CN109608372B - 一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法。由多个结晶器串联；在循环装置作用下，蛋氨酸原料在80～130℃下溶解；溶解料液进入第一级结晶釜，控制釜温为60～80℃；浆料进入第二级结晶釜，控制釜温40～60℃；浆料进入第三级结晶釜，控制釜温25～40℃；浆料进入第四级结晶釜，控制釜温15～25℃；最终浆料从结晶釜底流出，进入固液分离系统，固体分离后排出体系，部分母液返回至溶解釜继续循环，循环量为母液体积的20～60％。结晶釜级数应该根据实际情况进行优选，一般理想为2～4级。制备的蛋氨酸晶体为短棒状晶习，晶体粒度均匀、堆密度高、流动性好、质量稳定，操作简单、生产效率高、适合工业化大规模生产。

Description

一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法

技术领域

本发明属于氨基酸的工业化生产工艺领域，涉及一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法。

背景技术

蛋氨酸是八种必需氨基酸中唯一含硫的氨基酸，是构成人体和动物体内蛋白质的重要组成单元之一，广泛应用于医药、食品、饲料和化妆品等领域，其中尤以饲料添加剂应用为主且需求量巨大。

全球蛋氨酸需求量已达到130万吨/年，并以每年6％的需求速度增加，中国2015年需求量也超过了16万吨，尽管我国蛋氨酸产能得到进一步扩充可达到10万吨，但仍需要进口，并且具有堆密度高和流动性好等高品质蛋氨酸仍主要依赖进口。

蛋氨酸生产工艺主要有生物酶拆分法、微生物发酵法和化学合成法。生物酶拆分法和发酵法皆因收率低、排污大和经济指标低，欠缺工业化生产价值。目前，全球蛋氨酸生产主要采用化学法并以丙烯醛法(海因法)生产工艺为主，经过精制结晶得到蛋氨酸成品，其中，精制结晶是提高产品质量的关键。

目前蛋氨酸的精制分离方法主要侧重于蛋氨酸与无机盐的分离纯化，专利CN104926701A公开了一种蛋氨酸纯化的工艺，该方法利用大孔吸附树脂经过吸附、解吸工艺，达到分离蛋氨酸和副产盐类物质的目的；专利CN104693082A则公开了一种利用连续色谱分离纯化蛋氨酸的方法，利用蛋氨酸和硫酸钠母液对色谱材料的吸附与脱附差异达到脱盐的目的，但是这些方法普遍存在材料使用成本高、效率低、难以满足大批量蛋氨酸工业化生产需求。

多段蒸发浓缩蛋氨酸水溶液以结晶提纯蛋氨酸是业内常用的蛋氨酸精制分离方法，操作简便并可大规模工业化生产，但是该方法制备的蛋氨酸产品硫酸钠杂质含量高、纯度低，堆密度低、流动性差需要后续造粒过程，造成生产成本高，此外，长时间高温浓缩导致蛋氨酸热分解，产生具有恶臭味的二甲基二硫或甲硫醇。

专利CN103804252A公开了一种蛋氨酸结晶分离系统及结晶分离蛋氨酸的工艺，该工艺主要是利用蛋氨酸和硫酸钠的溶解度差异，进行分步结晶，即首先冷却结晶析出较低溶解度的浓相蛋氨酸产品，稀相经过蒸发浓缩制备副产硫酸钠，达到脱盐纯化蛋氨酸的目的，但是该方法存在以下不足：首先，高浓度的硫酸钠会成为杂质显著影响蛋氨酸结晶过程与效率，易产生二次成核，杂质吸附包藏，造成产品纯度低、晶体形态差、粒度分布不均、堆密度较低、分离效率低等问题；其次，受限于蛋氨酸的溶解度，以硫酸钠为主的稀相溶液仍存在一定含量的蛋氨酸，高温蒸发浓缩制备硫酸钠的同时会造成蛋氨酸分解，影响副产硫酸钠的质量并降低总体蛋氨酸收率。

