CN109963825A - 耐腐蚀组件和制造方法 - Google Patents

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    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
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    • C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
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    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
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    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
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    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
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    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
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    • C04B2235/6567—Treatment time
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    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
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    • C04B2235/721—Carbon content
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    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
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    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/785—Submicron sized grains, i.e. from 0,1 to 1 micron
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    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
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    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/788—Aspect ratio of the grains
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    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
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    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
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    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
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    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
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    • C04B2235/9646—Optical properties
    • C04B2235/9661—Colour
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    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
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    • C04B2235/9692—Acid, alkali or halogen resistance
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    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
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    • C04B2237/04—Ceramic interlayers
    • C04B2237/06—Oxidic interlayers
    • C04B2237/062—Oxidic interlayers based on silica or silicates
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    • C04B2237/04—Ceramic interlayers
    • C04B2237/06—Oxidic interlayers
    • C04B2237/064—Oxidic interlayers based on alumina or aluminates
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    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/122—Metallic interlayers based on refractory metals
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    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
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    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/341—Silica or silicates
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    • C04B2237/34—Oxidic
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Abstract

一种配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；和，c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。还公开了制造方法。

Description

耐腐蚀组件和制造方法
相关申请的交叉引用
本国际专利申请要求2016年11月16日提交的美国专利申请序列No.15/353,429的优先权和权益，将其通过引用以其整体并入本文中以用于所有意图。
技术领域
总而言之，本公开涉及用于器材例如半导体的加工的耐腐蚀组件，并且涉及这样的耐腐蚀组件的制造方法。
背景技术
半导体的加工频繁地牵涉与强的电和磁场相伴的腐蚀气体例如卤素。腐蚀环境和强的电/磁场的这种组合产生对于耐腐蚀绝缘体的需要。普遍认同的是，对于这样的应用的大多数耐腐蚀绝缘材料为稀土化合物例如氧化钇(也称为“钇土”)。遗憾的是，稀土化合物趋于既是昂贵的又在机械上是弱的。因此，业界趋于在较不昂贵的绝缘体如氧化铝上使用稀土化合物涂层。
对于所述绝缘体，已经使用几种不同的涂覆方法。物理气相沉积(PVD)涂覆已经被使用。这些方法具有这样的缺陷：对于大于10μm厚度的施加，其是昂贵的。厚的致密层由于沉积态涂层中的内部应力趋于层裂。已知，制成的抗应变的厚的PVD涂层包含在晶体之间的缝隙(裂纹)，其产生使粒子脱落的可能。用于涂覆应用的化学气相沉积(CVD)已经被使用，但是其遭遇类似的缺陷。高速率沉积趋于产生在晶粒之间的缝隙。通过CVD制成的较致密的涂层以如下晶粒度为特征：其趋于是小的，典型地小于100nm。气溶胶沉积已经被使用并且其也遭受成本限制和制造不层裂的厚涂层的无能为力。热等离子体喷涂是在半导体器材工业中使用最广泛的涂覆技术，但是其无法制造孔隙率小于1％的稀土涂层，并因此倾向于粒子脱落。此外，等离子体喷涂涂层经常包含高密度的微裂纹(典型地大于100/mm2)，并且其与孔隙率一起导致粒子脱落。
在半导体工业中陶瓷盖体通常在用于蚀刻的感应等离子体和感应线圈之间插入。由于以上概述的原因，蚀刻和沉积器材中环绕晶片夹和其它腔部件的绝缘环需要是耐腐蚀的并且稳定的。
半导体器材工业中的另一个需要是对于耐高温腐蚀的晶片(晶圆)加热器。这些需要通过本发明的耐腐蚀组件和组装体得以解决。
发明内容
这些和其它需要通过本公开的多个方面、实施方式和配置得以解决。
本公开的实施方式包括配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和b)与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层，所述耐腐蚀无孔层具有包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成；和，所述耐腐蚀无孔层以基本上不含微裂纹和缝隙并且具有至少约100nm且至多约100μm平均晶粒度的微观结构为特征。
根据段落[0008]的耐腐蚀组件，其中陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。
根据任一段落[0008]或[0009]的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
根据段落[0008]-[0010]任一个的耐腐蚀组件，其中所述耐腐蚀无孔层粘附到陶瓷绝缘基底，并且所述耐腐蚀无孔层具有：至多1％的孔隙率；至少20MPa的粘附强度；和至少50μm的厚度。
根据段落[0008]-[0011]任一个的耐腐蚀组件，其中所述耐腐蚀无孔层具有：至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；至少100μm的厚度；和，至少约300nm且至多约30μm的平均晶粒度。
根据段落[0008]-[0012]任一个的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底为氧化铝并且所述稀土化合物为三价稀土氧化物。
根据段落[0008]-[0013]任一个的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底为氮化铝并且所述耐腐蚀无孔层为稀土硅酸盐。
根据段落[0008]-[0014]任一个的耐腐蚀组件，其中所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体并且具有小于1x 10-4损耗角正切。
根据段落[0008]-[0015]任一个的耐腐蚀组件，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层。
根据段落[0008]-[0016]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料，所述至少一个插入层进一步包括加入到选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料的烧结助剂。
根据段落[0008]-[0017]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)并且将烧结助剂以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到所述氧化镱。
根据段落[0008]-[0018]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层包括导电材料。
根据段落[0008]-[0019]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括绝缘材料。
根据段落[0008]-[0020]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层粘附到所述耐腐蚀无孔层和所述陶瓷绝缘基底两者，并且所述耐腐蚀无孔层具有：至多1％的孔隙率；至少20MPa的粘附强度；和，至少50μm的厚度。
本公开的实施方式还包括配置成与半导体加工反应器一起使用的生坯叠层体，所述生坯叠层体包括：选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物的生坯烧结性材料的第一层；选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合的生坯烧结性材料的第二层；和，其中在所述生坯叠层体的热处理时，所述第二层具有至多1％的孔隙率和至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒度。
根据段落[0022]的生坯叠层体，其中在生坯叠层体的热处理时，所述第二层具有至多0.5％的孔隙率和至少约300nm且至多约30μm的平均晶粒度。
根据任一段落[0022]或[0023]的生坯叠层体，其进一步包括在第一和第二层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层包括选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的生坯烧结性材料。
根据段落[0022]-[0024]任一个的生坯叠层体，其中所述热处理选自热压和热等静压。
本公开的实施方式还包括配置成在制作半导体芯片中使用的组装体，所述组装体包括：反应器；和，包括陶瓷绝缘基底和与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀无孔层具有包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成并且以基本上不含微裂纹和缝隙的微观结构为特征，并具有：至少50μm的厚度；至多1％的孔隙率；和，至少100nm且至多100μm的平均晶粒度。
根据段落[0026]的组装体，其中所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。
根据任一段落[0026]或[0027]的组装体，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物及其两种或更多种的组合。
根据段落[0026]-[0028]任一个的组装体，其中所述耐腐蚀无孔层粘附到陶瓷绝缘基底并且具有至少20MPa的粘附强度。
根据段落[0026]-[0029]任一个的组装体，其中所述耐腐蚀无孔层具有：至少100μm的厚度；至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；和，至少约300nm且至多约30μm的平均晶粒度。
根据段落[0026]-[0030]任一个的组装体，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层。
根据段落[0026]-[0031]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料，所述至少一个插入层进一步包括加入到选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料的烧结助剂。
根据段落[0026]-[0032]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)并且将烧结助剂以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到所述氧化镱。
