CN109843822B - 玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种玻璃基板的制造方法，其在将从搬入口(8aa)搬入到腔室(8)内的玻璃基板(2)以平放姿势沿着搬运路径搬运的同时，利用配置在搬运路径上的处理器(5)所供给的处理气体(4)对该玻璃基板的下表面(2a)实施蚀刻处理，之后将处理后的玻璃基板(2)从搬出口(8ab)向腔室(8)外搬出，其中，从配置在腔室(8)内的比搬运路径靠上方侧的吸引口(12a)向腔室(8)外进行排气。

Description

玻璃基板的制造方法
技术领域
本发明涉及包含如下工序的玻璃基板的制造方法，在该工序中，在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时，利用氟化氢等处理气体对玻璃基板的下表面实施蚀刻处理。
背景技术
众所周知，玻璃基板用于以液晶显示器、等离子显示器、有机EL显示器、场发射显示器等所代表的平板显示器、智能手机、平板型PC等移动终端为首的各种各样的电子设备。
在该玻璃基板的制造工序中，有时产生因静电引起的问题。举出一例，在为了对玻璃基板实施规定的处理而载置于支承台上时，有时因静电而导致玻璃基板粘贴在支承台上。在这样的情况下，在将结束处理后的玻璃基板从支承台抬起时，有时玻璃基板会破损。
对此，作为这种问题的对策，已知有如下的方法：在实施规定的处理之前，利用氟化氢等处理气体对玻璃基板的表面实施蚀刻处理，使表面粗糙化，由此来避免产生因静电引起的问题。而且，在专利文献1中公开了用于对玻璃基板的表面实施蚀刻处理的方法的一例。
在该文献所公开的方法中，在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时，利用在其搬运路径上配置的处理器(该文献中为表面处理装置)所供给的处理气体，对玻璃基板的上下表面中的下表面实施蚀刻处理。
需要说明的是，虽然在该文献中未明示，但在执行蚀刻处理的情况下，为了防止处理气体向外部漏出，通常在由腔室包围处理器的状态下执行。在腔室中形成有用于将蚀刻处理前的玻璃基板向腔室内搬入的搬入口和用于将蚀刻处理后的玻璃基板向腔室外搬出的搬出口。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2014-125414号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在采用了上述方法的情况下，产生了下述那样的应解决的问题。
即，在执行了蚀刻处理时，处理气体与玻璃基板发生反应而生成微小的生成物。该生成物顺着在腔室内产生的气流而漂浮等，有时作为异物会附着到玻璃基板的上表面。这里，对不为蚀刻处理的对象的上表面例如在下游工序中进行形成透明导电膜图案等的处理，但当在上表面附着有异物的状态下进行处理时，成为产生图案不良的原因。这样，在采用了上述方法的情况下，存在由于异物向上表面的附着而导致玻璃基板的品质下降这一问题。
鉴于上述情况而完成的本发明的技术课题在于，在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时利用处理气体对玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，防止玻璃基板的品质的下降。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题而完成的本发明是一种玻璃基板的制造方法，其在将从搬入口搬入到腔室内的玻璃基板以平放姿势沿着搬运路径搬运的同时，利用配置在搬运路径上的处理器所供给的处理气体对该玻璃基板的下表面实施蚀刻处理，之后将处理后的玻璃基板从搬出口向腔室外搬出，其特征在于，从配置在腔室内的比搬运路径靠上方侧的吸引口向腔室外进行排气。
