JP2012117128A - ガス導入機構を備えたキャンロールおよびそれを用いた長尺基板の処理装置ならびに処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空チャンバー51内においてロールツーロールで搬送される長尺基板Fを冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロール56であって、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路14を有しており、これら複数のガス導入路14の各々はキャンロール56の回転軸56a方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔15を有しており且つ長尺基板Fが外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた永久磁石などの磁力付与手段65によって開閉するガス導入バルブ20に接続している。
【選択図】 図2
Description
11 ジャケット
12 内側配管
13 外側配管
14 ガス導入路
15 ガス導入孔
16 分岐管
20 ガス導入バルブ
21 本体
22 弁体
23 シャフト
24 永久磁石
25 シール材
26 蓋部
27 弾性体
50 成膜装置(スパッタリングウェブコータ)
51 真空チャンバー
52 巻き出しロール
53、63 フリーロール
54、62 張力センサロール
55、61 フィードロール
56 キャンロール
57、58、59、60 マグネトロンスパッタリングカソード
64 巻き取りロール
65 磁力付与手段
F 長尺耐熱性樹脂フィルム(長尺基板)
Claims (16)
- 真空チャンバー内においてロールツーロールで搬送される長尺基板を冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロールであって、
周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路を有しており、これら複数のガス導入路の各々はキャンロールの回転軸方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔を有しており且つ長尺基板が外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた磁力付与手段によって開閉するガス導入バルブに接続していることを特徴とするキャンロール。 - 前記ガス導入バルブが、隣接する複数のガス導入路に接続してこれらにガスの供給を行うガス分岐管に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載のキャンロール。
- 前記磁力付与手段が、キャンロールの側面に対向する真空チャンバー側の側面において、キャンロールの外周面のうちの長尺基板が巻き付けられない領域に対応する位置に設けられた磁石であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のキャンロール。
- 真空チャンバー内においてロールツーロールで長尺基板を搬送する搬送機構と、長尺基板に対して熱負荷の掛かる処理を施す処理手段と、真空チャンバーの外部から供給される冷媒を内部に循環させるとともに外周面に長尺基板を巻き付けて長尺基板を冷却するキャンロールとを備えた長尺基板処理装置であって、
前記キャンロールは、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路を有しており、これら複数のガス導入路の各々はキャンロールの回転軸方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔を有しており且つ長尺基板が外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた磁力付与手段によって開閉するガス導入バルブに接続していることを特徴とする長尺基板処理装置。 - 前記導入ガス路が前記キャンロールを構成する円筒部材に穿設されていることを特徴とする、請求項4に記載の長尺基板処理装置。
- 前記ガス導入バルブが、隣接する複数のガス導入路に接続してこれらにガスの供給を行うガス分岐管に設けられていることを特徴とする、請求項4または5に記載の長尺基板処理装置。
- 前記磁力付与手段が、キャンロールの側面に対向する真空チャンバー側の側面において、キャンロールの外周面のうちの長尺基板が巻き付けられない領域に対応する位置に設けられた磁石であることを特徴とする、請求項4〜6のいずれかに記載の長尺基板処理装置。
- 前記熱負荷の掛かる処理が、プラズマ処理またはイオンビーム処理であることを特徴とする、請求項4〜7のいずれかに記載の長尺基板処理装置。
- 前記プラズマ処理またはイオンビーム処理が、前記キャンロールの外周面のうちの長尺基板が巻き付けられる領域に対向する位置に配された処理手段を用いる処理であることを特徴とする請求項8に記載の長尺基板処理装置。
- 請求項4〜7のいずれかに記載の長尺基板処理装置のうち、前記長尺基板に熱負荷の掛かる処理が真空成膜処理であることを特徴とする長尺基板真空成膜装置。
- 前記真空成膜処理が、前記キャンロールの外周面のうちの長尺基板が巻き付けられる領域に対向する位置に配された真空成膜処理手段を用いる処理であることを特徴とする、請求項10に記載の長尺基板真空成膜装置。
- 前記真空成膜機構がスパッタリングカソードであることを特徴とする、請求項11に記載の長尺基板真空成膜装置。
- 真空チャンバー内において長尺基板をロールツーロールで搬送し、前記長尺基板に熱負荷の掛かる処理を行うと同時に、前記真空チャンバーの外部から供給される冷媒が循環する冷却部と、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路と、これら複数のガス導入路の各々に設けられたキャンロールの回転軸方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔と、これら複数のガス導入路の各々に接続するガス導入バルブとを具備するキャンロールを用いてその外周面に長尺基板を巻き付けて冷却する長尺基板の処理方法であって、
ガス導入路が前記キャンロールの外周面のうちの長尺基板が巻き付けられる領域に来たときは当該ガス導入路に連通するガス導入バルブが開いてキャンロールの外周面とそこに巻き付けられている長尺基板との間のギャップ部にガス導入路からガスを導入し、長尺基板が巻き付けられていない領域に来たときはガス導入バルブが閉じてガス導入路へのガス供給が停止するように磁力付与手段で制御することを特徴とする長尺基板処理方法。 - 前記熱負荷の掛かる処理が、プラズマ処理またはイオンビーム処理であり、前記キャンロールの外表面に巻き付けられている長尺基板に対して施されるものであることを特徴とする、請求項13に記載の長尺基板処理方法。
- 請求項13に記載の長尺基板処理方法のうち前記熱負荷の掛かる処理が真空成膜処理であり、前記キャンロールの外表面に巻き付けられている長尺基板に対して施されるものであることを特徴とする長尺基板の成膜方法。
- 前記真空成膜処理がスパッタリング処理であることを特徴とする、請求項15に記載の長尺基板の成膜方法。
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