根据段落[0026]-[0033]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层包括导电材料。
根据段落[0026]-[0034]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层进一步包括绝缘材料。
根据段落[0026]-[0035]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层选自氧化镱(Yb2O3)、钼(Mo)、钨(W)、二硅化钼(MoSi2)、碳化钨(WC)、二硅化钨(WSi2)、及其两种或更多种的混合物。
根据段落[0026]-[0036]任一个的组装体，其中所述反应器配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器并且所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x 10-4的损耗角正切。
根据段落[0026]-[0037]任一个的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。
根据段落[0026]-[0038]任一个的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并所述耐腐蚀组件为顶喷(莲蓬头)。
根据段落[0026]-[0039]任一个的组装体，其中所述基底进一步包括包埋在其中的至少一个插入导电层，所述导电层具有至多10兆欧-cm的薄层电阻率和相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的热膨胀系数至多4x10-6/K的热膨胀系数差。
本公开的实施方式还包括配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和，b)与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层，所述耐腐蚀无孔层具有包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成；和，所述耐腐蚀无孔层以不含微裂纹和缝隙的微观结构为特征，并且具有至少100nm且至多100μm的平均晶粒度。
根据段落[0041]的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。
根据任一段落[0041]或[0042]的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
根据段落[0041]-[0043]任一个的耐腐蚀组件，其中所述耐腐蚀无孔层粘附到所述陶瓷绝缘基底，并且所述耐腐蚀无孔层具有：至多1％的孔隙率；至少20MPa的粘附强度；和，至少50μm的厚度。
根据段落[0041]-[0044]任一个的耐腐蚀组件，其中所述耐腐蚀无孔层具有：至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；至少100μm的厚度；和，至少300nm且至多30μm的平均晶粒度。
根据段落[0041]-[0045]任一个的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底为氧化铝并且所述稀土化合物为三价稀土氧化物。
根据段落[0041]-[0046]任一个的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底为氮化铝并且所述耐腐蚀无孔层为稀土硅酸盐。
根据段落[0041]-[0047]任一个的耐腐蚀组件，其中所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸地接合的盖体并且具有小于1x10-4的损耗角正切。
根据段落[0041]-[0048]任一个的耐腐蚀组件，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层。
根据段落[0041]-[0049]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料，所述至少一个插入层进一步包括加入到选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料的烧结助剂。
根据段落[0041]-[0050]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)并且将烧结助剂以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到所述氧化镱。
根据段落[0041]-[0051]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层包含导电材料。
根据段落[0041]-[0052]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括绝缘材料。
根据段落[0041]-[0053]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层粘附到耐腐蚀无孔层和陶瓷绝缘基底两者，并且所述耐腐蚀无孔层具有：至多1％的孔隙率；至少20MPa的粘附强度；和，至少50μm的厚度。
本公开的实施方式还包括配置成与半导体加工反应器一起使用的生坯叠层体，所述生坯叠层体包括：选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物的生坯烧结性材料的第一层；选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合的生坯烧结性材料的第二层；和，其中在生坯叠层体的热处理时，所述第二层具有至多1％的孔隙率和至少100nm且至多100μm的平均晶粒度。
根据段落[0055]的生坯叠层体，其中在生坯叠层体的热处理时，所述第二层具有至多0.5％的孔隙率和至少300nm且至多30μm的平均晶粒度。
根据任一段落[0055]或[0056]的生坯叠层体，其进一步包括在第一和第二层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层包括选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的生坯烧结性材料。
根据段落[0055]-[0057]任一个的生坯叠层体，其中所述热处理选自热压和热等静压。
本公开的实施方式还包括配置成在制作半导体芯片中使用的组装体，所述组装体包括：反应器；和，包括陶瓷绝缘基底和与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀无孔层具有包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成并且以不含微裂纹和缝隙的微观结构为特征，并具有：至少50μm的厚度；至多1％的孔隙率；和，至少100nm且至多100μm的平均晶粒度。
根据段落[0059]的组装体，其中所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。
根据任一段落[0059]或[0060]的组装体，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
根据段落[0059]-[0061]任一个的组装体，其中所述耐腐蚀无孔层粘附到所述陶瓷绝缘基底并且具有至少20MPa的粘附强度。
根据段落[0059]-[0062]任一个的组装体，其中所述耐腐蚀无孔层具有：至少100μm的厚度；至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；和，至少300nm且至多30μm的平均晶粒度。
根据段落[0059]-[0063]任一个的组装体，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层。
根据段落[0059]-[0064]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料，所述至少一个插入层进一步包括烧结助剂，其加入到选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
根据段落[0059]-[0065]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)并且将烧结助剂以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到所述氧化镱。
根据段落[0059]-[0066]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层包含导电材料。
根据段落[0059]-[0067]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层进一步包括绝缘材料。
根据段落[0059]-[0068]任一个的组装体，其中所述至少一个插入层选自氧化镱(Yb2O3)、钼(Mo)、钨(W)、二硅化钼(MoSi2)、碳化钨(WC)、二硅化钨(WSi2)、及其两种或更多种的混合物。
根据段落[0059]-[0069]任一个的组装体，其中所述反应器配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器并且所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x 10-4的损耗角正切。
根据段落[0059]-[0070]任一个的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场(原位)清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。
根据段落[0059]-[0071]任一个的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为顶喷。
根据段落[0059]-[0072]任一个的组装体，其中所述基底进一步包括包埋在其中的至少一个插入导电层，所述导电层具有至多10兆欧-cm的薄层电阻率和相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的热膨胀系数至多4x10-6/K的热膨胀系数差。
本公开的实施方式包括用于制备与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件的方法，其包括：铺放包括至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的较薄层(基于较薄层的总重量)和烧结性基底材料的较厚层以形成预叠层体；和，热处理所述预叠层体以形成包括耐腐蚀无孔最外层的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀无孔最外层以不含微裂纹和缝隙的微观结构为特征且具有至少100nm且至多100μm的平均晶粒度。
根据段落[0074]的方法，其中热处理选自热压和热等静压。
根据任一段落[0074]或[0075]的方法，其中所述烧结性基底材料选自氧化铝、氮化铝、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。
根据段落[0074]-[0076]任一个的方法，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物及其两种或更多种的组合。
根据段落[0074]-[0077]任一个的方法，其中所述烧结性基底材料为氧化铝并且所述稀土化合物为三价稀土氧化物。
根据段落[0074]-[0078]任一个的方法，其中所述烧结性基底材料为氮化铝并且所述稀土化合物为稀土硅酸盐。
根据段落[0074]-[0079]任一个的方法，其中所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸地接合的盖体。
根据段落[0074]-[0080]任一个的方法，其中所述盖体具有小于1x10-3的损耗角正切。
根据段落[0074]-[0081]任一个的方法，其中所述盖体具有小于1x10-4的损耗角正切。
根据段落[0074]-[0082]任一个的方法，其进一步包括在热处理之前铺放在稀土化合物较薄层和基底材料较厚层之间插入的至少一种(个)另外的烧结性粉末组合物(组成)层。
根据段落[0074]-[0083]任一个的方法，其中所述至少一种另外的烧结性粉末组合物包括具有相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔最外层的热膨胀系数至多4x 10-6/K的热膨胀系数差的化合物或金属。
根据段落[0074]-[0084]任一个的方法，其中所述至少一种另外的烧结性粉末组合物包括选自氧化镱(Yb2O3)、钼(Mo)、钨(W)、铌(Nb)、二硅化钼(MoSi2)、碳化钨(WC)、二硅化钨(WSi2)、碳化钛(TiC)、氮化钛(TiN)、及其两种或更多种的混合物的化合物、金属间化合物或金属。
根据段落[0074]-[0085]任一个的方法，其中所述至少一种另外的烧结性粉末组合物进一步包括选自氧化铝、氮化铝、铝酸盐、硅酸盐、及其两种或更多种的混合物的绝缘材料。
根据段落[0074]-[0086]任一个的方法，其中所述至少一种另外的烧结性粉末组合物为氧化镱(Yb2O3)。
根据段落[0074]-[0087]任一个的方法，其中所述至少一种另外的烧结性粉末组合物包括导电材料。
根据段落[0074]-[0088]任一个的方法，其中所述至少一种另外的烧结性粉末组合物进一步包括绝缘材料。
根据段落[0074]-[0089]任一个的方法，其中所述半导体加工反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。
根据段落[0074]-[0090]任一个的方法，其中所述半导体加工反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为顶喷。
根据段落[0074]-[0091]任一个的方法，其中所述烧结性基底材料进一步包括包埋在其中的至少一个插入导电层，所述导电层具有至多10兆欧-cm的薄层电阻率和相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔最外层的热膨胀系数至多4x 10-6/K的热膨胀系数差。
本公开的实施方式包括配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和，b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成；和，c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。
根据段落[0093]的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。
根据任一段落[0093]或[0094]的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。
根据段落[0093]-[0095]任一个的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。
根据段落[0093]-[0096]任一个的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
根据段落[0093]-[0097]任一个的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物为氧化钇(Y2O3)。
根据段落[0093]-[0098]任一个的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少100μm的厚度、至多0.5％的孔隙率和至多50μm的平均晶粒度。
根据段落[0093]-[0099]任一个的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层进一步包括烧结助剂，其以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物。
根据段落[0093]-[00100]任一个的耐腐蚀组件，其中加入到稀土化合物的烧结助剂在基于稀土化合物总重量约0.5重量％至约5重量％的范围中。
根据段落[0093]-[00101]任一个的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
根据段落[0093]-[00102]任一个的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为ZrO2并且以基于稀土化合物总重量1重量％的量加入到稀土化合物。
根据段落[0093]-[00103]任一个的耐腐蚀组件，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和白色耐腐蚀无孔外层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
