施例，所述中间层的厚度为3.0nm～10.0nm。
需要说明的是，本领域技术人员根据所述激基复合物中空穴、电子对的长程耦合距离，能够合理确定所述中间层的厚度，这里不做具体的限定。
作为一个可选的实施例，所述中间层的材料选自电子和空穴传输平衡的双极性材料。
需要说明的是，本领域技术人员能够根据所述荧光掺杂剂的具体位置，选择所述中间层的材料满足的能级要求。
示例性的，所述荧光掺杂剂位于所述p型基质层，则所述中间层的材料的能级满足如下条件：|LUMO|(中间层)-|LUMO|(p型)≥0.4ev，|HOMO|(中间层)-|HOMO|(p型)≥0.2ev；|LUMO|(n型)-|LUMO|(中间层)≥0.2e，|HOMO|(n型)-|HOMO|(中间层)≥0.4ev。
示例性的，所述荧光掺杂剂位于所述n型基质层，则所述中间层的材料的能级满足如下条件：|LUMO|(中间层)-|LUMO|(p型)≥0.2ev，|HOMO|(中间层)-|HOMO|(p型)≥0.4ev；|LUMO|(n型)-|LUMO|(中间层)≥0.4ev，|HOMO|(n型)-|HOMO|(中间层)≥0.2ev。
应当理解的是，HOMO是指最高占据能级；LUMO是指最低未占据能级。具体地，|HOMO|(n型)对应n型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(n型)对应n型基质材料的LUMO能级；|HOMO|(p型)对应p型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(p型)对应p型基质材料的LUMO能级；|HOMO|(中间层)对应中间层材料的HOMO能级，|LUMO|(中间层)对应中间层材料的LUMO能级。
通过这样的设置，所述中间层基于能级差异可以避免载流子漂移至相反的层，起到阻挡激子的作用。
示例性的，所述中间层的材料选自咔唑-吖嗪衍生物；其中，所述咔唑-吖嗪衍生物中的取代基选自二苯并杂原子五元环、芴中的一者。
作为一个可选的实施例，所述p型基质层中的p型基质材料包括咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、芳香胺、芴中的一者或多者。
作为一个可选的实施例，所述n型基质层中的n型基质材料包括吖嗪衍生物；所述吖嗪衍生物的取代基选自二苯并杂原子五元环、芴、苯环、联苯中的一者或多者。
这里，通过选择中间层的材料、激基复合物的给体材料和受体材料，有利于实现空穴和电子的均衡分布，避免载流子分布不平衡以及由此引发的载流子淬灭，有利于提高所述有机发光器件的发光效率。
本说明书一个或多个实施例，所述p型基质层中的p型基质材料和所述n型基质层中的n型基质材料制备的混合膜层的光致发光光谱(Photoluminescence Spectroscopy，简称PL)和所述荧光掺杂剂的紫外吸收光谱的重叠面积大于等于50％。
通过这样的技术方案，能够保障所述激基复合物形成的激子有效转移给所述荧光掺杂剂，避免激子的浪费。
需要说明的是，重叠面积的比例越高越有利于保障所述有机发光器件的性能。示例性的，所述重叠面积可以是50％、60％、76％、80％、83％、90％、95％等。
这里，所述荧光掺杂剂(Fluorescence Dopant，缩写FD)的具体材料满足本说明书一个或多个实施例的要求即可，这里不对所述荧光掺杂剂的材料做具体限定。
示例性的，所述荧光掺杂剂选自芘、甲基喹吖啶(MQA)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、红荧烯或4-二氰亚甲基-2-甲基-6-(p-二甲基胺苯乙烯)H-吡喃(DCM)。应当理解的，本领域技术人员能够根据有机发光器件的颜色需求对所述荧光掺杂剂剂的材料进行合理选择，这里不做具体限定。
作为一个可选的实施例，所述预设距离的范围是3.0nm～10.0nm。通过预设距离的设置，能够确保所述单线态激子的能量通过
能量转移机制传递给荧光掺杂剂发光而不是通过Dexter能量转移机制传递能量，从而有效降低Dexter能量转移机制的能量损失和三线态-三线态湮灭(Triplet-Triplet Annihilation，简写TTA)。
可选的，所述预设距离的范围可以是4.0nm～9.5nm、4.5nm～9.0nm、5.0nm～9.0nm、5.0nm～10.0nm、5.5nm～8.0nm、6.0nm～7.0nm等。示例性的，所述预设距离可以是3.0nm、4.0nm、5.0nm、5.2nm、5.3nm、6.0nm、7.0nm、8.4nm、9.1nm和10.0nm。
需要说明的是，本领域技术人员根据荧光掺杂剂和所述激基复合物的分子间的偶极作用距离，能够合理确定所述预设距离，这里不做具体的限定。
本说明书一个或多个实施例中，所述荧光掺杂剂形成掺杂区或荧光层中的至少一者。
需要说明的是，所述掺杂区通过在所述p型基质材料和/或所述n型基质材料中掺入一定浓度的荧光掺杂剂形成。
可选地，所述掺杂区的厚度为3.0nm～30.0nm。示例性的，所述掺杂区的厚度为3.0nm、5.0nm、5.3nm、10.0nm、20.0nm或30.0nm。
可选地，所述荧光掺杂剂的掺杂浓度为5％-20％。示例性的，所述掺杂浓度可以是5％、7％、10％、13％、17％或20％。
需要说明的是，所述荧光层是指所述荧光掺杂剂在所述p型基质层和/或所述n型基质层中形成单独的荧光层。本说明书实施例提供不同的掺杂方式，本领域技术人员可以根据需求设备、控制精度等的要求进行选择。
可选地，所述荧光层的厚度为0.1nm～1.5nm。示例性的，所述荧光层的厚度为0.1nm、0.2nm、0.3nm、0.6nm、0.8nm、1.1nm、1.4nm或1.5nm。
