JP6852250B2 - 量子ドットｌｅｄパッケージ構造、及び量子ドットｌｅｄパッケージの作製方法 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 39
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000227425 Pieris rapae crucivora Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 210000001061 forehead Anatomy 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Description
本発明はディスプレイ技術の分野に関するものであり、特に量子ドットＬＥＤパッケージ構造に関するものである。
近年、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−ＬＣＤ、ＴＦＴ−ＬＣＤ）は飛躍的に発展しており、且つ幅広く適用されている。現在市販されている液晶表示装置の多くはバックライト型液晶表示装置であり、液晶表示パネルとバックライトモジュール（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｍｏｄｕｌｅ）とを含むものである。一般的に、液晶表示パネルは、カラーフィルタ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ、ＣＦ）基板、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）基板、カラーフィルタ基板と薄膜トランジスタ基板との間に挟持された液晶（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ、ＬＣ）及びシール材（Ｓｅａｌａｎｔ）から構成されている。その動作原理は、２枚のガラス基板に駆動電圧を印加することで液晶層の液晶分子の回転を制御し、以ってバックライトモジュールの光線を反射させることにより、画像を生成するものである。
従来の液晶表示装置では、バックライト光源として、白色発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）が一般的に用いられている。ここで、最も一般的な白色ＬＥＤは青色発光チップ（Ｂ ｃｈｉｐ）と黄色蛍光粉末（Ｙ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ）とを組み合わせたＬＥＤであるが、黄色蛍光粉末を用いたＬＥＤを、バックライト光源として液晶表示パネルの後ろに配置した場合、ディスプレイの彩度は通常いずれも比較的低く（ＮＴＳＣ色域値は一般的に７２％）、表示される色彩の鮮やかさは不十分なものとなる。彩度を改善し、さらに鮮やかな色彩表現を実現するためには、現状で主に黄色蛍光粉末を赤緑色（ＲＧ）蛍光粉末に変更し、白色ＬＥＤを青色発光チップと赤緑色蛍光粉末とを組み合わせた態様としている。しかしながら、黄色蛍光粉末を用いた場合と比較して、そのような態様では、約２５％しか色域値を増加させることができず（ＮＴＳＣ色域値は一般に９０％である）、依然として新たなＢＴ．２０２０色域標準（ＮＴＳＣ色域値が１３４％であることに相当する）を満たすことができない。今のところ、ＢＴ．２０２０色域標準の８０％以上を達成することができる技術としては、狭い発光スペクトルを有する量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ、ＱＤ）材料を用いた技術が、最も実現する上で容易な技術であり、且つ最も省エネルギーである。
ナノ結晶とも呼ばれる量子ドットは、粒径が通常１〜１０ｎｍのナノ粒子であり、電子及び正孔の量子閉じ込め効果により、連続帯域の構造が分子特性を有する離散準位の構造に変化し、励起されると蛍光を発するようになる。量子ドットの発光スペクトルは、量子ドットのサイズを変更することによって制御することができる。量子ドットのサイズ及びその化学組成を変えることで、発光スペクトルは可視領域全体をカバーすることができ、広い励起スペクトル及び狭い発光スペクトルを有するため、スペクトルカバー率は比較的高いものとなる。さらに、有機蛍光粉末の蛍光寿命と比較して、量子ドットの蛍光寿命はその３〜５倍であり、良好な光安定性を有する。総じて、量子ドットは理想的な蛍光材料であるといえる。
蛍光発光材料としての量子ドット混合材料とシリカゲルとをＬＥＤフレーム内に封止したものは、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）と呼ばれる。しかしながら、量子ドットは水分と酸素の影響を受けやすく、水分と酸素のある環境に晒された場合、蛍光効率は不可逆的に急速に低下するため、量子ドットのパッケージには良好な水分及び酸素遮断能力を具備することが求められる。加えて、温度が上昇するにつれて、量子ドット材料の発光効率は徐々に低下し、発光波長も赤方偏移するため、量子ドットのパッケージには高温を遮断する能力、或いは比較的良好な放熱環境が求められる。現在、量子ドットＬＥＤのバックライト用途において採用されている主なパッケージ方法としては、量子ドットをガラスチューブ内又は水分／酸素遮断ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム内に封止する方法がある。ここで、前者はガラスを使用しているため、割れやすく、光利用率が比較的低く、狭額ベゼルに適用し難いという欠点がある。一方、後者はバックライトの縁部の青色が色ずれを起こしやすく、コストが高いという欠点がある。
本発明の目的は、良好な放熱効果と、水分及び酸素の遮断効果とを有する量子ドットＬＥＤパッケージ構造を提供することであり、量子ドットＬＥＤの量産の困難さ、高コスト、低発光効率、狭額ベゼルへの応用の困難さ等の、既存の問題を解決することをその趣旨とする。