根据段落[0093]-[00104]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)。
根据段落[0093]-[00105]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括烧结助剂，其以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到所述氧化镱。
根据段落[0093]-[00106]任一个的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括导电材料。
配置成在制作半导体芯片中使用的组装体，所述组装体包括：反应器；和，根据段落[0093]-[00107]任一个的耐腐蚀组件。
根据段落[00108]的组装体，其中所述反应器为配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器并且所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x 10-4的损耗角正切。
根据任一段落[00108]或[00109]的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。
本公开的实施方式包括用于制备与半导体加工反应器一起使用的白色耐腐蚀组件的方法，其包括：铺放包括基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层和烧结性基底材料的第二层以形成预叠层体，其中所述烧结性基底材料选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物，且其中所述第一层的厚度比所述第二层的50％小；和，热处理所述预叠层体以形成包括白色耐腐蚀无孔外层的耐腐蚀组件而形成耐腐蚀叠层体，该白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度和至多1％的孔隙率；和，进一步将所述耐腐蚀叠层体在空气中在至少800℃到至多1500℃的温度下热处理至少0.5h到至多48h的时间以形成具有在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值的白色耐腐蚀组件。
根据段落[00111]的方法，其中所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。
根据任一段落[00111]或[00112]的方法，其中所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。
根据段落[00111]-[00113]任一个的方法，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
根据段落[00111]-[00114]任一个的方法，其中铺放包括基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层的步骤进一步包括将烧结助剂以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物。
根据段落[00111]-[00115]任一个的方法，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
根据段落[00111]-[00116]任一个的方法，其中加入的烧结助剂的量为至少0.5重量％且至多5重量％，基于稀土化合物总重量。
根据段落[00111]-[00117]任一个的方法，其中加入的烧结助剂为基于稀土化合物总重量约1重量％的量的ZrO2。
根据段落[00111]-[00118]任一个的方法，其中铺放步骤进一步包括铺放以层的形式在所述第一层和所述第二层之间的烧结性粉末的至少一个插入层，其中所述烧结性粉末的至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
根据段落[00111]-[00119]任一个的方法，其中所述烧结性粉末的所述至少一个插入层为氧化镱并且进一步包括烧结助剂，其以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％范围的量加入到所述氧化镱。
本公开的实施方式包括配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和，b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包括基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物和以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的烧结助剂的组成，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料；c)包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料；和，d)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。
根据段落[00121]的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)并且进一步包括烧结助剂，其以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到所述氧化镱。
本公开的实施方式包括配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；b)与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔外层，所述耐腐蚀无孔层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、和包括基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物和以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的第一烧结助剂的组成；c)包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料；所述至少一个插入层进一步包括第二烧结助剂，其加入到所述选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料；和，d)至多1000ppm的碳含量。
根据段落[00123]的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱并且将所述第二烧结助剂以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到所述氧化镱。
根据任一段落[00123]或[00124]的耐腐蚀组件，其中所述第一烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料并且所述第二烧结为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
附图说明
图1A说明包括根据本发明一实例方面的耐腐蚀组件的一种实施方式例如盖体的横截面视图；
图1B说明包括根据本发明的另一实例方面的耐腐蚀组件的一种实施方式例如盖体的横截面视图；
图2说明包括根据本发明一实例方面的耐腐蚀盖体的用于半导体芯片的等离子体蚀刻的组装体；
图3说明根据本发明一实例方面的耐腐蚀晶片加热器的横截面视图；和，
图4说明根据本发明一实例方面的包括各自包括耐腐蚀无孔层的晶片加热器和顶喷化学气相沉积反应器组装体。
图5说明制造根据本发明一实例方面的白色耐腐蚀组件的方法的流程图表。
图6A说明配置成在等离子体蚀刻根据本发明一实例方面的半导体晶片中使用的组装体。
图6B说明图6A中所示的耐腐蚀组件的顶视图。
具体实施方式
将陶瓷基底和包含稀土化合物的耐腐蚀层一起烧结以形成致密的耐腐蚀叠层体或耐腐蚀组件。这是为了解决施加到之前烧结的基底的涂层(例如，经由等离子体喷涂操作)的问题，其中该涂层频繁地遭受在使用期间的问题例如层裂或粒子脱落。在一种实例方面中，在适合的基底材料上薄的稀土化合物层的热处理提供耐腐蚀组件。在另一种实例方面中，所述稀土化合物为氧化钇并且所述基底材料为陶瓷，例如氧化铝。在又一种实例方面中，所述稀土化合物包括氮化铝基底上的稀土硅酸盐例如硅酸钇。在一种实例方面中，将包含稀土化合物的耐腐蚀层与绝缘基底材料共烧结以形成耐腐蚀陶瓷盖体，其例如通常插入在用于蚀刻的感应等离子体和感应线圈之间。在其它实例方面中，可用作环绕硅片夹(waferchuck)的绝缘环以及蚀刻和沉积反应器中的其它腔部件例如晶片加热器和沉积顶喷的耐腐蚀组件也受益于该技术。本公开的组件、组装体和方法提供一种用于满足对于物理和化学上稳定的耐腐蚀层和对半导体工业中使用的等离子体反应器不可缺的部件例如陶瓷盖体的需要的途径。
如在本文中使用的，多个术语定义于下。“氧化铝”通常被理解为铝氧化物，其基本上包括Al2O3。“钇土”通常被理解为钇氧化物，其基本上包括Y2O3。“氧化镱(ytterbia)”通常被理解为镱氧化物，其基本上包括Yb2O3。术语“基本上”通常是指≥90重量％、优选地≥91重量％或≥92重量％或≥93重量％或≥94重量％或≥95重量％或≥96重量％或≥97重量％或≥98重量％或≥99重量％或约100重量％的纯度。术语“约”通常是指所指数字的正或负10％。例如，“约10％”可指代9％至11％的范围，并且“约20”可意指18-22。“约”的其它含义从上下文可为显然的，例如四舍五入，因此例如“约1”还可意指0.5-1.4。术语“沉浸(浸泡)”(参见实施例中的表)是指在热压循环中在特定的温度或压力下的保持时间。
其它定义包括以下的。“粘附强度”通过ASTM C633方法测量。“损耗角正切”为介电常数的虚部对实部的比率；它与由部件吸收的功率成正比。“颜色”使用如下的1976CIELAB色空间描绘：其将颜色简化为亮度/暗度变量L*(对于其，绝对黑色为0并且纯白色为100)以及用于描绘物体色调的其它参数a*和b*。通常，具有大于85的L*且小于7的a*和b*绝对值的物体视为“白色”。“孔隙率”通过根据以下方案(由Struers,Inc.提供的抛光用品)抛光的抛光片的图像分析而测量：(i)60μm钻石：用于使表面变平所需的；(ii)15μm钻石，固定的砂磨垫：2分钟；(iii)9μm钻石，Largo(塑料)垫：8分钟；(iv)3μm钻石，DAC(尼龙)垫：6分钟；和(v)1μm钻石，起绒布：3分钟。“晶粒度”通过ASTM-E112方法测量。本文中提及的“生坯”或“未烧结”陶瓷包括尚未经由高温热处理致密化的陶瓷材料或粉末。“烧结”或“共烧结”是指为了促进烧结已经将一种或多种陶瓷材料暴露到高温热处理。“烧结”是通过逐渐消除孔隙而促进材料的传输和致密化的热或加热处理过程。使用烧结过程制造具有受控的微观结构和孔隙率的材料。“涂层”为施加到基底例如烧结基底的层。“叠层体”或“复合叠层体”为例如经由过程例如烧结而连接的层的组装体。“组件”为部件或产品。
用于半导体制作或半导体加工的反应器可用于蚀刻或沉积或两者。所述反应器在本文中可互换地称为半导体加工反应器、半导体制作反应器或简称为反应器。反应器可用于等离子体蚀刻或沉积或两者。在一种实例方面中，陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层两者对于半导体加工中使用的等离子体蚀刻处理均是耐受的。在一种实例方面中，耐腐蚀组件为等离子体蚀刻反应器的盖体。用于沉积的反应器周期性地运行用于所述反应器的清洁的蚀刻过程。在一种实例方面中，反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且耐腐蚀组件为加热器。在另一种实例方面中，反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且耐腐蚀组件为顶喷。
陶瓷为因其经受住高温的能力而闻名的无机非金属材料。陶瓷包括氧化物、非氧化物和复合物(氧化物和非氧化物的组合)。氧化物在非限制的实例中包括氧化铝、玻璃-陶瓷、氧化铍、莫来石、二氧化铈和氧化锆。在一种优选实施方式中，陶瓷的氧化物为氧化铝(Al2O3)。非氧化物包括碳化物、硼化物、氮化物和硅化物。在另一种优选实施方式中，非氧化物为氮化物例如氮化铝(AlN)。陶瓷的氧化物、非氧化物和复合物可用作基底。
包括稀土元素或化合物的耐腐蚀层有利地与陶瓷基底和/或其它层连接以提供叠层体，其中最外层为耐腐蚀的且无孔的。稀土化合物的实例包括但不限于三价稀土氧化物，例如在一种示例实施方式中的氧化钇(Y2O3)。在其它示例实施方式中，稀土化合物选自氧化钇、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。在一种实例方面中，稀土化合物为Y3Si3O10F。在其它实例方面中，稀土化合物例如为复合氮化物化合物，例如YN·Si3N4或YN·AlN·Y2O3·2SiO2。
如本领域技术人员所知晓的，烧结助剂可用于例如使孔隙率最小化、减小晶粒度和/或对于烧结使得能够使用较不苛刻的加工条件(例如，热压中的较低压力)。在一种实例方面中，将烧结助剂加入到稀土化合物。在一种实例方面中，加入到稀土化合物的烧结助剂为四价元素(如Zr、Hf、Ce)的氧化物。在一种实例方面中，加入到稀土化合物的烧结助剂的量在基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围中、在另一实例方面中基于稀土化合物总重量约0.5重量％至约15重量％的范围中。在一种实例方面中，加入到稀土化合物的烧结助剂的量为约1重量％、或约2重量％、或约5重量％、或约10重量％、或约15重量％。在一种实例方面中，加入到稀土化合物的烧结助剂为ZrO2或HfO2。在一种实例方面中，在稀土化合物为钇土的情况中，例如，以基于稀土化合物总重量约1重量％的量使用ZrO2作为烧结助剂。在另一种实例方面中，以基于稀土化合物总重量约15重量％的量使用ZrO2作为烧结助剂。在用于加工大型部件(对于其而言，维持压力水平是具挑战的)例如盖体的实例方面中，将基于稀土化合物总重量约1重量％的烧结助剂加入到稀土化合物。
在组装叠层体时可将插入层置于所述基底和包含稀土化合物的耐腐蚀层之间。在一种实例方面中，为了检测最外耐腐蚀层的磨损，可使用在钇土层和氧化铝基底之间的至少一个插入层。插入层还可有利地包括稀土元素或化合物。在一个实施方式中，使用氧化镱(Yb2O3)作为插入层，因为其在红外(IR)波长下荧光性可被用于检测耐腐蚀层的磨损而不造成所述材料的装饰色变化。因为半导体器材的拥有者频繁地关心装饰问题，所以Yb2O3层提供对于人眼不可见(换言之，无色)的优势，同时容许通过用适当的IR波长进行照射并且观察荧光或吸收而检测磨损。插入层的厚度取决于功能；典型地插入层在厚度上为至多约2mm。在一种实例方面中，插入层例如导电层或粘合层在小于10μm的厚度下合格地起作用。
在另一种实例方面中，将烧结助剂加入到插入层。在一种实例方面中，加入到插入层的烧结助剂为四价元素(如Zr、Hf、Ce)的氧化物。在一种实例方面中，加入到插入层的烧结助剂的量在基于插入层的总重量约300ppm至约20重量％、在另一实例方面中基于插入层的总重量约0.5重量％至约15重量％的范围中。在一种实例方面中，加入到插入层的烧结助剂的量为约1重量％、或约2重量％、或约5重量％、或约10重量％、或约15重量％。在一种实例方面中，加入到插入层的烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的材料。在其它实施方式中，烧结助剂为选自ZrO2、HfO2、CeO2、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。在另一实例中，烧结助剂包括惰性材料，例如其中作为烧结助剂的氧化锆进一步包括钇土的非限制实例，如在钇土稳定的氧化锆中一样。在一种实例方面中，在插入层为Yb2O3的情况下，例如，以基于插入层的总重量约1重量％的量使用ZrO2作为烧结助剂。在另一种实例方面中，以基于插入层的总重量约15重量％的量使用ZrO2作为烧结助剂。在用于加工大型部件(对于其而言，维持压力水平是挑战的)例如盖体的实例方面中，将基于插入层的总重量约1重量％烧结助剂加入到插入层。
在一种实例方面中，插入层包括在0.1μm至30μm范围内的晶粒度。在一种实例方面中，插入层的晶粒度为至少0.1μm、或至少0.3μm、或至少0.5μm、或至少1μm、或至少2μm、或至少4μm。在一种实例方面中，插入层的晶粒度为至多30μm、或至多20μm、或至多15μm、或至多10μm、或至多6μm、或至多5μm。插入层的孔隙率为至多约3％、或至多约2％、或至多约1％。在一种实例方面中，插入层为氧化镱(Yb2O3)。插入层的孔隙率应该足够低，但是不需要低至耐腐蚀无孔层的孔隙率。这是因为插入层不像耐腐蚀无孔层那样暴露到所述加工例如等离子体蚀刻或沉积。