在该方法中，从配置在腔室内的比搬运路径靠上方侧的吸引口向腔室外进行排气。因此，能够伴随着通过了吸引口的向腔室外的排气，将通过处理气体与玻璃基板的反应而生成的、可能作为异物附着于玻璃基板的上表面的生成物从腔室内排除。其结果是，能够避免玻璃基板的上表面上的异物的附着，能够防止玻璃基板的品质的下降。
在上述的方法中优选的是，在比处理器靠玻璃基板的搬运方向的下游侧，从吸引口向腔室外进行排气。
在该方法中，在搬运玻璃基板的同时实施蚀刻处理，因此，生成物在生成后容易朝向玻璃基板的搬运方向的下游侧移动。因此，若在比处理器靠玻璃基板的搬运方向的下游侧从吸引口向腔室外进行排气，则在有效地将生成物从腔室内排除的方面是有利的。
在上述的方法中优选的是，作为处理器，使用如下的处理器：具备在上下隔着搬运路径而对置的上部构成体和下部构成体，并且，在下部构成体配备有向形成于上部构成体和下部构成体的相互之间的处理空间供给处理气体的供气口，并且，在搬运路径上的处理器与搬出口之间配置有第一虚设处理器，该第一虚设处理器具有从搬运路径的下方与腔室外相连的排气口，并且，在从沿着搬运方向的方向观察时具有与处理器相同的外形。
这样，通过将第一虚设处理器配置在搬运路径上的处理器与搬出口之间，从而即便在因腔室内外的气压差而产生从搬出口向腔室内流入的气流的情况下，也能够避免该气流到达处理器。即，在从沿着搬运方向的方向观察时具有与处理器相同的外形的第一虚设处理器起到针对气流的防风壁的作用。因此，能够可靠地去除因流入的气流的压力而吹散处理器的处理空间内的处理气体从而对蚀刻处理的执行带来障碍这样的可能性。此外，第一虚设处理器具有从搬运路径的下方与腔室外相连的排气口，因此，伴随着玻璃基板的搬运被基板的下表面带动而从处理空间内流出到搬运方向的下游侧(第一虚设处理器侧)的处理气体能够通过排气口向腔室外排出。由此，能够防止从处理空间流出的处理气体从搬出口向腔室外漏出。
在上述的方法中优选的是，在比第一虚设处理器靠玻璃基板的搬运方向的下游侧，从吸引口向腔室外进行排气。
如既述那样，生成物在生成后容易朝向玻璃基板的搬运方向的下游侧移动。因此，若在腔室内尽可能靠搬运方向的下游侧向腔室外进行排气，则能够有效地从腔室内排除生成物。因此，若在比第一虚设处理器靠玻璃基板的搬运方向的下游侧从吸引口向腔室外进行排气，则在从腔室内排除生成物的方面更为有利。
在上述的方法中优选的是，在搬运路径上的处理器与搬入口之间配置有第二虚设处理器，该第二虚设处理器具有从搬运路径的下方与腔室外相连的排气口，并且，在从沿着搬运方向的方向观察时具有与处理器相同的外形。
这样，通过将第二虚设处理器配置在处理器与搬入口之间，能够避免从搬入口流入的气流到达处理器。即，能够使第二虚设处理器起到针对气流的防风壁的作用。由此，能够更加可靠地去除因气流的压力而吹散处理空间内的处理气体从而对蚀刻处理的执行带来障碍这样的可能性。此外，通过第二虚设处理器具有从搬运路径的下方与腔室外相连的排气口，能够更加有效地去除上述的可能性。即，关于从搬入口流入的气流中的沿着玻璃基板的下表面向处理器侧流动的气流，能够将其在到达处理器之前通过排气口向腔室外排出。因此，能够更加有效地去除上述的可能性。
发明效果
根据本发明，在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时利用处理气体对玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，能够防止玻璃基板的品质的下降。
附图说明
图1是示出玻璃基板的制造装置的概要结构的纵剖侧视图。
图2是从上方观察玻璃基板的制造装置所具备的处理器的主体部的俯视图。
图3a是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。
图3b是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。
图3c是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。
图3d是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。
图4a是将玻璃基板的制造装置所具备的吹扫气体喷射嘴的附近放大示出的纵剖侧视图。
图4b是将玻璃基板的制造装置所具备的吹扫气体喷射嘴的附近放大示出的纵剖侧视图。
图5是将玻璃基板的制造装置所具备的吹扫气体喷射嘴的附近放大示出的纵剖侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法进行说明。首先，针对在玻璃基板的制造方法中使用的玻璃基板的制造装置进行说明。
这里，在以下的说明中，将玻璃基板的搬运方向(图1中从右朝向左的方向)表记为“搬运方向”。另外，将与搬运方向正交的玻璃基板的宽度方向(图1中与纸面铅垂的方向)表记为“宽度方向”，并且，将沿着“宽度方向”的长度表记为“整个宽度”或“宽度尺寸”。此外，将与玻璃基板的上下表面铅垂的方向表记为“上下方向”。
如图1所示，作为主要的构成要素，玻璃基板的制造装置1具备：搬运单元3，其用于将玻璃基板2以平放姿势水平地搬运；处理器5，其用于利用处理气体4(在本实施方式中为氟化氢)对搬运中的玻璃基板2的下表面2a实施蚀刻处理；吹扫气体喷射嘴7，其喷射用于防止针对玻璃基板2的上表面2b的蚀刻处理的吹扫气体6；腔室8，其具有玻璃基板2的搬入口8aa及搬出口8ab、且用于防止处理气体4从形成于自身内部的空间9向外部漏出；在玻璃基板2的搬运路径上配置于处理器5与搬出口8ab之间的第一虚设处理器10及配置于处理器5与搬入口8aa之间的第二虚设处理器11；以及吸引嘴12，其用于对在处理气体4与玻璃基板2的下表面2a的反应中产生的生成物进行吸引并向腔室8外排出。
搬运单元3为在玻璃基板2的搬运路径上排列的多个辊3a。通过该多个辊3a，能够沿着在直线上延伸的搬运路径对玻璃基板2进行搬运。在沿着搬运方向相邻的辊3a的相互之间，成为玻璃基板2的下表面2a的整个宽度露出的状态。通过该露出的下表面2a与处理气体4发生反应，来实施蚀刻处理而使下表面2a的整个宽度粗糙化。需要说明的是，作为搬运单元3，也可以使用多个辊3a以外的构件，只要能够在搬运中使玻璃基板2的下表面2a的整个宽度露出，则也可以使用其他构件。
处理器5具备：在上下隔着玻璃基板2的搬运路径而对置的作为下部构成体的主体部5a、作为上部构成体的顶板部5b、以及用于防止因顶板部5b的自重而引起的挠曲的作为加强构件的H型钢5c。在主体部5a与顶板部5b的相互之间，形成有用于对在此通过的玻璃基板2实施蚀刻处理的处理空间13。该处理空间13形成为扁平的空间。处理空间13的宽度尺寸W1(参照图2)及沿着上下方向的厚度尺寸T1分别大于玻璃基板2的整个宽度W2(参照图2)及玻璃基板2的厚度T2。
这里，在玻璃基板2从处理空间13的外部进入到内部时，为了防止存在于玻璃基板2的周围的空气等气体与此相伴地向处理空间13流入，沿着搬运方向的处理空间13的长度尺寸L1优选为300mm～2000mm的范围内，更优选为600mm～1000mm的范围内。需要说明的是，从适合喷射吹扫气体6的观点出发，上述的长度尺寸L1与本实施方式中的方式不同，优选比玻璃基板2的沿着搬运方向的长度更长。另外，处理空间13的厚度尺寸T1优选为4mm～30mm的范围内。此外，上述的长度尺寸L1与厚度尺寸T1的比率(长度尺寸L1/厚度尺寸T1)的值优选为10～250的范围内。
主体部5a具有长方体状的外形。该主体部5a具备：用于向处理空间13喷射地供给处理气体4的供气口14；用于从处理空间13吸引处理气体4并将其排出的排气口15；以及用于对向处理空间13供给的处理气体4进行加热及防止因处理气体4引起的结露的加热器等加热单元(省略图示)。排气口15分别配置在主体部5a中的搬运方向的上游侧端部和下游侧端部。与此相对地，供气口14在上游侧端部的排气口15与下游侧端部的排气口15之间沿着搬运方向配置有多个(在本实施方式中为三个)。
