WO2020206713A1 - Oled显示装置及制备方法 - Google Patents

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WO2020206713A1
WO2020206713A1 PCT/CN2019/083358 CN2019083358W WO2020206713A1 WO 2020206713 A1 WO2020206713 A1 WO 2020206713A1 CN 2019083358 W CN2019083358 W CN 2019083358W WO 2020206713 A1 WO2020206713 A1 WO 2020206713A1
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WO
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oled
light
substrate
quantum dot
display device
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Application number
PCT/CN2019/083358
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English (en)
French (fr)
Inventor
吕伯彦
李元元
Original Assignee
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • This application relates to the field of display technology, in particular to an OLED display device and a manufacturing method.
  • the color gamut is usually called the color space, which represents the specific conditions of the color space that a color image can express.
  • NTSC National Television Standards Committee
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the NTSC of OLED displays is at the level of 70% to 90%, and there is still a gap compared with the NTSC of quantum dot-backlit LCD displays that exceed 100%.
  • Using blue OLED to excite the red and green quantum dot conversion films on the color filter to obtain a display device with higher color purity is a more effective way to improve the color purity of the OLED.
  • the quantum dot layer on the color filter is usually made by printing, due to the thickness of the film. (2 ⁇ 10um), a specific high-thickness black hydrophilic and hydrophobic material is required, which increases the production cost.
  • the existing OLED display device has a certain distance between the OLED light source and the quantum dot layer printed on the color film substrate, which causes the crosstalk phenomenon of the light emitted by the OLED light source, which further affects the display of the OLED display device. effect.
  • the existing OLED display device there is a certain distance between the OLED light source and the quantum dot layer printed on the color film substrate, which causes the crosstalk phenomenon of the light emitted by the OLED light source, which further affects the display effect of the OLED display device.
  • the present application provides an OLED display device and a preparation method, which can effectively avoid the problem of OLED light source crosstalk and solve the existing OLED display device. Because there is a certain distance between the OLED light source and the quantum dot layer printed on the color film substrate, It is a technical problem that causes the light emitted by the OLED light source to produce crosstalk, which further affects the display effect of the OLED display device.
  • the present application provides an OLED display device, including an OLED substrate and a color film substrate, the OLED substrate including an OLED device and a quantum dot light conversion layer;
  • the quantum dot light conversion layer is formed on the surface of the OLED device.
  • the OLED device includes a TFT substrate, an OLED light-emitting layer, and a cathode metal layer, the TFT substrate has an anode metal layer, and the TFT substrate is a low-temperature polysilicon TFT substrate or oxide. TFT substrate.
  • the OLED light-emitting layer is a blue OLED light-emitting layer
  • the quantum dot light conversion layer contains any one of a red quantum dot material and a green quantum dot material.
  • the OLED light-emitting layer is a white-light OLED light-emitting layer
  • the quantum dot light conversion layer contains any one of a red quantum dot material and a green quantum dot material.
  • the quantum dot light conversion layer is formed on the surface of the OLED device by a laser-induced thermal transfer method or a radiation-induced sublimation transfer method.
  • the present application also provides a method for manufacturing an OLED display device, the method including:
  • the TFT substrate is a low-temperature polysilicon TFT substrate or an oxide TFT substrate.
  • the S30 further includes:
  • the color filter substrate includes a substrate, a black matrix, and a color filter film.
  • the OLED light-emitting layer is a blue OLED light-emitting layer
  • the color filter film includes a red color resist and a green color filter respectively corresponding to the red sub-pixel and the green sub-pixel.
  • Color resist, the color filter film corresponding to the blue sub-pixel area may or may not be provided with blue color resist
  • the OLED light-emitting layer is a white light OLED light-emitting layer
  • the color filter film includes red sub-pixels, green Red color resistance, green color resistance, and blue color resistance set for the sub-pixel and the blue sub-pixel.
