CN109935520A - 蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。该蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式，在该第1部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出，将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序包括第2部分更换模式，在第2部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出，将新的蚀刻液以第4设定量供给。根据本发明的蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质，不全部更换蚀刻液，而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围，能够精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。

Description

蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质
本申请是申请号为201480053037.9、申请日为2014年9月19日、发明名称为“蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质”的发明专利申请的分案申请。
关联申请的参照
本专利申请享有2013年9月27日提出申请的日本申请即日本特愿2013－202325的利益。该在先申请的全部公开内容通过引用而作为本说明书的一部分。
技术领域
本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质，特别是涉及利用蚀刻液对半导体晶圆等被处理体实施蚀刻处理的蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。
背景技术
以往，在对半导体晶圆等被处理体进行的湿蚀刻方法中，使用作为蚀刻液的磷酸来对氮化膜－氧化膜实施蚀刻处理。将例如由磷酸水溶液(H3PO4)等构成的蚀刻液储存于处理槽，加热到预定温度例如160℃～180℃，并一边借助与处理槽连接的循环管路、设于循环管路的循环泵以及温度控制器等循环供给预定温度的蚀刻液，一边对被处理体例如半导体晶圆(以下称为晶圆)进行蚀刻处理(参照日本特公平3－20895号公报)。
在上述的蚀刻方法中，若反复进行蚀刻处理，则晶圆的硅(Si)成分溶出到蚀刻液中，蚀刻液中的硅(Si)浓度变高，无法精度良好地对半导体晶圆实施蚀刻处理。因此，以往，需要定期地全部更换处理槽内的蚀刻液。
然而，在将处理槽内的蚀刻液全部更换成新的蚀刻液的情况下，蚀刻液中的硅浓度暂时降低，但并不是蚀刻液中的硅浓度只要低就可以，通过将硅浓度保持在确定的恒定的范围，能够精度良好地对半导体晶圆实施蚀刻处理。
此外，在定期地全部更换了处理槽内的蚀刻液的情况下，每次更换时需要通过陈化处理(日文：シーズニング)等进行新的蚀刻液的硅浓度调整等蚀刻液调整。在该情况下，蚀刻液调整变得烦杂、且处理时间也延长。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特公平3－20895号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是考虑上述问题点而做成的，目的在于提供一种蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质，不将蚀刻液全部更换，就能够容易且简单地将蚀刻液中的从半导体晶圆溶出的溶出成分浓度(硅浓度)保持恒定，由此，能够精度良好地对半导体晶圆实施蚀刻处理。
用于解决问题的方案
本发明是一种蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括：使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序；对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序。
本发明是一种蚀刻装置，用于对被处理体实施蚀刻处理，其特征在于，该蚀刻装置包括：蚀刻处理部，其用于收纳被处理体并利用蚀刻液对被处理体实施蚀刻处理；排出部，其用于将在所述蚀刻处理部中提供于蚀刻处理的蚀刻液排出；供给部，其用于向所述蚀刻处理部供给新的蚀刻液；控制装置，其用于对所述蚀刻处理部、所述排出部和所述供给部进行驱动控制而执行蚀刻方法，由所述控制装置执行的蚀刻方法包括：蚀刻工序，在该蚀刻工序中，使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理；对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序。
