CN1097601C - 制备具有很低金属离子含量的光刻胶组合物的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供使用处理的螯合型离子交换树脂以制得中性铵盐或酸性形式，从而制备具有很低含量金属离子的光刻胶的方法。也提供使用这些光刻胶组合物制造半导体元件的方法。

Description

制备具有很低金属离子含量的光刻胶组合物的方法
本发明背景
本发明涉及制备具有很低含量金属离子特别是钠和铁的光刻胶的方法。另外，本发明还涉及用这些光敏组合物涂覆基体的方法，以及在基体上对这些光敏组合物涂覆、成像和显影的方法。
光刻胶组合物被用于制造小型电子元件例如计算机芯片和集成电路的制造中的微平版印刷工艺。一般在这些方法中，一薄的光刻胶组合物涂层膜被首先涂敷到基体材料例如用于制造集成电路的硅片上。然后将涂覆的基体烘烤以蒸发光刻胶组合物中的溶剂并且将涂层凝固在基体上。基体烘烤的涂覆表面接着在射线下成像曝光。
这种射线照射在涂覆表面的曝露区域引起化学变化。可见光、紫外线(UV)、电子束和X射线辐射能都是目前在微平版印刷工艺中常用的射线类型。成像曝光后，涂覆的基体用显影溶液处理以溶解和除去基体涂覆表面的或是射线照射过的区域或是没有照射过的区域。
金属污染已是在高密度集成电路和计算机芯片的制造中长时间存在的问题，经常导致较多的缺陷、成品率降低、品质下降和降低的性能。在等离子体工艺中，当诸如钠和铁的金属存在于光刻胶中时，特别是在等离子去胶(plasma stripping)过程中它们会引起污染。但是在制造工艺中这些问题已基本克服。例如在高温退火周期过程中通过使用HCl除去污染物。
由于半导体元件变得更加复杂，这些问题也变得更加难以克服。当硅片用液态正性光刻胶涂覆且接着例如用氧微波等离子剥去时，经常看到半导体元件的性能和稳定性下降。由于重复等离子体去胶工艺，因此会频繁发生元件更多的品质下降。已发现此类问题的主要原因是光刻胶中的金属污染，特别是钠和铁离子。已发现光刻胶中少于1.0ppm的金属含量就对此类半导体元件的性质产生不利影响。
有两种类型的光刻胶组合物，负性的和正性的。当负性光刻胶组合物在射线下成像曝光时，射线下曝光的光刻胶组合物的区域变得不容易溶于显影剂溶液(例如发生交联反应)，同时光刻胶涂层的未曝光区域仍然是相对可溶于这种溶液。因此，用显影剂处理曝光的负性光刻胶，引起光刻胶涂层未曝光区域的去除和涂层中负象的形成。于是曝露了光刻胶组合物沉积的底层基体表面的所需部分。另一方面，当正性光刻胶组合物在射线下成像曝光时，射线下曝光的光刻胶组合物的那些区域变得更加可溶于显影剂溶液(例如发生重排反应)，同时未曝光的那些区域仍然是相对难以溶于显影剂溶液。因此，用显影剂处理曝光的正性光刻胶，引起涂层曝光区域的去除和光刻胶涂层中正象的形成。仍然是曝露了底层基体表面的所需部分。
显影操作后，部分未保护的基体可用基体蚀刻剂溶液或等离子体气体等处理。蚀刻剂溶液或等离子体气体蚀刻在显影过程中除去了光刻胶涂层的那部分基体。光刻胶涂层仍然保留的基体区域被保护起来，于是在与用于射线下成像曝光的光掩模对应的基体材料中产生了刻蚀图案。然后光刻胶涂层的保留区域可在去胶操作中除去，剩下干净的刻蚀基体表面。在一些情况中，需要在显影步骤后和刻蚀步骤前热处理保留的光刻胶层，以提高其对底层基体的附着力和其对蚀刻溶液的抵抗力。
正性光刻胶组合物通常优越于负性光刻胶，因为前者一般具有较好的分辨能力和图案转移特性。光刻胶分辨率被定义为光刻胶组合物能够在曝光和显影后从光掩模转移到基体并具有高度的图象边缘锐度的最小特征。在目前许多工业应用中，光刻分辨率数量级为小于一微米是必要的。另外，差不多总是需要显影的光刻胶侧壁几乎垂直于基体。在光刻涂层的显影和未显影区域间的这种界限转变成基体上掩蔽图象的精确图案转移。
本发明概述
本发明涉及制备含有很低含量金属离子特别是钠和铁的光刻胶的方法，以及在制造半导体元件中使用此类光刻胶的方法。
得到的光刻胶具有很低含量的金属离子，例如铁、钠、钾、钙、镁、铜和锌。各金属离子含量优选小于50ppb。钠和铁是最常见的金属离子杂质且最容易检测。这些金属离子的含量作为其它金属离子含量的标志。钠和铁离子的含量各小于50ppb，优选各小于40ppb，更优选各小于20ppb，且最优选各小于10ppb。