在本说明书一个或多个实施例中，所述p型基质层中的p型基质材料、所述n型基质层中的n型基质材料、所述中间层的材料和所述荧光掺杂剂的能级满足如下条件：
|HOMO|(n型)-|LUMO|(p型)≥4ev，
|HOMO|(p型)-|LUMO|(n型)≤3ev，
|HOMO|(p型&n型)≤|HOMO|(荧光掺杂剂)，
|LUMO|(荧光掺杂剂)≤|LUMO|(p型&n型)，
|HOMO|(p型)＜|HOMO|(中间层)＜|HOMO|(n型)，
|LUMO|(p型)＜|LUMO|(中间层)＜|LUMO|(n型)，
S1(荧光掺杂剂)＜S1(p型&n型)以及
T1(荧光掺杂剂)＜T1(p型&n型)；
其中，|HOMO|(n型)对应n型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(n型)对应n型基质材料的LUMO能级；
|HOMO|(p型)对应p型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(p型)对应p型基质材料的LUMO能级；
|HOMO|(中间层)对应中间层材料的HOMO能级，|LUMO|(中间层)对应中间层材料的LUMO能级；
|HOMO|(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的HOMO能级，|LUMO|(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的LUMO能级；
|HOMO|(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的HOMO能级；
|LUMO|(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的LUMO能级；
S1(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的单线态激子的能量；
T1(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的三线态激子的能量；
S1(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的单线态激子的能量；
T1(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的三线态激子的能量。
通过限定中间层材料、n型基质材料和p型基质材料的能级，有利于形成激基复合物、扩大激子的分布区域；通过限定荧光掺杂剂、激基复合物的能级以及单线态激子和三线态激子的能量关系，可以确保所述激基复合物产生的单线态激子能够转移给所述荧光掺杂剂，实现能量的有效转移。
在本说明书一个或多个实施例中，请参阅图2和图3，所述有机发光器件还包括依次设置于所述p型基质层204背离所述中间层205一侧的空穴传输层203、空穴注入层202和阳极201，以及依次设置于所述n型基质层206背离所述中间层205一侧的电子传输层207、电子注入层208和阴极209。
应当理解的是，所述阳极201和所述阴极209用于施加驱动电压，实现对所述有机发光器件的电驱动。所述空穴注入层202用于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。
可选地，所述阳极201的材料选自高功函数的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，厚度在80.0nm～200.0nm。可选地，所述阳极在可见光区的平均反射率参考值为85％～95％。
可选地，所述空穴注入层202的厚度为5.0nm～20.0nm。示例性地，所述空穴注入层的厚度是5.0nm、6.0nm、9.5nm、12.3nm、15.8nm或20.0nm。
可选地，所述空穴注入层202的材料选自HATCN，CuPc，NPB:F4TCNQ,TAPC:MnO3中的一者或多者。
可选地，所述空穴传输层203的材料选自空穴迁移率较高的材料。这里不做具体限定。
可选地，所述空穴传输层203的厚度为100.0nm～140.0nm。示例性的，所述空穴传输层203的厚度为100.0nm、120.0nm、125.0nm、135.0nm或140.0nm。
可选地，所述电子传输层207的材料包括TmPyPB、TmPyTZ、B3PYMPM、TBBi、Bphen、PO-T2T中的一者或多者。可选地，所述电子传输层207的厚度为20.0nm～100.0nm。示例性的，所述电子传输层207的厚度为20.0nm、24.0nm、33.0nm、40.0nm、48.0nm、51.0nm、57.0nm、60.0nm、85.0nm或100.0nm。
可选地，所述电子注入层208的材料包括CsCO3、PEI+ZnO、ZnO+K2CO3、ZnO+PEIE:Liq中的一者或多者。可选地，所述电子注入层208的厚度为0.5nm～5.0nm。示例性的，所述电子注入层208的厚度为0.5nm、1.0nm、1.8nm、2.2nm、3.0nm、4.1nm或5.0nm。
这里，所述电子传输层207和所述电子注入层208均可以通过真空蒸镀制备，这里不做具体限定。
可选地，所述阴极可以蒸镀Mg、Ag、Al膜制备；也可采用诸如Mg:Ag的合金制备，可选的，Mg:Ag比例在3：7～1：9之间调节。
需要说明的是，对于顶发射型有机发光器件和底发射型有机发光器件，其阴极209存在差异。
示例性的，当所述有机发光器件对应顶发射结构，所述阴极的厚度为10.0nm～20.0nm。所述阴极的金属膜层在530nm处透过率参考范围为50％～60％。示例性的，当所述有机发光器件对应底发射结构，所述阴极的厚度不小于80.0nm、以保证良好的反射率。
