CN112018159A - 触控显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种触控显示面板，属于显示技术领域。所述触控显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区；所述触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、显示功能层、薄膜封装层和触控功能层；其中，所述显示功能层在所述外围区包括挡墙结构和垫高结构，所述垫高结构至少部分位于所述挡墙结构和所述显示区之间。该触控显示面板能够提高触控显示面板的良率。

Description

触控显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板。
背景技术
为了降低OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)触控显示面板的厚度，触控显示面板的有机发光层可以采用薄膜封装层进行封装，且可以在薄膜封装层的表面直接制备触控功能层。
然而，在制备触控功能层时，触控功能层的电极在触控显示面板的外围区容易出现短路不良，降低了触控显示面板的良率。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种触控显示面板，提高触控显示面板的良率。
为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
根据本公开的一个方面，提供一种触控显示面板，所述触控显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区；所述触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、显示功能层、薄膜封装层和触控功能层；
其中，所述显示功能层在所述外围区包括挡墙结构和垫高结构，所述垫高结构至少部分位于所述挡墙结构和所述显示区之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示功能层包括：
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，且所述驱动电路层包括平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层和第三垫高层中的至少一个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第一垫高投影区域位于所述第二垫高投影区域内，所述第二垫高投影区域位于所述第三垫高投影区域内；
所述第三垫高投影区域与所述第三挡墙投影区域不交叠，且位于所述第三挡墙投影区域与所述显示区之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示功能层包括：
驱动电路层，包括依次层叠于所述衬底基板一侧的第一源漏金属层、第一平坦化层、第二源漏金属层和第二平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述第二平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第四阻挡层位于所述第一平坦化层，且所述第四阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第四挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内，所述第三挡墙投影区域位于所述第四挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层、第三垫高层和第四垫高层中的至少一个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述第二平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第四垫高层位于所述第一平坦化层，且所述第四垫高层在所述衬底基板上的正投影为第四垫高投影区域；所述第一垫高投影区域位于所述第二垫高投影区域内，所述第二垫高投影区域位于所述第三垫高投影区域内，所述第三垫高投影区域位于所述第四垫高投影区域内；
所述第四垫高投影区域与所述第四挡墙投影区域不交叠，且位于所述第四挡墙投影区域与所述显示区之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示功能层包括：
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，且所述驱动电路层包括平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第五垫高层，所述第五垫高层设于所述支撑柱层和所述薄膜封装层之间，且所述第五垫高层在所述衬底基板上的正投影为第五垫高投影区域；所述第五垫高层的厚度为3～10微米；
所述第五垫高投影区域覆盖所述第一挡墙投影区域；所述第五垫高投影区域靠近所述显示区的边缘，位于所述第三挡墙投影区域与所述显示区之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示功能层包括：
驱动电路层，包括依次层叠于所述衬底基板一侧的源漏金属层、和平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第六垫高层，所述第六垫高层设于所述源漏金属层和所述衬底基板之间，且所述第六垫高层在所述衬底基板上的正投影为第六垫高投影区域；所述第六垫高层的厚度为3～8微米；
所述第六垫高投影区域覆盖所述第一挡墙投影区域；所述第六垫高投影区域靠近所述显示区的边缘，位于所述第三挡墙投影区域与所述显示区之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示功能层包括：
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，且所述驱动电路层包括平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层和第三垫高层中的一个或者两个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第一垫高投影区域位于所述第二垫高投影区域内，所述第二垫高投影区域位于所述第三垫高投影区域内；
所述第一垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第二垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第三垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第三挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合。
在本公开的一种示例性实施例中，所述垫高结构包括第二垫高层和第三垫高层；
所述第二垫高投影区域靠近所述显示区的边缘位于所述第三垫高投影区域靠近所述显示区的边缘和所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘之间；
所述第二垫高投影区域靠近所述显示区的边缘与所述第三垫高投影区域靠近所述显示区的边缘之间的距离，大于所述第三挡墙投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域远离所述显示区的边缘之间的距离；
所述第二垫高投影区域靠近所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘之间的距离，大于所述第二挡墙投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域远离所述显示区的边缘之间的距离。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第三垫高投影区域靠近所述显示区的边缘与所述第三挡墙投影区域远离所述显示区的边缘之前的距离为30～150微米。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示功能层包括：
有机发光层，包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层和第二阻挡层；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层和第二垫高层中的一个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；
所述第一垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第二垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；
所述第一垫高投影区域靠近所述显示区的边缘，位于所述第二挡墙投影区域与所述显示区之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示功能层包括：
驱动电路层，包括依次层叠于所述衬底基板一侧的第一源漏金属层、第一平坦化层、第二源漏金属层和第二平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述第二平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第四阻挡层位于所述第一平坦化层，且所述第四阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第四挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内，所述第三挡墙投影区域位于所述第四挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层、第三垫高层和第四垫高层中的1～3个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述第二平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第四垫高层位于所述第一平坦化层，且所述第四垫高层在所述衬底基板上的正投影为第四垫高投影区域；
所述第一垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第二垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第三垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第三挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第四垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第四挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合。
本公开提供的触控显示面板中，显示区和挡墙结构之间的区域设置有垫高结构。因此在制备薄膜封装层时，即便用于制备有机封装层的液态有机材料不能充分溢流至挡墙结构的内侧边缘而导致有机封装层的边缘不能抵达挡墙结构，该垫高结构也可以消除或者减弱该区域内有机封装层的缺失而产生的高段差现象。如此，垫高结构的设置可以使得薄膜封装层远离衬底基板的表面在挡墙结构和显示区之间的区域具有更小的段差和更好的平整度，进而避免在制备触控功能层时出现光刻胶层厚度超出曝光机的曝光景深的问题，避免在制备触控功能层时出现导电材料刻蚀不完全而出现触控电极短路的缺陷，提高触控显示装置的良率。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是相关技术中触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图2是相关技术中，有机封装层的边缘的形貌的结构示意图。
图3是相关技术中，制备触控功能层时，在外围区的光刻胶层的厚度分布示意图。
图4是本公开实施方式的触控显示面板的俯视结构示意图。
图5是本公开实施方式的触控显示面板的膜层结构示意图。
图6是本公开一种实施方式的触控显示面板的各个阻挡层和各个垫高层的位置示意图。
图7是本公开一种实施方式的触控显示面板的各个阻挡层和各个垫高层的位置示意图。
图8是本公开一种实施方式的触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图9是本公开一种实施方式的触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图10是本公开一种实施方式的触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图11是本公开一种实施方式的触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图12是本公开一种实施方式的触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图13是本公开一种实施方式的触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图14是本公开一种实施方式的触控显示面板的结构示意图，其中，未示出触控功能层。
图中主要元件附图标记说明如下：
A、显示区；B、外围区；110、衬底基板；120、显示功能层；130、薄膜封装层；140、触控功能层；210、驱动电路层；211、第一缓冲层；212、半导体层；213、栅极绝缘层；214、栅极层；215、层间电介质层；216、源漏金属层；217、平坦化层；2161、第一源漏金属层；2171、第一平坦化层；2162、第二源漏金属层；2172、第二平坦化层；220、有机发光层；221、像素电极层；222、像素定义层；223、支撑柱层；224、有机发光功能层；225、公共电极层；231、第一无机封装层；232、有机封装层；233、第二无机封装层；241、第一触控电极层；242、触控绝缘层；243、第二触控电极层；244、保护层；300、挡墙结构；310、第一阻挡层；320、第二阻挡层；330、第三阻挡层；340、第四阻挡层；400、垫高结构；410、第一垫高层；420、第二垫高层；430、第三垫高层；440、第四垫高层；450、第五垫高层；460、第六垫高层；500、挡坝结构；510、第一挡坝层；520、第二挡坝层；530、第三挡坝层；540、第四挡坝层；610、放气口；620、光刻胶层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
用语“一个”、“一”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
在本公开中，一个结构/组件/部件/膜层的厚度，指的是该结构/组件/部件/膜层在垂直于衬底基板方向的尺寸。一个结构/组件/部件/膜层的宽度，指的是该结构/组件/部件/膜层在衬底基板上的正投影，在垂直于其延伸方向上的尺寸。一个结构/组件/部件/膜层的高度，指的是该结构/组件/部件/膜层远离衬底基板的表面，与衬底基板之间的距离。一个结构/组件/部件/膜层的外侧，指的是该结构/组件/部件/膜层远离显示区的一侧；相应的，一个结构/组件/部件/膜层的内侧，指的是该结构/组件/部件/膜层靠近显示区的一侧。
相关技术中，OLED触控显示面板可以包括依次层叠设置的衬底基板、驱动电路层、有机发光层、薄膜封装层和触控功能层。其中，驱动电路层和有机发光层形成显示功能层，实现显示功能。参见图1(未示出触控功能层)，触控显示面板具有显示区A和围绕显示区A的外围区B；显示功能层在外围区B设置有围绕显示区A的挡墙结构300。薄膜封装层130可以包括高阻水性的第一无机封装层231和第二无机封装层233，以及包括位于第一无机封装层231和第二无机封装层233之间的有机封装层232。有机封装层232被第一无机封装层231和第二无机封装层233完全包裹，且其边缘位于挡墙结构300和显示区A之间。
相关技术中，可以采用喷墨打印(ink jet printing)技术制备有机封装层232。在喷墨打印过程中，液态有机材料(ink)在第一无机封装层231远离衬底基板110的一侧自由流平；在流平过程中，受到第一无机封装层231表面局部润湿性和液体表面张力波动的影响，液态有机材料在边缘处的实际截停位置可能会有不同，因此有机封装层的边缘线性度差。参见图2，在有机封装层的边缘位置，理想状态下液态有机材料流平后的轮廓如线条I所示，挡墙结构300内侧均被液态有机材料填充且没有从挡墙结构300溢出。然而，在实际制程中，液态有机材料可能会出现流平距离不足等情形，流平后的边缘如线条II所示；在该情形下，有机封装层232的边缘出现很大的坡度和段差，进而使得薄膜封装层130在显示区A和挡墙结构300之间出现大的坡度和段差。
参见图3，在制备触控功能层时，需要在薄膜封装层130远离所述衬底基板的一侧形成第一触控金属层2411，然后对该第一触控金属层2411进行光刻以形成所需的触控电极或者引线。然而，由于在显示区A和挡墙结构300之间的薄膜封装层130具有大的坡度和段差，因此该位置的光刻胶层620具有大的厚度；在曝光时，容易出现光刻胶层620的厚度大于曝光机景深的情形，这会导致在该位置出现不能完全曝光而残留光刻胶的情形，进而导致不能实现对第一触控金属层2411的充分刻蚀而导致触控功能层的电极出现短路。
本公开提供一种触控显示面板，参见图4，从俯视角度，触控显示面板包括显示区A和围绕显示区A的外围区B。参见图5，在膜层结构上，触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板110、显示功能层120、薄膜封装层130和触控功能层140；其中，显示功能层120在外围区B包括挡墙结构300和垫高结构400，垫高结构400至少部分位于挡墙结构300和显示区A之间。
本公开提供的触控显示面板中，显示区A和挡墙结构300之间的区域设置有垫高结构400。因此在制备薄膜封装层130时，即便用于制备有机封装层232的液态有机材料不能充分溢流至挡墙结构300的内侧边缘而导致有机封装层232的边缘不能抵达挡墙结构300，该垫高结构400也可以消除或者减弱该区域内有机封装层232的缺失而产生的高段差现象。如此，垫高结构400的设置可以使得薄膜封装层130远离衬底基板110的表面在挡墙结构300和显示区A之间的区域具有更小的段差和更好的平整度，进而避免在制备触控功能层140时出现光刻胶层厚度超出曝光机的曝光景深的问题，避免在制备触控功能层140时出现导电材料刻蚀不完全而出现触控电极短路的缺陷，提高触控显示装置的良率。
下面，结合附图对本公开提供的触控显示面板的结构、原理和有益效果进行进一步地解释和说明。
本公开提供的触控显示面板中，衬底基板110可以为无机材料的衬底基板110，也可以为有机材料的衬底基板110。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板110的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板110的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。
可选地，衬底基板110可以为柔性衬底基板110，如此，该触控显示面板为一种柔性触控显示面板或者可弯折的触控显示面板。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板110的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，衬底基板110还可以为多层有机材料的复合。示例性的，衬底基板110可以包括依次层叠设置的底膜层(Bottom Film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
参见图6(未示出触控功能层)和图7(未示出触控功能层)，本公开提供的触控显示面板中，显示功能层120可以包括设于衬底基板110一侧的驱动电路层210和设于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧有机发光层220。其中，有机发光层220在显示区A设置有多个有机发光二极管，且驱动电路层210设置有用于驱动各个有机发光二极管的像素驱动电路。
可选地，驱动电路层210可以形成有与多个有机发光二极管一一对应的多个像素驱动电路，各个像素驱动电路用于驱动对应的有机发光二极管。其中，任意一个像素驱动电路可以包括有薄膜晶体管和存储电容。薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管；本公开对薄膜晶体管的具体类型不做限制。
驱动电路层210可以包括层叠于衬底基板110和有机发光层220之间的半导体层212、栅极绝缘层213、栅极层214、层间电介质层215、源漏金属层216和平坦化层217等。其中，各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层212、栅极绝缘层213、栅极层214、层间电介质层215、源漏金属层216等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层210可以包括依次层叠设置的半导体层212、栅极绝缘层213、栅极层214、层间电介质层215、源漏金属层216和平坦化层217，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，驱动电路层210可以包括依次层叠设置的栅极层214、栅极绝缘层213、半导体层212、层间电介质层215和源漏金属层216，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
可选地，驱动电路层210还可以采用双层栅极结构，即栅极层214可以包括第一栅极层214和第二栅极层214，栅极绝缘层213可以包括用于隔离半导体层212和第一栅极层214的第一栅极绝缘层213，以及包括用于隔离第一栅极层214和第二栅极层214的第二栅极绝缘层213。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层210可以包括依次层叠设置于衬底基板110一侧的半导体层212、第一栅极绝缘层213、第一栅极层214、第二栅极绝缘层213、第二栅极层214、层间电介质层215、源漏金属层216和平坦化层217。
可选地，驱动电路层210还可以采用双层源漏结构，即源漏金属层216可以包括位于层间电介质层215远离衬底基板110的一侧的第一源漏金属层2161和位于第一源漏金属层2161远离衬底基板110一侧的第二源漏金属层2162，平坦化层217可以包括位于第一源漏金属层2161和第二源漏金属层2162之间的第一平坦化层2171和位于第二源漏金属层2162远离衬底基板110的一侧的第二平坦化层2172。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层210可以包括依次层叠设置于衬底基板110一侧的半导体层212、栅极绝缘层213、栅极层214、层间电介质层215、第一源漏金属层2161、第一平坦化层2171、第二源漏金属层2162和第二平坦化层2172。如此，驱动电路层210可以形成更为复杂的驱动电路。
可选地，驱动电路层210还可以包括有钝化层，钝化层可以设置于源漏金属层216远离衬底基板110的表面以保护源漏金属层216。钝化层的材料可以为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等无机材料中的一种或者多种。
可选地，驱动电路层210还可以包括设于衬底基板110表面的第一缓冲层211，且半导体层212、栅极层214等均位于第一缓冲层211远离衬底基板110的一侧。第一缓冲层211的材料可以为无机材料，例如可以为氧化硅等。进一步可选地，驱动电路层210还可以包括有屏蔽层，屏蔽层可以位于第一缓冲层211内，用于为驱动电路层210的至少部分区域提供电磁屏蔽效果或者遮光效果。
有机发光层220设置于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧，其可以包括依次层叠设置的像素电极层221、像素定义层222、支撑柱层223、有机发光功能层224和公共电极层225。其中，像素电极层221在显示区A具有多个像素电极；像素定义层222在显示区A具有与多个像素电极一一对应设置的多个贯通的像素开口，任意一个像素开口暴露对应的像素电极的至少部分区域。支撑柱层223在显示区A包括多个支撑柱，且支撑柱位于像素定义层222远离衬底基板110的表面，以便在蒸镀制程中支撑精细金属掩模版(Fine Metal Mask，FMM)。有机发光功能层224至少覆盖被像素定义层222所暴露的像素电极。其中，有机发光功能层224可以包括有机电致发光材料层，以及可以包括有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。可以通过蒸镀工艺制备有机发光功能层224的各个膜层，且在蒸镀时可以采用精细金属掩模版或者开放式掩膜板(Open Mask)定义各个膜层的图案。公共电极层225在显示区A可以覆盖有机发光功能层224。如此，像素电极、公共电极层225和位于像素电极和公共电极层225之间的有机发光功能层224形成有机发光二极管。
本公开的触控显示面板中，薄膜封装层130可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。其中，无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层224而导致材料降解。可选地，无机封装层的边缘可以位于挡墙结构300远离显示区A的一侧，以便借助挡墙结构300实现更好地水氧隔离效果。有机封装层232位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中，有机封装层232的边缘，位于显示区A和挡墙结构300之间。
可选地，可以通过化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)、等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)等方法制备无机封装层。
可选地，可以通过喷墨打印、丝网印刷等液体固化方法制备有机封装层232。
在本公开的一种实施方式中，薄膜封装层130包括依次层叠于显示功能层120远离衬底基板110一侧的第一无机封装层231、有机封装层232和第二无机封装层233。
本公开的触控显示面板中，触控功能层140可以包括触控电极层和位于触控电极层远离衬底基板110的一侧的保护层244。其中，触控电极层形成有触控电极。
可选地，在触控电极层与薄膜封装层130之间还可以包括第二缓冲层。
可选地，触控电极层可以包括位于薄膜封装层130远离衬底基板110的一侧的第一触控电极层241、触控绝缘层242和第二触控电极层243。第一触控电极层241和第二触控电极层243中的至少一个可以用于形成触控电极。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，第一触控电极层241形成有多个第一触控电极，且第一触控电极沿第一方向延伸；第二触控电极层243形成有多个第二触控电极，且第二触控电极沿第二方向延伸；其中，第一方向和第二方向相互垂直。优选地，第一方向和第二方向中的一个为触控显示面板的行方向，另一个为触控显示面板的列方向，行方向为驱动电路层210中的数据引线的延伸方向，行方向为驱动电路层210中的扫描引线的延伸方向。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，第一触控电极层241包括阵列分布的多个连接电极；第二触控电极层243包括多个沿第一方向排列的第一电极和多个沿第二方向排列的第二电极，第一方向和第二方向垂直。其中，第一电极包括多个沿第二方向排列且依次连接的第一子电极，第二电极包括多个沿第一方向排列且通过连接电极依次多个第二电极。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，第一触控电极层形成有多个触控引线；第二触控电极层形成有阵列分布的触控电极，各个触控电极和各个触控引线一一对应地电连接。
可选地，参见图6和图7，本公开提供的触控显示面板还可以包括挡坝结构500，挡坝结构500位于触控显示面板的挡墙结构300的外侧，且围绕挡墙结构300设置。如此，在挡墙结构300和挡坝结构500之间具有凹槽，该凹槽可以截留从挡墙结构300溢流出的液态有机材料。
在一些实施方式中，触控显示面板的薄膜封装层130可以覆盖挡坝结构500。优选地，薄膜封装层130的无机封装层覆盖挡坝结构500。如此，挡墙结构300和挡坝结构500之间的凹槽可以使得水氧入侵路径延长，提高薄膜封装的稳定性。
可选地，参见图6和图7，挡坝结构500可以包括位于支撑柱层223的第一挡坝层510和位于像素定义层222的第二挡坝层520，其中，第一挡坝层510在第二挡坝层520上的正投影位于第二挡坝层520内。在一些实施方式中，参见图6，挡坝结构500还可以包括位于平坦化层217的第三挡坝层530。在另一些实施方式中，参见图7，挡坝结构500还可以包括位于第二平坦化层2172的第三挡坝层530和位于第一平坦化层2171的第四挡坝层540。
可以理解的是，挡坝结构500还可以包括位于各个挡坝层之前的其他膜层结构，例如当像素电极层221部分位于第三挡坝层530和第二挡坝层520之间时，像素电极层221位于第三挡坝层530和第二挡坝层520的部分也可以作为挡坝结构500的组成部分。
可选地，支撑柱层223、像素定义层222、平坦化层217、第一平坦化层2171和第二平坦化层2172等膜层的材料为有机材料。当这些有机膜层远离衬底基板的表面设置有金属膜层时，例如设置有公共电极层225、像素电极层221、源漏金属层216、第一源漏金属层2161、第二源漏金属层2162等膜层时，这些膜层可以设置放气口，以避免有机膜层在烘烤过程中出现鼓包。
挡墙结构300可以包括多层阻挡层中的一层或者多层。参见图6，当显示功能层120包括依次层叠于衬底基板110一侧的源漏金属层216、平坦化层217、有机发光层220时，挡墙结构300可以包括第一阻挡层310、第二阻挡层320和第三阻挡层330中的至少一个。第一阻挡层310位于支撑柱层223，且第一阻挡层310在衬底基板110上的正投影为第一挡墙投影区域S11。第二阻挡层320位于像素定义层222，且第二阻挡层320在衬底基板110上的正投影为第二挡墙投影区域S12。第三阻挡层330位于平坦化层217，且第三阻挡层330在衬底基板110上的正投影为第三挡墙投影区域S13。第一挡墙投影区域S11位于第二挡墙投影区域S12内，第二挡墙投影区域S12位于第三挡墙投影区域S13内。