具有很低含量金属离子的光刻胶可以通过使用螯合型离子交换树脂以提纯这些光刻胶组合物而制得。所要求保护的发明包括加热带有螯合型离子交换树脂的中性铵盐或酸性形式的光刻胶组合物，该树脂如下净化：a)用水然后用无机酸溶液清洗，b)用去离子水清洗，和/或c)用去离子水中的氢氧化铵溶液(4-10％)清洗，d)用去离子水清洗，和e)用可与光刻胶溶剂混溶的溶剂清洗。
本发明提供制备具有很低含量金属离子特别是钠和铁的光刻胶的方法。在一个实施方案中，本方法使用螯合型离子交换树脂的铵盐以提纯光刻胶组合物。本方法也使用螯合型离子交换树脂的酸性形式以提纯光刻胶组合物。用于提纯光刻胶组合物的主题方法包括：
a)1)例如在塔或间歇方法中用去离子(DI)水清洗螯合型离子交换树脂，接着用无机酸溶液(例如5-98％的硫酸、硝酸或盐酸溶液)清洗，再次用DI水清洗，从而使离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb，优选各小于50ppb，且最优选各不大于20ppb；或
2)例如在塔或间歇方法中用去离子(DI)水清洗螯合型离子交换树脂，接着用无机酸溶液(例如5-98％的硫酸、硝酸或盐酸溶液)清洗，再次用DI水清洗，接着用氢氧化铵溶液(2-28％)清洗，从而将离子交换树脂转变为铵盐，接着再用DI水清洗，从而离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb，优选各小于50ppb，且最优选各不大于20ppb；
b)从1)或2)的离子交换树脂中除去水，例如通过用电子纯丙酮清洗，接着用可与待提纯的光刻胶组合物中的溶剂混溶的光刻胶溶剂清洗，例如用丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)，于是除去所有其它溶剂，例如丙酮；
c)将光刻胶组合物与螯合型离子交换树脂的铵盐或螯合型离子交换树脂的酸性形式混合，并加热该混合物，加热温度范围是30-90℃，优选35-70℃，更优选40-65℃，最优选45-60℃；加热时间为1-80小时，优选3-50小时，更优选4-25小时，尤其优选5-15小时，最优选6-12小时：接着经过0.05-0.5μm(微米)的过滤器过滤，优选具有小于或等于0.1μm(微米)的微米等级过滤器，由此光刻胶组合物中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb，优选各小于50ppb，更优选各小于20ppb，尤其优选各小于10ppb，且最优选各小于5ppb。
本发明还提供了制造半导体元件的方法，其中通过用正性光刻胶组合物涂覆合适的基体，在基体上制造光影像：
a)1)例如在塔或间歇方法中用去离子(DI)水清洗螯合型离子交换树脂，接着用无机酸溶液(例如5-98％的硫酸、硝酸或盐酸溶液)清洗，再次用DI水清洗，从而使离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb，优选各小于50ppb，且最优选各不大于20ppb；或
2)例如在塔或间歇方法中用去离子(DI)水清洗螯合型离子交换树脂，接着用无机酸溶液(例如5-98％的硫酸、硝酸或盐酸溶液)清洗，再次用DI水清洗，接着用氢氧化铵溶液(2-28％)清洗，从而将离子交换树脂转变为铵盐，接着再用DI水清洗，从而使离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb，优选各小于50ppb，且最优选各不大于20ppb；
b)从1)或2)的离子交换树脂中除去水，例如通过用电子纯丙酮清洗，接着用可与待提纯的光刻胶组合物中的溶剂混溶的光刻胶溶剂清洗，例如用丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)，于是除去所有其它溶剂，例如丙酮；
c)将光刻胶组合物与螯合型离子交换树脂的铵盐或螯合型离子交换树脂的酸性形式混合，并加热该混合物，加热温度范围是30-90℃，优选35-70℃，更优选40-65℃，最优选45-60℃；加热时间为1-80小时，优选3-50小时，更优选4-25小时，尤其优选5-15小时，最优选6-12小时；接着经过0.05-0.5μm(微米)的过滤器过滤，优选具有小于或等于0.1μm(微米)的微米等级过滤器，于是光刻胶组合物中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb，优选各小于50ppb，更优选各小于20ppb，尤其优选各小于10ppb，且最优选各小于5ppb；
d)用光刻胶组合物涂覆基体，并热处理涂覆的基体直到基本除去所有的溶剂；成像曝光该光刻胶组合物，并用合适的显影剂例如含水碱性显影剂除去此组合物的成像曝光区域。任选地可以就在除去步骤之前或之后进行基体的烘烤。
已发现具有很低含量金属离子杂质的光刻胶不能由已被高含量金属离子污染的光刻胶组合物，通过用离子交换树脂从光刻胶中除去金属离子制得，除非：1)如上所述，将螫合型离子交换树脂用DI水和无机酸溶液，或氢氧化铵溶液和DI水清洗；2)将螯合型离子交换树脂的铵盐形式或酸性形式接着用可与光刻胶组合物溶剂混溶的溶剂彻底漂洗；3)然后将光刻胶组合物与螯合型离子交换树脂的酸性形式和/或铵盐形式混合，并在升温下加热至少一小时。
优选实施方案的详细描述
螯合型离子交换树脂，例如苯乙烯/二乙烯基苯螯合型离子交换树脂被用于本方法。螯合型离子交换树脂具有成对的亚氨基二乙酸盐官能团或亚氨基二乙酸官能团。这些离子交换树脂由Rohm and Haas公司得到，例如AMBERLITEIRC 718(钠形式)，或由Bio Rad公司得到的作为钠形式的Chelex20或Chelex100。这些树脂一般含有各多达100,000-500,000ppb的钠和铁。
光刻胶组合物优选与螯合型离子交换树脂的酸性形式混合，在30-90℃的温度下加热至少一小时。此光刻胶组合物，在按照本发明的处理之前，一般含有各为60-1000ppb的钠和铁离子。经过本发明的方法，这些含量各降低至5ppb。
对于这些光刻胶组合物和对于酚醛清漆树脂适合的溶剂可包括丙二醇单烷基醚、丙二醇烷基(例如甲基)醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、乳酸乙酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯和乳酸乙酯的混合物、乙酸丁酯、二甲苯、二甘醇二甲醚、乙二醇单乙基醚乙酸酯和2-庚酮。优选的溶剂是丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)、乙基-3-乙氧基丙酸酯(EEP)和乳酸乙酯(EL)。
在光刻胶组合物涂覆到基体上之前，其它任选的组分例如着色剂、染料、抗辉纹剂、均化剂、增塑剂、粘合促进剂、增速剂、溶剂和例如非离子表面活性剂的表面活性剂可加入到酚醛清漆树脂、敏化剂和溶剂的溶液中。可与本发明光刻胶组合物一起使用的染料添加剂的例子包括甲基紫2B(C.I.42535号)、结晶紫(C.I.42555号)、孔雀绿(C.I.42000号)、维多利亚蓝B(C.I.44045号)和中性红(C.I.50040号)，以基于酚醛清漆和敏化剂合并的重量的1-10wt％的含量使用。染料添加剂通过防止离开基体的光的反散射，帮助提供提高的分辨率。
抗辉纹剂可以基于酚醛清漆和敏化剂合重的至多约5wt％含量使用。可以使用的增塑剂包括例如磷酸三(β-氯乙基)酯；硬脂酸；二樟脑；聚丙烯；缩醛树脂；苯氧基树脂；和烷基树脂，以基于酚醛清漆和敏化剂合重的约1-10wt％的含量使用。增塑剂添加剂提高材料的涂覆性质且使得平滑和具有均匀厚度的薄膜涂覆到基体上。
可以使用的粘合促进剂包括例如β-(3，4-环氧-环己基)-乙基三甲氧基硅烷；对甲基-二硅烷-甲基甲基丙烯酸酯；乙烯基三氯硅烷；和γ-氨基-丙基三乙氧基硅烷，以基于酚醛清漆和敏化剂合重的至多约4wt％的含量使用。可以使用的显影增速剂包括例如苦味酸、烟酸或硝基肉桂酸，以基于酚醛清漆和敏化剂合重的至多约20wt％的含量使用。这些增速剂有助于提高在曝光和未曝光区域中光刻胶涂层的溶解度，于是当显影速度优先考虑时，即使牺牲一些对比度，它们也被用于实际应用中；即当光刻胶涂层的曝光区域要被显影剂更快溶解时，增速剂也将从未曝光区域引起光刻胶涂层更大量的损失。
溶剂在整个组合物中存在的量占组合物中固体的直至95wt％。当然溶剂在光刻胶溶液涂覆到基体上和干燥后基本被除去。可以使用的非离子表面活性剂包括例如壬基苯氧基聚(氧乙烯)乙醇；辛基苯氧基乙醇，以基于酚醛清漆和敏化剂合重的至多约10wt％的含量使用。
制得的光刻胶溶液可以通过用于光刻胶技术的任何惯用方法涂覆到基体上，包括浸渍、喷涂、涡转和旋转涂覆。当旋转涂覆时，例如，可以对光刻胶溶液的固体含量的百分比加以调整，以便提供所需厚度的涂层(给定所用的旋转设备的类型和用于旋转工艺的时间)。适合的基体包括硅、铝、聚合树脂、二氧化硅、掺杂二氧化硅、氮化硅、钽、铜、聚硅、陶瓷、铝/铜混合物；砷化镓和其它此类III/V族化合物。
由上述方法制得的光刻胶涂层特别适合于热生长硅/二氧化硅涂覆晶片的应用，例如用于微信息处理器和其它小型化集成电路元件的制造。也可以使用铝/氧化铝晶片。基体也可包含各种聚合树脂，特别是透明聚合物，例如聚酯。基体可以具有合适组合物的粘合促进层，例如含有六烷基二硅氮烷。
然后将光刻胶组合物溶液涂覆到基体上，基体在温度从约70℃-约110℃处理，在热板上处理时间为约30秒-约180秒，或在热对流烘箱中为约15分-约90分钟。选择此温度处理以降低光刻胶中残留溶剂的浓度，同时基本不引起光敏剂的热降解。一般，人们需要将溶剂浓度最小化，进行这第一个温度处理直到基本上所有溶剂蒸发掉，且厚度数量级为一微米的光刻胶组合物的薄涂层保留在基体上。在优选的实施方案中，温度是从约85℃-约95℃。进行处理直到溶剂除去变化率变得相对小。温度和时间的选择取决于使用者所需的光刻胶的性质，以及所用设备和商业上所需的涂层时间。然后将涂覆基体在光化射线下曝光，例如波长从约300nm-约450nm的紫外线、x-射线、电子束、离子束或激光射线，以通过使用合适的掩模、底片、模板、样板等所产生的任何所需图案。
光刻胶然后可选择地经过后曝光二次烘烤或显影前或后的热处理。加热温度的范围可以从约90℃-约120℃，更优选从约100℃-约110℃。进行加热可以在热板上进行约30秒-约2分钟，更优选从约60秒-约90秒，或在热对流烘箱中约30分钟-约45分钟。
一般通过在碱性显影溶液浸润或通过喷雾显影方法，将曝光的光刻胶涂层基体显影，以除去成像曝光区域。溶液优选搅动，例如通过氮喷搅动。基体允许保留在显影剂中，直到全部或基本全部的光刻胶涂层从曝光区域消失。显影剂可以包括铵或碱金属的氢氧化物水溶液。一种优选的氢氧化物是氢氧化四甲铵(TMAH)。涂覆晶片从显影溶液取出后，可以进行任选的后显影热处理或烘烤，以提高涂层的附着力和对刻蚀溶液和其它物质的耐化学性。后显影热处理可以包括在涂层软化点下的涂层和基体的烘箱烘烤。在工业应用中，特别是在硅/二氧化硅型基体上微型电路单元的制造中，显影基体可以用缓冲的、氢氟酸基刻蚀溶液处理。本发明的光刻胶组合物耐受酸基刻蚀溶液，并对基体的未外露光刻胶涂层区域提供有效的保护。
下面特定的实施例将对制造和使用本发明组合物的方法提供详细的说明。但是这些实施例不打算以任何方式限制或约束本发明的范围，且不应解释为规定了为了实现本发明必须专门使用的条件、参数或数值。
                        实施例1
将200g AmberliteIRC 718螯合型离子交换树脂珠粒加入到锥形瓶中，加入去离子水，使得所有树脂珠粒浸入水中。密封烧瓶并静置半小时以溶胀树脂珠粒。然后将水滗析，另加入去离子水以覆盖树脂珠粒，慢慢摇动烧瓶。再次滗析水。再重复用去离子水漂洗，滗析步骤三次。所得到的离子交换树脂淤浆倒入横断面装有多孔圆板和活栓的玻璃柱。树脂沉降到底部，柱用去离子水逆流洗涤25分钟。树脂再次沉降到底部。
测量床长度，计算柱床体积为320ml。10％的硫酸溶液以约32ml/min的速率流过树脂床。6柱床体积酸溶液流过树脂床。然后足量的去离子水以大约相同的流速流过树脂床，以除去酸。测定流出的水的pH值以确保其和pH值为6的新鲜去离子水一样。氢氧化铵溶液(6％，6柱床体积)以相同速率流过柱，接着DI水流过(约60柱床体积)以除去氢氧化铵。测定流出的水的pH值以确保其和pH值为6的新鲜去离子水一样。2柱床体积的电子纯丙酮流过树脂床以除去水，接着2柱床体积的PGMEA流过以除去丙酮。
242g含有约135ppb钠和约123ppb铁的光刻胶与24g该螯合型离子交换树脂混合，并在70℃加热6小时，然后通过0.2μm(微米)过滤器过滤。制得的光刻胶具有如下低含量的金属离子：钠-8ppb，铁-87ppb。
                        实施例2
将200g AmberliteIRC 718螯合型离子交换树脂珠粒加入到锥形瓶中，加入去离子水，使得所有树脂珠粒浸入水中。密封烧瓶并静置半小时以溶胀树脂珠粒。然后将水滗析，加入去离子水以覆盖树脂珠粒，慢慢摇动烧瓶。再次滗析水。再重复用去离子水漂洗，滗析步骤三次。所得到的螯合离子交换树脂淤浆倒入具有多孔圆板和活栓的玻璃柱。树脂沉降到底部，柱用去离子水逆流洗涤25分钟。树脂再次沉降到底部。
测量床长度，计算柱床体积为320ml。10％的硫酸溶液以约32ml/min的速率流过树脂床。6柱床体积酸溶液流过树脂床。然后足量的去离子水以大约相同的流速流过树脂床，以除去酸。测定流出的水的pH值以确保其和pH值为6的新鲜去离子水一样。2柱床体积的电子纯丙酮流过树脂床以除去水，接着2柱床体积的PGMEA流过以除去丙酮。螯合型离子交换树脂/PGMEA淤浆转移到无金属离子的瓶中。
200g含有约180ppb钠和少于236ppb铁的光刻胶加入到装有搅拌器和温度计的无金属离子的瓶中，加入20g螯合型离子交换树脂(酸形式)。在搅拌下在55℃加热7小时。混合物冷却到40℃并通过0.2μm(微米)过滤器过滤。制得的光刻胶具有如下低含量的金属离子：钠16ppb，铁43ppb。
                         实施例3
重复实施例2，处理242g含有约180ppb钠和约236ppb铁的光刻胶。制得的光刻胶具有如下低含量的金属离子：钠37ppb，铁45ppb。
                         对比例4
将200g AmberliteIRC 718螯合型离子交换树脂珠粒加入到锥形瓶中，加入去离子水，使得所有树脂珠粒浸入水中。密封烧瓶并静置半小时以溶胀树脂珠粒。然后将水滗析，加入去离子水以覆盖树脂珠粒，慢慢摇动烧瓶。再次滗析水。再重复用去离子水漂洗，滗析步骤三次。加入10％的硫酸溶液(300g)，用电磁搅拌器搅拌30分钟，将混合物沉降。滗析酸溶液。用水漂洗，然后再重复酸工艺3次。加入300g去离子水，搅拌30分钟，然后使之沉降。滗析水。再重复用水漂洗方法3次。重复用电子纯丙酮漂洗过程以除去水，接着用PGMEA除去丙酮。螯合型离子交换树脂(酸性形式)和PGMEA淤浆转移到无金属离子的瓶中。
200g含有约156ppb钠和220ppb铁的光刻胶加入到装有搅拌器和温度计的无金属离子的瓶中，加入20g螯合型离子交换树脂(酸性形式)。在室温下搅拌7小时。混合物通过0.2μm(微米)过滤器过滤。制得的光刻胶具有低含量的Na：5ppb，但高含量的Fe：172ppb。
                        实施例5
将实施例2的光刻胶组合物涂覆到六甲基二硅氮烷(HMDS)打底的硅片上，厚度为1.29μm(微米)，在110℃在SVG 8100I线热板上软烘烤60秒。参比物(未处理)也用同样步骤涂覆1.29μm厚度。曝光基体用0.54 NA NIKONi线分步曝光器(stepper)和NIKON分辨率调制盘印刷在涂覆的硅片上。曝光的硅片在110℃在I线热板上后曝光烘烤(PEB)60秒。然后硅片用AZ300MIF显影剂(2.38％TMAH)搅炼(puddle)显影。用HITACHIS-400扫描电子显微镜(SEM)检查显影的硅片。在最好的焦距处测定标称剂量(印制剂量：DTP)。测定感光速度(photospeed)、分辨率和焦深并在下面显示：
