JP7088120B2 - シリコンウェーハのエッチング方法 - Google Patents
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Description
前記スピンエッチング工程を繰り返し行うことで、複数のシリコンウェーハの連続加工を行い、
前記連続加工中に、前記スピンエッチング工程において使用した前記酸エッチング液を回収し、前記エッチング液タンクに戻して再び酸エッチング液とする工程と、
前記回収後の酸エッチング液を所定量排液し、さらに所定量の新たな前記酸エッチング液を給液する排液・給液工程とを含み、
前記排液・給液工程後の酸エッチング液を前記スピンエッチング工程に用いることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法を提供する。
前記シリコンウェーハを保持し、回転させることで、前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハの表面及び/又は裏面の全面に拡大して酸エッチングを行うためのステージと、
前記酸エッチングで使用した酸エッチング液を回収し、前記エッチング液タンクに戻すための回収機構とを有するエッチング装置であって、
前記エッチング液タンクから前記酸エッチング液を所定量排液するための排液機構と、
前記エッチング液タンクに新たな前記酸エッチング液を所定量給液するための給液機構とを具備することを特徴とするエッチング装置を提供する。
前記スピンエッチング工程を繰り返し行うことで、複数のシリコンウェーハの連続加工を行い、
前記連続加工中に、前記スピンエッチング工程において使用した前記酸エッチング液を回収し、前記エッチング液タンクに戻して再び酸エッチング液とする工程と、
前記回収後の酸エッチング液を所定量排液し、さらに所定量の新たな前記酸エッチング液を給液する排液・給液工程とを含み、
前記排液・給液工程後の酸エッチング液を前記スピンエッチング工程に用いることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法である。
前記シリコンウェーハを保持し、回転させることで、前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハの表面及び/又は裏面の全面に拡大して酸エッチングを行うためのステージと、
前記酸エッチングで使用した酸エッチング液を回収し、前記エッチング液タンクに戻すための回収機構とを有するエッチング装置であって、
前記エッチング液タンクから前記酸エッチング液を所定量排液するための排液機構と、
前記エッチング液タンクに新たな前記酸エッチング液を所定量給液するための給液機構とを具備することを特徴とするエッチング装置である。
図1に示したエッチング装置を用いて、図2の加工フローに従って、100枚のシリコンウェーハのエッチングを、エッチング液タンク中の酸エッチング液の排液、給液を行いながら連続加工した。このとき、排液・給液工程は1枚のシリコンウェーハのスピンエッチング工程終了毎に行った。実施例に用いた酸エッチング液は弗酸と硝酸の混合液であり、混合比は質量%で弗酸が4%、硝酸が47%であった(100%に満たない残部は水である。)。1枚目の酸エッチング液として、Si溶解量10g/Lのものを用い、給液する新たな酸エッチング液としてSi原子を含まない酸エッチング液を用いた。排液、給液の量は同量とし、エッチングの取り代から求まるSi溶解量に基づいて決定した。
排液機構、給液機構を具備していない、一般的に用いられるエッチング装置を用いて、100枚のシリコンウェーハのエッチングを、排液、給液を行わずに連続加工した。比較例に用いた酸エッチング液は弗酸と硝酸の混合液であり、混合比は質量%で弗酸が4%、硝酸が47%であった(100%に満たない残部は水である。)。1枚目の酸エッチング液として、Si溶解量10g/Lのものを用いて連続加工を開始した。
1…シリコンウェーハ、 2…ステージ(真空吸着ステージ)、
3…供給ノズル、 4…供給ノズルの運動方向、 5…液滴、
6…エッチング液タンク、 7…給水源、 8…酸エッチング液、
9…水、 10…真空源、 11…給液タンク、 12…給液ポンプ、
13…エッチング液供給部、 14…エッチング加工部、
15…排液ポンプ、 16…排液処理部、 17…排液・給液機構、
18…送液ポンプ、 19…エッチング液回収カップ、 20…回収ポンプ、
21…回収機構、 22…給液機構、 23…排液機構。
Claims (5)
- シリコンウェーハの表面及び/又は裏面に供給ノズルを通してエッチング液タンクに保存された酸エッチング液を供給しながら、前記シリコンウェーハを回転させることで、前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハの表面及び/又は裏面の全面に拡大して酸エッチングを行うスピンエッチング工程を含むシリコンウェーハのエッチング方法であって、
前記スピンエッチング工程を繰り返し行うことで、複数のシリコンウェーハの連続加工を行い、
前記連続加工中に、前記スピンエッチング工程において使用した前記酸エッチング液を回収し、前記エッチング液タンクに戻して再び酸エッチング液とする工程と、
前記回収後の酸エッチング液を所定量排液し、さらに所定量の新たな前記酸エッチング液を給液する排液・給液工程とを含み、
前記排液・給液工程における前記所定量の排液・給液を、前記シリコンウェーハ1枚あたりのエッチング取代から算出されるSiモル量に基づいた量として、前記スピンエッチング工程後のリンス中に毎回行い、
前記排液・給液工程後の酸エッチング液を前記スピンエッチング工程に用いることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法。 - 前記排液・給液工程において、前記回収後の酸エッチング液のSi溶解量に基づいて、前記排液する量と前記給液する量とを決定することを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
- 前記排液・給液工程において、前記排液する量と、前記給液する量とを同量とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
- 前記酸エッチング液として、弗酸、硝酸を含む混合液、又は、これに酢酸、燐酸、硫酸のうち少なくともいずれか一つを加えた混合液を用いることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
- 前記スピンエッチング工程における酸エッチング液のSi溶解量を12g/L以下とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
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JP2015070080A (ja) | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
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