CN109713023A - 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。该显示面板包括：衬底基板；衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；非显示区设置有挡墙，挡墙围绕显示区；显示区设置有平坦化层、像素定义层和支撑柱；像素定义层设置于平坦化层远离衬底基板的一侧，支撑柱设置于像素定义层远离衬底基板的一侧；所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层是同种材料。本发明实施例的方案提高了挡墙的制备精度，确保了挡墙对薄膜封装层的阻挡效果，减小了显示面板的边框。

Description

显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板是一种自发光显示面板，OLED显示面板由于具有轻薄、高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度以及宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域中。

现有技术中常使用薄膜封装的方法来保证有机发光材料和电极不受外界环境中水汽和氧气的侵蚀。同时，为了避免的薄膜封装层的延伸效应导致有机发光结构周边的无效区域的增加，现有技术往往在有机发光结构的周围设置挡墙。现有技术中挡墙多采用多个膜层堆叠的结构，这样多个膜层制备过程中若对位出现偏差，会导致堆叠形成的挡墙高度出现偏差，导致挡墙对薄膜封装层的阻挡失效，而使薄膜封装层蔓延增大显示面板的边框。

发明内容

本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，以提高挡墙的制备精度，确保挡墙对薄膜封装层的阻挡效果，减小显示面板的边框。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：

衬底基板；所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述非显示区设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区；

所述显示区设置有平坦化层、像素定义层和支撑柱；所述像素定义层设置于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧，所述支撑柱设置于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧；

所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层是同种材料。

可选的，所述挡墙、所述支撑柱和所述像素定义层为同一种材料，或者所述挡墙、所述像素定义层和所述平坦化层为同一种材料，或者所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均为同一种材料。

可选的，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述支撑柱远离衬底基板一侧的表面到所述衬底基板的第一距离小于所述挡墙远离所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板的第二距离。

可选的，所述第二距离与所述第一距离的差值的取值范围为1微米到2微米。

可选的，所述挡墙包括至少两个子挡墙，所述子挡墙围绕所述显示区。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任意实施例所述的显示面板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，该方法包括：

提供一衬底基板；所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；

在所述非显示区制备挡墙，所述挡墙围绕所述显示区；

在所述显示区制备平坦化层、像素定义层和支撑柱；所述像素定义层设置于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧，所述支撑柱设置于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧；

其中，所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层采用同一种材料在同一工艺中制备。

可选的，所述挡墙、所述支撑柱和所述像素定义层在同一工艺中制备，或者所述挡墙、所述像素定义层和所述平坦化层在同一工艺中制备，或者所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均在同一工艺中制备。

可选的，所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的任一层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述支撑柱和所述像素定义层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述像素定义层和所述平坦化层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均采用半色调掩膜工艺同时制备。

可选的，当在同一工艺中制备所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层时，所述挡墙对应区域的半色调掩膜版的光透过率小于所述支撑柱对应区域的半色调掩膜版的光透过率。

本发明实施例提供的显示面板通过设置支撑柱、像素定义层和平坦化层中的一层或多层与挡墙采用同一种材料制备，一方面使得挡墙采用同一种材料制备，而非多个不同材料的膜层堆叠形成，提高了挡墙的制备精度，从而确保挡墙对薄膜封装层的阻挡效果，减小显示面板的边框；另一方面，支撑柱、像素定义层和平坦化层中的一层或多层可以与挡墙在同一工艺中制备，示例性的，可以采用半色调掩膜(halftone mask)工艺制备，有利于减少显示面板制备工序，减小显示面板的制备时长，降低制作成本并提高产能。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的平面示意图

图2是图1中显示面板沿剖面线AA的剖面示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图；

图4是本发明实施例提供的再一种显示面板的剖面示意图；

图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图；

图7是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图；

图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

本实施例提供了一种显示面板，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的平面示意图，图2是图1中显示面板沿剖面线AA的剖面示意图。参考图1和图2，该显示面板，包括：

衬底基板10；衬底基板10包括显示区11和围绕显示区11的非显示区12；

非显示区12设置有挡墙120，挡墙120围绕显示区11；显示区11设置有平坦化层111、像素定义层112和支撑柱113；像素定义层112设置于平坦化层111远离衬底基板10的一侧，支撑柱113设置于像素定义层112远离衬底基板10的一侧；

挡墙120与支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111中的至少一层是同种材料。

具体的，挡墙120与支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111中的任意一层为同一种材料，或者挡墙120与支撑柱113和像素定义层112为同一种材料，或者挡墙120与像素定义层112和平坦化层111为同一种材料，或者挡墙120与支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111均为同一种材料。

其中，衬底基板10可以为柔性透明基板，像素定义层112设置有多个开口，在开口区设置有机发光结构114，像素定义层112用于限定多个有机发光结构114，支撑柱113用于支撑制备有机发光结构114过程中采用的掩膜版。衬底基板10上通常还设置有驱动电路层115，用于驱动有机发光结构114发光，平坦化层111用于对驱动电路层115进行平坦化。挡墙120、支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111中均采用有机材料制备。挡墙120、支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111可以采用任意符合显示面板性能要求的有机材料，本发明对采用的具体材料不做限定。

本实施例通过设置挡墙120与支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111中的至少一层采用同一种材料，一方面使得挡墙120采用同一种材料制备，而非多个不同材料的膜层堆叠形成，提高了挡墙120的制备精度，从而确保挡墙120对薄膜封装层的阻挡效果，减小显示面板的边框；另一方面，支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111中的一层或多层可以与挡墙120在同一工艺中制备，示例性的，可以采用半色调掩膜(halftone mask)工艺制备，有利于减少显示面板制备工序，减小显示面板的制备时长，降低制作成本并提高产能。

示例性的,参考图2，挡墙120与支撑柱113采用同种材料制备，挡墙120可以与支撑柱113采用半色调掩膜工艺同时制备，提高了挡墙120的制备精度，从而确保挡墙120对薄膜封装层的阻挡效果，减小显示面板的边框。

需要说明的是，图2中仅示例性的示出了挡墙与支撑柱采用同一种材料制备的情况，并非对本发明的限定。在其他实施方式中，挡墙还可以与像素定义层或者平坦化层采用同一种材料制备。

图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图，图4是本发明实施例提供的再一种显示面板的剖面示意图，图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图。可选的，参考图3，挡墙120、支撑柱113和像素定义层112采用同一种材料，或者，参考图4，挡墙120、像素定义层112和平坦化层111采用同一种材料，或者,参考图5，挡墙120、支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111均采用同一种材料。

具体的，传统的显示面板制备过程中，平坦化层111、像素定义层112和支撑柱113采用三道工艺制备，在制备过程中，在非显示区12保留一部分平坦化层111、像素定义层112和支撑柱113对应的膜层，三层膜层堆叠形成挡墙120。这样的制备过程导致显示面板制备工序多，制备周期长，成本高，产能低。并且挡墙120采用三层膜层堆叠形成，平坦化层111、像素定义层112和支撑柱113制备过程中若对位有偏差，形成的挡墙120的高度容易有偏差，影响对薄膜封装层的阻挡作用,从而不利于显示面板的窄边框。

参考图3和图4，通过设置挡墙120、支撑柱113和像素定义层112采用同一种材料制备，或者挡墙120、像素定义层112和平坦化层111采用同一种材料制备，一方面使得挡墙120采用同一种材料制备，而非多个不同材料的膜层堆叠形成，提高了挡墙120的制备精度，从而确保挡墙对薄膜封装层的阻挡效果，减小了显示面板的边框；另一方面，挡墙120可以与支撑柱113和像素定义层112在同一工艺中制备或者挡墙120可以与像素定义层112和平坦化层111在同一工艺中制备，相对于传统的制备过程减少了一道制备工序，从而减少了制备时长，降低了显示面板的制作成本并提高了产能。

参考图5，通过设置挡墙120、支撑柱113、像素定义层112和平坦化层111采用同一种材料制备。相对于传统的显示面板制备过程，可以减少了两道制备工序，从而进一步减少了制备时长，进一步降低了显示面板的制作成本并提高了产能。

可选的，参考图5，沿垂直于衬底基板10的方向，支撑柱113远离衬底基板10一侧的表面到衬底基板10的第一距离D1小于挡墙120远离衬底基板10一侧的表面到衬底基板10的第二距离D2。

具体的,在有机发光结构114制备过程中,需要用到掩膜版,挡墙120可以与支撑柱113一起起到支撑掩膜版的作用，若设置第一距离D1大于或等于第二距离D2，则位于显示区11的支撑柱113起主要支撑作用，当掩膜版设置到支撑柱113上时，在定位过程的中，容易破坏支撑柱113，若支撑柱113上有材料掉落，容易掉落到像素定义层112的开口区，从而影响有机发光结构114的制备精度，影响显示面板的显示性能。通过设置第一距离D1小于第二距离D2，使得非显示区12中的挡墙120起主要支撑作用，即使在掩膜版定位过程中对挡墙120产生破坏，掉落的材料仅会掉落到非显示区12，不会对有机发光结构114造成影响，从而避免了掩膜版定位过程中有异物掉落到显示区11，保证了有机发光结构114具有较高的制备精度，保证了显示面板具有较高的显示性能。

可选的，第二距离D2与第一距离D1的差值的取值范围为1微米到2微米。

这样设置，在保证挡墙120对掩膜版起主要支撑作用，从而保证显示面板具有较高的显示性能的同时，保证了显示面板具有较小的厚度，符合显示面板轻薄化的发展趋势。

需要说明的是，本实施例仅示例性的给出了第二距离D2与第一距离D1的差值的取值范围，第二距离D2与第一距离D1的差值的具体数值可以根据需要进行设定，示例性的可以设置为1.5微米等。

图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的示意图，可选的，参考图6，挡墙120包括至少两个子挡墙121，子挡墙121围绕显示区11。

具体的，通过设置多个子挡墙121，可以通过多个子挡墙121逐步阻挡薄膜封装层20，使得薄膜封装层20边缘处更加平缓，可有效避免应力集中，提高显示面板的机械性能。

另外需要说明的是，本实施例的显示面板可以为OLED显示面板、量子点发光二极管QLED显示面板、微发光二极管microLED显示面板或拉伸OLED显示面板等。

本实施例还提供了一种显示装置，图7是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图，参考图7，显示装置100包括本发明任意实施例提供的显示面板200。该显示装置100可以为手机、平板电脑、虚拟现实(Virtual Reality，VR)显示产品、智能腕带、智能手表等穿戴产品或车载显示产品等显示设备。

本实施例还提供了一种显示面板的制备方法，图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图，参考图8，该方法包括：

步骤210、提供一衬底基板,衬底基板包括显示区和围绕显示区的非显示区。

步骤220、在非显示区制备挡墙，挡墙围绕显示区。

步骤230、在显示区制备平坦化层、像素定义层和支撑柱；像素定义层设置于平坦化层远离衬底基板的一侧，支撑柱设置于像素定义层远离衬底基板的一侧；其中，所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层在同一工艺中制备。。

本实施例通过设置挡墙与支撑柱、像素定义层和平坦化层中的至少一层在同一工艺中制备，一方面有利于减少显示面板制备工序，减小显示面板的制备时长，降低制作成本并提高产能，另一方面，使得挡墙可以与支撑柱、像素定义层和平坦化层中的至少一层采用同一种材料制备，降低了材料成本，并且挡墙采用一种材料制备而非多个不同材料的膜层堆叠形成，提高了挡墙的制备精度，从而确保挡墙对薄膜封装层的阻挡效果，减小显示面板的边框。

可选的，挡墙、支撑柱和像素定义层在同一工艺中制备，或者挡墙、像素定义层和平坦化层在同一工艺中制备，或者挡墙、支撑柱、像素定义层和平坦化层均在同一工艺中制备。

具体的，通过设置挡墙与支撑柱和像素定义层在同一工艺中制备或者挡墙与像素定义层和平坦化层在同一工艺中制备，相对于传统的制备过程减少了一道制备工序，从而减少了制备时长，降低了显示面板的制作成本并提高了产能。通过设置挡墙、支撑柱、像素定义层和平坦化层均在同一工艺中制备，相对于传统的显示面板制备过程，可以减少了两道制备工序，从而进一步减少了制备时长，进一步降低了显示面板的制作成本并提高了产能。

可选的，所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的任意一层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述支撑柱和所述像素定义层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述像素定义层和所述平坦化层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均采用半色调掩膜工艺同时制备。

具体的，半色调掩膜工艺通过设置半色调掩膜版不同的区域具有不同的光透过率，可以实现同时制备多个不同厚度的膜层，可以减小显示面板的制备工序，提高产能，降低显示面板制作成本。

可选的，当在同一工艺中制备所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层时，挡墙对应区域的半色调掩膜版的光透过率小于支撑柱对应区域的半色调掩膜版的光透过率。

具体的，在制备过程中可以先涂布一层有机膜层，然后在有机膜层表面涂布光刻胶，采用半色调掩膜版进行曝光，半色调掩膜版的光透过率越高，对应的区域曝光强度越大，显影时去掉的光刻胶的厚度越大，刻蚀时，刻掉的有机膜层的厚度越大。通过设置挡墙所在区域对应的半色调掩膜版的光透过率小于支撑柱所在区域对应的半色调掩膜版的光透过率，使得挡墙所在区域的曝光强度小于支撑柱所在区域的曝光强度，使得制备的支撑住远离衬底基板的表面到衬底基板的第一距离小于挡墙远离衬底基板的表面到衬底基板的第二距离，从而避免了掩膜版定位过程中有异物掉落到显示区，保证了有机发光结构具有较高的制备精度，保证了显示面板具有较高的显示性能。

需要说明的是，本实施例仅以曝光时采用正性光刻胶为例进行说明，并非对本发明的限定，当曝光时的光刻胶采用负性光刻胶时，可以设置挡墙所在区域对应的半色调掩膜版的光透过率大于支撑柱所在区域对应的半色调掩膜版的光透过率。

另外，当所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层不均在同一工艺中制备时，只需保证所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层制备完成后支撑住远离衬底基板的表面到衬底基板的第一距离小于挡墙远离衬底基板的表面到衬底基板的第二距离即可，具体工艺不做限定。

本实施例提供的显示面板的制备方法与本发明任意实施例提供的显示面板属于同一发明构思，具有相应的有益效果，未在本实施例中详尽的技术细节请参考本发明任意实施例提供的显示面板。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述非显示区设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区；

所述显示区设置有平坦化层、像素定义层和支撑柱；所述像素定义层设置于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧，所述支撑柱设置于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧；

所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层是同种材料。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述挡墙、所述支撑柱和所述像素定义层为同一种材料，或者所述挡墙、所述像素定义层和所述平坦化层为同一种材料，或者所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均为同一种材料。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

沿垂直于所述衬底基板的方向，所述支撑柱远离衬底基板一侧的表面到所述衬底基板的第一距离小于所述挡墙远离所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板的第二距离。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于：

所述第二距离与所述第一距离的差值的取值范围为1微米到2微米。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

所述挡墙包括至少两个子挡墙，所述子挡墙围绕所述显示区。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的显示面板。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；

在所述非显示区制备挡墙，所述挡墙围绕所述显示区；

在所述显示区制备平坦化层、像素定义层和支撑柱；所述像素定义层设置于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧，所述支撑柱设置于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧；

其中，所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层在同一工艺中制备。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述挡墙、所述支撑柱和所述像素定义层在同一工艺中制备，或者所述挡墙、所述像素定义层和所述平坦化层在同一工艺中制备，或者所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均在同一工艺中制备。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的任一层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述支撑柱和所述像素定义层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述像素定义层和所述平坦化层采用半色调掩膜工艺同时制备，或者所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均采用半色调掩膜工艺同时制备。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

当在同一工艺中制备所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层时，所述挡墙对应区域的半色调掩膜版的光透过率小于所述支撑柱对应区域的半色调掩膜版的光透过率。