任选地，在陶瓷盖体、绝缘环和在蚀刻和沉积器材中常见的其它腔部件中包括金属层也是有利的。如上所述的，陶瓷盖体(其在本文中可互换地也称为陶瓷窗或者简称为盖体或窗)，通常插入在用于蚀刻的感应等离子体和感应线圈之间。金属层的电阻还可起到监测盖体温度的作用，从而实现对其温度的反馈控制。将所述层在盖体或组件内的包埋或插入简化系统的组装并且还改善屏蔽和热量耦合(couple)到盖体。
如下是重要的：选择包埋层的材料以匹配本体复合物以及该复合物的单个层的热膨胀系数，因为失配趋于导致在所述组件内的延迟脱层。如果相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的系数的热膨胀系数差为至多4x 10-6/K，则热膨胀失配可视为接近的或合格的。在一种实例方面中，将至少一个插入层选择为具有相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的系数至多4x 10-6/K的热膨胀系数差的材料。通常通过使所述层变为如下的几种不同材料的复合物可有助于热膨胀失配：其组合的热膨胀与所述部件本体的膨胀匹配。在一种实例方面中，MoSi2为特别适合的导电金属间化合物，因为其热膨胀接近于氧化铝的热膨胀，并且其在高的加工温度下不与氧化铝反应。
因为本发明的组件可在强的电磁场中操作，所以使损耗角正切最小化为重要的考量。在一种实例方面中，所述耐腐蚀组件具有至多1x 10-3、优选地至多1x 10-4的所述组件的损耗角正切。具有至多1x 10-4的损耗角正切的组件对于射频(RF)能量基本上是透明的。所述部件中过多的碳含量趋于促进高的损耗角正切并且因此应使碳含量最小化。多于2000ppm的游离碳含量是不期望的。在一个实施方式中，碳含量为至多1500ppm。在另一个实施方式中，碳含量为至多1000ppm。在一种进一步的实施方式中，碳含量为至多500ppm。非常低的碳水平例如以重量计至多200ppm碳含量被认为还有助于根据本公开期望地浅色或白色组件。在一个实施方式中，所述碳含量为至多200ppm。在另一个实施方式中，所述碳含量为至多100ppm。在又一个实施方式中，碳含量为至多50ppm。
例如，在半导体加工期间某些元素的存在或暴露到其可为不期望的。在期望浅色陶瓷组件的应用中，由于工业用户对组件或部件的颜色是敏感的，如半导体加工一样，应避免不期望的元素。所述部件中的金属污染(其影响器材中加工的晶片中晶体管的性质)在所述部件上可作为黑斑为可见的。因此，对于所述部件而言较浅的颜色是优选的，因为所述斑更清晰地显现。这使得能够在使用之前识别有问题或不合格的部件并将其丢弃。在一种实例方面中，耐腐蚀组件具有至少50的CIE Lab颜色L*参数。在另一种实例方面中，耐腐蚀组件具有至少80的CIE Lab颜色L*参数。
在一种实例方面中，本公开的圆盘(disk)、窗和/或组件的特征为在颜色上为“白色的”。有利地，本公开的均匀白色组件可与不含缺陷或基本上不含缺陷的组件相关。这是因为例如，半导体工业中的消费者典型地已经察觉缺陷为非白色的，并且根据本公开的白色组件提供白色背景，通过其用人眼更容易地检测缺陷。因此，如果需要，不期望的组件可被剔除而非在加工中使用。因此，白色的不含缺陷的组件对于消费者是期望的。尤其期望的是，白色组件的暴露到或面对待加工的晶片的平坦表面在非限制的实例中为白色的。
替代地或除了所述组件以白色为特征之外，所述组件的最外层的特征为在颜色上为“白色的”。对于本发明的组件，所述组件的最外层对应于耐腐蚀无孔外层，并且在本文中称为白色耐腐蚀无孔外层或简称为白色外层。颜色亮度和颜色均匀性可目测到。替代地，可测量颜色和颜色均匀性。如本领域技术人员认识的，组件颜色在一种非限制的实例中可通过使用标准仪器手段例如采用CIELAB L*a*b*标度的Hunterlab Miniscan XE仪器测量。CIELAB L*a*b*值还在本文中可互换地称为CIE Lab值或L*、a*、b*值。“L*”值表示亮暗比或换言之‘明暗’。“a*”和“b*”的值通常和‘色调’相关。“a*”值是指在某些转换的色空间中的红色-绿色坐标，其通常作为在试样和标准参照色之间的“a*”差值使用。如果“a*”为正，则红色多于绿色；如果“a*”为负，则绿色多于红色。a*值一般作为色度或色度色差的部分与b*一起使用。“b*”值称为在某些色空间中的黄色-蓝色坐标，其通常作为在试样和标准参照色之间的“b*”差值使用，一般与“a*”一起或作为色度差的部分使用。通常，如果“b*”为正，则黄色多于蓝色；如果“b*”为负，则蓝色多于黄色。在一种实例方面中，本公开的圆盘、窗和/或组件在颜色上为白色。在一个或多个实施方式中，所述组件具有至少88的L*值，在其它实施方式中至少90的L*值、在其它实施方式中至少92的L*值、和在其它实施方式中至少94的L*值。所测的CIELAB L*a*b*值在所述组件的最外层的平坦表面上获得。在一种实例方面中，所述组件的耐腐蚀无孔外层为白色。在一个或多个实施方式中，所述组件的耐腐蚀无孔外层具有至少88的L*值、在其它实施方式中至少90的L*值、在其它实施方式中至少92的L*值、和在其它实施方式中至少94的L*值。
例如，第一排过渡金属例如V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn相对快速地扩散通过硅并且可改变器件的电学性质。Au和Ag的存在可造成类似的问题。另外，元素例如Li、Na和K快速地扩散通过二氧化硅并且可影响栅器件(器件栅，device gate)上的电荷密度。本发明的耐腐蚀组件基本上不含污染物。应使用于制造耐腐蚀组件的原材料中不期望元素的总浓度最小化。这些不期望元素的总浓度应基本上小于1原子％。在一种实例方面中，在耐腐蚀组件的制造中使用的原材料中不期望元素的总浓度为至多1原子％。
最外层的层厚度可随所述组件和其使用的应用而定制。最外层为耐腐蚀无孔层。取决于用途，最外层可例如朝着腔或反应器的内部取向。对于直径典型地大于500mm的盖体或窗，相对厚的层是期望的。这样的大型组件的烧成态外形(as fired profile)可偏离期望外形一毫米或更大；因此，为了确保甚至在研磨之后也存在足够的最外部材料，最外层的烧成态厚度基本上大于一毫米厚是期望的。在更小部件上更适宜地使用更薄层，因为与真实形态的偏离典型地是更小的。
本发明的一个实例方面涉及配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和，b)与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层，所述耐腐蚀无孔层具有包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成；并且，所述耐腐蚀无孔层以基本上不含微裂纹和缝隙的微观结构为特征、并具有至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒度。在一种实例方面中，将与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层粘附到基底。在一种实例方面中，将耐腐蚀无孔层直接粘附到所述基底。在另一种实例方面中，将耐腐蚀无孔层例如通过其中间的插入层间接地粘附到基底。
耐腐蚀无孔层的微观结构对组件的耐久性和性能是重要的。包括不含微裂纹和缝隙的无孔层的组件或叠层体不遭受有害效果例如粒子脱落。在一种实例方面中，耐腐蚀无孔层以不含微裂纹和缝隙的微观结构为特征。在另一种实例方面中，耐腐蚀无孔层以基本上不含微裂纹和缝隙的微观结构为特征。在一种实例方面中，耐腐蚀无孔层具有小于50个/mm2、在一种实例方面中小于10个/mm2、在另一实例方面中小于5个/mm2、和在又一实例方面中小于1个/mm2的微裂纹和缝隙。在一种实例方面中，耐腐蚀无孔层以具有至多1个/mm2的通过例如图像分析或本领域中知晓的其它方法量化的微裂纹和缝隙的微观结构为特征。尽管微裂纹和缝隙对耐腐蚀无孔层的微观结构完整性是有害的，但是所述微观结构中的第二相可相反地增大所述层的强度(参见实施例10)。
在一种实例方面中，耐腐蚀无孔层的晶粒度对于组件性能是重要的。通常，腐蚀在晶界处进行得最快，因此具有较大晶粒度的材料腐蚀得较缓慢。另外，如果在边界上的腐蚀是相对快速的，则整个晶粒可被晶界腐蚀而逐出(移位，dislodge)。其在本文中还称为粒子损失或脱落。在一种实例方面中，耐腐蚀组件包括具有至少100nm的通过ASTM-E112测量的平均晶粒度的耐腐蚀无孔层。在一种实例方面中，耐腐蚀无孔层的特征为具有至少100nm、或至少150nm、或至少200nm、或至少300nm、或至少500nm的平均晶粒度。然而，在过大晶粒度的情况下问题可能出现，例如，使所述材料弱化的瑕疵尺寸与晶粒度成比例；因此，大于100μm的晶粒度也是不期望的。在一种实例方面中，耐腐蚀无孔层的特征为具有至多100μm、或至多30μm、或至多10μm、或至多1μm、或至多750nm的平均晶粒度。替代地，耐腐蚀无孔层的平均晶粒度在约100nm至约100μm、优选地约200nm至约50μm、更优选地约300nm至约30μm的范围中。在另一种实例方面中，耐腐蚀无孔层的平均晶粒度为至少300nm且至多30μm。
在一种实例方面中，耐腐蚀无孔外层的晶粒度对于组件颜色是重要的，在其中期望白色组件的情况下尤为如此。在不受理论局限的情况下，据认为，均匀的平均晶粒度提供颜色均匀性，而在所述层内大晶粒度的宏观区域(如大于1mm2)和小晶粒度的宏观区域(如大于1mm2)的存在可导致有害的颜色差异。较小的平均晶粒度在提供颜色均匀性方面被认为是有利的。其据认为与外层中晶粒的透明度相关。具有较大平均晶粒度的层的晶界密度与具有较小平均晶粒度的层相比更小，导致具有较大平均晶粒度的层的透明度更大。更大的透明度意指，外层使更多的光从耐腐蚀无孔外层下面的材料即从所述基底透射通过，并且可导致期望的颜色亮度(或白度)或均匀性的减少。在一种实例方面中，根据本公开的特征为在颜色上为白色的组件包括具有至多100μm、至多50μm、或至多30μm、或至多20μm、或至多10μm、或至多8μm、或至多6μm的平均晶粒度的耐腐蚀无孔外层。在一种实例方面中，根据本公开的特征为在颜色上为白色的组件包括具有至少500nm、或至少1μm、或至少2μm、或至少4μm的平均晶粒度的耐腐蚀无孔外层。替代地，耐腐蚀无孔层的平均晶粒度在约500nm至约100μm、优选地约1μm至约50μm、更优选地约2μm至约10μm的范围中。在另一种实例方面中，耐腐蚀无孔层的平均晶粒度为约5μm。实现合格的颜色和/或颜色均匀性随组件变大而具挑战性，如本领域技术人员将认识到的。换言之，在较大部件上实现均匀的颜色比较小部件更加困难。在本公开的一个实施方式中，对于具有至少400mm或在其它实施方式中至少500mm的直径的组件，实现均匀的白色组件。
在一种实例方面中，耐腐蚀组件包括耐腐蚀无孔层，其具有：a)≤2％、优选地≤1％或≤0.9％或≤0.8％或≤0.7％或≤0.6％或≤0.5％或≤0.4％或≤0.3％或≤0.2％或≤0.1％的孔隙率；和b)≥15MPa、优选地≥20MPa或≥25MPa或≥30MPa或≥35MPa或≥40MPa的粘附强度；和c)≥50μm、优选地≥100μm或≥150μm或≥200μm或≥250μm或≥300μm的层厚度。层厚度，如前面提到的，可针对期望的使用应用或组件规格而定制。替代地，所述层厚度可在约50-约500μm、优选地约100-约400μm、更优选地约150-约300μm的范围中。在一种实例方面中，耐腐蚀无孔层具有：至多1％的孔隙率；至少20MPa的粘附强度；和，至少50μm的层厚度。在另一种实例方面中，耐腐蚀无孔层具有：至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；和，至少100μm的层厚度。
图1A和1B说明耐腐蚀组件的实例方面的横截面示意性视图。在图1A中，耐腐蚀组件100包括具有与基底110邻接的耐腐蚀无孔层120的基底110，其中层120提供用于所述组件的最外层。层120具有厚度t1。在图1B中，耐腐蚀组件150包括具有位于基底110和耐腐蚀无孔层120之间的插入层130的基底110。层130具有厚度t2。在耐腐蚀组件的一个实施方式中，基底和耐腐蚀无孔层两者对在半导体加工中采用的等离子体蚀刻条件均是耐受的。
在图1A中所示的一种实例方面中，耐腐蚀组件100包括包含稀土化合物的无孔耐腐蚀层120。在一种实例方面中，层120包含三价稀土氧化物。在另一种实例方面中，所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。在另一种实例方面中，所述稀土化合物为复合氮化物化合物，例如YN·Si3N4或YN·AlN·Y2O3·2SiO2。
在一种实例方面中，耐腐蚀组件包括陶瓷绝缘基底110(也在图1A中显示)，其选自氧化铝(“氧化铝”，亦为Al2O3)、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。在例如需要高强度的应用的一种实例方面中，所述基底可进一步包括氧化锆(ZrO2)。在一种实例方面中，陶瓷绝缘基底为氧化铝。在一种实例方面中，陶瓷绝缘基底基本上由氧化铝组成。在一种实例方面中，陶瓷绝缘基底为氧化铝并且稀土化合物为三价稀土氧化物。在另一种实例方面中，陶瓷绝缘基底为氮化铝并且耐腐蚀无孔层为稀土硅酸盐。
在一种实例方面中，将耐腐蚀无孔层粘附到陶瓷绝缘基底，并且耐腐蚀无孔层具有：至多1％的孔隙率；至少20MPa的粘附强度；和，至少50μm的厚度。在另一种实例方面中，将耐腐蚀无孔层粘附到陶瓷绝缘基底，并且耐腐蚀无孔层具有：至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；至少100μm的厚度；和，至少约300nm且至多约30μm的平均晶粒度。
在一种实例方面中，耐腐蚀组件100为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸地接合的盖体。在一种实例方面中，耐腐蚀组件或盖体具有小于1x 10-4的损耗角正切。在一种实例方面中，陶瓷绝缘基底110和耐腐蚀无孔层120对于射频(RF)能量基本上是透明的。在一种实例方面中，陶瓷绝缘基底110和耐腐蚀无孔层120对于射频(RF)能量是透明的。
在一种实例方面中，耐腐蚀组件150，如图1B中显示的，包括选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一个插入层130。在一种实例方面中，所述至少一个插入层130为氧化镱(Yb2O3)。在一种实例方面中，所述至少一个插入层包含导电材料。在一种实例方面中，所述至少一个插入层进一步包含绝缘材料。
在一种实例方面中，将至少一个插入层粘附到耐腐蚀无孔层和陶瓷绝缘基底两者，并且所述耐腐蚀无孔层具有：至多1％的孔隙率；至少20MPa的粘附强度；和，至少50μm的厚度。在另一种实例方面中，将至少一个插入层粘附到耐腐蚀无孔层和陶瓷绝缘基底两者，并且耐腐蚀无孔层具有：至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；至少100μm的厚度；和，至少约300nm且至多约30μm的平均晶粒度。
在一种实例方面中，将至少一个插入层包埋在陶瓷绝缘基底中110(参见图3的层340、360)、或在中间并且粘附到基底和耐腐蚀无孔层120两者(参见图1B)。在一种实例方面中，所述插入层选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐和它们的两种或更多种的混合物。作为至少一个插入层适合的稀土氧化物为氧化镱(Yb2O3)。在另一种实例方面中，所述插入层包括导电材料、其可任选地进一步包括绝缘材料。关于导电材料，对于大部分应用(直流(DC)或低频例如小于100MHz)，需要导电性。导电金属层可作为主动(有源)驱动的电极或作为被动(无源)RF屏蔽物使用。绝缘材料通常选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、铝酸盐、硅酸盐、及其两种或更多种的混合物，但也可使用与所述部件的加工和所述层中的金属兼容的任何材料；将材料加入到所述导电层的原因可包括获得更好的与所述部件的其余部分的热膨胀匹配、和改善所述层和所述部件的其余部分之间的粘附。在使用导电材料的情形中，所述层将通常具有在其中的大的开口以容许RF能量通过。换言之，在一种实例方面中，插入层例如导电层是不连续的。在耐腐蚀组件的一个实施方式中，基底和耐腐蚀无孔层对于射频(RF)能量基本上是透明的。
在一种实例方面中，并且在热处理之前，配置成与半导体加工反应器一起使用的生坯叠层体包括生坯烧结性材料的第一层和包含稀土化合物的生坯烧结性材料的第二层。在一种实例方面中，生坯烧结性材料的第一层选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。在一种实例方面中，生坯烧结性材料的第二层包括三价稀土氧化物。在另一种实例方面中，所述第二层包括稀土化合物，其选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。在一种实例方面中，在叠层体的热处理时，所述第二层具有至多1％的孔隙率和至少100nm且至多100μm的平均晶粒度。在另一种实例方面中，在叠层体的热处理时，所述第二层具有至多0.5％的孔隙率。在一种实例方面中，在叠层体的热处理时，所述第二层的平均晶粒度为至少300nm且至多30μm。