作为一个可选的实施例，所述有机发光器件还包括覆盖层2010和封装层2011。所述覆盖层2010(Capping Layer，简写CPL)和所述封装层2011设置于所述阴极209背离所述电子注入层208的一侧。
可选地，所述覆盖层2010通过蒸镀50.0nm～80.0nm有机小分子材料形成。可选地，所述覆盖层的材料在460nm折射率应大于1.8。
可选地，所述封装层2011可采用胶框封装，也可以采用薄膜封装，这里不作具体限定。
在本说明书的第二方面，还提供一种有机发光器件的制备方法。请参阅图5，所述制备方法包括如下步骤：
步骤501：提供一基板。
需要说明的是，所述基板包括阳极和空穴传输层。
需要说明的是，所述阳极设置于BP基板上。可选地，所述BP基板依次放入丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，然后置于烘箱中烘干备用。
可选地，所述阳极通过在真空室中将阳极材料溅镀于所述BP基本上制备得到。
可选地，所述空穴传输层通过真空蒸镀制备得到。
在一些可选的实施例中，所述基板还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层和所述阳极之间。可选地，所述空穴注入层通过蒸镀工艺制备得到。
步骤502：在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层。
其中，所述p型基质层和所述n型基质层中的至少一者中设置荧光掺杂剂；所述荧光掺杂剂靠近所述中间层且与所述中间层具有预设距离；
其中，所述p型基质层和所述n型基质层，被配置为在电作用下与所述中间层之间形成空间分离的激基复合物；
所述荧光掺杂剂，被配置为获取所述激基复合物产生的单线态激子的能量并发光。
需要说明的是，所述p型基质层设置于所述基板背离所述阳极一侧。
需要说明的是，所述p型基质层、所述中间层和所述n型基质层的材料如前所述，这里不再赘述。
需要说明的是，所述中间层的厚度如前所述，这里不再赘述。可选地，所述中间层通过真空蒸镀制备。
在一些可选的实施例中，所述p型基质层的厚度为3.0nm～60.0nm。示例性的，所述p型基质层的厚度为3.0nm、5.0nm、13.0nm、25.0nm、30.0nm、32.5nm、46.0nm、50.0nm、55.0nm或60.0nm。
在一些可选的实施例中，所述p型基质层通过真空蒸镀制备。
在一些可选的实施例中，所述n型基质层的厚度为3.0nm～60.0nm。示例性的，所述p型基质层的厚度为3.0nm、5.0nm、14.0nm、28.0nm、30.0nm、32.5nm、46.0nm、51.0nm、55.0nm或60.0nm。
在一些可选的实施例中，所述n型基质层通过真空蒸镀制备。
通过这样的制备方法，能够获得前述任一项所述的有机发光器件，工艺操作性强，便于实施。
本说明书一个或多个实施例中，如图6和图2所示，所述在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层的步骤，包括：
步骤601：在所述基板上形成包括荧光掺杂剂的p型基质第一子层2041。
需要说明的是，所述荧光掺杂剂位于所述p型基质第一子层背离所述基板一侧，以保证所述荧光掺杂剂靠近所述中间层。
步骤602：在所述p型基质第一子层2041上形成p型基质第二子层2042。
可选地，所述p型基质第二子层2042的厚度与所述预设距离相匹配。
步骤603：在所述p型基质第二子层上形成所述中间层。
通过这样的方式制备所述有机发光器件，能够对所述荧光掺杂剂和所述中间层的距离进行精确的控制，工艺的精度高。
本说明书一个或多个实施例中，如图7和图3所示，所述在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层的步骤，包括：
步骤701：在所述中间层上形成n型基质第二子层2062。
可选地，所述n型基质第二子层2062的厚度与所述预设距离相匹配。
步骤702：在所述n型基质第二子层2062上形成包括荧光掺杂剂的n型基质第一子层2061。
需要说明的是，所述荧光掺杂剂位于靠近所述中间层一侧。
通过这样的方式制备所述有机发光器件，能够对所述荧光掺杂剂和所述中间层的距离进行精确的控制，工艺的精度高。
作为一个可选的实施例，所述p型基质第一子层或所述n型基质第一子层中的荧光掺杂剂形成掺杂区或荧光层。
可选地，所述掺杂区通过荧光掺杂剂和p型基质材料(或n型基质材料)共同真空蒸镀制备得到。
可选地，所述荧光层通过低速率真空蒸镀方法制备。进一步地，利用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,简称SEM)观察所述荧光层的结构，其微观形貌呈现不连续岛状结构。可选地，所述荧光层的厚度为0.1～1.5nm。
在本说明书的第三方面，还提供一种显示面板。所述显示面板包括前述任一所述的有机发光器件。本领域技术人员能够理解的，由于所述显示面板包括前述任一所述的有机发光器件，因此相应具有前述有机发光器件的优势，这里不再赘述。
为进一步证明本说明书提供的有机发光器件的性能，以下结合具体实施例进行说明。
实施例1：顶发射掺杂有机发光器件
具体结构如下：ITO/HIL(10nm)/HTL(90nm)/p型基质材料(15nm)+p型基质材料(20nm):FD(10％)+p型基质材料(5nm)/Interlayer(x nm)/n型基质材料(40nm)/ETL(50nm)/EIL(3nm)/Mg:Ag。这里，x代表Interlayer的厚度。其中，x＝1nm，4nm或8nm。
实施例2：顶发射掺杂有机发光器件