参见图7，当显示功能层120包括依次层叠于衬底基板110一侧的第一源漏金属层2161、第一平坦化层2171、第二源漏金属层2162、第二平坦化层2172、有机发光层220时，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320、第三阻挡层330和第四阻挡层340中的至少一个。第一阻挡层310位于支撑柱层223，且第一阻挡层310在衬底基板110上的正投影为第一挡墙投影区域S11。第二阻挡层320位于像素定义层222，且第二阻挡层320在衬底基板110上的正投影为第二挡墙投影区域S12。第三阻挡层330位于第二平坦化层2172，且第三阻挡层330在衬底基板110上的正投影为第三挡墙投影区域S13。第四阻挡层340位于第一平坦化层2171，且第四阻挡层340在衬底基板110上的正投影为第四挡墙投影区域S14。第一挡墙投影区域S11位于第二挡墙投影区域S12内，第二挡墙投影区域S12位于第三挡墙投影区域S13内，第三挡墙投影区域S13位于第四挡墙投影区域S14内。
垫高结构400可以包括多层垫高层中的一层或者多层。参见图6，当显示功能层120包括依次层叠于衬底基板110一侧的源漏金属层216、平坦化层217、有机发光层220时，垫高结构400包括第一垫高层410、第二垫高层420和第三垫高层430中的至少一个。第一垫高层410位于支撑柱层223，且第一垫高层410在衬底基板110上的正投影为第一垫高投影区域S21。第二垫高层420位于像素定义层222，且第二垫高层420在衬底基板110上的正投影为第二垫高投影区域S22。第三垫高层430位于平坦化层217，且第三垫高层430在衬底基板110上的正投影为第三垫高投影区域S23。第一垫高投影区域S21位于第二垫高投影区域S22内，第二垫高投影区域S22位于第三垫高投影区域S23内。
参见图7，当显示功能层120包括依次层叠于衬底基板110一侧的第一源漏金属层2161、第一平坦化层2171、第二源漏金属层2162、第二平坦化层2172、有机发光层220时，垫高结构400包括第一垫高层410、第二垫高层420、第三垫高层430和第四垫高层440中的至少一个。第一垫高层410位于支撑柱层223，且第一垫高层410在衬底基板110上的正投影为第一垫高投影区域S21。第二垫高层420位于像素定义层222，且第二垫高层420在衬底基板110上的正投影为第二垫高投影区域S22。第三垫高层430位于第二平坦化层2172，且第三垫高层430在衬底基板110上的正投影为第三垫高投影区域S23。第四垫高层440位于第一平坦化层2171，且第四垫高层440在衬底基板110上的正投影为第四垫高投影区域S24。第一垫高投影区域S21位于第二垫高投影区域S22内，第二垫高投影区域S22位于第三垫高投影区域S23内，第三垫高投影区域S23位于第四垫高投影区域S24内。
在本公开的一些实施方式中，显示功能层120包括驱动电路层210和有机发光层220；驱动电路层210设于衬底基板110的一侧，且驱动电路层210包括平坦化层217；有机发光层220设于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧；有机发光层220包括像素定义层222和位于像素定义层222远离衬底基板110一侧的支撑柱层223；
其中，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320和第三阻挡层330中的至少两个；垫高结构400包括第一垫高层410、第二垫高层420和第三垫高层430中的至少一个；第三垫高投影区域S23与第三挡墙投影区域S13不交叠，且位于第三挡墙投影区域S13与显示区A之间。
如此，垫高结构400与挡墙结构300相互分离，之间存在凹槽。在形成有机封装层232时，液态有机材料如果溢流并超出垫高结构400，溢流部分也可以存留在挡墙结构300和垫高结构400之间的凹槽中。因此，挡墙结构300的高度无需高于垫高结构400，就可以达成防止液态有机材料从挡墙结构300溢流出去的效果。
可选地，垫高结构400的宽度为50～500微米。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，如图8所示(未示出触控功能层)，挡墙结构300可以包括依次层叠的第一阻挡层310和第二阻挡层320；垫高结构400可以包括依次层叠的第一垫高层410和第二垫高层420。如此，垫高结构400的厚度可以达到2～4微米，能够有效垫高挡墙结构300和显示区A之间的区域，提高薄膜封装层130的上表面(远离衬底基板110的表面)在挡墙结构300和显示区A之间的平整度，避免出现大段差。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，如图9所示(未示出触控功能层)，挡墙结构300可以包括依次层叠的第二阻挡层320和第一阻挡层310；垫高结构400可以包括依次层叠的第三垫高层430、第二垫高层420和第一垫高层410。如此，垫高结构400的厚度可以达到4～6微米，能够有效垫高挡墙结构300和显示区A之间的区域，提高薄膜封装层130的上表面(远离衬底基板110的表面)在挡墙结构300和显示区A之间的平整度，避免出现大段差。
垫高结构400还可以包括各个垫高层之间的其他结构或者膜层。举例而言，当像素电极层221部分位于第二垫高层420和第三垫高层430之间时，则像素电极层221位于第二垫高层420和第三垫高层430之间的部分也可以作为本公开实施方式的垫高结构400的一部分。像素电极层221位于第三垫高层430远离衬底基板110的表面部分，可以具有多个放气口610，以避免第三垫高层430在烘烤过程中鼓包。可选的，放气口610的尺寸为5～50微米，其形状可以为圆形、椭圆形、方形、三角形或者其他形状；相邻两个放气口610之前的间距为10～100微米。
在本公开的另外一些实施方式中，显示功能层120包括驱动电路层210和有机发光层220；其中，驱动电路层210包括依次层叠于衬底基板110一侧的第一源漏金属层2161、第一平坦化层2171、第二源漏金属层2162和第二平坦化层2172；有机发光层220设于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧；有机发光层220包括像素定义层222和位于像素定义层222远离衬底基板110一侧的支撑柱层223；
其中，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320、第三阻挡层330和第四阻挡层340中的至少两个；垫高结构400包括第一垫高层410、第二垫高层420、第三垫高层430和第四垫高层440中的至少一个；第四垫高投影区域S24与第四挡墙投影区域S14不交叠，且位于第四挡墙投影区域S14与显示区A之间。
如此，垫高结构400与挡墙结构300相互分离，之间存在凹槽。在形成有机封装层232时，液态有机材料如果溢流并超出垫高结构400，溢流部分也可以存留在挡墙结构300和垫高结构400之间的凹槽中。因此，挡墙结构300的高度无需高于垫高结构400，就可以达成防止液态有机材料从挡墙结构300溢流出去的效果。
可选地，垫高结构400的宽度为50～500微米。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，如图10所示(未示出触控功能层)，挡墙结构300可以包括依次层叠的第一阻挡层310和第二阻挡层320；垫高结构400可以包括依次层叠的第一垫高层410和第二垫高层420。如此，垫高结构400的厚度可以达到2～4微米，能够有效垫高挡墙结构300和显示区A之间的区域，提高薄膜封装层130的上表面(远离衬底基板110的表面)在挡墙结构300和显示区A之间的平整度，避免出现大段差。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，挡墙结构300可以包括依次层叠的第二阻挡层320和第一阻挡层310；垫高结构400可以包括依次层叠的第三垫高层430、第二垫高层420和第一垫高层410。如此，垫高结构400的厚度可以达到4～6微米，能够有效垫高挡墙结构300和显示区A之间的区域，提高薄膜封装层130的上表面(远离衬底基板110的表面)在挡墙结构300和显示区A之间的平整度，避免出现大段差。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，如图11所示(未示出触控功能层)，挡墙结构300可以包括依次层叠的第二阻挡层320和第一阻挡层310；垫高结构400可以包括依次层叠的第四垫高层440、第二垫高层420和第一垫高层410。如此，垫高结构400的厚度可以达到4～8微米，能够有效垫高挡墙结构300和显示区A之间的区域，提高薄膜封装层130的上表面(远离衬底基板110的表面)在挡墙结构300和显示区A之间的平整度，避免出现大段差。
可以理解的是，垫高结构400还可以包括各个垫高层之间的其他结构或者膜层。举例而言，当像素电极层221部分位于第二垫高层420和第三垫高层430之间时，则像素电极层221位于第二垫高层420和第三垫高层430之间的部分也可以作为本公开实施方式的垫高结构400的一部分。像素电极层221位于第三垫高层430远离衬底基板110的表面部分，可以具有多个放气口610，以避免第三垫高层430在烘烤过程中鼓包。再举例而言，当第二源漏金属层2162部分位于第三垫高层430和第四垫高层440之间时，则第二源漏金属层2162位于第三垫高层430和第四垫高层440之间的部分也可以作为本公开实施方式的垫高结构400的一部分。第二源漏金属层2162位于第四垫高层440远离衬底基板110的表面部分，可以具有多个放气口610，以避免第四垫高层440在烘烤过程中鼓包。
可选的，放气口610的尺寸为5～50微米，其形状可以为圆形、椭圆形、方形、三角形或者其他形状；相邻两个放气口610之前的间距为10～100微米。
在一些实施方式中，显示功能层120包括驱动电路层210和有机发光层220；驱动电路层210设于衬底基板110的一侧，且驱动电路层210包括平坦化层217；有机发光层220设于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧；有机发光层220包括像素定义层222和位于像素定义层222远离衬底基板110一侧的支撑柱层223；
其中，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320和第三阻挡层330；垫高结构400包括第一垫高层410、第二垫高层420和第三垫高层430中的一个或者两个。第一垫高投影区域S21远离显示区A的边缘与第一挡墙投影区域S11靠近显示区A的边缘重合；第二垫高投影区域S22远离显示区A的边缘与第二挡墙投影区域S12靠近显示区A的边缘重合；第三垫高投影区域S23远离显示区A的边缘与第三挡墙投影区域S13靠近显示区A的边缘重合。
如此，垫高结构400可以垫高挡墙结构300与显示区A之间的部分区域，使得薄膜封装层130远离衬底基板110的表面在挡墙结构300和显示区A之间具有更佳的平整度，避免出现大段差。不仅如此，该垫高结构400的垫高层数量少于挡墙结构300的阻挡层数量，可以使得挡墙结构300的高度大于挡墙结构300的高度，进而使得挡墙结构300能够有效阻挡液态有机材料，避免液态有机材料溢流至挡墙结构300外侧。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，如图12所示(未示出触控功能层)，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320和第三阻挡层330，垫高结构400包括第二垫高层420和第三垫高层430。第二垫高投影区域S22靠近显示区A的边缘位于第三垫高投影区域S23靠近显示区A的边缘和第一挡墙投影区域S11靠近显示区A的边缘之间；第二垫高投影区域S22靠近显示区A的边缘与第三垫高投影区域S23靠近显示区A的边缘之间的距离，大于第三挡墙投影区域S13远离显示区A的边缘与第二挡墙投影区域S12远离显示区A的边缘之间的距离；第二垫高投影区域S22靠近显示区A的边缘与第一挡墙投影区域S11靠近显示区A的边缘之间的距离，大于第二挡墙投影区域S12远离显示区A的边缘与第一挡墙投影区域S11远离显示区A的边缘之间的距离。如此，在本公开中，在最终结构上相当于挡墙结构300的平坦化层217向显示区A一侧延伸，且挡墙结构300的像素定义层222也向显示区A方向部分延伸，以抬高显示区A和挡墙结构300之间的高度。
优选地，第三垫高投影区域S23靠近显示区A的边缘与第三挡墙投影区域S13远离显示区A的边缘之前的距离为30～150微米。
在另外一些实施方式中，显示功能层120包括有机发光层220，有机发光层220包括像素定义层222和位于像素定义层222远离衬底基板110一侧的支撑柱层223。挡墙结构300包括第一阻挡层310和第二阻挡层320；垫高结构400包括第一垫高层410和第二垫高层420中的一个；第一垫高投影区域S21远离显示区A的边缘与第一挡墙投影区域S11靠近显示区A的边缘重合；第二垫高投影区域S22远离显示区A的边缘与第二挡墙投影区域S12靠近显示区A的边缘重合；第一垫高投影区域S21靠近显示区A的边缘，位于第二挡墙投影区域S12与显示区A之间。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，垫高结构400包括第一垫高层410，且第一垫高层410的外侧边缘与第一阻挡层310的内侧边缘连接，第一垫高层410的内侧边缘位于第二阻挡层320与显示区A之间。优选地，第一垫高层410的内侧边缘和第一阻挡层310的外侧边缘之间的距离为30～150微米。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，垫高结构400包括第二垫高层420，且第二垫高层420的外侧边缘与第二阻挡层320的内侧边缘连接。优选地，第二垫高层420的内侧边缘和第二阻挡层320的外侧边缘之间的距离为30～150微米。
在另外一些实施方式中，显示功能层120包括驱动电路层210和有机发光层220；驱动电路层210包括依次层叠于衬底基板110一侧的第一源漏金属层2161、第一平坦化层2171、第二源漏金属层2162和第二平坦化层2172；有机发光层220设于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧；有机发光层220包括像素定义层222和位于像素定义层222远离衬底基板110一侧的支撑柱层223；
其中，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320、第三阻挡层330和第四阻挡层340；垫高结构400包括第一垫高层410、第二垫高层420、第三垫高层430和第四垫高层440中的1～3个；第一垫高投影区域S21远离显示区A的边缘与第一挡墙投影区域S11靠近显示区A的边缘重合；第二垫高投影区域S22远离显示区A的边缘与第二挡墙投影区域S12靠近显示区A的边缘重合；第三垫高投影区域S23远离显示区A的边缘与第三挡墙投影区域S13靠近显示区A的边缘重合；第四垫高投影区域S24远离显示区A的边缘与第四挡墙投影区域S14靠近显示区A的边缘重合。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320、第三阻挡层330和第四阻挡层340。垫高结构400包括第一垫高层410和第二垫高层420。其中，第一垫高层410的外侧边缘与第一阻挡层310的内侧边缘连接；第二垫高层420的外侧边缘与第二阻挡层320的内侧边缘连接。其中，第一垫高层410的内侧边缘位于第二阻挡层320的外侧边缘和第二阻挡层320的内侧边缘之间。
优选地，第二垫高层420的内侧边缘和第二阻挡层320的外侧边缘之间的距离为30～150微米。
在一些实施方式中，显示功能层120包括驱动电路层210和有机发光层220；驱动电路层210设于衬底基板110的一侧，且驱动电路层210包括平坦化层217；有机发光层220设于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧；有机发光层220包括像素定义层222和位于像素定义层222远离衬底基板110一侧的支撑柱层223；
其中，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320和第三阻挡层330中的至少两个；垫高结构400包括第五垫高层450，第五垫高层450设于支撑柱层223和薄膜封装层130之间，且第五垫高层450在衬底基板110上的正投影为第五垫高投影区域；第五垫高层450的厚度为3～10微米；第五垫高投影区域覆盖第一挡墙投影区域S11；第五垫高投影区域靠近显示区A的边缘，位于第三挡墙投影区域S13与显示区A之间。
如此，垫高结构400可以垫高挡墙结构300与显示区A之间的部分区域，使得薄膜封装层130远离衬底基板110的表面在挡墙结构300和显示区A之间的区域具有更佳的平整度，避免出现大段差。不仅如此，该垫高结构400还可以同时覆盖挡墙结构300，避免液态有机材料从挡墙上溢流出去。
可选地，第五垫高投影区域靠近显示区A的边缘，与挡墙结构300靠近显示区A的边缘之间的距离为50～500微米。
可选的，第五垫高层450还可以覆盖挡坝结构500。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，如图13所示(未示出触控功能层)，挡墙结构300可以包括依次层叠的第一阻挡层310和第二阻挡层320；垫高结构400可以包括第五垫高层450。其中，第五垫高层450覆盖挡墙结构300。
在一些实施方式中，显示功能层120包括驱动电路层210和有机发光层220；驱动电路层210包括依次层叠于衬底基板110一侧的源漏金属层216、和平坦化层217；有机发光层220设于驱动电路层210远离衬底基板110的一侧；有机发光层220包括像素定义层222和位于像素定义层222远离衬底基板110一侧的支撑柱层223；
其中，挡墙结构300包括第一阻挡层310、第二阻挡层320和第三阻挡层330中的至少两个；垫高结构400包括第六垫高层460，第六垫高层460设于源漏金属层216和衬底基板110之间，且第六垫高层460在衬底基板110上的正投影为第六垫高投影区域；第六垫高层460的厚度为3～8微米；第六垫高投影区域覆盖第一挡墙投影区域S11；第六垫高投影区域靠近显示区A的边缘，位于第三挡墙投影区域S13与显示区A之间。
如此，垫高结构400可以垫高挡墙结构300与显示区A之间的部分区域，使得薄膜封装层130远离衬底基板110的表面在挡墙结构300和显示区A之间具有更佳的平整度，避免出现大段差。不仅如此，该垫高结构400还可以同时覆盖挡墙结构300，避免液态有机材料从挡墙上溢流出去。
可选地，第六垫高投影区域靠近显示区A的边缘，与挡墙结构300靠近显示区A的边缘之间的距离为50～500微米。
可选地，第六垫高层460还延伸至挡坝结构500与衬底基板110之间。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，如图14所示(未示出触控功能层)，挡墙结构300可以包括依次层叠的第一阻挡层310和第二阻挡层320；垫高结构400可以包括第六垫高层460，第六点高层为位于源漏金属层216和层间电介质层215之间的有机层。其中，第六垫高层460还延伸至挡墙结构300与衬底基板110之间。可以理解的是，当源漏金属层216和像素电极层221依次覆盖于第六垫高层460远离衬底基板110的一侧时，源漏金属层216和像素电极层221可以设置有多个放气口610，以避免第六垫高层460在烘烤过程中鼓包。
应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。

Claims (10)

1.一种触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区；所述触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、显示功能层、薄膜封装层和触控功能层；
其中，所述显示功能层在所述外围区包括挡墙结构和垫高结构，所述垫高结构至少部分位于所述挡墙结构和所述显示区之间。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括：
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，且所述驱动电路层包括平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层和第三垫高层中的至少一个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第一垫高投影区域位于所述第二垫高投影区域内，所述第二垫高投影区域位于所述第三垫高投影区域内；
所述第三垫高投影区域与所述第三挡墙投影区域不交叠，且位于所述第三挡墙投影区域与所述显示区之间。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括：
驱动电路层，包括依次层叠于所述衬底基板一侧的第一源漏金属层、第一平坦化层、第二源漏金属层和第二平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述第二平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第四阻挡层位于所述第一平坦化层，且所述第四阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第四挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内，所述第三挡墙投影区域位于所述第四挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层、第三垫高层和第四垫高层中的至少一个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述第二平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第四垫高层位于所述第一平坦化层，且所述第四垫高层在所述衬底基板上的正投影为第四垫高投影区域；所述第一垫高投影区域位于所述第二垫高投影区域内，所述第二垫高投影区域位于所述第三垫高投影区域内，所述第三垫高投影区域位于所述第四垫高投影区域内；
所述第四垫高投影区域与所述第四挡墙投影区域不交叠，且位于所述第四挡墙投影区域与所述显示区之间。
4.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括：
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，且所述驱动电路层包括平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第五垫高层，所述第五垫高层设于所述支撑柱层和所述薄膜封装层之间，且所述第五垫高层在所述衬底基板上的正投影为第五垫高投影区域；所述第五垫高层的厚度为3～10微米；
所述第五垫高投影区域覆盖所述第一挡墙投影区域；所述第五垫高投影区域靠近所述显示区的边缘，位于所述第三挡墙投影区域与所述显示区之间。
5.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括：
驱动电路层，包括依次层叠于所述衬底基板一侧的源漏金属层、和平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层中的至少两个；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第六垫高层，所述第六垫高层设于所述源漏金属层和所述衬底基板之间，且所述第六垫高层在所述衬底基板上的正投影为第六垫高投影区域；所述第六垫高层的厚度为3～8微米；
所述第六垫高投影区域覆盖所述第一挡墙投影区域；所述第六垫高投影区域靠近所述显示区的边缘，位于所述第三挡墙投影区域与所述显示区之间。
6.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括：
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，且所述驱动电路层包括平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层和第三垫高层中的一个或者两个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第一垫高投影区域位于所述第二垫高投影区域内，所述第二垫高投影区域位于所述第三垫高投影区域内；
所述第一垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第二垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第三垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第三挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合。
7.根据权利要求6所述的触控显示面板，其特征在于，所述垫高结构包括第二垫高层和第三垫高层；
所述第二垫高投影区域靠近所述显示区的边缘位于所述第三垫高投影区域靠近所述显示区的边缘和所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘之间；
所述第二垫高投影区域靠近所述显示区的边缘与所述第三垫高投影区域靠近所述显示区的边缘之间的距离，大于所述第三挡墙投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域远离所述显示区的边缘之间的距离；
所述第二垫高投影区域靠近所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘之间的距离，大于所述第二挡墙投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域远离所述显示区的边缘之间的距离。
8.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述第三垫高投影区域靠近所述显示区的边缘与所述第三挡墙投影区域远离所述显示区的边缘之前的距离为30～150微米。
9.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括：
有机发光层，包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层和第二阻挡层；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层和第二垫高层中的一个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；
所述第一垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第二垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；
所述第一垫高投影区域靠近所述显示区的边缘，位于所述第二挡墙投影区域与所述显示区之间。
10.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括：
驱动电路层，包括依次层叠于所述衬底基板一侧的第一源漏金属层、第一平坦化层、第二源漏金属层和第二平坦化层；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层包括像素定义层和位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的支撑柱层；
其中，所述挡墙结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层；所述第一阻挡层位于所述支撑柱层，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第一挡墙投影区域；所述第二阻挡层位于所述像素定义层，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第二挡墙投影区域；所述第三阻挡层位于所述第二平坦化层，且所述第三阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第三挡墙投影区域；所述第四阻挡层位于所述第一平坦化层，且所述第四阻挡层在所述衬底基板上的正投影为第四挡墙投影区域；所述第一挡墙投影区域位于所述第二挡墙投影区域内，所述第二挡墙投影区域位于所述第三挡墙投影区域内，所述第三挡墙投影区域位于所述第四挡墙投影区域内；
所述垫高结构包括第一垫高层、第二垫高层、第三垫高层和第四垫高层中的1～3个；所述第一垫高层位于所述支撑柱层，且所述第一垫高层在所述衬底基板上的正投影为第一垫高投影区域；所述第二垫高层位于所述像素定义层，且所述第二垫高层在所述衬底基板上的正投影为第二垫高投影区域；所述第三垫高层位于所述第二平坦化层，且所述第三垫高层在所述衬底基板上的正投影为第三垫高投影区域；所述第四垫高层位于所述第一平坦化层，且所述第四垫高层在所述衬底基板上的正投影为第四垫高投影区域；
所述第一垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第一挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第二垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第二挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第三垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第三挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合；所述第四垫高投影区域远离所述显示区的边缘与所述第四挡墙投影区域靠近所述显示区的边缘重合。
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