本发明是一种存储介质，在该存储介质存储有用于使计算机执行蚀刻方法的计算机程序，其特征在于，蚀刻方法包括：蚀刻工序，在该蚀刻工序中，使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理；对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序。
发明的效果
如以上那样，根据本发明，不更换全部蚀刻液而能够容易且简单将蚀刻液中的从被处理体溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围，能够精度良好地对被处理体实施蚀刻处理。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的蚀刻装置的概略图。
图2是表示本发明的蚀刻方法的各工序的图。
图3是表示本发明的蚀刻方法中的排液量和供给量之间的关系的图。
图4是表示本发明的蚀刻方法中的磷酸浓度的控制的图。
图5是表示本发明的蚀刻方法的变形例的图。
图6的(a)是表示实施蚀刻处理之前的晶圆的图，图6的(b)表示实施蚀刻处理之后的晶圆的图。
图7是表示作为比较例的蚀刻方法的概略图。
具体实施方式
实施方式
接着，利用图1～图6对本发明的实施方式进行说明。
首先，利用图6的(a)、(b)，对要由本发明的蚀刻方法处理的被处理体、例如硅晶圆W进行论述。
如图6的(a)、(b)所示，首先，准备晶圆W，该晶圆W在作为被处理体例如晶圆W的母材即硅基板1的表面层叠有作为基底层的氧化硅膜2(SiO2)和氮化硅膜3(Si4N3)，在氮化硅膜3的表面涂敷有图案化了的抗蚀剂膜4(图6的(a))。接着，将晶圆W浸渍在高温、例如160℃～180℃的蚀刻液例如磷酸水溶液(H3PO4)中来进行蚀刻处理(图6的(b))。在该蚀刻方法中，重要的是对氮化硅膜3进行蚀刻并对氮化硅膜3的基底的氧化硅膜2的蚀刻速度进行抑制。
本发明的蚀刻方法用于对这样的晶圆W实施蚀刻处理。首先，说明执行蚀刻方法的蚀刻装置。
如图1所示，蚀刻装置包括：处理槽(蚀刻处理部)10，其具有内槽10a和外槽10b，用于收容作为被处理体的半导体晶圆W(以下称为晶圆W)，并且储存蚀刻液E(例如磷酸水溶液(H3PO4))；循环管线20，其从处理槽10的外槽10b引出蚀刻液E，并将该蚀刻液E向处理槽10循环供给；排出部(冷却箱)30，其与循环管线20连接，用于排出处理槽10内的蚀刻液E；以及供给部15，其用于向处理槽10内供给新的蚀刻液E。
在该情况下，处理槽10由石英制的内槽10a和石英制的外槽10b构成，该内槽10a用于收容被以表面垂直的方式利用未图示的晶圆舟皿保持的晶圆W，并且储存蚀刻液E；该外槽10b接受从该内槽10a溢流的蚀刻液E。在如此构成的处理槽10的内槽10a的侧部以及底部贴合有板式加热器11，构成为可将处理槽10内的蚀刻液E设定为预定温度例如100℃～180℃。另外，在内槽10a内的底部侧设置有与循环管线20连接的喷嘴12，利用该喷嘴12将从循环管线20循环供给的蚀刻液E均匀地向内槽10a内输送。
另外，循环管线20连接于处理槽10的外槽10b的下方部和设置于内槽10a内的喷嘴12，在该循环管线20上从上游侧起依次设置有循环泵21、温度控制器22、过滤器23a、过滤器23b以及流量计24。其中，温度控制器22包括用于对蚀刻液E进行加热的加热器。
接着，说明供给部15。供给部15具有用于收纳并供给磷酸水溶液(H3PO4水溶液)的两个蚀刻液用箱15A、15B。其中，蚀刻液用箱15A用于收纳高Si浓度(为了精度良好地对半导体晶圆实施蚀刻处理而预先确定范围的硅浓度)的磷酸水溶液，并包括未图示的加热器。另外，蚀刻液用箱15B用于收纳低Si浓度(Si浓度为零、或Si浓度比蚀刻液用箱15A的高Si浓度低的硅浓度)的磷酸水溶液，包括未图示的加热器。
用于供给高Si浓度的磷酸水溶液的高Si浓度磷酸水溶液供给源16A经由具有阀V2的连接管线16a与蚀刻液用箱15A连接，用于供给低Si浓度的磷酸水溶液的低Si浓度磷酸水溶液供给源16B经由具有阀V5的连接管线16b与蚀刻液用箱15B连接。
在该情况下，低Si浓度磷酸水溶液供给源16B用于供给低Si浓度的磷酸水溶液，高Si浓度磷酸水溶液供给源16A用于供给高Si浓度的磷酸水溶液。
另外，设置有用于收纳Si溶液的Si溶液用箱18，Si溶液供给源19经由具有阀V6的连接管线19a与该Si溶液用箱18连接。而且，Si溶液用箱18与具有阀V7的连接管线18a连接，该连接管线18a经由阀V5与连接管线16b连接。
另外，蚀刻液用箱15A内的蚀刻液可经由具有阀V1的连接管线15a向处理槽10的内槽10a供给。而且，蚀刻液用箱15B内的蚀刻液可经由具有阀V3的连接管线15b向处理槽10的外槽10b供给。而且，在蚀刻液用箱15B的连接管线15b上安装有流量控制机构39。
此外，循环管线20的过滤器23a与具有阀V9的分支管线31连接，该分支管线31与外槽10b连接，而且，过滤器23b与分支管线32连接，该分支管线32与外槽10b连接。