具体结构如下：ITO/HIL(10nm)/HTL(90nm)/p型基质材料(40nm)/Interlayer(xnm)/n型基质材料(5nm)+n型基质材料(20nm):FD(10％)+n型基质材料(15nm)/ETL(50nm)/EIL(3nm)/Mg:Ag。这里，x代表Interlayer的厚度。其中，x＝1nm，4nm，8nm。
实施例3：顶发射非掺杂有机发光器件
具体结构如下：ITO/HIL(10nm)/HTL(90nm)/p型基质材料(40nm)/Interlayer(4nm)/n型基质材料(5nm)+荧光层(y nm)+n型基质材料(35nm)/ETL(50nm)/EIL(3nm)/Mg:Ag。这里，y代表因荧光层的厚度。其中，y＝0.2nm，0.5nm，1.0nm。
对比例1：顶发射无中间层掺杂有机发光器件
具体结构如下：ITO/HIL(10nm)/HTL(90nm)/p型基质材料(15nm)+p型基质材料(20nm):FD(10％)+p型基质材料(5nm)/n型基质材料(40nm)/ETL(50nm)/EIL(3nm)/Mg:Ag。
对比例2：顶发射有中间层均匀掺杂有机发光器件
具体结构如下：ITO/HIL(10nm)/HTL(90nm)/p型基质材料：FD(40nm,10％)/interlayer(1nm)/n型基质材料:FD(40nm,10％)/ETL(50nm)/EIL(3nm)/Mg:Ag。
对比例3：顶发射无中间层非掺杂有机发光器件
具体结构如下：ITO/HIL(10nm)/HTL(90nm)/p型基质材料(40nm)/n型基质材料(5nm)+荧光层(0.5nm)+n型基质材料(35nm)/ETL(50nm)/EIL(3nm)/Mg:Ag。
对各实施例和对比例制备得到的有机发光器件的阳极和阴极之间通入电压使得所述有机发光器件发光并测量CIE值、效率。
将实施例1中Interlayer为4nm的有机发光器件(D2)的实际数据作为100％标准值，计算实施例1中其他有机发光器件、实施例2中有机发光器件、对比例1的有机发光器件以及对比例2的有机发光器件相对于D2的效率以及效率滚降，其结果如表1所示。
表1
从表1的实验数据可以看出，在顶发射掺杂有机发光器件中，具有中间层(Interlayer)结构的实施例1和2相比于没有中间层的对比例1显示出更优异的效率和更小的效率滚降，电压存在可接受的小幅上升；表明中间层能够扩大激子分布区域并起到阻挡激子的作用。实施例1中的三个有机发光器件进行比较，实施例2中的三个有机发光器件进行比较，能够看出中间层厚度为4nm时具有最佳性能，表明该厚度处于较佳优化区间，能够更好的平衡空穴-电子间的长程耦合作用以及激子间的能极差△Est。进一步地，将实施例1、实施例2和对比例2进行比较，能够看出相对于非均匀掺杂的实施例1和实施例2，均匀掺杂的对比例2具有更大的效率滚降。由此可见，通过设置荧光掺杂剂和所述中间层具有预设的距离，能够将激子产生与能量释放区进行有效的分离，避免荧光掺杂剂直接捕获载流子从而避免非辐射三线态激子，进而降低有机发光器件的效率滚降。
将实施例3中荧光层为0.5nm的有机发光器件(D8)的实际数据作为100％标准值，计算实施例3中其他有机发光器件、对比例3的有机发光器件相对于D8的效率以及效率滚降，其结果如表2所示。
表2
从表2的实验数据可以看出，在顶发射非掺杂有机发光器件中，具有中间层(Interlayer)结构的实施例3相比于没有中间层的对比例3显示出更优异的效率和更小的效率滚降，电压存在可接受的小幅上升；表明中间层能够扩大激子分布区域并起到阻挡激子的作用。此外，实施例3中的三个有机发光器件进行比较，能够看出荧光层的厚度同样影响效率滚降，当0.5nm时有机发光器件具有最佳性能，表明该厚度时处于最佳优化区间。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (18)
1.一种有机发光器件，其特征在于，包括：p型基质层、n型基质层以及位于两者之间的中间层；
所述p型基质层和所述n型基质层两者中至少一者中设置有荧光掺杂剂，所述荧光掺杂剂靠近所述中间层且与所述中间层具有预设距离；
所述p型基质层和所述n型基质层，被配置为在电作用下与所述中间层之间形成空间分离的激基复合物；
所述荧光掺杂剂，被配置为获取所述激基复合物产生的单线态激子的能量并发光。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述中间层的厚度为1.0nm～20.0nm。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述中间层的材料选自电子和空穴传输平衡的双极性材料。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述p型基质层中的p型基质材料包括咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、芳香胺、芴中的一者或多者。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述n型基质层中的n型基质材料包括吖嗪衍生物；所述吖嗪衍生物的取代基选自二苯并杂原子五元环、芴、苯环、联苯中的一者或多者。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述p型基质层中的p型基质材料和所述n型基质层中的n型基质材料制备的混合膜层的光致发光光谱和所述荧光掺杂剂的紫外吸收光谱的重叠面积大于等于50％。
7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述预设距离的范围是3.0nm～10.0nm。
8.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述荧光掺杂剂形成掺杂区或荧光层中的至少一者。