上記の目的を達成するために、本発明は量子ドットＬＥＤパッケージ構造を提供し、当該量子ドットＬＥＤパッケージ構造は、底部フレームと、外部フレームと、量子ドット層含有発光チップと、無機バリア層と、頂部シリカゲル層とを含み、
前記量子ドット層含有発光チップは、前記底部フレーム上に設けられており、
前記外部フレームは、前記底部フレーム上に設けられ、且つ前記量子ドット層含有発光チップを囲んでおり、
前記無機バリア層は、前記底部フレーム上で前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止しており、
前記頂部シリカゲル層は、前記無機バリア層上に設けられている。
前記量子ドット層含有発光チップは、前記底部フレーム上に設けられており、
前記外部フレームは、前記底部フレーム上に設けられ、且つ前記量子ドット層含有発光チップを囲んでおり、
前記無機バリア層は、前記底部フレーム上で前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止しており、
前記頂部シリカゲル層は、前記無機バリア層上に設けられている。
前記無機バリア層の材料は、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＮ又はＡｌ２Ｏ３である。
前記無機バリア層は、低温スパッタリング法、プラズマ化学気相成長法又は熱蒸着法を用いて堆積させることで形成される。
前記量子ドット層含有発光チップは、下から上へ順に、前記底部フレーム上に設けられた青色発光チップと、第１隔離層と、量子ドット層と、第２隔離層とを含む。
前記量子ドット層は、それぞれが赤色量子ドット材料及び緑色量子ドット材料である２種の量子ドット材料を含む。
前記量子ドット層は、緑色量子ドット材料である１種の量子ドット材料を含み、前記頂部シリカゲル層は、ＫＳＦ燐光性発光材料を含むシリカゲル層である。
前記第１隔離層及び前記第２隔離層の材料は、シリカゲル又はガラスである。
前記底部フレームは、互いに間隔を置いて配置された第１金属フレームと第２金属フレームとを含み、さらには、前記第１金属フレームと前記第２金属フレームとの間に位置する絶縁フレームを含み、前記第１金属フレームと前記第２金属フレームは、それぞれ前記青色発光チップの陽極と陰極に接続されている。
前記外部フレーム及び前記絶縁フレームの材料は、エポキシ成形材料又はセラミックである。
前記青色発光チップは、フリップチップである。
本発明はさらに量子ドットＬＥＤパッケージ構造を提供し、当該量子ドットＬＥＤパッケージ構造は、底部フレームと、外部フレームと、量子ドット層含有発光チップと、無機バリア層と、頂部シリカゲル層とを含み、
前記量子ドット層含有発光チップは、前記底部フレーム上に設けられており、
前記外部フレームは、前記底部フレーム上に設けられ、且つ前記量子ドット層含有発光チップを囲んでおり、
前記無機バリア層は、前記底部フレーム上で前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止しており、
前記頂部シリカゲル層は、前記無機バリア層上に設けられており、
前記無機バリア層は、低温スパッタリング法、プラズマ化学気相成長法又は熱蒸着法を用いて堆積させることで形成され、
前記量子ドット層含有発光チップは、下から上へ順に、前記底部フレーム上に設けられた青色発光チップと、第１隔離層と、量子ドット層と、第２隔離層とを含む。
前記量子ドット層含有発光チップは、前記底部フレーム上に設けられており、
前記外部フレームは、前記底部フレーム上に設けられ、且つ前記量子ドット層含有発光チップを囲んでおり、
前記無機バリア層は、前記底部フレーム上で前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止しており、
前記頂部シリカゲル層は、前記無機バリア層上に設けられており、
前記無機バリア層は、低温スパッタリング法、プラズマ化学気相成長法又は熱蒸着法を用いて堆積させることで形成され、
前記量子ドット層含有発光チップは、下から上へ順に、前記底部フレーム上に設けられた青色発光チップと、第１隔離層と、量子ドット層と、第２隔離層とを含む。
本発明の有益な効果は以下の通りである。本発明は量子ドットＬＥＤパッケージ構造を提供するものであり、当該量子ドットＬＥＤパッケージ構造は、底部フレームと、外部フレームと、量子ドット層含有発光チップと、無機バリア層と、頂部シリカゲル層とを含む。前記無機バリア層は前記底部フレーム上で、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止している。無機バリア層を用いて外部フレーム及び量子ドット層含有発光チップを封止し、さらには、無機バリア層上に頂部シリカゲル層を設けることで、量子ドットＬＥＤに対し、従来の単にシリカゲル層を用いたパッケージ構造では満たすことのできなかった水分及び酸素の遮断条件を満たすことができるとともに、良好な放熱効果を有する。これにより、量子ドットＬＥＤの量産の困難さ、高コスト、低発光効率、狭額ベゼルへの応用の困難さ等の既存の問題を解決することができる。
本発明の特徴及び技術内容をより理解するために、以下の本発明に関する詳細な説明及び添付の図面を参照されたい。しかしながら、添付の図面は参照及び説明にのみ供するためのものであり、本発明を限定するためのものではない。
以下、添付の図と合わせて、本発明の具体的な実施形態を詳述することで、本発明の技術案及びその他の有益な効果をより明確なものとする。添付の図において、
図１は、本発明の量子ドットＬＥＤパッケージ構造を示す概略図である。
図２は、本発明の量子ドットＬＥＤパッケージ構造における量子ドット層含有発光チップの構造を示す概略図である。
図１は、本発明の量子ドットＬＥＤパッケージ構造を示す概略図である。