因此，开发一种粒度均匀、堆密度高、流动性好并且产品质量稳定的蛋氨酸晶体仍是本领域研究的热点。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种可以制备短棒状晶习、粒度均匀、堆密度高、流动性好并且产品质量稳定的蛋氨酸晶体及多个结晶器串联的结晶方法。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，包括以下步骤：

(1)、在循环装置作用下，使用去离子水和循环母液在溶解釜中溶解蛋氨酸原料，溶解釜温度为80～130℃，将溶解料液由泵注入第一级结晶釜；

(2)、控制第一级结晶釜温度为60～80℃，结晶产生初级晶体，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第二级结晶釜；

(3)、控制第二级结晶釜温度为40～60℃，晶体生长，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第三级结晶釜；

(4)、控制第三级结晶釜温度为25～40℃，晶体进一步生长，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第四级结晶釜；

(5)、控制第四级结晶釜温度为15～25℃，养晶，浆料从结晶釜底部流出；

(6)、将第四级结晶釜的浆料泵入固液分离系统，分离后的固体排出体系，母液由泵返回溶解釜继续循环，循环量为结晶母液体积的20～60％。

在本发明中，所述方法可适用于结晶釜级数为2～4级的连续冷却结晶工艺，根据实际情况可对结晶器级数进行优选。

为防止爆发出晶而导致晶体长径比增加、粒度过小，若溶解料液浓度小于等于20％，推荐使用四级结晶釜；同理，若溶解料液浓度小于等于15％，推荐使用三级结晶釜，并且第一、二、三级结晶釜温度分别为40～60℃，25～40℃和15～25℃，第三级结晶釜的浆料进入固液分离系统后，固体排出体系，母液由泵返回溶解釜继续循环，循环量为结晶母液体积的20～60％，可获得长径比较短的短棒状晶习；若溶解料液浓度小于等于10％，选择二级或三级连续结晶均可，但考虑到设备投资和运行成本因素，建议优选二级连续结晶，为制备长径比较短的短棒状晶习，第一、二级结晶釜温度需分别控制为25～40℃和15～25℃，第二级结晶釜的浆料进入固液分离系统后，固体排出体系，母液由泵返回溶解釜继续循环，循环量为结晶母液体积的20～60％。

在本发明中，所述浆料在各级结晶釜的停留时间为0.5～2.0h。

在本发明中，步骤(1)所述蛋氨酸原料的化学纯度为90％以上；

所述溶解料液浓度为5～20％。

在本发明中，步骤(1)所述溶解料液的流速为溶解釜溶液体积的20％-60％/h。

在本发明中，最后一级结晶釜的浆料分离后，得到的固体进行真空干燥；

所述真空干燥的温度为40～70℃；

所述真空干燥的真空度为0.05～0.1MPa；

所述真空干燥的时间为2～12h。

在本发明中，所述固液分离得到的母液进入溶解釜中继续循环，和去离子水共同用于溶解蛋氨酸原料。

在本发明中，所述的蛋氨酸为D-蛋氨酸、L-蛋氨酸或DL-蛋氨酸。

在本发明中，所述蛋氨酸晶体为短棒状晶习，长径比为1:1～1:20。

根据本发明研究发现，具体说明如下：

常规浓缩蒸发结晶工艺，蛋氨酸物料在高温下长时间停留，物料热分解严重，造成产品纯度低、蛋氨酸损失大进而收率低问题，而采用多级连续冷却结晶方法，温度逐级大幅度降低(各级温差约10度左右)，能有效降低甚至规避了物料在高温下的停留时间，从根本上解决蛋氨酸产品热分解问题。

采用连续逐级冷却操作方式，各级结晶釜内过饱和度能够稳定产生，波动小，结晶条件温和，利于晶体成核与生长过程的控制，可获得具有理想短棒状晶习的β晶型，避免了晶体单一或若干个晶面过快生长而得到针状或碎片状晶习和晶体厚度低的问题。

本发明的连续冷却结晶工艺，采用分级过程控制模式，通过对各级温度、停留时间的控制，将结晶过程设计分为初级晶体成核(可控晶核数量)、晶体生长(根据晶体生长的ΔL定律，实现粒径控制)和后期养晶(根据二次成核域内，避免二次成核)三部分，实现了晶体成核与生长分离，有效控制了晶体的粒数、粒径及粒度分布。

流加速率受结晶釜设计体积和生产能力影响，流加速率过快，生产能力高，但相同停留时间下，结晶釜设计体积增大，釜内搅拌混合难度大，设计困难；然而流速太小则会降低生产能力，优选流加速率为溶解釜溶液体积的20％-60％/h。

干燥温度会影响产品稳定性和产品晶型，高温造成蛋氨酸热分解，而低温则会增加干燥时间，因而，选择真空干燥避免产品热分解，优选干燥温度为40-70℃，真空度为0.05～0.1MPa。

增加结晶釜级数可以略微提升产品的粒度和控制程度，但是会提升设备投资成本，增加操作难度。减少结晶釜的级数能够减低设备成本和操作难度，但可能会减小粒度并增加控制难度，因此，实际的结晶釜级数应该根据实际情况进行优选，一般理想为2～4级。

相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：

(1)生产的蛋氨酸晶体为短棒状晶习、纯β晶型、晶体完整度好，粒度均匀、堆密度高且流动性好，100％晶型纯度也保证了饲料等产品性能的一致性。

(2)蛋氨酸晶体的形态、粒度等质量的提升，降低了滤饼阻力压降，提高了过滤(离心)、洗涤、干燥以及饲料后加工过程的效率。

(3)连续冷却结晶方法采取低温操作，有效规避了因蛋氨酸热分解而造成的产品纯度低和收率损失。

(4)连续生产较间歇生产减少了中间的操作步骤，减小了因员工操作误差带来的产品批间差异，降低了劳动强度，并提高了产品自动化控制水平，产品质量稳定。

(5)提升了结晶过程生产效率，减少了设备数，生产能力得到大幅提升。

附图说明

图1为本发明的蛋氨酸四级连续结晶工艺流程示意图；

图2为本发明的蛋氨酸三级连续结晶工艺流程示意图；

图3为本发明实施例2制备的蛋氨酸晶体扫描电镜图，标尺为500μm；

图4为本发明实施例2制备得到的蛋氨酸晶体的粒度分布图；

图5为本发明实施例2制备得到的蛋氨酸晶体的粉末X-射线衍射图；

图6为本发明的蛋氨酸二级连续结晶工艺流程示意图；

图7为对比例制备得到的蛋氨酸晶体的粉末X-射线衍射图；

图8为对比例制备得到的蛋氨酸晶体的扫描电镜图，标尺为2mm；

图9为对比例制备得到的蛋氨酸晶体的粒度分布图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。但下述的实施例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。

实施例1

在本实施例中，提供一种蛋氨酸晶体的结晶方法，所述蛋氨酸晶体的结晶方法如图1所示，包括以下步骤：由四个连续结晶釜串联。在2L溶解釜中配备浓度为20％的蛋氨酸料液(加入纯度为90％的0.080kg/h DL-蛋氨酸原料、0.14L/h水和0.22L/h循环母液)，并加热溶解，温度控制为130℃，得到澄清料液；以0.36L/h(20％溶解液/h)流速将澄清料液泵入第一级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为80℃，浆料的平均停留时间控制为2.0h；将第一级结晶釜的浆料泵入到第二级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为60℃，平均停留时间为2.0h；再将第二级结晶釜的浆料泵入到第三级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为40℃，平均停留时间为2.0h；再将第三级结晶釜的浆料泵入到第四级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为25℃，平均停留时间为2.0h；最后将第四级结晶釜浆料注入到离心机内，离心后固体经过真空干燥(70℃、0.05Mpa真空度)2h得到蛋氨酸成品，离心母液经由泵导入返回至溶解釜，循环量控制为60％母液体积。

实施例2

在本实施例中，提供一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，所述蛋氨酸晶体的结晶方法如图2所示，包括以下步骤：由三个连续结晶釜串联。在5L溶解釜中配备浓度为15％的蛋氨酸料液(加入纯度为95％的0.38kg/h DL-蛋氨酸原料、1.92L/h水和0.48L/h循环母液)，并高温溶解，温度控制为110℃，得到澄清料液；以2.4L/h(60％溶解液/h)流速将澄清料液泵入第一级2L结晶釜内，控制结晶釜温度为60℃，浆料的平均停留时间控制为0.5h；将第一级结晶釜的浆料泵入到第二级2L结晶釜内，控制结晶釜温度为40℃，浆料平均停留时间为0.5h；再将第二级结晶釜的浆料泵入到第三级2L结晶釜内，控制结晶釜温度为25℃，浆料平均停留时间为0.5h；最后将第三级结晶釜浆料注入到离心机内，离心后固体经过真空干燥(40℃、0.1Mpa真空度)12h得到蛋氨酸成品，离心母液经由泵导入返回至溶解釜，循环量控制为20％母液体积。

图3为本实施例制备得到的短棒状蛋氨酸晶体的扫描电镜图，标尺为500μm，由图3可知，制备得到的蛋氨酸晶体形态为短棒状晶习(长径比约为1:3)，晶体较厚。

图4为本实施例制备得到的蛋氨酸晶体的粒度分布图，由图4可知，制备得到的蛋氨酸晶体的主粒度为267μm。

图5为本实施例制备得到的蛋氨酸晶体的粉末X-射线衍射图，由图5可知，制备得到的蛋氨酸晶体为纯β晶型。

实施例3

在本实施例中，提供一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，所述蛋氨酸晶体的结晶方法如图6所示，包括以下步骤：由两个连续结晶釜串联。在1L溶解釜中配备浓度为10％的蛋氨酸料液(加入纯度为90％的0.060kg/h DL-蛋氨酸原料、0.22L/h水和0.32L/h循环母液)，并加热溶解，温度控制为80℃，得到澄清料液；以0.54L/h(60％溶解液/h)流速将澄清料液泵入第一级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为40℃，浆料的平均停留时间控制为0.5h；将第一级结晶釜的浆料泵入到第二级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为25℃，平均停留时间为0.5h；最后将第二级结晶釜浆料注入到离心机内，离心后固体经过真空干燥(70℃、0.05Mpa真空度)2h得到蛋氨酸成品，离心母液经由泵导入返回至溶解釜，循环量控制为60％母液体积。

实施例4

在本实施例中，提供一种蛋氨酸晶体的结晶方法，所述蛋氨酸晶体的结晶方法如图1所示，包括以下步骤：由四个连续结晶釜串联。在2L溶解釜中配备浓度为16％的蛋氨酸料液(加入纯度为95％的0.18kg/h DL-蛋氨酸原料、0.86L/h水和0.22L/h循环母液)，并加热溶解，温度控制为110℃，得到澄清料液；以1.08L/h(60％溶解液/h)流速将澄清料液泵入第一级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为60℃，浆料的平均停留时间控制为0.5h；将第一级结晶釜的浆料泵入到第二级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为40℃，平均停留时间为0.5h；再将第二级结晶釜的浆料泵入到第三级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为25℃，平均停留时间为0.5h；再将第三级结晶釜的浆料泵入到第四级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为15℃，平均停留时间为0.5h；最后将第四级结晶釜浆料注入到离心机内，离心后固体经过真空干燥(40℃、0.1Mpa真空度)12h得到蛋氨酸成品，离心母液经由泵导入返回至溶解釜，循环量控制为20％母液体积。

实施例5

在本实施例中，提供一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，所述蛋氨酸晶体的结晶方法如图2所示，包括以下步骤：由三个连续结晶釜串联。在5L溶解釜中配备浓度为11％的蛋氨酸料液(加入纯度为90％的0.098kg/h DL-蛋氨酸原料、0.32L/h水和0.48L/h循环母液)，并加热溶解，温度控制为90℃，得到澄清料液；以0.8L/h(20％溶解液/h)流速将澄清料液泵入第一级2L结晶釜内，控制结晶釜温度为40℃，浆料的平均停留时间控制为2.0h；将第一级结晶釜的浆料泵入到第二级2L结晶釜内，控制结晶釜温度为25℃，浆料平均停留时间为2.0h；再将第二级结晶釜的浆料泵入到第三级2L结晶釜内，控制结晶釜温度为15℃，浆料平均停留时间为2.0h；最后将第三级结晶釜浆料注入到离心机内，离心后固体经过真空干燥(70℃、0.05Mpa真空度)2h得到蛋氨酸成品，离心母液经由泵导入返回至溶解釜，循环量控制为60％母液体积。

实施例6

在本实施例中，提供一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，所述蛋氨酸晶体的结晶方法如图6所示，包括以下步骤：由两个连续结晶釜串联。在1L溶解釜中配备浓度为5％的蛋氨酸料液(加入纯度为97％的0.0093kg/h DL-蛋氨酸原料、0.144L/h水和0.036L/h循环母液)，并加热溶解，温度控制为80℃，得到澄清料液；以0.18L/h(20％溶解液/h)流速将澄清料液泵入第一级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为25℃，浆料的平均停留时间控制为2.0h；将第一级结晶釜的浆料泵入到第二级1L结晶釜内，控制结晶釜温度为15℃，平均停留时间为2.0h；最后将第二级结晶釜浆料注入到离心机内，离心后固体经过真空干燥(40℃、0.1Mpa真空度)12h得到蛋氨酸成品，离心母液经由泵导入返回至溶解釜，循环量控制为20％母液体积。

对比例

传统浓缩蒸发结晶工艺，使用一个结晶釜，具体步骤如下：向1L结晶釜中配备浓度为5％的蛋氨酸料液(加入纯度为97％的0.041kg DL-蛋氨酸原料和0.80L水)，并加热溶解，温度控制为60℃，得到澄清料液，随后在90℃减压蒸发浓缩结晶，控制真空度为500mmHg，水分蒸发量约为160mL，养晶4.0h，得到蛋氨酸晶浆悬浮液，后固液分离，固体经过真空干燥(40℃、0.1Mpa真空度)12h得到蛋氨酸成品。

图7为本对比例制备得到的蛋氨酸晶体的粉末X-射线衍射图，由图7可知，制备得到的蛋氨酸晶体为β+α混晶。

图8为本对比例中制备的蛋氨酸晶体扫描电镜图，标尺为2mm，由图8可知，间歇法制备得到的蛋氨酸晶体为薄碎片状晶习。

图9为本对比例制备得到的蛋氨酸成品的粒度分布图，由图9可知，晶体粒度呈现双峰分布。

分别对实施例1～6和对比例制备得到蛋氨酸成品进行晶习、粒度、堆密度、流动性以及化学与晶型纯度检测分析，其中，晶习采用扫描或偏光显微镜测定；堆密度采用干燥后成品粉体用机械轻叩容器，直到体积不再变化为止时单位克重的体积；休止角用流动性测定仪测定；粒度使用马尔文激动粒度分析仪测定，D10、D50、D90为粒度分布图中累计分布10％、50％、90％分别所对应的粒径值；晶型纯度采用粉末X-射线衍射仪测定；检测结果汇总如表1所示：

表1

由表1可知，本发明提供的多级连续结晶方法制备的蛋氨酸晶体为具有短棒状晶习的纯β晶型，晶体完整度好、纯度高、粒度均匀、堆密度高、流动性好。由实施例1-6和对比例对比可知，本发明采用特定的蛋氨酸多级连续结晶工艺产品具有较厚的短棒状晶习，堆密度可达0.85g/mL，且休止角可低于26度，显著优于对比试验浓缩蒸发结晶工艺的薄片状晶习、堆密度0.55g/mL、休止角45度，说明本发明的产品充填性和流动性均较好，能缩减过滤、干燥和分装等后处理时间，有利于提高生产效率以及下游后加工的质量与效率；本发明制备的产品均为纯β晶型，化学纯度能够达到99.1％以上，优于对比例。

申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (7)

1.一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，其特征在于，所述结晶方法为以下步骤：

(1)、在循环装置作用下，使用去离子水和循环母液在溶解釜中溶解蛋氨酸原料，溶解釜温度为80～130℃，将溶解料液由泵注入第一级结晶釜；

步骤(1)所述蛋氨酸原料的化学纯度为90％以上；所述溶解料液浓度为15～20％；

(2)、控制第一级结晶釜温度为60～80℃，结晶产生初级晶体，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第二级结晶釜；

(3)、控制第二级结晶釜温度为40～60℃，晶体生长，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第三级结晶釜；

(4)、控制第三级结晶釜温度为25～40℃，晶体进一步生长，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第四级结晶釜；

(5)、控制第四级结晶釜温度为15～25℃，养晶，浆料从结晶釜底部流出；

(6)、将第四级结晶釜的浆料泵入固液分离系统，分离后的固体排出体系，母液由泵返回溶解釜继续循环，循环量为结晶母液体积的20～60％；

所述浆料在每级结晶釜的停留时间为0.5～2.0h；

所述多级连续结晶方法制备得到的蛋氨酸晶体为短棒状晶习，长径比为1:1～1:20。

2.一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，其特征在于，所述结晶方法为以下步骤：

(1)、在循环装置作用下，使用去离子水和循环母液在溶解釜中溶解蛋氨酸原料，溶解釜温度为80～130℃，将溶解料液由泵注入第一级结晶釜；

步骤(1)所述蛋氨酸原料的化学纯度为90％以上；所述溶解料液浓度为10-15％；

(2)、控制第一级结晶釜温度为40～60℃，结晶产生初级晶体，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第二级结晶釜；

(3)、控制第二级结晶釜温度为25～40℃，晶体生长，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第三级结晶釜；

(4)、控制第三级结晶釜温度为15～25℃，养晶，浆料从结晶釜底部流出；

(5)、将第三级结晶釜的浆料泵入固液分离系统，分离后的固体排出体系，母液由泵返回溶解釜继续循环，循环量为结晶母液体积的20～60％；

所述浆料在每级结晶釜的停留时间为0.5～2.0h；

所述多级连续结晶方法制备得到的蛋氨酸晶体为短棒状晶习，长径比为1:1～1:20。

3.一种短棒状蛋氨酸晶体的多级连续结晶方法，其特征在于，所述结晶方法为以下步骤：

(1)、在循环装置作用下，使用去离子水和循环母液在溶解釜中溶解蛋氨酸原料，溶解釜温度为80～130℃，将溶解料液由泵注入第一级结晶釜；

步骤(1)所述蛋氨酸原料的化学纯度为90％以上；所述溶解料液浓度为5-10％；

(2)、控制第一级结晶釜温度为25～40℃，结晶产生初级晶体，浆料从结晶釜底部流出，经由泵进入第二级结晶釜；

(3)、控制第二级结晶釜温度为15～25℃，养晶，浆料从结晶釜底部流出；

(4)、将第二级结晶釜的浆料泵入固液分离系统，分离后的固体排出体系，母液由泵返回溶解釜继续循环，循环量为结晶母液体积的20～60％；

所述浆料在每级结晶釜的停留时间为0.5～2.0h；

所述多级连续结晶方法制备得到的蛋氨酸晶体为短棒状晶习，长径比为1:1～1:20。

4.根据权利要求1-3所述的任一一种结晶方法，其特征在于，步骤(1)所述溶解料液的流速为溶解釜溶液体积的20％-60％/h。

5.根据权利要求1-3所述的任一一种结晶方法，其特征在于，最后一级结晶釜的浆料分离后，得到的固体进行真空干燥；

所述真空干燥的温度为40～70℃；

所述真空干燥的真空度为0.05～0.1MPa；

所述真空干燥的时间为2～12h。

6.根据权利要求1-3所述的任一一种结晶方法，其特征在于，所述固液分离得到的母液进入溶解釜中继续循环，和去离子水共同用于溶解蛋氨酸原料。

7.根据权利要求1-3所述的任一一种方法，所述蛋氨酸为D-蛋氨酸、L-蛋氨酸或DL-蛋氨酸。

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