9.根据权利要求8所述的有机发光器件，其特征在于，所述荧光层的厚度为0.1～1.5nm。
10.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述p型基质层中的p型基质、所述n型基质层中的n型基质、所述中间层的材料和所述荧光掺杂剂的能级满足如下条件：
|HOMO|(n型)-|LUMO|(p型)≥4ev，
|HOMO|(p型)-|LUMO|(n型)≤3ev，
|HOMO|(p型&n型)≤|HOMO|(荧光掺杂剂)，
|LUMO|(荧光掺杂剂)≤|LUMO|(p型&n型)，
|HOMO|(p型)＜|HOMO|(中间层)＜|HOMO|(n型)，
|LUMO|(p型)＜|LUMO|(中间层)＜|LUMO|(n型)，
S1(荧光掺杂剂)＜S1(p型&n型)以及
T1(荧光掺杂剂)＜T1(p型&n型)；
其中，|HOMO|(n型)对应n型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(n型)对应n型基质材料的LUMO能级；
|HOMO|(p型)对应p型基质材料的HOMO能级，|LUMO|(p型)对应p型基质材料的LUMO能级；
|HOMO|(中间层)对应中间层材料的HOMO能级，|LUMO|(中间层)对应中间层材料的LUMO能级；
|HOMO|(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的HOMO能级，|LUMO|(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的LUMO能级；
|HOMO|(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的HOMO能级；
|LUMO|(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的LUMO能级；
S1(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的单线态激子的能量；
T1(荧光掺杂剂)对应荧光掺杂剂的三线态激子的能量；
S1(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的单线态激子的能量；
T1(p型&n型)对应n型基质材料和p型基质材料形成的激基复合物的三线态激子的能量。
11.一种有机发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基板；
在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层；
其中，所述p型基质层和所述n型基质层中的至少一者中设置荧光掺杂剂；所述荧光掺杂剂靠近所述中间层且与所述中间层具有预设距离；
其中，所述p型基质层和所述n型基质层，被配置为在电作用下与所述中间层之间形成空间分离的激基复合物；
所述荧光掺杂剂，被配置为获取所述激基复合物产生的单线态激子的能量并发光。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层的步骤，包括：
在所述基板上形成包括荧光掺杂剂的p型基质第一子层；
在所述p型基质第一子层上形成p型基质第二子层；
在所述p型基质第二子层上形成所述中间层。
13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上依次形成p型基质层、中间层和n型基质层的步骤，包括：
在所述中间层上形成n型基质第二子层；
在所述n型基质第二子层上形成包括荧光掺杂剂的n型基质第一子层。
14.根据权利要求12或13所述的制备方法，其特征在于，所述p型基质第一子层或所述n型基质第一子层中的荧光掺杂剂形成掺杂区或荧光层。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述荧光层的厚度为0.1～1.5nm。
16.根据权利要求12或13所述的制备方法，其特征在于，所述p型基质第二子层的厚度与所述预设距离相匹配；和/或
所述n型基质第二子层的厚度与所述预设距离相匹配。
17.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述中间层的厚度为1.0nm～20.0nm。
18.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～10任一项所述的有机发光器件。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011156775.XA CN112271262B (zh) | 2020-10-26 | 2020-10-26 | 有机发光器件、制备方法及显示面板 |
| US17/509,788 US20220131101A1 (en) | 2020-10-26 | 2021-10-25 | Organic light emitting device, method of manufacturing same, and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011156775.XA CN112271262B (zh) | 2020-10-26 | 2020-10-26 | 有机发光器件、制备方法及显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112271262A true CN112271262A (zh) | 2021-01-26 |
