CN109423610B - 一种蒸镀装置及蒸镀方法 - Google Patents

一种蒸镀装置及蒸镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109423610B
CN109423610B CN201710741658.1A CN201710741658A CN109423610B CN 109423610 B CN109423610 B CN 109423610B CN 201710741658 A CN201710741658 A CN 201710741658A CN 109423610 B CN109423610 B CN 109423610B
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation
substrate
material particles
partition plate
conductive partition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710741658.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109423610A (zh
Inventor
毛波
江昌俊
李俊
哈朗朗
窦义坤
徐阳
栾梦雨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710741658.1A priority Critical patent/CN109423610B/zh
Priority to PCT/CN2018/094458 priority patent/WO2019037546A1/zh
Priority to EP18848720.1A priority patent/EP3675195A4/en
Priority to US16/331,749 priority patent/US11118259B2/en
Publication of CN109423610A publication Critical patent/CN109423610A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109423610B publication Critical patent/CN109423610B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/048Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548Controlling the composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及薄膜制备技术领域,公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法。所述蒸镀装置通过导电隔板将蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,在每一子蒸镀腔内一一对应设置蒸发源,并通过电荷提供模块控制所述导电隔板带电,通过微粒带电模块控制蒸镀材料微粒带电,且所述导电隔板和蒸镀材料微粒带同种电荷,以使蒸镀材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,避免不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,提高蒸镀质量。同时,能够使更多的蒸镀材料微粒蒸镀在基板上,提高材料利用率。而且还能够减小设备的体积,缩短蒸镀工艺的耗时,提高生产效率,降低成本,保证制得基板的性能。利用上述蒸镀装置进行蒸镀的方法也具有上述技术效果。

Description

一种蒸镀装置及蒸镀方法
技术领域
本发明涉及薄膜制备技术领域,特别是涉及一种蒸镀装置及蒸镀方法。
背景技术
目前显示器正在向大型化,超薄化,高分辨率,高亮度,低功耗的方向发展。近年来,有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品,这是因为OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸与柔性的面板及制程简单等特性,而且它还具有低成本的潜力。
一般制作大尺寸OLED需要多种不同的有机发光材料,所以就需要相应数目的蒸发源,传统的OLED有机蒸镀腔室是空间相贯通的大腔室,而这种传统的大腔室有一个弊端,就是在长时间蒸镀过程中,各蒸镀源蒸发的分子会有一定几率在空间中扩散而导致分子间的串扰现象,导致蒸镀到基板上的材料不纯而失效,形成暗点,还会影响OLED的寿命和显示器发光色坐标的偏差。
发明内容
本发明提供一种蒸镀装置及蒸镀方法,用以解决现有的蒸镀装置会造成不同蒸镀材料之间发生串扰的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种蒸镀装置,用于在待蒸镀的基板上蒸镀多个膜层的图形,所述蒸镀装置包括:
蒸镀腔;
设置在所述蒸镀腔内的多个蒸发源,每一蒸发源用于产生蒸镀材料微粒,不同蒸发源产生的蒸镀材料微粒不同;
相邻的两个蒸发源之间设置有导电隔板,所述导电隔板用于将所述蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,所述蒸发源一一对应设置在所述子蒸镀腔中;
电荷提供模块,用于控制所述导电隔板带第一极性的电荷;
每一子蒸镀腔包括微粒带电模块,所述微粒带电模块用于控制蒸发源产生的蒸镀材料微粒带第一极性的电荷,带电的蒸镀材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板上,形成一个膜层的图形。
如上所述的蒸镀装置,其中,所述蒸镀装置还包括:
电场形成模块,用于形成导向电场,所述导向电场用于驱动带电的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上。
如上所述的蒸镀装置,其中,所述电场形成模块包括:
基板带电模块,用于控制待蒸镀的基板带第二极性的电荷,所述导电隔板和所述基板之间形成所述导向电场。
如上所述的蒸镀装置,其中,所述微粒带电模块为离子源。
如上所述的蒸镀装置,其中,所述蒸镀腔内设置有传输装置,所述传输装置沿第一方向传输待蒸镀的基板;
所述多个蒸发源沿第一方向排布,相邻的两个蒸发源之间间隔预设的距离设置;
所述导电隔板在第一方向上将所述蒸镀腔分割成多个子蒸镀腔。
如上所述的蒸镀装置,其中,所述多个蒸发源等间隔设置。
如上所述的蒸镀装置,其中,所述基板为有机电致发光显示基板;
每一蒸发源用于产生能够发出特定颜色光线的发光材料微粒。
本发明实施例中还提供一种利用如上所述的蒸镀装置进行蒸镀的方法,用于在待蒸镀的基板蒸镀多个膜层的图形,所述蒸镀方法包括:
控制导电隔板带第一极性的电荷,所述导电隔板设置在相邻的两个蒸发源之间,将所述蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,所述蒸发源一一对应设置在所述子蒸镀腔中;
控制蒸发源产生蒸镀材料微粒;
控制蒸发源产生的蒸镀材料微粒带第一极性的电荷,带电的蒸镀材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板上,形成一个膜层的图形。
如上所述的蒸镀方法,其中,所述蒸镀方法还包括:
形成导向电场,用于驱动带电的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上。
如上所述的蒸镀方法,其中,形成导向电场的步骤包括:
控制待蒸镀的基板带第二极性的电荷,所述导电隔板和所述基板之间形成所述导向电场。
如上所述的蒸镀方法,其中,所述蒸镀方法还包括:
沿第一方向传输待蒸镀的基板,使每一子蒸镀腔的蒸发源输出的带电的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上。
如上所述的蒸镀方法,其中,所述基板为有机电致发光显示基板;
控制蒸发源产生能够发出特定颜色光线的发光材料微粒;
带电的发光材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板的对应的子像素区域内,形成一个发光层。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,通过导电隔板将蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,在每一子蒸镀腔内一一对应设置蒸发源,并控制所述导电隔板和蒸镀材料微粒带同种电荷,以使蒸镀材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,避免不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,提高蒸镀质量。同时,能够使更多的蒸镀材料微粒蒸镀在基板上,提高材料利用率。而且还能够减小设备的体积,缩短蒸镀工艺的耗时,提高生产效率,降低成本,保证制得基板的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中蒸镀装置的结构示意图;
图2表示本发明实施例中蒸镀装置的一个子蒸镀腔的结构示意图;
图3表示本发明实施例中蒸镀方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
实施例一
结合图1和图2所示,本实施例中提供一种蒸镀装置,用于在待蒸镀的基板2上蒸镀多个膜层的图形。所述蒸镀装置包括:
蒸镀腔1;
设置在蒸镀腔1内的多个蒸发源3,每一蒸发源3用于产生蒸镀材料微粒4,不同蒸发源3产生的蒸镀材料微粒4不同;
相邻的两个蒸发源3之间设置有导电隔板6,导电隔板6用于将蒸镀腔1分割为多个子蒸镀腔100,所述蒸发源3一一对应设置在所述子蒸镀腔100中;
电荷提供模块,用于控制所述导电隔板6带第一极性的电荷;
每一子蒸镀腔100包括微粒带电模块5,微粒带电模块5用于控制蒸发源3产生的蒸镀材料微粒4带第一极性的电荷,带电的蒸镀材料微粒4在导电隔板6的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在基板2上,形成一个膜层的图形。
上述蒸镀装置通过导电隔板将蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,在每一子蒸镀腔内一一对应设置蒸发源,并控制所述导电隔板和蒸镀材料微粒带同种电荷,以使蒸镀材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,避免不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,提高蒸镀质量。同时,还能够使更多的蒸镀材料微粒蒸镀在基板上,提高材料利用率。
另外,本发明的蒸镀装置由于避免了不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,可以缩短不同蒸发源之间的距离,减小设备的体积,缩短蒸镀工艺的耗时,提高生产效率,降低成本。而且导电隔板利用同种电荷间的排斥力来减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,不会对基板上的材料性能,尤其是半导体材料的性能造成影响,保证制得基板的性能。
其中,微粒带电模块5具体可以为离子源,离子源可以选择不同的种类,如:高频离子源、弧放电离子源。
当然,微粒带电模块5也可以采用其他方式使非分子状态的蒸镀材料微粒4带有电荷。
本发明的蒸镀装置适用于在OLED显示基板的不同颜色的子像素区域蒸镀对应的有机发光材料微粒,形成能够发出对应颜色光线的发光层。其中,每一蒸发源用于产生能够发出特定颜色光线的发光材料微粒。通过采用本发明的技术方案,可以避免不同蒸发源产生的发光材料发生串扰,很好地保证大尺寸OLED显示基板的各发光层的均一性和质量,解决OLED显示面板某些区域不发光的问题,降低面板上的暗点数目,提高了产品的寿命和色坐标稳定性。
当然,当本发明的蒸镀装置应用于OLED显示基板的制作时,所述蒸镀装置还可以包括用于产生其它有机材料(如:平坦层)的微粒的蒸发源。
需要说明的是,本发明的蒸镀装置也适用于其它基板的制作,以实现在基板上蒸镀不同的蒸镀材料,形成基板2的不同膜层图形,在此不一一列举。
本实施例中,设置所述蒸镀装置还包括电场形成模块,用于形成导向电场,所述导向电场用于驱动带电的蒸镀材料微粒4蒸镀在基板2上,以使更多的蒸镀材料微粒4蒸镀在基板2上,进一步提高材料利用率。同时,还能够进一步避免不同蒸发源3蒸发的蒸镀材料微粒4发生串扰。
当所述蒸镀装置包括电场形成模块时,具体可以设置所述电场形成模块包括基板带电模块,用于控制待蒸镀的基板2带第二极性的电荷,从而在导电隔板6和基板2之间形成所述导向电场。上述技术方案利用导电隔板带第一极性的电荷,只需控制待蒸镀的基板带第二极性的电荷,即可在所述导电隔板和基板之间形成导向电场,驱动带第一极性电荷的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上,便于实现,无需增加新的结构,简化设备的结构,降低成本。
其中,所述第一极性的电荷可以为正电荷(或负电荷),则所述第二极性的电荷为负电荷(或正电荷)。
具体可以将基板2和导电隔板6分别与一电源的两端连接,来实现基板2和导电隔板6带异种电荷。
容易想到的是,也可以通过形成独立的两个电极来形成所述导向电场。
为了将所有蒸发源3产生的蒸镀材料微粒4依次蒸镀到基板2上,设置蒸镀腔1内设置有传输装置,所述传输装置用于将基板2依次传输至每一子蒸镀腔100,从而使所有蒸发源3产生的蒸镀材料微粒4依次蒸镀到基板2上。
其中,传输装置传输基板的路径与所述多个子蒸镀腔的排布方式相关。
在一个具体的实施方式中,设置多个蒸发源3沿第一方向排布,相邻的两个蒸发源3之间间隔预设的距离设置,导电隔板6在第一方向上将蒸镀腔1分割成多个子蒸镀腔100。
相应地,设置所述传输装置沿第一方向传输待蒸镀的基板2。
上述技术方案利用导电隔板在第一方向上将所述蒸镀腔分割成多个子蒸镀腔1,结构简单。由于本发明的导电隔板利用同种电荷间的排斥力来减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,来避免不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,因此,可以缩短不同蒸发源之间的距离,使得多个蒸发源沿第一方向排布也不会造成设备的长度较大,降低传输装置的损耗,延长其使用寿命。
所述传输装置具体包括沿第一方向延伸的轨道7,基板2可滑动地固定在轨道7上。
其中,多个蒸发源3可以但并不局限于为等间隔设置。
该实施方式中,进一步地,设置所述蒸镀装置还包括电场形成模块,用于形成导向电场,所述导向电场用于驱动带第一极性电荷的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上,以使更多的蒸镀材料微粒蒸镀在基板上,进一步提高材料利用率。
具体的,所述电场形成模块包括基板带电模块,用于控制待蒸镀的基板2带第二极性的电荷,从而在导电隔板6和基板2之间形成导向电场,由于只需控制待蒸镀的基板2带第二极性的电荷,即可在导电隔板6和基板2之间形成导向电场,驱动带第一极性电荷的蒸镀材料微粒4蒸镀在基板2上,便于实现,无需增加新的结构,简化设备的结构,降低成本。
进一步地,所述基板带电模块还用于控制一承载结构带第二极性的电荷,基板2通过所述承载结构可滑动地固定在轨道7上。
当本发明的蒸镀装置应用于OLED显示基板的制作时,待蒸镀的基板2和用于承载基板2的所述承载结构带第二极性电荷的设计除了能够形成所述导向电场,驱动带第一极性电荷的蒸镀材料微粒外,还有减少暗点的作用,具体的原理为:
在蒸镀过程中如果产生导电颗粒,导致OLED的阴极和阳极电性连接,也会形成暗点。而导电颗粒的来源就是待蒸镀的基板在传输过程中所述承载结构与轨道摩擦产生的。
而当待蒸镀的基板2和用于承载基板2的所述承载结构整体带相同的电荷时,摩擦产生的导电颗粒也会与基板2带相同的电荷,受到同种电荷间的排斥力作用,使得导电颗粒难以落到基板上,并且会受到带异种电荷的导电隔板的吸引作用而沉积到导电隔板上,避免摩擦产生的导电颗粒造成的暗点问题。
由于所述承载结构与轨道7摩擦产生静电时,会导致轨道7带电,而轨道7带电会对设备造成一定的影响。因此,需要对轨道7进行绝缘处理,具体可以在轨道7上增加一层绝缘材料,如绝缘陶瓷。
本发明实施例中,所述蒸镀装置的具体工作过程为:
将待蒸镀的基板2、掩膜板(图中未示意)可滑动地固定在轨道7上,其中,掩膜板位于基板2的靠近蒸发源3的一侧,以所述掩膜板为阻挡,蒸发源3产生的蒸镀材料微粒4蒸镀到基板2上的特定区域内,其中,多个蒸发源3沿第一方向排布,设置在相邻两个蒸发源3之间的导电隔板6在第一方向上将蒸镀腔1分割成多个子蒸镀腔100;
将基板2与一电源的负极连接,将导电隔板6与所述电源的正极连接;
沿第一方向传输基板2,使基板依次传输至每一子蒸镀腔100内。
其中,当基板2传输至一子蒸镀腔100内时,打开离子源5,然后控制蒸发源3产生蒸镀材料微粒4,离子源5控制蒸镀材料微粒4带正电荷,带正电荷的蒸镀材料微粒4在导电隔板6同种电荷间的排斥力作用下,以及导电隔板6和基板2之间形成的导向电场的驱动下,蒸镀在基板2上,完成一个所需膜层图形的制作;然后将基板2传输至下一子蒸镀腔100内,重复上述步骤,完成另一个所需膜层图形的制作。直至所有蒸发源3产生的蒸镀材料微粒4蒸镀在基板2的对应区域内,完成所有膜层图形的制作。
实施例二
本实施例中提供一种利用实施例一中的蒸镀装置进行蒸镀的方法,用于在待蒸镀的基板蒸镀多个膜层的图形。结合图1-3所示,所述蒸镀方法包括:
控制导电隔板6带第一极性的电荷,导电隔板6设置在相邻的两个蒸发源3之间,将蒸镀腔1分割为多个子蒸镀腔100,蒸发源3一一对应设置在所述子蒸镀腔100中;
控制蒸发源3产生蒸镀材料微粒4;
控制蒸发源3产生的蒸镀材料微粒4带第一极性的电荷,带电的蒸镀材料微粒4在导电隔板6的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板2上,形成一个膜层的图形。
上述蒸镀方法控制导电隔板和蒸镀材料微粒带同种电荷,所述导电隔板设置在相邻的两个蒸发源之间,将所述蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,利用同种电荷间的排斥力来减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,避免不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,提高蒸镀质量。同时,还能够使更多的蒸镀材料微粒蒸镀在基板上,提高材料利用率。
另外,本发明的蒸镀方法由于避免了不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,可以缩短不同蒸发源之间的距离,减小设备的体积,缩短蒸镀工艺的耗时,提高生产效率,降低成本。而且导电隔板利用同种电荷间的排斥力来减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,不会对基板上的材料性能,尤其是半导体材料的性能造成影响。
本发明的蒸镀方法适用于在OLED显示基板的不同颜色的子像素区域蒸镀对应的有机发光材料微粒,形成能够发出对应颜色光线的发光层。其中,每一蒸发源用于产生能够发出特定颜色光线的发光材料微粒。则,所述蒸镀方法具体为:
控制蒸发源产生能够发出特定颜色光线的发光材料微粒;
带电的发光材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板的对应的子像素区域内,形成一个发光层。
通过采用本发明的蒸镀方法来形成OLED显示基板的不同发光层,能够避免不同蒸发源产生的发光材料发生串扰,很好地保证大尺寸OLED显示基板的各发光层的均一性和质量,解决OLED显示面板某些区域不发光的问题,降低面板上的暗点数目,提高了产品的寿命和色坐标稳定性。
当然,当本发明的蒸镀方法应用于OLED显示基板的制作时,所述蒸镀装置还可以包括用于产生其它有机材料(如:平坦层)的微粒的蒸发源。
需要说明的是,本发明的蒸镀方法也适用于其它基板的制作,以实现在基板上蒸镀不同的蒸镀材料,形成基板的不同膜层图形,在此不一一列举。
本实施例中,所述蒸镀方法还包括:
形成导向电场,用于驱动带电的蒸镀材料微粒4蒸镀在基板2上。
上述蒸镀方法通过形成所述导向电场,能够使更多的蒸镀材料微粒蒸镀在基板上,进一步提高材料利用率。同时,还能够进一步避免不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰。
进一步地,形成导向电场的步骤可以包括:
控制待蒸镀的基板2带第二极性的电荷,导电隔板6和基板2之间形成所述导向电场。
上述步骤通过控制待蒸镀的基板带第二极性的电荷,就可以在所述导电隔板和所述基板之间形成所需的导向电场,以驱动带第一极性电荷的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上,便于实现,无需增加新的结构,简化设备的结构,降低成本。
为了将所有蒸发源产生的蒸镀材料微粒依次蒸镀到所述基板上,设置所述蒸镀方法还包括:
将待蒸镀的基板依次传输至每一子蒸镀腔,使所有蒸发源产生的蒸镀材料微粒依次蒸镀到所述基板上。
其中,待蒸镀的基板的传输路径与所述多个子蒸镀腔的排布方式相关。
在一个具体的实施方式中,所述蒸镀方法还包括:
沿第一方向传输待蒸镀的基板,使每一子蒸镀腔的蒸发源输出的带电的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上。
与上述蒸镀方法对应的结构为:多个蒸发源沿第一方向排布,所述导电隔板在第一方向上将所述蒸镀腔分割成多个子蒸镀腔,而沿第一方向传输待蒸镀的基板在结构上便于实现,并具有结构简单的优点。例如:设置传输装置包括沿第一方向延伸的轨道,待蒸镀的基板可滑动地固定在所述轨道上。
另外,由于本发明的导电隔板利用同种电荷间的排斥力来减小蒸镀材料微粒的蒸镀角,来避免不同蒸发源蒸发的蒸镀材料微粒发生串扰,因此,可以缩短不同蒸发源之间的距离,使得多个蒸发源沿第一方向排布也不会造成设备的长度较大,降低传输装置的损耗,延长其使用寿命。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种蒸镀装置,用于在待蒸镀的基板上蒸镀多个膜层的图形,所述蒸镀装置包括:
蒸镀腔;
设置在所述蒸镀腔内的多个蒸发源,每一蒸发源用于产生蒸镀材料微粒,不同蒸发源产生的蒸镀材料微粒不同;
相邻的两个蒸发源之间设置有导电隔板,所述导电隔板用于将所述蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,所述蒸发源一一对应设置在所述子蒸镀腔中;
电荷提供模块,用于控制所述导电隔板带第一极性的电荷;
每一子蒸镀腔包括微粒带电模块,所述微粒带电模块用于控制蒸发源产生的蒸镀材料微粒带第一极性的电荷,带电的蒸镀材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板上,形成一个膜层的图形;
所述蒸镀腔内设置有传输装置,所述传输装置沿第一方向传输待蒸镀的基板,所述传输装置具体包括沿第一方向延伸的轨道,所述轨道上设置有用于承载所述基板的承载结构,所述承载结构和所述基板带第二极性的电荷,所述第一极性与所述第二极性相反。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述蒸镀装置还包括:
电场形成模块,用于形成导向电场,所述导向电场用于驱动带电的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上。
3.根据权利要求2所述的蒸镀装置,其特征在于,所述电场形成模块包括:
基板带电模块,用于控制待蒸镀的基板带第二极性的电荷,所述导电隔板和所述基板之间形成所述导向电场。
4.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述微粒带电模块为离子源。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述多个蒸发源沿第一方向排布,相邻的两个蒸发源之间间隔预设的距离设置;
所述导电隔板在第一方向上将所述蒸镀腔分割成多个子蒸镀腔。
6.根据权利要求5所述的蒸镀装置,其特征在于,所述多个蒸发源等间隔设置。
7.根据权利要求1-6任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,所述基板为有机电致发光显示基板;
每一蒸发源用于产生能够发出特定颜色光线的发光材料微粒。
8.一种利用权利要求1-7任一项所述的蒸镀装置进行蒸镀的方法,用于在待蒸镀的基板蒸镀多个膜层的图形,其特征在于,所述蒸镀方法包括:
控制导电隔板带第一极性的电荷,所述导电隔板设置在相邻的两个蒸发源之间,将所述蒸镀腔分割为多个子蒸镀腔,所述蒸发源一一对应设置在所述子蒸镀腔中;
控制蒸发源产生蒸镀材料微粒;
控制蒸发源产生的蒸镀材料微粒带第一极性的电荷,带电的蒸镀材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板上,形成一个膜层的图形。
9.根据权利要求8所述的蒸镀方法,其特征在于,所述蒸镀方法还包括:
形成导向电场,用于驱动带电的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上。
10.根据权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于,形成导向电场的步骤包括:
控制待蒸镀的基板带第二极性的电荷,所述导电隔板和所述基板之间形成所述导向电场。
11.根据权利要求8所述的蒸镀方法,其特征在于,所述蒸镀方法还包括:
沿第一方向传输待蒸镀的基板,使每一子蒸镀腔的蒸发源输出的带电的蒸镀材料微粒蒸镀在所述基板上。
12.根据权利要求8-11任一项所述的蒸镀方法,其特征在于,所述基板为有机电致发光显示基板;
控制蒸发源产生能够发出特定颜色光线的发光材料微粒;
带电的发光材料微粒在导电隔板的同种电荷间的排斥力作用下,蒸镀在所述基板的对应的子像素区域内,形成一个发光层。
CN201710741658.1A 2017-08-24 2017-08-24 一种蒸镀装置及蒸镀方法 Active CN109423610B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710741658.1A CN109423610B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 一种蒸镀装置及蒸镀方法
PCT/CN2018/094458 WO2019037546A1 (zh) 2017-08-24 2018-07-04 蒸镀装置及蒸镀方法
EP18848720.1A EP3675195A4 (en) 2017-08-24 2018-07-04 STEAM SEPARATION DEVICE AND STEAM SEPARATION PROCESS
US16/331,749 US11118259B2 (en) 2017-08-24 2018-07-04 Evaporation device and evaporation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710741658.1A CN109423610B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109423610A CN109423610A (zh) 2019-03-05
CN109423610B true CN109423610B (zh) 2020-12-04

Family

ID=65439768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710741658.1A Active CN109423610B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11118259B2 (zh)
EP (1) EP3675195A4 (zh)
CN (1) CN109423610B (zh)
WO (1) WO2019037546A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109837513A (zh) * 2019-04-11 2019-06-04 德淮半导体有限公司 用于物理气相沉积设备的护罩结构及其物理气相沉积设备
CN110004418A (zh) * 2019-04-17 2019-07-12 德淮半导体有限公司 用于物理气相沉积设备的护罩结构以及物理气相沉积设备
CN111267336B (zh) * 2020-01-23 2022-03-29 厦门翔澧工业设计有限公司 一种3d静电纺织方法及其设备
CN113766719A (zh) * 2020-06-04 2021-12-07 山西大学 一种等离子体中带电粒子运动控制装置及方法
CN115612991A (zh) * 2022-12-02 2023-01-17 杭州众能光电科技有限公司 一种等离子和电场协同的薄膜制备设备及制备工艺

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007034944A1 (ja) * 2005-09-26 2007-03-29 Asahi Kasei Chemicals Corporation 酸化亜鉛系透明導電性積層体
CN101016620A (zh) * 2007-03-02 2007-08-15 友达光电股份有限公司 蒸镀设备及其蒸镀源更换方法
CN102369306A (zh) * 2009-03-31 2012-03-07 韩商Snu精密股份有限公司 用于沉积薄膜的装置、方法及系统
CN103700780A (zh) * 2013-12-16 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示材料静电蒸镀方法和装置
CN104157672A (zh) * 2014-07-18 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板预制基板、蒸镀方法、阵列基板、显示装置
CN104241551A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR101530318B1 (ko) * 2014-06-30 2015-06-22 주식회사 선익시스템 증발원 유닛 및 증착 장치
CN104726827A (zh) * 2015-04-10 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置
CN106148893A (zh) * 2016-08-11 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及蒸镀方法、基板
CN106816553A (zh) * 2017-01-18 2017-06-09 昆山国显光电有限公司 有机发光二极管显示器的发光层的蒸镀方法及装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890002747B1 (ko) * 1983-11-07 1989-07-26 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치
JPS60218468A (ja) * 1984-04-16 1985-11-01 Hitachi Ltd 皮膜形成装置
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US6872281B1 (en) 2000-09-28 2005-03-29 Lam Research Corporation Chamber configuration for confining a plasma
JP2004103341A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
AU2003255924A1 (en) 2002-09-25 2004-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of electrostatic deposition
KR100487419B1 (ko) * 2003-02-20 2005-05-04 엘지전자 주식회사 기상 증착 장치
JP5568729B2 (ja) * 2005-09-06 2014-08-13 国立大学法人東北大学 成膜装置および成膜方法
JP2010116591A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Toshiba Mobile Display Co Ltd 蒸着装置及び有機el表示装置の製造方法
US8900743B2 (en) * 2011-10-27 2014-12-02 Sakti3, Inc. Barrier for thin film lithium batteries made on flexible substrates and related methods
JPWO2013132794A1 (ja) * 2012-03-07 2015-07-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 蒸着装置
KR101950836B1 (ko) * 2012-05-22 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
CN203270020U (zh) * 2013-06-09 2013-11-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机镀膜装置
KR102432348B1 (ko) * 2015-12-04 2022-08-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007034944A1 (ja) * 2005-09-26 2007-03-29 Asahi Kasei Chemicals Corporation 酸化亜鉛系透明導電性積層体
CN101016620A (zh) * 2007-03-02 2007-08-15 友达光电股份有限公司 蒸镀设备及其蒸镀源更换方法
CN102369306A (zh) * 2009-03-31 2012-03-07 韩商Snu精密股份有限公司 用于沉积薄膜的装置、方法及系统
CN103700780A (zh) * 2013-12-16 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示材料静电蒸镀方法和装置
KR101530318B1 (ko) * 2014-06-30 2015-06-22 주식회사 선익시스템 증발원 유닛 및 증착 장치
CN104157672A (zh) * 2014-07-18 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板预制基板、蒸镀方法、阵列基板、显示装置
CN104241551A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN104726827A (zh) * 2015-04-10 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置
CN106148893A (zh) * 2016-08-11 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及蒸镀方法、基板
CN106816553A (zh) * 2017-01-18 2017-06-09 昆山国显光电有限公司 有机发光二极管显示器的发光层的蒸镀方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11118259B2 (en) 2021-09-14
CN109423610A (zh) 2019-03-05
EP3675195A1 (en) 2020-07-01
US20190203339A1 (en) 2019-07-04
EP3675195A4 (en) 2021-07-28
WO2019037546A1 (zh) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109423610B (zh) 一种蒸镀装置及蒸镀方法
US10504973B2 (en) OLED display panel and manufacturing method and display device thereof
CN102127748B (zh) 薄膜沉积设备
KR101553942B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 제조장치
CN103160789A (zh) 有机层沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法
US9273390B2 (en) Apparatus and method for coating organic film
CN103474447A (zh) 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置
CN103238374B (zh) 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置
KR101188361B1 (ko) 원료 공급 유닛 및 스퍼터링 장치
KR20110136950A (ko) 다중 증착 방식을 적용한 인라인 증착장치
CN104617223A (zh) 有机发光二极管器件及其制作方法和蒸镀设备
KR100780042B1 (ko) 유기전계 발광 디스플레이 소자 증착장치
JP5535089B2 (ja) 動的な(移動する基板の)プラズマ処理のための線状のプラズマ源
US11349076B2 (en) Display panel, evaporation method of luminous material and equipment
US10103202B2 (en) Organic element
CN109461847B (zh) 有机发光二极管及其制作方法、有机发光二极管装置
KR200310597Y1 (ko) 유기물 증착장치의 기판이송장치
CN103890950A (zh) 用于发光装置图案的改良的掩蔽
KR101901246B1 (ko) 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100780047B1 (ko) 유기전계 발광소자 증착장치용 소스 로테이터
KR20110046853A (ko) 열전사 공정에 이용되는 전사장치 및 그 장치에 의한 열 전사방법
KR102023941B1 (ko) 유기 발광 다이오드 소자용 증착 장치 및 방법
CN100511754C (zh) 有机电致发光设备及其制造方法
CN115505871A (zh) 掩膜版、磁控溅射设备、发光器件、显示面板和显示装置
KR100695236B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 소자 제조 장치 및 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant