CN109661480A - 卷对卷方式的表面处理装置及使用它的成膜方法及成膜装置 - Google Patents

卷对卷方式的表面处理装置及使用它的成膜方法及成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109661480A
CN109661480A CN201780051663.8A CN201780051663A CN109661480A CN 109661480 A CN109661480 A CN 109661480A CN 201780051663 A CN201780051663 A CN 201780051663A CN 109661480 A CN109661480 A CN 109661480A
Authority
CN
China
Prior art keywords
roller
roll
gas
film
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780051663.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109661480B (zh
Inventor
大上秀晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Publication of CN109661480A publication Critical patent/CN109661480A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109661480B publication Critical patent/CN109661480B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H05K3/16—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation by cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/085—Using vacuum or low pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本申请提供一种可抑制成本并且对长条基材以几乎不产生皱褶的方式进行处理的卷对卷方式的长条基材的表面处理装置。一种表面处理装置，其具有：2个罐状辊，其等将于真空室内以卷对卷方式搬送的长条树脂膜卷绕至外周面并利用循环于内部的冷媒使其冷却；及表面处理手段，其以设置于与所述2个罐状辊的外周面对向的位置的磁控溅镀阴极为代表；且所述2个罐状辊中、除位于最上游侧的第1罐状辊以外的第2罐状辊具备自外周面释放气体的气体释放机构。

Description

卷对卷方式的表面处理装置及使用它的成膜方法及成膜装置
技术领域
本发明涉及一种卷对卷方式的表面处理装置及使用它的成膜方法及成膜装置，该卷对卷方式的表面处理装置具备2个以上的罐状辊，上述罐状辊于对在真空室内以卷对卷方式搬送的长条基材进行表面处理时，将长条基材卷绕至外周面并使其冷却。
背景技术
液晶面板、笔记型电脑、数位相机、行动电话等电子机器中使用于树脂膜上形成配线电路而成的可挠性配线基板。该可挠性配线基板可通过对在树脂膜的单面或者两面成膜金属膜而成的附有金属膜的树脂膜利用光微影法或蚀刻等薄膜技术对金属膜进行图案化加工而制作。近年来，可挠性配线基板的配线电路图案有更微细化、高密度化的倾向，伴随于此，对附有金属膜的树脂膜要求平坦且无皱褶的。
作为上述附有金属膜的树脂膜的制造方法，已知有利用接着剂将金属箔贴附于树脂膜而制造的方法(3层基板的制造方法)、于金属箔涂布树脂溶液后使其干燥而制造的方法(浇铸法)、单独利用真空成膜法或者同时使用真空成膜法与湿式镀覆法于树脂膜成膜金属膜而制造的方法(金属喷敷法)等。
上述制造方法中，于金属喷敷法中的真空成膜法中，使用真空蒸镀法、溅镀法、离子镀覆法、离子束溅镀法等。例如，作为溅镀法，于专利文献1中揭示有如下方法，即，于聚酰亚胺绝缘层上溅镀铬层后溅镀铜，由此形成导体层，于专利文献2中揭示有一种可挠性电路基板用材料，该可挠性电路基板用材料是由通过以铜镍合金为靶的溅镀而形成的第一金属薄膜与通过以铜为靶的溅镀而形成的第2金属薄膜按此顺序积层于聚酰亚胺膜上而成。
于利用上述真空成膜法于聚酰亚胺膜等树脂膜成膜金属膜而制作附有金属膜的树脂膜的情形时，一般使用一面以卷对卷方式连续地搬送长条树脂膜一面高效率地进行真空成膜的装置。于利用该真空成膜装置进行溅镀成膜的情形时，溅镀法一般密接力优异，但与真空蒸镀法相比，对树脂膜赋予的热负荷较大，故而有时于成膜时树脂膜产生皱褶。因此，于该真空成膜装置中采用如下溅镀网版涂布机，其一面于真空室内自退绕辊将长条树脂膜以卷对卷的方式搬送至卷取辊，同时将该长条树脂膜卷绕至设置于其搬送路径的罐状辊的外周面使其冷却，一面连续地进行真空成膜。
例如，于专利文献3中揭示有作为溅镀网版涂布机的一例的退绕卷取式(卷对卷方式)的真空溅镀装置。该退绕卷取式的真空溅镀装置具备发挥罐状辊的作用的冷却辊，进而进行通过设置于冷却辊的至少膜送入侧或者送出侧的副辊而使长条树脂膜密接于冷却辊的控制。
然而，如非专利文献1中所记载般，罐状辊的外周面从微观上来看并不平坦，故而罐状辊的外周面和与其接触而搬送的长条树脂膜之间存在介隔真空空间而隔开的间隙(间隙部)。因此，有成膜时所产生的长条树脂膜的热无法高效率地传递至罐状辊的情形，此成为使长条树脂膜产生皱褶的原因。
为了解决该问题，提出有如下技术，即，于溅镀网版涂布机中，自罐状辊的外周面释放气体而使该外周面与长条树脂膜之间的间隙部的热导率比真空高。例如，于专利文献4中揭示有于罐状辊的外周面设置成为气体的释放孔的多个微细孔的技术，于专利文献5中揭示有于罐状辊的外周面设置成为气体的释放孔的槽的技术。进而，亦已知有如下方法，即，以多孔质体构成罐状辊本身，将该多孔质体自身的微细孔设为气体释放孔。
再者，根据非专利文献2，记载有：于释放气体为氩气且其气体压力为500Pa的情形时，于罐状辊的外周面与树脂膜之间的间隙部的距离为约40μm以下的分子流区域，间隙部的热传导为250(W/m2·K)。于分子流区域的范围内，该间隙部的气体分子越多，即气体压力越高时，基于气体的分子流的热传递效率越是提高。
且说，于利用上述溅镀网版涂布机对长条树脂膜的两面进行成膜的情形时，进行如下步骤，即，首先，自退绕辊沿一方向将长条树脂膜搬送至卷取辊并仅对其中一面成膜后，将该仅对单面成膜的长条树脂膜自卷取辊取下并安装至退绕辊，再次自退绕辊沿一方向将长条树脂膜搬送至卷取辊并对另一面进行成膜。
然而，该方法由于在单面成膜后必须暂时将真空室内向大气开放，故而生产效率差。因此，如专利文献6、7及8所示般，提出使用具备2个罐状辊的成膜装置而成膜，由此，自退绕辊至卷取辊沿一方向搬送一次即可对树脂膜的正面与背面的两面连续地成膜。
背景技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平2-98994号公报
专利文献2：日本专利第3447070号公报
专利文献3：日本特开昭62-247073号公报
专利文献4：国际公开第2005/001157号
专利文献5：美国专利第3414048号说明书
专利文献6：日本特开2013-049914号公报
专利文献7：日本特开2013-049915号公报
专利文献8：日本特开2013-049916号公报
非专利文献
非专利文献1："Vacuum Heat Transfer Models for Web Substrates:Review ofTheory and Experimental Heat Transfer Data,"2000Society of Vacuum Coaters,43rd.Annual Technical Conference Proceeding,Denver,April 15-20,2000,p.335
非专利文献2："Improvement of Web Condition by the Deposition DrumDesign,"2000Society of Vacuum Coaters,50th.Annual Technical ConferenceProceeding(2007),p.749。
发明内容
[发明所要解决的问题]
使用如上述专利文献4或专利文献5所示的于罐状辊的外周面具备气体释放孔的所谓附有气体释放机构的罐状辊搬送长条树脂膜的情形时，克服释放至间隙部的气体的气体压力而将长条树脂膜压抵于罐状辊的外周面的阻力是通过将长条树脂膜的搬送方向的张力除以罐状辊的半径而求得。
通过以不超过该阻力的方式调整间隙部的气体压力，可将罐状辊的外周面与长条树脂膜之间的间隙大致设为零，成为于该外周面的微小凹凸部的凹部分充满气体的状态，而长条树脂膜主要接触于该凹凸部的凸部分。若该间隙部的气体压力超过上述阻力，则间隙部的间隔变大，而自长条树脂膜的宽度方向的两缘部开始泄漏气体。于该情形时，因气体泄漏而导致气体压力不会高至某种程度以上。
如上所述，附有气体释放机构的罐状辊由于构造本身较复杂，故而花费成本，而且为了将长条树脂膜稳定地卷绕至罐状辊的外周面而必须调整间隙部的气体压力，因此，若具备2个以上的罐状辊的溅镀网版涂布机的所有罐状辊均采用附有气体释放机构的罐状辊，则成本过高而成为问题。
本发明是鉴于上述以往的问题而完成的，其目的在于提供一种卷对卷方式的长条基材的表面处理装置及其方法，该卷对卷方式的长条基材的表面处理装置是具备2个以上的罐状辊而通过仅一方向的卷对卷的搬送便可对两面进行处理的长条基材的表面处理装置，其可抑制成本并且可对长条基材以几乎不产生皱褶的方式进行处理。
[解决问题的手段]
本发明者为了达成上述目的而反复进行潜心研究，结果获得以下见解：成膜前的长条树脂膜即便实施干燥处理亦略微吸湿，于使用2个罐状辊逐面地对两面进行成膜的情形时，有时于第1面的成膜时因溅镀等的热负荷而使水分等自长条树脂膜释放，由此，即便不使用附有气体释放机构的罐状辊，上述间隙部亦不会成为完全真空状态，而存在有助于热传导的分子。但，于第2面的成膜时，由于与罐状辊的外周面相接的长条树脂膜的面已经成膜，故而不产生自长条树脂膜向间隙部的气体释放，而间隙间成为几乎接近完全真空的状态。
因此，发现如下内容而完成了本发明：于使用具备2个以上的罐状辊的真空成膜装置通过仅一方向的卷对卷搬送而对两面进行成膜的情形时，于进行第1面的成膜的最上游侧的罐状辊不采用附有气体释放机构的罐状辊，而于进行第2面的成膜的下游侧的罐状辊采用附有气体释放机构的罐状辊，由此，可抑制成本并且有效地减少皱褶的产生，上述罐状辊将于真空室内以卷对卷方式搬送的长条树脂膜卷绕至外周面并使其冷却。
即，本发明的卷对卷方式的表面处理装置具有：至少2个罐状辊，其等将于真空室内以卷对卷方式搬送的长条基材卷绕至外周面并利用循环于内部的冷媒使其冷却；及表面处理手段，其设置于与上述罐状辊的外周面对向的位置；其特征在于：上述至少2个罐状辊中，除位于最上游侧的罐状辊以外的至少1个罐状辊具备自外周面释放气体的气体释放机构。
[发明的效果]
根据本发明，几乎不会出现产生皱褶的问题，且仅通过卷对卷的一方向的搬送便可对长条基材的两面实施产生热负荷的表面处理。
附图说明
图1是本发明的一具体例的卷对卷方式的真空成膜装置的前视图。
图2是图1的真空成膜装置所具备的附有气体释放机构的罐状辊的纵剖面图。
图3是表示图2的罐状辊所具有的气体旋转接头的气体供给系统的一具体例的制造方法流程图。
具体实施方式