| CN112271262B CN112271262B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=74342392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011156775.XA Active CN112271262B (zh) | 2020-10-26 | 2020-10-26 | 有机发光器件、制备方法及显示面板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220131101A1 (zh) |
| CN (1) | CN112271262B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022205947A1 (zh) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发绿光的发光器件、发光基板和发光装置 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101460434A (zh) * | 2006-06-02 | 2009-06-17 | 默克专利有限公司 | 用于有机电致发光器件的新材料 |
| CN101584057A (zh) * | 2006-10-27 | 2009-11-18 | 南加利福尼亚大学 | 用于发白光oled的单重态和三重态激子的有效捕获的材料和构造 |
| CN103715360A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、显示装置 |
| CN105810846A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| CN107408634A (zh) * | 2015-02-17 | 2017-11-28 | 首尔大学校产学协力团 | 包括基质、磷光掺杂剂和荧光掺杂剂的有机发光装置 |
| CN109216416A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和包括其的显示装置 |
| CN109713166A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-05-03 | 苏州大学 | 一种高效荧光有机发光二极管及其制备方法 |
| CN109830612A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-31 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 有机电致发光器件 |
| CN109994628A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 昆山国显光电有限公司 | 有机电致发光器件及有机电致发光器件的制备方法 |
| CN110010775A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-07-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光装置及使用其的有机发光显示装置 |
| CN111312911A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和具有其的有机发光装置 |
-
2020
- 2020-10-26 CN CN202011156775.XA patent/CN112271262B/zh active Active
-
2021
- 2021-10-25 US US17/509,788 patent/US20220131101A1/en active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101460434A (zh) * | 2006-06-02 | 2009-06-17 | 默克专利有限公司 | 用于有机电致发光器件的新材料 |
| US20090184313A1 (en) * | 2006-06-02 | 2009-07-23 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
| CN101584057A (zh) * | 2006-10-27 | 2009-11-18 | 南加利福尼亚大学 | 用于发白光oled的单重态和三重态激子的有效捕获的材料和构造 |
| CN103715360A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、显示装置 |
| CN105810846A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| CN107408634A (zh) * | 2015-02-17 | 2017-11-28 | 首尔大学校产学协力团 | 包括基质、磷光掺杂剂和荧光掺杂剂的有机发光装置 |
| CN109216416A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和包括其的显示装置 |
| CN110010775A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-07-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光装置及使用其的有机发光显示装置 |
| CN109994628A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 昆山国显光电有限公司 | 有机电致发光器件及有机电致发光器件的制备方法 |
| CN111312911A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和具有其的有机发光装置 |
| CN109713166A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-05-03 | 苏州大学 | 一种高效荧光有机发光二极管及其制备方法 |
| CN109830612A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-31 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 有机电致发光器件 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022205947A1 (zh) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发绿光的发光器件、发光基板和发光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220131101A1 (en) | 2022-04-28 |
| CN112271262B (zh) | 2024-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3499598B1 (en) | Organic light-emitting diode and preparation method thereof, and display device | |
| EP2086032B1 (en) | Organic light emitting devices | |
| TWI640532B (zh) | Phosphorescent organic electroluminescent device | |
| EP1913798B1 (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing the same | |
| EP1986473B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP6060361B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| TW200935639A (en) | Organic EL device | |
| KR20150063026A (ko) | 저전압 구동 유기발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| WO2013174104A1 (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| US9911939B2 (en) | Organic light emitting display device having 2 stack structure and a metal oxide | |
| WO2014019295A1 (zh) | 白色有机电致发光器件及其制造方法 | |
| CN111883680A (zh) | 有机电致发光器件和显示装置 | |
| WO2017216557A1 (en) | Methods for the production of organic electronic devices | |
| CN102315391B (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN111200076A (zh) | 具有内部光提取结构的有机发光器件及其制备方法 | |
| KR20090009252A (ko) | 발광 구성요소 | |
| CN112271262B (zh) | 有机发光器件、制备方法及显示面板 | |
| KR20160094525A (ko) | 유기 발광 소자와 그 제조 방법 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| CN116803233A (zh) | 薄层电阻组件 | |
| Ju et al. | Quantum dot light-emitting diodes employing phosphorescent organic molecules as double emission layers | |
| KR20150018716A (ko) | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100721947B1 (ko) | 다수의 발광층을 구비하는 유기 전계 발광 소자 | |
| CN100448051C (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| KR102325066B1 (ko) | 나노 구조체를 포함하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| CN104183733A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |