JP6441422B2 - エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 - Google Patents
エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6441422B2 JP6441422B2 JP2017154401A JP2017154401A JP6441422B2 JP 6441422 B2 JP6441422 B2 JP 6441422B2 JP 2017154401 A JP2017154401 A JP 2017154401A JP 2017154401 A JP2017154401 A JP 2017154401A JP 6441422 B2 JP6441422 B2 JP 6441422B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- solution
- etching solution
- processing unit
- interval
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
次に図1乃至図6により、本発明の実施の形態について説明する。
さらにSi溶液用タンク18には弁V7を有する接続ライン18aが接続され、この接続ライン18aは接続ライン16bに弁V5を介して接続されている。
そして制御装置100により、上記の各機能部品、例えば循環ライン20の循環ポンプ21および温度コントローラ22、エッチング用タンク15A、15B、高Si濃度燐酸水溶液供給源16A、低Si濃度燐酸水溶液供給源16B、流量制御機構39、41、冷却タンク30,パネルヒータ11、および各々の弁V1〜V12が駆動制御される。制御装置100はハードウエアとして、例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム(装置制御プログラムおよび処理レシピ等)とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、或いはCDROM、DVD、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が参照符号100aで示されている。プロセッサ100bは必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体100aから呼び出して実行させ、これによって制御装置100の制御の下でエッチング装置の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。
次に本発明の変形例について説明する。上記実施の形態において、エッチング工程は第1部分交換パターンを含むとともに、この第1部分交換パターンはエッチング処理に供されたエッチング液を第1設定量だけ連続的に排出する工程と、新規エッチング液を第2設定量だけ連続的に供給する工程とを有する例を示したが(図2参照)、これに限らずエッチング液を第1設定量だけ断続的に排出する工程と、新規エッチング液を第2設定量だけ断続的に供給する工程とを有していてもよい(図5の実線参照)。この場合、エッチング液の排出工程と、新規エッチング液の供給工程は同時に行なわれる。
上記実施の形態では、低Si濃度燐酸水溶液供給源16Bから低Si濃度燐酸水溶液(Si濃度がゼロの燐酸水溶液)がエッチング液用タンク15Bに供給されるようにしたが、これに限らず、必要に応じてSi溶液用タンク18からエッチング液用タンク15BにSi溶液が供給されて、低Si濃度燐酸水溶液のSi濃度が調整されるようにしてもよい。
上記実施の形態では、予め高Si濃度燐酸水溶液供給源16Aから高Si濃度燐酸水溶液(高いSi濃度をもつ燐酸水溶液)がエッチング液用タンク15Aに供給され、低Si濃度燐酸水溶液供給源16Bから低Si濃度燐酸水溶液(Si濃度がゼロのSi濃度をもつ燐酸水溶液)がエッチング液用タンク15Bに供給されるようにしたが、これに限らず、低Si濃度燐酸水溶液供給源16Bから低Si濃度燐酸水溶液(Si濃度がゼロの燐酸水溶液)がエッチング液用タンク15Bに供給され、Si溶液用タンク18からエッチング液用タンク15BにSi溶液が供給されて、高Si濃度燐酸水溶液のSi濃度が調整され、内槽10aに供給するようにし、高Si濃度燐酸水溶液供給源16AをSi濃度がゼロの燐酸水溶液供給源として外槽10bに供給するようにしてもよい。
E エッチング液
10 処理槽
10a 内槽
10b 外槽
11 パネルヒータ
12 ノズル
15 供給部
15A エッチング液用タンク
15B エッチング液用タンク
16A 高Si濃度燐酸水溶液供給源
16B 低Si濃度燐酸水溶液供給源
18 Si溶液用タンク
19 Si溶液供給源
20 循環ライン
21 循環ポンプ
22 温度コントローラ
23a フィルタ
23b フィルタ
26b 溶出成分測定部
27b 濃度測定部
30 冷却タンク
40 DIW供給源
Claims (7)
- エッチング処理部内に収納された被処理体に対してエッチング液を用いてエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記被処理体へのエッチング工程と次の被処理体のエッチング工程間にあり、エッチング処理部内のエッチング液に被処理体が浸漬されないインターバル工程とを備え、
前記エッチング工程はエッチング処理に供された前記エッチング処理部内のエッチング液を第1設定量だけ排出する工程と、新規エッチング液を前記エッチング処理部内へ第2設定量だけ供給する工程とを有する第1部分交換パターンを含み、
前記インターバル工程はエッチング処理に供された前記エッチング処理部内のエッチング液を第1設定量より大きな第3設定量だけ排出する工程と、新規エッチング液を前記エッチング処理部内へ第2設定量より大きな第4設定量だけ供給する工程とを有する第2部分交換パターンを含み、
前記エッチング工程の前記第1部分交換パターンは前記エッチング処理に供された前記エッチング液を前記エッチング工程の全期間に渡って連続的に前記第1設定量だけ排出する工程と、前記新規エッチング液を前記エッチング工程の全期間に渡って連続的に前記第2設定量だけ供給する工程とを有し、
前記インターバル工程の前記第2部分交換パターンは前記インターバル工程直後の前記エッチング工程開始時に前記エッチング処理に供された前記被処理体から溶出されるエッチング液中の溶出成分濃度が所定値に戻るよう定められた第3設定量と第4設定量を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 前記インターバル工程の前記第2部分交換パターンは前記エッチング処理に供された前記エッチング液を前記インターバル工程の全期間に渡って連続的に前記第3設定量だけ排出する工程と、前記新規エッチング液を前記インターバル工程の全期間に渡って連続的に前記第4設定量だけ供給する工程とを有することを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- 前記インターバル工程の前記第2部分交換パターンは前記エッチング処理に供された前記エッチング液を断続的に前記第3設定量だけ排出する工程と、前記新規エッチング液を断続的に前記第4設定量だけ供給する工程とを有することを特徴とする請求項1又は2のいずれか記載のエッチング方法。
- 前記インターバル工程において第2部分交換パターンが実行されて、インターバル工程直後の次の被処理体のエッチング工程の開始時におけるエッチング液中の溶出成分濃度をインターバル工程前の被処理体のエッチング工程の開始時におけるエッチング液中の溶出成分濃度と同一の値とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のエッチング方法。
- 前記エッチング工程の前記第1部分交換パターンは前記エッチング処理部のエッチング液の濃度が一定となるよう定められた前記第1設定値と前記第2設定値を含み、前記インターバル工程の前記第2部分交換パターンは前記エッチング処理部のエッチング液の濃度が一定となるよう定められた前記第3設定値と前記第4設定値を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載のエッチング方法。
- 被処理体に対してエッチング処理を施すエッチング装置において、
被処理体を収納してエッチング液によりエッチング処理を施すエッチング処理部と、
前記エッチング処理部においてエッチング処理に供されたエッチング液を排出する排出部と、
前記エッチング処理部に新規エッチング液を供給する供給部と、
前記エッチング処理部と、前記排出部と、前記供給部とを駆動制御してエッチング方法を実行する制御装置とを備え、
前記制御装置により実行されるエッチング方法は、
エッチング処理部内に収納された被処理体に対してエッチング液を用いてエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記被処理体へのエッチング工程と次の被処理体のエッチング工程間にあり、エッチング処理部内のエッチング液に被処理体が浸漬されないインターバル工程とを備え、
前記エッチング工程はエッチング処理に供された前記エッチング処理部内のエッチング液を第1設定量だけ排出する工程と、新規エッチング液を前記エッチング処理部内へ第2設定量だけ供給する工程とを有する第1部分交換パターンを含み、
前記インターバル工程はエッチング処理に供された前記エッチング処理部内のエッチング液を第1設定量より大きな第3設定量だけ排出する工程と、新規エッチング液を前記エッチング処理部内へ第2設定量より大きな第4設定量だけ供給する工程とを有する第2部分交換パターンを含み、
前記エッチング工程の前記第1部分交換パターンは前記エッチング処理に供された前記エッチング液を前記エッチング工程の全期間に渡って連続的に前記第1設定量だけ排出する工程と、前記新規エッチング液を前記エッチング工程の全期間に渡って連続的に前記第2設定量だけ供給する工程とを有し、
前記インターバル工程の前記第2部分交換パターンは前記インターバル工程直後の前記エッチング工程開始時に前記エッチング処理に供された前記被処理体から溶出されるエッチング液中の溶出成分濃度が所定値に戻るよう定められた第3設定量と第4設定量を含むことを特徴とするエッチング装置。 - コンピュータにエッチング方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
エッチング方法は、
エッチング処理部内に収納された被処理体に対してエッチング液を用いてエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記被処理体へのエッチング工程と次の被処理体のエッチング工程間にあり、エッチング処理部内のエッチング液に被処理体が浸漬されないインターバル工程とを備え、
前記エッチング工程はエッチング処理に供された前記エッチング処理部内のエッチング液を第1設定量だけ排出する工程と、新規エッチング液を前記エッチング処理部内へ第2設定量だけ供給する工程とを有する第1部分交換パターンを含み、
前記インターバル工程はエッチング処理に供された前記エッチング処理部内のエッチング液を第1設定量より大きな第3設定量だけ排出する工程と、新規エッチング液を前記エッチング処理部内へ第2設定量より大きな第4設定量だけ供給する工程とを有する第2部分交換パターンを含み、
前記エッチング工程の前記第1部分交換パターンは前記エッチング処理に供された前記エッチング液を前記エッチング工程の全期間に渡って連続的に前記第1設定量だけ排出する工程と、前記新規エッチング液を前記エッチング工程の全期間に渡って連続的に前記第2設定量だけ供給する工程とを有し、
前記インターバル工程の前記第2部分交換パターンは前記インターバル工程直後の前記エッチング工程開始時に前記エッチング処理に供された前記被処理体から溶出されるエッチング液中の溶出成分濃度が所定値に戻るよう定められた第3設定量と第4設定量を含むことを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017154401A JP6441422B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017154401A JP6441422B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013202325A Division JP2015070080A (ja) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017199943A JP2017199943A (ja) | 2017-11-02 |