図２は、本発明の量子ドットＬＥＤパッケージ構造における量子ドット層含有発光チップの構造を示す概略図である。
本発明で採用されている技術的手段及びその効果をより明確に説明するために、以下において、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に記載する。
図１を参照して、本発明は量子ドットＬＥＤパッケージ構造を提供するものである。本発明の量子ドットＬＥＤパッケージ構造は、底部フレーム１１０と、外部フレーム１３０と、量子ドット層含有発光チップ１５０と、無機バリア層１７０と、頂部シリカゲル層１９０とを含む。
前記量子ドット層含有発光チップ１５０は、前記底部フレーム１１０上に設けられている。
前記外部フレーム１３０は、前記底部フレーム１１０上に設けられ、且つ前記量子ドット層含有発光チップ１５０を囲んでいる。
前記無機バリア層１７０は、前記底部フレーム１１０上で前記外部フレーム１３０及び前記量子ドット層含有発光チップ１５０を被覆することで、前記外部フレーム１３０及び前記量子ドット層含有発光チップ１５０を封止している。
前記頂部シリカゲル層１９０は、無機バリア層１７０上に設けられている。このため、前記頂部シリカゲル層１９０内のシリカゲルは、前記無機バリア層１７０が堆積過程において表面に形成した部分的な欠陥を埋めることができる。これにより、量子ドットＬＥＤパッケージ構造を使用する過程において、環境温度及び湿度の急激な変化によりもたらされるフィルム割れを防ぐことができる。
本発明の量子ドットＬＥＤパッケージ構造では、無機バリア層１７０を用いて外部フレーム１３０及び量子ドット層含有発光チップ１５０を封止し、且つ、無機バリア層１７０上には頂部シリカゲル層１９０が設けられている。これにより、量子ドットＬＥＤに対し、従来の単にシリカゲル層を用いたパッケージ構造では満たすことのできなかった水分及び酸素の遮断条件（通常、水分及び酸素透過性が低いシリカゲルの酸素透過性は１２０〜３５０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙであるところ、量子ドットＬＥＤが実際に必要とする水分及び酸素の遮断条件は酸素透過性にして、＜１０−１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙである。）を満たすことができるとともに、良好な放熱効果を有する。このため、量子ドットＬＥＤの量産の困難さ、高コスト、低発光効率、狭額ベゼルへの応用の困難さ等の、既存の問題を解決することができる。
具体的には、前記無機バリア層１７０は、水分及び酸素の透過性が低い無機バリア（ｂａｒｒｉｅｒ）材料からなる。これにより、量子ドットＬＥＤパッケージ構造の放熱効果の改善のみならず、量子ドットＬＥＤパッケージ構造の水分及び酸素に対する遮断効果を大いに改善することも可能となる。さらに、前記無機バリア層１７０の材料としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素アルミニウム（ＳｉＡｌＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等が挙げられる。
具体的には、前記無機バリア層１７０は、低温スパッタリング法、プラズマ化学気相成長法又は熱蒸着法等の方法を用いて堆積させることで形成される。
具体的には、図２に示すように、前記量子ドット層含有発光チップ１５０は、下から上へ順に、前記底部フレーム１１０上に設けられた青色発光チップ１５１と、第１隔離層１５２と、量子ドット層１５３と、第２隔離層１５４とを含む。
選択的に、前記量子ドット層１５３は、それぞれが赤色量子ドット材料及び緑色量子ドット材料である２種の量子ドット材料を含み、前記頂部シリカゲル層１９０は透明なシリカゲル材料である。若しくは、前記量子ドット層１５３は、緑色量子ドット材料の１種の量子ドット材料のみを含み、前記頂部シリカゲル層１９０はその場合、ＫＳＦ燐光性発光材料を含むシリカゲル層であり、このような形態の量子ドットＬＥＤパッケージ構造は、ＫＳＦ燐光性発光材料が緑色光の波長帯を吸収しないため、より高い発光効率を有する。
具体的には、前記第１隔離層１５２及び前記第２隔離層１５４の材料は、シリカゲル又はガラスである。
具体的には、前記底部フレーム１１０は、互いに間隔を置いて配置された第１金属フレーム１１１と第２金属フレーム１１２とを含み、さらには、第１金属フレーム１１１と第２金属フレーム１１２との間に位置する絶縁フレーム１１３を含む。前記第１金属フレーム１１１と第２金属フレーム１１２は、それぞれ青色発光チップ１５１の陽極と陰極に接続されている。
具体的には、前記外部フレーム１３０及び絶縁フレーム１１３の材料は、エポキシ成形材料（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｄ、ＥＭＣ）又はセラミックである。
具体的には、前記青色発光チップ１５１はフリップチップである。
具体的には、前記無機バリア層１７０は前記量子ドット層含有発光チップ１５０の上方において凹部を形成しており、前記頂部シリカゲル層１９０は当該凹部内に形成されているとともに、前記量子ドット層含有発光チップ１５０の上方に対応する箇所に位置する。
上述のように、本発明の提供する量子ドットＬＥＤパッケージ構造は、底部フレームと、外部フレームと、量子ドット層含有発光チップと、無機バリア層と、頂部シリカゲル層とを含む。前記無機バリア層は前記底部フレーム上で、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止している。無機バリア層を用いて外部フレーム及び量子ドット層含有発光チップを封止し、さらには、無機バリア層上に頂部シリカゲル層を設けることで、量子ドットＬＥＤに対し、従来の単にシリカゲル層を用いたパッケージ構造では満たすことのできなかった水分及び酸素の遮断条件を満たすことができるとともに、良好な放熱効果を有する。これにより、量子ドットＬＥＤの量産の困難さ、高コスト、低発光効率、狭額ベゼルへの応用の困難さ等の既存の問題を解決することができる。
以上により、本分野における通常の技術者は、本発明の技術案及び技術的思想に基づいて、その他各種の対応する改変及び変形を施すことができ、これらの改変及び変形はいずれも本発明の請求項で保護を求める範囲に属するものである。
Claims (12)
- 底部フレームと、外部フレームと、量子ドット層含有発光チップと、無機バリア層と、頂部シリカゲル層とを含む量子ドットＬＥＤパッケージ構造において、
前記量子ドット層含有発光チップは、前記底部フレーム上に設けられており、
前記外部フレームは、前記底部フレーム上に設けられ、且つ前記量子ドット層含有発光チップを囲んでおり、
前記無機バリア層は、前記底部フレーム上で前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止しており、
前記頂部シリカゲル層は、前記無機バリア層上に設けられており、
前記量子ドット層含有発光チップは、下から上へ順に、前記底部フレーム上に設けられた青色発光チップと、第１隔離層と、量子ドット層と、第２隔離層とを含み、
前記量子ドット層は、緑色量子ドット材料である１種の量子ドット材料を含み、前記頂部シリカゲル層は、ＫＳＦ燐光性発光材料を含むシリカゲル層であることを特徴とする量子ドットＬＥＤパッケージ構造。 - 前記無機バリア層の材料は、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＮ又はＡｌ２Ｏ３であることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットＬＥＤパッケージ構造。
- 前記第１隔離層及び前記第２隔離層の材料は、シリカゲル又はガラスであることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットＬＥＤパッケージ構造。
- 前記底部フレームは、互いに間隔を置いて配置された第１金属フレームと第２金属フレームとを含み、さらには、前記第１金属フレームと前記第２金属フレームとの間に位置する絶縁フレームを含み、前記第１金属フレームと前記第２金属フレームは、それぞれ前記青色発光チップの陽極と陰極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットＬＥＤパッケージ構造。
- 前記外部フレーム及び前記絶縁フレームの材料は、エポキシ成形材料又はセラミックであることを特徴とする請求項４に記載の量子ドットＬＥＤパッケージ構造。
- 前記青色発光チップは、フリップチップであることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットＬＥＤパッケージ構造。
- 底部フレームと、外部フレームと、量子ドット層含有発光チップと、無機バリア層と、頂部シリカゲル層とを含む量子ドットＬＥＤパッケージの作製方法において、
前記量子ドット層含有発光チップを、前記底部フレーム上に設け、
前記外部フレームを、前記量子ドット層含有発光チップを囲むようにして、前記底部フレーム上に設け、
前記無機バリア層により、前記底部フレーム上で前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを被覆することで、前記外部フレーム及び前記量子ドット層含有発光チップを封止し、
前記頂部シリカゲル層を、前記無機バリア層上に設け、
前記無機バリア層は、低温スパッタリング法、プラズマ化学気相成長法又は熱蒸着法を用いて堆積させることで形成され、
前記量子ドット層含有発光チップを、下から上へ順に、前記底部フレーム上に設けられた青色発光チップと、第１隔離層と、量子ドット層と、第２隔離層とを含むように形成し、
前記量子ドット層は、緑色量子ドット材料である１種の量子ドット材料を含み、
前記頂部シリカゲル層は、ＫＳＦ燐光性発光材料を含むシリカゲル層であることを特徴とする量子ドットＬＥＤパッケージの作製方法。 - 前記無機バリア層の材料は、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＮ又はＡｌ２Ｏ３であることを特徴とする請求項７に記載の量子ドットＬＥＤパッケージの作製方法。
- 前記第１隔離層及び前記第２隔離層の材料は、シリカゲル又はガラスであることを特徴とする請求項７に記載の量子ドットＬＥＤパッケージの作製方法。
- 前記底部フレームは、互いに間隔を置いて配置された第１金属フレームと第２金属フレームとを含み、さらには、前記第１金属フレームと前記第２金属フレームとの間に位置する絶縁フレームを含み、前記第１金属フレームと前記第２金属フレームは、それぞれ前記青色発光チップの陽極と陰極に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の量子ドットＬＥＤパッケージの作製方法。
- 前記外部フレーム及び前記絶縁フレームの材料は、エポキシ成形材料又はセラミックであることを特徴とする請求項１０に記載の量子ドットＬＥＤパッケージの作製方法。
- 前記青色発光チップは、フリップチップであることを特徴とする請求項７に記載の量子ドットＬＥＤパッケージの作製方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710202967.1 | 2017-03-30 | ||
| CN201710202967.1A CN106981562B (zh) | 2017-03-30 | 2017-03-30 | 量子点led封装结构 |
| PCT/CN2017/081034 WO2018176525A1 (zh) | 2017-03-30 | 2017-04-19 | 量子点led封装结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020512704A JP2020512704A (ja) | 2020-04-23 |
| JP6852250B2 true JP6852250B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=59339285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019553554A Active JP6852250B2 (ja) | 2017-03-30 | 2017-04-19 | 量子ドットｌｅｄパッケージ構造、及び量子ドットｌｅｄパッケージの作製方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10134962B2 (ja) |
| EP (1) | EP3605621B1 (ja) |
| JP (1) | JP6852250B2 (ja) |
| KR (1) | KR20190127932A (ja) |
| CN (1) | CN106981562B (ja) |
| PL (1) | PL3605621T3 (ja) |
| WO (1) | WO2018176525A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206741157U (zh) * | 2017-04-19 | 2017-12-12 | 深圳Tcl新技术有限公司 | Led灯源、灯条及显示装置 |
| CN107565003B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点led封装结构 |
| CN107833963A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-03-23 | 华南师范大学 | 量子点On‑chip白光LED的二次气密性封装方法 |
| CN108011020B (zh) * | 2018-01-12 | 2020-02-07 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 一种量子点膜片及背光源模组 |
| CN108281530A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-13 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 一种量子点led、背光模块及显示装置 |
| CN108493319A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-09-04 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 一种量子点发光二极管光源及发光二极管 |
| CN108400223A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-08-14 | 深圳技术大学（筹） | 发光二极管封装结构、量子点密封单元及其制备方法 |
| CN108735879A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-02 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种含有量子点的smd封装结构 |
| CN110212074B (zh) * | 2019-06-03 | 2020-04-28 | 李红云 | 一种含有光学改善层量子点发光二极管封装结构 |
| US11099424B2 (en) | 2019-07-02 | 2021-08-24 | Dell Products L.P. | High color gamut LED bar with side illumination LED package |
| CN111403578B (zh) * | 2020-03-17 | 2021-04-06 | 深圳深旨科技有限公司 | 一种用磁控溅射封装深紫外led芯片的方法 |
| CN111725422A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4727297B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2011-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2007123390A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| US8491816B2 (en) * | 2008-02-07 | 2013-07-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light emitting device, backlight, color image display device and phosphor to be used for them |
| GB0916700D0 (en) * | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
| JP2011204986A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Showa Denko Kk | ランプおよびランプの製造方法 |
| WO2012132236A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子および発光装置 |
| CN105051152A (zh) * | 2013-03-14 | 2015-11-11 | 纳米技术有限公司 | 多层包覆的量子点珠 |
| RU2589449C1 (ru) * | 2013-04-30 | 2016-07-10 | Соко Кагаку Ко., Лтд. | Излучающий ультрафиолетовое излучение прибор |
| JP6232792B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN103681990B (zh) * | 2013-12-11 | 2017-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led封装件及其制作方法 |
| CN203850332U (zh) * | 2013-12-19 | 2014-09-24 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种新型的led封装结构 |
| KR20150092801A (ko) * | 2014-02-05 | 2015-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR102098245B1 (ko) * | 2014-02-11 | 2020-04-07 | 삼성전자 주식회사 | 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치 |
| CN104167426B (zh) * | 2014-06-03 | 2017-08-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置 |
| US9620686B2 (en) * | 2015-01-28 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Display light sources with quantum dots |
| CN106299076B (zh) * | 2015-05-19 | 2019-02-01 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种量子点发光元件、背光模组和显示装置 |
| CN105185890A (zh) * | 2015-08-10 | 2015-12-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led光源结构及其封装方法 |
| CN205452347U (zh) * | 2015-09-29 | 2016-08-10 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种支架型量子点led封装结构 |
| CN105867026A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-08-17 | 青岛海信电器股份有限公司 | 量子点光源器件、背光模组及液晶显示装置 |
| US10203547B2 (en) * | 2016-06-16 | 2019-02-12 | Hisense Electric Co., Ltd. | Quantum dot light emitting device, backlight module, and liquid crystal display device |
-
2017
- 2017-03-30 CN CN201710202967.1A patent/CN106981562B/zh active Active
- 2017-04-19 WO PCT/CN2017/081034 patent/WO2018176525A1/zh active Application Filing
- 2017-04-19 PL PL17903598.5T patent/PL3605621T3/pl unknown
- 2017-04-19 EP EP17903598.5A patent/EP3605621B1/en active Active
- 2017-04-19 JP JP2019553554A patent/JP6852250B2/ja active Active
- 2017-04-19 US US15/529,507 patent/US10134962B2/en active Active
- 2017-04-19 KR KR1020197031577A patent/KR20190127932A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106981562A (zh) | 2017-07-25 |
| US10134962B2 (en) | 2018-11-20 |
| US20180309032A1 (en) | 2018-10-25 |
| EP3605621A4 (en) | 2020-12-16 |
| CN106981562B (zh) | 2019-04-02 |
| KR20190127932A (ko) | 2019-11-13 |
| PL3605621T3 (pl) | 2022-08-01 |
| JP2020512704A (ja) | 2020-04-23 |
| EP3605621B1 (en) | 2022-03-23 |
| WO2018176525A1 (zh) | 2018-10-04 |
| EP3605621A1 (en) | 2020-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190927 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210218 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |