CN109416964B - 芯片电阻器 - Google Patents

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Abstract

本公开的目的在于提供一种芯片电阻器，能够降低产生安装不良的可能性。本公开的芯片电阻器具备：绝缘基板(11)；一对第一上表面电极(12)，设置于绝缘基板(11)的上表面的两端部；和电阻体(13)，设置于绝缘基板(11)的上表面且形成于一对第一上表面电极(12)之间。还具备：一对第二上表面电极(14)，形成于一对第一上表面电极(12)的上表面且与电阻体(13)连接；保护膜(15)，设置为覆盖露出的电阻体(13)与一对第二上表面电极(14)的一部分。进而，使电阻体(13)的形成于一对第一上表面电极(12)上的长度比电阻体(13)的形成于一对第一上表面电极(12)之间的部分的长度长，将电阻体(13)的两侧的端部(13a)与绝缘基板(11)的端面(11a)的距离设为100μm以下。

Description

芯片电阻器
技术领域
本公开涉及各种电子设备中使用的由低电阻值的厚膜电阻体形成的小型的芯片电阻器。
背景技术
如图5所示，现有的这种芯片电阻器具备：绝缘基板1；一对第一上表面电极2，设置在该绝缘基板1的上表面的两端部；电阻体3，设置在绝缘基板1的上表面，并且形成在一对第一上表面电极2之间；和一对第二上表面电极4，形成在一对第一上表面电极2的上表面且与电阻体3连接。而且，芯片电阻器具备：保护膜5，设置为覆盖露出的电阻体3和一对第二上表面电极4的一部分；一对端面电极6，以与一对第一上表面电极2电连接的方式设置在绝缘基板1的两端面；和铍层7，形成在一对第二上表面电极4的一部分与一对端面电极6的表面。
另外，作为与该申请的发明相关的在先技术文献信息，例如已知有专利文献1。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-222757号公报
发明内容
在上述现有的芯片电阻器中，由于电阻体3的两侧的端部3a形成于一对第一上表面电极2的上表面端部，因此，电阻体3的两侧的端部3a向上方隆起。此外，由于该电阻体3的向上方隆起的两侧的端部3a与一对第二上表面电极4的相互对置的端部4a重叠，因此，在该重叠的位置，一对第二上表面电极4的端部4a向上方突出。由此，在一对第二上表面电极4的上表面产生倾斜、起伏。此外，其结果是，保护膜5的两端部也向上方突出。因此，在芯片电阻器的上表面产生高低差，在将上表面侧作为安装面进行安装的情况下，存在有可能产生芯片立起等安装不良这样的问题。
本公开是为了解决上述现有的课题而完成的，其目的在于提供一种能够降低产生安装不良的可能性的芯片电阻器。
为了实现上述目的，在本公开所涉及的发明中，使电阻体的形成于一对第一上表面电极上的长度比电阻体的形成于一对第一上表面电极之间的部分的长度长。
本公开的芯片电阻器能够使电阻体的两端部的隆起部分与一对第二上表面电极的两端部的位置分离，因此能够抑制一对第二上表面电极的彼此相对的端部向上方突出。由此，能够使得一对第二上表面电极的端部上表面不产生倾斜、起伏。因此，具有下述优异效果，即，即使在将上表面侧作为安装面进行安装时，电能够降低因芯片电阻器的上表面的高低差而产生的芯片立起等安装不良的可能性。
附图说明
图1是本公开的一个实施方式中的芯片电阻器的剖视图。
图2是表示在上述芯片电阻器中，电阻体的两端部的前端部与绝缘基板的端面的距离t1和一对第二上表面电极的倾斜、起伏的高低差的关系的图。
图3是上述芯片电阻器的主要部位的剖视图。
图4是与上述芯片电阻器不同的芯片电阻器的主要部位的剖视图。
图5是以往的芯片电阻器的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本公开的一个实施方式中的芯片电阻器进行说明。
图1是本发明的一个实施方式中的芯片电阻器的剖视图。
如图1所示，本公开的一个实施方式中的芯片电阻器具有绝缘基板11、一对第一上表面电极12、电阻体13、一对第二上表面电极14、保护膜15、一对端面电极16和镀层17。一对第一上表面电极12分别设置在绝缘基板11的上表面的两端部。电阻体13设置于绝缘基板11的上表面，并且形成于一对第一上表面电极12之间。一对第二上表面电极14分别形成于一对第一上表面电极12各自的上表面，并与电阻体13连接。保护膜15设置为覆盖露出的电阻体13和一对第二上表面电极14的一部分。一对端面电极16以分别与一对第一上表面电极12电连接的方式设置于绝缘基板11的两端面。镀层17形成于一对第二上表面电极14的一部分和一对端面电极16的表面。
此外，电阻体13的形成于一对第一上表面电极12上的长度w2比电阻体13的形成于一对第一上表面电极12之间的部分的长度w1长。此外，将电阻体13的两侧的端部13a的前端部与绝缘基板11的端面11a的距离t1设为100μm以下。
在上述结构中，绝缘基板11由含有96％的Al2O3的氧化铝构成，其形状为矩形。另外，在本实施方式中，绝缘基板11的长度、宽度以及厚度如以下的[表1]所示。
[表1]
长度(μm) 宽度(μm) 厚度(μm)
绝缘基板11 1600 800 500
此外，一对第一上表面电极12设置于绝缘基板11上表面的两端部，通过印刷以及烧制由银、银钯或者铜构成的厚膜材料而形成。另外，也可以在绝缘基板11背面的两端部形成背面电极12a。在图1中，表示了在绝缘基板11背面的两端部形成有背面电极12a的芯片电阻器。另外，图1所示的剖视图是通过包含绝缘基板11的长度方向以及厚度方向的平面剖开的剖视图。另外，作为绝缘基板11的长度可以设为1000μm～2000μm，作为宽度可以设为500μm～1000μm，作为厚度可以设为300μm～500μm。
进而，电阻体13通过在绝缘基板11的上表面且在一对第一上表面电极12之间印刷由银钯、氧化钌或者铜镍构成的厚膜材料后进行烧制而形成。电阻体13的两侧的端部13a位于一对第一上表面电极12的上表面。另外，电阻体13不是棒状，其两侧的端部13a位于绝缘基板11的内侧。
而且，也可以覆盖电阻体13地设置预涂层玻璃等保护玻璃层。进而，也可以在电阻体13上设置电阻值调整用的调整槽(以下，未图示)。
此外，一对第二上表面电极14通过印刷、烧制由银、银钯或者铜构成的厚膜材料而形成。该一对第二上表面电极14形成于未被电阻体13覆盖的第一上表面电极12中的一部分和电阻体13的上表面，并与电阻体13连接。一对第二上表面电极14的相互对置的(朝向内侧的)端部14a被保护膜15覆盖。
而且，保护膜15由玻璃或者环氧树脂构成的厚膜材料设置为覆盖一对第二上表面电极14的一部分与电阻体13。
一对端面电极16设置在绝缘基板11的两端部，通过印刷由Ag和树脂构成的材料而形成，使得与从一对第二上表面电极14露出的一对第一上表面电极12电连接。
进而，在该一对端面电极16的表面形成有由Cu镀层、Ni镀层、Sn镀层构成的镀层17。此时，镀层17以覆盖一对第二上表面电极14的一部分的方式与一对第二上表面电极14连接，并且与保护膜15相接。
(实施例)
以下，对本实施方式的一个实施例进行说明。
在本实施例中，构成第一上表面电极12、电阻体13、第二上表面电极14、保护膜15、端面电极16以及镀层17的材料以及各层的层厚如[表2]所示。另外，关于镀层17表示了Cu层、Ni层以及Sn层各自的厚度。另外，作为绝缘基板11，由含有96％的Al2O3的氧化铝构成，其形状为矩形。绝缘基板11的长度、宽度以及厚度如上述[表1]所示。
[表2]
Figure BDA0001910914230000041
另外，在本实施例中，上述所说明的参数t1、w1以及w2的值如[表3]所示。
[表3]
长度(μm)
t1 100
w1 200～400
w2 500～1000
在此，使电阻体13的两侧的端部13a位于绝缘基板11的端面11a附近，使电阻体13的形成于一对第一上表面电极12上的长度w2，比电阻体13的形成于一对第一上表面电极12之间的部分的长度w1长。进而，将电阻体13的两侧的端部13a的前端部与绝缘基板11的端面11a的距离t1设为100μm以下。此外，w1的尺寸规定电阻值。w2的尺寸优选设为w1的尺寸的1.5倍以上且2.5倍以下。
如上所述，在本实施例中，电阻体13的形成于一对第一上表面电极12上的长度w2，比电阻体13的形成于一对第一上表面电极12之间的部分的长度w1长。此外，使电阻体13的两侧的端部13a与一对第二上表面电极14的相互对置的端部14a彼此的位置分离。因此，能够抑制一对第二上表面电极14的端部14a向上方突出。由此，能够使得一对第二上表面电极14的上表面不产生倾斜、起伏。因此，能够得到如下效果，即，即使在将上表面侧作为安装面进行安装时，也能够降低由倾斜、起伏的高低差而产生芯片立起等安装不良的可能性。
即，电阻体13的形成于一对第一上表面电极12上的长度w2比电阻体13的形成于一对第一上表面电极12之间的部分的长度w1长。因此，电阻体13的两侧的端部13a接近绝缘基板11的端面11a，并且电阻体13的两侧的端部13a与一对第一上表面电极12的上表面端部分离。由此，电阻体13的两侧的端部13a不向上方隆起，因此，一对第二上表面电极14的上表面平坦而倾斜、起伏的高低差变小。其结果是，一对第二上表面电极14的上表面的镀层17的上表面的倾斜、起伏也变小。此外，由于保护膜15的两端部也不向上方突出，因此，芯片电阻器的上表面水平(平坦)，能够抑制由芯片电阻器的上表面的高低差而产生的芯片立起等安装不良。
另一方面，如现有结构那样，在电阻体13的两侧的端部13a与绝缘基板11的端面11a分离、且电阻体13的两侧的端部13a接近一对第一上表面电极12的上表面端部的情况下，电阻体13的两侧的端部13a向上方隆起。由此，以沿着该隆起的形状的方式，一对第二上表面电极14的表面随着接近保护膜15而倾斜。其结果是，一对第二上表面电极14的上表面的镀层17的上表面的倾斜、起伏也变大。此外，由于保护膜15的两端部也向上方突出，因此，芯片电阻器的上表面不平坦，存在由芯片电阻器的上表面的倾斜、起伏的高低差而产生的芯片立起等安装不良的可能性。
在此，在本公开的电阻器中，优选使电阻体13的两侧的端部13a的前端部与绝缘基板11的端面11a的距离t1接近至100μm以下。
图2是表示在[表1]所示的1608尺寸的芯片电阻器中，电阻体13的两侧的端部13a的前端部与绝缘基板11的端面的距离t1和一对第二上表面电极14的上表面的倾斜、起伏的高低差的尺寸的关系的图。
此时，测定了距绝缘基板11的端面11a为100μm的一对第二上表面电极14的上表面(图3、图4的点A)、与一对第二上表面电极14和保护膜15的接触部处的上表面(图3、图4的点B)的高低差的尺寸。另外，保护膜15的长度不变。
由图2可知以下内容。即，使电阻体13的两侧的端部13a靠近绝缘基板11的端面11a，直至电阻体13的两侧的端部13a的前端部与绝缘基板11的端面11a的距离t1为100μm以下(绝缘基板11的长度的6％以下)。而且，使电阻体13的两侧的端部13a与一对第二上表面电极14的相互对置的端部14a彼此的位置分离。可知由此而高低差变小。
如本公开的电阻器那样，在距离t1为100μm以下的情况下，如图3所示，电阻体13的两侧的端部13a与一对第一上表面电极12的上表面端部分离，电阻体13的两侧的端部13a不会向上方隆起。由此，一对第二上表面电极14的上表面水平，倾斜，高低差小。另外，更优选将距离t1设为50μm以下。
相反，如图4所示，如果使距离t1大于100μm，则电阻体13的两侧的端部13a接近一对第一上表面电极12的上表面端部，由此，电阻体13的两侧的端部13a向上方隆起。以沿该隆起的形状的方式，一对第二上表面电极14的上表面随着接近保护膜15而倾斜，高低差变大。另外，在图3、图4中，为了简化说明，省略了一对端面电极16、镀层17。在图3、图4中，将从绝缘基板11的端面11a到保护膜15的距离设为200μm。若距离t1超过200μm，则电阻体13的两侧的端部13a的前端部比保护膜15靠内侧，因此，会在一对第二上表面电极14与电阻体13的两侧的端部13a之间形成保护膜15。由此，倾斜被吸收，高低差的大小不会变大。
在此，电阻体13的两侧的端部13a的前端部与绝缘基板11的端面11a的距离t1的下限考虑印刷精度、分割精度而决定，例如设为5μm。
产业上的可利用性
本公开所涉及的芯片电阻器具有能够降低产生安装不良的可能性这样的效果，特别是在各种电子设备中使用的由低电阻值的厚膜电阻体形成的小型的芯片电阻器等中是有用的。
符号说明
11 绝缘基板
11a 端面
12 第一上表面电极
13 电阻体
13a 端部
14 第二上表面电极
14a 端部
15 保护膜

Claims (2)

1.一种芯片电阻器，具备：
绝缘基板；
一对第一上表面电极，设置于所述绝缘基板的上表面的两端部；
电阻体，设置于所述绝缘基板的上表面，包括存在于所述一对第一上表面电极之间的部分和存在于所述一对第一上表面电极上的部分；
一对第二上表面电极，设置于所述一对第一上表面电极的上表面，并且设置于所述电阻体的两端部；和
保护膜，设置为覆盖所述电阻体的存在于所述一对第二上表面电极之间的部分和所述一对第二上表面电极的一部分，
使所述电阻体的存在于所述一对第一上表面电极上的部分的长度比所述电阻体的存在于所述一对第一上表面电极之间的部分的长度长，使所述电阻体的两端部的隆起部分与所述一对第二上表面电极的两端部的位置分离。
2.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其中，
将所述电阻体的两端部的前端部与所述绝缘基板的端面的距离设为100μm以下。
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