在一种实例方面中，生坯叠层体进一步包括在第一和第二层之间的至少一个插入层，其中所述插入层包含选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的生坯烧结性材料。在一种实例方面中，生坯叠层体进一步包括至少一个插入层，其中所述至少一个插入层包含导电材料。在一种实例方面中，生坯叠层体进一步包括至少一个插入层，其中所述至少一个插入层包含绝缘材料。在一种实例方面中，用于生坯叠层体的热处理选自热压和热等静压。在热处理之后，经热处理或烧结的包括插入层的叠层体具有至少15MPa、或至少20MPa、或至少25MPa、或至少30MPa、或至少35MPa、或至少40MPa的粘附强度。
图2说明配置成在等离子体蚀刻半导体晶片中使用的组装体的一种实例方面。等离子体蚀刻反应器组装体200包括等离子体蚀刻反应器250。由感应线圈240产生的交变磁场延伸通过盖体225，产生在反应器250内部在盖体225正下方的电场，其继而产生蚀刻等离子体。耐腐蚀盖体225配置成与等离子体蚀刻反应器250可拆卸地接合。盖体225包括具有内表面和外表面的耐腐蚀陶瓷绝缘基底210；并且，进一步包括与基底210的内表面邻接的耐腐蚀无孔层220。具有内和外平坦表面的耐腐蚀无孔层220安置成使得层220的内平坦表面面对反应器250内部。任选地，插入层(如图1B中显示的实例层130)位于基底210和耐腐蚀无孔层220之间。在一种实例方面中，层220包含稀土化合物，其中无孔层粘附到耐腐蚀基底并且具有：1)≥15MPa、优选地≥20MPa或≥25MPa或≥30MPa或≥35MPa或≥40MPa的粘附强度，2)≥50μm、优选地≥100μm或≥150μm或≥200μm或≥250μm或≥300μm的厚度；替代地，在约50-约500μm、优选地约100-约400μm、更优选地约150-约300μm范围中的厚度，和3)≤2％、优选地≤1％或≤0.9％或≤0.8％或≤0.7％或≤0.6％或≤0.5％或≤0.4％或≤0.3％或≤0.2％或≤0.1％的孔隙率。在一种实例方面中，层220包括基于层的总重量至少15重量％的稀土化合物。在实例方面中，层220包括至少20MPa的粘附强度；至多1％的孔隙率；基本上不含微裂纹和缝隙的微观结构和至少100nm且至多100μm的平均晶粒度；以及，至少50μm的层厚度。在另一种实例方面中，所述晶粒度为至少300nm且至多30μm。
在一种实例方面中，组装体的盖体225包括层220，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物及其两种或更多种的组合。在另一种实例方面中，组装体包括耐腐蚀陶瓷绝缘基底210，其中所述基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。
组装体的另一实施方式进一步包括包埋在所述基底中的插入层、或在中间的且粘附到耐腐蚀基底和无孔层两者的插入层。在一种实例方面中，所述插入层可起到一个或多个功能，例如促进在无孔层和所述基底之间的粘附、防止无孔层和基底之间的负面反应和/或为组装体提供一些电学功能。在用于涉及对于特定盖体所需的非常高的电场的应用的其它实例方面中，为了防止影响加工的损失，高电阻是期望的，并且因此插入层例如氧化镱(Yb2O3)可为有益的。
在一种实例方面中，所述插入层选自氧化镱(Yb2O3)、MoSi2、射频(RF)导电材料和它们的两种或更多种的混合物。优选地，组装体的耐腐蚀盖体对于射频(RF)能量基本上是透明的。包括耐腐蚀盖体的组装体优选地对于半导体加工中采用的等离子体蚀刻处理是耐受的。因此，组装体的耐腐蚀基底和耐腐蚀盖体的耐腐蚀无孔层对于半导体加工中采用的等离子体蚀刻处理是耐受的。
本发明的另一方面涉及高温耐腐蚀晶片加热器。图3说明如在一种实例方面中的晶片加热器设备300的横截面示意性视图。晶片(未显示)位于具有包埋在其中的加热元件340和还有任选的金属RF屏蔽物360的绝缘陶瓷圆盘310的最外层(320)上。在一种实例方面中，所述加热器由其制成的绝缘陶瓷310为氮化铝。在其它实例方面中，可使用氧化铝或氮化硅作为陶瓷绝缘基底310。在操作期间，将加热器不时用含氟气体清洁。如果加热器温度超过约500℃，则加热器本身可受到氟的攻击，因此使得包括到‘热’部件上的耐腐蚀保护性层变为必须的。在一种实例方面中，绝缘陶瓷310包括耐腐蚀无孔层320和在其间的任选的插入层330。耐腐蚀无孔层320包括用于保持晶片(未显示)的外表面。尤为重要的是，含稀土化合物的层的在晶片正下方的区域，即耐腐蚀无孔层320，为致密的。否则，来自加热器的粒子将趋于脱落到在晶片的底面上。这些脱落的粒子在随后步骤中可迁移到晶片的顶面，其继而将导致晶片上的图案中的缺陷。晶片加热器的侧面、底部和在柄(stalk)或支持圆盘380上的覆盖是较不关键的，因为不存在粒子迁移到晶片的直接路径。等离子体喷涂涂层足以抵挡这些其它区域的污染。
图4说明根据本发明一实例方面的包括晶片加热器的化学气相沉积反应器组装体。化学气相沉积(CVD)反应器组装体400包括顶喷410和加热器440。反应性气体流动通过受耐腐蚀无孔层420保护的顶喷410，流向晶片450上，在这里形成沉积物。通过加热器440维持所述晶片的温度并使其均一，该加热器也可具有在其上的无孔耐腐蚀层(如图3中显示的)以在清洁期间保护其。顶喷410可进一步包括在内部的插入或包埋层例如电极以辅助等离子体的产生而促进化学反应。
在一种实例方面中，组装体400配置成在制作半导体芯片中使用。组装体400包括耐腐蚀组件(i)晶片加热器440(其在图3中更具体地作为晶片加热器300显示)和/或(ii)顶喷410。在一种实例方面中，沉积反应器配置成通过卤素气体进行现场清洁和为耐腐蚀组件。各耐腐蚀组件包括陶瓷绝缘基底；并且，耐腐蚀无孔层具有包含基于层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成。在一种实例方面中，所述稀土化合物为三价氧化物。在另一种实例方面中，所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物及其两种或更多种的组合。在一种实例方面中，所述稀土化合物为氧化钇(Y2O3)。在一种实例方面中，所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。在一种实例方面中，所述耐腐蚀组件进一步包括在基底和耐腐蚀无孔层之间的至少的插入层。在一种实例方面中，所述插入层选自氧化镱(Yb2O3)、MoSi2、射频(RF)导电材料和它们的两种或更多种的混合物。在一种实例方面中，所述基底进一步包括包埋在其中的至少一个另外的插入导电层，所述导电层具有至多10兆欧-cm的薄层电阻率，其在本文中也可互换地记为10兆欧-cm。
在一种实例方面中，组装体配置成在制作半导体芯片中使用，所述组装体包括反应器和耐腐蚀组件。所述耐腐蚀组件包括陶瓷绝缘基底和与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层。在一种实例方面中，所述耐腐蚀无孔层具有包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成。在一种实例方面中，所述耐腐蚀无孔层的特征为基本上不含微裂纹和缝隙的微观结构、并且具有：至少50μm的厚度；至多1％的孔隙率；和，至少100nm且至多100μm的平均晶粒度。
在一种实例方面中，组装体的陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。在一种实例方面中，组装体的稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。在一种实例方面中，组装体的耐腐蚀无孔层粘附到陶瓷绝缘基底并且具有至少20MPa的粘附强度。在另一种实例方面中，所述耐腐蚀无孔层具有至少100μm的厚度；至多0.5％的孔隙率；至少30MPa的粘附强度；和，至少约300nm且至多约30μm的平均晶粒度。
在一种实例方面中，组装体进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层。在一种实例方面中，所述至少一个插入层选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物。在一种实例方面中，所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)。在一种实例方面中，所述至少一个插入层包含具有良好的与陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的热膨胀系数匹配的导电材料。如果热膨胀系数差相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的系数为至多4x 10-6/K，则可将热膨胀失配视为接近的。在一种实例方面中，将所述至少一个插入层选为具有相对于陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的系数至多4x 10-6/K的热膨胀系数差的材料。在一种实例方面中，所述至少一个插入层进一步包括绝缘材料。在一种实例方面中，所述至少一个插入层选自氧化镱(Yb2O3)、钼(Mo)、钨(W)、二硅化钼(MoSi2)、碳化钨(WC)、二硅化钨(WSi2)、及其两种或更多种的混合物。
在一种实例方面中，所述反应器为配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器并且耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x 10-4的损耗角正切并且对于射频(RF)能量基本上是透明的。在一种实例方面中，所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。在一种实例方面中，陶瓷绝缘基底进一步包括包埋在其中的至少一个插入导电层，所述导电层具有至多10兆欧-cm的薄层电阻率。在另一种实例方面中，所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为顶喷。
另一方面涉及用于制备与反应器一起使用的耐腐蚀组件的方法。所述方法包括如下步骤：a)铺放包含基于较薄层的总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的较薄层和烧结性基底材料的较厚层以形成预叠层体(其在本文中也称为‘生坯叠层体’)；和，b)热处理所述预叠层体以形成耐腐蚀叠层体。术语“较薄”相对于“较厚”表示，较薄的粉末层在挤压方向上小于较厚的粉末层的50％。热处理选自热压和热等静压。
在所述方法的一种实例方面中，烧结性基底材料选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。在所述方法的一种实例方面中，所述稀土化合物为三价稀土氧化物。在所述方法的一种实例方面中，所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物及其两种或更多种的组合。在所述方法的一种实例方面中，稀土化合物的量为约15-100重量％、或约20-约90重量％、或约25-约80重量％。在一种实例方面中，所述稀土化合物为Y3Si3O10F。在所述方法的一种实例方面中，烧结性基底材料为氧化铝并且稀土化合物为三价稀土氧化物。在所述方法的另一实例方面中，烧结性基底材料为氮化铝并且耐腐蚀无孔层为稀土硅酸盐。在所述方法的一种实例方面中，耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸地接合的盖体。在所述方法的一种实例方面中，所述盖体具有小于1x 10-3的损耗角正切。在所述方法的另一实例方面中，所述盖体具有小于1x 10-4的损耗角正切。在所述方法的一种实例方面中，耐腐蚀组件对于射频(RF)能量基本上是透明的。
在一种实例方面中，所述方法进一步包括在热处理之前铺放在稀土化合物较薄层和基底材料较厚层之间插入的至少一种另外的烧结性粉末组合物层。在所述方法的另一实例方面中，至少一种另外的烧结性粉末组合物包括选自以下的化合物、金属间化合物或金属：氧化镱(Yb2O3)、钼(Mo)、钨(W)、铌(Nb)，和化合物如二硅化钼(MoSi2)、碳化钨(WC)、二硅化钨(WSi2)、碳化钛(TiC)、氮化钛(TiN)、和呈现金属行为且具有良好的与陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层的热膨胀系数匹配的其它这样的导电材料和化合物、及其两种或更多种的混合物。在所述方法的一种实例方面中，所述至少一种另外的烧结性粉末组合物为氧化镱(Yb2O3)。在一种实例方面中，所述方法包括至少一种另外的烧结性粉末组合物包含导电材料。在一种实例方面中，所述方法包括至少一种另外的烧结性粉末组合物包含导电金属。在一种实例方面中，所述方法包括所述至少一种另外的烧结性粉末组合物进一步包含绝缘材料。在另一种实例方面中，所述方法包括所述至少一种另外的烧结性粉末组合物进一步包括绝缘材料，其选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、硅酸盐、及其两种或更多种的混合物。
在所述方法的一种实例方面中，所述半导体加工反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。在所述方法的一种实例方面中，烧结性基底材料进一步包括包埋在其中的至少一个插入导电层，所述导电层具有至多10兆欧-cm的薄层电阻率。在所述方法的另一实例方面中，半导体加工反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且耐腐蚀组件为顶喷。
在一种实例方面中，配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，类似地如在图1A中显示的，为白色的。在一种实例方面中，耐腐蚀组件100包括：a)陶瓷绝缘基底110；和，b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层120，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物的组成；以及，c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。在另一种实例方面中，组件100包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。在另一种实例方面中，组件100包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。陶瓷绝缘基底110选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。在一种实例方面中，稀土化合物为氧化钇(Y2O3)。在一种实例方面中，白色耐腐蚀无孔外层具有至少100μm的厚度、至多0.5％的孔隙率和至多50μm的平均晶粒度。在一种实例方面中，将与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔层粘附到基底。在一种实例方面中，将耐腐蚀无孔层直接粘附到基底。在另一种实例方面中，将白色耐腐蚀无孔层例如通过在其中间的插入层间接地粘附到基底。
在至少一个实施方式中，白色耐腐蚀无孔外层进一步包括烧结助剂，其以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物。在其它实施方式中，加入到稀土化合物的烧结助剂在基于稀土化合物总重量约0.5重量％至约5重量％的范围中。在一些实施方式中，所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。在其它实施方式中，所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2、CeO2、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。在一种优选实施方式中，所述烧结助剂为ZrO2并且以基于稀土化合物总重量1重量％的量加入到稀土化合物。
在一种实例方面中，类似地如在图1B中显示的，耐腐蚀组件150进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底110和白色耐腐蚀无孔外层120之间的至少一个插入层130，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。在一种实例方面中，所述至少一个插入层130为氧化镱(Yb2O3)。在其它实例方面中，所述至少一个插入层130进一步包括导电材料。组装体配置成在制作半导体芯片中使用，该组装体包括：反应器；和，具有白色耐腐蚀无孔外层的耐腐蚀组件，如上所述的。在一种实例方面中，所述反应器为配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器并且所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x 10-4的损耗角正切。在一种替代的实例方面中，所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。
如在图5的流程图表中显示的，提供用于制备与半导体加工反应器一起使用的白色耐腐蚀组件的方法。所述方法包括以下步骤。步骤1000包括铺放包含基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层。步骤1030包括铺放烧结性基底材料的第二层。步骤1000和1030一起形成步骤1040中的预叠层体。烧结性基底材料的第二层选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料和它们的两种或更多种的混合物。所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
在一种实例方面中，步骤1000的第一层的厚度比所述步骤1030的第二层的50％小。步骤1050包括热处理所述预叠层体以形成包括白色耐腐蚀无孔外层的耐腐蚀组件。所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度和至多1％的孔隙率。此时将所述白色耐腐蚀无孔外层烧结并且与经热处理的基底材料(其当前也被烧结)结合，以形成具有白色无孔外层的耐腐蚀叠层体。步骤1050的热处理包括本领域中对于烧结所知晓的热处理技术，其包括非限制实例热压和热等静压。步骤1050典型地包括例如在惰性气氛例如Ar中或在真空中的热处理。步骤1050中的热处理的温度和时间在高至约1500℃、高至30h的范围内。
然后，进一步将步骤1050中形成的耐腐蚀叠层体或组件在随后的热处理步骤1060中进行热处理。步骤1060包括将耐腐蚀叠层体在含氧气体或空气中进行热处理。在一种实例方面中，第二热处理的温度在至少800℃到至多1500℃的范围内并且时间在至少0.5h到至多48h的范围内。在一种实例方面中，步骤1060的热处理温度为至少1000℃到至多1400℃、或至少1100℃到至多1300℃、或至少1150℃到至多1250℃。在一种实例方面中，步骤1060的热处理温度为约1200℃。在一种实例方面中，步骤1060的热处理时间持续期在至少1h到至多24h、或至少2h到至多12h、或至少3h到至多6h的范围内。在一种实例方面中，步骤1060的热处理时间持续期为约4h。步骤1060的所述第二热处理形成白色耐腐蚀组件。所述白色耐腐蚀组件在步骤1060之后具有在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。在一种优选实施方式中，步骤1060的热处理为在1200℃下进行4h。在另一种实例方面中，所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。在另一种实例方面中，所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。
在其它实施方式中，步骤1000任选地进一步包括涉及铺放包含基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层的步骤1010进一步包括将烧结助剂以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物。在另一种实例方面中，步骤1010包括其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。在另一种实例方面中，步骤1010包括加入的烧结助剂的量为基于稀土化合物总重量至少0.5重量％且至多5重量％。在另一种实例方面中，步骤1010包括其中加入的烧结助剂为基于稀土化合物总重量约1重量％的量的ZrO2。
在其它实施方式中，顺序地落在步骤1000和步骤1030之间的任选的步骤1020包括铺放以层的形式在所述第一层和所述第二层之间的烧结性粉末的至少一个插入层，其中所述烧结性粉末的至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。步骤1030任选地包括将至少一种烧结助剂加入到所述插入层。在一种实例方面中，加入到插入层的烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
其它实施方式包括配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件。所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和，b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物和以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的烧结助剂的组成，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料；c)包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料；和，d)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。在一种实例方面中，用于测量的所述平坦表面为光滑的和/或抛光的。
图6A说明如在一种实例方面中的配置成在等离子体蚀刻半导体晶片中使用的组装体。等离子体蚀刻反应器组装体600包括等离子体蚀刻反应器700。由感应线圈640产生的交变磁场延伸通过盖体625，产生在反应器700内部在盖体625正下方的电场，其继而产生蚀刻等离子体。耐腐蚀盖体625配置成与等离子体蚀刻反应器700可拆卸地接合。盖体625包括具有内表面和外表面的耐腐蚀陶瓷绝缘基底610；并且，进一步包括与基底610的内表面邻接的白色耐腐蚀无孔层620。在一种实例方面中，基底610也为白色的。将具有内和外平坦表面的耐腐蚀无孔层620安置成使得层620的内平坦表面面对反应器700的内部。组件或盖体625为圆盘状的并且包括配置成适配到组装体600中的在中心处的轴向空隙(孔，void)605。轴向空隙605在本文中也可互换地称为中心605。
图6B说明盖体或组件625的以朝向白色耐腐蚀无孔层620的内平坦表面上的视角的顶视图。在顶视图图6B中对于圆盘状组件显示的非限制实例中，620的内平坦表面为圆形的并且包括从中心605延伸至第一径向距离r1的中心区域670。层620的内平坦表面的中心区域670对应于组件625的暴露到反应器700内部的区域并且因此暴露于攻击性加工。攻击性加工可意指等离子体蚀刻，如在该非限制实例中的。对于本公开的其它组件，攻击性加工可意指等离子体蚀刻或沉积或两者。布置在中心区域670外部的外区域680从中心605由径向距离r1延伸至第二径向距离r2。如在图6A和6B中显示的外区域680在本文中可互换地称为外缘680。外区域680对应于组件625的不必暴露到攻击性加工并且径向地向外延伸通过用于密封反应器700的o形环的部分。在一种实例方面中，对于组件625的白色耐腐蚀无孔层620的内平坦表面的中心区域670，收集L*a*b*测量。中心区域670在本文中还可称为用于L*a*b*测量意图的平坦表面。在一种实例方面中，中心区域670为抛光的平坦表面。
实施例
对于所有实施例，并且考虑到使污染物最小化的需要，所使用的原材料中不期望元素的总浓度为至多1原子％。
实施例1
如下制造由氧化铝-钇土叠层体制成的两个圆盘(S1和S12)。将来自AMRCorp.的高纯的化学沉淀的氧化钇粉末在水中碾磨至粒子尺寸d90<1μm。然后将浆料冷冻干燥并且通过150μm筛目筛分。
将大致组成0.25重量％SiO2、0.05重量％Na2O、0.12重量％MgO、0.12重量％CaO、余量为Al2O3的喷雾干燥的氧化铝粉末在空气中在800℃加热8小时以从所述喷雾干燥的粉末除去粘合剂。该粉末称为CoorsTek 995I2。
将所述氧化铝粉末在6-英寸直径的模具中冷压至440psi的压力和约1英寸的总厚度。然后在所述氧化铝上面添加一层上述的钇土粉末，并且再次冷压至440psi。此刻，钇土层为约2000μm厚。
对于第二叠层体(S12)，除了如下之外重复所述过程：在钇土层和氧化铝层之间插入约1000μm的氧化镱(Yb2O3)粉末层。
将冷压的叠层体转移到由以下在表1中所示的堆叠排列组成的热压成型组装体。
表1.用于实施例1热压的堆叠排列
<u>顶部</u>
1-英寸石墨间隔物
1部件
1-英寸石墨间隔物
3-英寸石墨间隔物
<u>底部</u>
所有间隔物和部件的直径为6英寸。模具筒为7英寸内径(ID)和15英寸外径(OD)的。根据表2中所示的温度时间表将所述组装体热压。
表2.在热压期间的温度循环
Ar＝在氩气气氛下
根据表3中所示的循环施加压力。
表3.在热压期间的压力循环
将灰色致密的钇土-氧化铝叠层体从所述热压操作取出。通过ASTM-E112方法测量的氧化铝的晶粒度为1.7μm。碳含量为640ppm。在5GHz下测量的S1的损耗角正切为9.1x 10-5。孔隙率通过根据以下方案(由Struers,Inc.提供的抛光器材)抛光的抛光片的图像分析而测量：
60μm钻石，如用于使表面变平所需的
15μm钻石，固定的砂磨垫：2分钟
9μm钻石，Largo(塑料)垫：8分钟
3μm钻石，DAC(尼龙)垫：6分钟
1μm钻石，起绒布：3分钟.
发现，S1和S12的孔隙率分别为0.24％和0.72％。观察到耐腐蚀无孔钇土层基本上不具有微裂纹或缝隙。从截面测量，S1和S12分别具有910μm和940μm的钇土层厚度。从截面测量的氧化镱层厚度为520μm。发现，通过ASTM C633的变型(改进方法，variant)测量的粘附强度为30MPa。如在本文中测量的，粘附强度为当在最外层和基底之间施加拉力时导致断裂所需的力，其与插入层存在与否或断裂位置无关，前提是断裂不唯独局限于基底。粘附到基底的最外层可包括如下情形：其中包括至少一个插入层、和/或在最外层和基底之间存在由烧结固有地产生的反应层。对于样品S1，在钇土层和氧化铝基底之间存在具有组成Y3Al5O12的反应层。通过使用CIE L*a*b*颜色标度的Hunterlab MiniScan XE色度计在钇土侧上测量的样品的暗度L*为53.9。
实施例2
除了如下之外，将两个钇土-铝酸盐叠层体以如在实施例1中对于样品S1所述的进行冷压：一个叠层体(S4)使用来自Sasol的APA级氧化铝粉末，并且另一个叠层体(S5)使用也来自Sasol的AHPA级氧化铝粉末。将冷压的圆盘以如表4中所示的相同堆叠方式(stackup)进行热压。
表4.实施例2热压的堆叠排列
<u>顶部</u>
1-英寸石墨间隔物
1部件
1-英寸石墨间隔物
3-英寸石墨间隔物
1部件
1-英寸石墨间隔物
3-英寸石墨间隔物
<u>底部</u>
温度和压力循环在表5和6中显示。
表5.在实施例2热压期间的温度循环
Ar＝在氩气气氛下
表6.在实施例2热压期间的压力循环
通过ASTM-E112方法测量的氧化铝的晶粒度为0.76μm(S4)和0.92μm(S5)。发现，通过相同方式测量的所述钇土的晶粒度为0.4μm。发现，S4在5GHz下的损耗角正切为11x 10-5，并且S5在5GHz下的损耗角正切为15.7x 10-5。
通过实施例1中所述的方法测量两个样品的孔隙率。S4具有0.50％的孔隙率，并且S5具有0.69％的孔隙率。在所述耐腐蚀无孔钇土层中基本上观察不到微裂纹或缝隙。发现，通过ASTM C633测量的S4的粘附强度为20MPa，并且S5的为26MPa。对于样品S1，在钇土层和氧化铝基底之间存在反应层。通过使用CIE L*a*b*颜色标度的Hunterlab MiniScan XE色度计在钇土侧上测量的样品的暗度L*对于S4为49.7并且对于S5为66.1。
实施例3
将两个钇土-氧化铝叠层体如实施例2中所述的那样进行冷压。一个叠层体(S6)使用来自Sasol的AHPA氧化铝粉末，并且另一个叠层体(S7)使用来自Baikowski-Malakoff的Baikowski TCPLS DBM氧化铝粉末。将各叠层体置于Mo箔片之间。
将冷压的圆盘以和实施例2中相同的堆叠构造进行热压。温度和压力的循环在表7和8中显示。
表7.在实施例3热压期间的温度循环
Ar＝在氩气气氛下
表8.在实施例3热压期间的压力循环
样品S6的损耗角正切被测为4x 10-5。发现，L*对于S6为75.4并且对于S7为75.9。粘附强度对于S6为24MPa并且对于S7为35MPa。
实施例4
将两个钇土-氧化铝叠层体如实施例3中对于样品S7所述的那样进行冷压。一个叠层体(S8)使用已经干混有约0.5％的AlF3的来自Sasol的AHPA氧化铝粉末，并且另一个叠层体(S9)使用来自Baikowski-Malakoff的BaikowskiSA-80氧化铝粉末(没有AlF3添加物)。将各叠层体置于钼(Mo)箔片之间。
向S8加入氟化物作为致密助剂。将冷压的圆盘以和实施例2中相同的堆叠方式进行热压。温度循环在表9中显示。压力循环和前面所示的表6是相同的。
表9.用于实施例4热压的温度循环
Ar＝在氩气气氛下
由包括AlF3添加物的AHPA粉末制成的叠层体在移除时在几处裂开并且观察在钇土层和氧化铝层之间的多孔界面。该样品(S8)的损耗角正切为2x 10-5。S9的损耗角正切为4.6x10-5。发现，L*对于S8为48.6并且对于S9为76.0。粘附强度对于S8为小于5MPa并且对于S9为39MPa。
实施例5
除了如下之外，将两个钇土-氧化铝叠层体如和实施例4中对于样品S9所述的那样进行冷压：在钇土层和氧化铝层之间插入约0.04”的氧化镱(Yb2O3)粉末层。两个叠层体均使用实施例1中所述的CoorsTek 995I2粉末。一个叠层体(S11)具有置于一侧上的一个0.004”Mo箔层，而另一个(S10)不具有。
将冷压的圆盘以与和实施例2中相同的堆叠方式进行热压。压力和温度循环与实施例4是相同的。
发现，S10的损耗角正切为15x10-5，并且其孔隙率被测为1％。在耐腐蚀无孔钇土层中基本上观察不到微裂纹或缝隙。Y2O3的热压态层厚度为920μm并且Yb2O3层在热压后的厚度为530μm。发现，S10的L*为49.7。S10的粘附强度为28MPa。
对于S11，Y2O3的热压态层厚度为700μm并且Yb2O3层在热压之后的厚度为450μm。
实施例6
除了如下之外，将一个钇土-氧化铝叠层体(S43)如实施例5中所述的那样进行冷压：钇土和氧化镱粉末由PIDC供应。所述叠层体使用来自Sasol的APA粉末。将Mo箔置于所述叠层体的两侧上。
将冷压的圆盘以和实施例2的表4中相同的堆叠方式进行热压。温度和压力的循环在表10和11中显示。
表10.实施例6热压的温度循环
表11.实施例6热压的压力循环
对于S43，Y2O3的热压态层厚度为2950μm并且在热压之后Yb2O3层的厚度为525μm。
实施例7
将一个钇土-氧化铝叠层体(S50)如实施例6中所述的那样进行冷压。所述叠层体使用来自Sasol的APA粉末。将Mo箔置于所述叠层体的两侧上。将钇土粉末在使用之前与1重量％ZrO2进行混合。
将冷压的圆盘以与和实施例2的表4中相同的堆叠方式进行热压。压力和温度的循环与实施例6是相同的。发现，S50的损耗角正切为2.39x 10-5。Y2O3的热压态层厚度为720μm并且在热压之后Yb2O3层的厚度为350μm。氧化钇层的晶粒度估计为约2μm。
实施例8
将两个钇土-氧化铝叠层体如实施例7中所述的那样进行冷压。一个叠层体(S54)使用Sasol的APA粉末，连同PIDC钇土和40μm厚的氧化镱陶瓷带，其中氧化镱粉末也来自PIDC。第二叠层体(S55)使用来自Orbite Technologies的HPA氧化铝，连同PIDC钇土和氧化镱。两个叠层体在两面上均具有Mo箔。
将冷压的圆盘以和实施例2的表4中相同的堆叠方式进行热压。压力和温度的循环与实施例6是相同的。发现，S54的损耗角正切为3.93x 10-5。Y2O3的热压态层厚度为985μm并且在热压之后Yb2O3层的厚度为40μm。对于S55，发现，损耗角正切为2.06x 10-5。Y2O3的热压态层厚度为1000μm并且在热压之后Yb2O3层的厚度为315μm。S54和S55的氧化钇层的晶粒度测定为约5-20μm。
实施例9
将两个钇土-氧化铝叠层体如实施例8中所述的那样进行冷压。一个叠层体(S57)使用Sasol的APA粉末，连同混有3体积％氟氧化钇(YOF)的PIDC钇土和PIDC氧化镱。第二叠层体(S58)使用Sasol的APA粉末、PIDC氧化镱和混有3体积％Y2Si2O7的PIDC钇土。两个叠层体在两面上均具有Mo箔。
将冷压的圆盘以和实施例2的表4中相同的堆叠方式进行热压。压力和温度的循环与实施例6是相同的。发现，S57的损耗角正切为4.50x 10-5。Y2O3的热压态层厚度为1085μm并且在热压之后Yb2O3层的厚度为380μm。S57的氧化钇层的晶粒度被测定为约50μm。对于S58，发现损耗角正切为7.73x 10-5。Y2O3的热压态层厚度为980μm并且在热压之后Yb2O3层的厚度为425μm。S58的氧化钇层的晶粒度被测定为约5-10μm。
实施例10
将一个叠层体(S49)如实施例6中所述的那样进行冷压。所述叠层体使用来自Sasol的APA粉末作为氧化铝基层(base)、以及77重量％钇土、15重量％氧化锆和8重量％氧化铝的共混物作为顶层。将Mo箔置于所述叠层体的两侧上。
将冷压的圆盘以和实施例2的表4中相同的堆叠方式进行热压。压力和温度的循环与实施例6是相同的。发现，S49的损耗角正切为13.3x 10-5。共混层的热压态层厚度为1215μm。发现，所述叠层体的粘附为32MPa。所述无孔层的富钇土晶粒(grain)的平均晶粒度估计为约2μm。在微观结构中观察到至少一个第二相即组成Y4Al2O9的富氧化铝晶粒并且该第二相被认为有助于所述层的强度增大。
实施例1至10的性质汇总包括在表12中。
如下制备大型的580mm叠层体圆盘。
实施例11
通过如下制备样品A：将29.5kg氧化铝粉末(APA)装载到580mm直径石墨模具中、随后整平并用100kN的力压实。然后，将2.5kg Yb2O3粉末(PIDC)装载在氧化铝层上面、整平并用100kN的力压实。接着，将4kg Y2O3粉末(PIDC)装载在氧化镱层的上面、整平并用100kN的力压实。将热压机的石墨模具通过0.02”石墨填料(Grafoil)层和然后的0.005”钼箔层隔开。热压的温度和压力循环在表13中显示。在所指示的值之间的温度升速是近乎线性的。压力增加是即时的。
表13.在实施例11热压期间的温度&压力循环
在热压之后，在所述组件(也称为圆盘或窗)上的多个位置进行颜色测量之前，将圆盘在钇土侧进行研磨和抛光。使用采用CieLab L*,a*,b*标度的Hunterlab Miniscan XE仪器获得颜色测量结果。操作者目视选择测量位置以表示均匀性差异。对于样品A，选择窗的大片段用于在其中借助眼睛判断颜色为最暗的一个区域和其中借助眼睛判断颜色为最亮的两个区域中进行测量。样品A呈现不合格的颜色均匀性。结果包括在表15中。
实施例12
对于样品B，除了如下之外以和对于样品A相同的方式制备580mm圆盘：用于热压的温度和压力循环示于表14中。样品B的加工还包括如下所述的单独的热处理步骤。
表14.在实施例12热压期间的温度&压力循环
在热压之后，将样品B圆盘另外在空气中在1200℃下热处理4小时、然后在钇土侧上进行研磨和抛光。通过目测观察，观察到样品B的白度相对于样品A增强。与样品A一样，使用Hunterlab Miniscan XE仪器测量颜色。对于样品B，选择窗的大片段用于在其中借助眼睛判断颜色为最暗的两个区域和其中借助眼睛判断颜色为最亮的两个区域中进行测量。在表15中包括的测量结果表明，样品B相当白，其中L*一致地大于88。明暗和色调的差异分别由大于5的在位置之间的L*差值和大于3的a*或b*差值得以证明。
实施例13
对于样品C，除了如下之外通过和对于样品B相同的方式制备580mm圆盘：样品C的钇土层和插入的氧化镱层两者均进一步包含氧化锆作为烧结助剂。在将钇土粉末加入到模子之前，使用Resodyn混合机将1摩尔百分比的TZ3Y粉末(ZrO2中5.2重量％的Y2O3，由TosohCorp.供应)混入到Y2O3粉末中。对于氧化镱粉末，将1摩尔百分比的TZ3Y粉末与氧化镱一起进行碾磨，随后将所得浆料进行喷雾干燥。然后，使用所得的粉末。在热压之后，将圆盘然后在空气中在1200℃下热处理4小时。然后将样品C在钇土侧上进行研磨和抛光。如和样品A和B一样，使用Hunterlab Miniscan XE仪器测量颜色。对于样品C，在其中借助眼睛判断颜色为最暗的一个区域和其中借助眼睛判断颜色为最亮的两个区域中选择所述窗的大碎片进行测量。包括在表15中的测量结果表明，样品C为白色的，其中L*一致地大于92。明暗和色调的差异小于样品A和B的，如分别由小于5的在位置之间的L*差值和小于3的a*或b*差值所证明的。样品C的钇土层的平均晶粒度被测为5.4μm，其通过ASTM E112-96测定。样品C的氧化镱层的平均晶粒度被测为0.5μm，其通过ASTM E112-96测定。样品C的氧化镱层的孔隙率被测为小于1％。通过燃烧测量的样品C的碳含量为小于30份重量百万分率。
表15.实施例11-13的L*a*b*结果
样品 位置 L* a* b*
A 1 82.04 -0.03 1.29
A 2 77.57 -0.03 1.28
A 3 67.72 -0.01 1.29
B 1 96.44 0.01 1.46
B 2 92.49 0.15 4.20
B 3 90.57 0.17 3.05
B 4 93.85 -0.63 -0.27
C 1 92.04 -0.61 0.44
C 2 94.62 0.50 1.21
C 3 96.53 0.54 2.40
元件(要素)列表
100 耐腐蚀组件
110 陶瓷绝缘基底
120 耐腐蚀无孔层
130 插入层
150 耐腐蚀无孔层
t1 层120的厚度
t2 层130的厚度
200 等离子体蚀刻反应器组装体
210 陶瓷绝缘基底
220 耐腐蚀无孔层
225 盖体
240 感应线圈
250 反应器
300 加热器设备
320 耐腐蚀无孔层
330 插入层
330 绝缘陶瓷
340 加热元件
360 射频(RF)屏蔽物
380 支持圆盘
400 CVD反应器组装体
410 顶喷
420 耐腐蚀无孔层
440 加热器
450 正在加工的晶片
600 等离子体蚀刻反应器组装体
605 中心或轴向空隙
610 陶瓷绝缘基底
620 耐腐蚀无孔层
625 盖体
640 感应线圈
650 晶片
670 620内平坦表面的中心区域
680 外区域
700 反应器
其它实施方式
可使用本公开的多个变型和改型。提供本公开的一些特征而不提供另一些将是可能的。
本公开在多个方面、实施方式和构造中包括基本上如本文中图示和描述的组件、方法、工艺、系统和/或装备，其包括它们的多个方面、实施方式、构造、子组合和子集。本领域技术人员在理解本公开之后将想到如何达成并使用所述多个方面、方面、实施方式和构造。本公开在多个方面、实施方式和构造中包括在不存在本文中未图示和/或描述的项目(零件，item)的情况下提供器件和工艺，或在其多个方面、实施方式和构造中包括在不存在这样的项目的情况下例如可在现有器件或工艺中已经使用的那些，以改善性能、实现便利和/或降低实施成本。
为了说明和描述的意图，已经呈现本公开的前述论述。前述内容不旨在限制本文中公开的一种或多种形式。例如，在前述的具体实施方式中，为了流畅表达本公开的意图，将本公开的多个特征在一个或多个方面、实施方式和构造中在一起成组。本公开的特征、实施方式和构造的特征可在除了以上论述的那些之外的替代性方面、实施方式和构造中组合。本公开的方法不应该被解释为反映这样的意向：所主张的公开要求比在各权利要求中明确限定的更多的特征。而是，如以下权利要求所反映的，发明方面在于，少于单个的前述公开的方面、实施方式和构造的所有特征。因此，特此将以下权利要求并入所述具体实施方式中，其中各权利要求以其本身作为本公开的单独的优选实施方式存在。
而且，尽管本公开的描述已经包括一个或多个方面、实施方式或构造以及某些变型和改型的描述，但是其它变型、组合和改型(例如在理解本公开之后可属于本领域技术人员的技能和认知的那些)在本公开的范围之内。希望获得包括允许程度的替代性方面、实施方式和构造的权利，其包括与所主张的那些替代的、可互换的和/或等同的结构、功能、范围或步骤，而不管这样的替代的、可互换的和/或等同的结构、功能、范围或步骤是否在本文中被公开，并且不打算公开捐献任何可专利的主题。
根据以上描述，本领域技术人员可容易地确定本发明的必要特征，并且不偏离其精神和范围，可对本发明做出多个改变或变更以使其适用于不同的用途和条件。因此，其它实施方式也被认为在目前权利要求的范围之内。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：
a)陶瓷绝缘基底；和，
b)粘附到陶瓷绝缘基底的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、至多100μm且至少500nm的平均晶粒度、和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；以及，
c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。
2.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。
3.如权利要求2所述的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。
4.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。
5.如权利要求4所述的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
6.如权利要求5所述的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物为氧化钇(Y2O3)。
7.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少100μm的厚度、至多0.5％的孔隙率、和至多50μm且至少1μm的平均晶粒度。
8.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层进一步包括以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％范围加入到稀土化合物的烧结助剂。
9.如权利要求8所述的耐腐蚀组件，其中加入到稀土化合物的烧结助剂在基于稀土化合物总重量约0.5重量％至约5重量％的范围中。
10.如权利要求8所述的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
11.如权利要求9所述的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为ZrO2并且以基于稀土化合物总重量1重量％的量加入到稀土化合物。
12.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和白色耐腐蚀无孔外层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
13.如权利要求12所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)。
14.如权利要求13所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入氧化镱的烧结助剂。
15.如权利要求12所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括导电材料。
16.配置成在制作半导体芯片中使用的组装体，所述组装体包括：
反应器；和，
权利要求1所述的耐腐蚀组件。
17.如权利要求16所述的组装体，其中所述反应器为配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器，并且所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x10-4的损耗角正切。
18.如权利要求16所述的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。
19.用于制备白色耐腐蚀组件的方法，其包括：
铺放包含基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层和烧结性基底材料的第二层以形成预叠层体，其中所述烧结性基底材料选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物；和其中所述第一层的厚度比所述第二层的厚度的50％小；和，
热处理所述预叠层体以形成包括具有至少50μm的厚度和至多1％的孔隙率的白色耐腐蚀无孔外层的耐腐蚀组件，从而形成耐腐蚀叠层体；和，
进一步将所述耐腐蚀叠层体在空气中在至少800℃到至多1500℃的温度下热处理至少0.5h到至多48h的时间以形成具有在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值的白色耐腐蚀组件。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。
22.如权利要求19所述的方法，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
23.如权利要求22所述的方法，其中铺放包含基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层的步骤进一步包括以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的烧结助剂。
24.如权利要求23所述的方法，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
25.如权利要求23所述的方法，其中加入的烧结助剂的量为基于稀土化合物总重量至少0.5重量％且至多5重量％。
26.如权利要求24所述的方法，其中加入的烧结助剂为以基于稀土化合物总重量约1重量％的量的ZrO2。
27.如权利要求23所述的方法，其中铺放步骤进一步包括铺放以层的形式在所述第一层和所述第二层之间的烧结性粉末的至少一个插入层，其中所述烧结性粉末的所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述烧结性粉末的所述至少一个插入层为氧化镱并且进一步包括以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到氧化镱的烧结助剂。
29.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其进一步包括：
a)以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的烧结助剂，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料；和，
b)包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
30.如权利要求29所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)并且进一步包括以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到氧化镱的烧结助剂。
31.耐腐蚀组件，所述耐腐蚀组件包括：
a)陶瓷绝缘基底；
b)粘附到陶瓷绝缘基底的耐腐蚀无孔外层，所述耐腐蚀无孔层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、以及包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物和以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的第一烧结助剂的组成；
c)包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料；
所述至少一个插入层进一步包括加入到选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料的第二烧结助剂；和，
d)至多1000ppm的碳含量。
32.如权利要求31所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱并且将第二烧结助剂以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到氧化镱。
33.如权利要求31所述的耐腐蚀组件，其中所述第一烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料并且所述第二烧结为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。

Claims (33)

1.配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：
a)陶瓷绝缘基底；和，
b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；以及，
c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。
2.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。
3.如权利要求2所述的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。
4.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。
5.如权利要求4所述的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
6.如权利要求5所述的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物为氧化钇(Y2O3)。
7.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少100μm的厚度、至多0.5％的孔隙率、和至多50μm的平均晶粒度。
8.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层进一步包括以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％范围加入到稀土化合物的烧结助剂。
9.如权利要求8所述的耐腐蚀组件，其中加入到稀土化合物的烧结助剂在基于稀土化合物总重量约0.5重量％至约5重量％的范围中。
10.如权利要求8所述的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
11.如权利要求9所述的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为ZrO2并且以基于稀土化合物总重量1重量％的量加入到稀土化合物。
12.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和白色耐腐蚀无孔外层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
13.如权利要求12所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)。
14.如权利要求13所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入氧化镱的烧结助剂。
15.如权利要求12所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括导电材料。
16.配置成在制作半导体芯片中使用的组装体，所述组装体包括：
反应器；和，
权利要求1所述的耐腐蚀组件。
17.如权利要求16所述的组装体，其中所述反应器为配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器，并且所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x10-4的损耗角正切。
18.如权利要求16所述的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。
19.用于制备与半导体加工反应器一起使用的白色耐腐蚀组件的方法，其包括：
铺放包含基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层和烧结性基底材料的第二层以形成预叠层体，其中所述烧结性基底材料选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物；和其中所述第一层的厚度比所述第二层的厚度的50％小；和，
热处理所述预叠层体以形成包括具有至少50μm的厚度和至多1％的孔隙率的白色耐腐蚀无孔外层的耐腐蚀组件，从而形成耐腐蚀叠层体；和，
进一步将所述耐腐蚀叠层体在空气中在至少800℃到至多1500℃的温度下热处理至少0.5h到至多48h的时间以形成具有在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值的白色耐腐蚀组件。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述白色耐腐蚀组件具有在耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。
22.如权利要求19所述的方法，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y2O3)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化物、复合氮化物化合物、及其两种或更多种的组合。
23.如权利要求22所述的方法，其中铺放包含基于第一层总重量至少15重量％的稀土化合物的烧结性粉末组合物的第一层的步骤进一步包括以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的烧结助剂。
24.如权利要求23所述的方法，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
25.如权利要求23所述的方法，其中加入的烧结助剂的量为基于稀土化合物总重量至少0.5重量％且至多5重量％。
26.如权利要求24所述的方法，其中加入的烧结助剂为以基于稀土化合物总重量约1重量％的量的ZrO2。
27.如权利要求23所述的方法，其中铺放步骤进一步包括铺放以层的形式在所述第一层和所述第二层之间的烧结性粉末的至少一个插入层，其中所述烧结性粉末的所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述烧结性粉末的所述至少一个插入层为氧化镱并且进一步包括以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到氧化镱的烧结助剂。
29.配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀组件包括：
a)陶瓷绝缘基底；和，
b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物和以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的烧结助剂的组成，其中所述烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料；
c)包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料；和，
d)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。
30.如权利要求29所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb2O3)并且进一步包括以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到氧化镱的烧结助剂。
31.配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，所述耐腐蚀组件包括：
a)陶瓷绝缘基底；
b)与陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔外层，所述耐腐蚀无孔层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、以及包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％的稀土化合物和以基于稀土化合物总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到稀土化合物的第一烧结助剂的组成；
c)包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和耐腐蚀无孔层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料；
所述至少一个插入层进一步包括加入到选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料的第二烧结助剂；和，
d)至多1000ppm的碳含量。
32.如权利要求31所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱并且将第二烧结助剂以基于氧化镱总重量约300ppm至约20重量％的范围加入到氧化镱。
33.如权利要求31所述的耐腐蚀组件，其中所述第一烧结助剂为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料并且所述第二烧结为选自ZrO2、HfO2和CeO2的至少一种材料。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210135225A (ko) * 2019-03-07 2021-11-12 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 소결체
JP2022538888A (ja) * 2019-07-01 2022-09-06 クアーズテック・インコーポレイテッド 腐食保護層を有するマルチゾーンシリコン窒化物ウエハヒータアセンブリ、並びにその製造方法および使用方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383443B (en) * 1997-08-06 2000-03-01 Ngk Insulators Ltd Semiconductor supporting device
CN1259754A (zh) * 1998-12-17 2000-07-12 住友特殊金属株式会社 稀土金属永磁体及其生产方法
EP1119026A2 (en) * 2000-01-20 2001-07-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus
EP1158072A2 (en) * 2000-04-18 2001-11-28 Ngk Insulators, Ltd. Halogen gas plasma-resistive members and method for producing the same, laminates, and corrosion-resistant members
US20040126614A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-01 Takao Maeda Fluoride-containing coating and coated member
CN1663017A (zh) * 2002-06-27 2005-08-31 蓝姆研究公司 等离子体反应器的产量增进热喷涂含氧化钇涂层
JP2005243987A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US20060073349A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic member and manufacturing method for the same
CN101042996A (zh) * 2006-03-20 2007-09-26 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN101589455A (zh) * 2007-01-11 2009-11-25 朗姆研究公司 延长作为等离子室材料的氧化钇的寿命
CN103074563A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 中国科学院微电子研究所 一种y2o3耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法
CN103074562A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 中国科学院微电子研究所 一种改进性能的y2o3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
CN103681793A (zh) * 2012-09-14 2014-03-26 日本碍子株式会社 叠层结构体、半导体制造装置用构件及叠层结构体的制造方法
CN108463345A (zh) * 2015-11-16 2018-08-28 阔斯泰公司 耐腐蚀组件和制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4540221B2 (ja) 2000-04-21 2010-09-08 日本碍子株式会社 積層体、耐蝕性部材および耐ハロゲンガスプラズマ用部材
JP4688307B2 (ja) 2000-07-11 2011-05-25 コバレントマテリアル株式会社 半導体製造装置用耐プラズマ性部材
TWI241284B (en) 2002-06-06 2005-10-11 Ngk Insulators Ltd A method of producing sintered bodies, a method of producing shaped bodies, shaped bodies, corrosion resistant members and a method of producing ceramic member
JP4006596B2 (ja) 2002-07-19 2007-11-14 信越化学工業株式会社 希土類酸化物溶射部材および溶射用粉
WO2005009919A1 (ja) * 2003-07-29 2005-02-03 Kyocera Corporation Ｙ２ｏ３質焼結体、耐食性部材およびその製造方法並びに半導体・液晶製造装置用部材
JP2005170728A (ja) 2003-12-10 2005-06-30 Toshiba Ceramics Co Ltd Ｙ２ｏ３焼結体およびその製造方法
US8367227B2 (en) 2007-08-02 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity
CN107098686B (zh) 2010-03-30 2020-08-11 日本碍子株式会社 半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法
WO2015108276A1 (ko) 2014-01-17 2015-07-23 아이원스 주식회사 복합 피막 입자 입경을 갖는 피막의 형성 방법 및 이에 따른 피막

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383443B (en) * 1997-08-06 2000-03-01 Ngk Insulators Ltd Semiconductor supporting device
CN1259754A (zh) * 1998-12-17 2000-07-12 住友特殊金属株式会社 稀土金属永磁体及其生产方法
EP1119026A2 (en) * 2000-01-20 2001-07-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus
EP1158072A2 (en) * 2000-04-18 2001-11-28 Ngk Insulators, Ltd. Halogen gas plasma-resistive members and method for producing the same, laminates, and corrosion-resistant members
CN1663017A (zh) * 2002-06-27 2005-08-31 蓝姆研究公司 等离子体反应器的产量增进热喷涂含氧化钇涂层
US20040126614A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-01 Takao Maeda Fluoride-containing coating and coated member
JP2005243987A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US20060073349A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic member and manufacturing method for the same
CN101042996A (zh) * 2006-03-20 2007-09-26 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN101589455A (zh) * 2007-01-11 2009-11-25 朗姆研究公司 延长作为等离子室材料的氧化钇的寿命
CN103074563A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 中国科学院微电子研究所 一种y2o3耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法
CN103074562A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 中国科学院微电子研究所 一种改进性能的y2o3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
CN103681793A (zh) * 2012-09-14 2014-03-26 日本碍子株式会社 叠层结构体、半导体制造装置用构件及叠层结构体的制造方法
CN108463345A (zh) * 2015-11-16 2018-08-28 阔斯泰公司 耐腐蚀组件和制造方法

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