另外，循环管线20的过滤器23b的下游侧依次与分支管线26、27连接，这些分支管线26、27与连接于外槽10b的分支管线32汇合。在该情况下，在分支管线26上依次设置有流量计26a和溶出成分测定部26b，在分支管线27上依次设置有流量计27a和浓度测定部27b。
其中，溶出成分测定部26b利用光的折射率来测定被提供于蚀刻处理的蚀刻液E中的硅溶出成分的浓度，浓度测定部27b利用光的折射率来测定蚀刻液E的浓度、具体而言是磷酸水溶液的浓度。
另外，如图1所示，设置有用于供给纯水(DIW)的DIW供给源40，该DIW供给源40经由具有流量控制机构41的连接管线40a与处理槽10的外槽10b以及循环管线20连接。在该情况下，在连接管线40a上安装有阀V12，连接管线40a在该阀V12处分支而分别与外槽10b以及循环管线20连接。
另外，处理槽10的内槽10a的底部经由具有阀V8的连接管线33与排出部(冷却箱)30连接。在此，排出部30是用于对蚀刻液进行冷却的冷却箱30，从内槽10a引出来的蚀刻液被冷却箱30冷却之后，从具有阀V11的排出通路管线30a向外排出。
另外，循环管线20中的位于过滤器23a、23b之间的部分与具有阀V10的连接管线34的一端连接，该连接管线34的另一端与冷却箱30连接。
此外，溶出成分测定部26b和浓度测定部27b连接于控制装置100。并且，利用控制装置100驱动控制上述的各功能零部件、例如循环管线20的循环泵21以及温度控制器22、蚀刻用箱15A、蚀刻用箱15B、高Si浓度磷酸水溶液供给源16A、低Si浓度磷酸水溶液供给源16B、流量控制机构39、流量控制机构41、冷却箱30，板式加热器11、以及各阀V1～V12。对于控制装置100，能够通过作为硬件的例如通用计算机、和作为软件的用于使该计算机工作的程序(装置控制程序以及处理制程等)来实现。软件可存储于被固定地设置于计算机的硬盘驱动器等存储介质、或存储于CDROM、DVD、闪存等可装卸地安放于计算机的存储介质。这样的存储介质以附图标记100a表示。处理器100b根据需要基于来自未图示的用户接口的指令等从存储介质100a读取预定的处理制程并执行，由此，在控制装置100的控制下，使蚀刻装置的各功能零部件工作而进行预定的处理。
接着，利用图2～图4说明使用上述蚀刻装置并利用控制装置100进行的蚀刻方法。
预先从高Si浓度磷酸水溶液供给源16A将高Si浓度磷酸水溶液(具有较高的Si浓度的磷酸水溶液)向蚀刻液用箱15A供给，从低Si浓度磷酸水溶液供给源16B将低Si浓度磷酸水溶液(Si浓度为零的磷酸水溶液)向蚀刻液用箱15B供给。
接着，从蚀刻液用箱15A向处理槽10的内槽10a内供给蚀刻液E(高Si浓度的磷酸水溶液(H3PO4))，使内槽10a内的蚀刻液溢流而向外槽10b输送。接着，驱动循环泵21，以使溢流到外槽11b的蚀刻液E经由循环管线20返回内槽10a的方式使溢流到外槽11b的蚀刻液E循环。接着，利用温度控制器22，将蚀刻液E加热到预定温度(100℃～180℃)而成为沸腾状态。
在蚀刻液E升温并成为沸腾状态之后，利用温度控制器22对向循环管线20内的蚀刻液E赋予的热量进行调整，从而内槽10a内的蚀刻液E被维持在维持沸腾状态那样的预定温度。
另外，为了以所期望的蚀刻速度进行蚀刻，需要将蚀刻液E维持在预定浓度，且将蚀刻液E的温度维持在上述预定浓度的蚀刻液E的固有的沸点温度。
在蚀刻液具有高Si浓度的情况下，能够消除或者缩短以往的陈化处理的时间。
在该状态下，利用未图示的晶圆舟皿而被垂直保持的晶圆W被收容于处理槽10的内槽10a。晶圆W被浸渍在内槽10a内的蚀刻液E预定时间而被蚀刻。之后，将晶圆W从处理槽10取出。重复进行上述蚀刻处理。由此，蚀刻方法包括由第1蚀刻工序、第2蚀刻工序以及第3蚀刻工序、……构成的多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序(参照图2)。
在此，蚀刻工序是指，晶圆W被浸渍在内槽10a内的蚀刻液E中的情况，蚀刻工序之间的间隔工序是指，晶圆W没有被浸渍在内槽10a内的蚀刻液E中的情况，即从第n次的蚀刻工序结束而一个蚀刻工序所处理的处理量的晶圆W被从内槽10a取出、到为了开始第n+1次的蚀刻处理而将下一处理量的晶圆W浸渍到内槽10a为止的期间。在该多个蚀刻工序和蚀刻工序之间的间隔工序中，蚀刻液E经由循环管线20持续循环。
通过进行蚀刻处理，硅(Si)成分从晶圆W溶出到内槽10a内的蚀刻液E中。
在重复进行这样的蚀刻处理，硅(Si)成分从晶圆W溶出到蚀刻液E中而蚀刻液中的溶出成分浓度(Si浓度或硅浓度)变得过高时，蚀刻液的性状恶化。
在本发明中，为了应对这样的情况，进行如下那样的控制。
即，首先，在各蚀刻工序中，由控制装置100驱动阀V8，在内槽10a内的提供于蚀刻处理的蚀刻液E以第1设定量向冷却箱30侧排出。排出到冷却箱30内的蚀刻液E接着从排出通路管线30a向外排出。
同时，V3以及流量控制机构39由控制装置100驱动，从蚀刻液用箱15B将低Si浓度磷酸水溶液(Si浓度为零的新的蚀刻液)以第2设定量向处理槽10的外槽10b内供给。
通过如此将处理槽10内的提供于蚀刻处理的蚀刻液E以第1设定量排出、将新的蚀刻液以第2设定量向处理槽10内供给，能够部分更换处理槽10内的蚀刻液E。
在图2中，示出了在第1蚀刻工序、第2蚀刻工序以及第3蚀刻工序中实施将蚀刻液以第1设定量排出、以第2设定量供给的第1部分更换模式的情况下的蚀刻液的Si浓度。
具体而言，在各蚀刻工序中，处理槽10内的提供于蚀刻处理的蚀刻液被以0.05L/min(第1设定量)排出，以0.05L/min(第2设定量)向处理槽10供给新的蚀刻液(参照图3)。
在此，各蚀刻工序包括由将处理槽10内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和以第2设定量向处理槽10内供给新的蚀刻液的工序构成的第1部分更换模式。在该第1部分更换模式中，提供于蚀刻处理的蚀刻液在该蚀刻工序中在整个期间内被连续地排出，新的蚀刻液在蚀刻工序中在整个期间内被连续地供给。
在图2中，也能够在进行第1部分更换模式的蚀刻工序中，以不超过预先确定的Si浓度范围的方式使Si浓度逐渐上升。蚀刻工序完成时的Si浓度的值能够根据要进行蚀刻处理的晶圆W任意地变更。
接着，在蚀刻工序之间的间隔工序中，阀V8由控制装置100驱动，在内槽10a内提供于蚀刻处理的蚀刻液E以第3设定量向冷却箱30侧排出。排出到冷却箱30内的蚀刻液E接着从排出通路管线30a向外排出。
同时，V3以及流量控制机构39由控制装置100驱动，从蚀刻液用箱15B将低Si浓度磷酸水溶液(Si浓度为零的新的蚀刻液)以第4设定量向处理槽10的外槽10b内供给。
通过如此将处理槽10内的提供于蚀刻处理的蚀刻液E以第3设定量排出、将新的蚀刻液以第4设定量向处理槽10内供给，能够部分更换处理槽10内的蚀刻液E。
在图2中示出了在第1蚀刻工序和第2蚀刻工序之间的间隔工序、以及第2蚀刻工序和第3蚀刻工序之间的间隔工序中实施了将蚀刻液以第3设定量排出、以第4设定量供给的第2部分更换模式的情况下的蚀刻液的Si浓度。
具体而言，在各间隔工序中，处理槽10内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以0.5L/min(第3设定量)排出，以0.5L/min(第4设定量)向处理槽10供给新的蚀刻液(参照图3)。
在此，各间隔工序包括由将处理槽10内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和向处理槽10内供给新的蚀刻液第4设定量的工序构成的第2部分更换模式。在该第2部分更换模式中，提供于蚀刻处理的蚀刻液在间隔工序中在整个期间内被连续地排出，新的蚀刻液在间隔工序中在整个期间内被连续地供给。
这样，各间隔工序包括具有将处理槽10内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和以第4设定量向处理槽10内供给新的蚀刻液的工序的第2部分更换模式。
利用各间隔工序的第2部分更换模式，能够使硅浓度降低到预定值，在紧接着间隔工序之后的蚀刻工序开始时能够使硅浓度恢复到与紧接着间隔工序之前的蚀刻工序开始时的硅浓度相同的值。
此外，在各蚀刻工序以及间隔工序中，纯水(DIW)从处理槽10蒸发。此时，基于来自浓度测定部27b的磷酸浓度的测定值，从DIW供给源40向处理槽10的外槽10b或循环管线20补充DIW，将处理槽10内的磷酸浓度维持恒定(参照图4)。在该情况下，在提供于蚀刻处理的蚀刻液(例如磷酸浓度b)从处理槽10排出、将新的蚀刻液(例如磷酸浓度a)向处理槽10内供给的情况下，由于磷酸浓度a和磷酸浓度b之间的不同，处理槽10内的磷酸浓度变化，因此，从DIW供给源40向外槽10b或循环管线20补充的DIW的补充量也需要变化。
在本实施方式中，也可以是，在各蚀刻工序中的第1部分更换模式中，基于以处理槽10内的磷酸浓度恒定的方式确定的第1设定量排出蚀刻液，同时基于以处理槽10内的磷酸浓度恒定的方式确定的第2设定量供给新的蚀刻液。
另外，也可以是，在各间隔工序中的第2部分更换模式中，基于以处理槽10内的磷酸浓度恒定的方式确定的第3设定量排出蚀刻液，同样基于以处理槽10内的磷酸浓度恒定的方式确定的第4设定量供给新的蚀刻液。
如以上那样根据本实施方式，各蚀刻工序包括将处理槽10内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出、以第2设定量向处理槽10内供给新的蚀刻液的第1部分更换模式，因此，在蚀刻工序中即使硅从晶圆W向蚀刻液E中溶出，也能够切实地抑制在蚀刻工序中蚀刻液E中的硅浓度的上升。
另外，各间隔工序包括将处理槽内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出、以第4设定量向处理槽10内供给新的蚀刻液的第2部分更换模式，因此，能够在该间隔工序中使蚀刻液E中的硅浓度切实地降低。在该情况下，通过适当选择间隔工序的第2部分更换模式的第3设定量以及第4设定量，能够在紧接着间隔工序之后的蚀刻工序开始时使硅浓度恢复到与紧接着间隔工序之前的蚀刻工序开始时的硅浓度相同的值。
接着，利用图7说明本发明的比较例。在图7所示的比较例中，示出了陈化处理、多个蚀刻工序和蚀刻工序之间的间隔工序。
如图7所示，在各蚀刻工序中，不进行蚀刻液的更换而在处理槽内使用蚀刻液对晶圆W进行蚀刻处理。另外，在间隔工序中，处理槽内的蚀刻液被全部更换。
如图7所示，在各蚀刻工序中，没有更换蚀刻液，因此，Si浓度上升。另外，在间隔工序中，蚀刻液被全部更换，因此，在间隔工序中与陈化处理同样地需要进行蚀刻液的液调整，为了进行该液调整需要预定时间。
相对于此，根据本实施方式，如图2所示，在蚀刻液具有高Si浓度的情况下，能够节省最初的陈化处理那样的蚀刻液的液调整的时间。另外，在蚀刻工序中通过第1部分更换模式来部分更换蚀刻液，因此，能够在蚀刻工序中抑制蚀刻液中的Si浓度的上升。另外，在间隔工序中通过第2部分更换模式来部分更换蚀刻液，因此，能够在间隔工序中使蚀刻液中的Si浓度降低，且在间隔工序中不对蚀刻液进行全部更换，因此，不需要进行陈化处理那样的蚀刻液的液调整，能够谋求缩短间隔工序的时间。
变形例
接着，说明本发明的变形例。在上述实施方式中，示出了蚀刻工序包括第1部分更换模式、并且该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量连续地排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量连续地供给的工序的例子(参照图2)，并不限于此，也可以具有将蚀刻液以第1设定量断续地排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量断续地供给的工序(参照图5的实线)。在该情况下，可同时进行蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序。
另外，在上述实施方式中，示出了间隔工序包括第2部分更换模式、并且该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量连续地排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量连续地供给的工序的例子(参照图2)，但并不限于此，也可以具有将蚀刻液以第3设定量断续地排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量断续地供给的工序(参照图5的实线)。在该情况下，可同时进行蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序。
低Si浓度磷酸水溶液的Si浓度调整
在上述实施方式中，从低Si浓度磷酸水溶液供给源16B将低Si浓度磷酸水溶液(Si浓度为零的磷酸水溶液)向蚀刻液用箱15B供给，但并不限于此，也可以根据需要从Si溶液用箱18向蚀刻液用箱15B供给Si溶液来调整低Si浓度磷酸水溶液的Si浓度。
调合Si溶液和低Si浓度磷酸水溶液之后向内槽10a供给的模式
在上述实施方式中，预先将高Si浓度磷酸水溶液(具有较高的Si浓度的磷酸水溶液)从高Si浓度磷酸水溶液供给源16A向蚀刻液用箱15A供给，将低Si浓度磷酸水溶液(具有Si浓度为零的Si浓度的磷酸水溶液)从低Si浓度磷酸水溶液供给源16B向蚀刻液用箱15B供给，但并不限于此，也可以是，从低Si浓度磷酸水溶液供给源16B将低Si浓度磷酸水溶液(Si浓度为零的磷酸水溶液)向蚀刻液用箱15B供给，从Si溶液用箱18向蚀刻液用箱15B供给Si溶液，高Si浓度磷酸水溶液的Si浓度被调整并向内槽10a供给，将高Si浓度磷酸水溶液供给源16A作为Si浓度为零的磷酸水溶液供给源向外槽10b供给。
附图标记说明
W、半导体晶圆(被处理体)；E、蚀刻液；10、处理槽；10a、内槽；10b、外槽；11、板式加热器；12、喷嘴；15、供给部；15A、蚀刻液用箱；15B、蚀刻液用箱；16A、高Si浓度磷酸水溶液供给源；16B、低Si浓度磷酸水溶液供给源；18、Si溶液用箱；19、Si溶液供给源；20、循环管线；21、循环泵；22、温度控制器；23a、过滤器；23b、过滤器；26b、溶出成分测定部；27b、浓度测定部；30冷却箱；40、DIW供给源。

Claims (7)

1.一种蚀刻方法，其特征在于，
该蚀刻方法包括以下工序：
蚀刻工序，使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理；以及
间隔工序，处于对所述被处理体进行的蚀刻工序与下一个被处理体的蚀刻工序之间，不将被处理体浸渍于蚀刻处理部内的蚀刻液，
其中，所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以比第1设定量大的第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以比第2设定量大的第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第1设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第2设定量供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液在所述间隔工序的整个期间内连续地以所述第3设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液在所述间隔工序的整个期间内连续地以所述第4设定量供给的工序。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液断续地以所述第3设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液断续地以所述第4设定量供给的工序。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
在所述间隔工序中执行第2部分更换模式，来使在紧接着间隔工序之后的下一个被处理体的蚀刻工序开始时的蚀刻液中的溶出成分浓度与在间隔工序前的被处理体的蚀刻工序开始时的蚀刻液中的溶出成分浓度为相同的值。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。
6.一种蚀刻装置，对被处理体实施蚀刻处理，其特征在于，
该蚀刻装置具备：
蚀刻处理部，其用于收纳被处理体并利用蚀刻液实施蚀刻处理；
排出部，其用于将在所述蚀刻处理部中提供于蚀刻处理的蚀刻液排出；
供给部，其用于向所述蚀刻处理部供给新的蚀刻液；以及
控制装置，其用于对所述蚀刻处理部、所述排出部、所述供给部进行驱动控制并执行蚀刻方法，
由所述控制装置执行的蚀刻方法包括以下工序：
蚀刻工序，使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理；以及
间隔工序，处于对所述被处理体进行的蚀刻工序与下一个被处理体的蚀刻工序之间，不将被处理体浸渍于蚀刻处理部内的蚀刻液，
其中，所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以比第1设定量大的第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以比第2设定量大的第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第1设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第2设定量供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值。
7.一种存储介质，存储有用于使计算机执行蚀刻方法的计算机程序，其特征在于，
蚀刻方法包括以下工序：
蚀刻工序，使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理；以及
间隔工序，处于对所述被处理体进行的蚀刻工序与下一个被处理体的蚀刻工序之间，不将被处理体浸渍于蚀刻处理部内的蚀刻液，
其中，所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以比第1设定量大的第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以比第2设定量大的第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第1设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第2设定量供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6789751B2 (ja) 2016-10-04 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6850650B2 (ja) * 2017-03-27 2021-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102030068B1 (ko) 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6994899B2 (ja) * 2017-10-20 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102264002B1 (ko) * 2017-10-20 2021-06-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP7056852B2 (ja) * 2017-10-23 2022-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法