多个供气口14中的搬运方向的最下游侧的供气口14的向处理空间13供给的处理气体4的流量最多，在本实施方式中，与其他的供气口14相比，供给两倍流量的处理气体4。另一方面，在多个供气口14的相互之间，所供给的处理气体4的浓度相同。各供气口14在沿着搬运方向相邻的辊3a的相互之间与处理空间13连接。此外，各供气口14供给的处理气体4的流量分别在每单位时间内是固定的。在此，关于沿着搬运方向的距离，从最上游侧的供气口14到中央的供气口14为止的距离L2与从中央的供气口14到最下游侧的供气口14为止的距离L3相等。需要说明的是，在本实施方式中，配置有三个供气口14，但不局限于此，也可以配置两个供气口14，还可以配置四个以上的供气口14。
上游侧端部的排气口15及下游侧端部的排气口15分别能够将从处理空间13吸引的处理气体4向形成于主体部5a的内部的空间16送入。空间16与和配置于腔室8外的清洗集尘装置(省略图示)连接的排气管17相连。由此，通过排气口15从处理空间13送入到空间16的处理气体4在之后通过排气管17而从空间16向清洗集尘装置排出。需要说明的是，排气管17与空间16内的搬运方向的下游侧端部连接。在上游侧端部的排气口15及下游侧端部的排气口15，可以设置对所排出的气体(对于“气体”，不仅包括处理气体4，还包括在从处理空间13的外部引入到内部之后被吸引到排气口15的空气等)的流量单独进行调节的机构。另一方面，也能够通过堵塞排气口15的与处理空间13连接的开口部、或者将构成排气口15的部位从主体部5a卸下而堵塞与空间16连通的孔，从而省略排气口15。
这里，与各供气口14向处理空间13供给的处理气体4的流量相比，各排气口15从处理空间13排出的气体的流量更多。需要说明的是，各排气口15排出的气体的流量在每单位时间内是固定的。另外，关于沿着搬运方向的距离，下游侧端部的排气口15与最下游侧的供气口14的相互间距离D2比上游侧端部的排气口15与最上游侧的供气口14的相互间距离D1长。相互间距离D2的长度优选为相互间距离D1的长度的1.2倍以上，更优选为1.5倍以上，最优选为2倍以上。
如图2所示，供气口14及排气口15的两者形成为在宽度方向上呈长条的狭缝状。供气口14的宽度尺寸可以如该图所示那样比玻璃基板2的整个宽度稍短，也可以与该图不同地，比玻璃基板2的整个宽度稍长。另一方面，排气口15的宽度尺寸比玻璃基板2的整个宽度稍长。这里，为了容易沿着宽度方向均等地供给处理气体4，优选供气口14的沿着搬运方向的开口长度S1为0.5mm～5mm的范围内。需要说明的是，排气口15的沿着搬运方向的开口长度比供气口14的沿着搬运方向的开口长度S1长。此外，为了避免基于排气口15进行的气体的吸引妨碍到执行顺利的蚀刻处理，优选从主体部5a的上游侧端缘5aa到上游侧端部的排气口15为止的距离L4与从下游侧端缘5ab到下游侧端部的排气口15为止的距离L4都为1mm～20mm的范围内。
如图1所示，主体部5a中的与通过处理空间13过程中的玻璃基板2的下表面2a对置的顶部为沿着搬运方向无间隙地排列而成的多个单元(在本实施方式中为八个，包括后述的供气单元18和连接单元19)。这些多个单元构成主体部5a的顶部，且构成上述的空间16的顶棚部。
在多个单元中，包含形成有供气口14的供气单元18和未形成供气口14的连接单元19(在图2中，分别由粗线包围供气单元18和连接单元19)。在本实施方式中，多个单元的排列中，供气单元18在从搬运方向的上游侧起的第二个、第四个及第六个位置处排列。另一方面，连接单元19在从搬运方向的上游侧起的第一个、第三个、第五个、第七个及第八个位置处排列。供气单元18具备与供气口14连结的供气嘴18a，该供气嘴18a与配置在腔室8外的处理气体4的产生器(省略图示)连接。连接单元19将相邻的供气单元18的相互之间及供气单元18与排气口15之间连接。
这里，存在于从搬运方向的上游侧起的第一个位置(最上游侧的位置)处的连接单元19(19x)在该位置处固定地配置。另一方面，存在于从上游侧起的第三个、第五个、第七个及第八个位置处的连接单元19能够与供气单元18置换，或者与代替供气口14而形成有排气口20a的后述的排气单元20(图1中，未使用排气单元20)置换。另外，关于存在于从上游侧起的第二个、第四个及第六个位置处的供气单元18，也能够与连接单元19或后述的排气单元20置换。由此，能够对供气口14的数量、搬运方向上的供气口14的位置加以变更。此外，假设在配置了排气单元20的情况下，也能够从上游侧端部及下游侧端部的两个排气口15、15之外的排气单元20进行处理气体4的排气。以下，参照图3a～图3d对这些单元的置换进行说明。
在图3a～图3c的各个图中，由粗线包围而示出的供气单元18、连接单元19及排气单元20的沿着搬运方向的长度彼此相同。由此，在进行了这些单元的置换的情况下，伴随着置换而重新配置的单元能够与同其相邻的两个单元(在图3a～图3c的各个图中，图示出相邻的两个单元均是连接单元19的情况)无间隙地排列。此外，重新配置的单元能够与相邻的两个单元在上下方向上无高低差地排列。
这里，如图3a所示，供气单元18中的供气口14的周边区域14a与其他区域相比在上下方向上位于高位。由此，在供气口14的周边区域14a，与其他区域相比，与通过处理空间13过程中的玻璃基板2的下表面2a的分离距离变短。在本实施方式中，供气口14的周边区域14a的与玻璃基板2的下表面2a的分离距离相较于其他区域的与玻璃基板2的下表面2a的分离距离而成为一半的距离。而且，与分离距离变短相应地，供气口14的前端(处理气体4的流出口)成为与玻璃基板2的下表面2a接近的状态。另外，如图3c所示，假设在配置了排气单元20的情况下，形成于该排气单元20的排气口20a成为与上述的空间16相连的状态。由此，通过排气口20a而从处理空间13送入到空间16的处理气体4在之后通过排气管17从空间16向清洗集尘装置排出。需要说明的是，排气口20a与上游侧端部的排气口15及下游侧端部的排气口15同样地，形成为在宽度方向上呈长条的狭缝状。这里，如图3d所示，供气单元18中的供气口14的周边区域14a也可以为与其他区域相同的高度。
如图1所示，顶板部5b是单一的板体(俯视呈矩形的板体)，具有与通过处理空间13过程中的玻璃基板2的上表面2b对置的平坦面。另外，顶板部5b内置有用于防止因处理气体4引起的结露的加热器等加热单元(省略图示)。H型钢5c设置为在顶板部5b上沿宽度方向延伸。此外，H型钢5c设置有多个(在本实施方式中为三个)，这些多个H型钢5c在搬运方向上等间隔地配置。
吹扫气体喷射嘴7在搬运方向上比处理器5靠上游侧配置且比玻璃基板2的搬运路径靠上方配置。该吹扫气体喷射嘴7能够朝向搬运方向的下游侧喷射吹扫气体6，以使得在形成于玻璃基板2的进入到处理空间13的部位与顶板部5b之间的间隙13a中，形成沿着搬运方向的吹扫气体6的流动。吹扫气体6的流动能够在间隙13a的整个宽度上形成。此外，吹扫气体6以沿着搬运方向的流速比搬运单元3搬运玻璃基板2的搬运速度快的方式喷射。由此，利用吹扫气体6的压力而将欲流入间隙13a的处理气体4赶到搬运方向的下游侧，能够阻止处理气体4向间隙13a的流入。然后，避免了玻璃基板2的上表面2b的粗糙化。需要说明的是，在本实施方式中，作为吹扫气体6而使用清洁干燥空气(CDA)。
如图4a所示，在搬运中的玻璃基板2的前头部2f将要进入处理空间13之前开始喷射吹扫气体6。此外，如图4b所示，在搬运中的玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前停止喷射吹扫气体6。这里，在本实施方式中，进行吹扫气体6的喷射的开始及停止的时机通过以下那样来决定。首先，在搬运方向上比吹扫气体喷射嘴7靠上游侧的位置，配置有能够对玻璃基板2的前头部2f及最后部2e的通过进行检测的传感器等检测单元(省略图示)。当该检测单元检测到玻璃基板2的前头部2f的通过时，基于玻璃基板2的搬运速度和从前头部2f到处理空间13为止的沿着搬运路径的距离，来决定开始喷射吹扫气体6的时机。同样地，当检测单元检测到最后部2e的通过时，基于搬运速度和从最后部2e到处理空间13为止的距离，来决定停止喷射的时机。
如图5所示，吹扫气体喷射嘴7具备在宽度方向上延伸的圆筒状的管道7a。针对该管道7a在宽度方向上隔开间隔地插入多个管7b。能够从各管7b向管道7a内供给吹扫气体6。另外，在管道7a的内部，安装有在宽度方向上呈长条的板体7c，从各管7b流入到管道7a内的吹扫气体6以绕过板体7c的方式蔓延之后，从与管道7a连结的喷射部7d喷射。形成于喷射部7d的吹扫气体6的喷射口形成为在宽度方向上呈长条的狭缝状。喷射部7d喷射吹扫气体6的喷射角度θ(喷射部7d所指向的方向相对于玻璃基板2的上表面2b倾斜的角度)能够在25°～70°的范围内变更。另外，吹扫气体喷射嘴7的姿势能够如图5的实线所示那样调节为使喷射部7d指向处理空间13内，也能够如该图的双点划线所示那样调节为使喷射部7d指向处理空间13外。
如图1所示，腔室8形成为长方体状的外形。该腔室8具备：除了上述的搬入口8aa及搬出口8ab之外还形成有顶棚孔8ac的主体8a；以及用于堵塞顶棚孔8ac的盖体8b。
搬入口8aa及搬出口8ab形成于主体8a的侧壁部8ad，并且形成为沿着宽度方向而呈长条的扁平开口。顶棚孔8ac在主体8a的顶棚部8ae形成有多个(在本实施方式中为三个)。盖体8b能够堵塞顶棚孔8ac的开口整体，并且，能够向主体8a安装及从主体8a卸下。由此，通过将盖体8b从主体8a卸下而使顶棚孔8ac敞开，从而能够经由该顶棚孔8ac进行处理器5的调节、维修、检查等作业。
第一虚设处理器10具备：在玻璃基板2的搬运路径的下方配置的长方体状的箱体10a；以与箱体10a对置的方式配置于搬运路径的上方的顶板10b；以及用于防止因顶板10b的自重而引起的挠曲的作为加强构件的H型钢10c。在箱体10a与顶板10b的相互之间形成有用于使玻璃基板2通过的间隙21。第一虚设处理器10作为如下防风构件发挥功能，即，用于避免从搬出口8ab流入到腔室8内的气流到达处理空间13而对蚀刻处理造成不良影响。这里，为了作为防风构件而有效地发挥功能，沿着搬运方向的第一虚设处理器10的长度优选为50mm以上，更优选为100mm以上。
在箱体10a的上端形成有在宽度方向上呈长条的矩形的开口10aa。另一方面，在箱体10a的底部相连有与配置于腔室8外的清洗集尘装置(省略图示)连接的排气管22。由此，针对被玻璃基板2的下表面2a带动而从处理空间13内流出到搬运方向的下游侧的处理气体4，第一虚设处理器10能够使该处理气体4通过开口10aa而由排气管22吸引之后，向清洗集尘装置排出。顶板10b是单一的板体(俯视呈矩形的板体)，具有与通过间隙21过程中的玻璃基板2的上表面2b对置的平坦面。H型钢10c设置为在顶板10b上沿宽度方向延伸。
第一虚设处理器10在从沿着搬运方向的方向观察的情况下具有与处理器5相同的外形，并且，以看上去与处理器5重叠的方式配置。即，在处理器5的主体部5a与第一虚设处理器10的箱体10a的相互之间，宽度尺寸及沿着上下方向的尺寸相同。同样地，在(A)处理器5的顶板部5b与第一虚设处理器10的顶板10b、(B)处理器5的H型钢5c与第一虚设处理器10的H型钢10c、(C)处理器5的处理空间13与第一虚设处理器10的间隙21这些(A)～(C)的各组合的相互之间，宽度尺寸及沿着上下方向的尺寸也相同。
第二虚设处理器11除了以下所示的(1)、(2)这两点之外，具备与上述的第一虚设处理器10相同的结构。因此，在图1中，将与第一虚设处理器10所标注的标号相同的标号标注于第二虚设处理器11，由此，省略在两个处理器10、11之间重复的说明。(1)配置与第一虚设处理器10不同这一点。(2)作为防风构件发挥功能这一点，该防风构件用于避免不是从搬出口8ab而是从搬入口8aa流入到腔室8内的气流到达处理空间13而对蚀刻处理造成不良影响。需要说明的是，第二虚设处理器11与第一虚设处理器10同样地，在从沿着搬运方向的方向观察的情况下，具有与处理器5相同的外形，并且，以看上去与处理器5重叠的方式配置。
吸引嘴12安装于腔室8的顶棚部8ae，其吸引口12a与空间9相连。该吸引口12a在搬运方向上比第一虚设处理器10靠下游侧配置，且配置在空间9中的搬运方向的下游侧端部。吸引嘴12与配置在腔室8外的清洗集尘装置(省略图示)连接，能够将所吸引的生成物向清洗集尘装置排出。需要说明的是，吸引口12a不局限于与本实施方式相同的配置，比玻璃基板2的搬运路径靠上方配置即可。然而，由于具有对在蚀刻处理中产生的生成物进行吸引并将其向腔室8外排出的作用，因此，即便在采用与本实施方式不同的配置的情况下，吸引口12a也优选在搬运方向上比处理器5靠下游侧配置。
以下，针对使用了上述的玻璃基板的制造装置1的本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法进行说明。
首先，利用搬运单元3对玻璃基板2进行搬运，由此从搬入口8aa向腔室8内搬入玻璃基板2。需要说明的是，在本实施方式中，以从搬入口8aa到搬出口8ab为止的沿着搬运路径的距离为基准，将沿着搬运路径的整个长度比该距离长的玻璃基板2作为蚀刻处理的对象。另外，在本实施方式中，以固定的搬运速度对玻璃基板2进行搬运。
接着，使搬入后的玻璃基板2通过配置于搬入口8aa与处理器5之间的第二虚设处理器11的间隙21。需要说明的是，从搬入口8aa向腔室8内流入后沿着玻璃基板2的下表面2a流向搬运方向的下游侧的气体被排气管22吸引，该排气管22与第二虚设处理器11的箱体10a的底部相连。在此基础上，通过使第二虚设处理器11作为防风构件发挥功能，从而防止从搬入口8aa流入到腔室8内的气体到达处理器5的处理空间13。
接着，使在第二虚设处理器11的间隙21通过后的玻璃基板2通过处理器5的处理空间13。此时，从玻璃基板2的前头部2f将要进入处理空间13之前开始喷射吹扫气体6。然后，在通过处理空间13过程中的玻璃基板2的下表面2a侧，利用各供气口14供给的处理气体4对下表面2a实施蚀刻处理，同时利用上游侧端部及下游侧端部的各个排气口15从处理空间13排出处理气体4。另一方面，在通过处理空间13过程中的玻璃基板2的上表面2b侧，通过形成于间隙13a的吹扫气体6的流动，来防止处理气体4对上表面2b实施的蚀刻处理。另外，在蚀刻处理中产生的生成物被吸引嘴12吸引而向腔室8外排出。在玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前停止喷射吹扫气体6。
这里，在本实施方式中，采用了在玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前停止喷射吹扫气体6的方式，但不局限于此。只要是在玻璃基板2的前头部2f从处理空间13脱离之后即可，也可以采用比玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前更靠前地停止喷射吹扫气体6的方式。
接着，使通过了处理器5的处理空间13的蚀刻处理后的玻璃基板2通过在处理器5与搬出口8ab之间配置的第一虚设处理器10的间隙21。需要说明的是，从搬出口8ab向腔室8内流入并沿着玻璃基板2的下表面2a流向搬运方向的上游侧的气体被排气管22吸引，该排气管22与第一虚设处理器10的箱体10a的底部相连。此外，通过使第一虚设处理器10作为防风构件发挥功能，从而防止从搬出口8ab流入到腔室8内的气体到达处理器5的处理空间13。另外，利用排气管22，对被玻璃基板2的下表面2a带动而从处理空间13内流出到搬运方向的下游侧的处理气体4进行吸引并向腔室8外排出。
最后，将通过第一虚设处理器10的间隙21后的玻璃基板2从搬出口8ab向腔室8外搬出。然后，得到对下表面2a实施了蚀刻处理的玻璃基板2。通过以上方式，完成本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法。
以下，对本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法所带来的主要作用、效果进行说明。
在该方法中，从配置在腔室8内的比玻璃基板2的搬运路径靠上方侧的吸引口12a向腔室8外排出在蚀刻处理中产生的生成物。因此，能够将可能作为异物而附着于玻璃基板2的上表面2b的生成物从腔室8内排除。其结果是，能够避免异物在玻璃基板2的上表面2b上的附着，能够防止玻璃基板2的品质的下降。
这里，本发明的玻璃基板的制造方法不局限于在上述的实施方式中说明的方式。例如，关于处理器的结构，也可以与在上述的实施方式中使用的处理器不同。在上述的实施方式中使用的处理器构成为在上游侧端部的排气口与下游侧端部的排气口之间配置多个供气口，但不限于此，也可以构成为在两个排气口之间仅配置唯一一个供气口(例如配置在两个排气口的中间位置)。
附图标记说明：
2 玻璃基板
2a 下表面
4 处理气体
5 处理器
5a 主体部(下部构成体)
5b 顶板部(上部构成体)
8 腔室
8aa 搬入口
8ab 搬出口
10 第一虚设处理器
11 第二虚设处理器
12 吸引嘴
12a 吸引口
13 处理空间
14 供气口。

Claims (5)

1.一种玻璃基板的制造方法，其在将从搬入口搬入到腔室内的玻璃基板，支承该玻璃基板的下表面并且以平放姿势沿着搬运路径搬运的同时，利用配置在所述搬运路径上的处理器所供给的处理气体对所述下表面实施蚀刻处理，之后将处理后的所述玻璃基板从搬出口向所述腔室外搬出，
该玻璃基板的制造方法的特征在于，
从配置在所述腔室内的比所述搬运路径靠上方侧且与实施蚀刻处理的所述下表面相反的一侧的吸引口向该腔室外进行排气。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
在比所述处理器靠所述玻璃基板的搬运方向的下游侧，从所述吸引口向所述腔室外进行排气。
3.根据权利要求2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
作为所述处理器，使用如下的处理器：具备在上下隔着所述搬运路径而对置的上部构成体和下部构成体，并且，在所述下部构成体配备有向形成于所述上部构成体和所述下部构成体的相互之间的处理空间供给所述处理气体的供气口，并且，
在所述搬运路径上的所述处理器与所述搬出口之间配置有第一虚设处理器，该第一虚设处理器具有从所述搬运路径的下方与所述腔室外相连的排气口，并且，在从沿着搬运方向的方向观察时具有与所述处理器相同的外形。
4.根据权利要求3所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
在比所述第一虚设处理器靠所述玻璃基板的搬运方向的下游侧，从所述吸引口向所述腔室外进行排气。
5.根据权利要求3或4所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
在所述搬运路径上的所述处理器与所述搬入口之间配置有第二虚设处理器，该第二虚设处理器具有从所述搬运路径的下方与所述腔室外相连的排气口，并且，在从沿着搬运方向的方向观察时具有与所述处理器相同的外形。
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