JP6441422B2 true JP6441422B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=60238272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017154401A Active JP6441422B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6441422B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
JPH06103514B2 (ja) * | 1989-06-19 | 1994-12-14 | 三洋電機株式会社 | 温水タンク |
JPH06349808A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 |
JP3430611B2 (ja) * | 1994-02-16 | 2003-07-28 | 富士通株式会社 | エッチング装置と濃燐酸溶液の処理方法 |
JP3625120B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2005-03-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH11279777A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エッチング液の管理方法、及びエッチング液管理システム |
JP3817093B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2006-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US6399517B2 (en) * | 1999-03-30 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
CN1914710A (zh) * | 2003-12-30 | 2007-02-14 | 艾奎昂有限责任公司 | 在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法 |
-
2017
- 2017-08-09 JP JP2017154401A patent/JP6441422B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017199943A (ja) | 2017-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2015046067A1 (ja) | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 | |
TW201409558A (zh) | 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體 | |
JP6177664B2 (ja) | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 | |
TWI655972B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
US9881799B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium | |
JP7158249B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP6994899B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP7113952B2 (ja) | 基板処理方法、および基板処理装置 | |
JP2007258405A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2001023952A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
US10699910B2 (en) | Substrate liquid treatment apparatus, substrate liquid treatment method and storage medium | |
US20190096711A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2018164000A (ja) | 基板処理装置、および、基板処理方法 | |
JP2007049022A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
JP7105937B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009260245A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6441422B2 (ja) | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 | |
JP2010080852A (ja) | 加熱ユニット、基板処理装置および流体の加熱方法 | |
US20040242004A1 (en) | Substrate treating method and apparatus | |
JP2019067811A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム | |
JP3625120B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6961058B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100659842B1 (ko) | 약액조의 온도 유지 장치 | |
KR20140089823A (ko) | 웨이퍼 제조장비와 이에 적용된 웨이퍼 제조방법 | |
JP2006210687A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180814 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6441422 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |