JP7276242B2 - シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Description
本発明は、シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置に関する。
一般に、シリコンウェーハの製造工程において、単結晶インゴットの状態から薄くスライスされたウェーハは、面取り加工と研削加工を経て平坦化を行うのが一般的である。この際、ウェーハ表裏面には上記加工に起因する大小様々なキズや加工歪みが導入され、これらが後工程で顕在化すると重大な品質上の問題になり得る。そこで、通常はエッチング処理を行って、これらのキズや加工歪みを除去する。
エッチング方法としては複数のウェーハの表裏面を同時に処理するバッチ方式や枚葉で１枚ずつウェーハの表面と裏面を順に処理するスピンエッチング方式が知られている。
また目的に応じて酸エッチング液で処理する場合とアルカリエッチング液で処理する場合の２通りの手段があり、例えば酸エッチングの場合だと適宜濃度を調節した弗酸と硝酸等を含んだ混酸を用いるのが一般的である。
スピン方式による酸エッチングの特徴として、ウェーハ中心部のエッチング取代ＰＶが大きくなり、結果としてウェーハ面内のエッチング取代ＰＶが数値的に悪化する問題がある。ここで、エッチング取代ＰＶとはウェーハ面内の最大エッチング取代と最少エッチング取代の差分である。
この対応方法としては、エッチング加工中にノズルをウェーハの径方向に往復運動させる手法が一般的に行われているが（特許文献１）、それだけでは効果として不十分である。
また、近年、ウェーハの高平坦度化が求められる中で、エッチング後ウェーハのＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が５μｍを超えるというのは好ましいことではなく、さらにエッチング取代を改善できる手法が求められている。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、スピンエッチングによるシリコンウェーハのエッチング取代を改善できるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することを目的とする。また、エッチング取代を改善できるエッチング装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、シリコンウェーハの表面または裏面、あるいは両面へ供給ノズルを通して酸エッチング液を供給し、前記シリコンウェーハを回転させて前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハ全面に拡大して酸エッチングを行うスピンエッチング工程を含むシリコンウェーハのエッチング方法であって、
前記スピンエッチング工程において、前記シリコンウェーハの中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして設置してエッチングするシリコンウェーハのエッチング方法を提供する。
前記スピンエッチング工程において、前記シリコンウェーハの中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして設置してエッチングするシリコンウェーハのエッチング方法を提供する。
このようなエッチング方法によれば、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを改善することができる。
このとき、前記シリコンウェーハの表裏を裏返して前記シリコンウェーハの両面をエッチングする場合において、前記シリコンウェーハの前記中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの前記回転軸からずらす方向を、前記表面と前記裏面とで前記シリコンウェーハ中心軸に対して点対称の位置関係とすることが好ましい。
これにより、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶをより改善することができる。
このとき、前記酸エッチング液を弗酸及び硝酸を含む酸エッチング液とすることが好ましい。またこのとき、前記酸エッチング液を、酢酸、硫酸、燐酸のうち１つ以上を更に含む酸エッチング液とすることが好ましい。
これにより、ウェーハ面内を均一にエッチングして、エッチング取代ＰＶを確実に改善することができる。
このとき、前記酸エッチング液に含まれるシリコン含有量を１２ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下とすることができる。
これにより、エッチング速度を安定化し、低コストかつ高効率にエッチングを行うことができる。
また、本発明は、少なくとも、酸エッチング液を供給する供給ノズル及びシリコンウェーハを保持するステージを備え、前記シリコンウェーハの表面または裏面、あるいは両面へ前記供給ノズルを通して前記酸エッチング液を供給し、前記シリコンウェーハを回転させて前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハ全面に拡大して酸エッチングをスピンエッチングにより行うエッチング装置であって、
前記ステージは、前記シリコンウェーハの中心軸を前記ステージの回転軸から１５ｍｍ以上離して前記シリコンウェーハを偏芯保持可能なエッチング装置を提供する。
前記ステージは、前記シリコンウェーハの中心軸を前記ステージの回転軸から１５ｍｍ以上離して前記シリコンウェーハを偏芯保持可能なエッチング装置を提供する。
このようなエッチング装置によれば、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを改善することができる。
以上のように、本発明のエッチング方法によれば、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを改善することができる方法である。特に、シリコンウェーハの表裏を裏返してシリコンウェーハの両面をエッチングする場合において、シリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸からずらす方向を、表面と裏面とでシリコンウェーハ中心軸に対して点対称の位置関係とすることで、ウェーハ面内のエッチング取代をより一層改善することができる。
また、本発明のエッチング装置によれば、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、エッチング取代ＰＶを改善することができるものとなる。
また、本発明のエッチング装置によれば、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、エッチング取代ＰＶを改善することができるものとなる。
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
上述のように、スピンエッチングにおけるエッチング取代を改善できるシリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、シリコンウェーハの表面または裏面、あるいは両面へ供給ノズルを通して酸エッチング液を供給し、前記シリコンウェーハを回転させて前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハ全面に拡大して酸エッチングを行うスピンエッチング工程を含むシリコンウェーハのエッチング方法であって、
前記スピンエッチング工程において、前記シリコンウェーハの中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして設置してエッチングするシリコンウェーハのエッチング方法により、シリコンウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、シリコンウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを改善することができることを見出し、本発明を完成した。
前記スピンエッチング工程において、前記シリコンウェーハの中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして設置してエッチングするシリコンウェーハのエッチング方法により、シリコンウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、シリコンウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを改善することができることを見出し、本発明を完成した。
以下、図面を参照して説明する。
図１は、本発明のエッチング装置の一例を示す概略図であり、また本発明のシリコンウェーハのエッチング方法に用いることができるエッチング装置の一例であるエッチング装置１００である。本発明のシリコンウェーハのエッチング装置は、少なくとも、酸エッチング液を供給する供給ノズル３及びシリコンウェーハを保持するステージ２を具備し、後に詳述するシリコンウェーハ１の中心軸１１をステージの中心軸１２から１５ｍｍ以上離してシリコンウェーハを偏芯保持可能な装置である。
即ち、エッチング装置１００は、シリコンウェーハ１を保持する真空吸着ステージ２と酸エッチング液を供給する供給ノズル３を有する。エッチング液タンク６には所定量のＳｉが溶解した酸エッチング液８が入っている。シリコンウェーハ１は表面または裏面を上にして真空吸着ステージ２に水平に保持され、真空源４に連結した真空吸着ステージ２上に真空吸着孔１０を介して保持される。但し、本発明におけるシリコンウェーハの保持は、偏芯保持可能であれば保持方法は真空吸着に限定されない。
真空吸着ステージ２はステージ下方にあるθ軸モータ（不図示）およびθスピンドル（不図示）等による回転ユニットによって真空吸着ステージ中心を回転軸１２（中心軸）として、θ方向（回転方向）に回転する。
続いて、真空吸着ステージ２の上方にある供給ノズル３にエッチング液タンク６から酸エッチング液８を供給し、真空吸着ステージ上に保持され回転しているシリコンウェーハ１上に酸エッチング液８を供給する（スピンエッチング工程）。
このとき、本発明のシリコンウェーハのエッチング方法では、スピンエッチング工程において、シリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして設置してエッチングする。ずらして設置する方法は特に限定されないが、例えば上述のように真空吸着でシリコンウェーハ１の中心軸をステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして保持することができる。
ここで図２を用いて詳細に説明する。図２は、エッチング装置１００のシリコンウェーハ１と真空吸着ステージ２の周辺部をだけを示した図で、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸１２から１５ｍｍ以上ずらしてシリコンウェーハ１を設置した一例の模式図である。図２に示すように、シリコンウェーハ１の中心軸１１は、真空吸着ステージ２の中心軸１２とずらして設置されており、本発明のシリコンウェーハのエッチング方法では、このずれ幅が１５ｍｍ以上である。また、ずれ幅の上限は特に限定されないが、装置の配置を考慮し、３０ｍｍ以下とすることが好ましい。
本発明のシリコンウェーハのエッチング方法の実施形態の一例の模式図として、図３にエッチングするウェーハ表面２１の中心軸を、ウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらし、ノズル往復運動方向Ａ－Ａ’で示されるウェーハの径方向に供給ノズル３を往復運動させたときを示す。また、図４に図３のウェーハ表面を裏返して、ウェーハ裏面２２とした場合の一例の模式図を示す。
このとき、図３、４に示されるように、シリコンウェーハの表裏を裏返してシリコンウェーハの両面をエッチングする場合において、シリコンウェーハの中心軸１１を、シリコンウェーハを保持するステージ２の回転軸１２からずらす方向を、表面と裏面とでシリコンウェーハ中心軸に対して点対称の位置関係とすることが好ましい。このような位置関係にすると、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶをより改善することができる。
また、供給する酸エッチング液は、シリコンウェーハ表裏面に存在する大小様々なキズや加工歪みを除去できれば、特に制限されないが、弗酸及び硝酸を含む酸エッチング液とすることが好ましく、更に好ましくは弗酸及び硝酸を含む酸エッチング液に酢酸、硫酸、燐酸のうち１つ以上を更に含むことが好ましい。このようにすれば、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを確実に改善することができる。
混合比は特に限定されないが、例えば、質量％で弗酸が１～８０％、硝酸が１０～８０％混合された酸エッチング液とすることができ、これに更に質量％で酢酸が例えば１０～３０％、硫酸が例えば１０～２５％、燐酸が例えば１０～５０％を任意の割合で混合しても良い。
また、このとき、酸エッチング液に含まれるシリコン含有量を１２ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下とすることが好ましい。このようにすれば、エッチング速度が安定すると共に、低コストかつ高効率にエッチングを行うことができる。
シリコンウェーハ１上に供給された酸エッチング液８は、シリコンウェーハ１の回転に倣ってシリコンウェーハ１上を移動し、シリコンウェーハ１外周部から液滴５となってウェーハ上から排出される。所定のエッチング取代を満たした後、エッチング加工が終了したらエッチング液タンク６からの酸エッチング液８供給を停止し、供給ノズル３に給水源７から水９を供給し、真空吸着ステージ２上に保持され回転しているシリコンウェーハ１上に水９を供給する（図１参照）。
シリコンウェーハ１上に供給された水９は、シリコンウェーハ１の回転に倣ってシリコンウェーハ１上を移動し、シリコンウェーハ１上に残留する酸エッチング液８を水９に置換しながらシリコンウェーハ１の外周部から液滴５となって排出される。シリコンウェーハ１上の酸エッチング液８の水への置換が終了したら給水源７からの水９供給を停止し、シリコンウェーハ１を高速回転させることでシリコンウェーハ１上の水をすべて飛散させ、乾燥したシリコンウェーハ１を得る。
本発明において、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを改善するために、上述のようなシリコンウェーハのエッチング方法を用いる理由は、以下のような知見による。
酸を用いたスピンエッチングで見られるウェーハ中心近傍のエッチング取代変動は、ウェーハ回転で生じるエッチング液の径方向流速分布の変動が原因である。ウェーハ上でのエッチング液流速は、エッチング液供給ノズルの直下にある衝突噴流領域で変動しやすい。
スピンエッチングでは、一般的にはエッチング液を滴下するノズル位置とウェーハの回転軸は同一位置にある。通常スピンエッチングはウェーハ表面とウェーハ裏面を単独でエッチングするが、ノズル位置とウェーハの回転軸は表面エッチング時と裏面エッチング時で同一位置にある。図６にウェーハ表面２１の回転軸と同一位置に供給ノズル３が位置している場合の一例の概略図を、図７にウェーハ裏面２２の回転軸と同一位置に供給ノズル３が位置している場合の一例の概略図を示す。これらの重複した位置関係により、エッチング取代変動が増幅されて大きくなると考えられる。尚、スピンエッチングは表面側と裏面側にそれぞれ供給ノズルを具備し、表裏面を同時にエッチングすることも可能である。
そこで、ウェーハ中心近傍のエッチング取代変動を減らすには、これらの重複した位置関係を変えることが有効な対策となる。ノズル位置とウェーハの回転軸の位置関係を変える手法としては、ノズルをウェーハの径方向に往復運動させるのが一般的であり、この手法を用いることでウェーハ中心部のエッチング取代ＰＶを５０％以上改善する効果が期待できる。図９に供給ノズル３をウェーハ表面２１の径方向に往復運動させる場合の一例の概略図を、図１０に供給ノズル３をウェーハ裏面２２の径方向に往復運動させる場合の一例の概略図を示す。
しかしながら、それでも平均エッチング取代に対するエッチング取代ＰＶは５０％を超えており、たとえば平均エッチング取代が１０μｍの場合のエッチング取代ＰＶは５μｍを超えるため、期待されるエッチング後のウェーハのＴＴＶも５μｍを超える数値となる。
上述したように、ノズル位置とウェーハの回転軸は表面エッチング時と裏面エッチング時で同一位置にある。発明者はこの位置関係が、エッチング取代ＰＶが大きくなる要因だと考え、エッチング取代ＰＶをさらに改善できる手法として、スピンエッチング工程において、シリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして設置して偏芯してエッチングするエッチング方法を発案した。
特に、シリコンウェーハの表裏を裏返してシリコンウェーハの両面をエッチングする場合において、シリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸からずらす方向を、表面と裏面とでシリコンウェーハ中心軸に対して点対称の位置関係とすることで、より一層エッチング取代を改善できることが判った。
特に、シリコンウェーハの表裏を裏返してシリコンウェーハの両面をエッチングする場合において、シリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸からずらす方向を、表面と裏面とでシリコンウェーハ中心軸に対して点対称の位置関係とすることで、より一層エッチング取代を改善できることが判った。
この方法によれば、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくすることで、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶをさらに２０％改善することができる。たとえば、平均エッチング取代が１０μｍの場合のエッチング取代ＰＶは３．５μｍ以下となり、期待されるエッチング後のウェーハのＴＴＶは３．５μｍ近傍である。このように、本発明のエッチング方法であれば、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶを小さくし、ウェーハ面内のエッチング取代ＰＶを改善することができる。
以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、これは本発明を限定するものではない。
（実施例）
図１に示した、少なくともエッチングを行うシリコンウェーハを保持するステージ、酸エッチング液を供給する供給ノズルを備えたエッチング装置を用いて、シリコンウェーハを酸エッチングした。直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。また、酸エッチング液は弗酸と硝酸の混合液であり、混合比は質量％で弗酸が１０％、硝酸が５１％とし、酸エッチング液に含まれるＳｉ含有量を２０ｇ／Ｌとした。
図１に示した、少なくともエッチングを行うシリコンウェーハを保持するステージ、酸エッチング液を供給する供給ノズルを備えたエッチング装置を用いて、シリコンウェーハを酸エッチングした。直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。また、酸エッチング液は弗酸と硝酸の混合液であり、混合比は質量％で弗酸が１０％、硝酸が５１％とし、酸エッチング液に含まれるＳｉ含有量を２０ｇ／Ｌとした。
酸エッチングを行う際、エッチングを行うシリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍずらし、かつ表面と裏面ではシリコンウェーハ中心に対して点対称の位置関係に設置し、ノズルをシリコンウェーハの径方向に往復運動させた。このときのエッチング方法の模式図を図３及び図４に、エッチング取代分布形状を図５及び表１に示す。また、後に詳述する比較例１のシリコンウェーハ面内全面の取代ＰＶを基準とした、シリコンウェーハ面内のエッチング取代ＰＶ改善率も併せて表１に示す。なお、取代改善率（％）は下記式で定義される。
実施例では、図３及び図４に示したエッチングの模式図のように、エッチングするシリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍずらし、かつ表面と裏面ではシリコンウェーハ中心に対して点対称の位置関係に設置し、ノズルをシリコンウェーハの径方向に往復運動させたときのエッチング後のエッチング取代分布形状は、シリコンウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶが小さくなり、面内全体で見たときのエッチング取代ＰＶは３．５μｍであった。また、比較例１のシリコンウェーハ面内全面の取代ＰＶに対する改善率は７２％であった。
（比較例１）
実施例と同様のシリコンウェーハ、エッチング液を用いて、表面と裏面ともシリコンウェーハの中心軸とステージの回転軸を一致させてシリコンウェーハを設置し、エッチングを行った。このときのエッチング方法の模式図を図６及び図７に、エッチング取代分布形状を図８及び表１に示す。上述のように、このときのシリコンウェーハ面内全面の取代を取代改善率の基準にした。
実施例と同様のシリコンウェーハ、エッチング液を用いて、表面と裏面ともシリコンウェーハの中心軸とステージの回転軸を一致させてシリコンウェーハを設置し、エッチングを行った。このときのエッチング方法の模式図を図６及び図７に、エッチング取代分布形状を図８及び表１に示す。上述のように、このときのシリコンウェーハ面内全面の取代を取代改善率の基準にした。
（比較例２）
実施例と同様のシリコンウェーハ、エッチング液を用いて、表面と裏面ともシリコンウェーハの中心軸とステージの回転軸を一致させてシリコンウェーハを設置し、一般的に行われているようなノズルをシリコンウェーハの径方向に往復運動させてエッチングを行った。このときのエッチング方法の模式図を図９及び図１０に、エッチング取代分布形状を図１１及び表１に示す。また、シリコンウェーハ面内のエッチング取代ＰＶ改善率も併せて表１に示す。
実施例と同様のシリコンウェーハ、エッチング液を用いて、表面と裏面ともシリコンウェーハの中心軸とステージの回転軸を一致させてシリコンウェーハを設置し、一般的に行われているようなノズルをシリコンウェーハの径方向に往復運動させてエッチングを行った。このときのエッチング方法の模式図を図９及び図１０に、エッチング取代分布形状を図１１及び表１に示す。また、シリコンウェーハ面内のエッチング取代ＰＶ改善率も併せて表１に示す。
表１から分かるように、表面と裏面ともウェーハの中心軸とステージの回転軸を一致させてウェーハを設置したときのエッチング取代分布形状（比較例１）は、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶが大きく、面内全体で見たときのエッチング取代ＰＶは１２．４μｍであった。また、表面と裏面ともウェーハの中心軸とステージの回転軸を一致させてウェーハを設置し、一般的に行われているようなノズルをウェーハの径方向に往復運動させてエッチングを行った比較例２では、エッチング取代分布形状は、ウェーハ中心近傍のエッチング取代ＰＶが小さくなり、面内全体で見たときのエッチング取代ＰＶは６．１μｍと比較例１に対して５１％改善したが、ウェーハ面内全面の取代ＰＶは５．０μｍを超えてしまった。また、シリコンウェーハの中心軸を、シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ未満ずらして設置してエッチングしても、ウェーハ面内全面の取代ＰＶの改善は好ましくなかった。
一方、本発明のエッチング方法およびエッチング装置を用いた実施例では、ウェーハの中心軸を、ウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらし、かつ表面と裏面ではウェーハ中心に対して点対称の位置関係に設置し、ノズルをウェーハの径方向に往復運動させたときのウェーハ面内全面の取代ＰＶが３．５μｍと、ウェーハ面内全面の取代ＰＶが大幅に改善され、比較例１に対して７２％も改善率が向上した。
以上のとおり、本発明のエッチング方法およびエッチング装置によれば、エッチング取代を改善することができた。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１…シリコンウェーハ、 ２…真空吸着ステージ、 ３…供給ノズル、
４…真空源、 ５…液滴、 ６…エッチング液タンク、 ７…給水源、
８…酸エッチング液、 ９…水、 １０…真空吸着孔、
１１…シリコンウェーハの中心軸、 １２…ステージの中心軸、
２１…ウェーハ表面、 ２２…ウェーハ裏面、
１００…エッチング装置、
θ…回転方向、 Ａ－Ａ’…ノズル往復運動方向。
４…真空源、 ５…液滴、 ６…エッチング液タンク、 ７…給水源、
８…酸エッチング液、 ９…水、 １０…真空吸着孔、
１１…シリコンウェーハの中心軸、 １２…ステージの中心軸、
２１…ウェーハ表面、 ２２…ウェーハ裏面、
１００…エッチング装置、
θ…回転方向、 Ａ－Ａ’…ノズル往復運動方向。
Claims (5)
- シリコンウェーハの表裏を裏返して前記シリコンウェーハの両面へ供給ノズルを通して酸エッチング液を供給し、前記シリコンウェーハを回転させて前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハ全面に拡大して酸エッチングを行うスピンエッチング工程を含むシリコンウェーハのエッチング方法であって、
前記スピンエッチング工程において、前記シリコンウェーハの中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの回転軸から１５ｍｍ以上ずらして設置してエッチングすることとし、
前記シリコンウェーハの前記中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの前記回転軸からずらす方向を、前記シリコンウェーハの表面と裏面とで前記シリコンウェーハ中心軸に対して点対称の位置関係とすることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法。 - 前記酸エッチング液を弗酸及び硝酸を含む酸エッチング液とすることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
- 前記酸エッチング液を、酢酸、硫酸、燐酸のうち１つ以上を更に含む酸エッチング液とすることを特徴とする請求項２に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
- 前記酸エッチング液に含まれるシリコン含有量を１２ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下とすることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
- 少なくとも、酸エッチング液を供給する供給ノズル及びシリコンウェーハを保持するステージを備え、前記シリコンウェーハの表裏を裏返して前記シリコンウェーハの両面へ前記供給ノズルを通して前記酸エッチング液を供給し、前記シリコンウェーハを回転させて前記酸エッチング液の供給範囲を前記シリコンウェーハ全面に拡大して酸エッチングをスピンエッチングにより行うエッチング装置であって、
前記ステージは、前記シリコンウェーハの中心軸を前記ステージの回転軸から１５ｍｍ以上離して前記シリコンウェーハを偏芯保持可能なものであり、
前記シリコンウェーハの前記中心軸を、前記シリコンウェーハを保持するステージの前記回転軸から離す方向を、前記シリコンウェーハの表面と裏面とで前記シリコンウェーハ中心軸に対して点対称の位置関係とするものであることを特徴とするエッチング装置。
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