CN109324435A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开的一些实施例提供一种显示装置，其包括多个像素，该多个像素的其中一个像素包括色转换层。该多个像素亦包括介电层，设置于色转换层上。其中，介电层的折射率小于色转换层的折射率。

Description

显示装置
技术领域
本公开是有关于显示装置，且特别是有关于一种高穿透或广色域的显示装置。
背景技术
随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、行动电话、或智慧型手机等现代化信息设备，而显示装置不断朝着轻薄、短小、高亮度、高色度、或时尚化方向发展。而此显示装置例如包括发光二极管显示装置。
现今显示装置产业皆朝大量生产的趋势迈进，任何显示装置的生产成本或制程步骤的减少皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的显示装置并非各方面皆令人满意。
因此，业界仍须一种可更进一步提升显示品质(包含亮度或色域)或降低制造成本或制程复杂性的显示装置。
发明内容
本公开的一些实施例提供一种显示装置，其包括多个像素，这些像素的其中一个像素包括色转换层。这些像素亦包括介电层，介电层设置于色转换层上。其中，介电层的折射率小于色转换层的折射率。
本公开的一些实施例提供一种显示装置，其包括多个像素，这些像素的其中一个像素包括第一色转换层以及设置于第一色转换层上的第一滤光层。其中，第一滤光层为第一黄色滤光层，第一色转换层为红色色转换层。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1为根据本公开的一些实施例的显示装置的剖面示意图；
图2为根据本公开的一些实施例的发光二极管的剖面示意图；
图3为根据一些实施例，说明光线通过红、绿、黄色滤光层后的穿透率对应波长的附图；
图4为根据本公开的一些实施例的显示装置的剖面示意图；
图5为根据本公开的一些实施例的显示装置的剖面示意图；
图6为根据本公开的一些实施例，如图5所示的液晶基板的剖面示意图；
图7～17为根据本公开的一些实施例的显示装置的剖面示意图；
图18A-18B为根据本公开的一些实施例，在间隔层之间形成层膜的制程的剖面示意图；
图19A-19C为根据本公开的一些实施例，在间隔层之间形成材料层的制程的剖面示意图；
图20A-20B为根据本公开的一些实施例，在间隔层之间形成材料层的制程的剖面示意图。
符号说明：
100A-100N～显示装置
102～基板
104～遮光层
106～蓝色滤光层
108～蓝色色转换层
110～黄色滤光层
112～绿色色转换层
114～黄色滤光层
116～红色色转换层
118～粘着层
120～遮光层
122～发光二极管
123～填充物
124～半导体层
126～发光层
128～半导体层
130～导电垫
132～导电垫
134～保护层
136～导电层
137～基板
138～填充层
140～液晶显示元件
142～第一元件层
144～显示层
146～第二元件层
148～介电层
150～绿色滤光层
152～红色滤光层
154～框胶层
156～间隔元件
158～空气
160～短波长滤光层
200～基板
202～间隔层
204～材料层
206～底部层
208～等离子制程
210～间隔结构
400～喷嘴
402～喷涂材料
具体实施方式
以下针对本公开一些实施例的元件基板、显示装置及显示装置的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本公开的不同样态的显示装置。以下所述的元件或元件排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例，仅用以举例而非本公开的限定。在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，仅为了简单叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。当上述的一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，可能包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，第一材料层与第二材料层间亦可能间隔有一或更多其它材料层，此时第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
此外实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。
在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。
本公开一些实施例可配合附图一并理解，本公开实施例的附图亦被视为本公开实施例说明的一部分。需了解的是，本公开实施例的附图并未以实际装置或元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本公开实施例的特征。此外附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本公开实施例的特征。
在本公开一些实施例中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅为了方便说明之用，并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
值得注意的是，在后文中“基板”一词可包括基板上已形成的元件或覆盖在基底上的各种膜层，例如其上方可以已形成任何所需的多个有源元件(晶体管元件)，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示之。
本公开的这些实施例所叙述的一结构的厚度，表示删除离群值(outlier)之后该结构的厚度平均值。离群值可以是边缘、明显微型凹槽或明显微型凸起区域的厚度。删除这些离群值后，该结构绝大部分的厚度值皆位于该厚度平均值正负三个标准差的范围之内。
参阅图1为根据本公开的一些实施例的显示装置100A的剖面示意图。显示装置100A包括蓝色像素B、绿色像素G、及红色像素R，此些像素可分别发出不同波长的光。在一些实施例，显示装置100A可包括其他像素，例如红外线像素或白色像素，在此不做限制。
在一些实施例，显示装置100A包括基板102，基板102可例如作为显示装置100A的保护元件或封装元件，用来防止滤光层、介电层、色转换层或显示层等材料层或元件受到物理性或化学性的损害。基板102可例如为一透明基板，例如玻璃、陶瓷、塑胶或其它任何适合的基板，但不限于此。基板102例如可包含磷硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass，PSG)、硼磷硅玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或高介电常数(high dielectric constant)的介电材料，或上述的组合，但不限于此。此高介电常数的介电材料可为金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物，或上述的组合，但不限于此。
在一些实施例，显示装置100A包括遮光层104，遮光层104设置在基板102上，且对应设置于相邻的两个像素之间。如图1所示，具图样化的遮光层104定义出多个开口，此些开口可区分或定义出不同的像素，例如蓝色像素B、绿色像素G或红色像素R。此外，遮光层104可例如用以遮蔽显示装置100A中不需用以显示颜色的区域或元件，例如用以遮蔽扫描线、资料线、或薄膜晶体管等。此遮光层104的材料可例如为黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色树脂或其它适合的遮光材料。遮光材料例如可以阻止光的穿透，但不限于光的吸收，也可以是具有高反射特性的遮光材料，例如为白色且具反射特性的材料，或者不限于为单一种材料。在一些实施例中，遮光层104可例如是外围包覆着具有高反射特性的材料(例如金属或白色油墨)或高吸光特性的材料(例如黑色油墨、或黑色光阻)，但中间层为透明或其他材料等的多层材料结构，但不限于此。
在一些实施例，如图1所示，在每一个像素(例如蓝色像素B、绿色像素G、红色像素R)内可分别包括色转换层或滤光层。例如，蓝色滤光层106和设置在蓝色滤光层106上的蓝色色转换层108对应形成在蓝色像素B中、黄色滤光层110和设置在黄色滤光层110上的绿色色转换层112对应形成在绿色像素G中、且黄色滤光层114和设置在黄色滤光层114上的红色色转换层116对应形成在红色像素R中。
滤光层可以让特定波长的光线通过。例如，蓝色滤光层可以让波长介于约400nm-500nm的光通过、绿色滤光层可以让波长介于约500nm-570nm的光通过、红色滤光层可以让波长介于约620nm-750nm的光通过，但上述的滤光层与其对应可通过的光波长范围仅为举例，并不为此案的限制。
在一些实施例，如图1所示，在对应绿色像素G或红色像素R中可分别设置黄色滤光层110和黄色滤光层114。黄色滤光层110和黄色滤光层114可例如为相同或不同的制程所制造而成。也就是说，当黄色滤光层110和黄色滤光层114为不同的制程所制造，黄色滤光层110和黄色滤光114的厚度可以不相同。参阅图3，图3是根据一些实施例，说明光线分别通过红、绿、黄色滤光层后的光穿透率对波长的附图。波段302代表通过黄色滤光层后的光，其对应不同波长下的穿透率光谱、波段304代表通过绿色滤光层后的光，其对应不同波长下的穿透率的光谱、波段306代表通过红色滤光层后的光，其对应不同波长下的穿透率光谱。如图3所示，黄色滤光层对于波长介于约500-780nm范围内的光穿透率大于95％。绿色滤光层对于波长介于约500-570nm范围内的光穿透率小于黄色滤光层的穿透率，因此，使用黄色滤光层代替绿色滤光层有助于提升绿色像素G的出光效率。
并且，如图3所示，通过黄色滤光层的光，其在波长介于约620-750nm的范围内的光穿透率大致上等于通过红色滤光层的光穿透率，于波长介于620-750nm的范围内的光穿透率大多维持于95％。因此，黄色滤光层可以替代红色滤光层。透过在绿色像素G和红色像素R中设置黄色滤光层，可提升出光效率，也可以简化形成显示装置100A的制程步骤(例如以一道黄色滤光层的制程取代红色滤光层与绿色滤光层)，降低制造成本或制作工时。
在一些实施例，如图1所示，蓝色色转换层108对应形成在蓝色像素B中、绿色色转换层112对应形成在绿色像素G中，且红色色转换层116对应形成在红色像素R中。蓝色色转换层108、绿色色转换层112和红色色转换层116可例如包含量子点薄膜、萤光材料、或其它的光转换材料。举例来说，蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116的材料可包含混入或掺杂量子点(quantum dot)的有机层或无机层。量子点可包含有锌、镉、硒、硫、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)或上述的组合，在此不做限制。此量子点的粒径例如约介于1nm至30nm范围间。当不同粒径的量子点被光激发，可转换而产生具有不同波长的光。例如粒径小的量子点可以激发出偏短波长的光(例如蓝光)，粒径大的量子点可以激发出偏长波长的光(例如红光)，故可借由调整量子点的粒径大小来产生具不同波长的光，达到广色域的效果。举例来说，可透过混入或掺杂有第一粒径的量子点的蓝色色转换层108被激发后会产生蓝光、混入或掺杂有第二粒径的量子点的绿色色转换层112被激发后会产生绿光，及混入或掺杂有第三粒径的量子点的红色色转换层116被激发后会产生红光。在其他实施例,色转换层材料亦可为混入或掺杂有钙钛矿(Perovskite)的有机层或无机层，在此不做限制。在其他实施例，色转换层材料可为萤光材料，例如可以吸收部分短波长范围的光，并激发出较长波长的光，在此不做限制。
此外，在一些实施例，显示装置100A更包括色转换提升层(未绘示)。色转换提升层可例如设置于滤光层与色转换层之间。色转换提升层可例如为反射蓝光的材料，其可将未被激发的蓝光分别反射回蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116，如此可以使还未被完全转换的蓝光再经由蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116激发，提高光的转换效率。
如图1所示，显示装置100A包含粘着层118。粘着层118可例如用以粘着发光单元或具有发光显示层的基板。粘着层118的材料可包含光学透明胶(Optical Clear Adhesive，OCA)、光学透明树脂(Optical Clear Resin，OCR)或其他合适的透明粘着材料，或上述材料的组合，但不限于此。
如图1所示，显示装置100A包括遮光层120。遮光层120与遮光层104可大致上相互重叠。举例来说，遮光层120与遮光层104可以完全重叠或部分重叠。遮光层120可定义出多个开口，至少一发光二极管122例如对应设置于开口中。在一些实施例，遮光层120的材料与遮光层104的材料可以相同或相似。在一些实施例，遮光层120的材料与遮光层104的材料可以不相同，在此不做限制。在一些实施例，从剖面图来看，遮光层120的形状可以为梯形、矩形、弧边形、其他合适的形状或上述的组合，但不限于此。
在一些实施例，如图1所示，显示装置100A包括发光二极管122及基板137。在一些实施例中，发光二极管122可包括量子点(quantum dot，QD)、萤光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、发光二极管(light-emitting diode，LED)、微型发光二极管(microlight-emitting diode或mini light-emitting diode)或其他显示介质，但本公开并不以此为限。一些实施例中，发光二极管的芯片尺寸约为300微米(μm)到10毫米(mm)，微型发光二极管(mini LED)的芯片尺寸约为100微米(μm)到300微米(μm)，微型发光二极管(microLED)的芯片尺寸约为1微米(μm)到100微米(μm)，但本公开并不以此为限。在其他实施例中，发光二极管122可包括有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)，而显示装置100A的结构可做适当调整，本公开并不以此为限。
如图1所示，发光二极管122可以分别对应设置在蓝色像素B、绿色像素G或红色像素R中，如图1所示发光二极管122对应设置于遮光层120所区分或定义出的开口中。发光二极管122可以经由导电层136与基板137电性连接。在一些实施例，导电层136可以为焊接的材料。此外，填充物123可设置于基板137与粘着层118之间。在一些实施例，填充物123可例如为透明材料，但不限于此。基板137内可含有许多电路(未绘示)，上述电路包含例如薄膜晶体管或其他元件。
参阅图2，图2为根据本公开的一些实施例的发光二极管122的剖面示意图。如图2所示，在一些实施例，发光二极管122可包含半导体层124、发光层126及半导体层128。半导体层124及半导体层128可分别与导电垫130和导电垫132连接。半导体层124及半导体层128可例如为元素半导体，包括非晶硅(amorphous-Si)、多晶硅(poly-Si)、锗；化合物半导体，包括氮化镓(gallium nitride，GaN)、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟或锑化铟；合金半导体，包括硅锗合金(SiGe)、磷砷镓合金(GaAsP)、砷铝镓合金(Al GaAs)、砷铟镓合金(GaInAs)、或磷铟镓合金(GaInP)或；金属氧化物，包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)；有机半导体，包括多环芳族化合物，或上述材料的组合，且不限于此。
如图2所示，发光层126设置于半导体层124及半导体层128之间。发光层126可例如包含同质接面(homojunction)、异质接面(heterojunction)、单一量子井(single-quantumwell,SQW)、多重量子井(multiple-quantum well,MQW)或其它类似结构。在一些实施例，发光层126包含未掺杂的n型InxGa(1-x)N。在其它实施例中，发光层126可包含例如AlxInyGa(1-x-y)N的其它常用的材料。另外，发光层126可例如包含多重井层(例如InGaN)和阻障层(例如GaN)交错排列的多重量子井结构。再者，发光层126的形成方式可包含金属有机物化学气相沉积法(metal organic chmical vapor deposition，MOCVD)、分子束磊晶法(molecular beam epitaxy，MBE)、氢化物气相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy，HVPE)、液相磊晶法(liquid phase epitaxy，LPE)或其它适当的化学气相沉积法方式，在此不做限制。
如图2所示，保护层134例如可设置于半导体层124、发光层126、半导体层128或一部分的导电垫130和132的侧边上。在一些实施例，保护层134可例如为具有反射特性或具有吸收光线特性的材料，但不限于此。当保护层134为具反射特性的材料时，可包括为布拉格反射层(distributed Bragg reflector，DBR)的多层介电薄膜、混合层材料(例如介电层-金属层-介电层层叠的三层材料结构)、或全方向反射结构(Omni-Directional reflector，ODR)，但不限于此。当保护层134为具吸收光线特性的材料时，保护层134可例如为光阻材料(例如白色光阻或黑色光阻)。需注意的是，因需避免保护层134与其他金属层间造成短路现象，故保护层134的至少一层为非导电性材料，例如与导电垫130和导电垫132接触的表层为非导电层材料。在一些实施例，保护层134的外表层例如为非导电性材料。
如图2所示，导电垫130邻接于半导体层128设置，且导电垫132邻接于半导体层124设置。导电垫130和导电垫132的材料可包含铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。
此外，如图2所示，发光二极管122包含导电层136。导电层136可例如用来电性连接发光二极管122或其它具有电子元件或电路的基板(未绘示)。导电层136可例如为低熔点的合金材料。在一些实施例，导电层136可如为熔点小于300℃的共晶材料，例如锡铟合金、锡锌合金、锡银合金、金铟合金、金锡合金或其他适合的材料。在一些实施例，导电层136可为多层的堆叠结构，例如：铜/镍/金或铜/镍/钯/金等结构，在此不做限制。
在一些实施例，发光二极管122可使用覆晶(flip-chip)技术形成。此外，发光二极管122可为横向(Lateral)结构或垂直(Vertical)结构，在此不做限制。当为横向结构的发光二极管时，发光二极管的两个电极例如设置于发光二极管的同一侧上。当为垂直结构的发光二极管时，发光二极管的两个电极例如分别设置在发光二极管的两侧上。
上述具有电子元件的基板是包含与发光单元电性连接的集成电路基板，此集成电路例如为微处理器、记忆元件及/或其它元件。集成电路也可包含不同的被动和有源元件，例如电阻器、或其它类型电容器，在此不做限制。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图4为根据一些实施例的显示装置100B的剖面示意图。显示装置100B可与如上所述的显示装置100A相似，其中差异为显示装置100B的对应蓝色像素B中使用填充层138来取代蓝色色转换层108。在一些实施例，发光二极管122可以发出蓝光，故蓝色色转换层108可以例如被填充层138所取代，填充层138的材料可例如具有高折射率或高扩散性的材料。填充层138的材料可例如包含硅胶、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或其它适合的复合型材料，且不限于此。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图5为根据一些实施例的显示装置100C的剖面示意图。显示装置100C可与如上所述的显示装置100A相似，其中的差异为设置在粘着层118下设置的是液晶显示元件140。而在一些实施例，甚至可不需设置粘着层118，在此不做限制。
在一些实施例，液晶显示元件140为包含LCD(liquid crystal display)的元件。参阅图6为根据一些实施例的液晶显示元件140的剖面示意图。液晶显示元件140至少包含第一元件层142、显示层144及第二元件层146。在其他实施例，液晶显示元件140可包含其他元件。在一些实施例，第一元件层142可包含上偏光层(未绘示)、上偏光层可例如透过纳米压印(nano imprinting)方式制作而构成的金属周期性纳米结构，但不限于此，此上偏光层为制作面板内(In cell polarizer)。其中，纳米压印(nano imprinting)可例如透过热塑性纳米压印光刻(Thermoplastic nanoimprint lithography)、无抗蚀剂直接热纳米压印光刻(Resist-free direct thermal nanoimprint lithography)、或UV光纳米压印光刻(photo nanoimprint lithography)等方式，但不限于此。
在一些实施例，显示层144设置在第一元件层142与第二元件层146之间，第一元件层142与第二元件层146包含一些电路或配向层(polyimide layer)等(未绘示)，可借由控制显示层144内的液晶分子的排列状态不同，对光线具有不同的偏振或折射特性来控制光线的穿透量，达到不同灰度的状况。显示层144可搭配电极的结构设计或配向层的配向方式，使显示层144可应用于不同的液晶模式上，例如为扭转向列(Twisted Nematic，TN)型液晶、超扭转向列(Super Twisted Nematic，STN)型液晶、垂直配向(Vertical Alignment，VA)型液晶、水平电场效应(In-Plane Switching，IPS)型液晶、胆固醇(Cholesteric)型液晶、蓝相(Blue Phase)型液晶、边际电场效应(FFS)型液晶、或其它任何适合的液晶。
在一些实施例，第二元件层146包含下偏光层(未绘示)，其中显示层144可例如设置在上偏光层与下偏光层之间。下偏光层可例如包括保护膜、三醋酸纤维TAC(Tri-acetatecellulose)、聚乙烯醇PVA(Polyvinyl alcohol)、三醋酸纤维素TAC(Tri-acetatecellulose)、感压胶(PSA)、离型膜等结构，偏光基体的聚乙烯醇PVA在两侧贴上三醋酸纤维素TAC所组成的透明基板，作为支撑或保护偏光基体或防止偏光基体回缩，但不以此为限。下偏光层为直接与第二元件层146的基板(未绘示)粘贴即可。透过显示层144的液晶分子的排列，并搭配上偏光层与下偏光层的穿透轴配置方式来控制光线的穿透量。而于第二元件层146下可更设置一背光源模块(未绘示)。
在一些实施例，第二元件层146可例如包含薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。电极的材料可为铜、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛、上述的合金，或铟锡氧化物(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、上述的组合或其它任何适合的透明导电氧化物材料，且不限于此。
第二元件层146可例如包含基板，基板可例如为一玻璃基板、一塑胶基板或其他合适的基板。基板的材质可例如包括玻璃、石英、有机聚合物、无机聚合物或金属等等。基板的材质包含二氧化硅、磷硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass，PSG)、低介电常数介电材料或其他适合的介电材料。低介电常数介电材料包含氟化石英玻璃(fluorinated silicaglass，FSG)、碳掺杂氧化硅(carbon doped silicon oxide)、聚对二甲苯(parylene)、聚亚酰胺(polyimide)、上述组合或其它适合的材料，且不限于此。在一些实施例，第二元件层可例如包含栅极驱动电路、资料驱动电路、解多工器或其他元件，且不限于此。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图7为根据一些实施例的显示装置100D的剖面示意图。显示装置100D可与如上所述的显示装置100A相似，其中的差异为显示装置100D更包含了介电层148。在一些实施例，介电层148可对应设置在色转换层与滤光层之间。例如，在对应蓝色像素B中，介电层148设置于蓝色滤光层106与蓝色色转换层108之间。同理，介电层148也可对应设置在色像素G或色像素B中。在一些实施例，介电层148的折射率小于色转换层的折射率。在一些实施例，介电层148的折射率小于滤光层的折射率。在一些实施例，介电层148的折射率(n1)与色转换层的折射率(n2)或色转换层的折射率(n3)的差异约大于或等于0.05，且小于或等于1(0.05≦n2-n1≦1；0.05≦n3-n1≦1)。例如，蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116的折射率与介电层148的折射率之间的差异分别约大于或等于0.05，且小于或等于1。
在滤光层与色转换层间设置一个折射率小于滤光层及/或色转换的介电材料，可以提高光被转回至色转换层后再次被激发转换的机会，进而提升光的色转换效率。在一些实施例，介电层148可包含铝镓氮化物(AlGaN)、氮化镓(GaN)、二氧化硅(SiO2)、光学树脂、环氧树脂(epoxy)、硅氧树脂(silicone)、且不限于此。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图7所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。在一些实施例，如图7所示的遮光层120、及发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。而当为液晶显示元件140的实施例时，粘着层118可以省略，但不做限制。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图8为根据一些实施例的显示装置100E的剖面示意图。显示装置100E可与如上所述的显示装置100D相似，其中的差异为对应设置于绿色像素G中的黄色滤光层110被绿色滤光层150所取代，而对应设置于红色像素R中的黄色滤光层114被红色滤光层152所取代。如上所述，将介电层设置于滤光层与色转换层之间，可提高光的色转换效率。此时，可透过在对应绿色像素G中设置绿色滤光层，且对应在红色像素R中设置红色滤光层来提高色彩的色纯度。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图8所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。在一些实施例，图8所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图9，图9为根据一些实施例的显示装置100F的剖面示意图。显示装置100F可与如上所述的显示装置100D相似，其中的差异为介电层148更可设置在遮光层104与遮光层120之间。如图9所示，在一些实施例，色转换层(例如蓝色色转换层108、绿色色转换层112及红色色转换层116)可例如设置于发光二极管122上，色转换层(例如蓝色色转换层108、绿色色转换层112及红色色转换层116)可与发光二极管122接触，且透过介电层148分别将蓝色滤光层106与蓝色色转换层108隔开、或黄色滤光层110与绿色色转换层112隔开、或黄色滤光层114与红色色转换层116隔开。在此实施例，介电层148例如可形成如一整面的层结构，介电层148设置在遮光层120、蓝色色转换层108、绿色色转换层112及红色色转换层116的表面上，不须透过遮光层120或遮光层104将介电层148分别隔开，此种方式的介电层148可不需做图样化的制程，或可省略粘着层118，使制作更简易或降低成本。而此实施的制作方式，例如可以将介电层148设置于已形成蓝色滤光层106、黄色滤光层110、黄色滤光层114、及遮光层104的基板102上，后续再与设置有发光二极管122(发光二极管122上已分别设置蓝色色转换层108、绿色色转换层112及红色色转换层116)的基板137做组装，在此并不限制显示装置的制作流程顺序。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图9所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。在一些实施例，如图9所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图10为根据一些实施例的显示装置100G的剖面示意图。显示装置100G可与如上所述的显示装置100F相似，其中的差异为对应设置于绿色像素G中的黄色滤光层110被绿色滤光层150所取代，对应设置于红色像素R中的黄色滤光层114被红色滤光层152取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图10所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138所取代，此时对应蓝色像素B中的介电层148可以不需要设置。也就是说，介电层148例如只对应设置于绿色像素G与红色像素R中。在其它实施例，填充层138的材料可选用与介电层148相同或相似的材料。填充层138的材料可选用与介电层148不同折射率的材料。在一些实施例，如图10所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图11为根据一些实施例的显示装置100H的剖面示意图。显示装置100H可与如上所述的显示装置100G相似，其中的差异为介电层148可以被间隔元件156和空气(或真空层)158所取代。在其它实施例，介电层148可以被间隔元件156、间隔层154、和空气(或真空层)158所取代。如图11所示，可以将间隔元件156设置于遮光层104与遮光层120之间。间隔元件156例如为间隙控制材料(PhotoSpacer)，间隔元件156可包含玻璃、陶瓷、塑胶或其它任何适合的透明或非透明材料，在此不做限制。在一些实施例，间隔元件156的材料也可与遮光层104相似或相同相同。在一些实施例，间隔元件156于基板102法线方向上可以为大致上与遮光层104或遮光层120重叠。在一些实施例，间隔元件156剖面可例如为梯形、圆形、弧形或是矩形(正方或是长方形)的轮廓结构，在此不做限制。框胶层154可设置于间隔元件156外围，用以将多组绿色像素G、红色像素R及蓝色像素B做隔开或是封装，在此不做限制。遮光层104与遮光层120可例如用以遮蔽显示装置100H中并非用来显示颜色的区域或元件，例如用来遮蔽扫描线(未绘示)、资料线(未绘示)或薄膜电晶(未绘示)等。
此外，于一些实施例中，色转换层(例如蓝色色转换层108、绿色色转换层112和红色色转换层116)和滤光层(例如蓝色滤光层106、黄色滤光层110及黄色滤光层114)之间可更具有空气158。在滤光层与色转换层之间设置一层折射率较低的空气158(空气158的折射率约等于1)，可以提高光被转回至光转换层，并经过光转换层后被再激发转换的机会。此外，可以省略设置低折射率材料的制程或成本，达到更高的经济或工时效益。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图11所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。在一些实施例，如图11所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图12，图12为根据一些实施例的显示装置100I的剖面示意图。显示装置100I可与如上所述的显示装置100H相似，其中的差异为对应设置于绿色像素G中的黄色滤光层110被绿色滤光层150所取代，而对应设置于红色像素R中的黄色滤光层114被红色滤光层152所取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图12所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。在一些实施例，如图12所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图13为根据一些实施例的显示装置100J的剖面示意图。显示装置100J可与如上所述的显示装置100D相似，其中的差异为滤光层并未对应设置在蓝色像素B、绿色像素G、或红色像素R中。在此实施例，介电层148可直接与基板102接触。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图13所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138所取代。在一些实施例，如图13所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图14为根据一些实施例的显示装置100K的剖面示意图。显示装置100K可与如上所述的显示装置100D相似，其中的差异为蓝色滤光层106、黄色滤光层110及黄色滤光层114被一短波段滤光层160所取代。短波段滤光层160例如可以将波长430nm以下的光阻隔，使波长430nm以下的光穿透率例如为小于5％。也就是说，当光经过蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116后，可分别被激发转换成蓝色光、绿色光、红色光，此些不同的颜色的光再更进一步经过一短波段滤光层160，将波长430nm以下(例如紫色光或近紫外光)的光滤掉。
在一些实施例，上述的短波段滤光层160可用布拉格反射层(distributed Braggreflector，DBR)取代。布拉格反射层的材料可为非金属材料、介电层材料、光学纤维或其它材料。布拉格反射层可由多层折射率不同的层膜组成，且具有作为波导(waveguides)的功能。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图14所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。在一些实施例，如图14所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图15为根据一些实施例的显示装置100L的剖面示意图。显示装置100L可与如上所述的显示装置100K相似，其中的差异为短波段滤光层160设置在遮光层104上，且介于遮光层104与基板102之间。在此实施例，将短波段滤光层160设置在遮光层104及介电层148的上。可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图15所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。在一些实施例，如图15所示的遮光层120、发光二极管122(包含如图2发光二极管122所含有的元件)可以被图6所示的液晶显示元件140取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图16为根据一些实施例的显示装置100M的剖面示意图。显示装置100M可与如上所述的显示装置100E相似，其中的差异为色转换层(例如蓝色色转换层108、绿色色转换层112及红色色转换层116)被介电层148所覆盖。如图16所示，介电层148更设置于蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116的侧壁上，也就是说，于基板102的法线上，介电层148投影于基板102上的面积可大于蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116投影于基板102上的面积。借由介电层148与蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116之间的接触表面变多、或接触面积变大，可以提升光被转回色转换层而被再激发转换的机会。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图16所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。参阅图17为根据的一些实施例的显示装置100N的剖面示意图。显示装置100N可与如上所述的显示装置100E相似，其中的差异为显示装置100N包含反射层162，其对应设置于遮光层104与粘着层118之间。如图17所示，反射层162与遮光层104和遮光层120可于基板102法线方向上重叠(可以完全重叠或部分重叠，在此不限制)。反射层162材料可包括金属材料(铝、金、银、铜、钛或其他金属材料、或金属合金，且不限于此)、非金属材料、介电层或白色光阻。在一些实施例中，反射层162的材料可为二氧化硅(SiO2)、或二氧化钛(TiO2)的介电层材料，其折射率可能随制程条件或成分比例而调整，且不限于此。
可在本公开的实施例中作各种变化及调整。在一些实施例，如图17所示的蓝色色转换层108可以被如图4所示的填充层138取代。
参阅图18A-18B，图18A-18B为根据一些实施例，在间隔层202之间形成材料层204的制程的剖面示意图。使用喷墨制程(inkjet printing)时，会因喷涂材料对于两种材料的表面之间的不同的表面张力特性，使喷涂材料所形成的材料层具有厚度不均匀的问题。在一些状况下，例如材料层有中间突出、两侧凹陷的情形。在其它状况下，例如材料层有凹陷、两侧突出的情形。为解决上述材料层厚度不均匀问题，可以透过对与喷涂材料所接触的材料的整体或表面上进行改质，使喷涂材料与接触的材料表面的接触角控制于适当范围，可以提高喷涂材料的厚度均匀性。在一些实施例中，间隔层202的材料可例如选用与水之间的接触角介于约90°至150°的范围间的材料。在一些实施例，间隔层202的材料的整体或表面可例如含有氟(F)元素或者含有氟的官能基。在一些实施例，间隔层202可例如为聚合物材料，并加入含氟的添加剂，使间隔层202形成一含有氟的聚合物材料。在其他实施例，间隔层202的材料整体或表面上可例如含其它合适的元素，使间隔层202与水之间的接触角介于约90°至150°的范围。此处所谓的「与水之间的接触角」可借由接触角量测仪(contact anglemeter)将水珠滴在间隔层202的表面上，而量测水珠与间隔层202之间的接触角。
在一些实施例，如图18A所示，首先供应基底200。基底200可例如为一基板、一元件、或一结构层。当基底200为基板时，可包含透明基板，可例如为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的透明基板。
如图18A所示，间隔层202形成于基板200上，由于间隔层202的整体或表面含有氟元素或者含氟的官能基，因此间隔层202的表面可例如具有疏水性，改变了间隔层202的表面与喷涂材料两者之间的表面张力，进而改变间隔层202的表面与喷涂材料两者之间的接触角。此时的接触角为喷涂材料还未经烘烤、烘干、或其它后制程处理前与间隔层202之间的角度。在一些实施例中，当喷涂材料经烘烤、烘干、或其它后制程处理后，喷涂材料与间隔层202之间的接触角可能会改变，但不以此为限。
借由对间隔层202的整体或表面进行改质，可以调制间隔层202与溶剂(例如水)间的接触角。举例来说，间隔层202的整体或表面不具有氟元素或者含氟的官能基，则间隔层202表面与水之间的接触角约介于0°至80°的范围间。在一些实施例，当间隔层202的整体或表面具有氟时，则间隔层202表面与水之间的接触角约介于90°至150°的范围间。
当间隔层202的整体或表面经改质后而使间隔层202的表面与水之间的接触角具有90°至150°范围时，可以借由使用喷墨制程，让之后形成在基底200上以及相邻两个间隔层202之间的材料层的厚度均匀性提升。
在一些实施例，参阅图18B，在执行喷墨制程时，可透过喷嘴(nozzle)400将喷涂材料402喷洒至基底200上，使得材料层204形成在基底200上以及相邻两个间隔层202之间。如图18B所示，当间隔层202的整体或表面经改质后，可以调整材料层204和间隔层202之间的接触角θ，使得材料层204可具有较平坦的表面。
在一些实施例，间隔层202可例如是如图1-17实施例所示的遮光层104或反射层162，但不限于此。材料层204可例如是如图1-17实施例所示的蓝色滤光层106、蓝色色转换层108、黄色滤光层110、绿色色转换层112、黄色滤光层114、红色色转换层116、介电层148、绿色滤光层150或红色滤光层152，但不限于此。在一些实施例，当设置且成形介电层后，更要再设置色转换层时，此时介电层可当作为与喷涂材料(色转换层)所接触的遮光层以外的另一个材料。
参阅图19A-19C，图19A-19C为根据一些实施例，在间隔层202之间形成材料层204的制程的剖面示意图。如图19A所示，首先形成表面不具有氟的间隔层202于基底200上方。之后，形成表面具有氟的底部层206于基底200上，且具有氟的底部层206形成于相邻的两个间隔层202之间。底部层206可例如为含氟的显示装置的基板材料或表面含有氟的介电材料，但不限于此。
接下来，在一些实施例，如图19B所示，可例如对间隔层202以及底部层206的整个结构执行一等离子制程208。在一些实施例，执行等离子制程208包含注入四氟化碳(CF4)、氟甲烷(CH3F)、二氟甲烷(CH2F2)、其他含氟气体，或含其它合适的元素材料，但不限于此。如图19B所示，执行等离子制程208后，底部层206的表面上的氟可以转移到间隔层202的表面(侧面或上表面)上。
在一些实施例，参阅图19C，执行喷墨制程，并借由喷嘴400将喷涂材料402喷洒或涂布至基底200上，使得材料层204形成在底部层206上以及介于相邻两个间隔层202之间。
在一些实施例，间隔层202可例如是如图1-17实施例所示的遮光层104或反射层162，底部层206可例如是如图1-17实施例所示的蓝色滤光层106、黄色滤光层110、黄色滤光层114、介电层148、绿色滤光层150或红色滤光层152。材料层204可例如是如图1-17实施例所示的蓝色色转换层108、绿色色转换层112或红色色转换层116，但不限于此，主要根据不同材料层的制程顺序而有所变更。
在此实施例，可例如使用表面具有氟的色转换层、滤光层或介电层，借由执行等离子制程，将色转换层、滤光层或介电层上的氟转移至遮光层104或反射层162的表面上。
参阅图20A-20B，图20A-20B为根据一些实施例，在间隔层202之间形成材料层204的制程的剖面示意图。在一些实施例，如图20A所示，形成表面不具有氟的间隔层202于基底200上方。之后，形成涂布层208于间隔层202的上表面上与侧壁上。在一些实施例，涂布层208可例如是表面含有氟的聚合物材料，而间隔层202可例如为不含氟的单体或聚合物材料。也就是说，间隔层202可使用本身不带有氟的材料，但透过涂布层208的形成，例如透过涂布层208与间隔层202间相互键结方式使间隔层202的外层表面含有氟，但不限于此。
如上述，间隔层202与涂布层208相互作用或键结形成了间隔结构210。借由在间隔层202的表面上形成具有含氟的涂布层208而形成间隔结构210，可调整间隔结构210与溶剂之间的接触角。例如，在一些实施例，间隔结构210的表面与水之间具有接触角，上述接触角例如介于约90°至150°的范围间。
在一些实施例，参阅图20B，执行喷墨制程时，并借由喷嘴400将喷涂材料402喷洒至基底200上，使得材料层204形成在基底200上以及相邻两个间隔结构210之间。
在一些实施例，在如图1-17实施例所示的遮光层104或反射层162、或上述组合上形成表面含有氟的涂布层可以形成间隔结构，材料层204可以是如图1-17实施例所示的蓝色滤光层106、蓝色色转换层108、黄色滤光层110、绿色色转换层112、黄色滤光层114、红色色转换层116、介电层148、绿色滤光层150或红色滤光层152，但不限于此。
如图18至图20所公开的实施例为透过间隔层202或间隔结构210的表面含有氟(F)来改变其与水的接触角特性，但本案不限于氟(F)，也能透过将间隔层202或间隔结构210的表面含有其他化学元素来使间隔层202或间隔结构210的表面与水之间的接触角介于约90°至150°的范围间。
另外，由于分别喷嘴具有差异性，使得每个喷嘴喷洒或喷涂的材料的体积可能不同。因此，若在同一栏的像素上或同一列的像素上，使用同一个喷嘴喷洒或喷涂材料时，所形成的色转换层、介电层或滤光层可能会有线型的色不均(mura)的问题。在一些实施例，可以结合使用马赛克印刷(mosaic printing)方法或混合喷嘴印刷(mixing nozzleprinting)方法来减轻上述色不均(mura)的问题。
更具体而言，马赛克印刷方法指的是使用多个喷嘴，随机地在对应不同的栏或列的像素中喷洒或涂布材料，而不是固定在同一栏的像素或同一列的像素中使用同一个喷嘴，以避免因不同喷嘴之间的喷涂差异而形成线型(栏或列方向上)的色不均。
混合喷嘴印刷方法指的是在同一像素中形成色转换层、介电层或滤光层时，例如可利用两个或更多的喷嘴喷洒或喷涂材料。首先，分别计算每个喷嘴所喷洒的材料的体积，再依据计算出的体积来分配喷嘴的搭配组合。举例来说，在同一个像素中可搭配两种或更多的喷嘴来喷涂材料，同理，于其它的像素中也同样搭配不同的喷嘴来喷涂材料，达到在不同像素间膜层厚度大致相等的材料层。在其他实施例中，可借由结合使用马赛克印刷方法与混合喷嘴印刷方法，可以达到在不同的像素间，膜层厚度大致相等的色转换层、介电层或滤光层。
虽然本公开的实施例与其优点已公开如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本公开一些实施例的揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开一些实施例使用。因此，本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一申请专利范围构成分别的实施例，且本公开的保护范围也包括各个申请专利范围及实施例的组合。

Claims (11)

1.一种显示装置，包括：
多个像素，该多个像素的其中一个像素包括：
一色转换层；以及
一介电层，设置于该色转换层上，
其中，该介电层的一折射率小于该色转换层的一折射率。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该像素更包括：
一滤光层，设置于该介电层上。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该滤光层为一黄色滤光层，且该色转换层为一红色色转换层。
4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该滤光层为一黄色滤光层，且该色转换层为一绿色色转换层。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该介电层的该折射率与该色转换层的该折射率之间的一差值大于等于0，且小于等于0.5。
6.如权利要求1所述的显示装置，更包括：
一遮光层，该遮光层定义出多个开口，其中该多个像素分别地设置在该多个开口内。
7.如权利要求6所述的显示装置，更包括：
一光反射层，且该光反射层与该遮光层重叠。
8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，该遮光层对于水的一接触角介于90度至150度的范围间。
9.一种显示装置，包括：
多个像素，该多个像素的其中一个像素包括：
一第一色转换层；以及
一第一滤光层，设置于该第一色转换层上，
其中，该第一滤光层为一第一黄色滤光层，且该第一色转换层为一红色色转换层。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，该多个像素的另一个像素包括：
一第二色转换层；以及
一第二滤光层，设置于该第二色转换层上，
其中，该第二滤光层为一第二黄色滤光层，且该第二色转换层为一绿色色转换层。
11.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，该像素更包括：
一介电层，设置于该第一滤光层与该第一色转换层之间，其中该介电层的一折射率小于该第一滤光层的一折射率与该第一色转换层的一折射率中的至少一者。
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PH (1) PH12018000424A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112363344A (zh) * 2020-11-06 2021-02-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示面板
CN112562525A (zh) * 2020-06-09 2021-03-26 友达光电股份有限公司 显示面板
WO2021138930A1 (zh) * 2020-01-06 2021-07-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN113224109A (zh) * 2020-02-06 2021-08-06 群创光电股份有限公司 显示装置
CN114141934A (zh) * 2021-11-22 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114690470A (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 上海仪电显示材料有限公司 彩色滤光基板及其制作方法、液晶显示装置
TWI792424B (zh) * 2021-07-16 2023-02-11 國立中正大學 微型顯示面板結構

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10353243B2 (en) * 2017-08-01 2019-07-16 Innolux Corporation Display device
TWI650600B (zh) * 2018-02-02 2019-02-11 瑩耀科技股份有限公司 微發光二極體顯示裝置
CN109037271B (zh) * 2018-08-16 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 光学器件及其制造方法、显示装置
US10600846B1 (en) * 2018-09-13 2020-03-24 Innolux Corporation Electronic device
US10788709B2 (en) * 2018-10-30 2020-09-29 Innolux Corporation Lighting device
TWI678804B (zh) * 2019-02-20 2019-12-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN112186091B (zh) * 2019-06-17 2022-04-15 成都辰显光电有限公司 微型发光二极管芯片的键合方法
CN110752242B (zh) * 2019-10-31 2021-09-21 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113013131A (zh) * 2019-12-20 2021-06-22 群创光电股份有限公司 发光装置及包含其的拼接式显示器
CN113053980A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113972233B (zh) * 2021-10-12 2023-06-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种发光器件转印方法及发光器件转印系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003287746A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2010066437A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
CN103185979A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示装置的驱动方法
US20150062870A1 (en) * 2012-04-16 2015-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN105589250A (zh) * 2016-02-05 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板、显示装置及制作方法
CN106094317A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 三星显示有限公司 显示面板

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4590663B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP3965859B2 (ja) * 2000-03-15 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法、及び電子機器
JP3806281B2 (ja) * 2000-04-26 2006-08-09 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ用の樹脂組成物
JP4461616B2 (ja) * 2000-12-14 2010-05-12 ソニー株式会社 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
JP2003077940A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
RU2283855C2 (ru) 2004-03-17 2006-09-20 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Люминесцентный полупроводящий полимерный материал и способ его получения
CN100547815C (zh) * 2004-12-24 2009-10-07 株式会社东芝 白色led、背光和液晶显示器
US9235733B2 (en) * 2006-08-11 2016-01-12 J. Douglas Birdwell Mobile biometrics information collection and identification
TWI437944B (zh) * 2009-02-06 2014-05-11 Egis Technology Inc 具隱藏式生物資訊感測器之電子設備
US8237633B2 (en) * 2009-05-12 2012-08-07 Global Oled Technology Llc Electro-luminescent display with adjustable white point
CN104681699B (zh) * 2009-06-11 2017-07-11 日本先锋公司 发光元件和显示装置
CN104602380B (zh) * 2009-06-11 2017-04-12 日本先锋公司 发光元件和显示装置
WO2011027511A1 (ja) * 2009-09-02 2011-03-10 株式会社 東芝 白色ｌｅｄおよびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
US20110175826A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Bradford Allen Moore Automatically Displaying and Hiding an On-screen Keyboard
CN101788737A (zh) * 2010-01-26 2010-07-28 友达光电股份有限公司 使用量子点荧光粉的显示装置
JP5691634B2 (ja) * 2011-02-25 2015-04-01 凸版印刷株式会社 有機ｅｌ表示装置用カラーフィルタ、及びそれを具備する有機ｅｌ表示装置
US9588595B2 (en) * 2011-09-12 2017-03-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Password reveal selector
TWI531638B (zh) * 2011-11-07 2016-05-01 獨立行政法人物質 材料研究機構 螢光體及製造方法、使用螢光體之發光裝置及圖像顯示裝置
US20150199934A1 (en) * 2012-09-14 2015-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Sensor, display device, and recording medium
CN103811593B (zh) * 2012-11-12 2018-06-19 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
TWI534484B (zh) * 2012-12-21 2016-05-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
KR102043322B1 (ko) * 2013-02-12 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6137867B2 (ja) * 2013-02-25 2017-05-31 キヤノン株式会社 表示装置及びその制御方法
TWI594661B (zh) * 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
US8928021B1 (en) * 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
TWI483045B (zh) * 2013-06-20 2015-05-01 Au Optronics Corp 顯示器
US10268078B2 (en) * 2013-08-23 2019-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
TWI601124B (zh) * 2013-08-27 2017-10-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
KR20150131522A (ko) * 2014-05-15 2015-11-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 소자 디스플레이 패널
JP6598513B2 (ja) 2014-05-30 2019-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
US9343691B2 (en) 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10242892B2 (en) * 2014-10-17 2019-03-26 Intel Corporation Micro pick and bond assembly
CN105591999A (zh) * 2014-10-20 2016-05-18 阿里巴巴集团控股有限公司 一种校验方法和装置
US9698134B2 (en) * 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
CN104933337B (zh) * 2015-05-22 2018-04-17 广东欧珀移动通信有限公司 一种实现指纹解锁的方法和智能终端
JP6100831B2 (ja) * 2015-05-26 2017-03-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
EP3278272B1 (en) * 2015-06-18 2020-12-09 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Multifunction fingerprint sensor having optical sensing capability
CN107004130B (zh) * 2015-06-18 2020-08-28 深圳市汇顶科技股份有限公司 用于屏幕上指纹感应的屏幕下光学传感器模块
JP6550967B2 (ja) * 2015-06-30 2019-07-31 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器
WO2017014564A1 (ko) * 2015-07-23 2017-01-26 서울반도체 주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
CN105094494B (zh) * 2015-09-15 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别方法、装置及电子设备
US9787676B2 (en) * 2015-09-29 2017-10-10 Anhui Huami Information Technology Co., Ltd. Multi-modal biometric identification
EP3248141A4 (en) * 2015-11-02 2018-01-03 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Multifunction fingerprint sensor having optical sensing against fingerprint spoofing
US10585228B2 (en) 2015-12-29 2020-03-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
CN105629576B (zh) * 2016-03-28 2018-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 一种石墨烯背光模组及石墨烯液晶显示装置
US10606121B2 (en) * 2016-09-12 2020-03-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
CN106229287B (zh) * 2016-09-30 2019-04-05 厦门市三安光电科技有限公司 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法
CN106709455B (zh) * 2016-12-23 2020-06-30 张一帆 一种支持全屏光学指纹传感器的显示屏及其制作方法
CN106802697A (zh) * 2016-12-30 2017-06-06 珠海市魅族科技有限公司 传感装置及使用所述传感装置的电子设备
CN106778707B (zh) * 2017-02-09 2020-09-11 Oppo广东移动通信有限公司 指纹识别方法、显示屏以及移动终端
US10325963B2 (en) * 2017-02-24 2019-06-18 Innolux Corporation Display device
US10073294B1 (en) * 2017-03-31 2018-09-11 Innolux Corporation Display device
US10572747B2 (en) * 2017-05-31 2020-02-25 Innolux Corporation Display apparatus
US10353243B2 (en) * 2017-08-01 2019-07-16 Innolux Corporation Display device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003287746A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2010066437A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
CN103185979A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示装置的驱动方法
US20150062870A1 (en) * 2012-04-16 2015-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN106094317A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 三星显示有限公司 显示面板
CN105589250A (zh) * 2016-02-05 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板、显示装置及制作方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021138930A1 (zh) * 2020-01-06 2021-07-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
US11621304B2 (en) 2020-01-06 2023-04-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel with single crystal perovskite color conversion layer and manufacturing method thereof
CN113224109A (zh) * 2020-02-06 2021-08-06 群创光电股份有限公司 显示装置
CN112562525A (zh) * 2020-06-09 2021-03-26 友达光电股份有限公司 显示面板
CN112363344A (zh) * 2020-11-06 2021-02-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示面板
CN114690470A (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 上海仪电显示材料有限公司 彩色滤光基板及其制作方法、液晶显示装置
TWI792424B (zh) * 2021-07-16 2023-02-11 國立中正大學 微型顯示面板結構
CN114141934A (zh) * 2021-11-22 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114141934B (zh) * 2021-11-22 2023-12-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11003024B2 (en) 2021-05-11
US20190294003A1 (en) 2019-09-26
US20200041844A1 (en) 2020-02-06
CN109326559B (zh) 2021-02-23
KR102564126B1 (ko) 2023-08-04
US20220276535A1 (en) 2022-09-01
PH12018000424A1 (en) 2019-07-01
EP4287279A2 (en) 2023-12-06
US10353243B2 (en) 2019-07-16
CN109324435B (zh) 2022-11-01
CN109326559A (zh) 2019-02-12
CN112420801A (zh) 2021-02-26
CN109326209B (zh) 2020-12-22
US10481431B2 (en) 2019-11-19
EP4287279A3 (en) 2024-03-13
KR20190013515A (ko) 2019-02-11
CN109326209A (zh) 2019-02-12
CN112420801B (zh) 2024-06-14
US20230288755A1 (en) 2023-09-14
CN115472101A (zh) 2022-12-13
US20190042717A1 (en) 2019-02-07
US20190041698A1 (en) 2019-02-07
US11693275B2 (en) 2023-07-04
CN109325329A (zh) 2019-02-12

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