JP6976166B2 (ja) * 2017-12-28 2021-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7198595B2 (ja) * 2018-05-31 2023-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置及び記憶媒体
KR102517333B1 (ko) * 2018-12-21 2023-04-03 삼성전자주식회사 습식 식각 시스템 운전 방법 및 관련된 시스템
JP7209556B2 (ja) * 2019-02-05 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7129932B2 (ja) * 2019-02-28 2022-09-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
KR20210144741A (ko) * 2019-04-15 2021-11-30 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘 웨이퍼의 에칭방법 및 에칭장치
JP7036085B2 (ja) * 2019-04-17 2022-03-15 信越半導体株式会社 シリコンウェーハのエッチング方法
JP7088120B2 (ja) * 2019-04-15 2022-06-21 信越半導体株式会社 シリコンウェーハのエッチング方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786231A (ja) * 1993-09-09 1995-03-31 Toray Ind Inc 薄膜のエッチング方法
US20020001967A1 (en) * 1999-03-30 2002-01-03 Kenji Yokomizo Etching method and etching apparatus
CN101170063A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 株式会社平间理化研究所 蚀刻液管理装置
TW201306115A (zh) * 2011-04-14 2013-02-01 Tokyo Electron Ltd 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06103514B2 (ja) 1989-06-19 1994-12-14 三洋電機株式会社 温水タンク
JP3824966B2 (ja) * 2002-05-27 2006-09-20 積水化成品工業株式会社 合成樹脂粒子の洗浄方法及びこれに用いられる洗浄装置
JP2007517413A (ja) * 2003-12-30 2007-06-28 アクリオン・エルエルシー 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法
JP4393260B2 (ja) * 2004-04-20 2010-01-06 株式会社東芝 エッチング液管理方法
JP4358259B2 (ja) * 2007-06-05 2009-11-04 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体製造方法
JP5313647B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5323661B2 (ja) * 2009-12-07 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786231A (ja) * 1993-09-09 1995-03-31 Toray Ind Inc 薄膜のエッチング方法
US20020001967A1 (en) * 1999-03-30 2002-01-03 Kenji Yokomizo Etching method and etching apparatus
CN101170063A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 株式会社平间理化研究所 蚀刻液管理装置
TW201306115A (zh) * 2011-04-14 2013-02-01 Tokyo Electron Ltd 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體

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