               参比物      处理的样品 感光速度         165mJ/cm2   175mJ/cm2 分辨率           0.4mm        0.35mm焦深             +0.2/-0.4    0.0/0.4

Claims (14)

1.制备具有很低金属离子含量的光刻胶组合物的方法
a)1)用去离子水清洗螯合型离子交换树脂的过程，接着用无机酸溶液清洗，再次用去离子水清洗，从而离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到小于100ppb；或
2)用去离子水清洗螯合型离子交换树脂，接着用无机酸溶液清洗，再次用去离子水清洗，接着用氢氧化铵溶液清洗，从而将螯合型离子交换树脂转变为铵盐，接着再用去离子水清洗，从而离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb；
b)从1)或2)的离子交换树脂中除去水，接着用可与待提纯的光刻胶组合物中的溶剂混溶的光刻胶溶剂清洗；
c)将光刻胶组合物与螯合型离子交换树脂的铵盐或螯合的离子交换树脂的酸性形式混合，并在30-90℃加热1-80小时，接着经过0.05-0.5μm的过滤器过滤，于是光刻胶组合物中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb。
2.权利要求1的方法，其中清洗该离子交换树脂以将钠和铁离子含量各降低到小于50ppb。
3.权利要求1的方法，其中清洗该离子交换树脂以将总的钠和铁离子含量各降低到20ppb。
4.权利要求1的方法，其中制得的该光刻胶具有各小于50ppb的钠和铁离子含量。
5.权利要求1的方法，其中光刻胶溶剂和用于清洗该离子交换树脂的溶剂是相同的。
6.权利要求5的方法，其中该溶剂选自于由丙二醇甲基醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯和乳酸乙酯组成的组。
7.通过在合适的基体上制得光影像来制造半导体元件的方法，包括：
a)1)用去离子水清洗螯合型离子交换树脂的过程，接着用无机酸溶液清洗，再次用去离子水清洗，从而离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到小于100ppb；或
2)用去离子水清洗螯合型离子交换树脂，接着用无机酸溶液清洗，再次用去离子水清洗，接着用氢氧化铵溶液清洗，从而将螯合型离子交换树脂转变为铵盐，接着再用去离子水清洗，从而离子交换树脂中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb；
b)从1)或2)的离子交换树脂中除去水，接着用可与待提纯的光刻胶组合物中的溶剂混溶的光刻胶溶剂清洗；
c)将光刻胶组合物与螯合型离子交换树脂的铵盐或螯合型离子交换树脂的酸性形式混合，并在30-90℃加热1-80小时，接着经过0.05-0.5μm的过滤器过滤，于是光刻胶组合物中的钠和铁离子的含量降低到各小于100ppb；
d)用该光刻胶组合物涂覆合适的基体；
e)热处理涂覆的基体直到除去基本上所有的溶剂；
f)成像曝光该光刻胶组合物；和
g)用合适的显影剂除去该光刻胶组合物的成像曝光区域。
8.权利要求7的方法，其中清洗该离子交换树脂以将钠和铁离子含量降低到各小于50ppb。
9.权利要求7的方法，其中该显影剂包括含水碱性显影剂。
10.权利要求7的方法，还包括就在除去步骤之前或之后烘烤涂覆的基体的步骤。
11.权利要求7的方法，其中清洗该离子交换树脂以将总的钠和铁离子含量降低到各小于20ppb。
12.权利要求7的方法，其中制得的该光刻胶具有各小于50ppb的钠和铁离子含量。
13.权利要求7的方法，其中光刻胶溶剂和用于清洗该离子交换树脂的溶剂是相同的。
14.权利要求13的方法，其中该溶剂选自于由丙二醇甲基醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯和乳酸乙酯组成的组。
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