  • the beneficial effects of this application are: the OLED display device and preparation method provided by this application directly fabricate the quantum dot conversion film on the OLED light-emitting device, effectively avoiding the problem of light crosstalk of the OLED light source, and further improving the color of the OLED display device. purity.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of Embodiment 1 of an OLED display device of this application.
  • Embodiment 2 is a schematic structural diagram of Embodiment 2 of an OLED display device of this application.
  • FIG. 3 is a flow chart of the manufacturing method of the OLED display device of this application.
  • 4A-4E are schematic diagrams of a method for manufacturing the OLED display device shown in FIG. 3.
  • This application is directed to the existing OLED display device. Because there is a certain distance between the OLED light source and the quantum dot layer printed on the color film substrate, the light emitted by the OLED light source generates crosstalk, which further affects the display effect of the OLED display device. Technical problem, this embodiment can solve this defect.
  • the OLED display device includes an OLED substrate 10 and a color film substrate 20, and the OLED substrate 10 includes an OLED device 11 and a quantum dot light conversion layer 12;
  • the quantum dot light conversion layer 12 is formed on the surface of the OLED device 11.
  • the OLED device 11 includes a TFT substrate 111, an OLED light-emitting layer 112 and a cathode metal layer 113, the TFT substrate 111 has an anode metal layer, and the TFT substrate 111 is a low-temperature polysilicon TFT substrate or an oxide TFT substrate;
  • the OLED light-emitting layer 112 is a blue OLED light-emitting layer, and the OLED light-emitting layer 112 further includes any one or two of hole injection materials and hole transport materials, and any one or two of electron transport materials and electron injection materials.
  • the OLED light-emitting layer 112 may also include functional materials such as an electron blocking layer and a hole blocking layer as needed;
  • the cathode metal layer 113 refers to a material that takes into account both light transmittance and conductivity, and specifically realizes that the doped metal material or It is a semiconductor material, preferably magnesium and silver metal doped in a certain proportion.
  • the quantum dot light conversion layer 12 contains any one of a red quantum dot material and a green quantum dot material.
  • the quantum dot light conversion layer 12 includes a red quantum dot light conversion layer 121 and a green quantum dot material.
  • the quantum dot light conversion layer 122 is provided with a black matrix 22 between the red quantum dot light conversion layer 121 and the green quantum dot light conversion layer 122.
  • the quantum dot light conversion layer 12 is formed on the surface of the OLED device 11 by a laser-induced thermal transfer method or a radiation-induced sublimation transfer method.
  • the color filter substrate 20 includes a substrate 21, the black matrix 22, and a color filter film 23.
  • the color filter film 23 includes a red color resistor 231 and a color filter 231 respectively corresponding to the red sub-pixels and the green sub-pixels. Green color resistance 232.
  • the region of the color filter film 23 corresponding to the blue sub-pixel may also be provided with a blue color resist.
  • the OLED display device includes an OLED substrate 30 and a color film substrate 40.
  • the OLED substrate 30 includes an OLED device 31 and a quantum dot light conversion layer 32;
  • the quantum dot light conversion layer 32 is formed on the surface of the OLED device 31.
  • the OLED device 31 includes a TFT substrate 311, an OLED light-emitting layer 312, and a cathode metal layer 313.
  • the TFT substrate 311 has an anode metal layer.
  • the TFT substrate 311 is a low-temperature polysilicon TFT substrate or an oxide TFT substrate;
  • the OLED light emitting layer 312 is a white light OLED light emitting layer, and the OLED light emitting layer 312 also includes any one or two of hole injection materials and hole transport materials, and any one or two of electron transport materials and electron injection materials.
  • the OLED light-emitting layer 312 may also include functional materials such as an electron blocking layer and a hole blocking layer as needed;
  • the cathode metal layer 313 refers to a material that takes into account both light transmittance and conductivity, and may be a doped metal material or It is a semiconductor material, preferably magnesium metal and silver metal doped in a certain proportion.
  • the quantum dot light conversion layer 32 contains any one of a red quantum dot material and a green quantum dot material.
  • the quantum dot light conversion layer 32 includes a red quantum dot light conversion layer 321 and a green quantum dot material. Quantum dot light conversion layer 322.
  • the quantum dot light conversion layer 32 is formed on the surface of the OLED device 31 by a laser-induced thermal transfer method or a radiation-induced sublimation transfer method.
  • the color filter substrate 40 includes a substrate 41, a black matrix 42 and a color filter film 43.
  • the color filter film includes red color resists respectively corresponding to the red sub-pixels, the green sub-pixels, and the blue sub-pixels. 431, a green color resistor 432 and a blue color resistor 433, and the black matrix 42 is provided between any two of the red color resistor 431, the green color resistor 432, and the blue color resistor 433.
  • the present application also provides a manufacturing method flow of an OLED display device, the method includes:
  • a TFT substrate 501 is provided, the TFT substrate 501 has an anode metal layer, and an OLED light-emitting layer 502 is evaporated on the surface of the TFT substrate 501.
  • the S10 further includes:
  • a TFT substrate 501 is provided.
  • the TFT substrate 501 has an anode metal layer
  • the TFT substrate 501 is a low-temperature polysilicon TFT substrate or an oxide TFT substrate
  • the OLED light-emitting layer 502 is a blue OLED light-emitting layer or a white light OLED light-emitting layer, It is preferably a blue OLED light-emitting layer
  • the OLED light-emitting layer 502 also includes any one or two of hole injection materials and hole transport materials, and any one or two of electron transport materials and electron injection materials.
  • the OLED light-emitting layer 502 may also include functional materials such as an electron blocking layer and a hole blocking layer as required; a black matrix 503 is also provided on the TFT substrate 501, as shown in FIG. 4A.
  • a cathode metal layer 504 is evaporated on the surface of the OLED light-emitting layer 502.
  • the S20 further includes:
  • a cathode metal layer 504 is vapor-deposited or sputtered on the surface of the OLED light-emitting layer 502.
  • the cathode metal layer 504 is a material that takes into account both light transmittance and conductivity.
  • the specific implementation can be a doped metal material or a semiconductor
  • the material is preferably magnesium metal and silver metal doped in a certain proportion, as shown in FIG. 4B.
  • the S30 further includes:
  • a piece of light-permeable transfer substrate 61 is provided, and a heat-insulating and light-transmitting layer 62 is prepared on the transfer substrate 61; the heat-insulating and light-transmitting layer 62 is heat-absorbing glass or a heat-insulating film.
  • the light-transmitting layer 62 is patterned or covers the entire surface of the transfer substrate 61.
  • a photoresist containing quantum dot material is coated on the heat-insulating and light-transmitting layer 62, and the required quantum dot material pattern is obtained by etching and developing with yellow light; wherein, the quantum dot material (Quantum Dot, QD for short) ) Refers to semiconductor crystal grains with a particle size of 1-100nm.
  • the particle size of the quantum dot material is small, it is smaller than or close to the exciton Bohr radius of the corresponding bulk material, resulting in a quantum confinement effect and a continuous band structure of the bulk material Will be transformed into a discrete energy level structure, and under the excitation of an external light source, electrons will undergo transitions and emit fluorescence.
  • the special discrete energy-level structure of quantum dot materials makes the half-wave width narrower, so it can emit higher-purity monochromatic light, which has higher luminous efficiency than traditional displays.
  • the energy level band gap of the quantum dot material is greatly affected by its size, light of different wavelengths can be excited by adjusting the size of the quantum dot material or using quantum dot materials of different compositions.
  • the quantum dot material pattern can also be made on the heat-insulating and light-transmitting layer 62 by coating, relief printing, or the like.
  • the laser beam L1 is used to irradiate the transfer substrate 61 to ensure that sufficient heat is generated.
  • the laser beam is incident from one side of the transfer substrate 61 through the transfer substrate 61 and the heat-insulating light-transmitting layer 62 to irradiate the quantum dot material pattern, and generate enough heat to transfer the quantum dot material pattern
  • a quantum dot light conversion layer 505 is formed on the cathode metal layer 504 to obtain an OLED substrate 50.
  • the quantum dot material pattern needs to be externally aligned with the pattern of the OLED substrate 50, and the transfer substrate 61 absorbs After being heated, it is transferred to the corresponding position on the OLED substrate 50;
  • the quantum dot material contained in the quantum dot light conversion layer 505 is preferably any one of red quantum dot material and green quantum dot material, and the quantum dot light conversion layer
  • the layer 505 includes a red quantum dot light conversion layer 5051 and a green quantum dot light conversion layer 5052.
  • the black matrix 503 is arranged between the red quantum dot light conversion layer 5051 and the green quantum dot light conversion layer 5052. As shown in Figure 4C.
  • the S40 further includes:
  • a color filter substrate 70 is provided.
  • the color filter substrate 70 includes a substrate 71, the black matrix 72, and a color filter film 73.
  • the color filter film 73 is preferably arranged corresponding to the red sub-pixels and the green sub-pixels, respectively.
  • the red color resistance 731 and the green color resistance 732 preferably, since the OLED light-emitting layer 112 is a blue OLED light-emitting layer, the color filter film 23 can also be provided with a blue color resistance in the region corresponding to the blue sub-pixels, as shown in FIG. 4D Show.
  • the S50 further includes:
  • the color filter substrate 70 and the OLED substrate 50 are encapsulated to form an encapsulation layer 80 to obtain the OLED display device.
  • the manufacturing method of the encapsulation layer 80 is one or more of glass encapsulation (Frit), sealant filling (Dam&fill), desiccant encapsulation (Dam&Gatter), thin film encapsulation (TFE), and face seal. As shown in Figure 4E.
  • the OLED light-emitting layer 502 may also preferably be a white light OLED light-emitting layer, wherein the corresponding quantum dot light conversion layer 505 contains a red quantum dot material and
  • the corresponding color filter film 73 is preferably a red color resist, a green color resist, and a blue color resist provided corresponding to the red sub-pixel, the green sub-pixel and the blue sub-pixel, respectively.
  • the OLED light source is first converted into monochromatic light through the quantum dot light conversion layer 502.
  • the light will be filtered by the color filter film 73, effectively avoiding the problem of light crosstalk between the OLED substrate 50 and the quantum dot light conversion layer 502, and improving the OLED display
  • the manufacturing method of the OLED display device provided by the present application can avoid the use of high-thickness black hydrophilic and hydrophobic dams required for printing and manufacturing quantum dots by using the transfer method, simplifying the device structure and reducing material costs.
  • the beneficial effects of this application are: the OLED display device and preparation method provided by this application directly fabricate the quantum dot conversion film on the OLED light-emitting device, effectively avoiding the problem of light crosstalk of the OLED light source, and further improving the color of the OLED display device. purity.

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Abstract

一种OLED显示装置及制备方法，包括OLED基板（10）以及彩膜基板（20），所述OLED基板（10）包括OLED器件（11）以及量子点光转换层（12）；其中，所述量子点光转换层（12）经转印方式形成于所述OLED器件（11）的表面。该OLED显示装置及制备方法，将量子点转换膜直接制作在OLED发光器件上，有效避免了OLED光源的光串扰问题，进一步提高了OLED显示装置的色纯度。

Description

OLED显示装置及制备方法 技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及制备方法。
 背景技术
色域通常被人们称作色彩空间，代表了一个色彩影像所能表现色彩空间的色彩的具体情况。人们在影音方面多采用NTSC(美国国家电视标准委员会)为标准的色域定义。目前OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）显示屏的NTSC在70%~90%的水平,与量子点背光的液晶显示器超过100%的NTSC相比，仍存在差距。利用蓝光OLED激发彩色滤光片上的红、绿量子点转换膜以获得色彩纯度更高的显示器件是较为有效的提高OLED色纯度的方式。在该类结构中，OLED光源与量子点彩色滤膜间存在一定间距，容易产生光串扰，影响像素色纯度；另外，彩色滤光片上的量子点层通常采用打印方式制作，因膜厚需求（2~10um），需要特定的高厚度黑色亲疏水性材料，增加了制作成本。
综上所述，现有的OLED显示装置，由于OLED光源与彩膜基板上打印形成的量子点层之间存在一定的距离，导致OLED光源发出的光线产生串扰现象，进一步影响OLED显示装置的显示效果。
 技术问题
现有的OLED显示装置，在OLED光源与彩膜基板上打印形成的量子点层之间存在一定的距离，导致OLED光源发出的光线产生串扰现象，进一步影响OLED显示装置的显示效果。
 技术解决方案
本申请提供一种OLED显示装置及制备方法，能够有效避免OLED光源串扰问题，以解决现有的OLED显示装置，由于OLED光源与彩膜基板上打印形成的量子点层之间存在一定的距离，导致OLED光源发出的光线产生串扰现象，进一步影响OLED显示装置的显示效果的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种OLED显示装置，包括OLED基板以及彩膜基板，所述OLED基板包括OLED器件以及量子点光转换层；
其中，所述量子点光转换层形成于所述OLED器件的表面。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置中，所述OLED器件包括TFT基板、OLED发光层以及阴极金属层，所述TFT基板具有阳极金属层，所述TFT基板为低温多晶硅TFT基板或者氧化物TFT基板。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置中，所述OLED发光层为蓝光OLED发光层，所述量子点光转换层所含量子点材料为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置中，所述OLED发光层为白光OLED发光层，所述量子点光转换层所含量子点材料为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置中，所述量子点光转换层通过激光诱导热转印方式或者辐射诱发升华转印方式形成于所述OLED器件的表面。
本申请还提供一种OLED显示装置的制备方法，所述方法包括：
S10，提供一TFT基板，所述TFT基板具有阳极金属层，在所述TFT基板的表面蒸镀一层OLED发光层；
S20，在所述OLED发光层的表面蒸镀一层阴极金属层；
S30，通过转印方式在所述阴极金属层上形成量子点光转换层，得到OLED基板；
S40，提供一彩膜基板，将所述彩膜基板贴合在所述OLED基板的表面；
S50，对所述彩膜基板以及所述OLED基板进行封装，得到所述OLED显示装置。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述S10中，所述TFT基板为低温多晶硅TFT基板或者氧化物TFT基板。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述S30还包括：
S301，提供一片可透光的转印基板，在所述转印基板上制备隔热透光层；
S302，在所述隔热透光层上涂布含有量子点材料的光阻，并通过黄光进行蚀刻、显影获得量子点材料图案；
S303，使用激光光束照射所述转印基板，将所述量子点材料图案转移到所述阴极金属层上形成量子点光转换层，得到OLED基板。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述S40中，所述彩膜基板包括衬底、黑色矩阵以及彩色滤光膜。
在本申请实施例所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述OLED发光层为蓝光OLED发光层，所述彩色滤光膜包括分别对应红色子像素、绿色子像素设置的红色色阻以及绿色色阻，所述彩色滤光膜对应蓝光子像素的区域可设置也可以不设置蓝色色阻；所述OLED发光层为白光OLED发光层，所述彩色滤光膜包括分别对应红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素设置的红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻。
 有益效果
本申请的有益效果为：本申请所提供的OLED显示装置及制备方法，将量子点转换膜直接制作在OLED发光器件上，有效避免了OLED光源的光串扰问题，进一步提高了OLED显示装置的色纯度。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请OLED显示装置实施例一的结构示意图。
图2为本申请OLED显示装置实施例二的结构示意图。
图3为本申请OLED显示装置的制备方法流程图。
图4A-图4E为图3所述OLED显示装置的制备方法示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请针对现有的OLED显示装置，由于OLED光源与彩膜基板上打印形成的量子点层之间存在一定的距离，导致OLED光源发出的光线产生串扰现象，进一步影响OLED显示装置的显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
实施例一：
一种OLED显示装置，如图1所示，所述OLED显示装置包括OLED基板10以及彩膜基板20，所述OLED基板10包括OLED器件11以及量子点光转换层12；
其中，所述量子点光转换层12形成于所述OLED器件11的表面。
具体的，所述OLED器件11包括TFT基板111、OLED发光层112以及阴极金属层113，所述TFT基板111具有阳极金属层，所述TFT基板111为低温多晶硅TFT基板或者氧化物TFT基板；所述OLED发光层112为蓝光OLED发光层，所述OLED发光层112还包括空穴注入材料与空穴传输材料任意一种或两种、电子传输材料与电子注入材料任意一种或者两种，所述OLED发光层112还可以根据需要包含电子阻挡层及空穴阻挡层等功能材料；所述阴极金属层113是指兼顾透光性与导电性的材料，具体实现可以使掺杂的金属材料或者是半导体材料，优选为按一定比例掺杂的镁和银金属。
具体的，所述量子点光转换层12所含量子点材料为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种，所述量子点光转换层12包括红量子点光转换层121以及绿量子点光转换层122，所述红量子点光转换层121与所述绿量子点光转换层122之间设置有黑色矩阵22。
具体的，所述量子点光转换层12通过激光诱导热转印方式或者辐射诱发升华转印方式形成于所述OLED器件11的表面。
具体的，所述彩膜基板20包括衬底21、所述黑色矩阵22以及彩色滤光膜23，所述彩色滤光膜23包括分别对应红色子像素、绿色子像素设置的红色色阻231以及绿色色阻232。
优选地，由于所述OLED发光层112为蓝光OLED发光层，所述彩色滤光膜23对应蓝光子像素的区域也可以设置蓝色色阻。
实施例二：
一种OLED显示装置，如图2所示，所述OLED显示装置包括OLED基板30以及彩膜基板40，所述OLED基板30包括OLED器件31以及量子点光转换层32；
其中，所述量子点光转换层32形成于所述OLED器件31的表面。
具体的，所述OLED器件31包括TFT基板311、OLED发光层312以及阴极金属层313，所述TFT基板311具有阳极金属层，所述TFT基板311为低温多晶硅TFT基板或者氧化物TFT基板；所述OLED发光层312为白光OLED发光层，所述OLED发光层312还包括空穴注入材料与空穴传输材料任意一种或两种、电子传输材料与电子注入材料任意一种或者两种，所述OLED发光层312还可以根据需要包含电子阻挡层及空穴阻挡层等功能材料；所述阴极金属层313是指兼顾透光性与导电性的材料，具体实现可以为掺杂的金属材料或者是半导体材料，优选为按一定比例掺杂的镁金属和银金属。
具体的，所述量子点光转换层32所含量子点材料为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种，所述量子点光转换层32包括红量子点光转换层321以及绿量子点光转换层322。
具体的，所述量子点光转换层32通过激光诱导热转印方式或者辐射诱发升华转印方式形成于所述OLED器件31的表面。
具体的，所述彩膜基板40包括衬底41、黑色矩阵42以及彩色滤光膜43，所述彩色滤光膜包括分别对应红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素设置的红色色阻431、绿色色阻432以及蓝色色阻433，所述红色色阻431、所述绿色色阻432以及所述蓝色色阻433的任意二者之间设置有所述黑色矩阵42。
如图3所示，本申请还提供一种OLED显示装置的制备方法流程，所述方法包括：
S10，提供一TFT基板501，所述TFT基板501具有阳极金属层，在所述TFT基板501的表面蒸镀一层OLED发光层502。
具体的，所述S10还包括：
首先提供一TFT基板501，所述TFT基板501具有阳极金属层，所述TFT基板501为低温多晶硅TFT基板或者氧化物TFT基板，所述OLED发光层502为蓝光OLED发光层或者白光OLED发光层，优选为蓝光OLED发光层；所述OLED发光层502还包括空穴注入材料与空穴传输材料任意一种或两种、电子传输材料与电子注入材料任意一种或者两种，所述OLED发光层502还可以根据需要包含电子阻挡层及空穴阻挡层等功能材料；所述TFT基板501上还设置有黑色矩阵503，如图4A所示。
S20，在所述OLED发光层502的表面蒸镀一层阴极金属层504。
具体的，所述S20还包括：
在所述OLED发光层502的表面蒸镀或溅射一层阴极金属层504，所述阴极金属层504为兼顾透光性与导电性的材料，具体实现可以为掺杂的金属材料或者是半导体材料，优选为按一定比例掺杂的镁金属和银金属，如图4B所示。
S30，通过转印方式在所述阴极金属层504上形成量子点光转换层505，得到OLED基板50。
具体的，所述S30还包括：
首先，提供一片可透光的转印基板61，在所述转印基板61上制备隔热透光层62；所述隔热透光层62为吸热玻璃或者隔热膜，所述隔热透光层62图案化或者整面覆盖在所述转印基板61上。之后，在所述隔热透光层62上涂布含有量子点材料的光阻，并通过黄光进行蚀刻、显影获得所需要的量子点材料图案；其中，量子点材料(Quantum Dot，简称QD)是指粒径在1-100nm的半导体晶粒，由于量子点材料的粒径较小，小于或者接近相应体材料的激子波尔半径，产生量子限域效应，本体材料连续的能带结构会转变为分立的能级结构，在外部光源的激发下，电子会发生跃迁，发射荧光。量子点材料这种特殊的分立能级结构使其半波宽较窄，因而可发出较高纯度的单色光，相比于传统显示器具有更高的发光效率。同时，由于量子点材料的能级带隙，受其尺寸影响较大，可以通过调控量子点材料的尺寸或使用不同成分的量子点材料来激发出不同波长的光。所述量子点材料图案也可以通过涂布、凸版印刷等方式在所述隔热透光层62上制作。最后，使用激光光束L1照射所述转印基板61，以保证产生足够的热量。激光光束从所述转印基板61的一面入射经过所述转印基板61和所述隔热透光层62照射到所述量子点材料图案上，产生足够的热量将所述量子点材料图案转移到所述阴极金属层504上形成量子点光转换层505，得到OLED基板50，具体来说，所述量子点材料图案需要与所述OLED基板50的图案进行对外，所述转印基板61吸热后转移至所述OLED基板50相应的位置上；所述量子点光转换层505所含量子点材料优选为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种，所述量子点光转换层505包括红量子点光转换层5051以及绿量子点光转换层5052，所述红量子点光转换层5051与所述绿量子点光转换层5052之间设置有所述黑色矩阵503。如图4C所示。
S40，提供一彩膜基板70，将所述彩膜基板70贴合在所述OLED基板50的表面。
具体的，所述S40还包括：
提供一彩膜基板70，所述彩膜基板70包括衬底71、所述黑色矩阵72以及彩色滤光膜73，所述彩色滤光膜73优选为分别对应红色子像素以及绿色子像素设置的红色色阻731以及绿色色阻732；优选地，由于所述OLED发光层112为蓝光OLED发光层，所述彩色滤光膜23对应蓝光子像素的区域也可以设置蓝色色阻，如图4D所示。
S50，对所述彩膜基板70以及所述OLED基板50进行封装，得到所述OLED显示装置。
具体的，所述S50还包括：
对所述彩膜基板70以及所述OLED基板50进行封装，形成封装层80，得到所述OLED显示装置。所述封装层80的制作方法为玻璃封装（Frit）、框胶填充（Dam&fill）、干燥剂封装（Dam& Gatter）、薄膜封装（TFE）、面封装（Face seal）中的一种或几种，如图4E所示。
本申请提供的OLED显示装置的制备方法中，所述OLED发光层502还可以优选为白光OLED发光层，其中，对应的所述量子点光转换层505所含量子点材料为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种，对应的所述彩色滤光膜73优选为分别对应红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素设置的红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻。
本申请所提供的OLED显示装置的制备方法，由于OLED光源先经过所述量子点光转换层502转换成单色光。当发生光入射至相邻像素时，光线会被所述彩色滤光膜73所过滤掉，有效避免所述OLED基板50与所述量子点光转换层502间的光串扰问题，提高了OLED显示装置的色纯度；同时，与空气折射率（n=1）相比, 量子点材料的折射率（n=1.4~2.0）与金属材料的折射率（n=1.4~3）相差较小, 有利于增加OLED器件光取出。
本申请所提供的OLED显示装置的制备方法利用转印方式可以避免使用打印制作量子点所需的高厚度黑色亲疏水坝，简化了器件结构，降低材料成本。
本申请的有益效果为：本申请所提供的OLED显示装置及制备方法，将量子点转换膜直接制作在OLED发光器件上，有效避免了OLED光源的光串扰问题，进一步提高了OLED显示装置的色纯度。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

  1. 一种OLED显示装置，其中，包括OLED基板以及彩膜基板，所述OLED基板包括OLED器件以及量子点光转换层；
    其中，所述量子点光转换层形成于所述OLED器件的表面。
  2. 根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述OLED器件包括TFT基板、OLED发光层以及阴极金属层，所述TFT基板具有阳极金属层，所述TFT基板为低温多晶硅TFT基板或者氧化物TFT基板。
  3. 根据权利要求2所述的OLED显示装置，其中，所述OLED发光层为蓝光OLED发光层，所述量子点光转换层所含量子点材料为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种。
  4. 根据权利要求2所述的OLED显示装置，其中，所述OLED发光层为白光OLED发光层，所述量子点光转换层所含量子点材料为红量子点材料以及绿量子点材料中的任意一种。
  5. 根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述量子点光转换层通过激光诱导热转印方式或者辐射诱发升华转印方式形成于所述OLED器件的表面。
  6. 一种OLED显示装置的制备方法，其中，所述方法包括：
    S10，提供一TFT基板，所述TFT基板具有阳极金属层，在所述TFT基板的表面蒸镀一层OLED发光层；
    S20，在所述OLED发光层的表面蒸镀一层阴极金属层；
    S30，通过转印方式在所述阴极金属层上形成量子点光转换层，得到OLED基板；
    S40，提供一彩膜基板，将所述彩膜基板贴合在所述OLED基板的表面；
    S50，对所述彩膜基板以及所述OLED基板进行封装，得到所述OLED显示装置。
  7. 根据权利要求6所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述S10中，所述TFT基板为低温多晶硅TFT基板或者氧化物TFT基板。
  8. 根据权利要求6所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述S30还包括：
    S301，提供一片可透光的转印基板，在所述转印基板上制备隔热透光层；
    S302，在所述隔热透光层上涂布含有量子点材料的光阻，并通过黄光进行蚀刻、显影获得量子点材料图案；
    S303，使用激光光束照射所述转印基板，将所述量子点材料图案转移到所述阴极金属层上形成量子点光转换层，得到OLED基板。
  9. 根据权利要求6所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述S40中，所述彩膜基板包括衬底、黑色矩阵以及彩色滤光膜。
  10. 根据权利要求9所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述OLED发光层为蓝光OLED发光层，所述彩色滤光膜包括分别对应红色子像素、绿色子像素设置的红色色阻以及绿色色阻，所述彩色滤光膜对应蓝光子像素的区域可设置也可以不设置蓝色色阻；所述OLED发光层为白光OLED发光层，所述彩色滤光膜包括分别对应红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素设置的红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻。
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