以下，一面参照图1，一面列举对长条基材连续地实施干式成膜的真空成膜装置作为本发明的卷对卷方式的长条基材的表面处理装置的一具体例而进行说明。该图1的真空成膜装置亦称为溅镀网版涂布机，是可一面将于真空室10内以卷对卷方式搬送的作为长条基材的长条树脂膜F卷绕至2个罐状辊的外周面并自背面侧冷却，一面对其正面连续地实施产生热负荷的溅镀成膜处理的成膜装置。
该真空室10通过间隔板而划分为对长条树脂膜F的第1面进行成膜的第1成膜室10a、对第2面进行成膜的第2成膜室10b、及进行成膜后的卷取的卷取室10c，于间隔板开设有供长条树脂膜F通过的狭缝。于第1成膜室10a与第2成膜室10b中设置有干式泵、涡轮分子泵、低温线圈等各种真空装置(未图示)，于溅镀成膜时将环境减压至极限压力10-4Pa左右后，可通过导入溅镀气体而将压力调整至0.1～10Pa左右。溅镀气体使用氩气等公知的气体，根据目的进而添加氧气等气体。真空室10的形状或材料若为可耐受上述减压状态的则无特别限定。
于该真空室10内设置有划定长条树脂膜F的卷对卷的搬送路径的各种辊群、及对长条树脂膜F实施成膜处理的成膜手段。所述各种辊群由1对退绕辊11及卷取辊27、将自该退绕辊11退绕的长条树脂膜F卷绕并使其冷却的马达驱动的第1罐状辊17(表述为1st)及第2罐状辊23(表述为2nd)、张力感测器辊(表述为TP)、马达驱动辊(表述为M)、及除此以外的张力调节辊所构成。
若对由上述各种辊群所划定的卷对卷的搬送路径进行具体说明，则自退绕辊11至卷取辊27的卷对卷的搬送路径中，于第1成膜室10a内，自退绕辊11退绕的长条树脂膜F依次经由张力调节辊30a、第1张力感测器辊12、第1驱动辊13、张力调节辊30b、第2张力感测器辊14、张力调节辊30c、第1送入辊15、及第1送入张力感测器辊16而送入至第1罐状辊17。一面于该第1罐状辊17沿外周面沿逆时针方向搬送，一面通过成膜手段实施成膜处理后，经由第1送出张力感测器辊18通过第1送出辊19而自第1罐状辊17的外周面送出。
于上述第1张力感测器辊12，测量刚自退绕辊11退绕的长条树脂膜F的张力，并基于该测量值，对分别位于其紧邻的上游侧及下游侧的退绕辊11及第1驱动辊13的AC伺服马达进行例如转矩控制或速度控制，由此，将长条树脂膜F的张力维持为特定的设定值。
此外，于设置于第1罐状辊17的紧邻的上游侧的第1送入张力感测器辊16，测量向第1罐状辊17送入的长条树脂膜F的张力，并基于该测量值，对分别位于其紧邻的上游侧及下游侧的马达驱动的第1送入辊15及第1罐状辊17的周速度差进行调整。同样地，于设置于第1罐状辊17的紧邻的下游侧的第1送出张力感测器辊18，测量自第1罐状辊17送出的长条树脂膜F的张力，并基于该测量值，对分别位于其紧邻的上游侧及下游侧的马达驱动的第1罐状辊17及第1送出辊19的周速度差进行调整。通过位于第1罐状辊17的上游侧及下游侧的所述2个驱动辊与2个张力感测器辊所构成的送入送出机构，可使长条树脂膜F稳定地密接于第1罐状辊17的外周面。
自上述第1送出辊19送出的长条树脂膜F经由张力调节辊30d、30e、位于卷对卷搬送路径的大致中央的中央部驱动辊20、及张力调节辊30f后，离开第1成膜室10a而进入至第2成膜室10b。已进入至第2成膜室10b的长条树脂膜F经由张力调节辊30g、30h后与上述第1罐状辊17的送入送出机构同样地，一面通过第2送入辊21及第2送入张力感测器辊22调整送入侧的张力一面向第2罐状辊23送入。
一面于该第2罐状辊23沿外周面沿顺时针方向搬送，一面通过成膜手段实施成膜处理后，一面通过第2送出张力感测器辊24及第2送出辊25调整送出侧的张力，一面自第2罐状辊23的外周面送出，经由张力调节辊30i后，离开第2成膜室10b而进入至卷取室10c。已进入至卷取室10c的长条树脂膜F经由张力调节辊30j、卷取前张力感测器辊26、及张力调节辊30k后，一面根据该卷取前张力感测器辊26所测量出的张力控制卷取前张力一面利用卷取辊27卷取。
如此，于2个连续设置的罐状辊的外周面，使卷绕长条树脂膜F的方向彼此为相反方向，由此，可使与所述2个罐状辊的外周面接触的长条树脂膜F的面彼此相反。此外，于与上游侧的第1罐状辊17的外周面对向的位置，沿搬送路径依次设置有第1、第2、第3及第4磁控溅镀阴极41、42、43、44作为干式的成膜手段，于与下游侧的第2罐状辊23的外周面对向的位置，沿搬送路径依次设置有第5、第6、第7及第8磁控溅镀阴极45、46、47、48。由此，通过卷对卷的仅一方向的搬送便可对长条树脂膜的两面进行成膜。再者，于使用如图1所示的板状靶的情形时，有时于靶上产生结核(异物的成长)，因此，于这些成为问题的情形时，亦可使用不产生结核且靶的使用效率亦较高的圆筒形的旋转靶。
该图1的真空成膜装置于下游侧的第2罐状辊23设置有自外周面释放气体的气体释放机构。一面参照图2一面对该第2罐状辊23的气体释放机构进行说明。第2罐状辊23由金属制的圆筒构件1所构成，外周面1a成为供长条树脂膜F卷绕的搬送路径。圆筒构件1的内部成为所谓夹套辊构造2，于由此形成的流路2a内流动冷却水等经温度调节的冷媒。该流路2a内的冷媒经由位于圆筒构件1的中心轴O的双重配管构造的旋转轴3而于与真空室10外部的未图示的冷媒冷却装置之间进行循环。旋转轴3于其两端外周部设置有轴承3a，由此将圆筒构件1可旋转地支持。
于该圆筒构件1的外周厚壁部，于圆周方向上隔开均等间隔地遍及全周设置有沿中心轴O方向延伸的多个气体导入路4。各气体导入路4于中心轴O方向上隔开均等间隔地设置有向外周面1a侧开口的多个气体释放孔5。于圆筒构件1的一端部安装有气体旋转接头6，可将来自真空室10的外部的未图示的气体供给源的气体分配并供给至上述多个气体导入路4。通过该机构，经由多个气体导入路4及与所述的每一个连通的气体释放孔5向第2罐状辊23的外周面与卷绕于这些的长条树脂膜F之间的间隙部释放气体，由此可提高该间隙部的热导率。
上述气体导入路4的条数或设置于各气体导入路4的气体释放孔5的数量可根据覆盖第2罐状辊23的外周面的长条树脂膜F的面积、长条树脂膜F的张力、对间隙部的气体释放量、真空室10所具备的排气泵的能力等而适当规定。气体释放孔5的内径只要为可良好地将气体导入至第2罐状辊23的外周面与卷绕于这些的长条树脂膜F之间所形成的间隙部(间隙)的大小，则无特别限定，但就可遍及第2罐状辊23的外周面的整面使热导率均匀化的方面而言，优选为以窄间距设置多个具有极小内径的气体释放孔5。
此外，若气体释放孔5的内径大，则有如下情况，即，卷绕于第2罐状辊23的长条树脂膜F中，与气体释放孔5对向的部位和不与气体释放孔5对向的部位的冷却效率产生差。因此，一般而言，优选为内径30μm～1000μm左右。但由于以窄间距设置多个具有极小内径的孔的加工技术伴有困难，故而就现实而言，更优选为以5～10mm间距于第2罐状辊23的外周面设置内径150～500μm左右的小孔。
其次，就向上述多个气体导入路4分配并供给气体的气体旋转接头6进行说明。气体旋转接头6由固定于上述圆筒构件1的一端部且与该圆筒构件1一起旋转的环状的旋转环单元6a、及不旋转的环状的静止环单元6b所构成，所述于彼此的滑动面滑动。再者，优选为于该滑动面配置公知的气体密封手段。上述旋转轴3自所述环状的环单元6a、6b的中央开口部突出。
于旋转环单元6a呈放射状设置有与气体导入路4相同数量的气体分配路7，所述气体分配路7分别经由连接管7a而与气体导入路4连通。再者，亦可使气体导入路4的数量与气体分配路7的数量不一致而以邻接的多条气体导入路4为单位利用集合管汇集成1条而与旋转环单元6a的气体分配路7连接。气体分配路7的与连接于气体导入路4的侧为相反侧的另一端部于与静止环单元6b的滑动面上开口。另一方面，于静止环单元6b设置1条气体供给路8，其一端部与来自真空室10的外部的未图示的气体供给源的气体供给管8a连接。该气体供给路8的与连接于气体供给管8a的侧为相反侧的另一端部于与旋转环单元6a的滑动面上，以与上述气体分配路7在滑动面开口的端部对向的方式开口。由此，可向多个气体导入路4分配并供给气体。
且说，于第2罐状辊23的外周面中未卷绕有长条树脂膜F的所谓非包覆区域，气体释放孔5直接开放至真空室10中，因此，优选为不向位于该非包覆部的气体导入路4导入气体。作为不向该一部分气体导入路4供给气体的方法，考虑于旋转环单元6a内的各气体分配路7设置阀并根据其角度位置电性地或电磁地使其开闭的方法等。或者，有利用旋转环单元6a的旋转而机械性地使其开闭的方法。于所述中，后者的方法简单，故而优选。作为后者的方法的具体例，例如可列举如下方法，即，以仅向与位于非包覆区域以外的气体导入路4连通的气体分配路7导入气体的方式，将上述于滑动面开口的气体供给路8的端部的形状设为大致C字状的开口槽而并非环状，或如图2所示般使用铁氟龙垫片等封闭材8b将上述环状的开口槽局部封闭。
通过使用上述构造的气体旋转接头6，于第2罐状辊23的外周面未卷绕有长条树脂膜F的区域即非包覆区域，对气体导入路4的气体供给被阻断，故而可防止自气体释放孔5向真空室10内多余地释放气体。因此，可抑制对真空室10内的压力控制的不良影响，并且可将朝向气体导入路4的导入气体的气体压力稳定地维持为特定的压力。此外，由于不使用电磁阀或气动阀，故而无须于第2罐状辊23设置复杂的配线或配管。
此外，气体旋转接头6的构造不限定于如上述般旋转环单元6a与静止环单元6b在与所述的中心轴垂直的滑动面相互滑动的构造。例如，亦可为大径的环状旋转环单元的内周面滑动接触于小径的环状静止环单元的外周面的构造，于该情形时，于旋转环单元的内周面使气体分配路的一端部开口，于静止环单元的外周面，仅于与非包覆区域以外的区域对应的角度范围内设置沿圆周方向延伸的气体供给路的开口槽即可。此外，气体旋转接头亦可不仅安装于罐状辊的单侧而安装于两侧。
而且，第2罐状辊23的外周面与卷绕于这些的长条树脂膜F之间的间隙部的气体压力如上所述，优选为以不超过用以将长条树脂膜F压抵于第2罐状辊23的外周面的阻力的方式设定。因此，优选为通过从来自气体供给源的气体供给管8a供给的气体对间隙部的气体压力进行压力控制。但，难以直接测量第2罐状辊23的外周面与卷绕于这些的长条树脂膜F之间的间隙压力。
因此，如图3所示，于可推定为压力与上述间隙部的气体压力大致相同的气体供给路8安装例如隔膜真空计等真空计P，以利用该真空计P测量出的值成为设定值的方式，进行利用控制装置CPU操作压电阀PV的反馈控制即可。于该情形时，亦可以利用质量流量计MFM测量出的气体供给流量变得固定的方式，与利用真空计P测量出的压力进行级联控制。再者，只要为向上述间隙部释放的程度的气体量，则可利用真空室10所具备的真空泵排气。于该情形时，只要使导入间隙部的气体与溅镀环境的气体相同，则亦不会污染溅镀环境。
如以上所说明般，本发明的一具体例的表面处理装置可于2个以上的罐状辊中，除最上游侧者以外的至少1个罐状辊中向其外周面与卷绕于这些的长条基材之间导入气体而将两者的间隙部的间隔维持为大致固定，故而该间隙部大致遍及整体使热传导均匀，于预处理或成膜等产生热负荷的处理时，可使长条基材的温度维持均匀。其结果，可抑制长条基材产生皱褶。
需要注意的是，该图1的真空成膜装置由于对长条树脂膜F实施溅镀成膜处理作为产生热负荷的处理，故而如上述般设置有磁控溅镀阴极41～48，但产生热负荷的处理并不限定于这些，亦可为具备CVD(化学蒸镀)或真空蒸镀等其他表面处理的装置。于该情形时，设置所述表面处理手段代替上述板状靶。其次，对利用上述真空成膜装置制作附有金属膜的树脂膜的方法进行说明。
(1)首先，于第1成膜室10a的退绕区，一面通过张力感测器辊12及其紧邻的上游侧及下游侧的退绕辊11及第1驱动辊13的旋转速度控制等控制张力，一面使长条树脂膜F自退绕辊11退绕。于该第1成膜室中，亦可视需要设置减压环境的干燥区，使已退绕的长条树脂膜F通过该干燥区而进行干燥。亦可于该干燥区设置碳加热器等而赋予热负荷，由此提高干燥效果。
(2)其次，于第1成膜室内10a的成膜区，一面将长条树脂膜F卷绕至第1罐状辊17的外周面，一面通过安装于与该外周面对向的4个磁控溅镀阴极41～44的靶对长条树脂膜F的第1面进行成膜。此时，于第1罐状辊17的上游侧，以利用送入张力感测器辊16测量出的长条树脂膜F的张力成为特定的设定值的方式通过马达驱动的送入辊15进行控制，于下游侧，以利用送出张力感测器辊18测量出的长条树脂膜F的张力成为特定的设定值的方式通过马达驱动的送出辊19进行控制。
(3)以下游的第2罐状辊23中的长条树脂膜F的张力控制不受该第1罐状辊17中的长条树脂膜F的张力控制影响的方式，通过马达驱动的驱动辊20进行张力截止。其次，于第2成膜室10b的成膜区内，一面将长条树脂膜F卷绕至第2罐状辊23的外周面，一面通过安装于与该外周面对向的4个磁控溅镀阴极45～48的靶对长条树脂膜F的第2面进行成膜。此时，于第2罐状辊23的上游侧，以利用送入张力感测器辊22测量出的长条树脂膜F的张力成为特定的设定值的方式通过马达驱动的送入辊21进行控制，于下游侧，以利用送出张力感测器辊24测量出的长条树脂膜F的张力成为特定的设定值的方式通过马达驱动的送出辊25进行控制。
(4)最后，于卷取室10c的卷取区，利用张力感测器辊26测量长条树脂膜F的张力，并以其测量值成为特定的设定值的方式进行卷取。亦可于卷取辊27的上游配置接近辊(未图示)，由此可有效地减少卷取皱褶。
可通过上述方法制作例如于长条树脂膜F的表面积层由Ni系合金等所构成的膜与Cu膜而成的附有金属膜的长条树脂膜。该积层构造的附有金属膜的树脂膜通过利用减成法对金属膜进行图案化加工而成为可挠性配线基板。此处，所谓减成法，是指通过蚀刻将未被抗蚀剂覆盖的金属膜(例如，上述Cu膜)去除而制造可挠性配线基板的方法。
上述由Ni合金等所构成的膜称为晶种层，根据附有金属膜的树脂膜的电绝缘性或耐迁移性等所需的特性选择其组成。例如可使用Ni-Cr合金、镍铬合金、铜镍合金、蒙纳合金等各种公知的合金。于欲进一步加厚通过上述干式成膜所制作的附有金属膜的长条树脂膜的金属膜(Cu膜)的情形时，亦可进而使用湿式镀覆法使金属膜膜厚化。于该情形时，有仅通过电镀处理进行膜厚化的方法、及将一次镀覆的无电镀处理与二次镀覆的电镀处理组合进行的方法。于任一方法中湿式镀覆处理均无特别限制，可采用一般的湿式镀覆法。
作为上述附有金属膜的树脂膜所使用的树脂膜，例如，可使用聚酰亚胺系膜、聚酰胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙二酯系膜、或液晶聚合物系膜等树脂膜，于上述中，就具有作为附有金属膜的可挠性基板的柔软性、实用上所需的强度、作为配线材料优选的电绝缘性的方面而言，优选为聚对酞酸乙二酯(PET)或聚酰亚胺膜。再者，于上述具体例中，对在长条树脂膜积层由Ni-Cr合金及Cu所构成的金属膜的情形进行了说明，但并不限定于这些，亦可成膜氧化物膜、氮化物膜、碳化物膜等。
以上，列举真空成膜装置作为本发明的卷对卷方式的长条基材处理装置的一具体例进行了说明，但本发明的长条基材的处理装置并不限定于这些，亦可为于减压环境下的真空室内对长条基材实施电浆处理或离子束处理等产生热负荷的处理而使长条基材的表面改质的。再者，所谓电浆处理，是指通过在例如氩气与氧气的混合气体或氩气与氮气的混合气体的减压环境下进行放电，而产生氧电浆或氮电浆而对长条基材进行处理的，所谓离子束处理，是指如下处理，即，于减压环境下于施加有强磁场的磁场间隙产生电浆放电，将电浆中的阳离子通过利用阳极进行的电解以离子束的形式照射至目标物(长条基材)。
实施例
利用图1所示的真空成膜装置(溅镀网版涂布机)对长条树脂膜F的两面进行成膜。长条树脂膜F使用宽度570mm、长度1000m、厚度50μm的东洋纺株式会社制造的PET膜“コスモシャイン(注册商标)”。此外，2个罐状辊17、23使用直径800mm、宽度800mm的不锈钢制的夹套辊构造的圆筒构件，并对其外周面实施镀硬铬。关于第2罐状辊23，于圆筒构件的外周厚壁部形成360条内径4mm的气体导入路4，并于各气体导入路4以10mm间隔设置有47个内径0.2mm的气体释放孔5。再者，该气体释放孔5仅设置于外周面中的卷绕有长条树脂膜F的区域中，较自其宽度方向的两端部分别向内侧20mm的位置更靠内侧的区域。
将该附有气体释放机构的罐状辊搭载于真空成膜装置而卷绕并搬送长条树脂膜F时，不接触长条树脂膜F的非包覆区域的角度范围成为约90°，故而位于该非包覆区域的角度范围内的气体导入路4成为90条。因此，将气体旋转接头6的静止环单元6b的气体供给路8于与旋转环单元6a的滑动面开口的端部的形状设为仅在除上述非包覆区域的约90°以外的约270°的包覆区域的角度范围开口的大致C字形状的槽。
由于将360条气体导入路4与气体旋转接头6的旋转环单元6a的气体分配路7一对一地连接于制造上较为困难，故而以10条气体导入路4为单位汇集至1根气体集合管而连接至气体分配路7。即，将36根气体集合管与旋转接头6连接。此外，为了间隙部的压力控制而于静止环单元6b的气体供给路8安装压力计(商品名：バラトロン真空计)。
为了于上述PET膜(树脂膜)成膜晶种层的Ni-Cr膜与其上的Cu膜作为金属膜，而于第1罐状辊17的周围的第1磁控溅镀阴极41与第2罐状辊23的周围的第5磁控溅镀阴极45设置Ni-Cr靶，于除此以外的磁控溅镀阴极设置Cu靶。再者，通过调整所述溅镀阴极的输入功率，即便不使搬送速度变化，亦可成膜膜厚30nm的Ni-Cr层与膜厚为90nm的Cu层。
于退绕辊11安装上述PET膜，并抽出其前端部，使其经由第1罐状辊17与第2罐状辊23而安装至卷取辊27。将退绕辊11与卷取辊27的张力设定为100N，将第1罐状辊17与第2罐状辊23的前后的张力均设定为200N。对第1罐状辊17及第2罐状辊23循环于真空室10的外部被控制为0℃的冷却水。进而，导入300sccm的氩气，将对各阴极施加的功率控制为20kW的功率而进行成膜。
于该状态下，将真空室10通过多台干式泵排气至5Pa后，利用多台涡轮分子泵与低温线圈排气至3×10-3Pa，开始长条树脂膜F的搬送。开始该搬送后，一面将搬送速度进行各种改变，一面以安装于第2罐状辊23的气体旋转接头6的压力计成为800Pa的方式控制供给至气体旋转接头6的气体流量。自观察窗目视观察利用第1罐状辊17成膜时有无皱褶产生，成膜结束后，自卷取辊27取下已于两面成膜的长条树脂膜F，目视检查有无由溅镀的热负荷引起的皱褶产生。将其结果示于下述表1。
[表1]
根据上述表1可知，于第1及第2罐状辊17、23均不使用附有气体释放机构的罐状辊而对两面进行成膜的情形时，若长条树脂膜F的搬送速度成为5m/分以上，则因成膜时的热负荷而导致长条树脂膜F产生皱褶。与此相对，于第2罐状辊23使用附有气体释放机构的罐状辊而对两面进行成膜的情形时，即便将搬送速度提速至9m/分亦不产生皱褶。如此，若搬送速度加快则成膜中容易产生皱褶的理由在于：为了即便提高溅镀成膜的搬送速度亦使Ni-Cr层与Cu层的膜厚均匀而必须提高成膜速度，因此，必须提高溅镀输入功率，故而因溅镀产生的热负荷增加，超过各罐状辊的冷却能力。
符号说明
1：圆筒构件
2：夹套辊构造部
3：旋转轴
3a：轴承
4：气体导入路
5：气体释放孔
6：气体旋转接头
7：旋转环单元
8：静止环单元
7a：气体分配路
8a：气体供给路
9：气体供给配管
10：真空室
11：退绕辊
12：第1张力感测器辊
13：第1驱动辊
14：第2张力感测器辊
15：第1送入辊
16：第1送入张力感测器辊
17：第1罐状辊
18：第1送出张力感测器辊
19：第1送出辊
20：中央部驱动辊
21：第2送入辊
22：第2送入张力感测器辊
23：第2罐状辊
24：第2送出张力感测器辊
25：第2送出辊
26：卷取前张力感测器辊
27：卷取辊
30a、30b、30c、30d、30e、30f、30g、30h、30i、30j、30k：张力调节辊
41、42、43、44、45、46、47、48：磁控溅镀阴极
PV：压电阀
MFM：质量流量计
P：压力感测器(压力检测手段)
CPU：调节计
F：长条树脂膜。

Claims (8)

1.一种卷对卷方式的表面处理装置，其具有：至少2个罐状辊，其等将于真空室内以卷对卷方式搬送的长条基材卷绕至外周面并利用循环于内部的冷媒使其冷却；及表面处理手段，其设置于与上述罐状辊的外周面对向的位置；其特征在于：
上述至少2个罐状辊中，除位于最上游侧的罐状辊以外的至少1个罐状辊具备自外周面释放气体的气体释放机构。
2.根据权利要求1所述的卷对卷方式的表面处理装置，其中，具有上述气体释放机构的罐状辊于其外周厚壁部于圆周方向上隔开大致均等的间隔地遍及全周具有沿旋转轴方向延伸的多个气体导入路，所述多个气体导入路的每一个具有沿该旋转轴方向以大致均等的间隔向外周面侧开口的多个气体释放孔，并且具备于位于罐状辊的外周面中未卷绕有上述长条基材的非包覆部时使气体停止的机构。
3.一种卷对卷方式的成膜装置，其中，根据权利要求1或2所述的表面处理手段为干式成膜手段。
4.根据权利要求3所述的卷对卷方式的成膜装置，其中，上述干式成膜手段为溅镀阴极。
5.一种卷对卷方式的表面处理方法，是一面于真空室内以卷对卷方式搬送长条基材，并将该长条基材卷绕至内部循环有冷媒的2个以上的罐状辊的外周面使其冷却，一面通过设置于与该外周面对向的位置的表面处理手段对该长条基材实施表面处理，其特征在于：
于上述2个以上的罐状辊中除位于最上游侧的罐状辊以外的至少1个罐状辊，一面自外周面释放气体一面实施该表面处理。
6.根据权利要求5所述的卷对卷方式的表面处理方法，其中，上述表面处理为产生热负荷的处理，上述自外周面释放气体的罐状辊于其外周厚壁部于圆周方向上隔开大致均等的间隔地遍及全周具有沿旋转轴方向延伸的多个气体导入路，所述多个气体导入路的每一个具有沿该旋转轴方向以大致均等的间隔向外周面侧开口的多个气体释放孔，并且具备于位于罐状辊的外周面中未卷绕有上述长条基材的非包覆部时使气体停止的机构。
7.一种卷对卷方式的成膜方法，其中，根据权利要求5或6所述的表面处理为干式成膜处理。
8.根据权利要求7所述的卷对卷方式的成膜方法，其中，上述干式成膜处理为溅镀成膜。
CN201780051663.8A 2016-08-23 2017-08-23 卷对卷方式的表面处理装置及使用它的成膜方法及成膜装置 Active CN109661480B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-162787 2016-08-23
JP2016162787A JP6842031B2 (ja) 2016-08-23 2016-08-23 ロールツーロール方式の表面処理装置並びにこれを用いた成膜方法及び成膜装置
PCT/JP2017/030065 WO2018038141A1 (ja) 2016-08-23 2017-08-23 ロールツーロール方式の表面処理装置並びにこれを用いた成膜方法及び成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109661480A true CN109661480A (zh) 2019-04-19
CN109661480B CN109661480B (zh) 2021-08-03

Family

ID=61245030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780051663.8A Active CN109661480B (zh) 2016-08-23 2017-08-23 卷对卷方式的表面处理装置及使用它的成膜方法及成膜装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11261520B2 (zh)
EP (1) EP3505653B1 (zh)
JP (1) JP6842031B2 (zh)
KR (1) KR102467200B1 (zh)
CN (1) CN109661480B (zh)
TW (1) TWI739892B (zh)
WO (1) WO2018038141A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112930421A (zh) * 2018-10-23 2021-06-08 住友金属矿山株式会社 带金属膜的树脂膜的制造装置和制造方法
TWI829244B (zh) * 2021-09-10 2024-01-11 南韓商海成帝愛斯股份有限公司 用於捲對捲製程之工作桌

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6965683B2 (ja) * 2017-10-17 2021-11-10 住友金属鉱山株式会社 キャンロールと長尺基板処理装置
JP6953992B2 (ja) * 2017-10-19 2021-10-27 住友金属鉱山株式会社 キャンロールと長尺基板処理装置および長尺基板処理装置の管理方法
JP6970637B2 (ja) * 2018-03-27 2021-11-24 日東電工株式会社 フィルム製造装置および両面積層フィルムの製造方法
JP6791389B2 (ja) * 2018-03-30 2020-11-25 Ｊｆｅスチール株式会社 方向性電磁鋼板の製造方法および連続成膜装置
JP7172645B2 (ja) * 2019-01-23 2022-11-16 住友金属鉱山株式会社 キャンロールと長尺基板処理装置
CN109972114A (zh) * 2019-05-14 2019-07-05 南京汇金锦元光电材料有限公司 柔性卷对卷磁控溅射镀膜中超薄基带牵引方法
CN110923624B (zh) * 2019-12-13 2020-11-24 北京师范大学 一种基于离子束印刷系统的离子束印刷方法
CN115667574A (zh) * 2020-06-04 2023-01-31 应用材料公司 气相沉积设备和在真空腔室中涂覆基板的方法
KR102321212B1 (ko) * 2021-07-16 2021-11-03 대동중공업주식회사 용융아연 도금강판의 쿨링타워 업패스 터치 롤 장치
KR102380687B1 (ko) * 2021-07-16 2022-04-01 대동중공업주식회사 용융아연 도금강판의 쿨링타워 업패스 터치 롤
CN114834051A (zh) * 2022-03-22 2022-08-02 江苏润众环保材料有限公司 一种烟气排放系统用ptfe过滤袋的高温覆膜装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012026025A (ja) * 2010-07-28 2012-02-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 成膜方法、金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法及びスパッタリング装置
JP2014234541A (ja) * 2013-06-04 2014-12-15 住友金属鉱山株式会社 金属ロール及びその製造方法並びに該金属ロールを備えた長尺樹脂フィルムの処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3414048A (en) 1967-12-26 1968-12-03 United States Steel Corp Contact drum and method for heat exchange with traveling strip
JPS62247073A (ja) 1986-04-21 1987-10-28 Ulvac Corp 巻取式真空装置
JPH0298994A (ja) 1988-10-06 1990-04-11 Ibiden Co Ltd ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法
JP3447070B2 (ja) 1992-09-17 2003-09-16 三井化学株式会社 フレキシブル回路基板用材料
LV13253B (en) 2003-06-30 2005-03-20 Sidrabe As Device and method for coating roll substrates in vacuum
US20060159844A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process and apparatus for producing magnetic recording medium
JP2009224444A (ja) 2008-03-14 2009-10-01 Panasonic Corp 金属化フィルムの製造方法
US20100291308A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Veeco Instruments Inc. Web Substrate Deposition System
EP2530183A4 (en) * 2010-01-26 2015-11-18 Panasonic Ip Man Co Ltd DEVICE FOR PRODUCING A THIN LAYER, METHOD FOR PRODUCING A THIN LAYER AND SUBSTRATE CONVEYING ROLLERS
KR20130025969A (ko) * 2010-07-06 2013-03-12 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법
JP5959099B2 (ja) 2011-07-29 2016-08-02 日東電工株式会社 積層体の製造方法
JP5963193B2 (ja) 2011-07-29 2016-08-03 日東電工株式会社 積層体の製造方法
JP6049051B2 (ja) 2011-07-29 2016-12-21 日東電工株式会社 両面真空成膜方法
JP6016723B2 (ja) * 2012-08-07 2016-10-26 株式会社神戸製鋼所 ガラスフィルム搬送装置
JP6183284B2 (ja) 2014-04-24 2017-08-23 住友金属鉱山株式会社 ガス放出機構を備えたキャンロールを用いた長尺フィルムの処理方法
JP6252401B2 (ja) * 2014-08-18 2017-12-27 住友金属鉱山株式会社 成膜方法及びそれを用いた金属膜付樹脂フィルムの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012026025A (ja) * 2010-07-28 2012-02-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 成膜方法、金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法及びスパッタリング装置
JP2014234541A (ja) * 2013-06-04 2014-12-15 住友金属鉱山株式会社 金属ロール及びその製造方法並びに該金属ロールを備えた長尺樹脂フィルムの処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112930421A (zh) * 2018-10-23 2021-06-08 住友金属矿山株式会社 带金属膜的树脂膜的制造装置和制造方法
TWI829244B (zh) * 2021-09-10 2024-01-11 南韓商海成帝愛斯股份有限公司 用於捲對捲製程之工作桌

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018038141A1 (ja) 2018-03-01
JP6842031B2 (ja) 2021-03-17
KR20190041506A (ko) 2019-04-22
TWI739892B (zh) 2021-09-21
EP3505653B1 (en) 2022-10-05
EP3505653A4 (en) 2020-04-22
TW201820948A (zh) 2018-06-01
JP2018031039A (ja) 2018-03-01
KR102467200B1 (ko) 2022-11-16
CN109661480B (zh) 2021-08-03
US20190226080A1 (en) 2019-07-25
US11261520B2 (en) 2022-03-01
EP3505653A1 (en) 2019-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109661480A (zh) 卷对卷方式的表面处理装置及使用它的成膜方法及成膜装置
JP2012117128A (ja) ガス導入機構を備えたキャンロールおよびそれを用いた長尺基板の処理装置ならびに処理方法
CN109898066A (zh) 长条基板的处理装置和处理方法
JP2017137543A (ja) キャンロールと長尺体の処理装置および処理方法
JP6772664B2 (ja) ロールツーロール方式の表面処理装置並びにこれを用いた成膜方法及び成膜装置
JP6965683B2 (ja) キャンロールと長尺基板処理装置
JP6648800B1 (ja) 金属膜付き樹脂フィルムの製造装置と製造方法
JP6252401B2 (ja) 成膜方法及びそれを用いた金属膜付樹脂フィルムの製造方法
JP5527186B2 (ja) ガス導入機構を備えた長尺基板処理装置および処理方法
JP6201162B2 (ja) キャンロールと長尺基板処理装置および長尺基板処理方法
JP6233262B2 (ja) 長尺フィルムの搬送および冷却用ロール、ならびに該ロールを搭載した長尺フィルムの処理装置
JP6953992B2 (ja) キャンロールと長尺基板処理装置および長尺基板処理装置の管理方法
JP2016121379A (ja) ガス放出機構を備えたキャンローラ並びにこれを用いた長尺基板の処理装置及び処理方法
JP2017214181A (ja) 帯状物の搬送制御方法及びこれを用いた帯状物の処理装置
JP6332065B2 (ja) 樹脂フィルムから放出されるガスの測定装置および測定方法
JP6547685B2 (ja) 帯状物の搬送制御方法及びこれを用いた帯状物の処理装置
CN110302940A (zh) 涂布装置及涂布方法
US11898602B2 (en) Multi-zone air turn for transport of a flexible substrate
JP6459858B2 (ja) 長尺基板処理装置およびその制御方法ならびにその制御方法を用いた金属膜付長尺基板の製造方法
JP6299453B2 (ja) キャンロール及びこれを搭載した長尺フィルムの処理装置
JP2016135896A (ja) 長尺基板の表面処理装置と表面処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant