WO2021138930A1 - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 163
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 19
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims 2
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 131
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制造方法，显示面板包括第一基板、第二基板、蓝光发光层以及单晶钙钛矿色转化层，单晶钙钛矿色转化层包括设置于红色子像素区的红光单晶钙钛矿单元以及设置于绿色子像素区的绿光单晶钙钛矿单元，红光单晶钙钛矿单元接收蓝光以发出红光，绿光单晶钙钛矿单元接收蓝光以发出绿光。
Description
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。
有机发光二极管显示器具有自发光、响应速度快、宽视角以及低功耗等优点，使得有机发光二极管显示器在手机以及平板电脑中的应用越来越广泛。然而，传统的有机发光二极管显示器存在色域不够广的问题。
因此，有必要提出一种技术方案以提高有机发光二极管显示器的色域。
本申请的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，该显示面板具有色域广的优点。
为实现上述目的，本申请提供一种显示面板的制造方法，所述显示面板的制造方法包括如下步骤：
于第一基板的一表面上形成单晶钙钛矿色转换层，所述单晶钙钛矿色转换层用于接收蓝光以至少发出红光以及绿光；
将第二基板设置有蓝光发光层的表面与第一基板形成有单晶钙钛矿色转换层的表面对置，得所述显示面板，所述蓝光发光层用于发出蓝光。
在上述显示面板的制造方法中，所述于第一基板的一表面上形成单晶钙钛矿色转换层包括如下步骤：
使预定浓度钙钛矿前驱体溶液加入至像素槽中，加热至形成钙钛矿籽晶，所述第一基板的表面具有所述像素槽；
于所述形成有所述钙钛矿籽晶的像素槽中继续加入饱和钙钛矿前驱体溶液，加热并进行保温至出现单晶钙钛矿，停止加热并去除所述钙钛矿前驱体溶液中的溶剂，得所述单晶钙钛矿色转换层；
其中，所述预定浓度低于所述饱和钙钛矿前驱体溶液的浓度。
在上述显示面板的制造方法中，所述预定浓度的所述钙钛矿前驱体溶液和所述饱和钙钛矿前驱体溶液通过喷墨打印加入至所述像素槽中，所述预定浓度的钙钛矿前驱体溶液和所述饱和钙钛矿前驱体溶液的粘度的取值范围为1cps-30cps。
在上述显示面板的制造方法中，所述预定浓度的取值范围为1.0mol/L-2.0mol/L。
在上述显示面板的制造方法中，所述加热至形成钙钛矿籽晶的温度为80℃-100℃，所述加热并进行保温的温度为80℃-100℃。
在上述显示面板的制造方法中，所述加热至形成钙钛矿籽晶的温度比所述加热并进行保温的温度低8℃-12℃。
在上述显示面板的制造方法中，所述钙钛矿前驱体溶液包括组分A、组分B以及溶剂，所述组分A选自PbBr
2以及PbI
2中至少一种，所述组分B选自CH
3NH
3Br以及CsBr中的至少一种，所述溶剂选自二甲基甲酰胺以及二甲基亚砜中的至少一种。
在上述显示面板的制造方法中，蓝光发光层包括多个蓝光发光单元，所述蓝光发光单元包括蓝光有机发光二极管、蓝光发光二极管、蓝光mini-LED、蓝光micro-LED以及蓝光量子点中的至少一种。
一种显示面板，所述显示面板包括第一基板、第二基板、蓝色发光层以及单晶钙钛矿色转化层，
所述第一基板与所述第二基板相对设置；
所述蓝光发光层设置于所述第二基板与所述第一基板相对的表面上，所述蓝光发光层用于发出蓝光；
所述单晶钙钛矿色转化层设置于所述第一基板与所述第二基板相对的表面上，所述单晶钙钛矿色转化层包括设置于红色子像素区的红光单晶钙钛矿单元以及设置于绿色子像素区的绿光单晶钙钛矿单元，所述红光单晶钙钛矿单元接收所述蓝光以发出红光，所述绿光单晶钙钛矿单元接收所述蓝光以发出绿光，所述第一基板上定义有间隔设置的所述红色子像素区、所述绿色子像素区以及蓝色子像素区。
在上述显示面板中，所述单晶钙钛矿色转换层还包括设置于所述蓝色子像素区的蓝光单晶钙钛矿单元，所述蓝光单晶钙钛矿单元接收所述蓝光发光层发出的蓝光并受激发出蓝光，所述蓝光单晶钙钛矿单元受激发发出的蓝光的色纯度大于或等于所述蓝光发光层发出的蓝光的色纯度。
在上述显示面板中，所述红光单晶钙钛矿单元包括CH
3NH
3Pb(Br/I)
3单晶以及CsPb(Br/I)
3单晶中的至少一种，所述绿光单晶钙钛矿单元包括Cs
4PbBr
6单晶、CsPbBr
3单晶以及CH
3NH
3PbBr
3单晶中的至少一种，所述蓝光单晶钙钛矿单元包括Cs
3Cu
2I
5单晶、CH
3NH
3Pb(Br/Cl)
3单晶以及CsPb(Br/Cl)
3单晶中的至少一种。
在上述显示面板中，所述第一基板与所述第二基板相对的表面上设置有像素定义层，所述像素定义层上设置有多个开口，每个所述开口定义一个子像素区，三个相邻的所述开口分别定义所述红色子像素区、所述蓝色子像素区以及所述绿色子像素区，所述红光单晶钙钛矿单元设置于所述像素定义层对应所述红色子像素区的开口中，所述绿光单晶钙钛矿单元设置于所述像素定义层对应所述绿色子像素区的开口中。
在上述显示面板中，所述像素定义层为黑色有机光阻层。
在上述显示面板中，所述显示面板还包括彩色膜层以及黑色矩阵层，所述像素定义层和所述第一基板之间设置有所述彩色膜层，所述彩色膜层包括多个滤光单元，多个所述滤光单元包括间隔设置的红色滤光单元、绿色滤光单元以及蓝色滤光单元，所述黑色矩阵层包括多个阵列排布的黑色矩阵，相邻两个所述滤光单元之间设置有所述黑色矩阵。
在上述显示面板中，所述像素定义层和所述彩色膜层之间设置有阻隔层，所述阻隔层用于阻隔水和氧气。
在上述显示面板中，蓝光发光层包括多个蓝光发光单元，所述蓝光发光单元包括蓝光有机发光二极管、蓝光发光二极管、蓝光mini-LED、蓝光micro-LED以及蓝光量子点中的至少一种。
本申请提供一种显示面板及其制造方法，显示面板包括第一基板、第二基板、蓝光发光层以及单晶钙钛矿色转化层，第一基板与第二基板相对设置；蓝光发光层设置于第二基板与第一基板相对的表面上，蓝光发光层用于发出蓝光；单晶钙钛矿色转化层设置于第一基板与第二基板相对的表面上，单晶钙钛矿色转化层包括设置于红色子像素区的红光单晶钙钛矿单元以及设置于绿色子像素区的绿光单晶钙钛矿单元，红光单晶钙钛矿单元接收蓝光以发出红光，绿光单晶钙钛矿单元接收蓝光以发出绿光，第一基板上定义有间隔设置的红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区。由于单晶钙钛矿色转换层受蓝光激发后，发出红光以及绿光，可以提高显示面板的色域。另外，单晶钙钛矿相较于多晶钙钛矿，具有更低的缺陷密度以及更长的载流子迁移距离，可以提高单晶钙钛矿色转换层的稳定性。
图1为本申请一实施例显示面板的结构示意图；
图2为本申请另一实施例显示面板的结构示意图；
图3为本申请实施例显示面板的制造方法的流程图。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，其为本申请一实施例显示面板的示意图。显示面板100包括第一基板10、第二基板20、蓝光发光层21、单晶钙钛矿色转换层11、彩色膜层12、黑色矩阵层13、像素定义层14、薄膜晶体管层22以及封装胶层15。第一基板10与第二基板20相对设置。
第一基板10为玻璃基板。第二基板20也为玻璃基板。
蓝光发光层21用于发出蓝光。蓝光发光层21设置于第二基板20与第一基板10相对的表面上。蓝光发光层21包括多个蓝光发光单元。蓝光发光单元包括蓝光有机发光二极管、蓝光发光二极管、蓝光mini-LED、蓝光micro-LED以及蓝光量子点中的至少一种。
具体地，蓝光发光层21可以包括多个蓝光有机发光二极管。每个蓝光有机发光二极管包括阴极、阳极以及设置于阴极和阳极之间的蓝光有机发光层。蓝光有机发光层的制备材料可以为咔唑及其衍生物。
蓝光发光层21包括多个蓝光有机发光二极管时，蓝光发光层21远离第二基板20的表面设置有薄膜封装层23。薄膜封装层23用于保护蓝光发光层21中的蓝光有机发光层以及活泼金属电极，避免蓝光有机发光层以及活泼金属电极被氧气或者水蒸气腐蚀。薄膜封装层23包括第一无机层、第一有机层以及第二无机层，第一无机层形成于蓝光发光层21远离第二基板20的表面，第一有机层形成于第一无机层远离蓝光发光层21的表面，第二无机层形成于第一有机层远离第一无机层的表面。第一无机层和第二无机层的制备材料选自氮化硅以及氧化硅中的至少一种。第一有机层的制备材料为聚丙烯酸酯或其他有机材料。
薄膜晶体管层22设置于蓝光发光层21与第二基板20之间。薄膜晶体管层22包括多个阵列排布的薄膜晶体管。薄膜晶体管用于控制蓝光发光单元的开关以及亮度。
单晶钙钛矿色转换层11设置于第一基板10与第二基板20相对的表面上。第一基板10上定义有间隔设置的红色子像素区10a、绿色子像素区10b以及蓝色子像素区10c。红色子像素区10a、绿色子像素区10b以及蓝色子像素区10c依次重复设置。
单晶钙钛矿色转换层11包括设置于红色子像素区10a的红光单晶钙钛矿单元111以及设置于绿光子像素区10b的绿光单晶钙钛矿单元112。红光单晶钙钛矿单元111接收蓝光以发出红光，绿光单晶钙钛矿单元112接收蓝光以发出绿光，蓝光发光层21发出的蓝光穿过蓝光子像素区10c，以实现彩色化显示。
在本实施例中，红光单晶钙钛矿单元包括CH
3NH
3Pb(Br/I)
3单晶以及CsPb(Br/I)
3单晶中的至少一种，绿光单晶钙钛矿单元包括Cs4PbBr6单晶、CsPbBr
3单晶以及CH
3NH
3PbBr
3单晶中的至少一种。单晶钙钛矿的粒径为100nm-1毫米，例如单晶钙钛矿的粒径为1000纳米、500纳米以及200微米。
在本实施例中，第一基板10与第二基板20相对的表面上设置有像素定义层14，像素定义层14上设置有多个开口14a，每个开口14a定义一个子像素区。开口14a的纵截面为倒梯形。三个相邻的开口14a分别定义红色子像素区10a、蓝色子像素区10c以及绿色子像素区10b。像素定义层14为黑色有机光阻层，以避免相邻子像素区中的单晶钙钛矿色转化层受蓝光激发发出的光发生串色，且能吸收未入射至子像素区中的蓝光。像素定义层的厚度为8微米-12微米，例如像素定义层的厚度为10微米。红光单晶钙钛矿单元111设置于像素定义层14对应红色子像素区10a的开口14a中，绿光单晶钙钛矿单元112设置于像素定义层14对应绿色子像素区10b的开口14a中。
在本实施例中，像素定义层14和第一基板10之间设置有彩色膜层12。彩色膜层12包括多个滤光单元，多个滤光单元包括间隔设置的红色滤光单元R、绿色滤光单元G以及蓝色滤光单元B。红色滤光单元R设置于红色子像素区10a，绿色滤光单元G设置于绿色子像素区10b，蓝色滤光单元B设置于蓝色子像素区10c。彩色膜层12一方面用于吸收未被像素定义层14吸收的蓝光，另一方面防止外界环境光直接入射至单晶钙钛矿色转换层11而激发单晶钙钛矿色转换层11。黑色矩阵层13包括多个阵列排布的黑色矩阵，相邻两个滤光单元之间设置有黑色矩阵。黑色矩阵层13用于防止串色。黑色矩阵层13的厚度为1微米-2微米。
在本实施例中，像素定义层14和彩色膜层12之间设置有阻隔层16。阻隔层用于阻隔水和氧气，避免水以及氧气等腐蚀单晶钙钛矿色转换层11。阻隔层的制备材料选自氮化硅以及氧化硅中的至少一种。
在本实施例中，封装胶层15覆盖单晶钙钛矿色转换层11以及像素定义层14。封装胶层15一方面用于提高单晶钙钛矿色转换层11在第一基板10上的附着力，另一方面用于实现单晶钙钛矿色转换层11的封装。封装胶层15可以通过喷墨打印紫外固化胶以及溶剂的混合物后，去除溶剂，并经过紫外固化后得到。封装胶层15也可以通过涂布紫外固化胶后并经过固化后得到。
经实验测试，本实施例显示面板的色域约为120%。
请参阅图2，其为本申请另一实施例显示面板的结构示意图。图2所示显示面板100与图1所示显示面板100基本相似，不同之处在于，单晶钙钛矿色转换层11还包括设置于蓝色子像素区10c的蓝光单晶钙钛矿单元113，蓝光单晶钙钛矿单元113接收蓝光发光层21发出的蓝光并受激发出蓝光，蓝光单晶钙钛矿受激发发出的蓝光的色纯度大于或等于蓝光发光层发出的蓝光的色纯度，以提高显示面板的蓝光的色纯度。蓝光单晶钙钛矿单元包括Cs
3Cu2I
5单晶、CH
3NH
3Pb(Br/Cl)
3单晶以及CsPb(Br/Cl)
3单晶中的至少一种。
请参阅图3，其为本申请实施例显示面板的制造方法的流程图。显示面板的制造方法包括如下步骤：
S10:于第一基板的一表面上形成单晶钙钛矿色转换层，单晶钙钛矿色转换层用于接收蓝光以至少发出红光以及绿光。
S11: 将第二基板设置有蓝光发光层的表面与第一基板形成有单晶钙钛矿色转换层的表面对置，得显示面板。
本实施例显示面板的制造方法通过在第一基板形成单晶钙钛矿色转换层，在第二基板上形成蓝光发光层，蓝光发光层发出的蓝光激发单晶钙钛矿色转换层以至少发出红光以及绿光，单晶钙钛矿色转换层发出的红光以及绿光与蓝光发光层发出的蓝光共同实现彩色化显示，提高制备得到的显示面板的色域。
在本实施例中，于第一基板的表面上形成单晶钙钛矿色转换层包括如下步骤：
使预定浓度钙钛矿前驱体溶液加入至像素槽中，加热至形成钙钛矿籽晶，第一基板的表面上具有像素槽；
于形成有钙钛矿籽晶的像素槽中继续中加入饱和钙钛矿前驱体溶液，加热并保温至出现单晶钙钛矿，停止加热并去除钙钛矿前驱体溶液中的溶剂，得单晶钙钛矿色转换层；
其中，预定浓度低于饱和钙钛矿前驱体溶液的浓度。
通过对预定浓度的钙钛矿前驱体溶液加热以形成钙钛矿籽晶，再以钙钛矿籽晶作为核，加入饱和钙钛矿前驱体溶液，经加热以及保温，使钙钛矿籽晶生长为大尺寸单晶钙钛矿，使得制得的大尺寸单晶钙钛矿缺陷少，且缩短大尺寸单晶钙钛矿的形成时间。
在本实施例中，预定浓度的钙钛矿前驱体溶液和饱和钙钛矿前驱体溶液通过喷墨打印加入至像素槽中，预定浓度的钙钛矿前驱体溶液和饱和钙钛矿前驱体溶液的粘度的取值范围为1cps-30cps。例如预定浓度的钙钛矿前驱体溶液的粘度为5cps、8cps或10cps，饱和钙钛矿前驱体溶液的粘度为25cps、15cps或18cps。通过调节预定浓度的钙钛矿前驱体溶液和饱和钙钛矿前驱体溶液的粘度，以适应喷墨打印形成单晶钙钛矿色转换层的工艺制程要求。
在本实施例中，预定浓度的取值范围为1.0mol/L-2.0mol/L。预定浓度的取值范围为1.0mol/L-1.5mol/L。预定浓度的钙钛矿前驱体溶液为高浓度钙钛矿前驱体溶液，使得钙钛矿籽晶的形成时间缩短，且有利于形成的钙钛矿籽晶的形貌更适于形成大尺寸钙钛矿籽晶。
在本实施例中，加热至形成钙钛矿籽晶的温度为80℃-100℃，加热并进行保温的温度为80℃-100℃。加热至形成钙钛矿籽晶旨在加热去除溶剂的同时在80℃-100℃条件下生长出籽晶。加热饱和钙钛矿前驱体溶液旨使饱和钙钛矿前驱体溶液在加热条件下析出单晶钙钛矿，单晶钙钛矿以钙钛矿籽晶为核进行生长。保温旨在使单晶钙钛矿在钙钛矿籽晶上生长为大尺寸单晶钙钛矿。
进一步地，加热至形成钙钛矿籽晶的温度比加热并进行保温的温度低8℃-12℃。例如加热至形成钙钛矿籽晶的温度为85℃时，加热并进行保温的温度为95℃。
在本实施例中，钙钛矿前驱体溶液包括组分A、组分B以及溶剂，组分A选自PbBr
2
、PbI
2以及PbCl
2中的至少一种，组分B选自CH
3NH
3Br以及CsBr中的至少一种，溶剂选自二甲基甲酰胺以及二甲基亚砜中的至少一种。
以下结合具体实施例对上述单晶钙钛矿色转换层中的绿光单晶钙钛矿单元的制备方法进行详述。
实施例1
本实施例提供一种绿光单晶钙钛矿单元的制备方法，包括如下步骤：
籽晶生长，采用喷墨打印将预定浓度的钙钛矿前驱体溶液打印在基片的绿色子像素的像素槽中，在80℃加热至出现沉淀，得籽晶，其中，预定浓度的钙钛矿前驱体溶液包括1mol/L PbBr
2、1mol/L CH
3NH
3Br 以及二甲基甲酰胺，预定浓度的钙钛矿前驱体溶液的粘度为5cps；
母液补充及大尺寸单晶生长，采用喷墨打印将饱和钙钛矿前驱体溶液（粘度为10cps， PbBr
2以及 CH
3NH
3Br分别溶解于二甲基甲酰胺得到的饱和溶液）继续加入至形成有钙钛矿籽晶的绿色子像素槽中，以补充大尺寸单晶钙钛矿生长所需的原料，在90℃加热10h，在95℃保温10h，停止加热并对基片进行减压真空处理以（真空压力10mPa）去除残留的二甲基甲酰胺，得大尺寸CH
3NH
3PbBr
3单晶。
实施例2
本实施例提供一种绿光单晶钙钛矿单元的制备方法，包括如下步骤：
籽晶生长，采用喷墨打印将预定浓度的钙钛矿前驱体溶液打印在基片的绿色子像素的像素槽中，在90℃加热至出现沉淀，得籽晶，其中，预定浓度的钙钛矿前驱体溶液包括1.5mol/L PbBr
2、1.5mol/L CsBr 以及二甲基亚砜，预定浓度的钙钛矿前驱体溶液的粘度为15cps；
母液补充及大尺寸单晶生长，采用喷墨打印将饱和钙钛矿前驱体溶液（粘度为20cps， PbBr
2以及 CsBr分别溶解于二甲基亚砜得到的饱和溶液）继续加入至形成有钙钛矿籽晶的绿色子像素槽中，以补充大尺寸单晶钙钛矿生长所需的原料，在100℃加热10h，在100℃保温10h，停止加热并对基片进行减压真空处理以（真空压力5mPa）去除残留的二甲基亚砜，得大尺寸CsPbBr
3单晶。
需要说明的是，实施例1和实施例2中的基片包括第一基板、设置于第一基板上的彩色膜层、设置于彩色膜层远离第一基板的表面上的阻隔层以及设置于阻隔层远离彩色膜层的表面上的像素定义层，像素定义上设置有多个开口，多个开口包括红色子像素槽、蓝色子像素槽以及绿色子像素槽。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (16)
- 一种显示面板的制造方法，其中，所述显示面板的制造方法包括如下步骤：于第一基板的一表面上形成单晶钙钛矿色转换层，所述单晶钙钛矿色转换层用于接收蓝光以至少发出红光以及绿光；将第二基板设置有蓝光发光层的表面与所述第一基板形成有所述单晶钙钛矿色转换层的表面对置，得所述显示面板，所述蓝光发光层用于发出蓝光。
- 根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中，所述于第一基板的一表面上形成单晶钙钛矿色转换层包括如下步骤：使预定浓度钙钛矿前驱体溶液加入至像素槽中，加热至形成钙钛矿籽晶，所述第一基板的表面具有所述像素槽；于所述形成有所述钙钛矿籽晶的像素槽中继续加入饱和钙钛矿前驱体溶液，加热并进行保温至出现单晶钙钛矿，停止加热并去除所述钙钛矿前驱体溶液中的溶剂，得所述单晶钙钛矿色转换层；其中，所述预定浓度低于所述饱和钙钛矿前驱体溶液的浓度。
- 根据权利要求2所述的显示面板的制造方法，其中，所述预定浓度的所述钙钛矿前驱体溶液和所述饱和钙钛矿前驱体溶液通过喷墨打印加入至所述像素槽中，所述预定浓度的钙钛矿前驱体溶液和所述饱和钙钛矿前驱体溶液的粘度的取值范围为1cps-30cps。
- 根据权利要求2所述的显示面板的制造方法，其中，所述预定浓度的取值范围为1.0mol/L-2.0mol/L。
- 根据权利要求2所述的显示面板的制造方法，其中，所述加热至形成钙钛矿籽晶的温度为80℃-100℃，所述加热并进行保温的温度为80℃-100℃。
- 根据权利要求5所述的显示面板的制造方法，其中，所述加热至形成钙钛矿籽晶的温度比所述加热并进行保温的温度低8℃-12℃。
- 根据权利要求2所述的显示面板的制造方法，其中，所述钙钛矿前驱体溶液包括组分A、组分B以及溶剂，所述组分A选自PbBr 2、PbI 2以及PbCl 2中至少一种，所述组分B选自CH 3NH 3Br以及CsBr中的至少一种，所述溶剂选自二甲基甲酰胺以及二甲基亚砜中的至少一种。
- 根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中，蓝光发光层包括多个蓝光发光单元，所述蓝光发光单元包括蓝光有机发光二极管、蓝光发光二极管、蓝光mini-LED、蓝光micro-LED以及蓝光量子点中的至少一种。
- 一种显示面板，其中，所述显示面板包括第一基板、第二基板、蓝色发光层以及单晶钙钛矿色转化层，所述第一基板与所述第二基板相对设置；所述蓝光发光层设置于所述第二基板与所述第一基板相对的表面上，所述蓝光发光层用于发出蓝光；所述单晶钙钛矿色转化层设置于所述第一基板与所述第二基板相对的表面上，所述单晶钙钛矿色转化层包括设置于红色子像素区的红光单晶钙钛矿单元以及设置于绿色子像素区的绿光单晶钙钛矿单元，所述红光单晶钙钛矿单元接收所述蓝光以发出红光，所述绿光单晶钙钛矿单元接收所述蓝光以发出绿光，所述第一基板上定义有间隔设置的所述红色子像素区、所述绿色子像素区以及蓝色子像素区。
- 根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述单晶钙钛矿色转换层还包括设置于所述蓝色子像素区的蓝光单晶钙钛矿单元，所述蓝光单晶钙钛矿单元接收所述蓝光发光层发出的蓝光并受激发出蓝光，所述蓝光单晶钙钛矿单元受激发发出的蓝光的色纯度大于或等于所述蓝光发光层发出的蓝光的色纯度。
- 根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述红光单晶钙钛矿单元包括CH 3NH 3Pb(Br/I) 3单晶以及CsPb(Br/I) 3单晶中的至少一种，所述绿光单晶钙钛矿单元包括Cs 4PbBr 6单晶、CsPbBr 3单晶以及CH 3NH 3PbBr 3单晶中的至少一种，所述蓝光单晶钙钛矿单元包括Cs 3Cu 2I 5单晶、CH 3NH 3Pb(Br/Cl) 3单晶以及CsPb(Br/Cl) 3单晶中的至少一种。
- 根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一基板与所述第二基板相对的表面上设置有像素定义层，所述像素定义层上设置有多个开口，每个所述开口定义一个子像素区，三个相邻的所述开口分别定义所述红色子像素区、所述蓝色子像素区以及所述绿色子像素区，所述红光单晶钙钛矿单元设置于所述像素定义层对应所述红色子像素区的开口中，所述绿光单晶钙钛矿单元设置于所述像素定义层对应所述绿色子像素区的开口中。
- 根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述像素定义层为黑色有机光阻层。
- 根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括彩色膜层以及黑色矩阵层，所述像素定义层和所述第一基板之间设置有所述彩色膜层，所述彩色膜层包括多个滤光单元，多个所述滤光单元包括间隔设置的红色滤光单元、绿色滤光单元以及蓝色滤光单元，所述黑色矩阵层包括多个阵列排布的黑色矩阵，相邻两个所述滤光单元之间设置有所述黑色矩阵。
- 根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述像素定义层和所述彩色膜层之间设置有阻隔层，所述阻隔层用于阻隔水和氧气。
- 根据权利要求9所述的显示面板，其中，蓝光发光层包括多个蓝光发光单元，所述蓝光发光单元包括蓝光有机发光二极管、蓝光发光二极管、蓝光mini-LED、蓝光micro-LED以及蓝光量子点中的至少一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/646,154 US11621304B2 (en) | 2020-01-06 | 2020-01-16 | Display panel with single crystal perovskite color conversion layer and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010009433.9A CN111180495A (zh) | 2020-01-06 | 2020-01-06 | 显示面板及其制造方法 |
| CN202010009433.9 | 2020-01-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2021138930A1 true WO2021138930A1 (zh) | 2021-07-15 |
Family
ID=70656194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2020/072408 WO2021138930A1 (zh) | 2020-01-06 | 2020-01-16 | 显示面板及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11621304B2 (zh) |
| CN (1) | CN111180495A (zh) |
| WO (1) | WO2021138930A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114203790B (zh) * | 2021-12-10 | 2024-02-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示终端 |
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| CN109324435A (zh) * | 2017-08-01 | 2019-02-12 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100739295B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 적색칼라필터 및 이를 이용한 유기발광 표시장치 |
| CN103474451A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色oled器件及其制作方法 |
| CN104911705B (zh) * | 2015-05-18 | 2019-06-11 | 陕西师范大学 | 低温溶液中生长abx3钙钛矿单晶的方法 |
| JP7014718B2 (ja) * | 2015-12-23 | 2022-02-01 | アファンタマ アクチェンゲゼルシャフト | ディスプレイデバイス |
| CN105446009A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| US10503064B2 (en) * | 2017-09-15 | 2019-12-10 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing color filter substrate |
| CN109004095B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板及woled显示装置 |
| KR102581137B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2023-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102651856B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2024-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색 변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
-
2020
- 2020-01-06 CN CN202010009433.9A patent/CN111180495A/zh active Pending
- 2020-01-16 WO PCT/CN2020/072408 patent/WO2021138930A1/zh active Application Filing
- 2020-01-16 US US16/646,154 patent/US11621304B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170279082A1 (en) * | 2014-08-18 | 2017-09-28 | Oledworks Gmbh | An organic conversion device |
| CN106783922A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器 |
| CN106876432A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled显示器件及oled显示器 |
| CN106910836A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled显示器件及oled显示器 |
| CN109324435A (zh) * | 2017-08-01 | 2019-02-12 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
| CN108957832A (zh) * | 2018-05-09 | 2018-12-07 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板与含其的电子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11621304B2 (en) | 2023-04-04 |
| CN111180495A (zh) | 2020-05-19 |
| US20220328565A1 (en) | 2022-10-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 20911508 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 20911508 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |